基板搬送装置的位置调整方法以及基板处理装置的制造方法
基板搬送装置的位置调整方法以及基板处理装置的制造方法
【专利说明】基板搬送装置的位置调整方法从及基板处理装置
[0001] 本申请是2012年3月1日提出的申请号为201210052118.X的申请的分案申请。
技术领域
[0002] 本发明设及搬送基板的基板搬送装置的位置调整方法W及基板处理装置。
【背景技术】
[0003] 在半导体装置和平板显示器(FPD:Flat Panel Display)的制造工序中，使用具有 多个处理模块和分别相对运些处理模块搬入搬出基板的基板搬送装置的基板处理装置。在 运样的基板处理装置中，利用基板搬送装置向多个处理模块依次搬送基板，进行与处理模 块对应的规定的处理。此时，例如当未将基板置于处理模块内的适当的位置时，存在在基板 整个面不能进行均一的处理的问题。因此，基板搬送装置构成为能够发挥较高的搬送精度， 但为了在适当的位置放置基板，不能缺少搬送位置调整。
[0004] 作为基板搬送装置的搬送位置调整，例如有时利用基板搬送装置搬送搭载有照相 机或传感器等的检测器的调整夹具(adjusting jig)，基于检测器检测到的位置求出与规 定的基准位置的偏移，进行修正该偏移的操作(指点操作）（例如专利文献1和2)。
[0005] 现有技术文献
[0006] 专利文献1:日本特开2009 -54665号公报
[0007] 专利文献2:日本特开2008-109027号公报
【发明内容】
[000引发明想要解决的问题
[0009] 但是，在使用调整夹具的情况下，当不W相应的频率进行调整夹具的检查和校正 时，存在由于调整夹具自身导致的调整误差的问题。另外，当调整夹具的安装存在失误时， 有时不能进行适当的搬送位置调整。还有，调整夹具比较昂贵，并且需要相应于位于基板的 搬送目的地的处理模块的形状等准备多个调整夹具，因此搬送位置调整有时需要相当大的 费用。因此，期望W不使用调整夹具的方式进行基板搬送装置的位置调整。
[0010] 所W，本发明提供不使用调整夹具就能够进行搬送位置调整的基板搬送装置的位 置调整方法和基板处理装置。
[ocm]用于解决问题的方法
[0012]根据本发明的第一方面，提供一种基板搬送装置的位置调整方法，包括:第一检测 步骤，在基板搬送装置中，利用基板搬送装置的基板保持部保持基板，检测该基板的第一位 置;将由上述基板保持部保持的上述基板向保持并旋转基板的基板旋转部搬送的步骤;利 用上述基板旋转部使保持于上述基板旋转部的上述基板仅仅旋转规定的角度的步骤;从上 述基板旋转部接收被上述基板旋转部旋转的上述基板的步骤;第二检测步骤，检测上述基 板保持部接收的该基板的第二位置;基于上述第一位置和上述第二位置，掌握上述基板旋 转部的旋转中屯、位置的步骤;和基于上述掌握的上述旋转中屯、位置，调整上述基板保持部 的位置的步骤。
[0013] 根据本发明的第二方面，提供一种基板处理装置，其具有：
[0014] 保持并搬送基板的基板保持部;位置检测部，检测与上述基板保持部相对设置，由 上述基板保持部保持的上述基板的位置;基板旋转部，能够在与上述基板保持部之间进行 上述基板的交接，保持并旋转上述基板;和控制部，构成为：利用上述位置检测部求出由上 述基板保持部保持的上述基板的第一位置、和上述基板被交接到上述基板旋转部并被旋转 规定的角度、由上述基板保持部接收的上述基板的第二位置，基于上述第一位置和上述第 二位置掌握上述基板旋转部的旋转中屯、位置，基于掌握的上述旋转中屯、位置调整上述基板 保持部的位置。
[0015] 根据本发明的第Ξ方面，提供一种基板处理装置，具有:基板载置部，载置由基板 搬送装置的基板保持部搬送的基板;和与由上述基板保持部搬送的上述基板的外边缘部接 触，能够保持该基板的至少Ξ个基板支承部件，上述至少Ξ个基板支承部件配置为，由上述 至少Ξ个基板支承部件保持的上述基板的位置与上述基板载置部中的上述基板的适当位 置对应。
[0016] 根据本发明的第四方面，提供一种位置调整方法，具有:基板载置部，载置由基板 搬送装置的基板保持部搬送的基板;和与由上述基板保持部搬送的上述基板的外边缘部接 触，能够保持该基板的至少Ξ个基板支承部件，上述至少Ξ个基板支承部件配置为，由上述 至少Ξ个基板支承部件保持的上述基板的位置与上述基板载置部中的上述基板的适当位 置对应，上述基板搬送装置的位置调整方法的特征在于，具有：由上述基板保持部搬送上述 基板，使上述基板保持于上述至少Ξ个基板支承部件的步骤;从上述基板保持部接收由上 述至少Ξ个基板支承部件保持的上述基板的步骤;和检测接收的上述基板的位置的步骤， 基于检测的上述基板的位置，调整上述基板保持部的位置。
[0017] 根据本发明的第五方面，提供一种基板搬送装置的位置调整方法，包含:利用基板 搬送装置的基板保持部支承基板的步骤;使保持上述基板的上述基板保持部，从应载置上 述基板的基板载置部的上方，向该基板载置部仅仅下降规定的距离，利用设置于上述基板 保持部的基板检测部来检测有无上述基板的步骤;当在上述检测的步骤中判定具有上述基 板时，重复上述检测步骤的步骤;和当在上述检测的步骤中判定没有上述基板时，将该时刻 的上述基板保持部的位置设定为上述基板保持部的上下方向的基准位置的步骤。
[0018] 根据本发明的第六方面，提供一种基板搬送装置的位置调整方法，包含:使支承基 板的背面中央部的背面支承部支承基板的步骤;使基板搬送装置的基板保持部进入被上述 背面支承部支承的基板的下方的步骤;使上述基板保持部朝向上述基板仅仅上升规定的距 离，利用设置于上述基板保持部的基板检测部检测有无上述基板的步骤；当在上述检测的 步骤中判定没有上述基板时，重复上述检测步骤的步骤;和当在上述检测的步骤中判定具 有上述基板时，将该时刻中的上述基板保持部的位置设定为上述基板保持部的上下方向的 基准位置的步骤。
[0019]发明效果
[0020]采用本发明的实施方式，提供不使用调整夹具就能够进行搬送位置调整的基板搬 送装置的位置调整方法和基板处理装置。
【附图说明】
[0021] 图1是表示本发明的实施方式设及的光致抗蚀剂涂布显影装置的结构的俯视图。
[0022] 图2是表示本发明的实施方式设及的光致抗蚀剂涂布显影装置的结构的概略立体 图。
[0023] 图3是本发明的实施方式设及的光致抗蚀剂涂布显影装置的结构的侧面图。
[0024] 图4是表示从图1至图3所示的光致抗蚀剂涂布显影装置中的第Ξ区块的结构的立 体图。
[0025] 图5是表示图4所示的第Ξ区块中的涂布模块的概略侧面图。
[0026] 图6是表示图4所示的第Ξ区块中的热处理模块的说明图。
[0027] 图7是表示图4所示的第Ξ区块中的搬送臂的立体图。
[00%]图8是表示图7所示的搬送臂的俯视图和侧面图。
[0029] 图9是图7和图8所示的搬送臂的叉的放大俯视图。
[0030] 图10是表示从图1至图3所示的光致抗蚀剂涂布显影装置的控制部的结构的说明 图。
[0031] 图11是表示图10所示的控制部与图6和图7所示的热处理模块部和搬送臂之间关 系的说明图。
[0032] 图12是说明本发明的实施方式的搬送位置调整方法的图。
[0033] 图13是说明本发明的其它的实施方式的搬送位置调整方法的图。
[0034] 图14是说明本发明的其它的实施方式的搬送位置调整方法中的基板位置检测方 法的图。
[0035] 图15是说明本发明的其它的实施方式的搬送位置调整方法中的他的基板位置检 测方法的图。
[0036] 图16是说明本发明的又一个实施方式的搬送位置调整方法中的基板位置检测方 法的图。
[0037] 图17是接着图16,说明本发明的又一个实施方式的搬送位置调整方法中的基板位 置检测方法的图。
[0038] 图18是接着图17,说明本发明的又一个实施方式的搬送位置调整方法中的基板位 置检测方法的图。
【具体实施方式】
[0039] W下，参照附图对本发明的非限定的例示的实施方式进行说明。在附图的全部的 图中，对同一或者对应的部件或零件，附加同一或者对应的参照符号，省略重复的说明。
[0040] (涂布显影装置）
[0041] 首先，参照图1至图4说明本发明的实施方式的涂布显影装置。如图1和图2所示，在 涂布显影装置100W如下顺序设置有载体站S1、处理站S2和接口站S3。另外，涂布显影装置 100的接口站S3侧与曝光装置S4结合。
[0042] 载体站S1具有载置台21和搬送机构C。在载置台21上载置有收纳规定的片数(例如 25片）的半导体晶片下晶片)W的载体20。在本实施方式中，载置台21能够并列载置4个载 体20。在W下的说明中，如图1所示，设定载体20并列的方向为X方向，设定与其正交的方向 为Y方向。搬送机构C从载体20取出晶片W，将其向处理站S2搬送，并且在处理站S2中接收被 处理的处理完的晶片W，将其收纳于载体20。
[0043] 如图1和图2所示，处理站S2与载体站S1的巧方向侧结合，具有:架单元U1;架单元 U2;第一区块(DEV层)B1;第二区块(BCT层)B2;第Ξ区块(COT层)B3;和第四区块(TCT层)B4。
[0044] 如图3所示，架单元U1，例如具有从下方开始依次层叠的，交接模块TRSUTRS1、 C化11、C化2、BF2、CPL3、BF3、C化4和TRS4。另外，如图1所示，在架单元U1的巧方向侧设置有 自由升降的搬送机构D。在架单元U1的各模块之间，利用搬送机构D搬送晶片W。
[0045] 如图3所示，架单元U2,例如具有从下方开始依次叠层的，交接模块TRS6、TRS6和 CPL12〇
[0046] 此外，交接模块中的附加参照符号乂化+数字"的交接模块中存在兼为对晶片W进 行加热的加热模块，并存在兼为对晶片W进行冷却将其维持为规定的溫度(例如23°C)的冷 却模块。附加参照符号"BF+数字"的交接模块兼为能够载置多个晶片W的缓冲模块。另外，在 交接模块TRS、CPL、BF等设置有载置晶片W的载置部。
[0047] (关于处理站的第Ξ区块）
[0048] 接着，参照图4至图6对第Ξ区块B3进行说明。如图4所示，第Ξ区块B3具有:涂布 模 块23;架单元U3;和搬送臂A3。如图5所示，涂布模块23具有:售体80;设置于售体80内的旋转 卡盘81;驱动部82;药液供给喷嘴83;和杯体部84。在售体80形成有搬送口 80a，通过其利用 搬送臂A3向售体80搬入晶片W，从售体80搬出晶片W。旋转卡盘81利用规定的吸引装置(未图 示)吸引晶片W的背面中央部，来进行保持。旋转卡盘81被驱动部82支承，通过驱动部82能够 旋转和上下移动。药液供给喷嘴83被支承驱动部85a和支承轴8f5b支承。通过旋转支承轴 85b，支承驱动部85a使药液供给喷嘴83的前端部83a位于杯体部84的外侧的主化ome)位置 与被旋转卡盘81保持的晶片W的大致中央的上方的药液供给位置的任一处。杯体部84包围 被旋转卡盘81保持的晶片W的周围，接收被供给到晶片W的药液，另外，从形成于下部的排出 口排出药液。在涂布模块23中，作为药液使用光致抗蚀剂液，通过上述的结构，能够在晶片W 上形成光致抗蚀剂膜。
[0049] 另外，如图4所示，第Ξ区块B3的架单元U3具有与涂布模块23相对配置的热处理模 块TM。在热处理模块TM中，进行光致抗蚀剂膜形成的前处理和后处理。另外，在各热处理模 块TM形成有晶片W的搬送口 24。搬送臂A3设置于涂布模块23与架单元U3之间。
[0050] 在此，参照图6对热处理模块TM进一步进行说明。图6是热处理模块TM的截面图。如 图所示，热处理模块TM，具有:售体90;设置于售体90内的热板91;冷却板92;和支承板93。热 板91具有圆片形状，该圆片形状具有比晶片W的直径大的外径。在热板91的内部例如设置有 电热线加热器(未图示)等，由此，热板91被加热到规定的溫度。另外，在热板91例如形成有 Ξ个贯通孔91a(在图6中仅仅表示2个），通过运些贯通孔91曰，对应的Ξ个升降销（lift pin)94能够通过驱动部94a上下移动。由此，升降销94能够将晶片W载置到热板91上，能够将 载置到热板91的晶片W提起。此外，图6(a)中的参照符号97是冷却风扇，能够对被热板91加 热，并能够对从热板91向冷却板92交接的晶片W进行冷却。
