一种红外遥控接收放大器的制造方法
一种红外遥控接收放大器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电子元器件的制造领域，具体的，是一种采用齐纳二极管提高抗静电能力的红外遥控接收放大器。
【背景技术】
[0002]红外遥控是利用红外线进行传递信息的一种控制方式，红外遥控具有抗干扰，电路简单，容易编码和解码，功耗小，成本低的优点。红外遥控接收放大器(业内俗称“红外遥控接收头”)，是一种广泛应用在电子电路中的电子元器件。红外遥控接收放大器的内部电路包括光电芯片和IC(Integrated Circuit，集成电路)芯片，用于接收红外遥控信号并放大输出。
[0003]近年来，IC芯片的线路缩小，耐压降低，线路面积减小，使得器件耐静电冲击能力的减弱，静电电场和静电电流成为高密度元器件的致命杀手。由于受到IC芯片的影响，目前红外遥控接收放大器的抗静电能力ESD (Electro-static discharge，静电释放)存在着较大的差异。红外遥控接收放大器人体模式静电放电损伤的阀值电压，有的为4000V左右、有的为8000V左右，有的为10000V左右。
[0004]红外遥控接收放大器抗静电能力差，不仅使红外遥控接收放大器在制造过程和使用过程中容易受到静电击穿导致失效；甚至改变线路间的阻抗，存在隐患降低其可靠性，影响红外遥控接收放大器的功能与寿命。不仅如此，随着红外遥控接收放大器应用技术要求的不断提高，电子元器件的ESD差还会降低整机产品的抗浪涌冲击能力，因此需要亟待提高红外遥控接收放大器产品的ESD水平。
【实用新型内容】
[0005]针对现有技术存在的不足之处，本实用新型提出了一种红外遥控接收放大器。该红外遥控接收放大器通过在电路中添加齐纳二极管芯片，大大的提高了其抗静电能力。
[0006]本实用新型采用如下技术方案:
[0007]一种红外遥控接收放大器，包括集成电路芯片、光敏芯片、引线框架和封装壳体，集成电路芯片和光敏芯片固定于所述引线框架上，且集成电路芯片和光敏芯片之间电连接，集成电路芯片、光敏芯片和引线框架设置在封装壳体内；还包括至少一个齐纳二极管芯片，齐纳二极管芯片固定设置在所述引线框架，其两端接入到所述引线框架的任意两个引脚之间。
[0008]进一步的，红外遥控接收放大器包括三个齐纳二极管芯片，分别接入到引线框架的输入端引脚与接地端引脚之间、输出端引脚与接地端引脚之间和输入端引脚与输出端引脚之间。
[0009]进一步的，齐纳二极管芯片为单向齐纳二极管芯片或/和双向齐纳二极管芯片。
[0010]进一步的，齐纳二极管芯片的电极在芯片的正反面或在芯片的同一面。
[0011]本实用新型通过在引线框架的任意两个引脚之间接入齐纳二极管芯片，可显著提高本实用新型的抗静电能力，将本实用新型ESD (人体模式)提高到15000V以上。相对于现有产品，本实用新型的性能可靠性有了大幅度的提升，极大地提高本实用新型的竞争优势。
【附图说明】
[0012]图1是红外遥控接收放大器的电路原理图；
[0013]图2是红外遥控接收放大器的内部结构图。
【具体实施方式】
[0014]为进一步说明各实施例，本实用新型提供有附图。这些附图为本实用新型揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理。配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本实用新型的优点。图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。
[0015]现结合附图和【具体实施方式】对本实用新型进一步说明。
[0016]参阅图1和图2所示，本实用新型优选一实施例的红外遥控接收放大器，它包括模拟IC芯片1、光敏芯片2、齐纳二极管芯片3、引线框架4、金丝5和封装壳体。其中，模拟IC芯片1、光敏芯片2和齐纳二极管芯片3都用导电胶固定设置在引线框架4的一个端上，模拟IC芯片I和光敏芯片2之间电连接。
[0017]该实施例在引线框架4的任意两个引脚之间接入齐纳二极管芯片3，提高红外遥控接收放大器的抗静电能力。齐纳二极管芯片3利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。再次参阅图1所示，该实施例在引线框架4的输入端引脚和接地端引脚之间、输出端引脚和接地端引脚之间及输入端引脚和输出端引脚之间接入了三个齐纳二极管芯片3。需要说明的是，齐纳二极管芯片3的数量不限于该实施例的三个，但至少为一个，该齐纳二极管芯片3设置在引线框架4的输入端、接地端和输出端任意两者之间。
[0018]再次参阅图2所示，该实施例的模拟IC芯片I与光敏芯片2通过金丝5连接，齐纳二极管芯片3与引线框架4的连接也是采用金丝5。金丝5的导电性能比较好，但该领域的技术人员可知，不限于金丝5，采用其他导线也能实现同样的导电功能。
