传感器的制备方法
传感器的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种气敏传感器元件制作方法，具体涉及一种适用于室温工作的检测N02气体的陶瓷基氧化钒纳米棒结构气敏传感器的制备方法。
【背景技术】
[0002]人类日常生活和生产活动与周围的环境紧密相连，例如在矿区、化工企业、家庭等方面，气氛的变化对人类的生产工作和身体都有极大的影响。近年来，酸雨、温室效应、臭氧层破坏、易燃易爆有毒有害气体的存在，都成了严重的人类健康问题，其中氮氧化物(NOx)气体是导致酸雨和光化学烟雾的主要原因，研究和开发用于氮氧化物(NOx)气体检测的传感器结构意义重大。
[0003]随着人类环保意识的增强，人们对NO2气体传感器的性能要求也逐渐提高，如:灵敏度、响应恢复时间、工作温度，气体浓度等。总之，今后气体传感器将向着高灵敏度、响应恢复时间快、室温工作、低浓度传感、可重复检测等方向发展。
[0004]目前，结构简单的NO2气体传感器为了增加表面化学活性以提高灵敏度，工作温度普遍高于室温，长时间在高温条件下工作不仅会极大地增加传感器的功耗，同时会致使传感器的稳定性变差。然而目前可在室温下工作的NO2气敏传感器多为复合结构，制作方法成本高耗时且复杂。所以研究出一种结构简单，制备成本低又工序简便，可于室温工作的NO2气敏传感器具有重要的意义。
[0005]氧化钒作为一种重要的宽禁带N型半导体金属氧化物敏感材料，是一种表面电导(电阻)控制型气敏材料。VO2薄膜为多晶结构，其内部存在大量晶界，晶体结构表面在空气中时会吸附大量的氧分子，氧分子具有很强的电负性，能够从半导体导带中俘获电子，当接触氧化性气体NO2时，NO2进一步俘获半导体导带中的电子，使得晶界处势皇高度增大，电阻变大，表现出气敏特性。氧化钒纳米棒具有较大的比表面积，即较多的气体吸附位置与气体扩散通道，可充分接触NO2气体，进而使得半导体气敏材料与气体之间发生电荷转移形成异质结。此外氧化钒纳米棒在室温下即具有较强的表面化学活性与较强气体吸附能力，可实现气敏元件室温工作。值得注意的是，单一的陶瓷基氧化钒纳米棒气敏元件，即可实现室温下气敏测试，结构简单，制作成本低且工序简便。
[0006]目前用于制备氧化钒纳米棒的基底多为表面光滑的石英、硅片(S12),所制备的纳米棒强烈嵌入在基底上且密度低，不适于大面积制备氧化钒纳米棒。
【发明内容】
[0007]为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供一种陶瓷基氧化钒纳米棒结构室温N02传感器的制备方法，克服现有技术中氧化钒纳米棒结构室温N02气敏传感器成本高、工序繁琐的问题。
[0008]本发明的技术方案是:一种陶瓷基氧化钒纳米棒结构室温N02传感器的制备方法，包括如下步骤:
[0009](I)陶瓷基片的清洗:
[0010]将陶瓷片基底分别在丙酮和乙醇中超声清洗5?20min，以除去陶瓷基片表面的油污、有机物杂质和表面氧化层，清洗完后取出陶瓷基片并用吸尔球吹去基片表面的液体，吸完液体之后放于滤纸上并于60?80°C的真空干燥箱中干燥5-10min备用；
[0011]⑵称量V2O5粉末:
[0012]称量V2O5粉末备用；
[0013](3)单一气相传输法制备陶瓷基氧化钒纳米棒:
[0014]将步骤(2)的V2O5粉末蒸发源均匀铺于步骤(I)的陶瓷基片上，并整体放入石英管中，然后在盛放V2O5粉末陶瓷基片的旁边氩气流方向放置一片步骤(I)的陶瓷基片，将石英管整体放入可编程式高温真空管式炉设备(GSL-1400X型)中，通过控制单一变量法设置改变工作温度850?1000°C以改变氧化钒纳米棒的表面形貌；同时，随着温度的升高纳米棒密度表大，尺寸分布趋向均匀。
[0015](4)制备陶瓷基氧化钒纳米棒气敏传感器元件:
[0016]将步骤(3)中得到的陶瓷基氧化钒纳米棒置于超高真空对靶磁控溅射设备(DSP-1II)的真空室，利用掩膜在在陶瓷基氧化钒纳米棒表面沉积一对铂点电极，制成可用于室温检测NO2的气敏传感器元件。
[0017]所述步骤(2)的蒸发源为质量纯度为99.999%的V2O5粉末。
