Ltps薄膜晶体管制造方法
Ltps薄膜晶体管制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及薄膜晶体管的制造领域，尤其涉及一种LTPS薄膜晶体管制造方法。
【背景技术】
[0002]低温多晶娃(low temperature poly-silicon，简称为LTPS)薄膜晶体管液晶显示器有别于传统的非晶硅薄膜晶体管液晶显示器，其电子迀移率可以达到200cm2/V-sec以上，可有效减小薄膜晶体管器件的面积，从而达到提高开口率，并且在增进显示器亮度的同时还可以降低整体的功耗。另外，较高的电子迀移率可以将部分驱动电路集成在玻璃基板上，减少了驱动1C，还可以大幅提升液晶显示面板的可靠度，从而使得面板的制造成本大幅降低。因此，LTPS薄膜晶体管液晶显示器逐步成为研究的热点。
[0003]但目前由于在LTPS薄膜晶体管制作中，因半导体区域越来越短，短沟道效应愈发明显。短沟道效应造成NTFT特性异常，如Vth偏大、off current偏高等，为了避免此类异常，一般NTFT制作均会在N+和沟道之间增减一段轻掺杂区域N-(LDD)。
[0004]在传统的LTPS薄膜晶体管制作整个工艺流程中，在注入N+、N_离子时需要利用光刻胶通过两道光罩完成，而LTPS薄膜晶体管整个制作过程共需6道光罩，如此增加制造成本。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种LTPS薄膜晶体管制造方法，能够简化制造工艺，降低成本。
[0006]本发明所述LTPS薄膜晶体管制造方法包括，提供一基板，并在所述基板上形成缓冲层；
[0007]在所述缓冲层上图案化形成多晶娃层；
[0008]在所述多晶硅层的中间区域上通过图案化形成第一光阻层，并将多晶硅层分成中间区域及位于中间区域相对两侧的第一掺杂区；其中所述第一光阻层的截面为等腰梯形，其与所述中间区域接触的表面为梯形的底面；
[0009]在两个所述第一掺杂区注入第一离子；
[0010]通过灰化工艺对所述第一光阻层进行图案化，使所述第一光阻层整体面积减小形成第二光阻层;其中，所述第二光阻层覆盖部分所述中间区域，使所述中间区域与两个所述第一掺杂区之间构成第二掺杂区；
[0011]在两个所述第二掺杂区注入第二离子；
[0012]在所述多晶硅层及裸露的缓冲层上形成第一绝缘层；
[0013]在所述第一绝缘层上形成第一金属层并图案化第一金属层形成栅极，
[0014]在所述栅极上形成及裸露的第一绝缘层上形成第二绝缘层；
[0015]通过图案化在所述第一绝缘层及第二绝缘层上形成过孔;所述过孔与两个所述第一掺杂区相对，
[0016]通过图案化在所述第二绝缘层上形成源极及漏极，其中，源极与漏极通过所述过孔与所述第一掺杂区连接。
[0017]其中，所述“在所述缓冲层上图案化形成多晶硅层”的步骤包括在缓冲层上沉积非晶硅层，对非晶硅层通过镭射结晶法实现结晶而形成多晶硅层，并对多晶硅层图案化的步骤。
[0018]其中，所述“通过灰化工艺对所述第一光阻层进行图案化，使所述第一光阻层整体面积减小形成第二光阻层，”的步骤中，所述第一光阻层整体面积减小是指第一光阻层的周围及顶部均通过光罩及蚀刻被去除一部分，而形成体积较小的第二光阻层。
[0019]其中，所述“通过图案化在所述第一绝缘层及第二绝缘层上形成过孔”的步骤包括，
[0020]通过光罩在所述第二绝缘层上形成图案化的光阻层形成过孔位；
[0021]通过蚀刻去除所述光阻层并对所述过孔位所对应的第一、第二绝缘层进行蚀刻形成所述过孔;所述过孔对应位置为所述第一掺杂区。
[0022]其中，所述第一离子与第二离子为N型离子，所述第一离子的浓度大于第二离子的浓度。
[0023]其中，所述N型离子为磷离子。
[0024]其中，所述缓冲层的材质选自氧化硅层，氮化硅层，氮氧化硅层及其组合的其中之
ο
[0025]其中，所述第一金属层的材质选自铜、钨、铬、铝及其组合的其中之一。
[0026]其中，步骤“通过图案化在所述第二绝缘层上形成源极及漏极”包括在第二绝缘层上形成金属层，其中金属层填满所述过孔，通过设置光阻层图案化金属层形成与过孔对应的所述源极及漏极。
