用于高侧负载开关的驱动电路的制作方法
所描述的实施方案整体涉及电源转换器，并且更具体地，本实施方案涉及用于电源转换器中使用的高侧负载开关的驱动电路。
背景技术：
1、电子设备(诸如，计算机、服务器和电视等)采用一个或多个电力转换电路将一种形式的电能转换为另一种形式的电能。一些电力转换电路使用称为半桥转换器的电路拓扑将高dc电压转换为较低dc电压。由于许多电子设备对电源转换电路的尺寸和效率敏感，因此新型电源转换器可以为新型电子设备提供相对较高的效率和较小的尺寸。
技术实现思路
1、在一些实施方案中，公开了一种电路。该电路包括：开关，该开关具有栅极端子、源极端子和漏极端子；开关驱动电路，该开关驱动电路连接到该栅极端子并且被布置为控制该开关的导通状态和关断状态，该开关驱动电路包括：信号转换电路，该信号转换电路被布置为接收控制信号并且作为响应生成高侧信号；信号缓冲电路，该信号缓冲电路被耦接到该信号转换电路，并且被布置为接收该高侧信号并且作为响应生成缓冲信号；和驱动电路，该驱动电路被耦接到该信号缓冲电路，并且被布置为接该收缓冲信号并且作为响应生成使得该开关在该导通状态和该关断状态之间转变的栅极驱动信号。
2、在一些实施方案中，该开关是n沟道金属氧化物半导体(nmos)晶体管。
3、在一些实施方案中，该漏极端子被耦接到处于基本第一高压的第一端子，并且该源极端子被耦接到处于第二基本高压的第二端子。
4、在一些实施方案中，该电路还包括电源，该电源被耦接到该信号缓冲电路和该驱动电路，并且被布置为生成用于该信号缓冲电路和该驱动电路的电力。
5、在一些实施方案中，该信号转换电路包括具有第一集电极端子、第一发射极端子和第一基极端子的npn晶体管。
6、在一些实施方案中，该信号转换电路还包括耦接在该第一基极端子和该第一发射极端子之间的第一阻抗元件、被耦接在该第一发射极端子和接地节点之间的第二阻抗元件以及与该第一基极端子串联耦接的第三阻抗元件。
7、在一些实施方案中，该开关驱动电路通过第四阻抗元件连接到该栅极端子，并且该栅极端子通过第五阻抗元件连接到该源极端子。
8、在一些实施方案中，该信号缓冲电路包括具有第二集电极端子、第二发射极端子和第二基极端子的pnp晶体管。
9、在一些实施方案中，该信号缓冲电路还包括被耦接在该第二发射极端子和该第二基极端子之间的第六阻抗元件以及被耦接在该第二集电极端子和该第二基极端子之间的二极管。
10、在一些实施方案中，公开了一种电路。该电路包括：升压电路，该升压电路具有输入端子和输出端子，并且被布置为在该输入端子处接收线电压并在其输出端子处生成基本高压；开关，该开关具有栅极端子、源极端子和漏极端子，该漏极端子连接到该输出端子；开关驱动电路，该开关驱动电路连接到该栅极端子并且被布置为控制该开关的导通状态和关断状态，该开关驱动电路包括：信号转换电路，该信号转换电路被布置为接收控制信号并且作为响应生成高侧信号；信号缓冲电路，该信号缓冲电路被耦接到该信号转换电路，并且被布置为接收该高侧信号并且作为响应生成缓冲信号；和驱动电路，该驱动电路被耦接到该信号缓冲电路，并且被布置为接收该缓冲信号并且作为响应生成使得该开关在该导通状态和该关断状态之间转变的栅极驱动信号。
11、在一些实施方案中，公开了一种操作电路的方法。该方法包括：提供具有栅极端子、源极端子和漏极端子的n沟道金属氧化物半导体(nmos)晶体管；通过信号转换电路接收控制信号并且作为响应生成高侧信号；通过信号缓冲电路接收该高侧信号并且作为响应生成缓冲信号；以及通过驱动电路接收该缓冲信号并且作为响应生成使得该nmos晶体管在导通状态和关断状态之间转变的栅极驱动信号。
技术特征：
1.一种电路，所述电路包括：
2.根据权利要求1所述的电路，其中所述开关是n沟道金属氧化物半导体(nmos)晶体管。
3.根据权利要求1所述的电路，其中所述漏极端子被耦接到处于第一基本高压的第一端子，并且所述源极端子被耦接到处于第二基本高压的第二端子。
