静电放电保护装置的制作方法
本公开总体上涉及电子装置，并且特别地，涉及静电放电保护装置。
背景技术：
1、静电放电可能在遭受静电放电的集成电路或电子部件中造成有害效应，该有害效应有可能造成其部件中的全部或一部分不可逆地劣化。因此，由于静电放电，集成电路或电子部件可能遭受重大故障，或者甚至完全不起作用。有时可能必须更换有缺陷的电路或部件，从而对集成有该电路或部件的电子装置的可靠性产生不利影响。
2、为了避免静电放电的有害后果，集成电路和电子部件可以包括保护装置。然而，现有的静电放电保护装置面临各种不利因素。具体地，保护装置的存在可能妨碍该装置旁边的其他电路或部件的操作。
3、需要改进现有的静电放电保护装置。特别是需要减少由电子装置中静电放电保护装置的存在引起的干扰。
技术实现思路
1、一个实施例提供了一种伪双向静电放电保护装置，所述伪双向静电放电保护装置包括：第一二极管和第二二极管，所述第一二极管和所述第二二极管分别将第一端子和第二端子耦接到所述装置的同一中间节点；和第三二极管，所述第三二极管将所述中间节点耦接到施加参考电势的第三端子；其中，所述第三二极管的电容大于所述第一二极管和所述第二二极管的电容，所述装置还包括分别与所述第一二极管和所述第二二极管并联连接的第一电容元件和第二电容元件。
2、根据一个实施例：所述第一二极管包括分别连接到所述中间节点和所述第一端子的阳极电极和阴极电极；并且所述第二二极管包括分别连接到所述中间节点和所述第二端子的阳极电极和阴极电极。
3、根据一个实施例，所述第三二极管包括分别连接到所述中间节点和所述第三端子的阳极电极和阴极电极。
4、根据一个实施例，所述第一电容元件和所述第二电容元件是电容器。
5、根据一个实施例，所述装置具有单片结构。
6、根据一个实施例，所述第一电容元件和所述第二电容元件是mim电容器。
7、根据一个实施例，所述装置还包括：第三电容元件和第四电容元件，所述第三电容元件和所述第四电容元件远离所述第一电容元件和所述第二电容元件，分别将所述第一端子和所述第二端子耦接到所述第三端子；以及第一电阻元件和第二电阻元件，所述第一电阻元件和所述第二电阻元件分别将所述第一端子和所述第二端子耦接到第四端子和第五端子。
8、根据一个实施例：所述第三电容元件和所述第四电容元件各自具有等于大致55pf的电容；并且所述第一电阻元件和所述第二电阻元件各自具有等于大致50ω的电阻。
9、根据一个实施例，所述第一二极管、所述第二二极管和所述第三二极管是齐纳二极管或瞬态电压抑制二极管。
10、根据一个实施例，所述第一电容元件和所述第二电容元件具有彼此基本相同的电容。
11、根据一个实施例，所述第一电容元件和所述第二电容元件各自具有等于大致10pf的电容。
12、根据一个实施例，所述第三二极管的电容是所述第一二极管和所述第二二极管的电容的至少两倍，优选地至少五倍，更优选地至少十倍。
13、根据一个实施例：所述第一二极管和所述第二二极管各自具有等于大致4.5pf的电容；并且所述第三二极管具有等于大致38pf的电容。
14、根据一个实施例，所述第一端子和所述第二端子是集成电路的输入端子和/或输出端子。
15、根据一个实施例，所述中间节点对应于其内部和顶部形成有所述装置的半导体衬底。
技术特征：
1.一种伪双向静电放电保护装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中：
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第三二极管包括分别连接到所述中间节点和所述第三端子的阳极电极和阴极电极。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一电容元件和所述第二电容元件是电容器。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置具有单片结构。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述第一电容元件和第二电容元件是电容器，并且其中，所述第一电容元件和第二电容元件是金属-绝缘体-金属mim电容器，其形成为所述单片结构的导电层的堆叠。
7.根据权利要求1所述的装置，还包括：
8.根据权利要求7所述的装置，还包括：
9.根据权利要求8所述的装置，其中：
10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一二极管、所述第二二极管和所述第三二极管是齐纳二极管。
11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一二极管、所述第二二极管和所述第三二极管是瞬态电压抑制二极管。
12.根据权利要求1所述的装置，其中，其中所述第一电容元件和所述第二电容元件具有彼此基本相同的电容。
13.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一电容元件和所述第二电容元件各自具有等于大致10pf的电容。
14.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第三二极管的电容是所述第一二极管和所述第二二极管的电容的至少两倍。
15.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第三二极管的电容是所述第一二极管和所述第二二极管的电容的至少五倍。
16.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第三二极管的电容是所述第一二极管和所述第二二极管的电容的大致十倍。
17.根据权利要求1所述的装置，其中：
18.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一端子和所述第二端子是集成电路的输入端子和/或输出端子。
19.根据权利要求1所述的装置，其中，所述中间节点对应于其内部和顶部形成有所述装置的半导体衬底。
20.一种伪双向静电放电保护装置，包括：
21.根据权利要求20所述的装置，其中，所述第一二极管、所述第二二极管和所述第三二极管是齐纳二极管。
22.根据权利要求20所述的装置，其中，所述第一二极管、所述第二二极管和所述第三二极管是瞬态电压抑制二极管。
23.根据权利要求20所述的装置，其中，所述第一端子和所述第二端子是集成电路的输入端子和/或输出端子。
24.根据权利要求20所述的装置，其中，所述中间节点对应于其内部和顶部形成有所述装置的半导体衬底。
技术总结
本公开涉及静电放电保护装置。一种伪双向静电放电保护装置包括分别将第一端子和第二端子耦接到装置的同一中间节点的第一二极管和第二二极管。第三二极管将所述中间节点耦接到施加参考电势的第三端子。第三二极管的电容比第一二极管和第二二极管的电容大。第一电容元件和第二电容元件分别与第一二极管和第二二极管并联连接。
技术研发人员：F·吉东
受保护的技术使用者：意法半导体国际公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23