一种存储器及其操作方法、存储器系统、电子设备与流程

本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种存储器及其操作方法、存储器系统、电子设备。

背景技术：

1、闪存(flash memory)存储器的主要特点是在不加电的情况下能够长期保持存储的信息。为了进一步提高闪存存储器的位密度，同时减少位成本，三维闪存存储器的技术得到了迅速的发展。

2、然而，在三维闪存存储器的发展过程中，随着堆叠层数的不断增加，其所面临的结构和电学特性问题也随之增加。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供一种存储器及其操作方法、存储器系统、电子设备。

2、为达到上述目的，本公开的技术方案是这样实现的：

3、第一方面，本公开实施例提供一种存储器的操作方法，所述存储器包括多个存储串，每个所述存储串包括多个存储单元，所述操作方法包括：

4、对一所述存储串的选中存储单元进行读取操作时，根据所述选中存储单元的编程顺序，对所述存储串的未选中存储单元耦接的字线施加通过电压；

5、其中，所述选中存储单元的编程顺序越靠前，读取操作时施加至所述存储串的未选中存储单元耦接的字线上的通过电压越大。

6、第二方面，本公开实施例提供一种存储器，所述存储器包括：

7、存储单元阵列，包括多个存储串，每个所述存储串包括多个存储单元；

8、外围电路，所述外围电路被配置为：

9、对一所述存储串的选中存储单元进行读取操作时，根据所述选中存储单元的编程顺序，对所述存储串的未选中存储单元耦接的字线施加通过电压；

10、其中，所述选中存储单元的编程顺序越靠前，读取操作时施加至所述存储串的未选中存储单元耦接的字线上的通过电压越大。

11、第三方面，本公开实施例提供一种存储器系统，所述存储器系统包括：

12、如上述技术方案中所述的存储器；和

13、耦接至所述存储器并且被配置为控制所述存储器的控制器。

14、第四方面，本公开实施例提供一种电子设备，所述电子设备包括：如上述技术方案中所述的存储器系统。

15、本公开实施例提供一种存储器及其操作方法、存储器系统、电子设备。所述操作方法包括：对一所述存储串的选中存储单元进行读取操作时，根据所述选中存储单元的编程顺序，对所述存储串的未选中存储单元耦接的字线施加通过电压；其中，所述选中存储单元的编程顺序越靠前，读取操作时施加至所述存储串的未选中存储单元耦接的字线上的通过电压越大。本公开实施例中，根据选中存储单元的编程顺序，即，根据选中存储单元受到背景图像相关性效应的影响程度不同，确定施加至未选中存储单元耦接的字线上的通过电压，如此，可以减小背景图像相关性效应的影响，并且减小读干扰。

技术特征：

1.一种存储器的操作方法，其特征在于，所述存储器包括多个存储串，每个所述存储串包括多个存储单元，所述操作方法包括：

2.根据权利要求1所述的存储器的操作方法，其特征在于，每个所述存储串还包括漏极选择管和源极选择管；其中，

3.根据权利要求2所述的存储器的操作方法，其特征在于，所述对一所述存储串的选中存储单元进行读取操作之前，所述操作方法还包括：

4.根据权利要求3所述的存储器的操作方法，其特征在于，在所述编程操作为正向编程操作的情况下，所述对一所述存储串的选中存储单元进行读取操作时，根据所述选中存储单元的编程顺序，对所述存储串的未选中存储单元耦接的字线施加通过电压，包括：

5.根据权利要求3所述的存储器的操作方法，其特征在于，在所述编程操作为逆向编程操作的情况下，所述对一所述存储串的选中存储单元进行读取操作时，根据所述选中存储单元的编程顺序，对所述存储串的未选中存储单元耦接的字线施加通过电压，包括：

6.根据权利要求2所述的存储器的操作方法，其特征在于，所述对一所述存储串的选中存储单元进行读取操作之前，所述操作方法还包括：

7.根据权利要求6所述的存储器的操作方法，其特征在于，所述根据所述编程顺序，将所述存储串的多个所述存储单元划分为多个存储组，包括：

8.根据权利要求7所述的存储器的操作方法，其特征在于，在所述选中存储单元属于所述第二存储组的情况下，读取操作时向位于所述选中存储单元和所述源极选择管之间的未选中存储单元耦接的字线上施加第一子通过电压，且读取操作时向位于所述选中存储单元和所述漏极选择管之间的未选中存储单元耦接的字线上施加第二子通过电压；其中，所述第一子通过电压大于所述第二子通过电压。

9.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括：

10.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，每个所述存储串还包括漏极选择管和源极选择管；

11.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述外围电路还被配置为：

12.根据权利要求11所述的存储器，其特征在于，在所述编程操作为正向编程操作的情况下，所述外围电路具体被配置为：

13.根据权利要求11所述的存储器，其特征在于，在所述编程操作为逆向编程操作的情况下，所述外围电路具体被配置为：

14.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述外围电路还被配置为：

15.根据权利要求14所述的存储器，其特征在于，所述外围电路还被配置为：

16.根据权利要求15所述的存储器，其特征在于，所述外围电路还被配置为：

17.一种存储器系统，其特征在于，所述存储器系统包括：

18.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：如权利要求17所述的存储器系统。

技术总结
本公开实施例提供一种存储器及其操作方法、存储器系统、电子设备。所述操作方法包括：对一所述存储串的选中存储单元进行读取操作时，根据所述选中存储单元的编程顺序，对所述存储串的未选中存储单元耦接的字线施加通过电压；其中，所述选中存储单元的编程顺序越靠前，读取操作时施加至所述存储串的未选中存储单元耦接的字线上的通过电压越大。本公开实施例中，根据选中存储单元的编程顺序，即，根据选中存储单元受到背景图像相关性效应的影响程度不同，确定施加至未选中存储单元耦接的字线上的通过电压，如此，可以减小背景图像相关性效应的影响，并且减小读干扰。

技术研发人员：韩佳茵,贾信磊,游开开,张安,靳磊
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23