电容器结构、电容器阵列及电源的制作方法

本说明书实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种电容器结构、电容器阵列及电源。

背景技术：

1、在半导体集成电路中，通常将电容与晶体管集成设计在同一芯片或电路中，其中，电容主要包括金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，mim)电容和金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal，mom)电容两种。由于mom电容可以在相对较小的面积上制作容量更大的电容，mom电容器广泛应用于各种模拟电路以及混合信号集成电路(例如类比频率调谐电路、交换式电容器电路、滤波器、共振器)中。

2、在实际应用时，由于mom电容的边缘部分需要预留一定的空间以与其他mom电容拼接，而对于单个mom电容而言，这部分预留的空间是无效面积，从而导致mom电容的电容密度降低。

技术实现思路

1、本说明书实施例解决的问题是提供一种电容器结构、电容器阵列及电源，能够提高电容器的电容密度。

2、为解决上述问题，本说明书实施例提供一种电容器结构，包括：金属层，包括第一电极和第二电极，所述第一电极包括第一梳柄部、以及与所述第一梳柄部相连且沿第一方向平行排列的多个第一梳齿部，所述第二电极包括第二梳柄部、以及与所述第二梳柄部相连且沿所述第一方向平行排列的多个第二梳齿部；

3、多个所述第一梳齿部和多个所述第二梳齿部分立设置在所述第一梳柄部两侧，位于所述第一梳齿部同一侧的所述第一梳齿部和所述第二梳齿部沿第二方向依次交错排列，且具有间隔；其中，所述第一方向与所述第二方向垂直。

4、相应的，本发明实施例提供一种电容器阵列，包括多个电容器结构，所述电容器结构为前述任一实施例所述的电容器结构，其中，多个所述电容器结构按照预设的连接关系连接。

5、本说明书实施例还提供一种电源，包括：前述任一实施例所述的电容器结构，以及与所述电容器结构并联的电压源。

6、与现有技术相比，本说明书实施例的技术方案具有以下优点：

7、本说明书实施例提供一种电容器结构，对于金属层而言，多个第一梳齿部可以分立设置在第一梳柄部的两侧，且各第一梳齿部可以共用一个第一梳柄部；同时多个第二梳齿部可以分立设置在第一梳柄部的两侧，且位于所述第一梳柄部同一侧的多个第二梳齿部可以共用一个第二梳柄部，且由于第一梳柄部、第二梳柄部、第一梳齿部和第二梳齿部均位于同一层，因此电容器结构上无须预留空间，能够提高电容器结构的面积利用率，进而提高电容器的电容密度。此外，通过使梳齿部共用梳柄部，能够降低电容器结构的整体电阻，进而能够提高电容器结构的品质因数。

技术特征：

1.一种电容器结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，满足所述第二梳齿部与第一梳齿部交错设置且具有间隔的第一电极和第二电极构成电极组；

3.根据权利要求2所述的电容器结构，其特征在于，多个所述第一梳齿部对称分立设置在所述第一梳柄部两侧，多个所述第二梳齿部对称分立设置在所述第一梳柄部两侧，且位于所述第一梳柄部同一侧的多个所述第二梳齿部共用同一第二梳柄部。

4.根据权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，沿所述第二方向，所述第一梳柄部的长度大于所述第二梳柄部的长度。

5.根据权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，还包括阻隔层，位于所述间隔中。

6.根据权利要求5所述的电容器结构，其特征在于，所述阻隔层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅和碳氮氧化硅中的一种或多种。

7.根据权利要求1至6任一项所述的电容器结构，其特征在于，所述金属层的材料包括铝、铜、氮化钛、氮化钽和钴中的一种或多种。

8.一种电容器阵列，其特征在于，包括多个电容器结构，所述电容器结构为权利要求1至7任一项所述的电容器结构，其中，多个所述电容器结构按照预设的连接关系连接。

9.根据权利要求8所述的电容器阵列，其特征在于，相邻电容器结构的第二梳柄部相互重叠连接。

10.根据权利要求8所述的电容器阵列，其特征在于，包括：多个所述电容器结构对称设置，且相邻电容器结构的第一梳柄部相互重叠连接，以及相邻电容器结构的第二梳柄部相互重叠连接。

11.一种电源，其特征在于，包括：权利要求1-7任一项所述的电容器结构，以及与所述电容器结构并联的电压源。

技术总结
本说明书实施例提供一种电容器结构、电容器阵列及电源，其中，电容器结构，包括：金属层，包括第一电极和第二电极，所述第一电极包括第一梳柄部、以及与所述第一梳柄部相连且沿第一方向平行排列的多个第一梳齿部，所述第二电极包括第二梳柄部、以及与所述第二梳柄部相连且沿所述第一方向平行排列的多个第二梳齿部；多个所述第一梳齿部和多个所述第二梳齿部分立设置在所述第一梳柄部两侧，位于所述第一梳齿部同一侧的所述第一梳齿部和所述第二梳齿部沿第二方向依次交错排列，且具有间隔；其中，所述第一方向与所述第二方向垂直。采用上述方案，能够提高电容器的电容密度。

技术研发人员：吴轶超,金吉松
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23