[0027]本发明的薄膜晶体管制造方法是对定义第一掺杂区的第一光阻层通过灰化工艺将其体积减小而重新利用来定义第二掺杂区，较少一次去除第一光阻层而铺设第二光阻层的工序，节省了一道光罩，简化薄膜晶体管的加工工艺步骤，降低薄膜晶体管的制作成本。
【附图说明】
[0028]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1为本发明较佳实施方式的LTPS薄膜晶体管的制造方法的流程图。
[0030]图2至图8为本发明较佳实施方式的LTPS薄膜晶体管的各个制造流程中薄膜晶体管的剖面图。
【具体实施方式】
[0031]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0032]请参阅图1，图中所示的是本发明较佳实施方式的LTPS薄膜晶体管制造方法的流程图，本发明的LTPS薄膜晶体管制造方法包括如下步骤，
[0033]请参阅图2，步骤S1，提供一基板10，并在所述基板上通过沉积方式形成缓冲层11。本实施例中，所述基板10为玻璃层。
[0034]本实施例中，所述缓冲层11的材质选自氧化硅层，氮化硅层，氮氧化硅层及其组合的其中之一。
[0035]请参阅图3，步骤S2，在所述缓冲层11上图案化形成多晶硅层12，所述多晶硅层12构成本发明所述LTPS薄膜晶体管的有源层，具体的是通过第一道光罩对多晶硅层12进行蚀刻显影形成LTPS薄膜晶体管的有源层。
[0036]本步骤具体为，在所述缓冲层上11沉积非晶硅层，对非晶硅层通过镭射结晶法实现对非晶硅层的结晶，并对结晶的非晶硅层图案化，最终形成所述的多晶硅层12。其中，图案化结晶的非晶硅层是指采用光罩、蚀刻显影等方式加工方式;并且所述光罩为本方法中使用的第一道光罩。该光罩技术为本领域常用技术，再次不做赘述。
[0037]请参阅图4，步骤S3，在所述多晶硅层12的中间区域上通过图案化形成第一光阻层13，从而将多晶硅层12分成中间区域121及位于中间区域121相对两侧的第一掺杂区122。本实施例中，所述第一光阻层13的截面为等腰梯形，其与所述中间区域121接触的表面为梯形的底面。所述第一光阻层13由光刻胶材料形成，具体采用光罩、蚀刻等方式通过将形成与所述多晶硅层12上的光刻胶加工成所述的第一光阻层13。其中所述光罩为本方法中使用的第二道光罩。
[0038]请参阅图5，步骤S4，在两个所述第一掺杂区122注入第一离子。本实施例中，所述第一离子为N型离子。本实施例中，所述N型离子为磷离子。
[0039]请参阅图6，步骤S5， 通过灰化工艺对所述第一光阻层13进行图案化，使所述第一光阻层13整体面积减小形成第二光阻层14;其中，所述第二光阻层14覆盖部分所述中间区域121，使所述中间区域121与两个所述第一掺杂区122之间构成第二掺杂区123。
[0040]具体的，所述第一光阻层13整体面积减小是指第一光阻层的周围及顶部均通过光罩及蚀刻被去除一部分，而形成体积较小的第二光阻层。也就是说所述第一光阻层13的漏于外部的位置均被去除部分整体向第一光阻层中心方向减小。所述灰化工艺中的蚀刻方式采用干蚀刻。该灰化工艺为本领域常用技术，再次不做赘述。
[0041]请参阅图7，步骤S6，在两个所述第二掺杂区123注入第二离子。本实施例中，所述第一离子为N型离子。所述第一离子的浓度大于第二离子的浓度。
[0042]以上所述的第一光阻层及第二光阻层在注入离子后均去除。
[0043]请参阅图8，步骤S7，在所述多晶硅层12及裸露的缓冲层11上形成第一绝缘层15。
[0044]步骤S8，在所述第一绝缘层15上形成第一金属层并图案化第一金属层形成栅极16。在所述栅极16上形成及裸露的第一绝缘层15上形成第二绝缘层17。本步骤中的图案化第一金属层是指采用光罩、蚀刻显影等方式加工方式;并且所述光罩为本方法中使用的第三道光罩。本实施例中所述第一绝缘层15与第二绝缘层17采用氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)与氮氧化娃(SiNxOy)中的一种制成。
[0045]步骤S9，通过图案化在所述第一绝缘层15及第二绝缘层17上形成过孔;所述过孔与两个所述第一掺杂区122相对。具体的为，S901通过光罩在所述第二绝缘层上形成图案化的光阻层形成过孔位；