[0019]该实施例采用的齐纳二极管芯片3的两电极位于芯片的正反面，首先将三个齐纳二极管芯片3分别用导电胶黏结在引线框架4的三个引脚上，再用金丝5将齐纳二极管芯片3的另一极连接到引线框架4的其他引脚上。此外，齐纳二极管芯片3的电极可在芯片的正反面，也可在芯片的同一面。
[0020]该实施例在引线框架4的输入端、接地端和输出端任意两者之间接入的齐纳二极管芯片3，可以为单向齐纳二极管芯片3或/和双向齐纳二极管芯片3，都可实现提高抗静电能力的功能。该实施例接入了三个齐纳二极管芯片3后，将红外遥控接收放大器的ESD(人体模式)提高到15000V以上。
[0021]尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化，均为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种红外遥控接收放大器，包括集成电路芯片、光敏芯片、引线框架和封装壳体，所述集成电路芯片和光敏芯片固定于所述引线框架上，且所述集成电路芯片和光敏芯片之间电连接，所述集成电路芯片、光敏芯片和引线框架设置在封装壳体内；其特征在于:还包括至少一个齐纳二极管芯片，所述齐纳二极管芯片固定设置在所述引线框架，其两端接入到所述引线框架的任意两个引脚之间。2.如权利要求1所述的红外遥控接收放大器，其特征在于:包括三个齐纳二极管芯片，分别接入到引线框架的输入端引脚与接地端引脚之间、输出端引脚与接地端引脚之间和输入端引脚与输出端引脚之间。3.如权利要求1或2所述的红外遥控接收放大器，其特征在于:所述齐纳二极管芯片为单向齐纳二极管芯片或/和双向齐纳二极管芯片。4.如权利要求1或2所述的红外遥控接收放大器，其特征在于:所述齐纳二极管芯片的电极在芯片的正反面或在芯片的同一面。
【专利摘要】本实用新型涉及电子元器件的制造领域，具体的，是一种采用齐纳二极管提高抗静电能力的红外遥控接收放大器。本实用新型公开了一种红外遥控接收放大器，包括集成电路芯片、光敏芯片、引线框架和封装壳体，集成电路芯片和光敏芯片固定于所述引线框架上，且集成电路芯片和光敏芯片之间电连接，集成电路芯片、光敏芯片和引线框架设置在封装壳体内；还包括至少一个齐纳二极管芯片，齐纳二极管芯片固定设置在所述引线框架，其两端接入到所述引线框架的任意两个引脚之间。本实用新型通过接入齐纳二极管芯片，可使本实用新型的ESD（人体模式）提高到15000V以上。
【IPC分类】G08C23/04
【公开号】CN204695553
【申请号】CN201520444904
【发明人】郑智斌, 赵国旭
【申请人】厦门华联电子有限公司
【公开日】2015年10月7日
【申请日】2015年6月26日
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电子元器件的制造领域，具体的，是一种采用齐纳二极管提高抗静电能力的红外遥控接收放大器。
【背景技术】
[0002]红外遥控是利用红外线进行传递信息的一种控制方式，红外遥控具有抗干扰，电路简单，容易编码和解码，功耗小，成本低的优点。红外遥控接收放大器(业内俗称“红外遥控接收头”)，是一种广泛应用在电子电路中的电子元器件。红外遥控接收放大器的内部电路包括光电芯片和IC(Integrated Circuit，集成电路)芯片，用于接收红外遥控信号并放大输出。
[0003]近年来，IC芯片的线路缩小，耐压降低，线路面积减小，使得器件耐静电冲击能力的减弱，静电电场和静电电流成为高密度元器件的致命杀手。由于受到IC芯片的影响，目前红外遥控接收放大器的抗静电能力ESD (Electro-static discharge，静电释放)存在着较大的差异。红外遥控接收放大器人体模式静电放电损伤的阀值电压，有的为4000V左右、有的为8000V左右，有的为10000V左右。
[0004]红外遥控接收放大器抗静电能力差，不仅使红外遥控接收放大器在制造过程和使用过程中容易受到静电击穿导致失效；甚至改变线路间的阻抗，存在隐患降低其可靠性，影响红外遥控接收放大器的功能与寿命。不仅如此，随着红外遥控接收放大器应用技术要求的不断提高，电子元器件的ESD差还会降低整机产品的抗浪涌冲击能力，因此需要亟待提高红外遥控接收放大器产品的ESD水平。
【实用新型内容】
[0005]针对现有技术存在的不足之处，本实用新型提出了一种红外遥控接收放大器。该红外遥控接收放大器通过在电路中添加齐纳二极管芯片，大大的提高了其抗静电能力。
[0006]本实用新型采用如下技术方案:
[0007]一种红外遥控接收放大器，包括集成电路芯片、光敏芯片、引线框架和封装壳体，集成电路芯片和光敏芯片固定于所述引线框架上，且集成电路芯片和光敏芯片之间电连接，集成电路芯片、光敏芯片和引线框架设置在封装壳体内；还包括至少一个齐纳二极管芯片，齐纳二极管芯片固定设置在所述引线框架，其两端接入到所述引线框架的任意两个引脚之间。
[0008]进一步的，红外遥控接收放大器包括三个齐纳二极管芯片，分别接入到引线框架的输入端引脚与接地端引脚之间、输出端引脚与接地端引脚之间和输入端引脚与输出端引脚之间。
[0009]进一步的，齐纳二极管芯片为单向齐纳二极管芯片或/和双向齐纳二极管芯片。