4.根据权利要求2所述的电路，还包括电源，所述电源被耦接到所述信号缓冲电路和所述驱动电路，并且被布置为生成用于所述信号缓冲电路和所述驱动电路的电力。
5.根据权利要求1所述的电路，其中所述信号转换电路包括具有第一集电极端子、第一发射极端子和第一基极端子的npn晶体管。
6.根据权利要求5所述的电路，其中所述信号转换电路还包括被耦接在所述第一基极端子和所述第一发射极端子之间的第一阻抗元件、被耦接在所述第一发射极端子和接地节点之间的第二阻抗元件以及与所述第一基极端子串联耦接的第三阻抗元件。
7.根据权利要求4所述的电路，其中所述开关驱动电路通过第四阻抗元件连接到所述栅极端子，并且其中所述栅极端子通过第五阻抗元件连接到所述源极端子。
8.根据权利要求6所述的电路，其中所述信号缓冲电路包括具有第二集电极端子、第二发射极端子和第二基极端子的pnp晶体管。
9.根据权利要求8所述的电路，其中所述信号缓冲电路还包括被耦接在所述第二发射极端子和所述第二基极端子之间的第六阻抗元件以及被耦接在所述第二集电极端子和所述第二基极端子之间的二极管。
10.一种电路，所述电路包括：
11.根据权利要求10所述的电路，其中所述开关是n沟道金属氧化物半导体(nmos)晶体管。
12.根据权利要求10所述的电路，其中所述源极端子被耦接到基本上处于高压的负载输入端子。
13.根据权利要求10所述的电路，其中还包括电源，所述电源被耦接到所述信号缓冲电路和所述驱动电路，并且被布置为生成用于所述信号缓冲电路和所述驱动电路的电力。
14.根据权利要求10所述的电路，其中所述信号转换电路包括具有第一集电极端子、第一发射极端子和第一基极端子的npn晶体管。
15.根据权利要求14所述的电路，其中所述信号转换电路还包括被耦接在所述第一基极端子和所述第一发射极端子之间的第一阻抗元件、被耦接在所述第一发射极端子和接地节点之间的第二阻抗元件和与所述第一基极端子串联耦接的第三阻抗元件。
16.根据权利要求14所述的电路，其中所述开关驱动电路通过第四阻抗元件连接到所述栅极端子，并且其中所述栅极端子通过第五阻抗元件连接到所述源极端子。
17.一种操作电路的方法，所述方法包括：
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述信号转换电路包括具有第一集电极端子、第一发射极端子和第一基极端子的npn晶体管。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述信号转换电路还包括被耦接在所述第一基极端子和所述第一发射极端子之间的第一阻抗元件、被耦接在所述第一发射极端子和接地节点之间的第二阻抗元件和与所述第一基极端子串联耦接的第三阻抗元件。
20.根据权利要求18所述的方法，其中所述驱动电路通过第四阻抗元件连接到所述栅极端子，并且其中所述栅极端子通过第五阻抗元件连接到所述源极端子。
技术总结
本发明公开了一种用于高侧负载开关的驱动电路。该电路包括：开关，该开关具有栅极端子、源极端子和漏极端子；开关驱动电路，该开关驱动电路连接到该栅极端子并且被布置为控制该开关的导通状态和关断状态，该开关驱动电路包括：信号转换电路，该信号转换电路被布置为接收控制信号并且作为响应生成高侧信号；信号缓冲电路，该信号缓冲电路被耦接到该信号转换电路，并且被布置为接收该高侧信号并且作为响应生成缓冲信号；和驱动电路，该驱动电路被耦接到该信号缓冲电路，并且被布置为接该收缓冲信号并且作为响应生成使得该开关在该导通状态和该关断状态之间转变的栅极驱动信号。一方面，该开关是具有栅极、源极和漏极的NMOS晶体管，其中该源极和该漏极处于基本高压。
技术研发人员：秦伟,查振旭,王欢喜,胡芝军,罗月亮,孙运凯
受保护的技术使用者：纳维达斯半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23