一种排查方法与流程

本发明涉及光伏，特别是涉及一种排查方法。

背景技术：

1、湿法制程工艺指制造过程中需要使用化学品药液的工艺，被广泛使用于光伏技术领域的制造过程中。在太阳能电池的制造过程中，湿法制程工艺包括制绒、链式清洗、碱抛光、缓冲氧化物刻蚀(boe)等涉及到化学品药液的工序，化学品药液包括氢氟酸、盐酸、氢氧化钠、氢氧化钾、硝酸、添加剂等，在这些湿法制程工艺中，因槽体质量、化学品药液脏污、外来杂质带入等造成湿法槽式机台脏污的情况较为常见，湿法槽式机台脏污会使得太阳能电池的转换效率、el(electro luminescence，电致发光)良率下降。

2、现有技术中，太阳能电池生产车间通常有几十台湿法槽式机台，为了锁定到异常的湿法槽式机台，对太阳能电池制备过程中涉及到的全部湿法制程工艺进行硅片跟踪排查，使湿法制程工艺的所有湿法槽式机台生产太阳能电池，根据现场生产情况，需要批量生产太阳能电池来测试太阳能电池的el良率及转换效率，每一台湿法槽式机台排查所需的数量为400片至800片，跟踪对应湿法槽式机台生产的太阳能电池的el良率及转换效率，进而判定有无异常。

3、但是，该现有技术大量耗费人力，排查周期长，很难快速锁定到异常的湿法槽式机台，不利于问题的快速解决，使得太阳能电池的转换效率、el良率持续偏低，造成损失。

技术实现思路

1、本发明提供一种排查方法，旨在解决现有技术中很难快速锁定到异常的湿法槽式机台，不利于问题的快速解决，使得太阳能电池的转换效率、el良率持续偏低，造成损失的问题。

2、本发明提供一种排查方法，所述方法包括：

3、对硅片进行双面抛光；

4、待排查湿法槽式机台的槽体中盛放有对应的化学品药液，将抛光后的所述硅片放至所述化学品药液中浸泡，浸泡的时间大于等于300秒；

5、对浸泡后的所述硅片进行双面镀氮化硅膜；

6、对镀氮化硅膜后的所述硅片进行烧结；

7、在烧结后的所述硅片的钝化特征值超出预设范围的情况下，确定所述待排查湿法槽式机台异常；所述钝化特征值用于表征所述烧结后的所述硅片的钝化性能。

8、本发明实施例中，对硅片进行双面抛光，抛光可以去除切割硅片过程中在硅片表面产生的机械损伤，同时，抛光可以去除抛光前硅片表面的脏污，避免影响排查的准确性；不需要制备太阳能电池，排查方法步骤较少，排查方法简单，耗费人力少，排查周期短，可以快速锁定到异常的湿法槽式机台，利于问题的快速解决，避免问题无法解决导致太阳能电池的转换效率、el良率持续偏低，造成损失。

9、可选的，所述钝化特征值为隐开路电压，和/或，灰度值，和/或，少子寿命。

10、可选的，隐开路电压的所述预设范围为680毫伏至710毫伏；

11、灰度值的所述预设范围为大于等于10000；

12、少子寿命的所述预设范围为300微秒至700微秒。

13、可选的，所述对硅片进行双面抛光中，所述硅片减去的重量为0.4克至0.5克。

14、可选的，所述浸泡的时间小于等于700秒。

15、可选的，所述氮化硅膜的厚度为70纳米至100纳米，所述氮化硅膜的折射率为2至2.1。

16、可选的，所述烧结的温度为700摄氏度至850摄氏度，所述烧结的时间为30秒至120秒。

17、可选的，所述对硅片进行双面抛光，包括：

18、对第一数量的硅片进行双面抛光；

19、所述在烧结后的所述硅片的钝化特征值超出预设范围的情况下，确定所述待排查湿法槽式机台异常，包括：

20、对第一数量的烧结后的所述硅片的钝化特征值求平均值；

21、在所述平均值超出预设范围的情况下，确定所述待排查湿法槽式机台异常。

22、可选的，所述第一数量为3，或4，或5。

23、可选的，在使用所述待排查湿法槽式机台浸泡后的硅片的数量，小于或等于第二数量的情况下，所述对浸泡后的所述硅片进行双面镀氮化硅膜，包括：将使用所述待排查湿法槽式机台浸泡后的硅片，与其他硅片放在同一镀膜炉管中，进行双面镀氮化硅膜。

技术特征：

1.一种排查方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的排查方法，其特征在于，所述钝化特征值为隐开路电压，和/或，灰度值，和/或，少子寿命。

3.根据权利要求2所述的排查方法，其特征在于，隐开路电压的所述预设范围为680毫伏至710毫伏；

4.根据权利要求1所述的排查方法，其特征在于，所述对硅片进行双面抛光中，所述硅片减去的重量为0.4克至0.5克。

5.根据权利要求1所述的排查方法，其特征在于，所述浸泡的时间小于等于700秒。

6.根据权利要求1所述的排查方法，其特征在于，所述氮化硅膜的厚度为70纳米至100纳米，所述氮化硅膜的折射率为2至2.1。

7.根据权利要求1所述的排查方法，其特征在于，所述烧结的温度为700摄氏度至850摄氏度，所述烧结的时间为30秒至120秒。

8.根据权利要求1所述的排查方法，其特征在于，所述对硅片进行双面抛光，包括：

9.根据权利要求8所述的排查方法，其特征在于，所述第一数量为3，或4，或5。

10.根据权利要求1所述的排查方法，其特征在于，在使用所述待排查湿法槽式机台浸泡后的硅片的数量，小于或等于第二数量的情况下，所述对浸泡后的所述硅片进行双面镀氮化硅膜，包括：将使用所述待排查湿法槽式机台浸泡后的硅片，与其他硅片放在同一镀膜炉管中，进行双面镀氮化硅膜。

技术总结
本发明提供了一种排查方法，涉及光伏技术领域。方法包括：对硅片进行双面抛光；待排查湿法槽式机台的槽体中盛放有对应的化学品药液，将抛光后的所述硅片放至所述化学品药液中浸泡，浸泡的时间大于等于300秒；对浸泡后的所述硅片进行双面镀氮化硅膜；对镀氮化硅膜后的所述硅片进行烧结；在烧结后的所述硅片的钝化特征值超出预设范围的情况下，确定所述待排查湿法槽式机台异常。本发明实施例中，不需要制备太阳能电池，排查方法步骤较少，排查方法简单，耗费人力少，排查周期短，可以快速锁定到异常的湿法槽式机台，利于问题的快速解决。

技术研发人员：党颖,彭鑫,蔡伦,吴新荣
受保护的技术使用者：一道新能源科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23