[0051] 如图6(b)所示，冷却板92具有板形状，该板形状具有比晶片W的直径大的宽度和长 度。另外，在冷却板92形成有在其前端侧(热板91侧)开日的狭缝92a、92b。狭缝92a、9化容许 通过驱动部95a能上下移动的升降销95上下穿过冷却板92。通过该结构，利用搬送臂A3(图 4)通过搬送口 24向售体90内搬送晶片W，并被保持于冷却板92的上方时，通过升降销95穿过 狭缝92a、92b向冷却板92上突出，晶片W从搬送臂A3被升降销95接收，在搬送臂A3从售体90 退出之后，晶片W被载置到冷却板92上载置。另外，冷却板92,通过未图示的水平驱动部，能 够在支承板93的上方的位置和热板91的上方的位置的之间移动。因此，冷却板92兼为售体 90内的基板搬送部。例如，当载置有晶片W的冷却板92向热板91的上方移动时，通过升降销 94穿过热板91的贯通孔91a和冷却板92的狭缝92a、92b向热板91上突出，晶片W从冷却板92 被升降销94接收，冷却板92向支承板93的上方返回后，升降销94下降，晶片W被载置到热板 91上。另外，当载置到热板91上的晶片W被升降销94提起时，冷却板92进入晶片W和热板91之 间。此时，升降销94收纳于在冷却板92形成的狭缝92a、92b，因此冷却板92能够位于热板91 的上方。接着，通过升降销94下降，晶片W被载置到冷却板92上。接着，冷却板92向支承板93 的上方返回，晶片W经由升降销95被交接到搬送臂A3，晶片W被从热处理模块TM搬出。
[0052] 另外，在冷却板92的内部形成有被冷却的或被溫度调节的介质流动的导管，通过 来自未图示的溫度调节装置的介质流动而被维持在规定的溫度。因此，当被热板91加热的 晶片W被冷却板92接收时，通过冷却板92立即开始被冷却。所W，例如在从热处理模块TM搬 出之后，与利用规定的冷却模块来冷却晶片W的情况相比，能够缩短冷却所需要的时间。
[0053] 另外，参照图6(b)，冷却板92的下方的支承板93具有矩形板形状，该矩形板形状在 大致中央具有开口 93a。通过开口 93a，不存在冷却板92的升降销95的上下移动被支承板93 妨碍的问题。另外，支承板93的上表面配置有4个晶片支承台96。晶片支承台96,包括:具有 圆筒形状的下部96a，和配置于该下部96a上的具有截头圆锥体形状的上部96M参照图6 (C))。
[0054] 另外，如图6(c)所示，4个晶片支承台96配置为，利用上部96b的截头圆锥体形状的 下端与下部96a的上表面限制晶片W的外缘。进一步，W被4个晶片支承台96限制的晶片W的 中屯、和冷却板92的中屯、对应的方式配置4个晶片支承台96。W下，关于晶片支承台96和其配 置具体地进行说明。
[0055] 首先，热处理模块TM的冷却板92向热板91的上方移动。接着，利用搬送臂A3向热处 理模块TM的售体90内搬入晶片W，并将其保持于支承板93的上方。接着，支承板93的下方的 升降销95通过驱动部95a上升，从搬送臂A3接收晶片W。在搬送臂A3退出后，当升降销95通过 驱动部95a下降时，晶片W被支承板93的晶片支承台96支承。此时，即使晶片W的外缘接近晶 片支承台96的上部96b的斜面，也在斜面滑动到达下部96a的上表面，运样，晶片W的外缘被4 个晶片支承台96限制。之后，当晶片W被升降销95从晶片支承台96提起，被搬送臂A3接收时， 升降销95下降，冷却板92返回到支承板93的上方。在此，通过搬送臂A3与升降销95协动，从 搬送臂A3向冷却板92转移晶片W。冷却板92上的晶片W如上述的方式被载置于热板91上。此 时，晶片W的中屯、与热板91的中屯、一致。即，被支承板93上的晶片支承台96限制的晶片W恰当 地载置于热板91上。换而言之，当在支承板93上利用晶片支承台96对准晶片W时，W载置于 热板91上的晶片W的中屯、与热板91的中屯、一致的方式，在支承板93上定位4个晶片支承台 96 〇
[0056] 再次，参照图1和图3,第一区块B1具有：显影模块22;搬送臂A1;和往复移送臂E。详 细来说，在第一区块B1内具有2个显影模块22,运些显影模块22上下层叠。各显影模块22具 有与上述的涂布模块23相同的结构，通过向形成于晶片W的表面和被曝光的光致抗蚀剂膜 供给作为药液的显影液，来显影光致抗蚀剂膜。另外，搬送臂A1向2个显影模块22搬送晶片 W。往复移送臂E在架单元U1的交接模块CPL11与架单元U2的交接模块CPL12之间搬送晶片W。
[0057] 第二区块B2和第四区块B4具有与第Ξ区块B3相同的结构。在第二区块B2中，供给 防反射膜用的药液，形成有成为光致抗蚀剂膜的底层的下部防反射膜。在第四区块B4中，也 供给防反射膜用的药液，在光致抗蚀剂膜的上方形成有上部防反射膜。
[0058] 此外，如图3所示，对第二区块B2的搬送臂附与参照符号A2,对第四区块B4的搬送 臂附与参照符号A4。
[0059] 接口站S3与处理站S2的巧方向侧结合，如图1所示，具有接口臂F。接口臂F配置于 处理站S2的架单元U2的巧方向侧。在架单元U2的各模块之间和各模块与曝光装置S4之间， 利用接口臂F搬送晶片W。
[0060] (涂布显影装置中的晶片的流动）
[0061] 在具有上述的结构的涂布显影装置100中，下的方式向各模块搬送晶片W，并 对晶片W进行与模块对应的处理。首先，通过载体站S1的搬送机构C从载置台21上的载体20 取出晶片W，并将其向处理站S2的架单元U1的交接模块CPL2搬送(参照图3)。搬送到交接模 块CPL2的晶片W，被第二区块B2的搬送臂A2依次搬送到第二区块B2的各模块(热处理模块和 涂布模块），在晶片W上形成下部防反射膜。
[0062] 形成有下部防反射膜的晶片W，被搬送臂A2向架单元U1的交接模块BF2搬送，被搬 送机构D(图1)向架单元U1的交接模块CPL3搬送。接着，晶片W被第Ξ区块B3的搬送臂A3接 收，被依次搬送到第Ξ区块B3的各模块（图4所示热处理模块TM和涂布模块23)，在下部防反 射膜上形成光致抗蚀剂膜。
[0063] 形成有光致抗蚀剂膜的晶片W被搬送臂A3搬送到架单元U1的交接模块BF3。
[0064] 此外，形成有光致抗蚀剂膜的晶片W，在第四区块B4中，有时也形成防反射膜。在该 情况下，晶片W经由交接模块CPL4被第四区块B4的搬送臂A4接收，被依次搬送到第四区块B4 的各模块(热处理模块和涂布模块），在光致抗蚀剂膜上形成上部防反射膜。之后，晶片W被 搬送臂A4交接到架单元U1的交接模块TRS4。
[0065] 形成有光致抗蚀剂膜(或者在其上方还有上部防反射膜)的晶片W，被搬送机构D从 交接模块BF3 (或者交接模块TRS4)向交接模块CPL11搬送。搬送到交接模块CPL11的晶片W， 在被往复移送臂E搬送到架单元U2的交接模块CPU 2后，被接口站S3的接口臂F接收。
[0066] 在此之后，晶片W被接口臂F搬送到曝光装置S4，进行规定的曝光处理。进行过曝光 处理的晶片W被接口臂F搬送到架单元U2的交接模块TRS6,返回到处理站S2。返回到处理站 S2的晶片W，被向第一区块B1搬送，在此进行显影处理。进行过显影处理的晶片W被搬送臂A1 搬送到架单元U1的交接模块TRS1，被搬送机构C返回到载体20。
[0067] (关于搬送臂）
[0068] 接着，参照图7至图9,对设置于第Ξ区块B3的搬送臂A3进行说明。
[0069] 如图7所示，搬送臂A3具有:2个叉(fork)3A、3B;基台31;旋转机构32(图4);进退机 构33A、33B;和升降台34(图4)。另外，对应搬送臂A3设置有后述的检测部5A~加（图10)。还 有，搬送臂A3和检测部5A~抓被后述的控制部6控制。
[0070] 叉3A配置于叉3B的上方。基台31通过旋转机构32围绕铅直轴自由旋转。另外，如图 7所示，叉3A、3B各自在其基端侧被进退机构33A、33B支承。进退机构33A、33B使用滚珠丝杠 机构或齿轮皮带(timing belt)等的传递机构与电动机Μ(图11参照)连结，相对基台31自由 进退地驱动叉3Α、3Β。
[0071] 再次参照图4,升降台34设置于旋转机构32的下方侧。升降台34设置为，沿在上下 方向（图4中Ζ轴方向）上直线状延伸的未图示的Ζ轴导轨，通过升降机构自由升降。作为升降 机构能够采用使用滚珠丝杠机构或齿轮皮带的机构等。在该例中，Ζ轴导轨和升降机构各自 被覆盖体35覆盖，例如在上部一侧连接成为一体。另外，覆盖体35构成为，沿在Υ轴方向上直 线状延伸的Υ轴导轨36滑动移动。
[0072] 接着，参照图7和图8,进一步说明叉3Α、3Β。如图8(a)所示，叉3Α、3Β具有包围搬送 的晶片W的周围的圆弧状的前端部。叉3Α、3Β形成有4个保持爪44、48、4(：、40。保持爪44~40 从叉3Α、3Β的内边各自向内方突出，并且沿内边相互隔着间隔设置。此外，在图示的例中设 置有4个保持爪4Α~4D，但也可W设置Ξ个W上的保持爪。
[0073] 如图9所示，叉3Α的保持爪4Α~4D设置有吸附孔41Α~41D;和包围吸附孔41Α~41D 的各自的周围的环状的垫衬42Α~42D。如图8(a)所示，吸附孔41Α~41D与在叉3Α的内部、上 表面或者下表面形成的真空配管43Α连通。真空配管43Α与未图示的真空排气部连接。叉3Β 的保持爪4Α~4D也同样分别设置有吸附孔41Α~41D和垫衬42Α~42D，如图8(a)所示，吸附 孔42Α~42D与在叉3Β的内部、上表面或者下表面形成的真空配管43Β连通，真空配管43Β与 真空排气部连接。构成有运样的真空卡盘机构，因此当晶片W被保持爪4Α~4D的垫衬42Α~ 42D支承时，晶片W通过真空配管43Α(或者43Β)被真空排气部吸引，能够被叉3Α(或者3Β)牢 固地保持。
[0074] 此外，垫衬42Α~42D为了提高与晶片W的背面周边部的密合性，例如优选采用具有 弹性的橡胶等的材料制作。
[0075] (关于搬送臂的叉的检测部）
[0076] 接着，关于对被叉3Α、3Β保持的晶片W的位置进行检测的检测部进行说明。参照图 7,基台31设置有从基台31开始立起弯折并在水平方向上延伸的支承部件53。在支承部件53 与其4个腕部对应安装有传感器524、528、52(：、520。传感器524~520位于在基端侧后退的叉 3Α、3Β的上方。具体来讲，如图9所示，当从上方观看时，沿被叉3Α(或者3Β)保持的晶片W的周 缘W规定的间隔配置有传感器52Α~52D。另外，传感器52Α~52DW横穿晶片W的周缘的方式 延伸。传感器52Α~52D在本实施方式中是CCD线传感器(line censor)。
[0077] 此外，在W下的说明中，有时将叉3A、3B后退至基端侧时的位置称为主位置。
[0078] 再次参照图7,在基台31上设置有光源5心、518、51(：、510。光源5心与传感器52八对 应配置，光源51B与传感器52B对应配置，光源51C与传感器52C对应配置，光源51D与传感器 52D对应配置。在本实施方式中，光源51A~51D由直线状配列的多个发光二极管(LED)构成。 由光源51A~51D和对应的传感器52A~52B构成检测元件部。
[0079] 此外，也可W将光源51A~51D设置于支承部件53,将传感器52A~52D设置于基台 31。另外，只要叉3A、3B和被它们保持的晶片W横穿检测部5A~5B之间，光源51A~51D(或者 传感器52A~52D)也可W不在基台31上，使用规定的支承部件配置。
[0080] 如图10所示，检测部5A包括:光源51A，传感器52A，检测控制部54，数字模拟转换器 (DAC)55,和模拟数字转换器(ADC)56。另外，在图10中省略图示，但检测部5B、5C、加，含有： 对应的光源51B、51C、51D和传感器528、52(：、520，与检测部54同样构成。
[0081]检测控制部54是定时信号发生器(timing generator)，基于来自未图示的时钟的 时钟信号，使由CCD线传感器构成的传感器52A的各CCD的动作时刻偏移，使电荷移动。另外， 检测控制部54也进行由多个LED构成的光源51A的电流控制。DA巧5对来自检测控制部54的 数字控制信号进行模拟转换，并将转换过的模拟信号对光源51A进行输出。ADC56对来自传 感器52A的作为检测信号的模拟输出信号进行数字转换，生成检测信号。
[0082] 从检测部5A的AD巧6输出的检测信号(检测值)被输入控制部6的计算处理部61。控 制部6经由放大器57,控制驱动进退机构33A、33B的X轴驱动用的电动机、驱动基台31的Y轴 驱动用的电动机、驱动升降台34的Z轴驱动用的电动机、和驱动旋转机构32的旋转驱动用的 电动机。
[0083] 通过利用W上的那样的结构，来自检测控制部54的控制信号被DA巧5进行模拟转 换，被模拟转换的控制信号被输入光源51A，光源51A发出直线状的光。从光源51A发出的光， 被传感器52A接受。接受光的传感器52A，基于来自检测控制部54的控制信号的时刻，输出与 受光量匹配的信号。从传感器52A输出的检测信号(检测值），在被ADC56进行数字转换后，被 输入控制部6内的计算处理部61。
[0084] 控制部6不仅控制检测部5A~加，也控制搬送臂的动作。W下，参照图11对控制模 块之间的晶片W的交接的控制部6进行说明。
