显示面板、显示装置及显示面板的制备方法与流程
本技术涉及显示领域，具体涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法。
背景技术：
1、有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)以及基于发光二极管(light emitting diode，led)等技术的平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、笔记本电脑、台式电脑等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
2、但目前的oled显示产品的使用性能有待提升。
技术实现思路
1、本技术实施例提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，旨在提升oled显示产品的使用性能。
2、本技术第一方面实施例提供一种显示面板，显示面板包括：基板；第一电极，位于基板的一侧；辅助电极层，位于第一电极背离基板的一侧，辅助电极层包括辅助电极，至少部分第一电极在基板的正投影位于辅助电极在基板的正投影之内；发光层，位于辅助电极层背离基板的一侧，发光层包括发光单元。
3、根据本技术第一方面的实施方式，显示面板还包括：隔离结构，位于基板的一侧，隔离结构围合形成隔离开口，第一电极在基板的正投影与隔离开口在基板的正投影至少部分交叠；至少部分辅助电极在基板的正投影位于隔离开口在基板的正投影之内。
4、根据本技术第一方面前述任一实施方式，显示面板还包括：像素定义层，设于基板的一侧，且包括像素限定部和由像素限定部围合形成的像素开口，像素开口与隔离开口连通，像素开口在基板的正投影和隔离开口在基板的正投影至少部分交叠。
5、根据本技术第一方面前述任一实施方式，像素限定部位于隔离结构背离基板的一侧。
6、根据本技术第一方面前述任一实施方式，第一电极在基板的正投影与像素开口在基板的正投影至少部分交叠。
7、根据本技术第一方面前述任一实施方式，像素开口在基板的正投影位于第一电极在基板的正投影内。
8、根据本技术第一方面前述任一实施方式，显示面板还包括覆盖第一电极的刻蚀保护层，刻蚀保护层位于像素定义层与第一电极之间，辅助电极位于刻蚀保护层背离基板的一侧。
9、根据本技术第一方面前述任一实施方式，刻蚀保护层包括导电材料。
10、根据本技术第一方面前述任一实施方式，刻蚀保护层包括一层或多层子层。
11、根据本技术第一方面前述任一实施方式，沿着远离基板的方向，第一电极包括依次层叠设置的第一氧化铟锡层、银金属层以及第二氧化铟锡层，刻蚀保护层设于第二氧化铟锡层背离基板的表面。
12、根据本技术第一方面前述任一实施方式，辅助电极位于像素定义层与第一电极之间，辅助电极包括刻蚀保护材料。
13、根据本技术第一方面前述任一实施方式，辅助电极的至少部分位于像素开口，且覆盖像素限定部面向像素开口的侧面。
14、根据本技术第一方面前述任一实施方式，辅助电极延伸至像素限定部背离基板的一侧。
15、根据本技术第一方面前述任一实施方式，辅助电极覆盖第一电极的表面。
16、根据本技术第一方面前述任一实施方式，辅助电极的厚度为0.01μm～0.2μm。
17、根据本技术第一方面前述任一实施方式，辅助电极包括一层或多层子层。
18、根据本技术第一方面前述任一实施方式，辅助电极的材料包括金属材料或者金属氧化物中的至少一种。
19、根据本技术第一方面前述任一实施方式，辅助电极的材料包括锌元素或钛元素。
20、根据本技术第一方面前述任一实施方式，辅助电极的材料包括铟锌氧化物和/或氧化钛。
21、根据本技术第一方面前述任一实施方式，辅助电极在基板的正投影与隔离结构在基板的正投影间隔设置。
22、根据本技术第一方面前述任一实施方式，隔离结构包括第一层和第二层，第二层位于第一层背离基板的一侧。
23、根据本技术第一方面前述任一实施方式，第一层在基板的正投影位于第二层在基板的正投影之内。
24、根据本技术第一方面前述任一实施方式，辅助电极在基板的正投影与第一层在基板的正投影间隔设置。
25、根据本技术第一方面前述任一实施方式，第二层包括导电材料或者绝缘材料。
26、根据本技术第一方面前述任一实施方式，第二层包括金属材料，且第一层和第二层的材料不同。
27、根据本技术第一方面前述任一实施方式，隔离结构还包括位于第一层朝向基板一侧的第三层，第一层在基板的正投影位于第三层在基板的正投影之内。
28、根据本技术第一方面前述任一实施方式，辅助电极层还包括位于隔离结构背离基板一侧的冗余电极。
29、根据本技术第一方面前述任一实施方式，冗余电极在基板的正投影位于第二层在基板的正投影之内。
30、根据本技术第一方面前述任一实施方式，显示面板还包括：第二电极层，位于发光层背离基板的一侧，第二电极层包括位于隔离开口的第二电极，第二电极与隔离结构电连接。
31、根据本技术第一方面前述任一实施方式，各发光单元在基板的正投影位于各第二电极在基板的正投影之内。
32、根据本技术第一方面前述任一实施方式，各辅助电极在基板的正投影位于各第二电极在基板的正投影之内。
33、根据本技术第一方面前述任一实施方式，辅助电极与第二电极间隔设置。
34、根据本技术第一方面前述任一实施方式，辅助电极在基板的正投影位于发光单元在基板的正投影之内。
35、本技术第二方面提供一种显示面板，显示面板包括：基板；第一电极，位于基板的一侧；像素定义层，位于第一电极背离基板的一侧，像素定义层包括像素限定部和由像素限定部围合形成的像素开口，第一电极在基板的正投影与像素开口在基板的正投影至少部分交叠；辅助电极层，位于第一电极背离基板的一侧，辅助电极层包括至少部分位于像素开口的辅助电极，第一电极由像素开口露出的表面在基板的正投影位于辅助电极在基板的正投影之内；发光层，位于辅助电极层背离基板的一侧，发光层包括至少部分位于像素开口的发光单元。
36、根据本技术第二方面的实施方式，像素开口在基板的正投影位于辅助电极在基板的正投影内。
