半导体装置的制作方法

xiaoxiao9月前  59


实施方式涉及一种半导体装置。


背景技术:

1、已知了一种使多个半导体芯片叠层并搭载而成的半导体装置。


技术实现思路

1、本发明要解决的问题在于提供一种不仅防止半导体芯片的破裂,并且能够实现薄型化的半导体装置。

2、实施方式中的半导体装置具备在背面贴附有具有绝缘性的第1粘合剂的第1半导体芯片、及在背面贴附有具有绝缘性的第2粘合剂的第2半导体芯片。所述第2半导体芯片经由所述第2粘合剂叠层于所述第1半导体芯片的正面。所述第2半导体芯片中,具有当从与所述正面正交的方向观察时与所述第1半导体芯片不重合的悬突区域。所述第1粘合剂具备覆盖所述第1半导体芯片的整个背面的基盘部、及从所述基盘部延展至所述第1半导体芯片的外侧的延展部。当从与所述正面正交的方向观察时,所述延展部的至少一部分与所述悬突区域重合,且所述延展部的厚度比所述基盘部的厚度更厚。



技术特征:

1.一种半导体装置,其具备:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述延展部的至少一部分具有与所述第2粘合剂相接的接触区域。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述延展部是由热硬化性树脂所形成。

4.根据权利要求2所述的半导体装置,其中在所述悬突区域形成有用于连接导电性导线的焊垫,且与所述第2半导体芯片的端部与所述焊垫之间的距离相比,所述第2半导体芯片的所述端部与所述接触区域之间的距离更小。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第2粘合剂的下表面与所述第2半导体芯片的正面之间的距离相对于所述悬突区域的长度的比为0.13以上。

6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第2半导体芯片比所述第1半导体芯片更薄。


技术总结
实施方式提供一种不仅防止半导体芯片的破裂,并且能够实现薄型化的半导体装置。实施方式的半导体装置具备贴附有第1薄膜状粘合剂的半导体芯片、及贴附有第2薄膜状粘合剂的半导体芯片。半导体芯片经由第2薄膜状粘合剂叠层于半导体芯片的正面。半导体芯片中,具有当从与正面正交的方向观察时与半导体芯片不重合的悬突区域。第1薄膜状粘合剂具备覆盖半导体芯片的整个背面的基盘部、及从基盘部延展至半导体芯片的外侧的延展部。当从与正面正交的方向观察时,延展部的至少一部分与所述悬突区域重合,且延展部的厚度比基盘部的厚度更厚。

技术研发人员:荒井俊光
受保护的技术使用者:铠侠股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/9/23

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