本申请涉及芯片封装,特别是涉及一种倒装芯片的封装结构以及封装方法。
背景技术:
1、目前对芯片封装要求越来越高,逐步向更小的封装尺寸、更小的间距、更先进的工艺发展,随着芯片行业进入后摩尔时代,传统封装技术难以保证更高集成度、更低成本等,诸多先进封装技术逐步出现在市场应用中,其中扇出型板级封装(foplp)是先进封装技术之一,具体的加工步骤是将芯片再分布在矩形载板上,然后采用扇出(fan-out)工艺进行封装。扇出型(fan-out)封装将芯片的输入输出(i/o)口向外引出,针对多引脚、高密度封装,扇出(fan-out)是最好的解决方法之一,所以foplp封装方法具有更高的材料利用率和更低生产成本。
2、但是目前的foplp封装方法还存在不足,无法满足更进一步的需求。
技术实现思路
1、本申请主要解决的技术问题是提供一种倒装芯片的封装结构以及封装方法,避免封装结构在封装完成之后安装至基板时断桥及封装结构底部开窗偏位等风险,解决倒装芯片的封装结构因为引脚间连锡引发短路等问题,满足更小型化产品的需求。
2、为解决上述技术问题,本申请第一方面提供了一种倒装芯片的封装结构,倒装芯片的封装结构包括:
3、载板;至少两个金属连接件,贯穿载板,并在载板的两侧形成焊盘;芯片,芯片焊接设置于述金属连接件一侧的焊盘上;其中,远离芯片的另一侧的相邻两个金属连接件之间形成有一个堤坝,以阻隔相邻的两个焊盘;封装层,封装层设置于载板靠近芯片的一侧,包裹封装芯片。
4、其中,堤坝与载板一体成型。
5、其中,堤坝通过在相邻的金属连接件之间设置绝缘层形成。
6、其中,绝缘层包括半固化片或者环氧树脂中的至少一种。
7、为解决上述技术问题,本申请第二方面提供了一种倒装芯片的封装方法,封装方法包括:
8、准备载板;对载板进行开窗图像化处理,形成多个金属连接件;其中,金属连接件贯穿载板,并在载板的两侧形成焊盘;将芯片焊接在金属连接件一侧的焊盘上;将封装层设置在载板靠近芯片的一侧上,以包裹封装芯片;在远离芯片的另一侧的相邻两个金属连接件之间形成一个堤坝,以阻隔相邻的两个焊盘。
9、其中,将芯片焊接在金属连接件一侧的焊盘上的步骤之前,还包括:对开窗图像化处理后的载板进行第一次封装,以覆盖载板以及一侧的焊盘,形成第一封装层;对焊盘上的第一封装层进行图像化处理,暴露出焊盘,以形成多个凹槽。
10、其中,将芯片焊接在金属连接件一侧的焊盘上的步骤包括:在凹槽内设置金属焊料;利用焊料将将芯片焊接在暴露出的焊盘上。
11、其中,在远离芯片的另一侧的相邻两个金属连接件之间形成一个堤坝,以阻隔相邻的两个焊盘的步骤包括:将载板进行切割,露出远离芯片的另一侧的金属连接件的焊盘;对焊盘进行刻蚀,与载板形成缝隙,以使在相邻两个金属连接件之间形成一个堤坝。
12、其中,对载板进行开窗图像化处理,形成多个金属连接件的步骤包括:在载板上进行电镀形成第一金属层,在第一金属层上进行图形开窗处理;压合封装压合板,在压合板上进行电镀形成第二金属层;钻孔贯穿第二金属层和压合板进行图形开窗处理,电镀形成多个金属连接件。
13、其中,金属焊料为锡片。
14、以上方案,区别于现有技术的情况,本申请提供的倒装芯片的封装结构以及封装方法,能够通过上述方式,能避免封装结构在封装完成之后安装至基板时断桥及封装结构底部开窗偏位等风险,封装方法能够解决倒装芯片的封装结构在封装过程中和封装完成之后安装至基板时,因为引脚间连锡引发短路等问题,满足更小型化产品的需求。
1.一种倒装芯片的封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述堤坝与所述载板一体成型。
3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述堤坝通过在相邻的金属连接件之间设置绝缘层形成。
4.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述绝缘层包括半固化片或者环氧树脂中的至少一种。
5.一种倒装芯片的封装方法,其特征在于,所述封装方法包括:
6.根据权利要求5所述的封装方法,其特征在于,所述对所述载板进行开窗图像化处理,形成多个金属连接件的步骤之后,所述将芯片焊接在所述金属连接件一侧的焊盘上的步骤之前,还包括:
7.根据权利要求6所述的封装方法,其特征在于,所述将芯片焊接在所述金属连接件一侧的焊盘上的步骤包括:
8.根据权利要求5~7任一项所述的封装方法,其特征在于,所述在远离所述芯片的另一侧的相邻两个所述金属连接件之间形成一个堤坝,以阻隔相邻的两个所述焊盘的步骤包括:
9.根据权利要求5所述的封装方法,其特征在于,所述对所述载板进行开窗图像化处理,形成多个金属连接件的步骤包括:
10.根据权利要求7所述的封装方法,其特征在于,所述金属焊料为锡片。