一种片式钽电容器及其制造方法与流程

本发明属于钽电容器，尤其涉及一种片式钽电容器及其制造方法。

背景技术：

1、钽电容器在不使用引线框架时，可以在电容器体积不变的情况下增大电容量。现有的钽电容器在不使用引线框架时，存在着负极引出过孔面积小，电容器esr，即等效串联电阻增大；基板和封装部连接强度不足，在应用时容易分离脱落的问题。

2、如公开号为cn117831957a的中国专利，公开了一种无引线框架片式钽电容器及其制造方法，钽芯阴极通过粘接银浆粘接在阴极连接构件上，钽丝与封装部其中一端的金属层连接，阴极连接构件截面与远离钽丝一端的金属镀层连接，引出钽电容器的正极以及负极。但该专利阴极连接构件厚度小，使得阴极连接构件与金属镀层连接效果不好，电容器esr大；基板和封装部连接强度不足，在应用时容易分离脱落，电容器机械强度低。

技术实现思路

1、为解决上述问题，本发明提供了一种片式钽电容器及其制造方法。

2、本发明通过以下技术方案得以实现。

3、本发明提供的一种片式钽电容器，包括钽丝、正极连接层、正极焊盘、负极焊盘、钽芯和外壳；所述钽芯设置在外壳内，所述钽丝设置在钽芯上，所述钽丝、正极连接层和正极焊盘依次连接，所述钽芯和负极焊盘相连接连接；所述正极连接层、正极焊盘和负极焊盘导电，所述外壳绝缘。

4、优选地，还包括负极连接层，所述负极连接层分别连接外壳和负极焊盘；所述负极连接层导电。

5、优选地，所述钽芯固定在正极焊盘和负极焊盘上。

6、优选地，所述钽芯通过粘接银浆连接负极焊盘。

7、优选地，所述钽芯和正极焊盘之间设置有绝缘漆。

8、优选地，所述正极焊盘和负极焊盘上分别设置有翼片，所述翼片连接外壳。

9、优选地，所述翼片的厚度薄于正极焊盘和负极焊盘的厚度。

10、优选地，所述翼片上设置有刻度。

11、优选地，所述外壳的材料为树脂。

12、上述的片式钽电容器的制造方法，包括以下步骤：

13、s1、制备带有钽丝的钽芯；

14、s2、在正极焊盘上涂刷绝缘漆，在负极焊盘上涂刷粘接银浆；

15、s3、将钽芯粘接在正极焊盘和负极焊盘上并进行封装，形成外壳，使翼片嵌入外壳中；

16、s4、切割，确保钽丝、正极焊盘和负极焊盘分别暴露在外壳外；

17、s5、在外壳两端分别制备正极连接层和负极连接层，使钽丝、正极连接层和正极焊盘依次紧密连接，使钽芯、负极焊盘和负极连接层依次紧密连接。

18、本发明的有益效果在于：

19、1、通过设置正极焊盘和负极焊盘引出正负极，提高了钽电容器焊接后的剪切力，并进一步降低了钽电容器的esr，可靠性强；

20、2、在焊盘上设置翼片，翼片嵌入外壳中，提高电容器机械强度。

技术特征：

1.一种片式钽电容器，其特征在于，包括钽丝(1)、正极连接层(2)、正极焊盘(4)、负极焊盘(5)、钽芯(8)和外壳(9)；所述钽芯(8)设置在外壳(9)内，所述钽丝(1)设置在钽芯(8)上，所述钽丝(1)、正极连接层(2)和正极焊盘(4)依次连接，所述钽芯(8)和负极焊盘(5)相连接；所述正极连接层(2)、正极焊盘(4)和负极焊盘(5)导电，所述外壳(9)绝缘。

2.如权利要求1所述的片式钽电容器，其特征在于，还包括负极连接层(7)，所述负极连接层(7)分别连接外壳(9)和负极焊盘(5)；所述负极连接层(7)导电。

3.如权利要求1所述的片式钽电容器，其特征在于，所述钽芯(8)固定在正极焊盘(4)和负极焊盘(5)上。

4.如权利要求4所述的片式钽电容器，其特征在于，所述钽芯(8)通过粘接银浆(6)连接负极焊盘(5)。

5.如权利要求4所述的片式钽电容器，其特征在于，所述钽芯(8)和正极焊盘(4)之间设置有绝缘漆(3)。

6.如权利要求1所述的片式钽电容器，其特征在于，所述正极焊盘(4)和负极焊盘(5)上分别设置有翼片(10)，所述翼片(10)连接外壳(9)。

7.如权利要求6所述的片式钽电容器，其特征在于，所述翼片(10)的厚度薄于正极焊盘(4)和负极焊盘(5)的厚度。

8.如权利要求6所述的片式钽电容器，其特征在于，所述翼片(10)上设置有刻度。

9.如权利要求1所述的片式钽电容器，其特征在于，所述外壳(9)的材料为树脂。

10.一种如权利要求1-9任一项所述的片式钽电容器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

技术总结
本发明公开了一种片式钽电容器及其制造方法，包括钽丝、正极连接层、正极焊盘、负极焊盘、钽芯和外壳；所述钽芯设置在外壳内，所述钽丝设置在钽芯上，所述钽丝、正极连接层和正极焊盘依次连接，所述钽芯和负极焊盘相连接；所述正极连接层、正极焊盘和负极焊盘导电，所述外壳绝缘。本发明通过设置正极焊盘和负极焊盘引出正负极，提高了钽电容器焊接后的剪切力，并进一步降低了钽电容器的ESR，可靠性强；在焊盘上设置翼片，翼片嵌入外壳中，提高电容器机械强度。

技术研发人员：胡鑫利,黎铭崧,敬通国,熊远根,刘兵,彭云峰,张凯
受保护的技术使用者：中国振华（集团）新云电子元器件有限责任公司（国营第四三二六厂）
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23