半导体装置的制作方法

本公开涉及一种半导体装置。

背景技术：

1、在专利文献1中，示出了在半导体装置中产生以下问题：在高温的负载条件下，功率半导体元件的al引线键合部在早期产生裂纹，从而无法获得以往以来所要求的寿命。另外，在专利文献1中，示出了以下内容：通过设置具有al引线的线膨胀系数与功率半导体元件的线膨胀系数的中间的线膨胀系数的缓冲板，来减轻在由于高温而发生热膨胀时施加于al引线的接合部的应力。

2、在专利文献2中，示出了一种半导体装置，该半导体装置具有与半导体元件连接的枕部以及与枕部连接的引线部，且枕部的线膨胀系数比半导体元件的第一导电层的线膨胀系数小，并且，示出了根据该半导体装置，能够抑制引线的剥离。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2011-253950号公报

6、专利文献2：国际公开第2020/054688号

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、在专利文献1和专利文献2的技术中，键合线的热膨胀系数与用于接合该键合线的部位的热膨胀系数之差比较大。因此，在减少键合线的接合部中的应变和抑制由该应变引起的裂纹的产生的方面存在进一步改善的余地。

3、本公开的目的在于提供一种能够减少在键合线的接合部处产生的应变的半导体装置。

4、用于解决问题的方案

5、本公开的一个方式所涉及的半导体装置具备：半导体芯片；键合线，其与设置于所述半导体芯片的电极电连接；以及连接用基板，其与所述半导体芯片的所述电极接合，其中，所述连接用基板的热膨胀系数与所述键合线的热膨胀系数相同，或者，所述连接用基板的热膨胀系数是所述键合线的热膨胀系数以下且第一热膨胀系数以上的范围内的值，所述第一热膨胀系数与所述键合线的热膨胀系数之差为规定值，所述键合线与所述连接用基板接合，通过所述连接用基板来与所述电极导通。

6、发明的效果

7、根据本公开的一个方式，能够减少引线的接合部处产生的应变。

技术特征：

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，还具备：

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

技术总结
提供一种半导体装置。半导体装置具备：半导体芯片；键合线，其与设置于所述半导体芯片的电极电连接；以及连接用基板，其与所述半导体芯片的所述电极接合，其中，所述连接用基板的热膨胀系数与所述键合线的热膨胀系数相同，或者，所述连接用基板的热膨胀系数是所述键合线的热膨胀系数以下且第一热膨胀系数以上的范围内的值，所述第一热膨胀系数与所述键合线的热膨胀系数之差为规定值，所述键合线与所述连接用基板接合，通过所述连接用基板来与所述电极导通。

技术研发人员：日向裕一朗,金井直之
受保护的技术使用者：富士电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23