有机发光显示设备和制造有机发光显示设备的方法
有机发光显示设备和制造有机发光显示设备的方法
【技术领域】
[0001] 示例实施例设及有机发光显示设备和制造有机发光显示设备的方法。更具体地 说，示例实施例设及具有对于外部光的提高的透射率的有机发光显示设备和制造有机发光 显示设备的方法。
【背景技术】
[0002] 显示器包括多个像素，多个像素发光W形成图像。0L邸显示器的像素包括有机发 光二极管（0LED)。0LED发射具有取决于被包括在0L邸的发光层中的有机材料的类型的波 长的光。例如，为了发射红色光、绿色光和蓝色光中的一种，0L邸可包括不同类型的有机材 料。0L邸显示器混合由0L邸发射的具有不同颜色的光，W形成彩色图像。最近已经研究具 有预定透射率的0LED显示器。
【发明内容】
[0003] 示例实施例提供了一种具有对于外部光的提高的透射率的有机发光显示设备。
[0004] 示例实施例提供了一种制造有机发光显示设备的方法。
[0005] 根据示例实施例，一种有机发光显示设备包括：基板，具有在第一方向上的第一宽 度和在基本上垂直于第一方向的第二方向上的第二宽度，第一宽度大于第二宽度；W及设 置在基板上的多个像素区域，多个像素区域中的每一个像素区域被分成第一区域和第二区 域，多个像素区域中的每一个像素区域包括沿第二方向布置的第一发光部分、第二发光部 分、第Ξ发光部分和透射部分，并且第一发光部分、第二发光部分和第Ξ发光部分中的每一 个发光部分在第一方向上延伸，其中第一发光部分、第二发光部分和第Ξ发光部分被设置 在像素区域中的每一个像素区域的第一区域中，并且透射部分被设置在像素区域中的每一 个像素区域的第二区域中。
[0006] 在示例实施例中，有机发光显示设备可进一步包括：设置在多个第一发光部分中 的多个第一下电极；设置在多个第二发光部分中的多个第二下电极；W及设置在多个第Ξ 发光部分中的多个第Ξ下电极。
[0007] 在示例实施例中，有机发光显示设备可进一步包括：设置在多个第一下电极上的 第一有机发光层图案；设置在多个第二下电极上的第二有机发光层图案；W及设置在多个 第Ξ下电极上的第Ξ有机发光层图案。第一有机发光层图案可在第一方向上延伸，第二有 机发光层图案可在第一方向上延伸，并且第Ξ有机发光层图案可在第一方向上延伸。
[0008] 在示例实施例中，第一有机发光层图案可覆盖第一发光部分，并可暴露透射部分。 第二有机发光层图案可覆盖第二发光部分，并可暴露透射部分。第Ξ有机发光层图案可覆 盖第Ξ发光部分，并可暴露透射部分。
[0009] 在示例实施例中，有机发光显示设备可进一步包括设置在第一有机发光层图案、 第二有机发光层图案和第Ξ有机发光层图案上的上电极。上电极可覆盖第一发光部分、第 二发光部分、第Ξ发光部分和透射部分。
[0010] 在示例实施例中，有机发光显示设备可进一步包括设置在第一有机发光层图案、 第二有机发光层图案和第Ξ有机发光层图案上的上电极。上电极可覆盖第一发光部分、第 二发光部分和第Ξ发光部分，并可暴露透射部分。
[0011] 在示例实施例中，上电极可包括侣（AU、销（Pt)、银（Ag)、儀（Mg)、金（Au)、铭 府）、鹤（W)、钢（Mo)、铁Ο?)或其合金。
[0012] 在示例实施例中，有机发光显示设备可进一步包括覆盖透射部分的有机层图案。 有机层图案可具有相对于上电极较低的粘附特性。
[0013] 在示例实施例中，有机层图案可包括哇嘟裡。
[0014] 在不例实施例中，透射部分在第一方向上看时不与第一发光部分、第二发光部分 和第Ξ发光部分重叠。
[0015] 在示例实施例中，第一发光部分在第一方向上的长度可基本上大于第一发光部分 在第二方向上的宽度。第二发光部分在第一方向上的长度可基本上大于第二发光部分在第 二方向上的宽度。第Ξ发光部分在第一方向上的长度可基本上大于第Ξ发光部分在第二方 向上的宽度。
[0016] 在示例实施例中，有机发光显示设备可进一步包括：设置在第一发光部分中的第 一像素电路、设置在第二发光部分中的第二像素电路、W及设置在第Ξ发光部分中的第Ξ 像素电路。第一像素电路可被电连接到第一下电极，第二像素电路可被电连接到第二下电 极，并且第Ξ像素电路可被电连接到第Ξ下电极。
[0017] 在示例实施例中，有机发光显示设备可进一步包括设置在基板的边缘的驱动电路 部分W及电连接驱动电路部分与第一像素电路、第二像素电路或第Ξ像素电路的多个配 线。