[0046]S902，通过蚀刻去除所述光阻层并对所述过孔位所对应的第一、第二绝缘层进行蚀刻形成所述过孔;所述过孔对应位置为所述第一掺杂区。
[0047]本步骤中的图案化第一绝缘层15及第二绝缘层17是指采用光罩、蚀刻显影等方式加工方式形成所述过孔;并且所述光罩为本方法中使用的第四道光罩。
[0048]步骤S10，通过图案化在所述第二绝缘层17上形成源极18及漏极19，其中，源极18与漏极19通过所述过孔与所述第一掺杂区122连接。本步骤中图案化是指采用光罩蚀刻显影等方式加工方式。所述光罩为本方法中使用的第五道光罩。本步骤包括在第二绝缘层17上形成金属层，其中金属层填满所述过孔，通过设置光阻层图案化金属层形成与过孔对应的所述源极18及漏极19。
[0049]本发明的薄膜晶体管制造方法是对定义第一掺杂区122的第一光阻层通过灰化工艺将其体积减小而重新利用来定义第二掺杂区，较少一次去除第一光阻层而铺设第二光阻层的工序，节省了一道光罩，整体工艺之采用五道光罩，相较于现有技术的通过两次光罩形成两个光阻层来分别定义两个参杂区的方式，节省了光罩次数，简化薄膜晶体管的加工工艺步骤，降低薄膜晶体管的制作成本。
[0050]通过本发明实施例薄膜晶体管的制造方法形成的显示器件，可以为:液晶面板、液晶电视、液晶显示器、0LED面板、0LED电视、电子纸、数码相框、手机等。
[0051 ]以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。
【主权项】
1.一种LTPS薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述方法包括，提供一基板，并在所述基板上形成缓冲层； 在所述缓冲层上图案化形成多晶硅层； 在所述多晶硅层的中间位置上通过图案化形成第一光阻层，第一光阻层将多晶硅层分成中间区域及位于中间区域相对两侧的第一掺杂区； 在两个所述第一掺杂区注入第一离子； 通过灰化工艺对所述第一光阻层进行图案化，使所述第一光阻层整体面积减小形成第二光阻层;其中，所述第二光阻层覆盖部分所述中间区域，使所述中间区域与两个所述第一掺杂区之间构成第二掺杂区； 在两个所述第二掺杂区注入第二离子； 在所述多晶硅层及裸露的缓冲层上形成第一绝缘层； 在所述第一绝缘层上形成第一金属层并图案化第一金属层形成栅极;并在所述栅极上形成及裸露的第一绝缘层上形成第二绝缘层； 通过图案化在所述第一绝缘层及第二绝缘层上形成过孔;所述过孔与两个所述第一掺杂区相对； 通过图案化在所述第二绝缘层上形成源极及漏极，其中，源极与漏极通过所述过孔与所述第一掺杂区连接。2.如权利要求1所述的LTPS薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述第一光阻层的截面为等腰梯形，所述第一光阻层与所述中间区域接触的表面为梯形的底面。3.如权利要求1或2所述的LTPS薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述“在所述缓冲层上图案化形成多晶硅层”的步骤包括在缓冲层上沉积非晶硅层，对非晶硅层通过镭射结晶法实现对非晶硅层的结晶，并对结晶的非晶硅层图案化的步骤。4.如权利要求3所述的LTPS薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述“通过灰化工艺对所述第一光阻层进行图案化，使所述第一光阻层整体面积减小形成第二光阻层，”的步骤中，所述第一光阻层整体面积减小是指第一光阻层的周围及顶部均通过光罩及蚀刻被去除一部分，而形成体积较小的第二光阻层。5.如权利要求1或2所述的LTPS薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述“通过图案化在所述第一绝缘层及第二绝缘层上形成过孔”的步骤包括， 通过光罩在所述第二绝缘层上形成图案化的光阻层形成过孔位； 通过蚀刻去除所述光阻层并对所述过孔位所对应的第一、第二绝缘层进行蚀刻形成所述过孔;所述过孔对应位置为所述第一掺杂区。6.如权利要求1或2所述的LTPS薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述第一离子与第二离子为N型离子，所述第一离子的浓度大于第二离子的浓度。