[0018]所述步骤(3)高温真空管式炉的条件为:以质量纯度99.999%的氩气作为工作气体，实验前清洗炉膛5?lOmin，使炉内真空度达到20Pa以下，然后将流量计调为“打开”档，调节实验所需的Ar气流量20sccm，调节工作压强1.5Torr，设置工作时间2h。
[0019]所述步骤(4)超高真空对靶磁控溅射设备采用质量纯度99.99%的金属铂作为靶材，以质量纯度99.999%的氩气作为工作气体，氩气气体流量为24SCCm，本体真空度为4 X10 一4Pa?5 X 10—4Pa，溅射工作压强为2?4Pa，溅射功率为10W，溅射时间为2min。
[0020]所述步骤(3)的以单一气相传输法在管式炉中生长氧化钒纳米棒，实验结束之后会在陶瓷基的表面形成自由生长的直径为100?150nm，长度为10?15μπι的纳米棒。
[0021]一种所制备的气敏传感器元件在室温检测NO2气敏特性的应用。
[0022]本发明的有益效果为:提供了一种可低成本制备陶瓷基氧化钒纳米棒的方法，单一气相传输法操作较为简单，所需控制的工艺条件少，且对环境无污染。并且，所制备的陶瓷基氧化钒纳米棒具有较大比表面积和气体扩散通道。本发明重点研究了纳米棒制备过程中工作温度对陶瓷基氧化钒纳米棒气敏特性的影响，以及同一温度下陶瓷基氧化钒纳米棒对不同NO2浓度的气敏特性。结果表明，陶瓷基氧化钒纳米棒在室温下检测低浓度的NO2气体，具有灵敏度高、响应恢复时间短的优点。同时，该气敏元件体积小，使用方便，具有重要的实践和研究意义。
[0023]本发明中所用的陶瓷基底表面粗糙，且成本低，易于大面积制备氧化钒纳米棒。陶瓷基氧化钒纳米棒气敏传感器元件，结构简单，制备成本低省时且工序简便，可实现室温工作。进而制作出一种可在室温条件下检测NO2气体且具有高灵敏度、快速响应恢复时间、可重复测试的气敏传感器元件。
【附图说明】
[0024]图1是陶瓷基氧化钒纳米棒气敏传感器元件图；
[0025]图2是实施例1所制备的陶瓷基氧化钒纳米棒表面扫描电子显微镜照片；
[0026]图3是实施例1所制备的陶瓷基氧化钒纳米棒X射线衍射照片；
?0027] 图4是实施例1所制备的陶瓷基氧化f凡纳米棒结构气敏传感器元件对I?5ppm NO2气体的动态响应曲线；
[0028]图5是实施例1所制备的陶瓷基氧化钒纳米棒结构气敏传感器元件的灵敏度与NO2气体浓度的对应关系图；
[0029]图6是实施例1所制备的陶瓷基氧化f凡纳米棒结构气敏传感器元件对5ppmNO2的重复性测试示意图。
【具体实施方式】
[0030]下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细说明。
[0031]本发明所用原料均采用市售化学纯试剂。
[0032]实施例1
[0033](I)陶瓷基片的清洗
[0034]将一片尺寸为2cm*2cm的陶瓷片切割成尺寸为2cm*lcm的两片矩形状，然后将一片完整的和两片切割后的陶瓷片放入玻璃杯中，分别在丙酮和乙醇中超声清洗5?20min，清洗完后取出陶瓷基片并用吸尔球吹去基片表面的液体，吸完液体之后放于滤纸上并于60?80°C的真空干燥箱中干燥5?1min备用；
[0035](2)称量 V2O5 粉末
[0036]称量0.15gv205粉末备用；
[0037](3)单一气相传输法制备陶瓷基氧化钒纳米棒
[0038]将步骤(2)的V2O5粉末蒸发源均匀铺于步骤(I)的2cm*2cm的陶瓷基片上，并整体放入石英管中，然后在距离盛放V2O5粉末的陶瓷基片0.5cm与3cm处分别放置步骤(I)的两片2cm*lcm的陶瓷基片，将石英管整体放入可编程式高温真空管式炉(GSL-1400X型)设备中，以质量纯度99.999%的氩气作为工作气体，将流量计调为“清洗”档，清洗炉膛5?1min，然后将流量计调为“关闭”档，使炉内真空度达到20Pa以下，然后将流量计调为“打开”档，调节实验所需的Ar气流量20sCCm，调节工作压强1.5Torr，设置升温曲线，设置工作时间2h，设置工作温度1000°C，最后一步出现“-121”即设置完成，进行试验;实施例1所制备的陶瓷基氧化钒纳米棒表面形貌扫描电子显微镜分析结果如图2所示，测得平均直径为150nm，平均长度为15μπι的纳米棒。实施例1所制备的陶瓷基氧化钒纳米棒X射线衍射分析结果如图3所示；