[001引在示例实施例中，配线可包括扫描线、数据线和Vdd线。
[0019] 在示例实施例中，扫描线可在第二方向上延伸，并且数据线和Vdd线可在第一方 向上延伸。
[0020] 在示例实施例中，扫描线可在第一方向上延伸。数据线和Vdd线可在第二方向上 延伸。
[0021] 在示例实施例中，有机发光显示设备可绕在第二方向上延伸的轴线被弯曲。
[0022] 在示例实施例中，第一有机发光层图案、第二有机发光层图案和第Ξ有机发光层 图案可没有被设置在透射部分中。
[0023] 根据示例实施例，一种有机发光显示设备包括基板和设置在基板上的多个像素区 域。基板具有在第一方向上的第一宽度和在基本上垂直于第一方向的第二方向上的第二宽 度，并且第一宽度大于第二宽度。像素区域中的每一个像素区域被分成第一区域和第二区 域。像素区域中的每一个像素区域包括沿第一方向布置的第一发光部分、第二发光部分、第 Ξ发光部分和透射部分。第一发光部分、第二发光部分和第Ξ发光部分中的每一个发光部 分在第二方向上延伸。第一发光部分、第二发光部分和第Ξ发光部分被设置在像素区域中 的每一个像素区域的第一区域中，并且透射部分被设置在像素区域中的每一个像素区域的 第二区域中。
[0024] 在示例实施例中，有机发光显示设备可进一步包括：设置在多个第一发光部分中 的多个第一下电极；设置在多个第二发光部分中的多个第二下电极；W及设置在多个第Ξ 发光部分中的多个第Ξ下电极。
[0025] 在示例实施例中，有机发光显示设备可进一步包括：设置在多个第一下电极上的 第一有机发光层图案；设置在多个第二下电极上的第二有机发光层图案；W及设置在多个 第Ξ下电极上的第Ξ有机发光层图案。第一有机发光层图案可在第二方向上延伸，第二有 机发光层图案可在第二方向上延伸，并且第Ξ有机发光层图案可在第二方向上延伸。
[0026] 在示例实施例中，第一有机发光层图案可覆盖第一发光部分，并可暴露透射部分。 第二有机发光层图案可覆盖第二发光部分，并可暴露透射部分。第Ξ有机发光层图案可覆 盖第Ξ发光部分，并可暴露透射部分。
[0027] 在示例实施例中，有机发光显示设备可进一步包括设置在第一有机发光层图案、 第二有机发光层图案和第Ξ有机发光层图案上的上电极。上电极可覆盖第一发光部分、第 二发光部分、第Ξ发光部分和透射部分。
[0028] 在示例实施例中，有机发光显示设备可进一步包括设置在第一有机发光层图案、 第二有机发光层图案和第Ξ有机发光层图案上的上电极。上电极可覆盖第一发光部分、第 二发光部分和第Ξ发光部分，并可暴露透射部分。
[0029] 在示例实施例中，透射部分可在第二方向上看时不与第一发光部分、第二发光部 分和第Ξ发光部分重叠。
[0030] 在示例实施例中，第一发光部分在第二方向上的长度可基本上大于第一发光部分 在第一方向上的宽度。第二发光部分在第二方向上的长度可基本上大于第二发光部分在第 一方向上的宽度。第Ξ发光部分在第二方向上的长度可基本上大于第Ξ发光部分在第一方 向上的宽度。
[0031] 根据示例实施例，基板被提供为具有在第一方向上的第一宽度和在基本上垂直于 第一方向的第二方向上的第二宽度。第一宽度大于第二宽度。多个像素区域被限定在基板 上。像素区域中的每一个像素区域包括沿第二方向布置的第一发光部分、第二发光部分、第 Ξ发光部分和透射部分。第一有机发光层图案被形成为在第一方向上延伸。第一有机发光 层图案与第一发光部分重叠。第二有机发光层图案被形成为在第一方向上延伸。第二有机 发光层图案与第二发光部分重叠。第Ξ有机发光层图案被形成为在第一方向上延伸。第Ξ 有机发光层图案与第Ξ发光部分重叠。
[0032] 在示例实施例中，在形成第一有机发光层图案之前，多个第一下电极被形成在多 个第一发光部分中，多个第二下电极被形成在多个第二发光部分中，并且多个第Ξ下电极 被形成在多个第Ξ发光部分中。
[0033] 在示例实施例中，在形成第Ξ有机发光层图案之后，上电极被形成在第一有机发 光层图案、第二有机发光层图案和第Ξ有机发光层图案上。
[0034] 在示例实施例中，形成第一有机发光层图案可包括：在沉积装置上方布置掩模结 构，掩模结构包括多个开口；通过加热沉积装置从沉积装置排出沉积颗粒；W及在第一方 向上在掩模结构上方传送基板。
[0035] 在示例实施例中，掩模结构可具有在第二方向上的第二宽度。
