本发明的实施方式涉及一种晶片收纳容器清洗装置。
背景技术:
1、有对晶片(半导体晶片)进行收容的前开式晶片传送盒(front opening unifiedpod,foup)或前开式晶片出货盒(front opening shipping box,fosb)等晶片收纳容器。例如,foup包括具有开口部的壳体以及装设于开口部的门。在壳体的内部,为了对多个晶片进行保持而形成有多个搁板。
2、且说,半导体元件经由各种工序而形成于晶片上。晶片在工序间移动时以被收容于晶片收纳容器内的状态被搬送。若在多个工序中反复使用晶片收纳容器,则有时会在晶片收纳容器内部(例如壳体内部)附着颗粒或化学性污染物质。若这些污染物质再次附着于晶片收纳容器内所收容的晶片上,则结果半导体元件的良率变低。因此,若多次反复使用晶片收纳容器,则需要对晶片收纳容器进行清洗以使其恢复至清洁的状态。
3、例如,作为对foup进行清洗的技术,提出了一种将壳体及门收容于一个清洗槽内并对壳体及门进行清洗及干燥的装置。清洗及干燥完毕的壳体及门在清洗及干燥后从清洗槽内搬出,而下一个壳体及门被搬入至清洗槽内。
4、[现有技术文献]
5、[专利文献]
6、[专利文献1]日本专利特开2005-109523号公报
技术实现思路
1、[发明所要解决的问题]
2、如上所述,在晶片收纳容器内部附着有污染物质。因此,有如下担忧:当对晶片收纳容器内部进行清洗时,污染物质附着于对晶片收纳容器内部供给清洗液的清洗液供给部。若于在清洗液供给部附着有污染物质的状态下对下一个晶片收纳容器进行清洗,则有如下担忧:附着于清洗液供给部的污染物质附着于所述晶片收纳容器上而对晶片收纳容器造成污染。
3、本发明是为了解决所述课题而完成,其目的在于提供一种可抑制晶片收纳容器的污染的晶片收纳容器清洗装置。
4、[解决问题的技术手段]
5、为了解决所述课题而实现目的,本发明的一形态的晶片收纳容器清洗装置是对晶片收纳容器进行清洗的晶片收纳容器清洗装置,所述晶片收纳容器具有:壳体,具有壳体开口部;及门,装设于所述壳体开口部,所述晶片收纳容器清洗装置包括:清洗槽主体,为在上表面具有开口部、且能够在内部收容所述晶片收纳容器的容器;盖部,设置于所述清洗槽主体的所述开口部侧,将所述清洗槽主体的所述开口部打开/关闭;载置部,设置于所述清洗槽主体的内部,能够在使所述壳体的所述壳体开口部朝向下方的状态下载置所述壳体;第一清洗液喷出部,在由所述载置部载置有所述壳体的状态即壳体载置状态下设置于所述壳体的内部,对所述壳体的内表面喷出清洗液;以及第二清洗液喷出部,在所述壳体载置状态下设置于所述壳体的外侧,对所述壳体的外表面喷出清洗液,所述第一清洗液喷出部的喷出口与所述第二清洗液喷出部的喷出口以能够从其中一个喷出口朝向另一个喷出口彼此喷出清洗液的方式相向。
6、[发明的效果]
7、通过本发明的一形态,可提供一种可抑制晶片收纳容器的污染的晶片收纳容器清洗装置。
1.一种晶片收纳容器清洗装置,对晶片收纳容器进行清洗,所述晶片收纳容器具有:壳体,具有壳体开口部;及门,装设于所述壳体开口部,所述晶片收纳容器清洗装置包括:
2.根据权利要求1所述的晶片收纳容器清洗装置,还包括控制部,所述控制部对所述第一清洗液喷出部及所述第二清洗液喷出部进行控制,
3.根据权利要求2所述的晶片收纳容器清洗装置,其中,所述控制部在以对所述第一清洗液喷出部喷出清洗液的方式对所述第二清洗液喷出部进行控制之前,以对所述第二清洗液喷出部喷出清洗液的方式对所述第一清洗液喷出部进行控制。
4.根据权利要求2所述的晶片收纳容器清洗装置,其中,所述盖部具有对所述门进行保持的保持机构,
5.根据权利要求4所述的晶片收纳容器清洗装置,还包括控制部,所述控制部对所述第一清洗液喷出部、所述第二清洗液喷出部及所述第三清洗液喷出部进行控制,
6.根据权利要求5所述的晶片收纳容器清洗装置,其中,所述控制部在以对所述第一清洗液喷出部喷出清洗液的方式对所述第二清洗液喷出部及所述第三清洗液喷出部进行控制之前,以对所述第二清洗液喷出部及所述第三清洗液喷出部喷出清洗液的方式对所述第一清洗液喷出部进行控制。