智能卡仿真器的制造方法
智能卡仿真器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及仿真器领域，特别是涉及一种智能卡仿真器。
【背景技术】
[0002]处理器芯片内有用户开发的用户程序，在用户程序的编写和调试中，所使用的工具一般是处理器芯片仿真器。仿真器内使用包含产品处理器芯片各项功能的仿真芯片，用于模拟产品芯片处理器的工作行为，仿真芯片与仿真器其他部件(存放用户程序的程序存储器、存放数据的数据存储器，以及用户电脑上的集成开发环境等)配合实现用户程序的仿真运行和各项调试功能。
[0003]仿真器中通常采用SRAM (Static Random Access Memory,静态随机存取存储器)来等效替代产品芯片中用作数据存储器的XRAM (on-chip expanded Random AccessMemory，片内扩展静态随机存取存储器)，在写入、读取数据时，功能性能上都是等效的。
[0004]智能卡芯片配合读卡机使用过程中，是从读卡机获得供电电源的，即接触式智能卡从接触式读卡机的供电引脚获得电源，非接触式智能卡从非接触式读卡机发出的载波上获得电源，智能卡芯片本身没有自己的供电电源。在实际应用中，读卡机会通过开关接触式供电电源或非接触式的供电载波，来令智能卡芯片进行冷复位，即智能卡掉电后重新上电开始工作。由于冷复位是芯片重新上电，故芯片内的XRAM与普通XRAM —样，掉电前的数据会丢失，重新上电后XRAM内的数据都会变成不可预期的随机值。在智能卡仿真器上，读卡机发起冷复位后，在智能卡仿真器内被等效为一个上电复位过程，程序执行指针、寄存器值等都可以回到上电复位值，这与实际芯片状态是一致的。但是，由于读卡机无法提供足够的功耗，智能卡仿真器都是使用自己独立电源供电的，这样由于没有真的掉电和重新上电过程，而是做了一次复位，智能卡仿真器内的XRAM内容不会发生变化，仍然和读卡机发起掉电前的数据一样，这就造成了仿真器上与实际芯片的功能不一致，影响用户代码的开发使用。如果由仿真器部件在读卡机发起掉电后，把仿真器内XRAM区域所有数据修改成随机值，虽然功能上可以做到和实际芯片一致，但由于XRAM容量越来越大，这一修改过程耗时所造成的仿真器与芯片差异不可忽视且越来越大，所以这一方法并不可取。
【发明内容】
[0005]本发明要解决的技术问题是提供一种智能卡仿真器，能够等效实现冷复位，保证智能卡仿真器整体功能、性能与实际芯片一致。
[0006]为解决上述技术问题，本发明的等效冷复位的智能卡仿真器，包括仿真芯片，管理模块，SRAM存储器，电源模块；SRAM存储器等效模拟芯片内的XRAM ；
[0007]所述仿真芯片通过标准数据/地址总线对SRAM存储器进行读写操作，模拟芯片内处理器操作XRAM的功能；在发生冷复位时，在读卡机切断接触式供电或关闭非接触式载波后，管理模块通过控制信号控制仿真芯片进入复位状态，通过控制信号控制电源模块停止向SRAM存储器供电；读卡机恢复接触式供电或打开非接触式载波后，管理模块通过控制信号控制仿真芯片退出复位状态，通过控制信号控制电源模块恢复向SRAM存储器供电。
[0008]本发明的智能卡仿真器能够等效实现冷复位，仿真器XRAM内冷复位前的数据会丢失，冷复位后XRAM内的数据都会变成不可预期的随机值，功能上与实际芯片保持一致，且性能上也基本一致，保证了智能卡仿真器整体功能、性能与实际芯片的一致性；方便了用户程序的开发、调试和测试。
【附图说明】
[0009]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明:
[0010]附图是所述智能卡仿真器的结构示意图。
【具体实施方式】
[0011]如图所示，所述智能卡仿真器1，包括仿真芯片2，管理模块3，SRAM存储器4，电源模块5。所述SRAM存储器4通过标准数据/地址总线6与仿真芯片2连接，等效模拟芯片内的XRAM。管理模块3通过控制信号7分别对仿真芯片2和电源模块5进行控制。电源模块5通过供电线8与SRAM存储器4连接，向SRAM存储器4供电。SRAM存储器与XRAM —样，具有掉电重新上电后，其内的数据都会变成不可预期的随机值的特性。