[0036] 在示例实施例中，在形成第Ξ有机发光层图案之后，有机层图案被形成为覆盖透 射部分，并且上电极被形成在第一有机发光层图案、第二有机发光层图案和第Ξ有机发光 层图案上。上电极可暴露透射部分。
[0037] 在示例实施例中，有机层图案可包括哇嘟裡。上电极可包括侣（Al)、销（Pt)、银 (八邑)、儀^扣、金（411)、铭府)、鹤卿)、钢曲〇)、铁们）或其合金。
[0038] 在示例实施例中，上电极可不与有机层图案重叠，或者上电极可与有机层图案的 边缘部分重叠。
【附图说明】
[0039] 通过参考附图详细描述示例性实施例，对于本领域普通技术人员来说特征将变得 显而易见，附图中：
[0040] 图1图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的平面图；
[0041] 图2图示了图1的放大平面图；
[0042] 图3图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的像素电路的示意图；
[0043] 图4图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的平面图；
[0044] 图5图示了根据一些示例实施例的沿图2的线A-A'截取的剖视图；
[0045] 图6图示了根据一些示例实施例的沿图2的线B-B'截取的剖视图；
[0046] 图7图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的透视图；
[0047] 图8至图23是根据一些示例实施例的制造有机发光显示设备的方法中各阶段的 平面图、剖视图和透视图；
[004引图24图示了根据其它示例实施例的有机发光显示设备的平面图；
[0049] 图25图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的平面图；
[0050] 图26图示了根据其它示例实施例的有机发光显示设备的平面图；
[0051] 图27图示了根据一些示例实施例的沿图26的线B-B'截取的剖视图；
[0052] 图28至图32是根据一些示例实施例的制造有机发光显示设备的方法中各阶段的 平面图、剖视图和透视图；
[0053] 图33图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的平面图；
[0054] 图34图示了图33的放大平面图；
[0055] 图35图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的像素电路的示意图；
[005引图36图示了根据一些示例实施例的沿图35的线B-B'截取的剖视图讯 [0057] 图37图示了根据一些示例实施例的沿图35的线A-A'截取的剖视图。
【具体实施方式】
[005引在下文中将参考附图更详细地描述示例实施例；然而，示例实施例可不同的 形式体现 ，不应当被认为限于本文所提出的实施例。相反，提供运些实施例是为了使得本公 开充分和完整，并且向本领域技术人员充分地传达示例性实施方式。
[0059] 将理解的是，当元件或层被称为在另一元件或层"上"、"被连接到"或"被联接到" 另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上，被直接连接到或联接到另一元件或层，或者 可存在中间元件或中间层。与此相反，当元件被称为"直接在"另一元件或层"上"、"被直接 连接到"或"被直接联接到"另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。在整个文件中，相 同的附图标记指代相同的元件。如本文所用，术语"和/或"包括相关联的所列项目的一个 或多个的任意和所有组合。
[0060] 将理解的是，虽然术语第一、第二、第Ξ等可在本文中用来描述各种元件、组件、区 域、层和/或部分，但是运些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受运些术语的限制。运 些术语仅用来区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分。因 此，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被称为第二元件、组件、区域、层或部分， 而不脱离示例实施例的教导。
