显示装置和制造显示装置的方法与流程
本公开涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术：
1、随着信息化社会的发展，对显示装置的各种需求不断增加。显示装置可以是诸如液晶显示装置、场发射显示装置和发光显示装置的平板显示装置。发光显示装置可以包括包含有机发光二极管作为发光元件的有机发光显示装置或包含诸如发光二极管(led)的无机发光二极管作为发光元件的发光二极管显示装置。
2、可以在玻璃基底或塑料基底上制造薄膜晶体管，因此薄膜晶体管被广泛用作诸如液晶显示装置、有机发光显示装置的显示装置的开关元件。
3、基于形成有源层的材料，薄膜晶体管可以分为其中使用非晶硅作为有源层的非晶硅薄膜晶体管、其中使用多晶硅作为有源层的多晶硅薄膜晶体管和其中使用氧化物半导体作为有源层的氧化物半导体薄膜晶体管。
4、在这些薄膜晶体管之中，氧化物半导体薄膜晶体管(氧化物半导体tft)具有的优点在于：形成有源层的氧化物可以在相对低的温度下形成，迁移率高，并且电阻根据氧的含量而变化很大，使得可以容易地获得期望的物理性质。由于氧化物半导体由于氧化物的性质而是透明的，因此对实现透明显示器也是有利的。
5、将理解的是，本背景技术部分意图部分地提供对于理解该技术的有用背景。然而，本背景技术部分还可以包括在这里公开的主题的对应有效提交日之前被相关领域的技术人员已知或意识到的内容的部分的想法、构思或认知。
技术实现思路
1、公开的方面提供了一种包括其中关于有源层中的半导体器件的特性的可靠性被改善的晶体管的显示装置和制造该显示装置的方法。
2、公开的方面还提供一种包括其中氧化物半导体具有高迁移率的晶体管的显示装置和制造该显示装置的方法。
3、应当注意的是，公开内容的方面不限于上述方面；并且根据以下描述，公开的其他方面对于本领域技术人员而言将是明显的。
4、根据公开的一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置可以包括：电路层，设置在基底上，并且包括第一晶体管；以及发光元件，设置在电路层上，并且电连接到第一晶体管。第一晶体管可以包括：第一有源区；第一漏电极，设置在第一有源区的一侧；第一源电极，设置在第一有源区的另一侧；栅极绝缘膜，设置在第一有源区上；供氧膜，设置在栅极绝缘膜上；以及第一栅电极，设置在供氧膜上。此外，供氧膜可以具有比栅极绝缘膜高的氧比率。
5、在实施例中，在第一晶体管中，供氧膜可以与第一有源区叠置。
6、在实施例中，第一有源区可以设置在供氧膜下方。
7、在实施例中，供氧膜可以直接接触栅极绝缘膜，并且栅极绝缘膜可以直接接触第一有源区。
8、在实施例中，供氧膜可以与第一有源区间隔开，并且栅极绝缘膜可以设置在供氧膜与第一有源区之间。
9、在实施例中，从供氧膜释放的氧的量可以大于从栅极绝缘膜释放的氧的量。
10、在实施例中，从供氧膜释放的氧的量可以是从栅极绝缘膜释放的氧的量的约三倍或更多。
11、在实施例中，使用热脱附谱法(tds)在约60℃/min的升温速率和约50℃至约1,200℃的温度范围的条件下从供氧膜释放的氧的总量可以等于或大于约2.5×1014分子/cm2。
12、在实施例中，栅极绝缘膜和供氧膜可以包括氧化硅(siox)，栅极绝缘膜的o/si比可以小于约1.83，并且供氧膜的o/si比可以等于或大于约1.83。
13、在实施例中，供氧膜的厚度可以在栅极绝缘膜的厚度的从约2倍至约5倍的范围内。
14、在实施例中，供氧膜的厚度可以在从约20nm至约50nm的范围内。
15、在实施例中，供氧膜可以在上表面上包括凹陷和凸起，并且其中，凹陷与凸起之间的最大高度差可以小于约2nm。
16、在实施例中，第一有源区可以包括itgzo类半导体、itgo类半导体和igo类氧化物半导体中的至少一种。
17、在实施例中，电路层还可以包括：第二晶体管和第三晶体管。第二晶体管可以包括：第二有源区；第二漏电极，设置在第二有源区的一侧；第二源电极，设置在第二有源区的另一侧；栅极绝缘膜，设置在第二有源区上；以及第二栅电极，设置在栅极绝缘膜上。第三晶体管可以包括：第三有源区；第三漏电极，设置在第三有源区的一侧；第三源电极，设置在第三有源区的另一侧；栅极绝缘膜，设置在第三有源区上；以及第三栅电极，设置在栅极绝缘膜上。第二晶体管和第三晶体管中的至少一个可以不包括设置在栅极绝缘膜上的供氧膜。
18、在实施例中，第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管中的一个可以是用于驱动发光元件的驱动晶体管，并且第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管中的另外两个可以是用于控制流过驱动晶体管和发光元件的电流的开关晶体管。