[0012]仿真芯片2通过标准数据/地址总线6对SRAM存储器进行读写操作，模拟芯片内处理器操作XRAM的功能。发生冷复位时，在读卡机切断接触式供电或关闭非接触式载波后，管理模块3通过控制信号7控制仿真芯片2进入复位状态，通过控制信号7控制电源模块5停止向SRAM存储器供电；读卡机恢复接触式供电或打开非接触式载波后，管理模块3通过控制信号7控制仿真芯片2退出复位状态，通过控制信号7控制电源模块5恢复向SRAM存储器4供电。
[0013]这样，冷复位后，在智能卡仿真器1内对用户程序而言，程序执行指针、寄存器值等都回到了上电复位值，XRAM内的数据也改变成了随机值，功能上与实际芯片状态是一致的。同时，冷复位过程中，电源模块5只是做了一次对SRAM存储器4的停止和恢复供电动作，耗时和实际芯片冷复位时间一致，也保证了智能卡仿真器1在冷复位性能上与实际芯片的一致性。
[0014]以上所述仅为本发明的【具体实施方式】和实施例，本发明保护范围并不局限于此。
【主权项】
1.一种智能卡仿真器，其特征在于:包括仿真芯片，管理模块，SRAM存储器，电源模块；SRAM存储器等效模拟芯片内的XRAM ； 所述仿真芯片通过标准数据/地址总线对SRAM存储器进行读写操作，模拟芯片内处理器操作XRAM的功能；在发生冷复位时，在读卡机切断接触式供电或关闭非接触式载波后，管理模块通过控制信号控制仿真芯片进入复位状态，通过控制信号控制电源模块停止向SRAM存储器供电；读卡机恢复接触式供电或打开非接触式载波后，管理模块通过控制信号控制仿真芯片退出复位状态，通过控制信号控制电源模块恢复向SRAM存储器供电。
【专利摘要】本发明公开了一种智能卡仿真器，包括仿真芯片，管理模块，SRAM存储器，电源模块；所述仿真芯片通过标准数据/地址总线对SRAM存储器进行读写操作；在发生冷复位时，所述管理模块通过控制信号控制仿真芯片进入或退出复位状态，通过控制信号控制电源模块停止或恢复向SRAM存储器供电；SRAM存储器等效模拟芯片内的XRAM。本发明能够等效实现冷复位，保证智能卡仿真器整体功能、性能与实际芯片一致。
【IPC分类】G06K7/00, G06F11/36
【公开号】CN105487969
【申请号】CN201410528007
【发明人】许国泰
【申请人】上海华虹集成电路有限责任公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2014年10月9日
【技术领域】
[0001]本发明涉及仿真器领域，特别是涉及一种智能卡仿真器。
【背景技术】
[0002]处理器芯片内有用户开发的用户程序，在用户程序的编写和调试中，所使用的工具一般是处理器芯片仿真器。仿真器内使用包含产品处理器芯片各项功能的仿真芯片，用于模拟产品芯片处理器的工作行为，仿真芯片与仿真器其他部件(存放用户程序的程序存储器、存放数据的数据存储器，以及用户电脑上的集成开发环境等)配合实现用户程序的仿真运行和各项调试功能。
[0003]仿真器中通常采用SRAM (Static Random Access Memory,静态随机存取存储器)来等效替代产品芯片中用作数据存储器的XRAM (on-chip expanded Random AccessMemory，片内扩展静态随机存取存储器)，在写入、读取数据时，功能性能上都是等效的。
[0004]智能卡芯片配合读卡机使用过程中，是从读卡机获得供电电源的，即接触式智能卡从接触式读卡机的供电引脚获得电源，非接触式智能卡从非接触式读卡机发出的载波上获得电源，智能卡芯片本身没有自己的供电电源。在实际应用中，读卡机会通过开关接触式供电电源或非接触式的供电载波，来令智能卡芯片进行冷复位，即智能卡掉电后重新上电开始工作。由于冷复位是芯片重新上电，故芯片内的XRAM与普通XRAM —样，掉电前的数据会丢失，重新上电后XRAM内的数据都会变成不可预期的随机值。在智能卡仿真器上，读卡机发起冷复位后，在智能卡仿真器内被等效为一个上电复位过程，程序执行指针、寄存器值等都可以回到上电复位值，这与实际芯片状态是一致的。但是，由于读卡机无法提供足够的功耗，智能卡仿真器都是使用自己独立电源供电的，这样由于没有真的掉电和重新上电过程，而是做了一次复位，智能卡仿真器内的XRAM内容不会发生变化，仍然和读卡机发起掉电前的数据一样，这就造成了仿真器上与实际芯片的功能不一致，影响用户代码的开发使用。如果由仿真器部件在读卡机发起掉电后，把仿真器内XRAM区域所有数据修改成随机值，虽然功能上可以做到和实际芯片一致，但由于XRAM容量越来越大，这一修改过程耗时所造成的仿真器与芯片差异不可忽视且越来越大，所以这一方法并不可取。
【发明内容】