7.如权利要求6所述的LTPS薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述N型离子为磷离子。8.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述缓冲层的材质选自氧化硅层，氮化硅层，氮氧化硅层及其组合的其中之一。9.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述第一金属层的材质选自铜、钨、铬、铝及其组合的其中之一。10.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，步骤“通过图案化在所述第二绝缘层上形成源极及漏极”包括在第二绝缘层上形成金属层，其中金属层填满所述过孔，通过设置光阻层图案化金属层形成与过孔对应的所述源极及漏极。
【专利摘要】本发明提供LTPS薄膜晶体管制造方法，包括，提供一基板，并在所述基板上形成缓冲层、多晶硅层、在所述多晶硅层的中间区域上通过图案化形成第一光阻层，并在多晶硅层的第一掺杂区注入第一离子；通过灰化工艺对所述第一光阻层进行图案化，使所述第一光阻层整体面积减小形成第二光阻层；其中，所述第二光阻层覆盖部分所述中间区域，使所述中间区域与两个所述第一掺杂区之间构成第二掺杂区；在两个所述第二掺杂区注入第二离子；在所述多晶硅层及裸露的缓冲层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成栅极；在所述栅极上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成与所述第一掺杂区连接源极及漏极。整体工艺之采用五道光罩，简化加工工艺步骤。
【IPC分类】H01L21/336
【公开号】CN105489499
【申请号】CN201510974854
【发明人】张占东
【申请人】武汉华星光电技术有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年12月21日
【技术领域】
[0001]本发明涉及薄膜晶体管的制造领域，尤其涉及一种LTPS薄膜晶体管制造方法。
【背景技术】
[0002]低温多晶娃(low temperature poly-silicon，简称为LTPS)薄膜晶体管液晶显示器有别于传统的非晶硅薄膜晶体管液晶显示器，其电子迀移率可以达到200cm2/V-sec以上，可有效减小薄膜晶体管器件的面积，从而达到提高开口率，并且在增进显示器亮度的同时还可以降低整体的功耗。另外，较高的电子迀移率可以将部分驱动电路集成在玻璃基板上，减少了驱动1C，还可以大幅提升液晶显示面板的可靠度，从而使得面板的制造成本大幅降低。因此，LTPS薄膜晶体管液晶显示器逐步成为研究的热点。
[0003]但目前由于在LTPS薄膜晶体管制作中，因半导体区域越来越短，短沟道效应愈发明显。短沟道效应造成NTFT特性异常，如Vth偏大、off current偏高等，为了避免此类异常，一般NTFT制作均会在N+和沟道之间增减一段轻掺杂区域N-(LDD)。
[0004]在传统的LTPS薄膜晶体管制作整个工艺流程中，在注入N+、N_离子时需要利用光刻胶通过两道光罩完成，而LTPS薄膜晶体管整个制作过程共需6道光罩，如此增加制造成本。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种LTPS薄膜晶体管制造方法，能够简化制造工艺，降低成本。
[0006]本发明所述LTPS薄膜晶体管制造方法包括，提供一基板，并在所述基板上形成缓冲层；
[0007]在所述缓冲层上图案化形成多晶娃层；
[0008]在所述多晶硅层的中间区域上通过图案化形成第一光阻层，并将多晶硅层分成中间区域及位于中间区域相对两侧的第一掺杂区；其中所述第一光阻层的截面为等腰梯形，其与所述中间区域接触的表面为梯形的底面；
[0009]在两个所述第一掺杂区注入第一离子；
[0010]通过灰化工艺对所述第一光阻层进行图案化，使所述第一光阻层整体面积减小形成第二光阻层;其中，所述第二光阻层覆盖部分所述中间区域，使所述中间区域与两个所述第一掺杂区之间构成第二掺杂区；