[0039](4)制备陶瓷基氧化钒纳米棒气敏传感器元件
[0040]将步骤(3)中得到的陶瓷基氧化钒纳米棒置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室，采用质量纯度99.99 %的金属铂作为靶材，以质量纯度99.999 %的氩气作为工作气体，氩气气体流量为24SCCm，本体真空度为4.010—4Pa，溅射工作压强为2Pa，溅射功率为100W，溅射时间为2min，在陶瓷基氧化f凡纳米棒表面沉积一对尺寸为0.2cm*0.2cm的铀电极，电极间距为8mm。
[0041 ]实施例1制得的陶瓷基氧化f凡纳米棒结构气敏传感器元件在室温下对I?5ppm的NO2气体的动态响应曲线如图4所示。其在室温下的灵敏度与NO2气体浓度的对应关系示意图如图5所示，其中对l、2、3、4、5ppm NO2气体的灵敏度分别为1.80、1.96、2.04、2.17和2.42。
[0042]由实施例1所制得的陶瓷基氧化I凡纳米棒结构气敏传感器元件在室温下对5ppmNO2进行5次重复性测试，测试结果如图6所示，说明所制得的陶瓷基氧化钒纳米棒结构气敏传感器元件具有良好的可重复性。
[0043]实施例2
[0044]本实施例与实施例1的不同之处在于:步骤(3)中单一气相传输法制备陶瓷基氧化钒纳米棒的设置工作温度为950°C，所制得的陶瓷基氧化钒纳米棒结构气敏传感器元件在室温下对3ppm NO2气体的灵敏度为1.73。
[0045]实施例3
[0046]本实施例与实施例1的不同之处在于:步骤(3)中单一气相传输法制备陶瓷基氧化钒纳米棒的设置工作温度为900°C，所制得的陶瓷基氧化钒纳米棒结构气敏传感器元件在室温下对3ppm NO2气体的灵敏度为1.62。
[0047]实施例4
[0048]本实施例与实施例1的不同之处在于:步骤(3)中单一气相传输法制备陶瓷基氧化钒纳米棒的设置工作温度为850°C，所制得的陶瓷基氧化钒纳米棒结构气敏传感器元件在室温下对3ppm NO2气体的灵敏度为1.31。
[0049]尽管上面结合附图对本发明进行了描述，但是本发明并不局限于上述的【具体实施方式】，上述的【具体实施方式】仅仅是示意性的，并不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可以做出很多形式，这些均属于本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种陶瓷基氧化银纳米棒结构室温NO2传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: (1)陶瓷基片的清洗: 将陶瓷片基底分别在丙酮和乙醇中超声清洗5?20min，以除去陶瓷基片表面的油污、有机物杂质和表面氧化层，清洗完后取出陶瓷基片并用吸尔球吹去基片表面的液体，吸完液体之后放于滤纸上并于60?80°C的真空干燥箱中干燥5-10min备用； (2)称量V2O5粉末: 称量V2O5粉末备用； (3)单一气相传输法制备陶瓷基氧化钒纳米棒: 将步骤(2)的V2O5粉末蒸发源均匀铺于步骤(I)的陶瓷基片上，并整体放入石英管中，然后在盛放V2O5粉末陶瓷基片的旁边氩气流方向放置一片步骤(I)的陶瓷基片，将石英管整体放入可编程式高温真空管式炉设备中，通过控制单一变量法设置改变工作温度850?10000C以改变氧化钒纳米棒的表面形貌； (4)制备陶瓷基氧化银纳米棒气敏传感器元件: 将步骤(3)中得到的陶瓷基氧化钒纳米棒置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室，利用掩膜在在陶瓷基氧化钒纳米棒表面沉积一对铂点电极，制成可用于室温检测NO2的气敏传感器元件。2.根据权利要求1所述陶瓷基氧化钒纳米棒结构室温NO2传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)的蒸发源为质量纯度为99.999 %的V2O5粉末。