[0005]本发明要解决的技术问题是提供一种智能卡仿真器，能够等效实现冷复位，保证智能卡仿真器整体功能、性能与实际芯片一致。
[0006]为解决上述技术问题，本发明的等效冷复位的智能卡仿真器，包括仿真芯片，管理模块，SRAM存储器，电源模块；SRAM存储器等效模拟芯片内的XRAM ；
[0007]所述仿真芯片通过标准数据/地址总线对SRAM存储器进行读写操作，模拟芯片内处理器操作XRAM的功能；在发生冷复位时，在读卡机切断接触式供电或关闭非接触式载波后，管理模块通过控制信号控制仿真芯片进入复位状态，通过控制信号控制电源模块停止向SRAM存储器供电；读卡机恢复接触式供电或打开非接触式载波后，管理模块通过控制信号控制仿真芯片退出复位状态，通过控制信号控制电源模块恢复向SRAM存储器供电。
[0008]本发明的智能卡仿真器能够等效实现冷复位，仿真器XRAM内冷复位前的数据会丢失，冷复位后XRAM内的数据都会变成不可预期的随机值，功能上与实际芯片保持一致，且性能上也基本一致，保证了智能卡仿真器整体功能、性能与实际芯片的一致性；方便了用户程序的开发、调试和测试。
【附图说明】
[0009]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明:
[0010]附图是所述智能卡仿真器的结构示意图。
【具体实施方式】
[0011]如图所示，所述智能卡仿真器1，包括仿真芯片2，管理模块3，SRAM存储器4，电源模块5。所述SRAM存储器4通过标准数据/地址总线6与仿真芯片2连接，等效模拟芯片内的XRAM。管理模块3通过控制信号7分别对仿真芯片2和电源模块5进行控制。电源模块5通过供电线8与SRAM存储器4连接，向SRAM存储器4供电。SRAM存储器与XRAM —样，具有掉电重新上电后，其内的数据都会变成不可预期的随机值的特性。
[0012]仿真芯片2通过标准数据/地址总线6对SRAM存储器进行读写操作，模拟芯片内处理器操作XRAM的功能。发生冷复位时，在读卡机切断接触式供电或关闭非接触式载波后，管理模块3通过控制信号7控制仿真芯片2进入复位状态，通过控制信号7控制电源模块5停止向SRAM存储器供电；读卡机恢复接触式供电或打开非接触式载波后，管理模块3通过控制信号7控制仿真芯片2退出复位状态，通过控制信号7控制电源模块5恢复向SRAM存储器4供电。
[0013]这样，冷复位后，在智能卡仿真器1内对用户程序而言，程序执行指针、寄存器值等都回到了上电复位值，XRAM内的数据也改变成了随机值，功能上与实际芯片状态是一致的。同时，冷复位过程中，电源模块5只是做了一次对SRAM存储器4的停止和恢复供电动作，耗时和实际芯片冷复位时间一致，也保证了智能卡仿真器1在冷复位性能上与实际芯片的一致性。
[0014]以上所述仅为本发明的【具体实施方式】和实施例，本发明保护范围并不局限于此。
【主权项】
1.一种智能卡仿真器，其特征在于:包括仿真芯片，管理模块，SRAM存储器，电源模块；SRAM存储器等效模拟芯片内的XRAM ； 所述仿真芯片通过标准数据/地址总线对SRAM存储器进行读写操作，模拟芯片内处理器操作XRAM的功能；在发生冷复位时，在读卡机切断接触式供电或关闭非接触式载波后，管理模块通过控制信号控制仿真芯片进入复位状态，通过控制信号控制电源模块停止向SRAM存储器供电；读卡机恢复接触式供电或打开非接触式载波后，管理模块通过控制信号控制仿真芯片退出复位状态，通过控制信号控制电源模块恢复向SRAM存储器供电。
【专利摘要】本发明公开了一种智能卡仿真器，包括仿真芯片，管理模块，SRAM存储器，电源模块；所述仿真芯片通过标准数据/地址总线对SRAM存储器进行读写操作；在发生冷复位时，所述管理模块通过控制信号控制仿真芯片进入或退出复位状态，通过控制信号控制电源模块停止或恢复向SRAM存储器供电；SRAM存储器等效模拟芯片内的XRAM。本发明能够等效实现冷复位，保证智能卡仿真器整体功能、性能与实际芯片一致。
【IPC分类】G06K7/00, G06F11/36
【公开号】CN105487969
【申请号】CN201410528007
【发明人】许国泰
【申请人】上海华虹集成电路有限责任公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2014年10月9日
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