一种电铸形成掩膜板的方法及掩膜板与流程
本申请涉及oled微显示领域，尤其涉及一种电铸形成掩膜板的方法及掩膜板。
背景技术：
1、随着高ppioledos器件的发展，高ppi精细掩膜板的研制成为众多oled面板及上下游厂商的主要攻关方向。其中硅基氮化硅掩膜板已经被用于超过3000ppi的oledos样品制作，取得较大成功。但由于氮化硅的脆性过高，使得其使用和清洗十分困难，成本过高，难以推广，因此一些厂家仍在积极开发因瓦材质的精细掩膜板，以获得可重复使用的低成本替代。在传统工艺中，电铸因瓦掩膜板的开孔通常通过模板成型方案，一般会在光刻胶模板上直接通过电铸方法制备具有图案化通孔的因瓦薄膜，使其成为精细掩膜板。但这种方案往往难以保证因瓦薄膜的厚度均一性满足＜5％的要求。
2、因此，需要一种新的电铸形成掩膜板的方法及掩膜板。
技术实现思路
1、为了解决上述产品性能的问题，本发明提供了一种电铸形成掩膜板的方法及掩膜板。
2、本发明提供了一种电铸形成掩膜板的方法，包括：提供基材；在所述基材的第一表面刻蚀形成图形化凸起；在所述图形化凸起一侧的表面形成种子层；在种子层上通过电铸形成掩膜层；对掩膜层一面进行化学机械研磨，研磨直到露出所述基材上的图形化凸起；通过背板刻蚀去除所述基材和所述种子层，得到掩膜板。
3、可选的，所述基材为单晶硅材料。
4、可选的，所述掩膜层的材料为因瓦合金。
5、可选的，所述在所述基材的第一表面刻蚀形成图形化凸起包括：在所述基材的第一表面形成图案化的第一光刻胶层；利用所述第一光刻胶层的遮挡，对所述基材进行刻蚀，刻蚀深度为0.1μm-30μm，在所述基材的第一表面形成所述图形化的凸起。
6、可选的，所述在所述图形化凸起一侧的表面形成种子层包括：通过溅射在所述图形化凸起一侧的表面沉积种子层
7、可选的，所述种子层的材料为ni，ti，al，cu，ag或半导体材料中的一种或多种。
8、可选的，所述电铸形成掩膜板的方法还包括：在形成所述种子层之前形成黏附层。
9、可选的，所述黏附层的材料为ti或ni，所述黏附层的厚度为5nm-15nm。
10、可选的，所述在种子层上通过电铸形成掩膜层包括：将表面沉积有所述种子层的基材置于电铸液中，所述电铸液包括：niso4(200g/l)、feso4(8g/l)、nicl2(5mg/l)、coso4(1g/l-10g/l)、h3bo3(5g/l)、十二烷基硫酸钠、糖精钠及抗坏血酸的一种或多种。
11、可选的，所述电铸工艺采用特制电铸设备，所述特制电铸设备包括：腔室，用于进行电铸；牺牲阳极和第一阴极，所述牺牲阳极和所述第一阴极位于所述腔室内且互相平行；第二阴极，所述第二阴极位于所述牺牲阳极和所述第一阴极之间，与二者平行且靠近所述第一阴极。
12、可选的，所述电铸形成掩膜板的方法还包括：在电铸形成掩膜层后，对所述电铸件进行退火处理；所述退火处理的条件包括：温度为300℃-800℃。
13、可选的，所述化学机械研磨后的所述掩膜层厚度为1μm-5μm。
14、可选的，所述通过背板刻蚀去除所述基材和所述种子层，得到掩膜板包括：采用湿法刻蚀，从所述基材的第二表面对所述基材进行刻蚀，去除所述图形化凸起处的所述基材；将去除所述图形化凸起处基材的电铸件置于干刻机中，对所述图形化凸起处种子层进行干刻，得到所述掩膜板。
15、本发明还提供了一种电铸形成的掩膜板，包括：掩膜，包括一体形成的中心部和边缘部，其中，所述中心部包括形成有掩膜图案的多个单元部；基材，其中具有贯穿中间的通孔和围绕通孔的周边部，该通孔与所述掩膜的中心部对应；支撑部，用以支撑所述掩膜，由基材的周边部形成，所述掩膜在所述基材上通过电铸形成，所述掩膜边缘部位于所述支撑部上。
16、可选的，所述基材为单晶硅材料。
17、可选的，所述支撑部与所述边缘部之间还设置有种子层。
18、可选的，所述种子层的材料为ni，ti，al，cu，ag或半导体材料中的一种或多种。
19、可选的，所述支撑部还包括：黏附层，所述黏附层位于所述支撑部和种子层之间。