[006。 出于易于描述的目的，在本文中可能使用诸如"之下V吓方"、"下"、"上方"、"上" 等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征相对于另一个元件或特征的关系。 将理解的是，除了图中描绘的方位之外，空间相对术语意在包含设备在使用或操作中的不 同方位。例如，如果图中设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征"下方"或"之下"的元 件将被定向为在其它元件或特征的"上方"。因此，示例性术语"下方"可包含上方和下方两 种方位。设备可被另外定向（旋转90度或者在其它方位），并且本文使用的空间相对描述 符可进行相应的解释。
[0062] 本文使用的术语仅用于描述特定的示例实施例，并不旨在限制示例实施例。如本 文所用，单数形式的"一"和"该"旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确说明。将进一 步理解的是，当在本申请文件中使用时，术语"包括"表明存在所陈述的特征、整体、步骤、操 作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组 件和/或它们的组。
[0063] 在本文中参考代表性的图示来描述示例实施例，该代表性的图示是理想化示例实 施例（和中间结构）的示意性图示。运样，作为例如制造技术和/或公差的结果，可预期图 示形状之间的变化。因此，示例实施例不应该被解释为限于本文所示的区域的特定形状，而 是包括例如由制造产生的形状的偏差。图中所示的区域在本质上是示意性的，并且它们的 形状并不旨在图示设备的区域的实际形状，也不旨在限制示例实施例的范围。
[0064] 除非另有定义，本文使用的所有术语（包括技术和科学术语）具有示例实施例所 属的技术领域的普通技术人员所通常理解的相同含义。将进一步理解，例如那些在常用字 典中定义的术语应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文的含义一致的含义，并且将 不W理想化或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此定义。
[0065] 在下文中，将参考附图详细解释示例实施例。
[0066] 图1图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的平面图，并且图2是图1 的区域狂）的放大平面图。
[0067] 参考图1，有机发光显示设备的基板100可被分成显示区域狂）和周边区域灯）。 在示例实施例中，显示区域狂）可被设置在基板100的中屯、，并且周边区域灯）可被设置在 基板100的边缘。也就是说，周边区域灯）可围绕显示区域狂）的至少一侧。例如，周边区 域灯）可如图1所示围绕显示区域佩的四侧，然而实施例不限于此。例如，周边区域灯） 可被设置在显示区域狂）的左侧、右侧、上侧和/或下侧。
[0068] 有机发光显示设备的基板100可具有在第一方向上的第一宽度W1，并且可具有在 第二方向上的第二宽度W2。在示例实施例中，第一宽度W1可大于第二宽度W2。也就是说， 基板100可具有可在第一方向上延伸的矩形形状。
[0069] 驱动电路部分（1C)可被设置在基板100的周边区域灯）中。驱动电路部分（1C) 可包括可控制电信号并传送电信号到像素区域（Ρ)的数据驱动器、扫描驱动器、电平移位 器和缓冲电路。在示例实施例中，驱动电路部分（IC)可被设置在显示区域狂）的下侧或上 侦U。此外，驱动电路部分（1C)可如图1所示在第一方向上延伸。
[0070] 参考图1和图2,多个像素区域（巧可被设置在基板100的显示区域狂）中。在 示例实施例中，多个像素区域（巧可在基板100上沿第一方向和第二方向被布置。如上所 述，基板100可具有可在第一方向上延伸的矩形形状，从而使在第一方向上布置的像素区 域（巧的数量可大于在第二方向上布置的像素区域（巧的数量。如图2所示，像素区域（P) 中的每一个像素区域可包括第一区域巧）和第二区域灯)，第一区域巧）可包括第一发光 部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)，并且第二区域灯）可包括透射部分 (IV)。