[0085] 参照图11，搬送臂A3的叉3A进入冷却模块7内。冷却模块7,例如是图4所示的热处 理模块TM中一个。如图所示，冷却模块7具有:处理容器71，载置部72,升降销73,和升降机构 74。载置部72设置有用于对晶片W进行冷却至规定的溫度，溫度调节过的流体流动的导管 (未图示）。另外，载置部72设置有多个贯通孔，与多个贯通孔对应的多个升降销73设置为可 上下移动。升降销73通过升降机构74升降。
[0086] 控制部6具有:计算处理部61，存储部62，显示部63，和警报产生部64。计算处理部 61例如具有存储器，CPlKCentral Processing化it)，读取记录于存储部62的程序，并按照 该程序所包含的命令(指令），向搬送臂A3的各电动机Μ发送控制信号，执行晶片W的交接和 搬送。另外，计算处理部61，读取记录于存储部62的程序，并按照该程序所包含的命令(指 令），向涂布显影装置100的各部发送控制信号，执行各种处理。
[0087] 存储部62记录用于使计算处理部61执行各种处理的程序，从计算机可读取的记录 介质62a存储程序。在程序中，为了实施后述的位置调整方法，具有含有使涂布显影装置100 和其结构部件等动作的命令(指令)的程序。另外，作为记录介质62a，例如能够使用磁盘、光 盘、硬盘、磁光(Ma即eto optical :M0(磁光））盘。
[0088] 显示部63例如是具有液晶化CD)面板等的显示器。在显示部63中，能够进行各种的 基板处理用的程序的选择和各基板处理中的参数的输入操作。
[0089] 警报产生部64含有搬送臂A3,当涂布显影装置100的各部参数异常时，产生并输出 警报信号。
[0090] 另外，计算处理部61，对搬送臂A3的进退机构33A、33B、基台31、升降台34、设置于 旋转机构32的电动机、编码器38和计算脉冲数的计数器39等发送规定的控制信号，进行控 审IJ。而且，存储部62包含有用于执行本实施方式设及的基板搬送方法的程序。
[0091] (关于搬送臂的巧由方向的位置调整方法）
[0092] 接着，关于本发明的实施方式的基板搬送装置的位置调整方法，W使用图4和图7 所示的搬送臂A3和涂布模块23的情况为例进行说明。此外，该位置调整方法(和后述的其它 的位置调整方法），例如优选在图1所示的基板处理装置的起动之后立刻进行。另外，例如， 基板处理装置在经过比规定的时间长的时间成为待机状态（idle(空转)状态)之后，在开始 进行制造前进行位置调整。还有，运些位置调整方法使用的晶片，不是设置有传感器等的测 试晶片，例如使用裸晶片（bare wafer)(或者再生晶片（reclaimed wafer))。
[0093] 图12(a)至图12(c)表示对搬送臂A3的叉3A的Z轴方向的位置进行调整的第一的方 法。如图12(a)所示，涂布模块23的旋转卡盘81通过驱动部82(图5)上升至晶片接收位置。在 该状态下，保持晶片W的叉3A，在上升至能够向旋转卡盘81的上方搬送晶片W的高度之后，通 过搬送口80a进入售体80(图5)内，将晶片W维持在旋转卡盘81的上方。
[0094] 接着，如图12(b)所示，叉3A下降。此时，例如仅仅下降0.1mm，然后停止，暂时起动 设置于叉3A的真空机构，当检测到晶片W被叉3A吸引时，停止真空机构（吸引），再次例如仅 仅下降0.1mm。
[00M]当重复该次序时，均如图12(c)夸张所示的方式，晶片W被旋转卡盘81接收，晶片W 的背面离开叉3A。在该情况下，即使起动真空机构，晶片W也不被叉3A吸引。此时的叉3A的Z 轴方向的位置(高度），作为该涂布模块23中的Z轴方向的基准位置被掌握。然后，通过将该 基准位置设定为新的基准位置，位置调整结束。
[0096] 在此之后，当旋转卡盘81位于杯体内的晶片旋转位置时，叉3A在距新的基准位置 仅仅低规定的距离的位置，将晶片W向售体80内搬入，在将晶片W维持于旋转卡盘81的上方 后，通过向上方移动旋转卡盘81，从叉3A向旋转卡盘81交接晶片W。
[0097] 此外，晶片W是否被叉3A吸引，例如能够通过在连接与上述的吸附孔41A~41D连通 的真空配管43A(参照图8和图9)和真空排气部(未图示）的配管中设置的真空传感器和真空 计等来进行检测。
[0098] 另外，图12(d)至图12(f)表示进行搬送臂A3的叉3A的Z轴方向的位置调整的第二 方法。在该方法中，使叉3A上升并掌握基准位置。即，如图12(d)所示，向旋转卡盘81交接晶 片W。接着，如图12(e)所示，使叉3A进入晶片W的下方。然后，例如使叉3A仅仅上升0.1mm并停 止，起动真空机构。如图12(e)所示，当在晶片W与叉3A之间具有间隙时，晶片W不被叉3A吸 附。之后，当重复进行叉3A的上升、上升停止和吸引时，如图12(f)所示，叉3A与晶片W的背面 接触。在该情况下，当起动真空机构时，晶片W被叉3A吸附。由此，叉3A能够掌握涂布模块23 中的Z轴方向的基准位置。于是，将掌握的基准位置设定为新的基准位置，Z轴方向的位置调 整结束。
[0099] 根据W上说明的Z轴方向的位置调整方法，不使用调整夹具等就能够廉价且简单 地掌握基准位置。另外，只要适当调整上述的下降部分和上升部分，就能够进行与对应所需 精度的位置调整。
[0100] (关于搬送臂的XY方向的位 置调整(1))
[0101] 接着，对使用涂布模块23进行搬送臂3A的XY方向的位置调整的情况进行说明。此 夕h在参照的图中，为了图示的方便，省略叉3A中的传感器等。
[0102] 如图13(a)所示，在面对涂布模块23的位置中，当叉3A保持晶片W时，检测出晶片W 的中屯、位置0'。为了进行该检测，首先，通过控制部6和检测部5A(图10)计算测量晶片W的周 边部的位置。具体来讲，设置于叉3A的下方的光源51A~51D(图7)朝向上方方向发光。该光 被设置于叉3A的上方的传感器52A~52D接受。当传感器52A~52D为沿晶片W的径方向直线 状配置有CCD的CCD线传感器时，基于各CCD的检测值，能够决定受光的CCD和不受光的CCD的 边界的位置。然后，基于决定的边界的位置，能够计算测量晶片W的周边部的位置。
[0103] 在此，如图14所示，使4个的传感器52A~52D的延长的方向与Y轴所成的角为Θ1、θ 2、Θ3、Θ4。另外，使当晶片W保持于叉3Α的适当位置(未偏移的位置)时的传感器52Α~52D上 的晶片W的周边部的位置分别为a点、b点、C点、d点。另外，使保持于叉3Α的晶片W的(现实的） 位置中的传感器52A~52D上的晶片W的周边部的位置分别为a'点、b '点、C '点、d'点。
[0104] 当使各传感器52A~52D中的a点和a'点的距离为Aa，使b点和b'点的距离为Ab， 使C点和C '点的距离为Δ C，使d点和d '点的距离为Δ加寸，距离Δ a、Δ b、Δ C、Δ d能够表示 为：
[0105] A a(mm)=((日'点的像素数)-(a点的像素数））X像素间隔(mm) (1)
[0106] Δ b (mm) = ((b '点的像素数)-(b点的像素数））X像素间隔(mm) (2)
[0107] Δ C (mm) = ((C '点的像素数)-(C点的像素数））X像素间隔(mm) (3)
[0108] A d(mm) = ((d '点的像素数)-(d点的像素数））X像素间隔(mm) (4)。
[0109] 此外，a点的像素数是从传感器52A~52D的晶片W的中屯、侧中的开始点至a点中的 像素的数。
[0110] a点~d点、a '点~d '点的坐标，W如下方式表示。
[0123] 所 W，通过式(6)、式(8)、式（10)、式（12)，能够求出a'点（ΧΓ，Yl'）、b'点（X2'， ￥2'）、(：'点做'，￥3'）、(1'点口4'，￥4'）的坐标。
[0124] 此外，上述的式中，X是当晶片W位于适当位置时的晶片W的中屯、的X坐标，Y是当晶 片W位于适当位置时的晶片W的中屯、的Y坐标。适当位置中的晶片W的中屯、位置0的坐标(X， Y)，也可通过使晶片W预先至于适当位置进行测定求得，也可基于叉3A的内边求得。
[0125] 接着，根据a'点、b'点、C'点、d'点中的任意Ξ个点算出现实的位置中的晶片W的中 屯、位置0 ' 的坐标(X'，Y'）。例如，根据a ' 点(ΧΓ，ΥΓ )、b ' 点(X2 '，Y2 '）、C ' 点(X3 '，Y3 '）的Ξ 个点，现实位置中的晶片W的中屯、位置0'的坐标(Χ'，Υ'），能够根据下述的式（13)和（14)求 出。
[0126]数式 1
[0130] 另外，通过中屯、位置0'的坐标U'，Y'）和a'点（Xr，Yr)、b\^、（X2'，Y2'）、c\^、 (X3'，Υ3'）的各坐标，能够根据下述的式（15)求出半径R'。
[0131] 数式 3
[0132]
(15)
[0133] 另外，a'点、b'点、C'点、d'点中的、与前述的Ξ个点(a'点、b'点、C'点)不同的Ξ个 点的组合，例如基于(a '点，b '点，d '点）、（a '点，C '点，d '点）、（b '点，C '点，d '点），通过式 (13)至（15)进一步算出中屯、位置0'的坐标(Χ'，Υ'）和半径R'。该半径R'，如W下方式，利用 于为了判定4个传感器52Α~52D的任一是否检测到晶片W的周边部的缺口部WN。具体来讲， 首先，判定任意的Ξ个点的组合对应的半径R'，与晶片W的已知的作为半径的R大致相等。 良Ρ，如图14所示，当俯视观看，晶片W的缺口部WN均不在a '点、b '点、C '点、d'点的任一附近 时，基于a '点、b '点、C '点、d '点中的、任意的Ξ个点的组合算出的半径R'也与半径R大致相 等。此时，判定4个传感器52A~52D都是未检测到晶片W的缺口部WN。
[0134] 另一方面，例如，如图15所示，当俯视观看时，当晶片W的缺口部WN位于b'点的附近 时，基于除去b'点之外的Ξ个点的组合算出的半径R'与半径R大致相等。但是，基于包含b' 点的Ξ个点的组合算出的半径R'比半径R小。根据该结果，判定4个传感器52A~52D中的传 感器52B检测到晶片W的缺口部WN。
[0135] 接着，选择传感器52A~52D中的未检测到缺口部WN的Ξ个传感器的检测值。如图 14所示，当4个传感器52A~52D都未检测到晶片W的缺口部WN时，也可W选择传感器52A~ 52D中的任意Ξ个传感器的检测值。另外，在图15所示的情况下，选择除了传感器52B之外的 来自传感器52A、52C、52D的检测值。
[0136] 接着，求出基于选择的Ξ个传感器的检测值算出的晶片W的中屯、位置0'的坐标 (乂'八'）。另外，该坐标村'^'）例如存储于存储部62。此外，坐标村'，￥'）是^通过叉34被保 持于适当位置的晶片W的中屯、位置0为原点的X-Y坐标上的坐标（即，晶片W的中屯、位置0'的 坐标(X'，Υ'）表示与叉3的相对位置）。
[0137] 接着，如图13(b)所示，叉3Α将晶片W搬送至旋转卡盘81的上方，旋转卡盘81上升， 从叉3Α接收晶片W。即，此时，晶片W位于比叉3Α更高的位置。另外，在图示的例中，叉3Α静止 于原来状态的位置，但也可W从杯体部84的上方位置退出。
[0138] 接着，如图13k)所示，旋转卡盘81旋转180°，再次下降，将晶片W交接给叉3Α。在此 之后，如图13(d)所示，接收晶片W的叉3A从涂布模块23退出。在面对涂布模块23的位置，与 上述相同，求出晶片W的中屯、位置0"的坐标(Χ"，Υ")。
[0139] 在此，存储的晶片W的中屯、位置0'的坐标U'，Y'）和新求出的晶片W的中屯、位置0" 的坐标(Χ"，Υ")是通过旋转卡盘81使晶片W旋转180°左右求出的，因此运些坐标的中点相当 于旋转卡盘81的旋转中屯、。所W，旋转中屯、的坐标0 (Xc，Yc)能够根据0口。，￥(3) = (^'一 Χ?/2, |Υ'一Υ?/2)求出。
[0140] 在此之后，通过W叉3Α的适当位置中的晶片W的中屯、位置与求出的坐标0(Xc，Yc) 一致的方式移动叉3A，并将移动后的位置设定为叉3A的X轴方向和Y轴方向的基准位置，该 涂布模块23中的叉3A的位置调整结束。
[0141] 根据W上说明的XY方向的位置调整方法，通过使用设置于叉3A的光源51A~51D和 传感器52A~52D，求出利用涂布模块23的旋转卡盘81使晶片W旋转180°左右的晶片W的中屯、 位置，能够求出旋转卡盘81的旋转中屯、位置，基于该位置能够决定叉3A的基准位置。因不需 要使用调整夹具等，根据该位置调整方法，提供能够廉价且简单地进行位置调整的优点。
[0142] 此外，在W上的例子中，使晶片W旋转180°，但例如也可W为90°，只要不是360°，即 使为任何度数，都能够求出旋转中屯、位置。
[0143] 另外，晶片W的中屯、位置的坐标(Χ'，Υ'）和坐标(Χ"，Υ")是叉3A中的X-Y坐标平面中 的坐标点，根据运些中点求出旋转卡盘81的旋转中屯、位置，因此不需要晶片W的叉3Α的定 位。即，在进行上述的位置调整方法之前，即使晶片W从叉3Α中的适当位置发生偏移，也能够 进行该位置调整方法。换而言之，不进行叉3Α的晶片W的位置调整，也能够进行叉3Α的位置 调整。
