一种采用长短磁芯组配LLC谐振变压器结构的制作方法

本技术涉及变压器，具体来说，涉及一种采用长短磁芯组配llc谐振变压器结构。

背景技术：

1、lc谐振变压器是一种高效率、高功率密度、低emi的电压器，一般是采用双槽骨架、初级线圈、次级线圈分别绕在两个槽中，彼此隔离，因而存在较大的漏磁通，利用该漏磁通从而实现谐振腔的谐振电感。

2、传统的llc谐振变压器的方案一般是采用双槽骨架，将初级绕组和次级绕组分别绕在两个槽中，或者用长绕线骨架，将初级绕组和次级绕组分别绕在两端，彼此隔离，因而能获得较大的漏磁通，利用这个漏磁通实现串联于谐振回路中的谐振电感；磁芯磁路中插入气隙，以此获得谐振腔所需的激磁电感。传统方案存在的缺点是：气隙周围的磁场会对附近的绕组或导体产生边缘效率，引起较大损耗；无法准确设定漏感值，同批变压器一致性较差，使电源调试比较困难，而产品在电源批量生产时，调试工作量很大。

3、针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

技术实现思路

1、针对相关技术中的问题，本实用新型提出一种采用长短磁芯组配llc谐振变压器结构，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。

2、为此，本实用新型采用的具体技术方案如下：

3、一种采用长短磁芯组配llc谐振变压器结构，包括壳体和位于所述壳体内的测线圈，所述壳体的两侧设有对称设置的短磁芯和长磁芯，所述长磁芯和所述短磁芯相互靠近的一侧均设有延伸至所述测线圈内的中柱气隙。

4、作为优选的，所述壳体由两组外壳组成。

5、作为优选的，所述测线圈由次级测线圈和初级测线圈组成，所述次级测线圈位于所述短磁芯的一侧，所述初级测线圈位于所述长磁芯的一侧。

6、作为优选的，所述测线圈的底端两侧设有骨架，所述骨架上设有pin脚。

7、作为优选的，通过调节所述短磁芯和所述长磁芯的尺寸来调整所述中柱气隙位置来满足llc谐振变压器所需要的漏感。

8、本实用新型的有益效果为：磁芯采用长短组配结构将磁芯做成长磁芯与短磁芯组配，来调整磁芯中柱气隙位置从而可以满足llc谐振变压器所需要的漏感。同时此漏感可作为llc谐振变换器电路所需要的谐振电感，从而节省谐振变换器电路中的谐振电感，减少了电路元件数量达到减小电源体积目的。此外采用长短磁芯组配结构设计，通过调节磁芯长短尺寸来调整磁芯中柱气隙位置得到合适的漏感来改变谐振电流大小从而可达到改善温升效果。增大变压器的适用范围，提高变压器效率通过。

技术特征：

1.一种采用长短磁芯组配llc谐振变压器结构，包括壳体(1)和位于所述壳体(1)内的测线圈(2)，其特征在于，所述壳体(1)的两侧设有对称设置的短磁芯(3)和长磁芯(4)，所述长磁芯(4)和所述短磁芯(3)相互靠近的一侧均设有延伸至所述测线圈(2)内的中柱气隙(5)。

2.根据权利要求1所述的一种采用长短磁芯组配llc谐振变压器结构，其特征在于，所述壳体(1)由两组外壳组成。

3.根据权利要求1所述的一种采用长短磁芯组配llc谐振变压器结构，其特征在于，所述测线圈(2)由次级测线圈(6)和初级测线圈(7)组成，所述次级测线圈(6)位于所述短磁芯(3)的一侧，所述初级测线圈(7)位于所述长磁芯(4)的一侧。

4.根据权利要求1所述的一种采用长短磁芯组配llc谐振变压器结构，其特征在于，所述测线圈(2)的底端两侧设有骨架(8)，所述骨架(8)上设有pin脚(9)。

5.根据权利要求1所述的一种采用长短磁芯组配llc谐振变压器结构，其特征在于，通过调节所述短磁芯(3)和所述长磁芯(4)的尺寸来调整所述中柱气隙(5)位置来满足llc谐振变压器所需要的漏感。

技术总结
本技术公开了一种采用长短磁芯组配LLC谐振变压器结构，包括壳体和位于所述壳体内的测线圈，所述壳体的两侧设有对称设置的短磁芯和长磁芯，所述长磁芯和所述短磁芯相互靠近的一侧均设有延伸至所述测线圈内的中柱气隙。有益效果：磁芯采用长短组配结构将磁芯做成长磁芯与短磁芯组配，来调整磁芯中柱气隙位置从而可以满足LLC谐振变压器所需要的漏感。同时此漏感可作为LLC谐振变换器电路所需要的谐振电感，从而节省谐振变换器电路中的谐振电感，减少了电路元件数量达到减小电源体积目的。此外采用长短磁芯组配结构设计，通过调节磁芯长短尺寸来调整磁芯中柱气隙位置得到合适的漏感来改变谐振电流大。

技术研发人员：肖剑兵,赵恒涛,淡睿喆,林新传
受保护的技术使用者：宜春超越精密电子有限公司
技术研发日：20240218
技术公布日：2024/9/23