[0071] 在示例实施例中，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)可 与红光、绿光和蓝光对应。也就是说，设置在第一至第Ξ发光部分（I、II、III)中的发光结 构可产生红光、绿光和蓝光。
[0072] 在示例实施例中，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)中 的每一个发光部分可具有在第一方向上延伸的多边形形状。也就是说，第一发光部分（I) 在第一方向上的长度可大于第一发光部分（I)在第二方向上的宽度，第二发光部分（II) 在第一方向上的长度可大于第二发光部分（II)在第二方向上的宽度，并且第Ξ发光部分 (III)在第一方向上的长度可大于第Ξ发光部分（ΠΙ)在第二方向上的宽度。
[0073] 在一些示例实施例中，第Ξ发光部分（ΠΙ)可具有比第一发光部分（I)和第二发 光部分（Π )的面积更大的面积。然而，实施例不限于此。例如，第立发光部分（ΙΠ )可具 有与第一发光部分（I)和第二发光部分（II)的面积基本相等的面积。
[0074] 第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)可在第二方向上被 依次布置。也就是说，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)可在第 二方向上彼此隔开。当从第一方向看时，同一像素（P)的第一发光部分（I)、第二发光部分 (II)和第Ξ发光部分（III)可彼此不重叠。
[00巧]此外，透射部分（IV)可在第二方向上与第Ξ发光部分（III)隔开。在示例实施例 中，透射部分（IV)可相对于像素区域（P)的面积占据大约20%至大约90%的范围内的比 率。
[0076] 现在参考图2,相邻像素区域（P)的第一发光部分（I)、第二发光部分（II)、第Ξ 发光部分（III)和透射部分（IV)可在第一方向上被布置。也就是说，相邻像素区域（P)的 第一发光部分（I)可在第一方向上被布置。相邻像素区域（P)的第二发光部分（II)可在 第一方向上被布置。相邻像素区域（巧的第Ξ发光部分（III)可在第一方向上被布置。此 夕F，相邻像素区域（巧的透射部分（IV)可在第一方向上被布置。因此，当从第一方向看时， 像素区域（P)的透射部分（IV)可不与同一像素区域（巧或相邻像素区域（P)的第一发光 部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)重叠。此外，有机发光结构和用于电控 制有机发光结构的像素电路可被设置在第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光 部分（III)中的每一个发光部分中。
[0077] 图3图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的像素电路的示意图，并且 图4是根据一些示例实施例的有机发光显示设备的平面图。
[007引参考图3,扫描线做、数据线做和Vdd线（V)可被电连接到像素电路似。在示 例实施例中，取决于像素电路（c)的结构，其它配线可被电连接到像素电路（c)。
[0079] 在示例实施例中，像素电路（C)可包括第一晶体管（TR1)、第二晶体管（TR2)和存 储电容器（Cst)。在运种情况下，第一晶体管（TR1)可被电连接到扫描线做和数据线值)， 第二晶体管（TR2)可被电连接到第一晶体管（TR1)和Vdd线（V)，并且存储电容器（Cst)可 被电连接到第一晶体管（TR1)和Vdd线（V)。也就是说，第二晶体管（TR2)的第一电极可被 电连接到Vdd线（V)和存储电容器（Cst),并且第二晶体管灯R2)的第二电极可被电连接到 有机发光二极管巧L)。第一晶体管（TR1)可W是开关晶体管，并且第二晶体管（TR2)可W 是驱动晶体管。
[0080] 图3中的像素电路似是示例性实施例，并且实施例不限于此。例如，像素电路 (C)可包括屯个晶体管和两个电容器。