[0011]在两个所述第二掺杂区注入第二离子；
[0012]在所述多晶硅层及裸露的缓冲层上形成第一绝缘层；
[0013]在所述第一绝缘层上形成第一金属层并图案化第一金属层形成栅极，
[0014]在所述栅极上形成及裸露的第一绝缘层上形成第二绝缘层；
[0015]通过图案化在所述第一绝缘层及第二绝缘层上形成过孔;所述过孔与两个所述第一掺杂区相对，
[0016]通过图案化在所述第二绝缘层上形成源极及漏极，其中，源极与漏极通过所述过孔与所述第一掺杂区连接。
[0017]其中，所述“在所述缓冲层上图案化形成多晶硅层”的步骤包括在缓冲层上沉积非晶硅层，对非晶硅层通过镭射结晶法实现结晶而形成多晶硅层，并对多晶硅层图案化的步骤。
[0018]其中，所述“通过灰化工艺对所述第一光阻层进行图案化，使所述第一光阻层整体面积减小形成第二光阻层，”的步骤中，所述第一光阻层整体面积减小是指第一光阻层的周围及顶部均通过光罩及蚀刻被去除一部分，而形成体积较小的第二光阻层。
[0019]其中，所述“通过图案化在所述第一绝缘层及第二绝缘层上形成过孔”的步骤包括，
[0020]通过光罩在所述第二绝缘层上形成图案化的光阻层形成过孔位；
[0021]通过蚀刻去除所述光阻层并对所述过孔位所对应的第一、第二绝缘层进行蚀刻形成所述过孔;所述过孔对应位置为所述第一掺杂区。
[0022]其中，所述第一离子与第二离子为N型离子，所述第一离子的浓度大于第二离子的浓度。
[0023]其中，所述N型离子为磷离子。
[0024]其中，所述缓冲层的材质选自氧化硅层，氮化硅层，氮氧化硅层及其组合的其中之
ο
[0025]其中，所述第一金属层的材质选自铜、钨、铬、铝及其组合的其中之一。
[0026]其中，步骤“通过图案化在所述第二绝缘层上形成源极及漏极”包括在第二绝缘层上形成金属层，其中金属层填满所述过孔，通过设置光阻层图案化金属层形成与过孔对应的所述源极及漏极。
[0027]本发明的薄膜晶体管制造方法是对定义第一掺杂区的第一光阻层通过灰化工艺将其体积减小而重新利用来定义第二掺杂区，较少一次去除第一光阻层而铺设第二光阻层的工序，节省了一道光罩，简化薄膜晶体管的加工工艺步骤，降低薄膜晶体管的制作成本。
【附图说明】
[0028]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1为本发明较佳实施方式的LTPS薄膜晶体管的制造方法的流程图。
[0030]图2至图8为本发明较佳实施方式的LTPS薄膜晶体管的各个制造流程中薄膜晶体管的剖面图。
【具体实施方式】
[0031]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0032]请参阅图1，图中所示的是本发明较佳实施方式的LTPS薄膜晶体管制造方法的流程图，本发明的LTPS薄膜晶体管制造方法包括如下步骤，
[0033]请参阅图2，步骤S1，提供一基板10，并在所述基板上通过沉积方式形成缓冲层11。本实施例中，所述基板10为玻璃层。
[0034]本实施例中，所述缓冲层11的材质选自氧化硅层，氮化硅层，氮氧化硅层及其组合的其中之一。
[0035]请参阅图3，步骤S2，在所述缓冲层11上图案化形成多晶硅层12，所述多晶硅层12构成本发明所述LTPS薄膜晶体管的有源层，具体的是通过第一道光罩对多晶硅层12进行蚀刻显影形成LTPS薄膜晶体管的有源层。
[0036]本步骤具体为，在所述缓冲层上11沉积非晶硅层，对非晶硅层通过镭射结晶法实现对非晶硅层的结晶，并对结晶的非晶硅层图案化，最终形成所述的多晶硅层12。其中，图案化结晶的非晶硅层是指采用光罩、蚀刻显影等方式加工方式;并且所述光罩为本方法中使用的第一道光罩。该光罩技术为本领域常用技术，再次不做赘述。
[0037]请参阅图4，步骤S3，在所述多晶硅层12的中间区域上通过图案化形成第一光阻层13，从而将多晶硅层12分成中间区域121及位于中间区域121相对两侧的第一掺杂区122。本实施例中，所述第一光阻层13的截面为等腰梯形，其与所述中间区域121接触的表面为梯形的底面。所述第一光阻层13由光刻胶材料形成，具体采用光罩、蚀刻等方式通过将形成与所述多晶硅层12上的光刻胶加工成所述的第一光阻层13。其中所述光罩为本方法中使用的第二道光罩。