37、根据本技术第二方面前述任一实施方式，像素限定部具有背离基板一侧的顶面、靠近基板一侧的底面、以及连接顶面和底面并朝向像素开口设置的侧面，侧面在基板的正投影位于辅助电极在基板的正投影之内。
38、根据本技术第二方面前述任一实施方式，部分顶面在基板的正投影位于辅助电极在基板的正投影之内。
39、根据本技术第二方面前述任一实施方式，辅助电极的厚度为0.01μm～0.2μm。
40、根据本技术第二方面前述任一实施方式，辅助电极包括一层或多层子层。
41、根据本技术第二方面前述任一实施方式，辅助电极的材料包括金属材料或者金属氧化物中的至少一种。
42、本技术第三方面的实施例提供一种显示装置，其包括上述任一实施方式的显示面板。
43、本技术第四方面的实施例提供一种显示面板的制备方法，方法包括：
44、在基板上制备第一电极；
45、在基板上制备辅助电极层，辅助电极层包括辅助电极，辅助电极在基板的正投影位于隔离开口在基板的正投影之内，至少部分第一电极在基板的正投影位于辅助电极在基板的正投影之内；
46、在辅助电极层背离基板的一侧制备发光层，发光层包括发光单元。
47、根据本技术第四方面的实施方式，
48、在基板上制备辅助电极层步骤之后，方法还包括：
49、对第一电极进行退火。根据本技术实施例的显示面板，显示面板包括基板、第一电极、辅助电极层和发光层。辅助电极层包括辅助电极，辅助电极在基板的正投影位于隔离开口在基板的正投影之内，至少部分第一电极在基板的正投影位于辅助电极在基板的正投影之内，即至少部分第一电极被辅助电极所覆盖，辅助电极能够覆盖第一电极在其他膜层刻蚀时产生的刻蚀损伤，辅助电极与第一电极共同形成新的且表面功函数较好的电极，保证发光单元的正常发光。且辅助电极能够覆盖第一电极的表面凸起，使得第一电极表面更加平坦，从而改善第一电极表面凸起刺穿发光单元并与第二电极接触导致第一电极与第二电极接触短路的问题，提升oled显示面板的使用性能。
技术特征：
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括覆盖所述第一电极的刻蚀保护层，所述刻蚀保护层位于所述像素定义层与所述第一电极之间；所述辅助电极位于所述刻蚀保护层背离所述基板的一侧；
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极位于所述像素定义层与所述第一电极之间，所述辅助电极包括刻蚀保护材料。
5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极的至少部分位于所述像素开口，且覆盖所述像素限定部面向所述像素开口的侧面；
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极覆盖所述第一电极的表面。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极的厚度为0.01μm～0.2μm。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极包括一层或多层子层；
9.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极在所述基板的正投影与所述隔离结构在所述基板的正投影间隔设置。
10.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述隔离结构包括第一层和第二层，所述第二层位于所述第一层背离所述基板的一侧；
11.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，各所述辅助电极在所述基板的正投影位于所述各第二电极在所述基板的正投影之内；
13.一种显示面板，其特征在于，包括：
14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，所述像素开口在所述基板的正投影位于所述辅助电极在所述基板的正投影内。
15.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述像素限定部具有背离所述基板一侧的顶面、靠近所述基板一侧的底面、以及连接所述顶面和所述底面并朝向所述像素开口设置的侧面，所述侧面在所述基板的正投影位于所述辅助电极在所述基板的正投影之内。
16.根据权利要求15所述的显示面板，其特征在于，部分所述顶面在所述基板的正投影位于所述辅助电极在所述基板的正投影之内。
17.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极包括一层或多层子层；
18.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-17任一项所述的显示面板。
19.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
20.根据权利要求19所述的制备方法，其特征在于，在所述基板上制备辅助电极层步骤之后，所述方法还包括：
技术总结
本申请公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，显示面板包括基板、第一电极、辅助电极层和发光层。辅助电极层包括辅助电极，辅助电极在基板的正投影位于隔离开口在基板的正投影之内，至少部分第一电极在基板的正投影位于辅助电极在基板的正投影之内，辅助电极能够覆盖第一电极在其他膜层刻蚀时产生的刻蚀损伤，辅助电极与第一电极共同形成新的且表面功函数较好的电极。且辅助电极能够覆盖第一电极的表面凸起，使得第一电极表面更加平坦，从而改善第一电极表面凸起刺穿发光单元并与第二电极接触导致第一电极与第二电极接触短路的问题，提升OLED显示面板的使用性能。
技术研发人员：吴键,董正逵,党鹏乐,杨博文,姚远
受保护的技术使用者：合肥维信诺科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23