[0081] 参考图4,单条扫描线（巧可被电连接到第一像素电路（C1)、第二像素电路（C2) 和第Ξ像素电路（C3)。也就是说，布置在同一列上的像素电路（C1、C2、C3)可被电连接到单 条扫描线（S)，也就是，同一扫描线（S)。第一像素电路（C1)、第二像素电路（C2)和第Ξ像 素电路（C3)可被分别设置在第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III) 中。第一像素电路（C1)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电路（C3)可不被设置在透射部分 (IV)中，使得第一像素电路（C1)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电路（C3)不会降低透射 部分（IV)的透射率。
[0082] 第一像素电路（C1)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电路（C3)可被设置为与透射 部分（IV)相邻，使得分别电连接到第一像素电路（C1)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电 路（C3)的第一数据线值1)、第二数据线值2)和第Ξ数据线值3)可被设置为与透射部分 (IV)相邻。参考图4,第一数据线值1)可被设置在第一发光部分（I)上方，并且第二数据 线值2)和第Ξ数据线值3)可被设置在第Ξ发光部分（III)和透射部分（IV)之间。因此， 第一数据线值1)、第二数据线值2)和第Ξ数据线值3)可不与透射部分（IV)重叠。
[0083] 此外，分别电连接到第一像素电路（C1)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电路（C3) 的第一 Vdd线（VI)、第二Vdd线（V2)和第Ξ Vdd线（V3)可被设置为与透射部分（IV)相 邻。然而，第一 Vdd线（VI)、第二Vdd线（V2)和第Ξ Vdd线（V3)可不与透射部分（IV)重 叠。第一 Vdd线（VI)、第二Vdd线（V2)和第Ξ Vdd线（V3)不会降低透射部分（IV)的透射 率。
[0084] 图5图示了根据一些示例实施例的沿图2的线A-A'截取的剖视图，并且图6是根 据一些示例实施例的沿图2的线B-B'截取的剖视图。
[0085] 参考图5和图6,像素电路和发光结构可被设置在基板100的发光部分（I、II、 III)上。有机发光显示设备可包括基板100、像素电路的开关结构、下电极152、154和156、 发光结构、W及上电极170。
[0086] 基板100可包括透明绝缘基板。例如，基板100可包括玻璃基板、石英基板或透明 树脂基板等。可替代地，基板100可包括柔性基板。
[0087] 缓冲层105可被设置在基板100上。缓冲层105可提供平坦的顶表面，并且可防 止杂质扩散到基板100内。缓冲层105可包括无机材料、有机材料或其层叠结构。例如，无 机材料可包括氧化娃、氮化娃、氧氮化娃、氧化侣、氮化侣、氧化铁或氮化铁，有机材料可包 括聚酷亚胺、聚醋或丙締酸树脂。在其它示例实施例中，缓冲层105可被省略。
[0088] 构成像素电路的晶体管和电容器可被设置在缓冲层105上。像素电路可被设置在 第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)中。
[0089] 为了便于描述，在图5和图6中图示了第二晶体管（TR2)，然而第一晶体管（未示 出）和电容器（未示出）可被进一步设置在缓冲层105上。
[0090] 有源图案110可包括氧化物半导体、多晶娃、渗杂多晶娃、非晶娃或渗杂非晶娃 等。在示例实施例中，氧化物半导体可包括二元化合物（ΑΒ、)、Ξ元化合物（AByCy)、四元化 合物（AB其0,)等，其可含有铜（In)、锋姑）、嫁（Ga)、锡（Sn)、铁们）、侣（A1)、给am、错 狂r)、儀（Mg)等。运些可单独使用或W其混合物使用。例如，氧化物半导体可包括G-I-Z-0 层[(In203)a(Ga203)b姑0)。层]，其中a、b和C各自是满足a > 0、b > 0、c〉0的实数。当有 源图案110由氧化物半导体形成时，发光部分（I、II、III)的外部光的透射率可得到增加。