[0038]请参阅图5，步骤S4，在两个所述第一掺杂区122注入第一离子。本实施例中，所述第一离子为N型离子。本实施例中，所述N型离子为磷离子。
[0039]请参阅图6，步骤S5， 通过灰化工艺对所述第一光阻层13进行图案化，使所述第一光阻层13整体面积减小形成第二光阻层14;其中，所述第二光阻层14覆盖部分所述中间区域121，使所述中间区域121与两个所述第一掺杂区122之间构成第二掺杂区123。
[0040]具体的，所述第一光阻层13整体面积减小是指第一光阻层的周围及顶部均通过光罩及蚀刻被去除一部分，而形成体积较小的第二光阻层。也就是说所述第一光阻层13的漏于外部的位置均被去除部分整体向第一光阻层中心方向减小。所述灰化工艺中的蚀刻方式采用干蚀刻。该灰化工艺为本领域常用技术，再次不做赘述。
[0041]请参阅图7，步骤S6，在两个所述第二掺杂区123注入第二离子。本实施例中，所述第一离子为N型离子。所述第一离子的浓度大于第二离子的浓度。
[0042]以上所述的第一光阻层及第二光阻层在注入离子后均去除。
[0043]请参阅图8，步骤S7，在所述多晶硅层12及裸露的缓冲层11上形成第一绝缘层15。
[0044]步骤S8，在所述第一绝缘层15上形成第一金属层并图案化第一金属层形成栅极16。在所述栅极16上形成及裸露的第一绝缘层15上形成第二绝缘层17。本步骤中的图案化第一金属层是指采用光罩、蚀刻显影等方式加工方式;并且所述光罩为本方法中使用的第三道光罩。本实施例中所述第一绝缘层15与第二绝缘层17采用氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)与氮氧化娃(SiNxOy)中的一种制成。
[0045]步骤S9，通过图案化在所述第一绝缘层15及第二绝缘层17上形成过孔;所述过孔与两个所述第一掺杂区122相对。具体的为，S901通过光罩在所述第二绝缘层上形成图案化的光阻层形成过孔位；
[0046]S902，通过蚀刻去除所述光阻层并对所述过孔位所对应的第一、第二绝缘层进行蚀刻形成所述过孔;所述过孔对应位置为所述第一掺杂区。
[0047]本步骤中的图案化第一绝缘层15及第二绝缘层17是指采用光罩、蚀刻显影等方式加工方式形成所述过孔;并且所述光罩为本方法中使用的第四道光罩。
[0048]步骤S10，通过图案化在所述第二绝缘层17上形成源极18及漏极19，其中，源极18与漏极19通过所述过孔与所述第一掺杂区122连接。本步骤中图案化是指采用光罩蚀刻显影等方式加工方式。所述光罩为本方法中使用的第五道光罩。本步骤包括在第二绝缘层17上形成金属层，其中金属层填满所述过孔，通过设置光阻层图案化金属层形成与过孔对应的所述源极18及漏极19。
[0049]本发明的薄膜晶体管制造方法是对定义第一掺杂区122的第一光阻层通过灰化工艺将其体积减小而重新利用来定义第二掺杂区，较少一次去除第一光阻层而铺设第二光阻层的工序，节省了一道光罩，整体工艺之采用五道光罩，相较于现有技术的通过两次光罩形成两个光阻层来分别定义两个参杂区的方式，节省了光罩次数，简化薄膜晶体管的加工工艺步骤，降低薄膜晶体管的制作成本。
[0050]通过本发明实施例薄膜晶体管的制造方法形成的显示器件，可以为:液晶面板、液晶电视、液晶显示器、0LED面板、0LED电视、电子纸、数码相框、手机等。
[0051 ]以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。
【主权项】
1.一种LTPS薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述方法包括，提供一基板，并在所述基板上形成缓冲层； 在所述缓冲层上图案化形成多晶硅层； 在所述多晶硅层的中间位置上通过图案化形成第一光阻层，第一光阻层将多晶硅层分成中间区域及位于中间区域相对两侧的第一掺杂区； 在两个所述第一掺杂区注入第一离子； 通过灰化工艺对所述第一光阻层进行图案化，使所述第一光阻层整体面积减小形成第二光阻层;其中，所述第二光阻层覆盖部分所述中间区域，使所述中间区域与两个所述第一掺杂区之间构成第二掺杂区； 在两个所述第二掺杂区注入第二离子； 在所述多晶硅层及裸露的缓冲层上形成第一绝缘层； 在所述第一绝缘层上形成第一金属层并图案化第一金属层形成栅极;并在所述栅极上形成及裸露的第一绝缘层上形成第二绝缘层； 通过图案化在所述第一绝缘层及第二绝缘层上形成过孔;所述过孔与两个所述第一掺杂区相对； 通过图案化在所述第二绝缘层上形成源极及漏极，其中，源极与漏极通过所述过孔与所述第一掺杂区连接。