包括参考单元的电阻式存储器装置的制作方法

发明构思涉及一种电阻式存储器装置，更具体地，涉及一种包括参考单元的电阻式存储器装置及操作所述电阻式存储器装置的方法。

背景技术：

1、电阻式存储器装置在包括可变电阻元件的存储器单元中存储数据。可以向存储器单元供应读取电流以读取存储在电阻式存储器装置的存储器单元中的数据。例如，读取电压可以由于读取电流和存储器单元的可变电阻元件而被检测。由于电阻式存储器装置使用读取电流来检测存储在存储器单元中的数据，因此由工艺-电压-温度(pvt)变化导致的漏电流会使读取操作的可靠性劣化。

技术实现思路

1、发明构思的实施例提供一种可以以高速精确地读取存储在存储器单元中的值的电阻式存储器装置以及一种操作电阻式存储器装置的方法。

2、发明构思的示例性实施例提供一种电阻式存储器装置，所述电阻式存储器装置包括：多条字线；多个参考单元，其中，每个参考单元连接至字线中的一条；多个第一电阻式存储器单元，其中，每个第一电阻式存储器单元连接至字线中的一条；多个第二电阻式存储器单元，保持在截止状态；读取电路，配置为在第一电阻式存储器单元中的一个被选择为执行读取操作时将第一读取电流提供至第一电阻式存储器单元并将第二读取电流提供至参考单元；以及补偿电路，配置为基于由第二电阻式存储器单元产生的第一漏电流从参考单元撤回补偿电流以补偿由未被选择的第一电阻式存储器单元产生的第二漏电流。

3、发明构思的示例性实施例提供一种电阻式存储器装置，所述电阻式存储器装置包括：多条字线；多个参考单元，其中，每个参考单元连接至字线中的一条；多个第一电阻式存储器单元，其中，每个第一电阻式存储器单元连接至字线中的一条；多个第二电阻式存储器单元，保持在截止状态；读取电路，配置为在第一电阻式存储器单元中的一个被选为执行读取时将第一读取电流提供到第一电阻式存储器单元并将第二读取电流提供到参考单元；以及补偿电路，配置为基于来自第二电阻式存储器单元的第一漏电流将补偿电流提供到参考单元，以补偿由未被选择的第一电阻式存储器单元产生的第二漏电流。

技术特征：

1.一种存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，磁隧道结元件包括自旋转移矩元件。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括：电流镜，被配置为感测所述电流。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，补偿电路包括所述电流经过其的电阻器。

5.一种存储器装置，包括：

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，磁隧道结元件包括自旋转移矩元件。

7.根据权利要求5所述的存储器装置，还包括：电流镜，被配置为感测所述电流。

8.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，补偿电路包括所述电流经过其的电阻器。

9.一种存储器装置，包括：

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，磁隧道结元件包括自旋转移矩元件。

11.根据权利要求9所述的存储器装置，还包括：电流镜，被配置为感测读取电流。

12.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，第二电路包括读取电流经过其的电阻器。

技术总结
提供了包括参考单元的电阻式存储器装置。所述存储器装置包括：电流源电路，结合到与单元晶体管串联的磁隧道结(MTJ)元件，并且被配置为生成通过单元晶体管的电流；以及补偿电路，被配置为基于通过单元晶体管的所述电流来补偿跨过单元晶体管的电压。

技术研发人员：阿图尔·安东尼杨
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23