[0091] 此外，有源图案110可包括沟道区112、源区114和漏区116。源区114和漏区116 可渗杂杂质，并且沟道区112可被设置在源区114和漏区116之间。
[0092] 栅绝缘层120可被设置为覆盖有源图案110,并且栅电极125可被设置在栅绝缘层 120上。在示例实施例中，栅电极125可与有源图案110的沟道区112重叠。
[0093] 第一绝缘夹层130可被设置为覆盖栅电极125,并且源电极132和漏电极134可穿 过第一绝缘夹层130和栅绝缘层120被分别电连接到源区114和漏区116。
[0094] 图5中所示的第二晶体管TR2可具有其中栅电极125被设置在有源图案110上方 的顶栅结构，然而实施例不限于此。例如，晶体管可具有其中有源图案被设置在栅电极上方 的底栅结构。
[0095] 此外，第二绝缘夹层140可被设置为覆盖包括第二晶体管（TR2)的像素电路。在 示例实施例中，第二绝缘夹层140可具有基本上平坦的上表面。
[0096] 下电极152、154和156可被设置在第二绝缘夹层140上。下电极152、154和156 可被分别设置在发光部分（Ι、Π 、ΠΙ)中。在示例实施例中，第一下电极152可被设置在第 一发光部分（I)中，第二下电极154可被设置在第二发光部分（II)中，并且第Ξ下电极156 可被设置在第Ξ发光部分（III)中。也就是说，下电极152、154和156可不被设置在透射 部分（IV)中。下电极152、154和156可包括诸如氧化铜锋（ΙΖ0)或氧化铜锡（ΙΤ0)的透 明导电材料。
[0097] 像素限定层155可被设置在第二绝缘夹层140上，W部分覆盖下电极152、154和 156。在示例实施例中，像素限定层155可包括有机绝缘材料或诸如氧化娃或氮化娃的无机 绝缘材料。
[009引空穴传输层160可被设置在下电极152、154和156 W及像素限定层155上。在示 例实施例中，空穴传输层160可不使用掩模或不执行使用蚀刻溶液的蚀刻工艺来形成。
[0099] 有机发光层图案162、164和166可被设置在下电极152、154和156的顶表面和像 素限定层155的侧壁上。在示例实施例中，有机发光层图案162、164和166可具有在大约 200Α至大约SOOA，例如大约250Α至大约350Α，的范围内的厚度。
[0100] 参考图2、图5和图6,第一有机发光层图案162可在第一方向上延伸，使得第一有 机发光层图案162可与多个第一发光部分（I)重叠。第二有机发光层图案164可在第一方 向上延伸，使得第二有机发光层图案164可与多个第二发光部分（II)重叠。第Ξ有机发 光层图案166可在第一方向上延伸，使得第Ξ有机发光层图案166可与多个第Ξ发光部分 (HI)重叠。另外，第一有机发光层图案162、第二有机发光层图案164和第Ξ有机发光层 图案166可在第二方向上彼此隔开。
[0101] 如上所述，当从第一方向看时，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光 部分（III)可不与透射部分（IV)重叠，使得第一有机发光层图案162、第二有机发光层图案 164和第Ξ有机发光层图案166可不与透射部分（IV)重叠。也就是说，穿过透射部分（IV) 的外部光可不穿过有机发光层图案162、164和166,使得可增加外部光在透射部分（IV)中 的透射率，并且可防止由于有机发光层图案162、164和166而引起的色偏问题。
[0102] 在示例实施例中，第一有机发光层图案162可包括用于发射红光的材料，第二有 机发光层图案164可包括用于发射绿光的材料，并且第Ξ有机发光层图案166可包括用于 发射蓝光的材料。
[0103] 在其它示例实施例中，空穴注入层化IL)可被进一步设置在空穴传输层160的下 方，并且电子传输层巧TL)和/或电子注入层巧IL)可被进一步设置在有机发光层图案 162、164 和 166 上。
[0104] 上电极170可被设置在有机发光层图案162、164和166 W及空穴传输层160上。例 如，上电极170可包括侣（Α1)、销（Pt)、银（Ag)、儀（Mg)、金（Au)、铭（Cr)、鹤（W)、钢（Mo)、 铁灯i)或其合金。然而，上电极170可具有相对薄的厚度，使得上电极170可具有相对高 的透射率。