2.如权利要求1所述的LTPS薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述第一光阻层的截面为等腰梯形，所述第一光阻层与所述中间区域接触的表面为梯形的底面。3.如权利要求1或2所述的LTPS薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述“在所述缓冲层上图案化形成多晶硅层”的步骤包括在缓冲层上沉积非晶硅层，对非晶硅层通过镭射结晶法实现对非晶硅层的结晶，并对结晶的非晶硅层图案化的步骤。4.如权利要求3所述的LTPS薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述“通过灰化工艺对所述第一光阻层进行图案化，使所述第一光阻层整体面积减小形成第二光阻层，”的步骤中，所述第一光阻层整体面积减小是指第一光阻层的周围及顶部均通过光罩及蚀刻被去除一部分，而形成体积较小的第二光阻层。5.如权利要求1或2所述的LTPS薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述“通过图案化在所述第一绝缘层及第二绝缘层上形成过孔”的步骤包括， 通过光罩在所述第二绝缘层上形成图案化的光阻层形成过孔位； 通过蚀刻去除所述光阻层并对所述过孔位所对应的第一、第二绝缘层进行蚀刻形成所述过孔;所述过孔对应位置为所述第一掺杂区。6.如权利要求1或2所述的LTPS薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述第一离子与第二离子为N型离子，所述第一离子的浓度大于第二离子的浓度。7.如权利要求6所述的LTPS薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述N型离子为磷离子。8.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述缓冲层的材质选自氧化硅层，氮化硅层，氮氧化硅层及其组合的其中之一。9.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述第一金属层的材质选自铜、钨、铬、铝及其组合的其中之一。10.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，步骤“通过图案化在所述第二绝缘层上形成源极及漏极”包括在第二绝缘层上形成金属层，其中金属层填满所述过孔，通过设置光阻层图案化金属层形成与过孔对应的所述源极及漏极。
【专利摘要】本发明提供LTPS薄膜晶体管制造方法，包括，提供一基板，并在所述基板上形成缓冲层、多晶硅层、在所述多晶硅层的中间区域上通过图案化形成第一光阻层，并在多晶硅层的第一掺杂区注入第一离子；通过灰化工艺对所述第一光阻层进行图案化，使所述第一光阻层整体面积减小形成第二光阻层；其中，所述第二光阻层覆盖部分所述中间区域，使所述中间区域与两个所述第一掺杂区之间构成第二掺杂区；在两个所述第二掺杂区注入第二离子；在所述多晶硅层及裸露的缓冲层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成栅极；在所述栅极上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成与所述第一掺杂区连接源极及漏极。整体工艺之采用五道光罩，简化加工工艺步骤。
【IPC分类】H01L21/336
【公开号】CN105489499
【申请号】CN201510974854
【发明人】张占东
【申请人】武汉华星光电技术有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年12月21日
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