匹配器、基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质与流程

本公开涉及匹配器、基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质。

背景技术：

1、作为半导体器件(器件)的制造工序的一工序，有时进行如下基板处理：将基板搬入到基板处理装置的处理室内，向处理室内供给原料气体和反应气体而在基板上形成绝缘膜、半导体膜、导体膜等各种膜，或除去各种膜。

2、在如形成微细图案时那样要求低温处理的量产器件中，需要供给与通常相比非常多的被活化的反应气体，以便避免晶圆处理的表面反应陷入限速状态。

3、现有技术文献

4、专利文献1：日本特开2007-324477号公报

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、与此相对，一般使用由高频电源生成的等离子体来进行基板处理，但因匹配器内的元件的个体差，有时因阻抗匹配的不正常而使得特性产生偏差，活性种的生成量也产生偏差。

3、本公开提供一种技术，能够避免上述那样的阻抗匹配的不正常，使等离子体的生成稳定。

4、用于解决课题的手段

5、根据本公开的一方式，提供一种技术，具有：

6、输入部，其输入高频；

7、输出部，其输出所述高频；

8、匹配部，其具有能够使电感量可变的可变电感器；

9、电感可变机构部，其使所述可变电感器的电感可变。

10、发明效果

11、根据本公开，能够避免阻抗匹配的不正常，使等离子体的生成稳定。

技术特征：

1.一种匹配器，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的匹配器，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的匹配器，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的匹配器，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的匹配器，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的匹配器，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的匹配器，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的匹配器，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的匹配器，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的匹配器，其特征在于，

11.根据权利要求10所述的匹配器，其特征在于，

12.根据权利要求9所述的匹配器，其特征在于，

13.根据权利要求12所述的匹配器，其特征在于，

14.根据权利要求12所述的匹配器，其特征在于，

15.根据权利要求1所述的匹配器，其特征在于，

16.根据权利要求15所述的匹配器，其特征在于，

17.根据权利要求16所述的匹配器，其特征在于，

18.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

19.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

20.一种记录有程序的计算机可读取的记录介质，其特征在于，

技术总结
本公开涉及匹配器、基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质，提供一种能够避免阻抗匹配的不正常而使等离子体的生成充分且稳定的技术。本公开提供一种具有输入高频的输入部、输出高频的输出部、具备能够使电感量可变的可变电感器的匹配部、以及使可变电感器的电感可变的电感可变机构部的技术。

技术研发人员：竹田刚,原大介
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23