[0010]进一步的，齐纳二极管芯片的电极在芯片的正反面或在芯片的同一面。
[0011]本实用新型通过在引线框架的任意两个引脚之间接入齐纳二极管芯片，可显著提高本实用新型的抗静电能力，将本实用新型ESD (人体模式)提高到15000V以上。相对于现有产品，本实用新型的性能可靠性有了大幅度的提升，极大地提高本实用新型的竞争优势。
【附图说明】
[0012]图1是红外遥控接收放大器的电路原理图；
[0013]图2是红外遥控接收放大器的内部结构图。
【具体实施方式】
[0014]为进一步说明各实施例，本实用新型提供有附图。这些附图为本实用新型揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理。配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本实用新型的优点。图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。
[0015]现结合附图和【具体实施方式】对本实用新型进一步说明。
[0016]参阅图1和图2所示，本实用新型优选一实施例的红外遥控接收放大器，它包括模拟IC芯片1、光敏芯片2、齐纳二极管芯片3、引线框架4、金丝5和封装壳体。其中，模拟IC芯片1、光敏芯片2和齐纳二极管芯片3都用导电胶固定设置在引线框架4的一个端上，模拟IC芯片I和光敏芯片2之间电连接。
[0017]该实施例在引线框架4的任意两个引脚之间接入齐纳二极管芯片3，提高红外遥控接收放大器的抗静电能力。齐纳二极管芯片3利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。再次参阅图1所示，该实施例在引线框架4的输入端引脚和接地端引脚之间、输出端引脚和接地端引脚之间及输入端引脚和输出端引脚之间接入了三个齐纳二极管芯片3。需要说明的是，齐纳二极管芯片3的数量不限于该实施例的三个，但至少为一个，该齐纳二极管芯片3设置在引线框架4的输入端、接地端和输出端任意两者之间。
[0018]再次参阅图2所示，该实施例的模拟IC芯片I与光敏芯片2通过金丝5连接，齐纳二极管芯片3与引线框架4的连接也是采用金丝5。金丝5的导电性能比较好，但该领域的技术人员可知，不限于金丝5，采用其他导线也能实现同样的导电功能。
[0019]该实施例采用的齐纳二极管芯片3的两电极位于芯片的正反面，首先将三个齐纳二极管芯片3分别用导电胶黏结在引线框架4的三个引脚上，再用金丝5将齐纳二极管芯片3的另一极连接到引线框架4的其他引脚上。此外，齐纳二极管芯片3的电极可在芯片的正反面，也可在芯片的同一面。
[0020]该实施例在引线框架4的输入端、接地端和输出端任意两者之间接入的齐纳二极管芯片3，可以为单向齐纳二极管芯片3或/和双向齐纳二极管芯片3，都可实现提高抗静电能力的功能。该实施例接入了三个齐纳二极管芯片3后，将红外遥控接收放大器的ESD(人体模式)提高到15000V以上。
[0021]尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化，均为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种红外遥控接收放大器，包括集成电路芯片、光敏芯片、引线框架和封装壳体，所述集成电路芯片和光敏芯片固定于所述引线框架上，且所述集成电路芯片和光敏芯片之间电连接，所述集成电路芯片、光敏芯片和引线框架设置在封装壳体内；其特征在于:还包括至少一个齐纳二极管芯片，所述齐纳二极管芯片固定设置在所述引线框架，其两端接入到所述引线框架的任意两个引脚之间。2.如权利要求1所述的红外遥控接收放大器，其特征在于:包括三个齐纳二极管芯片，分别接入到引线框架的输入端引脚与接地端引脚之间、输出端引脚与接地端引脚之间和输入端引脚与输出端引脚之间。3.如权利要求1或2所述的红外遥控接收放大器，其特征在于:所述齐纳二极管芯片为单向齐纳二极管芯片或/和双向齐纳二极管芯片。4.如权利要求1或2所述的红外遥控接收放大器，其特征在于:所述齐纳二极管芯片的电极在芯片的正反面或在芯片的同一面。
【专利摘要】本实用新型涉及电子元器件的制造领域，具体的，是一种采用齐纳二极管提高抗静电能力的红外遥控接收放大器。本实用新型公开了一种红外遥控接收放大器，包括集成电路芯片、光敏芯片、引线框架和封装壳体，集成电路芯片和光敏芯片固定于所述引线框架上，且集成电路芯片和光敏芯片之间电连接，集成电路芯片、光敏芯片和引线框架设置在封装壳体内；还包括至少一个齐纳二极管芯片，齐纳二极管芯片固定设置在所述引线框架，其两端接入到所述引线框架的任意两个引脚之间。本实用新型通过接入齐纳二极管芯片，可使本实用新型的ESD（人体模式）提高到15000V以上。
【IPC分类】G08C23/04
【公开号】CN204695553
【申请号】CN201520444904
【发明人】郑智斌, 赵国旭
【申请人】厦门华联电子有限公司
【公开日】2015年10月7日
【申请日】2015年6月26日
最新回复(0)