3.根据权利要求1所述陶瓷基氧化钒纳米棒结构室温NO2传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)高温真空管式炉的条件为:以质量纯度99.999%的氩气作为工作气体，实验前清洗炉膛5?lOmin，使炉内真空度达到20Pa以下，然后将流量计调为“打开”档，调节实验所需的Ar气流量20sccm，调节工作压强1.5Torr，设置工作时间2h。4.根据权利要求1所述陶瓷基氧化钒纳米棒结构室温NO2传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)超高真空对靶磁控溅射设备采用质量纯度99.99%的金属铂作为靶材，以质量纯度99.999 %的氩气作为工作气体，氩气气体流量为24SCCm，本体真空度为4 X 10—4Pa?5 X 10—4Pa，溅射工作压强为2?4Pa，溅射功率为10W，溅射时间为2min。5.—种权利要求1所制备的传感器元件在室温检测NO2气敏特性的应用。
【专利摘要】本发明公开了一种陶瓷基氧化钒纳米棒结构室温NO2传感器的制备方法，包括陶瓷基片的清洗、称量V2O5粉末、单一气相传输法制备陶瓷基氧化钒纳米棒、制备陶瓷基氧化钒纳米棒气敏传感器元件的步骤，本发明中所用的陶瓷基底表面粗糙，且成本低，易于大面积制备氧化钒纳米棒。陶瓷基氧化钒纳米棒气敏传感器元件，结构简单，制备成本低省时且工序简便，可实现室温工作。进而制作出一种可在室温条件下检测NO2气体且具有高灵敏度、快速响应恢复时间、可重复测试的气敏传感器元件。
【IPC分类】G01N27/04
【公开号】CN105486723
【申请号】CN201510807930
【发明人】梁继然, 李文娇, 刘俊峰, 杨然
【申请人】天津大学
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年11月19日
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种气敏传感器元件制作方法，具体涉及一种适用于室温工作的检测N02气体的陶瓷基氧化钒纳米棒结构气敏传感器的制备方法。
【背景技术】
[0002]人类日常生活和生产活动与周围的环境紧密相连，例如在矿区、化工企业、家庭等方面，气氛的变化对人类的生产工作和身体都有极大的影响。近年来，酸雨、温室效应、臭氧层破坏、易燃易爆有毒有害气体的存在，都成了严重的人类健康问题，其中氮氧化物(NOx)气体是导致酸雨和光化学烟雾的主要原因，研究和开发用于氮氧化物(NOx)气体检测的传感器结构意义重大。
[0003]随着人类环保意识的增强，人们对NO2气体传感器的性能要求也逐渐提高，如:灵敏度、响应恢复时间、工作温度，气体浓度等。总之，今后气体传感器将向着高灵敏度、响应恢复时间快、室温工作、低浓度传感、可重复检测等方向发展。
[0004]目前，结构简单的NO2气体传感器为了增加表面化学活性以提高灵敏度，工作温度普遍高于室温，长时间在高温条件下工作不仅会极大地增加传感器的功耗，同时会致使传感器的稳定性变差。然而目前可在室温下工作的NO2气敏传感器多为复合结构，制作方法成本高耗时且复杂。所以研究出一种结构简单，制备成本低又工序简便，可于室温工作的NO2气敏传感器具有重要的意义。
[0005]氧化钒作为一种重要的宽禁带N型半导体金属氧化物敏感材料，是一种表面电导(电阻)控制型气敏材料。VO2薄膜为多晶结构，其内部存在大量晶界，晶体结构表面在空气中时会吸附大量的氧分子，氧分子具有很强的电负性，能够从半导体导带中俘获电子，当接触氧化性气体NO2时，NO2进一步俘获半导体导带中的电子，使得晶界处势皇高度增大，电阻变大，表现出气敏特性。氧化钒纳米棒具有较大的比表面积，即较多的气体吸附位置与气体扩散通道，可充分接触NO2气体，进而使得半导体气敏材料与气体之间发生电荷转移形成异质结。此外氧化钒纳米棒在室温下即具有较强的表面化学活性与较强气体吸附能力，可实现气敏元件室温工作。值得注意的是，单一的陶瓷基氧化钒纳米棒气敏元件，即可实现室温下气敏测试，结构简单，制作成本低且工序简便。
