用于校正套准测量设备的标准掩模版的制作方法

本技术属于半导体设备领域，特别是涉及一种用于校正套准测量设备的标准掩模版。

背景技术：

1、随着芯片尺寸精细化、集成度越来越高，芯片电路尺寸已至纳米级，对掩模版的要求越来越高，在掩模版的制作中，对相应的套准测量设备要求更为严格。

2、由于受环境、湿度、运行及使用等方面因素的影响，套准测量设备不可能恒定不变，为保证测量设备在设定指标内运行，我们可以采用标准掩模板，定时测量、根据测量结果对比相应测量设备运行指标，如果在指标内，设备可以正常运行；如果不在指标内，则可以算出相应的值，然后对测量设备进行校正、补偿，使之在正常指标内运行。

3、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种用于校正套准测量设备的标准掩模版，用于解决现有技术中套准测量设备受各种因素影响而偏离运行指标的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种用于校正套准测量设备的标准掩模版，所述标准掩模版包括：掩模版；多个校准图案，多个所述校准图案设置于所述掩模版上，其中，多个所述校准图案排布成包含正交的多行和多列的阵列，所述校准图案包括沿行方向延伸的第一矩形图案和沿列方向延伸的第二矩形图案，所述第一矩形图案和第二矩形图案相接成t字形图案；多个所述校准图案为所述掩模版的透光区域，多个所述校准图案之外的区域为所述掩模版的遮光区域。

3、可选地，所述掩模版包括石英玻璃以及设置于所述石英玻璃上的遮光层，所述遮光层被图案化为多个透光的校准图案。

4、可选地，所述遮光层包括金属铬层或氧化铬层。

5、可选地，所述掩模版为6英寸的矩形掩模版，所述掩模版的厚度为0.25英寸。

6、可选地，每行中任意相邻两个校准图案之间的间距相等，每列中任意相邻两个校准图案之间的间距相等。

7、可选地，多个所述校准图案沿行方向间隔排布成13行，沿列方向间隔排布成13列，相邻两校准图案之间的间距为11500微米～12000微米。

8、可选地，多个所述校准图案所形成的阵列的长度为138000微米～144000微米，宽度为138000微米～144000微米。

9、可选地，所述第一矩形图案和所述第二矩形图案的长度相等，所述第一矩形图案和所述第二矩形图案的宽度相等。

10、可选地，所述第一矩形图案的宽度为2微米～20微米，长度为20微米～100微米，所述第二矩形图案的宽度为2微米～20微米，长度为20微米～100微米。

11、可选地，所述套准测量设备包括光学测量系统，所述光学测量系统用于测量所述标准掩模版的实际位置，并通过与标准位置比对出所述套准测量设备的偏差值。

12、如上所述，本实用新型的用于校正套准测量设备的标准掩模版，具有以下有益效果：

13、本实用新型提供了一种用于校正套准测量设备的标准掩模版，可通过光学测量系统测量标准掩模版的实际位置，根据实际位置，与标准掩模版值相比较，导出此时测量设备x、y方向的偏移差，然后可以统计算出x、y方向的平均偏差、最大偏差、最小偏差及图形的正交性偏差值，根据以上这些值，可对套准测量设备相关参数进行设置，从而确保套准测量设备在正常指标内运行。本实用新型的标准掩模版可以实现对套准测量设备的实际情况进行校正，从而调整和提高对套准测量设备的准确度和使用精度。

技术特征：

1.一种用于校正套准测量设备的标准掩模版，其特征在于，所述标准掩模版包括：

2.根据权利要求1所述的用于校正套准测量设备的标准掩模版，其特征在于：所述掩模版包括石英玻璃以及设置于所述石英玻璃上的遮光层，所述遮光层被图案化为多个透光的校准图案。

3.根据权利要求2所述的用于校正套准测量设备的标准掩模版，其特征在于：所述遮光层包括金属铬层或氧化铬层。

4.根据权利要求1所述的用于校正套准测量设备的标准掩模版，其特征在于：所述掩模版为6英寸的矩形掩模版，所述掩模版的厚度为0.25英寸。

5.根据权利要求4所述的用于校正套准测量设备的标准掩模版，其特征在于：每行中任意相邻两个校准图案之间的间距相等，每列中任意相邻两个校准图案之间的间距相等。

6.根据权利要求5所述的用于校正套准测量设备的标准掩模版，其特征在于：多个所述校准图案沿行方向间隔排布成13行，沿列方向间隔排布成13列，相邻两校准图案之间的间距为11500微米～12000微米。

7.根据权利要求6所述的用于校正套准测量设备的标准掩模版，其特征在于：多个所述校准图案所形成的阵列的长度为138000微米～144000微米，宽度为138000微米～144000微米。

8.根据权利要求1所述的用于校正套准测量设备的标准掩模版，其特征在于：所述第一矩形图案和所述第二矩形图案的长度相等，所述第一矩形图案和所述第二矩形图案的宽度相等。

9.根据权利要求1所述的用于校正套准测量设备的标准掩模版，其特征在于：所述第一矩形图案的宽度为2微米～20微米，长度为20微米～100微米，所述第二矩形图案的宽度为2微米～20微米，长度为20微米～100微米。

10.根据权利要求1所述的用于校正套准测量设备的标准掩模版，其特征在于：所述套准测量设备包括光学测量系统，所述光学测量系统用于测量所述标准掩模版的实际位置，并通过与标准位置比对出所述套准测量设备的偏差值。

技术总结
本技术提供一种用于校正套准测量设备的标准掩模版，包括：掩模版；多个校准图案，多个所述校准图案设置于所述掩模版上，其中，多个所述校准图案排布成包含正交的多行和多列的阵列，校准图案包括沿行方向延伸的第一矩形图案和沿列方向延伸的第二矩形图案，第一矩形图案和第二矩形图案相接成T字形图案；多个校准图案为掩模版的透光区域，多个校准图案之外的区域为掩模版的遮光区域。本技术的标准掩模版可以实现对套准测量设备的实际情况进行校正，从而调整和提高对套准测量设备的准确度和使用精度。

技术研发人员：王国荃
受保护的技术使用者：上海凸版光掩模有限公司
技术研发日：20240109
技术公布日：2024/9/23