存储器装置及包括存储器装置的计算机系统的制作方法

本公开的各种实施方式涉及存储器装置及包括存储器装置的计算机系统，并且更具体地，涉及三维(3d)存储器装置。

背景技术：

1、半导体存储器装置可以被分类为当供电中断时所存储的数据丢失的易失性存储器装置或即使在供电中断时所存储的数据也被保留的非易失性存储器装置。

2、三维(3d)半导体存储器装置可以通过在基板上垂直层叠存储器单元来形成单元串，以便增加(即，改进)集成度。然而，随着3d半导体存储器装置集成度的改进，需要将电压单独地施加到漏极选择线的方法。

技术实现思路

1、本公开的各种实施方式涉及能够将电压单独地施加到漏极选择线的存储器装置。

2、本公开的一个实施方式可以提供一种存储器装置。该存储器装置可以包括：字线，该字线联接到第一存储器单元和第二存储器单元；以及存储块，该存储块包括第一单元串和第二单元串，第一单元串包括第一存储器单元，第二单元串包括第二存储器单元。该存储器装置还可以包括编程操作控制单元，编程操作控制单元被配置成在编程操作控制单元将编程电压施加到字线之前，将预充电电压施加到与第一单元串和第二单元串中的一者联接的漏极选择线，预充电电压在具有根据漏极选择线的电阻确定的持续时间的时间段期间被施加到漏极选择线。

3、本公开的一个实施方式可以提供一种存储器装置。该存储器装置可以包括：字线，该字线包括第一存储器单元和第二存储器单元；存储块，该存储块包括第一单元串和第二单元串，第一单元串包括第一存储器单元，第二单元串包括第二存储器单元。存储器装置还可以包括编程操作控制单元，编程操作控制单元被配置成在编程电压被施加到字线之前且在由漏极选择线电阻确定的时间段期间确定是否将第一预充电电压或比第一预充电电压大的第二预充电电压施加到漏极选择线。

4、本公开的一个实施方式可以提供一种计算机系统。该计算机系统可以包括：处理器；以及存储器装置，该存储器装置联接到处理器。该存储器装置可以包括：字线，该字线联接到第一存储器单元和第二存储器单元；存储块，该存储块包括第一单元串和第二单元串，第一单元串包括第一存储器单元，第二单元串包括第二存储器单元；以及编程操作控制单元，编程操作控制单元被配置成在编程操作控制单元将编程电压施加到字线之前，将预充电电压施加到与第一单元串和第二单元串中的一者联接的漏极选择线，漏极选择线具有电阻，预充电电压在具有根据漏极选择线电阻确定的持续时间的时间段期间被施加到字线。

技术特征：

1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述存储块包括：

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制单元包括：

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，指定所述第一预充电电压和所述第二预充电电压的所述信息包括指定预充电电压幅度的信息。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制单元：

6.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，指定所述第一预充电电压和所述第二预充电电压的所述信息指定预充电电压要被施加的持续时间。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制单元：

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，

9.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述第一单元串与所述狭缝之间的距离比所述第二单元串与所述狭缝之间的距离小。

11.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，

12.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，所述存储块包括与所述第一单元串联接的第一漏极选择线以及与所述第二单元串联接的第二漏极选择线。

14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制单元：

15.根据权利要求14所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制单元：

16.根据权利要求13所述的存储器装置，其中，

17.根据权利要求16所述的存储器装置，其中，所述第一单元串与所述狭缝之间的距离比所述第二单元串与所述狭缝之间的距离小。

18.根据权利要求13所述的存储器装置，其中，

19.一种计算机系统，所述计算机系统包括：

技术总结
本公开涉及存储器装置及包括存储器装置的计算机系统。存储器装置将电压施加到单独地确定的漏极选择线。编程操作控制单元在根据与选自第一单元串和第二单元串中的单元串联接的漏极选择线的电阻值确定的时间期间，在编程电压被施加到字线之前，将预充电电压施加到与选定单元串联接的漏极选择线。

技术研发人员：黄盛炫,郑载烨,朴世泉
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23