19、根据公开的方面，提供了一种制造显示装置的方法。所述方法可以包括：在基底上形成有源层；在有源层上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成供氧膜；以及在供氧膜上形成金属层。形成栅极绝缘膜的步骤可以包括使用第一气体和第二气体作为反应气体来执行沉积工艺。形成供氧膜的步骤可以包括使用第一气体和第二气体作为反应气体来执行沉积工艺。第一气体可以是硅烷(sih4)气体。第二气体可以是一氧化二氮(n2o)气体。在形成供氧膜的步骤中的第一气体的流量与第二气体的流量的比率可以小于在形成栅极绝缘膜的步骤中的第一气体的流量与第二气体的流量的比率。
20、在实施例中，在形成供氧膜的步骤中的第一气体的流量与第二气体的流量的比率可以小于或等于约1:55。
21、在实施例中，栅极绝缘膜和供氧膜可以包括氧化硅(siox)，栅极绝缘膜的o/si比可以小于约1.83，并且供氧膜的o/si比可以等于或大于约1.83。
22、根据公开的方面，提供了一种制造显示装置的方法。该方法可以包括：在基底上形成有源层；在有源层上形成栅极绝缘膜；以及在栅极绝缘膜上形成金属层。形成栅极绝缘膜的步骤可以包括：使用第一气体和第二气体作为反应气体来执行沉积工艺，以及使用第三气体作为反应气体来执行等离子体处理工艺。第一气体可以是硅烷(sih4)气体。第二气体可以是一氧化二氮(n2o)气体。第三气体可以包括一氧化二氮(n2o)气体和氧气(o2)气体中的至少一种。
23、在实施例中，可以使用pecvd工艺来执行沉积工艺，沉积工艺的pecvd工艺中的等离子体的能级可以大于等离子体处理工艺中的等离子体的能级，并且沉积工艺中的第二气体的流量可以小于等离子体处理工艺中的第三气体的流量。
24、根据公开内容的实施例，可以改善显示装置的晶体管的有源层中的半导体器件的特性的可靠性。
25、根据公开内容的实施例，显示装置的晶体管的氧化物半导体可以具有高迁移率。
26、应当注意的是，公开的效果不限于上述效果，根据以下描述，公开的其他效果对于本领域技术人员而言将是明显的。
技术特征：
1.一种显示装置，所述显示装置包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述第一晶体管中，所述供氧膜与所述第一有源区叠置。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一有源区设置在所述供氧膜下方。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，从所述供氧膜释放的氧的量大于从所述栅极绝缘膜释放的氧的量。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，从所述供氧膜释放的氧的量是从所述栅极绝缘膜释放的氧的量的三倍或更多。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，使用热脱附谱法在60℃/min的升温速率和50℃至1,200℃的温度范围的条件下从所述供氧膜释放的氧的总量等于或大于2.5×1014分子/cm2。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述供氧膜的厚度在所述栅极绝缘膜的厚度的从2倍至5倍的范围内。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述供氧膜的所述厚度在从20nm至50nm的范围内。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一有源区包括itgzo类半导体、itgo类半导体和igo类氧化物半导体中的至少一种。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
16.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其中，在形成所述供氧膜的步骤中，所述第一气体的所述流量与所述第二气体的所述流量的所述比率小于或等于1:55。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，
19.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
20.根据权利要求19所述的方法，其中，
技术总结
公开了一种显示装置和制造该显示装置的方法，所述显示装置包括：电路层，设置在基底上，并且包括第一晶体管；以及发光元件，设置在电路层上，并且电连接到第一晶体管。第一晶体管包括：第一有源区；第一漏电极，设置在第一有源区的一侧；第一源电极，设置在第一有源区的另一侧；栅极绝缘膜，设置在第一有源区上；供氧膜，设置在栅极绝缘膜上；以及第一栅电极，设置在供氧膜上。供氧膜具有比栅极绝缘膜高的氧比率。
技术研发人员：赵东演,朴仪泳
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23