[0006]目前用于制备氧化钒纳米棒的基底多为表面光滑的石英、硅片(S12),所制备的纳米棒强烈嵌入在基底上且密度低，不适于大面积制备氧化钒纳米棒。
【发明内容】
[0007]为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供一种陶瓷基氧化钒纳米棒结构室温N02传感器的制备方法，克服现有技术中氧化钒纳米棒结构室温N02气敏传感器成本高、工序繁琐的问题。
[0008]本发明的技术方案是:一种陶瓷基氧化钒纳米棒结构室温N02传感器的制备方法，包括如下步骤:
[0009](I)陶瓷基片的清洗:
[0010]将陶瓷片基底分别在丙酮和乙醇中超声清洗5?20min，以除去陶瓷基片表面的油污、有机物杂质和表面氧化层，清洗完后取出陶瓷基片并用吸尔球吹去基片表面的液体，吸完液体之后放于滤纸上并于60?80°C的真空干燥箱中干燥5-10min备用；
[0011]⑵称量V2O5粉末:
[0012]称量V2O5粉末备用；
[0013](3)单一气相传输法制备陶瓷基氧化钒纳米棒:
[0014]将步骤(2)的V2O5粉末蒸发源均匀铺于步骤(I)的陶瓷基片上，并整体放入石英管中，然后在盛放V2O5粉末陶瓷基片的旁边氩气流方向放置一片步骤(I)的陶瓷基片，将石英管整体放入可编程式高温真空管式炉设备(GSL-1400X型)中，通过控制单一变量法设置改变工作温度850?1000°C以改变氧化钒纳米棒的表面形貌；同时，随着温度的升高纳米棒密度表大，尺寸分布趋向均匀。
[0015](4)制备陶瓷基氧化钒纳米棒气敏传感器元件:
[0016]将步骤(3)中得到的陶瓷基氧化钒纳米棒置于超高真空对靶磁控溅射设备(DSP-1II)的真空室，利用掩膜在在陶瓷基氧化钒纳米棒表面沉积一对铂点电极，制成可用于室温检测NO2的气敏传感器元件。
[0017]所述步骤(2)的蒸发源为质量纯度为99.999%的V2O5粉末。
[0018]所述步骤(3)高温真空管式炉的条件为:以质量纯度99.999%的氩气作为工作气体，实验前清洗炉膛5?lOmin，使炉内真空度达到20Pa以下，然后将流量计调为“打开”档，调节实验所需的Ar气流量20sccm，调节工作压强1.5Torr，设置工作时间2h。
[0019]所述步骤(4)超高真空对靶磁控溅射设备采用质量纯度99.99%的金属铂作为靶材，以质量纯度99.999%的氩气作为工作气体，氩气气体流量为24SCCm，本体真空度为4 X10 一4Pa?5 X 10—4Pa，溅射工作压强为2?4Pa，溅射功率为10W，溅射时间为2min。
[0020]所述步骤(3)的以单一气相传输法在管式炉中生长氧化钒纳米棒，实验结束之后会在陶瓷基的表面形成自由生长的直径为100?150nm，长度为10?15μπι的纳米棒。
[0021]一种所制备的气敏传感器元件在室温检测NO2气敏特性的应用。
[0022]本发明的有益效果为:提供了一种可低成本制备陶瓷基氧化钒纳米棒的方法，单一气相传输法操作较为简单，所需控制的工艺条件少，且对环境无污染。并且，所制备的陶瓷基氧化钒纳米棒具有较大比表面积和气体扩散通道。本发明重点研究了纳米棒制备过程中工作温度对陶瓷基氧化钒纳米棒气敏特性的影响，以及同一温度下陶瓷基氧化钒纳米棒对不同NO2浓度的气敏特性。结果表明，陶瓷基氧化钒纳米棒在室温下检测低浓度的NO2气体，具有灵敏度高、响应恢复时间短的优点。同时，该气敏元件体积小，使用方便，具有重要的实践和研究意义。
[0023]本发明中所用的陶瓷基底表面粗糙，且成本低，易于大面积制备氧化钒纳米棒。陶瓷基氧化钒纳米棒气敏传感器元件，结构简单，制备成本低省时且工序简便，可实现室温工作。进而制作出一种可在室温条件下检测NO2气体且具有高灵敏度、快速响应恢复时间、可重复测试的气敏传感器元件。
【附图说明】
[0024]图1是陶瓷基氧化钒纳米棒气敏传感器元件图；
[0025]图2是实施例1所制备的陶瓷基氧化钒纳米棒表面扫描电子显微镜照片；
[0026]图3是实施例1所制备的陶瓷基氧化钒纳米棒X射线衍射照片；
