一种同轴负载结构的制作方法

xiaoxiao7月前  98


本申请涉及同轴负载,具体涉及一种同轴负载结构。


背景技术:

1、同轴匹配负载多用于微波测试系统,随着微波测试系统在航天环境的使用,因此,对同轴负载的可靠性及尺寸具有更高的要求。

2、常规使用的同轴负载多采用柱状电阻,存在结构复杂、外形尺寸大的问题,另外,在航天环境使用时,由于空间和结构的限制,因此要求同轴负载还需要有较好的散热能力,除此之外,还需满足同轴负载在不同气压环境下的应用。


技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种适用于航天环境使用的同轴负载结构,以具有结构紧凑、散热能力好、并能满足不同气压要求的特点。

2、为达到上述目的,本申请是采用下述技术方案实现的:

3、一种同轴负载结构,包括壳体、中心接触件和多个片式电阻,

4、所述中心接触件同轴设置在所述壳体内,且所述中心接触件和所述壳体之间设有绝缘介质;

5、所述壳体端部的容纳腔内设有台阶面,所述中心接触件的末端具有连接端面,多个所述片式电阻的一端和所述连接端面连接,另一端和所述台阶面连接;

6、所述壳体的端部还连接有盖板,所述盖板和所述片式电阻之间设有绝缘垫片;所述盖板上设有贯通所述盖板的通孔,所述绝缘垫片上设有通孔部,所述通孔部和通孔相连通,且所述片式电阻的一部分和通孔部连接。

7、进一步地,所述通孔设置在所述盖板的中间部,所述通孔部设置在所述绝缘垫片的中间部。

8、进一步地,所述通孔和通孔部的截面形状均为圆形。

9、进一步地,所述片式电阻和中心接触件的连接端面焊接连接;且多个所述片式电阻通过连接端面的焊料连接。

10、进一步地,连接端面的焊料为锡焊料、铜焊料、银焊料的任意一种。

11、进一步地,所述片式电阻和壳体的台阶面焊接连接。

12、进一步地,所述台阶面和连接端面处于同一平面上。

13、进一步地,所述台阶面位于容纳腔内的台阶槽上,所述台阶面的截面形状为圆环状。

14、进一步地,所述连接端面的形状为圆形。

15、进一步地,所述片式电阻有两个,两个所述片式电阻的阻值均为100。

16、本申请的有益效果为:

17、本申请采用多个片式电阻并联形成一个阻性负载的设计形式,这种结构设计使得同轴负载能够在保持较小体积的同时,具备高功率处理能力;

18、本申请通过盖板上设有贯通盖板的通孔,绝缘垫片上设有通孔部,通孔部和通孔相连通,且片式电阻的一部分和通孔部连接,一方面允许负载结构内外部的气体交换,保持压力平衡,防止压力过大导致的负载结构内部原件损坏,能在不同压差下使用,另一方面通孔部和通孔可将片式电阻产生的热能传导至负载结构外部,保证了负载结构的散热效果。



技术特征:

1.一种同轴负载结构,其特征在于,包括壳体(1)、中心接触件(4)和多个片式电阻(3),

2.根据权利要求1所述的同轴负载结构,其特征在于,所述通孔(61)设置在所述盖板(6)的中间部,所述通孔部设置在所述绝缘垫片(5)的中间部。

3.根据权利要求1所述的同轴负载结构,其特征在于,所述通孔(61)和通孔部的截面形状均为圆形。

4.根据权利要求1所述的同轴负载结构,其特征在于,所述片式电阻(3)和中心接触件(4)的连接端面(41)焊接连接;且多个所述片式电阻(3)通过连接端面(41)的焊料连接。

5.根据权利要求4所述的同轴负载结构,其特征在于,连接端面(41)的焊料为锡焊料、铜焊料、银焊料的任意一种。

6.根据权利要求1所述的同轴负载结构,其特征在于,所述片式电阻(3)和壳体(1)的台阶面(11)焊接连接。

7.根据权利要求1所述的同轴负载结构,其特征在于,所述台阶面(11)和连接端面(41)处于同一平面上。

8.根据权利要求1所述的同轴负载结构,其特征在于,所述台阶面(11)位于容纳腔内的台阶槽上,所述台阶面(11)的截面形状为圆环状。

9.根据权利要求1所述的同轴负载结构,其特征在于,所述连接端面(41)的形状为圆形。

10.根据权利要求1所述的同轴负载结构,其特征在于,所述片式电阻(3)有两个,两个所述片式电阻(3)的阻值均为100。


技术总结
本申请公开了一种同轴负载结构,包括壳体、中心接触件和多个片式电阻,中心接触件同轴设置在壳体内,且中心接触件和壳体之间设有绝缘介质;壳体端部的容纳腔内设有台阶面,中心接触件的末端具有连接端面,多个片式电阻的一端和连接端面连接,另一端和台阶面连接;壳体的端部还连接有盖板,盖板和片式电阻之间设有绝缘垫片;盖板上设有贯通盖板的通孔,绝缘垫片上设有通孔部,通孔部和通孔相连通,且片式电阻的一部分和通孔部连接。本申请能够在保持较小体积的同时,具备高功率处理能力;通孔部和通孔相连通,且片式电阻的一部分和通孔部连接,防止压力过大导致的负载结构内部原件损坏,能在不同压差下使用,保证了负载结构的散热效果。

技术研发人员:冯永芳,朱晓根,李照青
受保护的技术使用者:苏州华旃航天电器有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/9/23

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