[0144] 此外，上述的位置调整方法具有可调整的范围，在调整之前，搬送臂A3的叉3Α收纳 于该范围成为前提。是否在可调整的范围，例如优选:能够利用上述的晶片W的中屯、位置的 检测方法来进行判定，当不在可调整的范围内时，发出警报。
[0145] (关于搬送臂的ΧΥ方向的位置调整(2))
[0146] 接着，使用图4和图6所示搬送臂A3和热处理模块ΤΜ，说明实施搬送臂3Α的ΧΥ方向 的其它的位置调整的情况。此外，在W下参照的图中，为了图示的方便，叉3Α中的传感器等 省略。
[0147] 图16至图18是用于说明搬送臂3Α的ΧΥ方向的其它的位置调整的图。例如，图16(a) 中的左图和中央图是表示搬送臂3Α与热处理模块ΤΜ内的支承板93等的位置关系的俯视图， 右图是与中央图对应的侧视图。图16(b)至图18Q)也同样。
[0148] 如图16(a)所示，搬送臂3Α在面对热处理模块ΤΜ的位置保持晶片W。此时，图6所示 的冷却板92向热板91的上方移动，至位置调整结束为止都处于该状态。另外，冷却板92的下 方的升降销95位于较低的位置。
[0149] 接着，如图16(b)所示，叉3Α向支承板93的上方移动，在4个晶片支承台96的上方保 持晶片W。如图16(c)所示，升降销95通过支承板93的开口 93a上升，从叉3Α接收晶片W。
[0150] 之后，如图17(d)所示，叉3A从热处理模块TM退出。如图17(e)所示，当升降销95下 降时，晶片W被支承板93上的4个晶片支承台96支承。此时，晶片W被晶片支承台96的上部96b 的下端和下部96a的上表面限制，被定位于适当的位置。被晶片支承台96定位的晶片W的适 当的位置，如上述的那样，与热处理模块TM内的热板91(图6)上的晶片W的适当的位置对应。
[0151] 接着，如图17(f)所示，升降销95再次上升，如图18(g)所示，叉3A进入晶片W与支承 板93之间。如图18化)所示，升降销95下降，将晶片W交接到叉3A，如图18Q)所示，叉3A从热 处理模块TM退出。
[0152] 接着，如上述的方式，能够求出晶片W的中屯、位置的坐标。该坐标与被晶片支承台 96定位的晶片W的中屯、位置一致，因此W叉3A的中屯、(保持于叉3A的适当的位置的晶片W的 中屯、）与求出的坐标一致的方式移动叉3A，并通过将其中屯、位置设定为基准 位置，叉3A的X 轴方向和Y轴方向的位置调整结束。
[0153] 根据W上说明的XY方向的位置调整方法，通过利用预先设置在热处理模块TM的4 个晶片支承台96限制晶片W的位置，来掌握该模块中的适当的位置，能够基于掌握的位置来 进行叉3A的位置调整。另外，不需要使用调整夹具等，因此根据该位置调整方法，能够廉价 且简单地进行位置调整。还有，该方法，通过设置将晶片W限制于适当的位置的晶片支承台， 即使在如热处理模块TM和交接单元TRS等那样的不具有使晶片W旋转的机构的模块中，也能 够进行实施。例如，优选:在交接单元TRS中，除了晶片台（或者晶片支承部或者晶片支承销） 即暂时载置晶片W的交接单元TRS本来的载置部之外，还W搬送臂能够到达晶片台的下方的 方式设置支承板93和晶片支承台96。在该情况下，在被晶片支承台96限制的晶片W的位置， W与晶片台的适当位置对应的方式设置有支承板93和晶片支承台96。
[0154] 此外，即使在该位置调整方法中，也存在可调整的范围（例如晶片W能够被晶片支 承台96限制的范围），在调整之前，搬送臂A3的叉3A收纳于该范围成为前提。是否在可调整 的范围，例如优选:能够利用先前说明的晶片W的中屯、位置的检测方法进行判定，当不在可 调整的范围内时，发出警报。
[0155] W上，对本发明的优选的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述的实施 方式，对照添加的专利申请的范围的记载，能够进行各种变形变更。
[0156] 例如，在上述的实施方式中，对搬送臂A3进行了说明，搬送臂A1、A2、A4、搬送机构 C、搬送机构D、和接口臂F也能够还具有与搬送臂A3相同的结构，由此，能够实施上述的基板 搬送方法。另外，搬送前的模块(一个模块)和搬送后(搬送目的地）的模块(其它的模块)并 不限于示例，也可W是具备载置有晶片W的载置部的模块。
[0157] 另外，上述的实施方式并不限于W上下重叠的方式设置2个叉3A、3B的例子，2个叉 3A、3B也可W在水平方向上并列设置。另外，叉3也可W仅仅为1个，或者，也可上下重叠 的方式或者在水平方向上并列设置Ξ个W上。
[015引另外，在上述的实施方式中，考虑晶片W的缺口部WN，相对叉3A等设置有4个光源 51A~51D和与它们对应的4个传感器52A~52D，例如，在没有缺口部WN使用具有定向平面 (0F:orien化tion flat)的晶片的情况下，当OF的位置未较大偏移时，为了检测0FW外的周 边部，也可W设置Ξ个光源和与它们对应的Ξ个传感器。
[0159] 另外，替代光源51A~51D和与它们对应的传感器52A~52D，也可W在保持爪4A~ 4D设置静电传感器来检测晶片W的叉3A等的位置。还有，例如使用照相机，基于通过照相机 获得的图像，也可W检测晶片W的叉3A等的位置。当使用照相机时，能够获得晶片W的周边部 的4个点的位置信息。所W，并不一定需要使用4台照相机，也可W使用1台照相机获得4个点 的位置信息。当使用怡照相机时，例如能够W位于2根叉3A、3B的上方的方式经由支承部件 安装于基台31。
[0160] 即使在使用照相机时，作为使用传感器52A~52D的例子如上述的方式，当保持晶 片W的叉3A、3B位于主位置时，通过照相机对图像进行拍照。而且，通过对拍照的图像进行图 像处理，求出晶片W的周边部的4点的位置信息。接着，基于4个点中的位置信息，判定4个点 中的任一个是否检测到晶片W的缺口部WN，当4个点中的任一个晶片检测到W的缺口部WN时， 能够基于其1个点W外的Ξ个点中的位置信息，检测晶片W的叉3A等的位置。
[0161] 对作为光源51使用多个Lm)的例子进行了说明，但也能够使用在单一的Lm)的发光 侧直线状地设置有导光材料作为直线状的光源。另外，作为传感器52，不是CCD线传感器，能 够使用纤维线传感器(fiber line sensor)、光电传感器等各种的线性图象传感器。
[0162] 在上述的叉3A的Z轴方向的位置调整方法（图12)中，取代含有真空传感器的真空 机构，也能够在具有静电传感器的叉中实施。
[0163] 另外，当求晶片W的叉3A的位置时，利用了适当位置中的晶片W的中屯、位置0,但替 代运些，也可W在叉3A设置1个或者多个位置标记，W位置标记为基准，利用晶片W的叉3A的 位置偏移。
[0164] 另外，叉3A的XY方向中的位置调整方法即使在一个叉与其它的叉之间也能够实 施。即，例如在图13(b)中，叉3A退出，在图13(c)中，相同的搬送臂A3的叉3B进入杯体部84的 上方位置，也可W如图13(d)的方式搬出晶片W。即使在该情况下，通过利用在将晶片W交接 到旋转卡盘81前的中屯、位置0的坐标的数据和有关从旋转卡盘81接收晶片W后的中屯、位置 0"的坐标的数据，能够求出旋转卡盘81的旋转中屯、位置。
[0165] 另外，在图18(g)中，向热处理模块TM进入的叉，也可W不是搬送臂A3的叉3A，而是 其它的叉。即使在该情况下，被晶片支承台96限制的晶片W的位置是该模块中的适当的位 置，因此当使作为适当的位置的晶片W的中屯、位置和与其它的叉的中屯、位置一致时，能够进 行其它的叉的位置调整。运样的调整，例如，能够在能够到达图1所示的涂布显影装置100中 的架单元U1(的例如交接单元TRS)的搬送机构D与搬送臂A1、A2、A4(图2)之间适当实施。
[0166] 另外，对在热处理模块TM的支承板93设置有4个晶片支承台96的例子进行了说明， 但也可W为Ξ个W上。还有，晶片支承台96的上部96b具有倾斜面，只要通过倾斜面的下端 和晶片支承台96的下部96a的上表面能够限制晶片W的位置，并不限于截头圆锥体形状。换 而言之，晶片支承台96,可W具有如下形状:当晶片W的外缘与倾斜面接触时，晶片WW晶片W 的外缘沿倾斜面滑动的方式下降，到达下部96a的上表面。例如，也可W由Ξ角形状的板构 成上部96b，使该板立于下部96a的上表面，ΚΞ角形的斜边作为倾斜面发挥功能。
[0167] 另外，例示了具有旋转卡盘81的涂布模块23,但涂布模块也可W不是旋转卡盘81， 而是具有对晶片W的周边部进行支承并使其旋转的旋转机构。
[0168] 另外，优选:上述的位置调整方法，例如在各模块按每个模块存储X轴、Y轴、和Z轴 方向的基准位置，在向模块搬送晶片W之前，按每个模块呼出基准位置，校正叉3A的位置。
[0169] 另外，晶片W并不限于半导体晶片，也可W为FTO用的玻璃基板。
[0170] 符号说明
[0171 ] A3~A4...搬送臂(基板搬送装置）
[0172] 3A、3B...叉
[0173] 31…基台
[0174] 41A ~41D...吸附孔
[0175] 5A~抓…检测部
[0176] 51A ~51D...光源
[0177] 52A ~52D...传感器
[017引 6…控制部 [0179] W…晶片
【主权项】
1. 一种热处理装置，其对基板进行热处理，所述热处理装置的特征在于，包括： 冷却板，其构成为能够在第一位置与第二位置之间移动，并且载置并冷却基板，具有比 基板的直径大的宽度和长度，所述第一位置是所述基板被搬入和搬出的位置； 圆形的热板，其对被所述冷却板冷却并从所述冷却板搬送来的所述基板进行加热，具 有比所述基板的外径大的外径，所述第二位置是该热板上的位置;和 支承板，其以不能移动的方式配置于所述第一位置的下方的位置，具有多个支承部件， 在所述多个支承部件之上支承所述基板，所述支承部件与所述基板的外缘接触，限制所述 基板在水平方向的位移，将所述基板定位在所述基板的中心和配置于所述第一位置的所述 冷却板的中心一致的位置。2. 如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于： 所述限制部件具有截头圆锥体形状。3. -种基板搬送位置调整方法，其是权利要求1所述的热处理装置的基板搬送位置调 整方法，该热处理装置还包括:基台，其通过升降轴上下升降，并且通过自由旋转的旋转机 构围绕铅直轴动作;和基板保持部，其被设置于该基台的进退机构支承，从该基台的基端向 前方侧自由进退，所述基板搬送位置调整方法的特征在于，包括： 利用所述基板保持部保持基板，对于所述基板保持部位于所述基端的所述基板，检测 该基板的外缘部的至少3个位置的第一检测步骤； 交接所述基板并利用所述限制部件对该基板进行定位的步骤； 利用所述基板保持部接收所述基板并后退至所述基端的步骤； 利用所述位置检测单元检测所述基板保持部接收到的该基板的外缘部的至少3个位置 的第二检测步骤； 对根据由所述第一检测步骤得到的外缘部的检测位置求出的所述基板的中心位置和 基于由所述第二检测步骤得到的外缘部的检测位置得到的所述基板的中心位置进行计算 处理，掌握进行所述定位后的中心位置的步骤;和 基于所掌握的所述中心位置，调整使所述基板保持部移动的位置的步骤。4. 如权利要求3所述的基板搬送位置调整方法，其特征在于： 所述位置检测单元具有用于检测基板的外缘部的4个位置的位置检测部，检测3个位置 的所述第一检测步骤检测任意的3个位置。
【专利摘要】本发明提供不使用调整夹具就能够进行搬送位置调整的基板搬送装置的位置调整方法。本发明提供基板搬送装置的位置调整方法，其包括：第一检测步骤，利用搬送基板的基板搬送部保持基板，检测基板的位置；将由基板搬送部保持的基板向保持并旋转基板的基板旋转部搬送的步骤；利用基板旋转部使由基板旋转部保持的基板仅仅旋转规定的角度的步骤；从基板搬送部接收被基板旋转部旋转的基板的步骤；第二检测步骤，检测基板搬送部接收的该基板的位置；基于在第一检测步骤求出的基板的位置和在第二检测步骤求出的基板的位置，掌握基板旋转部的旋转中心位置的步骤；和基于掌握的旋转中心位置，调整基板搬送部的位置的步骤。
【IPC分类】H01L21/677, H01L21/67, H01L21/68, H01L21/687
【公开号】CN105489537
【申请号】CN201610034301
【发明人】道木裕一, 林德太郎, 饭田成昭, 榎木田卓
【申请人】东京毅力科创株式会社
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2012年3月1日
【公告号】CN102655103A, CN102655103B, US8755935, US9299599, US20120224945, US20140234991