20、可选的，所述黏附层的材料为ti或ni，所述黏附层的厚度为5nm-15nm。
21、可选的，所述掩膜层的材料为因瓦合金。
22、与现有技术相比，本公开实施例的技术方案具有以下有益效果：
23、本公开实施例提供的电铸形成掩膜板的方法，首先通过电铸形成足够厚度的掩膜层，再采用化学机械抛光工艺去掉多余部分，露出硅阳模和电铸因瓦合金的整齐图案，可以解决在电铸形成图案化薄膜过程中由于空间阻碍导致的电铸出来的因瓦合金薄膜厚度不均匀的问题，进而形成厚度均匀的掩膜板。综上，由于使用了硅阳模电铸因瓦合金和化学机械抛光技术，可以使制作的硅基电铸因瓦合金掩膜板具有很高的开口精度和厚度均一性，提高了电铸形成掩膜板的图案边缘整齐度，以较低的成本提高了掩膜板的像素密度。
技术特征：
1.一种电铸形成掩膜板的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电铸形成掩膜板的方法，其特征在于，所述基材为单晶硅材料。
3.如权利要求1所述的电铸形成掩膜板的方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为因瓦合金。
4.如权利要求1或2所述的电铸形成掩膜板的方法，其特征在于，所述在所述基材的第一表面刻蚀形成图形化凸起包括：
5.如权利要求1所述的电铸形成掩膜板的方法，其特征在于，所述在所述图形化凸起一侧的表面形成种子层包括：
6.如权利要求1或5所述的电铸形成掩膜板的方法，其特征在于，所述种子层的材料为ni，ti，al，cu，ag或半导体材料中的一种或多种。
7.如权利要求1所述的电铸形成掩膜板的方法，其特征在于，还包括：在形成所述种子层之前形成黏附层。
8.如权利要求7所述的电铸形成掩膜板的方法，其特征在于，所述黏附层的材料为ti或ni，所述黏附层的厚度为5nm-15nm。
9.如权利要求1所述的电铸形成掩膜板的方法，其特征在于，所述在种子层上通过电铸形成掩膜层包括：
10.如权利要求9所述的电铸形成掩膜板的方法，其特征在于，所述电铸工艺采用特制电铸设备，所述特制电铸设备包括：
11.如权利要求9所述的电铸形成掩膜板的方法，其特征在于，还包括：
12.如权利要求1所述的电铸形成掩膜板的方法，其特征在于，所述化学机械研磨后的掩膜层厚度为1μm-5μm。
13.如权利要求1所述的电铸形成掩膜板的方法，其特征在于，所述通过背板刻蚀去除所述基材和所述种子层，得到掩膜板包括：
14.一种电铸形成的掩膜板，其特征在于，包括：
15.如权利要求14所述的电铸形成的掩膜板，其特征在于，所述基材为单晶硅材料。
16.如权利要求14所述的电铸形成的掩膜板，其特征在于，所述支撑部与所述边缘部之间还设置有种子层。
17.如权利要求14所述的电铸形成的掩膜板，其特征在于，所述种子层的材料为ni，ti，al，cu，ag或半导体材料中的一种或多种。
18.如权利要求14所述的电铸形成的掩膜板，其特征在于，所述支撑部还包括：黏附层，所述黏附层位于所述支撑部和种子层之间。
19.如权利要求18所述的电铸形成的掩膜板，其特征在于，所述黏附层的材料为ti或ni，所述黏附层的厚度为5nm-15nm。
20.如权利要求14所述的电铸形成的掩膜板，其特征在于，所述掩膜层的材料为因瓦合金。
技术总结
本发明提出了一种电铸形成掩膜板的方法及掩膜板，所述电铸形成掩膜板的方法包括：提供基材；在所述基材的第一表面刻蚀形成图形化凸起；在所述图形化凸起一侧的表面形成种子层；在种子层上通过电铸形成掩膜层；对掩膜层一面进行化学机械研磨，研磨直到露出所述基材上的图形化凸起；通过背板刻蚀去除所述基材和所述种子层，得到掩膜板。本发明提供的电铸形成掩膜板的方法采用化学机械抛光方法，保证电铸形成的掩膜板的厚度均一性，以较低的成本，提高了掩膜板的像素密度。
技术研发人员：刘成元
受保护的技术使用者：安徽熙泰智能科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23