半导体装置的制作方法

实施方式涉及半导体装置。

背景技术：

1、在电力控制用的半导体装置中发生雪崩击穿(日文：アバランシェ降伏)时，有时寄生npn双极晶体管导通，发生二次击穿。由此，存在半导体装置被破坏的可能性。

技术实现思路

1、实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间；第三电极，设置在所述第一半导体层内，隔着绝缘体的一部分与所述第一半导体层对置；第二导电型的第二半导体层，设置在所述第一半导体层与所述第二电极之间，具有位于所述第一电极侧的下表面，与所述第二电极电连接；第二导电型的第三半导体层，从所述第二半导体层向所述第一电极侧延伸突出，位于所述第一电极侧的下端位于比所述第二半导体层的所述下表面靠所述第一电极侧的位置，与所述绝缘体分离；第四电极，隔着所述绝缘体的另一部分与所述第二半导体层对置；以及第一导电型的第四半导体层，设置在所述第二半导体层与所述第二电极之间，与所述第二电极电连接。

2、根据本实施方式，能够提供可靠性高的半导体装置。

技术特征：

1.一种半导体装置，其中，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

技术总结
本发明的实施方式涉及半导体装置，具备：第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体层，设置在第一电极与第二电极之间；第三电极，设置在第一半导体层内，隔着绝缘体的一部分与第一半导体层对置；第二导电型的第二半导体层，设置在第一半导体层与第二电极之间，具有位于第一电极侧的下表面，与第二电极电连接；第二导电型的第三半导体层，从第二半导体层向第一电极侧延伸突出，位于第一电极侧的下端位于比第二半导体层的下表面靠第一电极侧的位置，与绝缘体分离；第四电极，隔着绝缘体的另一部分与第二半导体层对置；以及第一导电型的第四半导体层，设置在第二半导体层与第二电极之间，与第二电极电连接。

技术研发人员：安武拓哉,齐藤泰伸,可知刚
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23