【专利说明】基板搬送装置的位置调整方法从及基板处理装置
[0001] 本申请是2012年3月1日提出的申请号为201210052118.X的申请的分案申请。
技术领域
[0002] 本发明设及搬送基板的基板搬送装置的位置调整方法W及基板处理装置。
【背景技术】
[0003] 在半导体装置和平板显示器(FPD:Flat Panel Display)的制造工序中，使用具有 多个处理模块和分别相对运些处理模块搬入搬出基板的基板搬送装置的基板处理装置。在 运样的基板处理装置中，利用基板搬送装置向多个处理模块依次搬送基板，进行与处理模 块对应的规定的处理。此时，例如当未将基板置于处理模块内的适当的位置时，存在在基板 整个面不能进行均一的处理的问题。因此，基板搬送装置构成为能够发挥较高的搬送精度， 但为了在适当的位置放置基板，不能缺少搬送位置调整。
[0004] 作为基板搬送装置的搬送位置调整，例如有时利用基板搬送装置搬送搭载有照相 机或传感器等的检测器的调整夹具(adjusting jig)，基于检测器检测到的位置求出与规 定的基准位置的偏移，进行修正该偏移的操作(指点操作）（例如专利文献1和2)。
[0005] 现有技术文献
[0006] 专利文献1:日本特开2009 -54665号公报
[0007] 专利文献2:日本特开2008-109027号公报
【发明内容】
[000引发明想要解决的问题
[0009] 但是，在使用调整夹具的情况下，当不W相应的频率进行调整夹具的检查和校正 时，存在由于调整夹具自身导致的调整误差的问题。另外，当调整夹具的安装存在失误时， 有时不能进行适当的搬送位置调整。还有，调整夹具比较昂贵，并且需要相应于位于基板的 搬送目的地的处理模块的形状等准备多个调整夹具，因此搬送位置调整有时需要相当大的 费用。因此，期望W不使用调整夹具的方式进行基板搬送装置的位置调整。
[0010] 所W，本发明提供不使用调整夹具就能够进行搬送位置调整的基板搬送装置的位 置调整方法和基板处理装置。
[ocm]用于解决问题的方法
[0012]根据本发明的第一方面，提供一种基板搬送装置的位置调整方法，包括:第一检测 步骤，在基板搬送装置中，利用基板搬送装置的基板保持部保持基板，检测该基板的第一位 置;将由上述基板保持部保持的上述基板向保持并旋转基板的基板旋转部搬送的步骤;利 用上述基板旋转部使保持于上述基板旋转部的上述基板仅仅旋转规定的角度的步骤;从上 述基板旋转部接收被上述基板旋转部旋转的上述基板的步骤;第二检测步骤，检测上述基 板保持部接收的该基板的第二位置;基于上述第一位置和上述第二位置，掌握上述基板旋 转部的旋转中屯、位置的步骤;和基于上述掌握的上述旋转中屯、位置，调整上述基板保持部 的位置的步骤。
[0013] 根据本发明的第二方面，提供一种基板处理装置，其具有：
[0014] 保持并搬送基板的基板保持部;位置检测部，检测与上述基板保持部相对设置，由 上述基板保持部保持的上述基板的位置;基板旋转部，能够在与上述基板保持部之间进行 上述基板的交接，保持并旋转上述基板;和控制部，构成为：利用上述位置检测部求出由上 述基板保持部保持的上述基板的第一位置、和上述基板被交接到上述基板旋转部并被旋转 规定的角度、由上述基板保持部接收的上述基板的第二位置，基于上述第一位置和上述第 二位置掌握上述基板旋转部的旋转中屯、位置，基于掌握的上述旋转中屯、位置调整上述基板 保持部的位置。
[0015] 根据本发明的第Ξ方面，提供一种基板处理装置，具有:基板载置部，载置由基板 搬送装置的基板保持部搬送的基板;和与由上述基板保持部搬送的上述基板的外边缘部接 触，能够保持该基板的至少Ξ个基板支承部件，上述至少Ξ个基板支承部件配置为，由上述 至少Ξ个基板支承部件保持的上述基板的位置与上述基板载置部中的上述基板的适当位 置对应。
[0016] 根据本发明的第四方面，提供一种位置调整方法，具有:基板载置部，载置由基板 搬送装置的基板保持部搬送的基板;和与由上述基板保持部搬送的上述基板的外边缘部接 触，能够保持该基板的至少Ξ个基板支承部件，上述至少Ξ个基板支承部件配置为，由上述 至少Ξ个基板支承部件保持的上述基板的位置与上述基板载置部中的上述基板的适当位 置对应，上述基板搬送装置的位置调整方法的特征在于，具有：由上述基板保持部搬送上述 基板，使上述基板保持于上述至少Ξ个基板支承部件的步骤;从上述基板保持部接收由上 述至少Ξ个基板支承部件保持的上述基板的步骤;和检测接收的上述基板的位置的步骤， 基于检测的上述基板的位置，调整上述基板保持部的位置。
[0017] 根据本发明的第五方面，提供一种基板搬送装置的位置调整方法，包含:利用基板 搬送装置的基板保持部支承基板的步骤;使保持上述基板的上述基板保持部，从应载置上 述基板的基板载置部的上方，向该基板载置部仅仅下降规定的距离，利用设置于上述基板 保持部的基板检测部来检测有无上述基板的步骤;当在上述检测的步骤中判定具有上述基 板时，重复上述检测步骤的步骤;和当在上述检测的步骤中判定没有上述基板时，将该时刻 的上述基板保持部的位置设定为上述基板保持部的上下方向的基准位置的步骤。
[0018] 根据本发明的第六方面，提供一种基板搬送装置的位置调整方法，包含:使支承基 板的背面中央部的背面支承部支承基板的步骤;使基板搬送装置的基板保持部进入被上述 背面支承部支承的基板的下方的步骤;使上述基板保持部朝向上述基板仅仅上升规定的距 离，利用设置于上述基板保持部的基板检测部检测有无上述基板的步骤；当在上述检测的 步骤中判定没有上述基板时，重复上述检测步骤的步骤;和当在上述检测的步骤中判定具 有上述基板时，将该时刻中的上述基板保持部的位置设定为上述基板保持部的上下方向的 基准位置的步骤。
[0019]发明效果
[0020]采用本发明的实施方式，提供不使用调整夹具就能够进行搬送位置调整的基板搬 送装置的位置调整方法和基板处理装置。
【附图说明】
[0021] 图1是表示本发明的实施方式设及的光致抗蚀剂涂布显影装置的结构的俯视图。
[0022] 图2是表示本发明的实施方式设及的光致抗蚀剂涂布显影装置的结构的概略立体 图。
[0023] 图3是本发明的实施方式设及的光致抗蚀剂涂布显影装置的结构的侧面图。
[0024] 图4是表示从图1至图3所示的光致抗蚀剂涂布显影装置中的第Ξ区块的结构的立 体图。
[0025] 图5是表示图4所示的第Ξ区块中的涂布模块的概略侧面图。
[0026] 图6是表示图4所示的第Ξ区块中的热处理模块的说明图。
[0027] 图7是表示图4所示的第Ξ区块中的搬送臂的立体图。
[00%]图8是表示图7所示的搬送臂的俯视图和侧面图。
[0029] 图9是图7和图8所示的搬送臂的叉的放大俯视图。
[0030] 图10是表示从图1至图3所示的光致抗蚀剂涂布显影装置的控制部的结构的说明 图。
[0031] 图11是表示图10所示的控制部与图6和图7所示的热处理模块部和搬送臂之间关 系的说明图。
[0032] 图12是说明本发明的实施方式的搬送位置调整方法的图。
[0033] 图13是说明本发明的其它的实施方式的搬送位置调整方法的图。
[0034] 图14是说明本发明的其它的实施方式的搬送位置调整方法中的基板位置检测方 法的图。
[0035] 图15是说明本发明的其它的实施方式的搬送位置调整方法中的他的基板位置检 测方法的图。
[0036] 图16是说明本发明的又一个实施方式的搬送位置调整方法中的基板位置检测方 法的图。
[0037] 图17是接着图16,说明本发明的又一个实施方式的搬送位置调整方法中的基板位 置检测方法的图。
[0038] 图18是接着图17,说明本发明的又一个实施方式的搬送位置调整方法中的基板位 置检测方法的图。
【具体实施方式】
[0039] W下，参照附图对本发明的非限定的例示的实施方式进行说明。在附图的全部的 图中，对同一或者对应的部件或零件，附加同一或者对应的参照符号，省略重复的说明。
[0040] (涂布显影装置）
[0041] 首先，参照图1至图4说明本发明的实施方式的涂布显影装置。如图1和图2所示，在 涂布显影装置100W如下顺序设置有载体站S1、处理站S2和接口站S3。另外，涂布显影装置 100的接口站S3侧与曝光装置S4结合。
[0042] 载体站S1具有载置台21和搬送机构C。在载置台21上载置有收纳规定的片数(例如 25片）的半导体晶片下晶片)W的载体20。在本实施方式中，载置台21能够并列载置4个载 体20。在W下的说明中，如图1所示，设定载体20并列的方向为X方向，设定与其正交的方向 为Y方向。搬送机构C从载体20取出晶片W，将其向处理站S2搬送，并且在处理站S2中接收被 处理的处理完的晶片W，将其收纳于载体20。
[0043] 如图1和图2所示，处理站S2与载体站S1的巧方向侧结合，具有:架单元U1;架单元 U2;第一区块(DEV层)B1;第二区块(BCT层)B2;第Ξ区块(COT层)B3;和第四区块(TCT层)B4。
[0044] 如图3所示，架单元U1，例如具有从下方开始依次层叠的，交接模块TRSUTRS1、 C化11、C化2、BF2、CPL3、BF3、C化4和TRS4。另外，如图1所示，在架单元U1的巧方向侧设置有 自由升降的搬送机构D。在架单元U1的各模块之间，利用搬送机构D搬送晶片W。
[0045] 如图3所示，架单元U2,例如具有从下方开始依次叠层的，交接模块TRS6、TRS6和 CPL12〇
[0046] 此外，交接模块中的附加参照符号乂化+数字"的交接模块中存在兼为对晶片W进 行加热的加热模块，并存在兼为对晶片W进行冷却将其维持为规定的溫度(例如23°C)的冷 却模块。附加参照符号"BF+数字"的交接模块兼为能够载置多个晶片W的缓冲模块。另外，在 交接模块TRS、CPL、BF等设置有载置晶片W的载置部。
[0047] (关于处理站的第Ξ区块）
[0048] 接着，参照图4至图6对第Ξ区块B3进行说明。如图4所示，第Ξ区块B3具有:涂布 模 块23;架单元U3;和搬送臂A3。如图5所示，涂布模块23具有:售体80;设置于售体80内的旋转 卡盘81;驱动部82;药液供给喷嘴83;和杯体部84。在售体80形成有搬送口 80a，通过其利用 搬送臂A3向售体80搬入晶片W，从售体80搬出晶片W。旋转卡盘81利用规定的吸引装置(未图 示)吸引晶片W的背面中央部，来进行保持。旋转卡盘81被驱动部82支承，通过驱动部82能够 旋转和上下移动。药液供给喷嘴83被支承驱动部85a和支承轴8f5b支承。通过旋转支承轴 85b，支承驱动部85a使药液供给喷嘴83的前端部83a位于杯体部84的外侧的主化ome)位置 与被旋转卡盘81保持的晶片W的大致中央的上方的药液供给位置的任一处。杯体部84包围 被旋转卡盘81保持的晶片W的周围，接收被供给到晶片W的药液，另外，从形成于下部的排出 口排出药液。在涂布模块23中，作为药液使用光致抗蚀剂液，通过上述的结构，能够在晶片W 上形成光致抗蚀剂膜。
[0049] 另外，如图4所示，第Ξ区块B3的架单元U3具有与涂布模块23相对配置的热处理模 块TM。在热处理模块TM中，进行光致抗蚀剂膜形成的前处理和后处理。另外，在各热处理模 块TM形成有晶片W的搬送口 24。搬送臂A3设置于涂布模块23与架单元U3之间。
[0050] 在此，参照图6对热处理模块TM进一步进行说明。图6是热处理模块TM的截面图。如 图所示，热处理模块TM，具有:售体90;设置于售体90内的热板91;冷却板92;和支承板93。热 板91具有圆片形状，该圆片形状具有比晶片W的直径大的外径。在热板91的内部例如设置有 电热线加热器(未图示)等，由此，热板91被加热到规定的溫度。另外，在热板91例如形成有 Ξ个贯通孔91a(在图6中仅仅表示2个），通过运些贯通孔91曰，对应的Ξ个升降销（lift pin)94能够通过驱动部94a上下移动。由此，升降销94能够将晶片W载置到热板91上，能够将 载置到热板91的晶片W提起。此外，图6(a)中的参照符号97是冷却风扇，能够对被热板91加 热，并能够对从热板91向冷却板92交接的晶片W进行冷却。
