半导体器件及其制造方法与流程

背景技术：

1、本公开涉及半导体器件及其制造方法，并且更特别地，涉及包括齐纳二极管的半导体器件及其制造方法。

2、半导体器件具有内置的保护电路来保护misfet(金属绝缘体半导体场效应晶体管)。

3、下面列出所公开的技术。

4、【专利文件1】日本未审专利申请公开号no.2013－183039

5、例如，专利文件1公开了具有misfet的半导体器件和保护电路。作为配置保护电路的半导体元件，公开了齐纳二极管。

技术实现思路

1、当齐纳二极管被用作保护电路时，稳定齐纳二极管的击穿电压是重要的。然而，取决于齐纳二极管的结构，当击穿操作被重复时，齐纳二极管的击穿电压波动。如果齐纳二极管的击穿电压波动较大，保护电路需要的击穿电压可以不被保持。因此，期望的是，通过抑制齐纳二极管的击穿电压中的波动来改进半导体器件的可靠性。

2、根据本说明书和附图的描述，其他目的和新颖的特征将变得显而易见。

3、下面将简要描述本申请中公开的典型实施例。

4、根据一个实施例，一种半导体器件，包括：第一导电类型的第一杂质区域，形成在半导体衬底中；第一导电类型的第二杂质区域，形成在第一杂质区域中；第一导电类型的第三杂质区域，形成在第一杂质区域中；以及第二导电类型的第四杂质区域，形成在第三杂质区域中，该第二导电类型与第一导电类型相反。第三杂质区域的杂质浓度比第一杂质区域的杂质浓度高，并且第二杂质区域的杂质浓度比第三杂质区域的杂质浓度高。在平面图中，第三杂质区域包括第四杂质区域，并且在平面图中，第四杂质区域包括第二杂质区域。第四杂质区域配置齐纳二极管的阴极，并且第一杂质区域、第二杂质区域和第三杂质区域配置齐纳二极管的阳极。

5、根据一个实施例，一种半导体衬底的制造方法是半导体器件的制造方法，该半导体器件具有第一区域，齐纳二极管被形成在该第一区域中。半导体器件的制造方法包括(a)在第一区域中的半导体衬底中形成第一导电类型的第一杂质区域，(b)在(a)之后，在第一杂质区域中形成第一导电类型的第二杂质区域，(c)在(b)之后，在第一杂质区域中形成第一导电类型的第三杂质区域，(d)在(c)之后，在第三杂质区域中形成与第一导电类型相反的第二导电类型的第四杂质区域。第三杂质区域的杂质浓度比第一杂质区域的杂质浓度高，并且第二杂质区域的杂质浓度比第三杂质区域的杂质浓度高。在平面图中，第三杂质区域包括第四杂质区域，并且在平面图中，第四杂质区域包括第二杂质区域。第四杂质区域配置齐纳二极管的阴极，并且第一杂质区域、第二杂质区域和第三杂质区域配置齐纳二极管的阳极。

6、根据一个实施例，可以提高半导体器件的可靠性。

技术特征：

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

3.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：

4.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：

5.根据权利要求4所述的半导体器件，包括：

6.根据权利要求5所述的半导体器件，

7.根据权利要求5所述的半导体器件，

8.根据权利要求5所述的半导体器件，

9.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：

10.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括其中形成有齐纳二极管的第一区域，所述方法包括：

11.根据权利要求10所述的方法，包括：

12.根据权利要求11所述的方法，包括：

13.根据权利要求11所述的方法，

14.根据权利要求13所述的方法，

15.根据权利要求11所述的方法，包括：

16.根据权利要求11所述的方法，包括：

17.根据权利要求11所述的方法，

18.根据权利要求17所述的方法，

技术总结
本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括第一阱区域、第二阱区域、体区域和阴极区域。体区域的杂质浓度比第一阱区域的杂质浓度高，并且第二阱区域的杂质浓度比体区域的杂质浓度高。在平面图中，体区域包括阴极区域，并且阴极区域包括第二阱区域。阴极区域配置齐纳二极管的阴极，并且第一阱区域、第二阱区域和体区域配置齐纳二极管的阳极。

技术研发人员：井上禅,比嘉友大
受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23