?0027] 图4是实施例1所制备的陶瓷基氧化f凡纳米棒结构气敏传感器元件对I?5ppm NO2气体的动态响应曲线；
[0028]图5是实施例1所制备的陶瓷基氧化钒纳米棒结构气敏传感器元件的灵敏度与NO2气体浓度的对应关系图；
[0029]图6是实施例1所制备的陶瓷基氧化f凡纳米棒结构气敏传感器元件对5ppmNO2的重复性测试示意图。
【具体实施方式】
[0030]下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细说明。
[0031]本发明所用原料均采用市售化学纯试剂。
[0032]实施例1
[0033](I)陶瓷基片的清洗
[0034]将一片尺寸为2cm*2cm的陶瓷片切割成尺寸为2cm*lcm的两片矩形状，然后将一片完整的和两片切割后的陶瓷片放入玻璃杯中，分别在丙酮和乙醇中超声清洗5?20min，清洗完后取出陶瓷基片并用吸尔球吹去基片表面的液体，吸完液体之后放于滤纸上并于60?80°C的真空干燥箱中干燥5?1min备用；
[0035](2)称量 V2O5 粉末
[0036]称量0.15gv205粉末备用；
[0037](3)单一气相传输法制备陶瓷基氧化钒纳米棒
[0038]将步骤(2)的V2O5粉末蒸发源均匀铺于步骤(I)的2cm*2cm的陶瓷基片上，并整体放入石英管中，然后在距离盛放V2O5粉末的陶瓷基片0.5cm与3cm处分别放置步骤(I)的两片2cm*lcm的陶瓷基片，将石英管整体放入可编程式高温真空管式炉(GSL-1400X型)设备中，以质量纯度99.999%的氩气作为工作气体，将流量计调为“清洗”档，清洗炉膛5?1min，然后将流量计调为“关闭”档，使炉内真空度达到20Pa以下，然后将流量计调为“打开”档，调节实验所需的Ar气流量20sCCm，调节工作压强1.5Torr，设置升温曲线，设置工作时间2h，设置工作温度1000°C，最后一步出现“-121”即设置完成，进行试验;实施例1所制备的陶瓷基氧化钒纳米棒表面形貌扫描电子显微镜分析结果如图2所示，测得平均直径为150nm，平均长度为15μπι的纳米棒。实施例1所制备的陶瓷基氧化钒纳米棒X射线衍射分析结果如图3所示；
[0039](4)制备陶瓷基氧化钒纳米棒气敏传感器元件
[0040]将步骤(3)中得到的陶瓷基氧化钒纳米棒置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室，采用质量纯度99.99 %的金属铂作为靶材，以质量纯度99.999 %的氩气作为工作气体，氩气气体流量为24SCCm，本体真空度为4.010—4Pa，溅射工作压强为2Pa，溅射功率为100W，溅射时间为2min，在陶瓷基氧化f凡纳米棒表面沉积一对尺寸为0.2cm*0.2cm的铀电极，电极间距为8mm。
[0041 ]实施例1制得的陶瓷基氧化f凡纳米棒结构气敏传感器元件在室温下对I?5ppm的NO2气体的动态响应曲线如图4所示。其在室温下的灵敏度与NO2气体浓度的对应关系示意图如图5所示，其中对l、2、3、4、5ppm NO2气体的灵敏度分别为1.80、1.96、2.04、2.17和2.42。
[0042]由实施例1所制得的陶瓷基氧化I凡纳米棒结构气敏传感器元件在室温下对5ppmNO2进行5次重复性测试，测试结果如图6所示，说明所制得的陶瓷基氧化钒纳米棒结构气敏传感器元件具有良好的可重复性。
[0043]实施例2
[0044]本实施例与实施例1的不同之处在于:步骤(3)中单一气相传输法制备陶瓷基氧化钒纳米棒的设置工作温度为950°C，所制得的陶瓷基氧化钒纳米棒结构气敏传感器元件在室温下对3ppm NO2气体的灵敏度为1.73。
[0045]实施例3
[0046]本实施例与实施例1的不同之处在于:步骤(3)中单一气相传输法制备陶瓷基氧化钒纳米棒的设置工作温度为900°C，所制得的陶瓷基氧化钒纳米棒结构气敏传感器元件在室温下对3ppm NO2气体的灵敏度为1.62。
[0047]实施例4
[0048]本实施例与实施例1的不同之处在于:步骤(3)中单一气相传输法制备陶瓷基氧化钒纳米棒的设置工作温度为850°C，所制得的陶瓷基氧化钒纳米棒结构气敏传感器元件在室温下对3ppm NO2气体的灵敏度为1.31。