[0051] 如图6(b)所示，冷却板92具有板形状，该板形状具有比晶片W的直径大的宽度和长 度。另外，在冷却板92形成有在其前端侧(热板91侧)开日的狭缝92a、92b。狭缝92a、9化容许 通过驱动部95a能上下移动的升降销95上下穿过冷却板92。通过该结构，利用搬送臂A3(图 4)通过搬送口 24向售体90内搬送晶片W，并被保持于冷却板92的上方时，通过升降销95穿过 狭缝92a、92b向冷却板92上突出，晶片W从搬送臂A3被升降销95接收，在搬送臂A3从售体90 退出之后，晶片W被载置到冷却板92上载置。另外，冷却板92,通过未图示的水平驱动部，能 够在支承板93的上方的位置和热板91的上方的位置的之间移动。因此，冷却板92兼为售体 90内的基板搬送部。例如，当载置有晶片W的冷却板92向热板91的上方移动时，通过升降销 94穿过热板91的贯通孔91a和冷却板92的狭缝92a、92b向热板91上突出，晶片W从冷却板92 被升降销94接收，冷却板92向支承板93的上方返回后，升降销94下降，晶片W被载置到热板 91上。另外，当载置到热板91上的晶片W被升降销94提起时，冷却板92进入晶片W和热板91之 间。此时，升降销94收纳于在冷却板92形成的狭缝92a、92b，因此冷却板92能够位于热板91 的上方。接着，通过升降销94下降，晶片W被载置到冷却板92上。接着，冷却板92向支承板93 的上方返回，晶片W经由升降销95被交接到搬送臂A3，晶片W被从热处理模块TM搬出。
[0052] 另外，在冷却板92的内部形成有被冷却的或被溫度调节的介质流动的导管，通过 来自未图示的溫度调节装置的介质流动而被维持在规定的溫度。因此，当被热板91加热的 晶片W被冷却板92接收时，通过冷却板92立即开始被冷却。所W，例如在从热处理模块TM搬 出之后，与利用规定的冷却模块来冷却晶片W的情况相比，能够缩短冷却所需要的时间。
[0053] 另外，参照图6(b)，冷却板92的下方的支承板93具有矩形板形状，该矩形板形状在 大致中央具有开口 93a。通过开口 93a，不存在冷却板92的升降销95的上下移动被支承板93 妨碍的问题。另外，支承板93的上表面配置有4个晶片支承台96。晶片支承台96,包括:具有 圆筒形状的下部96a，和配置于该下部96a上的具有截头圆锥体形状的上部96M参照图6 (C))。
[0054] 另外，如图6(c)所示，4个晶片支承台96配置为，利用上部96b的截头圆锥体形状的 下端与下部96a的上表面限制晶片W的外缘。进一步，W被4个晶片支承台96限制的晶片W的 中屯、和冷却板92的中屯、对应的方式配置4个晶片支承台96。W下，关于晶片支承台96和其配 置具体地进行说明。
[0055] 首先，热处理模块TM的冷却板92向热板91的上方移动。接着，利用搬送臂A3向热处 理模块TM的售体90内搬入晶片W，并将其保持于支承板93的上方。接着，支承板93的下方的 升降销95通过驱动部95a上升，从搬送臂A3接收晶片W。在搬送臂A3退出后，当升降销95通过 驱动部95a下降时，晶片W被支承板93的晶片支承台96支承。此时，即使晶片W的外缘接近晶 片支承台96的上部96b的斜面，也在斜面滑动到达下部96a的上表面，运样，晶片W的外缘被4 个晶片支承台96限制。之后，当晶片W被升降销95从晶片支承台96提起，被搬送臂A3接收时， 升降销95下降，冷却板92返回到支承板93的上方。在此，通过搬送臂A3与升降销95协动，从 搬送臂A3向冷却板92转移晶片W。冷却板92上的晶片W如上述的方式被载置于热板91上。此 时，晶片W的中屯、与热板91的中屯、一致。即，被支承板93上的晶片支承台96限制的晶片W恰当 地载置于热板91上。换而言之，当在支承板93上利用晶片支承台96对准晶片W时，W载置于 热板91上的晶片W的中屯、与热板91的中屯、一致的方式，在支承板93上定位4个晶片支承台 96 〇
[0056] 再次，参照图1和图3,第一区块B1具有：显影模块22;搬送臂A1;和往复移送臂E。详 细来说，在第一区块B1内具有2个显影模块22,运些显影模块22上下层叠。各显影模块22具 有与上述的涂布模块23相同的结构，通过向形成于晶片W的表面和被曝光的光致抗蚀剂膜 供给作为药液的显影液，来显影光致抗蚀剂膜。另外，搬送臂A1向2个显影模块22搬送晶片 W。往复移送臂E在架单元U1的交接模块CPL11与架单元U2的交接模块CPL12之间搬送晶片W。
[0057] 第二区块B2和第四区块B4具有与第Ξ区块B3相同的结构。在第二区块B2中，供给 防反射膜用的药液，形成有成为光致抗蚀剂膜的底层的下部防反射膜。在第四区块B4中，也 供给防反射膜用的药液，在光致抗蚀剂膜的上方形成有上部防反射膜。
[0058] 此外，如图3所示，对第二区块B2的搬送臂附与参照符号A2,对第四区块B4的搬送 臂附与参照符号A4。
[0059] 接口站S3与处理站S2的巧方向侧结合，如图1所示，具有接口臂F。接口臂F配置于 处理站S2的架单元U2的巧方向侧。在架单元U2的各模块之间和各模块与曝光装置S4之间， 利用接口臂F搬送晶片W。
[0060] (涂布显影装置中的晶片的流动）
[0061] 在具有上述的结构的涂布显影装置100中，下的方式向各模块搬送晶片W，并 对晶片W进行与模块对应的处理。首先，通过载体站S1的搬送机构C从载置台21上的载体20 取出晶片W，并将其向处理站S2的架单元U1的交接模块CPL2搬送(参照图3)。搬送到交接模 块CPL2的晶片W，被第二区块B2的搬送臂A2依次搬送到第二区块B2的各模块(热处理模块和 涂布模块），在晶片W上形成下部防反射膜。
[0062] 形成有下部防反射膜的晶片W，被搬送臂A2向架单元U1的交接模块BF2搬送，被搬 送机构D(图1)向架单元U1的交接模块CPL3搬送。接着，晶片W被第Ξ区块B3的搬送臂A3接 收，被依次搬送到第Ξ区块B3的各模块（图4所示热处理模块TM和涂布模块23)，在下部防反 射膜上形成光致抗蚀剂膜。
[0063] 形成有光致抗蚀剂膜的晶片W被搬送臂A3搬送到架单元U1的交接模块BF3。
[0064] 此外，形成有光致抗蚀剂膜的晶片W，在第四区块B4中，有时也形成防反射膜。在该 情况下，晶片W经由交接模块CPL4被第四区块B4的搬送臂A4接收，被依次搬送到第四区块B4 的各模块(热处理模块和涂布模块），在光致抗蚀剂膜上形成上部防反射膜。之后，晶片W被 搬送臂A4交接到架单元U1的交接模块TRS4。
[0065] 形成有光致抗蚀剂膜(或者在其上方还有上部防反射膜)的晶片W，被搬送机构D从 交接模块BF3 (或者交接模块TRS4)向交接模块CPL11搬送。搬送到交接模块CPL11的晶片W， 在被往复移送臂E搬送到架单元U2的交接模块CPU 2后，被接口站S3的接口臂F接收。
[0066] 在此之后，晶片W被接口臂F搬送到曝光装置S4，进行规定的曝光处理。进行过曝光 处理的晶片W被接口臂F搬送到架单元U2的交接模块TRS6,返回到处理站S2。返回到处理站 S2的晶片W，被向第一区块B1搬送，在此进行显影处理。进行过显影处理的晶片W被搬送臂A1 搬送到架单元U1的交接模块TRS1，被搬送机构C返回到载体20。
[0067] (关于搬送臂）
[0068] 接着，参照图7至图9,对设置于第Ξ区块B3的搬送臂A3进行说明。
[0069] 如图7所示，搬送臂A3具有:2个叉(fork)3A、3B;基台31;旋转机构32(图4);进退机 构33A、33B;和升降台34(图4)。另外，对应搬送臂A3设置有后述的检测部5A~加（图10)。还 有，搬送臂A3和检测部5A~抓被后述的控制部6控制。
[0070] 叉3A配置于叉3B的上方。基台31通过旋转机构32围绕铅直轴自由旋转。另外，如图 7所示，叉3A、3B各自在其基端侧被进退机构33A、33B支承。进退机构33A、33B使用滚珠丝杠 机构或齿轮皮带(timing belt)等的传递机构与电动机Μ(图11参照)连结，相对基台31自由 进退地驱动叉3Α、3Β。
[0071] 再次参照图4,升降台34设置于旋转机构32的下方侧。升降台34设置为，沿在上下 方向（图4中Ζ轴方向）上直线状延伸的未图示的Ζ轴导轨，通过升降机构自由升降。作为升降 机构能够采用使用滚珠丝杠机构或齿轮皮带的机构等。在该例中，Ζ轴导轨和升降机构各自 被覆盖体35覆盖，例如在上部一侧连接成为一体。另外，覆盖体35构成为，沿在Υ轴方向上直 线状延伸的Υ轴导轨36滑动移动。
[0072] 接着，参照图7和图8,进一步说明叉3Α、3Β。如图8(a)所示，叉3Α、3Β具有包围搬送 的晶片W的周围的圆弧状的前端部。叉3Α、3Β形成有4个保持爪44、48、4(：、40。保持爪44~40 从叉3Α、3Β的内边各自向内方突出，并且沿内边相互隔着间隔设置。此外，在图示的例中设 置有4个保持爪4Α~4D，但也可W设置Ξ个W上的保持爪。
[0073] 如图9所示，叉3Α的保持爪4Α~4D设置有吸附孔41Α~41D;和包围吸附孔41Α~41D 的各自的周围的环状的垫衬42Α~42D。如图8(a)所示，吸附孔41Α~41D与在叉3Α的内部、上 表面或者下表面形成的真空配管43Α连通。真空配管43Α与未图示的真空排气部连接。叉3Β 的保持爪4Α~4D也同样分别设置有吸附孔41Α~41D和垫衬42Α~42D，如图8(a)所示，吸附 孔42Α~42D与在叉3Β的内部、上表面或者下表面形成的真空配管43Β连通，真空配管43Β与 真空排气部连接。构成有运样的真空卡盘机构，因此当晶片W被保持爪4Α~4D的垫衬42Α~ 42D支承时，晶片W通过真空配管43Α(或者43Β)被真空排气部吸引，能够被叉3Α(或者3Β)牢 固地保持。
[0074] 此外，垫衬42Α~42D为了提高与晶片W的背面周边部的密合性，例如优选采用具有 弹性的橡胶等的材料制作。
[0075] (关于搬送臂的叉的检测部）
[0076] 接着，关于对被叉3Α、3Β保持的晶片W的位置进行检测的检测部进行说明。参照图 7,基台31设置有从基台31开始立起弯折并在水平方向上延伸的支承部件53。在支承部件53 与其4个腕部对应安装有传感器524、528、52(：、520。传感器524~520位于在基端侧后退的叉 3Α、3Β的上方。具体来讲，如图9所示，当从上方观看时，沿被叉3Α(或者3Β)保持的晶片W的周 缘W规定的间隔配置有传感器52Α~52D。另外，传感器52Α~52DW横穿晶片W的周缘的方式 延伸。传感器52Α~52D在本实施方式中是CCD线传感器(line censor)。
[0077] 此外，在W下的说明中，有时将叉3A、3B后退至基端侧时的位置称为主位置。
[0078] 再次参照图7,在基台31上设置有光源5心、518、51(：、510。光源5心与传感器52八对 应配置，光源51B与传感器52B对应配置，光源51C与传感器52C对应配置，光源51D与传感器 52D对应配置。在本实施方式中，光源51A~51D由直线状配列的多个发光二极管(LED)构成。 由光源51A~51D和对应的传感器52A~52B构成检测元件部。
[0079] 此外，也可W将光源51A~51D设置于支承部件53,将传感器52A~52D设置于基台 31。另外，只要叉3A、3B和被它们保持的晶片W横穿检测部5A~5B之间，光源51A~51D(或者 传感器52A~52D)也可W不在基台31上，使用规定的支承部件配置。
[0080] 如图10所示，检测部5A包括:光源51A，传感器52A，检测控制部54，数字模拟转换器 (DAC)55,和模拟数字转换器(ADC)56。另外，在图10中省略图示，但检测部5B、5C、加，含有： 对应的光源51B、51C、51D和传感器528、52(：、520，与检测部54同样构成。
[0081]检测控制部54是定时信号发生器(timing generator)，基于来自未图示的时钟的 时钟信号，使由CCD线传感器构成的传感器52A的各CCD的动作时刻偏移，使电荷移动。另外， 检测控制部54也进行由多个LED构成的光源51A的电流控制。DA巧5对来自检测控制部54的 数字控制信号进行模拟转换，并将转换过的模拟信号对光源51A进行输出。ADC56对来自传 感器52A的作为检测信号的模拟输出信号进行数字转换，生成检测信号。
[0082] 从检测部5A的AD巧6输出的检测信号(检测值)被输入控制部6的计算处理部61。控 制部6经由放大器57,控制驱动进退机构33A、33B的X轴驱动用的电动机、驱动基台31的Y轴 驱动用的电动机、驱动升降台34的Z轴驱动用的电动机、和驱动旋转机构32的旋转驱动用的 电动机。
[0083] 通过利用W上的那样的结构，来自检测控制部54的控制信号被DA巧5进行模拟转 换，被模拟转换的控制信号被输入光源51A，光源51A发出直线状的光。从光源51A发出的光， 被传感器52A接受。接受光的传感器52A，基于来自检测控制部54的控制信号的时刻，输出与 受光量匹配的信号。从传感器52A输出的检测信号(检测值），在被ADC56进行数字转换后，被 输入控制部6内的计算处理部61。
[0084] 控制部6不仅控制检测部5A~加，也控制搬送臂的动作。W下，参照图11对控制模 块之间的晶片W的交接的控制部6进行说明。
[0085] 参照图11，搬送臂A3的叉3A进入冷却模块7内。冷却模块7,例如是图4所示的热处 理模块TM中一个。如图所示，冷却模块7具有:处理容器71，载置部72,升降销73,和升降机构 74。载置部72设置有用于对晶片W进行冷却至规定的溫度，溫度调节过的流体流动的导管 (未图示）。另外，载置部72设置有多个贯通孔，与多个贯通孔对应的多个升降销73设置为可 上下移动。升降销73通过升降机构74升降。
[0086] 控制部6具有:计算处理部61，存储部62，显示部63，和警报产生部64。计算处理部 61例如具有存储器，CPlKCentral Processing化it)，读取记录于存储部62的程序，并按照 该程序所包含的命令(指令），向搬送臂A3的各电动机Μ发送控制信号，执行晶片W的交接和 搬送。另外，计算处理部61，读取记录于存储部62的程序，并按照该程序所包含的命令(指 令），向涂布显影装置100的各部发送控制信号，执行各种处理。
[0087] 存储部62记录用于使计算处理部61执行各种处理的程序，从计算机可读取的记录 介质62a存储程序。在程序中，为了实施后述的位置调整方法，具有含有使涂布显影装置100 和其结构部件等动作的命令(指令)的程序。另外，作为记录介质62a，例如能够使用磁盘、光 盘、硬盘、磁光(Ma即eto optical :M0(磁光））盘。
[0088] 显示部63例如是具有液晶化CD)面板等的显示器。在显示部63中，能够进行各种的 基板处理用的程序的选择和各基板处理中的参数的输入操作。
[0089] 警报产生部64含有搬送臂A3,当涂布显影装置100的各部参数异常时，产生并输出 警报信号。
[0090] 另外，计算处理部61，对搬送臂A3的进退机构33A、33B、基台31、升降台34、设置于 旋转机构32的电动机、编码器38和计算脉冲数的计数器39等发送规定的控制信号，进行控 审IJ。而且，存储部62包含有用于执行本实施方式设及的基板搬送方法的程序。
[0091] (关于搬送臂的巧由方向的位置调整方法）
[0092] 接着，关于本发明的实施方式的基板搬送装置的位置调整方法，W使用图4和图7 所示的搬送臂A3和涂布模块23的情况为例进行说明。此外，该位置调整方法(和后述的其它 的位置调整方法），例如优选在图1所示的基板处理装置的起动之后立刻进行。另外，例如， 基板处理装置在经过比规定的时间长的时间成为待机状态（idle(空转)状态)之后，在开始 进行制造前进行位置调整。还有，运些位置调整方法使用的晶片，不是设置有传感器等的测 试晶片，例如使用裸晶片（bare wafer)(或者再生晶片（reclaimed wafer))。
[0093] 图12(a)至图12(c)表示对搬送臂A3的叉3A的Z轴方向的位置进行调整的第一的方 法。如图12(a)所示，涂布模块23的旋转卡盘81通过驱动部82(图5)上升至晶片接收位置。在 该状态下，保持晶片W的叉3A，在上升至能够向旋转卡盘81的上方搬送晶片W的高度之后，通 过搬送口80a进入售体80(图5)内，将晶片W维持在旋转卡盘81的上方。
[0094] 接着，如图12(b)所示，叉3A下降。此时，例如仅仅下降0.1mm，然后停止，暂时起动 设置于叉3A的真空机构，当检测到晶片W被叉3A吸引时，停止真空机构（吸引），再次例如仅 仅下降0.1mm。
[00M]当重复该次序时，均如图12(c)夸张所示的方式，晶片W被旋转卡盘81接收，晶片W 的背面离开叉3A。在该情况下，即使起动真空机构，晶片W也不被叉3A吸引。此时的叉3A的Z 轴方向的位置(高度），作为该涂布模块23中的Z轴方向的基准位置被掌握。然后，通过将该 基准位置设定为新的基准位置，位置调整结束。
[0096] 在此之后，当旋转卡盘81位于杯体内的晶片旋转位置时，叉3A在距新的基准位置 仅仅低规定的距离的位置，将晶片W向售体80内搬入，在将晶片W维持于旋转卡盘81的上方 后，通过向上方移动旋转卡盘81，从叉3A向旋转卡盘81交接晶片W。
[0097] 此外，晶片W是否被叉3A吸引，例如能够通过在连接与上述的吸附孔41A~41D连通 的真空配管43A(参照图8和图9)和真空排气部(未图示）的配管中设置的真空传感器和真空 计等来进行检测。
[0098] 另外，图12(d)至图12(f)表示进行搬送臂A3的叉3A的Z轴方向的位置调整的第二 方法。在该方法中，使叉3A上升并掌握基准位置。即，如图12(d)所示，向旋转卡盘81交接晶 片W。接着，如图12(e)所示，使叉3A进入晶片W的下方。然后，例如使叉3A仅仅上升0.1mm并停 止，起动真空机构。如图12(e)所示，当在晶片W与叉3A之间具有间隙时，晶片W不被叉3A吸 附。之后，当重复进行叉3A的上升、上升停止和吸引时，如图12(f)所示，叉3A与晶片W的背面 接触。在该情况下，当起动真空机构时，晶片W被叉3A吸附。由此，叉3A能够掌握涂布模块23 中的Z轴方向的基准位置。于是，将掌握的基准位置设定为新的基准位置，Z轴方向的位置调 整结束。
[0099] 根据W上说明的Z轴方向的位置调整方法，不使用调整夹具等就能够廉价且简单 地掌握基准位置。另外，只要适当调整上述的下降部分和上升部分，就能够进行与对应所需 精度的位置调整。
[0100] (关于搬送臂的XY方向的位 置调整(1))
[0101] 接着，对使用涂布模块23进行搬送臂3A的XY方向的位置调整的情况进行说明。此 夕h在参照的图中，为了图示的方便，省略叉3A中的传感器等。
[0102] 如图13(a)所示，在面对涂布模块23的位置中，当叉3A保持晶片W时，检测出晶片W 的中屯、位置0'。为了进行该检测，首先，通过控制部6和检测部5A(图10)计算测量晶片W的周 边部的位置。具体来讲，设置于叉3A的下方的光源51A~51D(图7)朝向上方方向发光。该光 被设置于叉3A的上方的传感器52A~52D接受。当传感器52A~52D为沿晶片W的径方向直线 状配置有CCD的CCD线传感器时，基于各CCD的检测值，能够决定受光的CCD和不受光的CCD的 边界的位置。然后，基于决定的边界的位置，能够计算测量晶片W的周边部的位置。
[0103] 在此，如图14所示，使4个的传感器52A~52D的延长的方向与Y轴所成的角为Θ1、θ 2、Θ3、Θ4。另外，使当晶片W保持于叉3Α的适当位置(未偏移的位置)时的传感器52Α~52D上 的晶片W的周边部的位置分别为a点、b点、C点、d点。另外，使保持于叉3Α的晶片W的(现实的） 位置中的传感器52A~52D上的晶片W的周边部的位置分别为a'点、b '点、C '点、d'点。
[0104] 当使各传感器52A~52D中的a点和a'点的距离为Aa，使b点和b'点的距离为Ab， 使C点和C '点的距离为Δ C，使d点和d '点的距离为Δ加寸，距离Δ a、Δ b、Δ C、Δ d能够表示 为：
[0105] A a(mm)=((日'点的像素数)-(a点的像素数））X像素间隔(mm) (1)
[0106] Δ b (mm) = ((b '点的像素数)-(b点的像素数））X像素间隔(mm) (2)
[0107] Δ C (mm) = ((C '点的像素数)-(C点的像素数））X像素间隔(mm) (3)
[0108] A d(mm) = ((d '点的像素数)-(d点的像素数））X像素间隔(mm) (4)。
[0109] 此外，a点的像素数是从传感器52A~52D的晶片W的中屯、侧中的开始点至a点中的 像素的数。
[0110] a点~d点、a '点~d '点的坐标，W如下方式表示。
[0123] 所 W，通过式(6)、式(8)、式（10)、式（12)，能够求出a'点（ΧΓ，Yl'）、b'点（X2'， ￥2'）、(：'点做'，￥3'）、(1'点口4'，￥4'）的坐标。
[0124] 此外，上述的式中，X是当晶片W位于适当位置时的晶片W的中屯、的X坐标，Y是当晶 片W位于适当位置时的晶片W的中屯、的Y坐标。适当位置中的晶片W的中屯、位置0的坐标(X， Y)，也可通过使晶片W预先至于适当位置进行测定求得，也可基于叉3A的内边求得。
[0125] 接着，根据a'点、b'点、C'点、d'点中的任意Ξ个点算出现实的位置中的晶片W的中 屯、位置0 ' 的坐标(X'，Y'）。例如，根据a ' 点(ΧΓ，ΥΓ )、b ' 点(X2 '，Y2 '）、C ' 点(X3 '，Y3 '）的Ξ 个点，现实位置中的晶片W的中屯、位置0'的坐标(Χ'，Υ'），能够根据下述的式（13)和（14)求 出。
[0126]数式 1
[0130] 另外，通过中屯、位置0'的坐标U'，Y'）和a'点（Xr，Yr)、b\^、（X2'，Y2'）、c\^、 (X3'，Υ3'）的各坐标，能够根据下述的式（15)求出半径R'。
[0131] 数式 3
[0132]
(15)
[0133] 另外，a'点、b'点、C'点、d'点中的、与前述的Ξ个点(a'点、b'点、C'点)不同的Ξ个 点的组合，例如基于(a '点，b '点，d '点）、（a '点，C '点，d '点）、（b '点，C '点，d '点），通过式 (13)至（15)进一步算出中屯、位置0'的坐标(Χ'，Υ'）和半径R'。该半径R'，如W下方式，利用 于为了判定4个传感器52Α~52D的任一是否检测到晶片W的周边部的缺口部WN。具体来讲， 首先，判定任意的Ξ个点的组合对应的半径R'，与晶片W的已知的作为半径的R大致相等。 良Ρ，如图14所示，当俯视观看，晶片W的缺口部WN均不在a '点、b '点、C '点、d'点的任一附近 时，基于a '点、b '点、C '点、d '点中的、任意的Ξ个点的组合算出的半径R'也与半径R大致相 等。此时，判定4个传感器52A~52D都是未检测到晶片W的缺口部WN。
[0134] 另一方面，例如，如图15所示，当俯视观看时，当晶片W的缺口部WN位于b'点的附近 时，基于除去b'点之外的Ξ个点的组合算出的半径R'与半径R大致相等。但是，基于包含b' 点的Ξ个点的组合算出的半径R'比半径R小。根据该结果，判定4个传感器52A~52D中的传 感器52B检测到晶片W的缺口部WN。
[0135] 接着，选择传感器52A~52D中的未检测到缺口部WN的Ξ个传感器的检测值。如图 14所示，当4个传感器52A~52D都未检测到晶片W的缺口部WN时，也可W选择传感器52A~ 52D中的任意Ξ个传感器的检测值。另外，在图15所示的情况下，选择除了传感器52B之外的 来自传感器52A、52C、52D的检测值。
[0136] 接着，求出基于选择的Ξ个传感器的检测值算出的晶片W的中屯、位置0'的坐标 (乂'八'）。另外，该坐标村'^'）例如存储于存储部62。此外，坐标村'，￥'）是^通过叉34被保 持于适当位置的晶片W的中屯、位置0为原点的X-Y坐标上的坐标（即，晶片W的中屯、位置0'的 坐标(X'，Υ'）表示与叉3的相对位置）。
[0137] 接着，如图13(b)所示，叉3Α将晶片W搬送至旋转卡盘81的上方，旋转卡盘81上升， 从叉3Α接收晶片W。即，此时，晶片W位于比叉3Α更高的位置。另外，在图示的例中，叉3Α静止 于原来状态的位置，但也可W从杯体部84的上方位置退出。
[0138] 接着，如图13k)所示，旋转卡盘81旋转180°，再次下降，将晶片W交接给叉3Α。在此 之后，如图13(d)所示，接收晶片W的叉3A从涂布模块23退出。在面对涂布模块23的位置，与 上述相同，求出晶片W的中屯、位置0"的坐标(Χ"，Υ")。
[0139] 在此，存储的晶片W的中屯、位置0'的坐标U'，Y'）和新求出的晶片W的中屯、位置0" 的坐标(Χ"，Υ")是通过旋转卡盘81使晶片W旋转180°左右求出的，因此运些坐标的中点相当 于旋转卡盘81的旋转中屯、。所W，旋转中屯、的坐标0 (Xc，Yc)能够根据0口。，￥(3) = (^'一 Χ?/2, |Υ'一Υ?/2)求出。
[0140] 在此之后，通过W叉3Α的适当位置中的晶片W的中屯、位置与求出的坐标0(Xc，Yc) 一致的方式移动叉3A，并将移动后的位置设定为叉3A的X轴方向和Y轴方向的基准位置，该 涂布模块23中的叉3A的位置调整结束。
[0141] 根据W上说明的XY方向的位置调整方法，通过使用设置于叉3A的光源51A~51D和 传感器52A~52D，求出利用涂布模块23的旋转卡盘81使晶片W旋转180°左右的晶片W的中屯、 位置，能够求出旋转卡盘81的旋转中屯、位置，基于该位置能够决定叉3A的基准位置。因不需 要使用调整夹具等，根据该位置调整方法，提供能够廉价且简单地进行位置调整的优点。
[0142] 此外，在W上的例子中，使晶片W旋转180°，但例如也可W为90°，只要不是360°，即 使为任何度数，都能够求出旋转中屯、位置。
[0143] 另外，晶片W的中屯、位置的坐标(Χ'，Υ'）和坐标(Χ"，Υ")是叉3A中的X-Y坐标平面中 的坐标点，根据运些中点求出旋转卡盘81的旋转中屯、位置，因此不需要晶片W的叉3Α的定 位。即，在进行上述的位置调整方法之前，即使晶片W从叉3Α中的适当位置发生偏移，也能够 进行该位置调整方法。换而言之，不进行叉3Α的晶片W的位置调整，也能够进行叉3Α的位置 调整。