[0049]尽管上面结合附图对本发明进行了描述，但是本发明并不局限于上述的【具体实施方式】，上述的【具体实施方式】仅仅是示意性的，并不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可以做出很多形式，这些均属于本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种陶瓷基氧化银纳米棒结构室温NO2传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: (1)陶瓷基片的清洗: 将陶瓷片基底分别在丙酮和乙醇中超声清洗5?20min，以除去陶瓷基片表面的油污、有机物杂质和表面氧化层，清洗完后取出陶瓷基片并用吸尔球吹去基片表面的液体，吸完液体之后放于滤纸上并于60?80°C的真空干燥箱中干燥5-10min备用； (2)称量V2O5粉末: 称量V2O5粉末备用； (3)单一气相传输法制备陶瓷基氧化钒纳米棒: 将步骤(2)的V2O5粉末蒸发源均匀铺于步骤(I)的陶瓷基片上，并整体放入石英管中，然后在盛放V2O5粉末陶瓷基片的旁边氩气流方向放置一片步骤(I)的陶瓷基片，将石英管整体放入可编程式高温真空管式炉设备中，通过控制单一变量法设置改变工作温度850?10000C以改变氧化钒纳米棒的表面形貌； (4)制备陶瓷基氧化银纳米棒气敏传感器元件: 将步骤(3)中得到的陶瓷基氧化钒纳米棒置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室，利用掩膜在在陶瓷基氧化钒纳米棒表面沉积一对铂点电极，制成可用于室温检测NO2的气敏传感器元件。2.根据权利要求1所述陶瓷基氧化钒纳米棒结构室温NO2传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)的蒸发源为质量纯度为99.999 %的V2O5粉末。3.根据权利要求1所述陶瓷基氧化钒纳米棒结构室温NO2传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)高温真空管式炉的条件为:以质量纯度99.999%的氩气作为工作气体，实验前清洗炉膛5?lOmin，使炉内真空度达到20Pa以下，然后将流量计调为“打开”档，调节实验所需的Ar气流量20sccm，调节工作压强1.5Torr，设置工作时间2h。4.根据权利要求1所述陶瓷基氧化钒纳米棒结构室温NO2传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)超高真空对靶磁控溅射设备采用质量纯度99.99%的金属铂作为靶材，以质量纯度99.999 %的氩气作为工作气体，氩气气体流量为24SCCm，本体真空度为4 X 10—4Pa?5 X 10—4Pa，溅射工作压强为2?4Pa，溅射功率为10W，溅射时间为2min。5.—种权利要求1所制备的传感器元件在室温检测NO2气敏特性的应用。
【专利摘要】本发明公开了一种陶瓷基氧化钒纳米棒结构室温NO2传感器的制备方法，包括陶瓷基片的清洗、称量V2O5粉末、单一气相传输法制备陶瓷基氧化钒纳米棒、制备陶瓷基氧化钒纳米棒气敏传感器元件的步骤，本发明中所用的陶瓷基底表面粗糙，且成本低，易于大面积制备氧化钒纳米棒。陶瓷基氧化钒纳米棒气敏传感器元件，结构简单，制备成本低省时且工序简便，可实现室温工作。进而制作出一种可在室温条件下检测NO2气体且具有高灵敏度、快速响应恢复时间、可重复测试的气敏传感器元件。
【IPC分类】G01N27/04
【公开号】CN105486723
【申请号】CN201510807930
【发明人】梁继然, 李文娇, 刘俊峰, 杨然
【申请人】天津大学
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年11月19日
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