[0144] 此外，上述的位置调整方法具有可调整的范围，在调整之前，搬送臂A3的叉3Α收纳 于该范围成为前提。是否在可调整的范围，例如优选:能够利用上述的晶片W的中屯、位置的 检测方法来进行判定，当不在可调整的范围内时，发出警报。
[0145] (关于搬送臂的ΧΥ方向的位置调整(2))
[0146] 接着，使用图4和图6所示搬送臂A3和热处理模块ΤΜ，说明实施搬送臂3Α的ΧΥ方向 的其它的位置调整的情况。此外，在W下参照的图中，为了图示的方便，叉3Α中的传感器等 省略。
[0147] 图16至图18是用于说明搬送臂3Α的ΧΥ方向的其它的位置调整的图。例如，图16(a) 中的左图和中央图是表示搬送臂3Α与热处理模块ΤΜ内的支承板93等的位置关系的俯视图， 右图是与中央图对应的侧视图。图16(b)至图18Q)也同样。
[0148] 如图16(a)所示，搬送臂3Α在面对热处理模块ΤΜ的位置保持晶片W。此时，图6所示 的冷却板92向热板91的上方移动，至位置调整结束为止都处于该状态。另外，冷却板92的下 方的升降销95位于较低的位置。
[0149] 接着，如图16(b)所示，叉3Α向支承板93的上方移动，在4个晶片支承台96的上方保 持晶片W。如图16(c)所示，升降销95通过支承板93的开口 93a上升，从叉3Α接收晶片W。
[0150] 之后，如图17(d)所示，叉3A从热处理模块TM退出。如图17(e)所示，当升降销95下 降时，晶片W被支承板93上的4个晶片支承台96支承。此时，晶片W被晶片支承台96的上部96b 的下端和下部96a的上表面限制，被定位于适当的位置。被晶片支承台96定位的晶片W的适 当的位置，如上述的那样，与热处理模块TM内的热板91(图6)上的晶片W的适当的位置对应。
[0151] 接着，如图17(f)所示，升降销95再次上升，如图18(g)所示，叉3A进入晶片W与支承 板93之间。如图18化)所示，升降销95下降，将晶片W交接到叉3A，如图18Q)所示，叉3A从热 处理模块TM退出。
[0152] 接着，如上述的方式，能够求出晶片W的中屯、位置的坐标。该坐标与被晶片支承台 96定位的晶片W的中屯、位置一致，因此W叉3A的中屯、(保持于叉3A的适当的位置的晶片W的 中屯、）与求出的坐标一致的方式移动叉3A，并通过将其中屯、位置设定为基准 位置，叉3A的X 轴方向和Y轴方向的位置调整结束。
[0153] 根据W上说明的XY方向的位置调整方法，通过利用预先设置在热处理模块TM的4 个晶片支承台96限制晶片W的位置，来掌握该模块中的适当的位置，能够基于掌握的位置来 进行叉3A的位置调整。另外，不需要使用调整夹具等，因此根据该位置调整方法，能够廉价 且简单地进行位置调整。还有，该方法，通过设置将晶片W限制于适当的位置的晶片支承台， 即使在如热处理模块TM和交接单元TRS等那样的不具有使晶片W旋转的机构的模块中，也能 够进行实施。例如，优选:在交接单元TRS中，除了晶片台（或者晶片支承部或者晶片支承销） 即暂时载置晶片W的交接单元TRS本来的载置部之外，还W搬送臂能够到达晶片台的下方的 方式设置支承板93和晶片支承台96。在该情况下，在被晶片支承台96限制的晶片W的位置， W与晶片台的适当位置对应的方式设置有支承板93和晶片支承台96。
[0154] 此外，即使在该位置调整方法中，也存在可调整的范围（例如晶片W能够被晶片支 承台96限制的范围），在调整之前，搬送臂A3的叉3A收纳于该范围成为前提。是否在可调整 的范围，例如优选:能够利用先前说明的晶片W的中屯、位置的检测方法进行判定，当不在可 调整的范围内时，发出警报。
[0155] W上，对本发明的优选的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述的实施 方式，对照添加的专利申请的范围的记载，能够进行各种变形变更。
[0156] 例如，在上述的实施方式中，对搬送臂A3进行了说明，搬送臂A1、A2、A4、搬送机构 C、搬送机构D、和接口臂F也能够还具有与搬送臂A3相同的结构，由此，能够实施上述的基板 搬送方法。另外，搬送前的模块(一个模块)和搬送后(搬送目的地）的模块(其它的模块)并 不限于示例，也可W是具备载置有晶片W的载置部的模块。
[0157] 另外，上述的实施方式并不限于W上下重叠的方式设置2个叉3A、3B的例子，2个叉 3A、3B也可W在水平方向上并列设置。另外，叉3也可W仅仅为1个，或者，也可上下重叠 的方式或者在水平方向上并列设置Ξ个W上。
[015引另外，在上述的实施方式中，考虑晶片W的缺口部WN，相对叉3A等设置有4个光源 51A~51D和与它们对应的4个传感器52A~52D，例如，在没有缺口部WN使用具有定向平面 (0F:orien化tion flat)的晶片的情况下，当OF的位置未较大偏移时，为了检测0FW外的周 边部，也可W设置Ξ个光源和与它们对应的Ξ个传感器。
[0159] 另外，替代光源51A~51D和与它们对应的传感器52A~52D，也可W在保持爪4A~ 4D设置静电传感器来检测晶片W的叉3A等的位置。还有，例如使用照相机，基于通过照相机 获得的图像，也可W检测晶片W的叉3A等的位置。当使用照相机时，能够获得晶片W的周边部 的4个点的位置信息。所W，并不一定需要使用4台照相机，也可W使用1台照相机获得4个点 的位置信息。当使用怡照相机时，例如能够W位于2根叉3A、3B的上方的方式经由支承部件 安装于基台31。
[0160] 即使在使用照相机时，作为使用传感器52A~52D的例子如上述的方式，当保持晶 片W的叉3A、3B位于主位置时，通过照相机对图像进行拍照。而且，通过对拍照的图像进行图 像处理，求出晶片W的周边部的4点的位置信息。接着，基于4个点中的位置信息，判定4个点 中的任一个是否检测到晶片W的缺口部WN，当4个点中的任一个晶片检测到W的缺口部WN时， 能够基于其1个点W外的Ξ个点中的位置信息，检测晶片W的叉3A等的位置。
[0161] 对作为光源51使用多个Lm)的例子进行了说明，但也能够使用在单一的Lm)的发光 侧直线状地设置有导光材料作为直线状的光源。另外，作为传感器52，不是CCD线传感器，能 够使用纤维线传感器(fiber line sensor)、光电传感器等各种的线性图象传感器。
[0162] 在上述的叉3A的Z轴方向的位置调整方法（图12)中，取代含有真空传感器的真空 机构，也能够在具有静电传感器的叉中实施。
[0163] 另外，当求晶片W的叉3A的位置时，利用了适当位置中的晶片W的中屯、位置0,但替 代运些，也可W在叉3A设置1个或者多个位置标记，W位置标记为基准，利用晶片W的叉3A的 位置偏移。
[0164] 另外，叉3A的XY方向中的位置调整方法即使在一个叉与其它的叉之间也能够实 施。即，例如在图13(b)中，叉3A退出，在图13(c)中，相同的搬送臂A3的叉3B进入杯体部84的 上方位置，也可W如图13(d)的方式搬出晶片W。即使在该情况下，通过利用在将晶片W交接 到旋转卡盘81前的中屯、位置0的坐标的数据和有关从旋转卡盘81接收晶片W后的中屯、位置 0"的坐标的数据，能够求出旋转卡盘81的旋转中屯、位置。
[0165] 另外，在图18(g)中，向热处理模块TM进入的叉，也可W不是搬送臂A3的叉3A，而是 其它的叉。即使在该情况下，被晶片支承台96限制的晶片W的位置是该模块中的适当的位 置，因此当使作为适当的位置的晶片W的中屯、位置和与其它的叉的中屯、位置一致时，能够进 行其它的叉的位置调整。运样的调整，例如，能够在能够到达图1所示的涂布显影装置100中 的架单元U1(的例如交接单元TRS)的搬送机构D与搬送臂A1、A2、A4(图2)之间适当实施。
[0166] 另外，对在热处理模块TM的支承板93设置有4个晶片支承台96的例子进行了说明， 但也可W为Ξ个W上。还有，晶片支承台96的上部96b具有倾斜面，只要通过倾斜面的下端 和晶片支承台96的下部96a的上表面能够限制晶片W的位置，并不限于截头圆锥体形状。换 而言之，晶片支承台96,可W具有如下形状:当晶片W的外缘与倾斜面接触时，晶片WW晶片W 的外缘沿倾斜面滑动的方式下降，到达下部96a的上表面。例如，也可W由Ξ角形状的板构 成上部96b，使该板立于下部96a的上表面，ΚΞ角形的斜边作为倾斜面发挥功能。
[0167] 另外，例示了具有旋转卡盘81的涂布模块23,但涂布模块也可W不是旋转卡盘81， 而是具有对晶片W的周边部进行支承并使其旋转的旋转机构。
[0168] 另外，优选:上述的位置调整方法，例如在各模块按每个模块存储X轴、Y轴、和Z轴 方向的基准位置，在向模块搬送晶片W之前，按每个模块呼出基准位置，校正叉3A的位置。
[0169] 另外，晶片W并不限于半导体晶片，也可W为FTO用的玻璃基板。
[0170] 符号说明
[0171 ] A3~A4...搬送臂(基板搬送装置）
[0172] 3A、3B...叉
[0173] 31…基台
[0174] 41A ~41D...吸附孔
[0175] 5A~抓…检测部
[0176] 51A ~51D...光源
[0177] 52A ~52D...传感器
[017引 6…控制部 [0179] W…晶片
【主权项】
1. 一种热处理装置，其对基板进行热处理，所述热处理装置的特征在于，包括： 冷却板，其构成为能够在第一位置与第二位置之间移动，并且载置并冷却基板，具有比 基板的直径大的宽度和长度，所述第一位置是所述基板被搬入和搬出的位置； 圆形的热板，其对被所述冷却板冷却并从所述冷却板搬送来的所述基板进行加热，具 有比所述基板的外径大的外径，所述第二位置是该热板上的位置;和 支承板，其以不能移动的方式配置于所述第一位置的下方的位置，具有多个支承部件， 在所述多个支承部件之上支承所述基板，所述支承部件与所述基板的外缘接触，限制所述 基板在水平方向的位移，将所述基板定位在所述基板的中心和配置于所述第一位置的所述 冷却板的中心一致的位置。2. 如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于： 所述限制部件具有截头圆锥体形状。3. -种基板搬送位置调整方法，其是权利要求1所述的热处理装置的基板搬送位置调 整方法，该热处理装置还包括:基台，其通过升降轴上下升降，并且通过自由旋转的旋转机 构围绕铅直轴动作;和基板保持部，其被设置于该基台的进退机构支承，从该基台的基端向 前方侧自由进退，所述基板搬送位置调整方法的特征在于，包括： 利用所述基板保持部保持基板，对于所述基板保持部位于所述基端的所述基板，检测 该基板的外缘部的至少3个位置的第一检测步骤； 交接所述基板并利用所述限制部件对该基板进行定位的步骤； 利用所述基板保持部接收所述基板并后退至所述基端的步骤； 利用所述位置检测单元检测所述基板保持部接收到的该基板的外缘部的至少3个位置 的第二检测步骤； 对根据由所述第一检测步骤得到的外缘部的检测位置求出的所述基板的中心位置和 基于由所述第二检测步骤得到的外缘部的检测位置得到的所述基板的中心位置进行计算 处理，掌握进行所述定位后的中心位置的步骤;和 基于所掌握的所述中心位置，调整使所述基板保持部移动的位置的步骤。4. 如权利要求3所述的基板搬送位置调整方法，其特征在于： 所述位置检测单元具有用于检测基板的外缘部的4个位置的位置检测部，检测3个位置 的所述第一检测步骤检测任意的3个位置。
【专利摘要】本发明提供不使用调整夹具就能够进行搬送位置调整的基板搬送装置的位置调整方法。本发明提供基板搬送装置的位置调整方法，其包括：第一检测步骤，利用搬送基板的基板搬送部保持基板，检测基板的位置；将由基板搬送部保持的基板向保持并旋转基板的基板旋转部搬送的步骤；利用基板旋转部使由基板旋转部保持的基板仅仅旋转规定的角度的步骤；从基板搬送部接收被基板旋转部旋转的基板的步骤；第二检测步骤，检测基板搬送部接收的该基板的位置；基于在第一检测步骤求出的基板的位置和在第二检测步骤求出的基板的位置，掌握基板旋转部的旋转中心位置的步骤；和基于掌握的旋转中心位置，调整基板搬送部的位置的步骤。
【IPC分类】H01L21/677, H01L21/67, H01L21/68, H01L21/687
【公开号】CN105489537
【申请号】CN201610034301
【发明人】道木裕一, 林德太郎, 饭田成昭, 榎木田卓
【申请人】东京毅力科创株式会社
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2012年3月1日
【公告号】CN102655103A, CN102655103B, US8755935, US9299599, US20120224945, US20140234991
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