[0105] 图7图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的透视图。有机发光显示设 备可与参考图1至图6描述的有机发光显示设备基本相似。有机发光显示设备可具有预定 的柔性并可在预定的方向上弯曲。
[0106] 参考图7,有机发光显示设备可围绕在第二方向上延伸的轴线沿第一方向弯曲。因 此，当用户看有机发光显示设备时，有机发光显示设备在第一方向上的长度可减小。
[0107] 如上所述，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)中的每 一个发光部分可具有在第一方向上延伸的矩形形状。当有机发光显示设备围绕在第二方向 上延伸的轴线沿第一方向弯曲时，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分 (ΠΙ)中的每一个发光部分可具有长度减小了的矩形形状。因此，第一发光部分（I)、第二 发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)中的每一个发光部分的可见性不会由于弯曲的形状 而降低。
[010引图8至图23图示了根据一些示例实施例的制造有机发光显示设备的方法中各阶 段的平面图、剖视图和透视图。
[0109] 参考图8,可提供包括多个像素区域任）的基板100。多个像素区域（巧可在第一 方向和第二方向上被布置。像素区域任）中的每一个像素区域可包括第一发光部分（I)、第 二发光部分（II)、第Ξ发光部分（ΠΙ)和透射部分（IV)。
[0110] 在示例实施例中，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)中 的每一个发光部分可具有在第一方向上延伸的矩形形状。也就是说，第一发光部分（I)在 第一方向上的长度可大于第一发光部分（I)在第二方向上的宽度，第二发光部分（II)在第 一方向上的长度可大于第二发光部分（II)在第二方向上的宽度，并且第Ξ发光部分（III) 在第一方向上的长度可大于第Ξ发光部分（III)在第二方向上的宽度。
[0111] 第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)可在第二方向上彼 此隔开。第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)可在第二方向上被 依次布置。
[0112] 此外，透射部分（IV)可在第二方向上与第Ξ发光部分（III)隔开。在示例实施例 中，透射部分（IV)可相对于像素区域（P)的面积占据大约20%至大约90%的范围内的比 率。
[0113] 现在参考图8,相邻像素区域（P)的第一发光部分（I)、第二发光部分（II)、第Ξ 发光部分（III)和透射部分（IV)可在第一方向上被布置。也就是说，相邻像素区域（P)的 第一发光部分（I)可在第一方向上被布置。相邻像素区域（P)的第二发光部分（II)可在 第一方向上被布置。相邻像素区域（巧的第Ξ发光部分（III)可在第一方向上被布置。此 夕F，相邻像素区域（巧的透射部分（IV)可在第一方向上被布置。因此，当从第一方向看时， 透射部分（IV)可不与第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)重叠。
[0114] 参考图9和图10,包括第二晶体管（TR2)的像素电路可被形成在基板100上。为 了便于描述，在图9和图10中图示了第二晶体管（TR2)，然而第一晶体管（未示出）和电容 器（未示出）可被进一步设置在基板100上。
[0115] 首先，缓冲层105可被形成在基板100上。在示例实施例中，缓冲层105可通过使 用无机材料、有机材料或其层叠结构由沉积工艺或涂覆工艺形成。例如，无机材料可包括氧 化娃、氮化娃、氧氮化娃、氧化侣、氮化侣、氧化铁或氮化铁，有机材料可包括聚酷亚胺、聚醋 或丙締酸树脂。在其它示例实施例中，缓冲层105可被省略。
[0116] 半导体层可使用氧化物半导体、多晶娃、渗杂多晶娃、非晶娃或渗杂非晶娃等被形 成在缓冲层105上，然后半导体层可被部分蚀刻，W形成有源图案110。在示例实施例中，半 导体层可使用氧化物半导体通过使用多个祀的瓣射工艺来形成。
[0117] 然后，栅绝缘层120可被形成为覆盖有源图案110,并且栅电极125可被形成在栅 绝缘层120上，W与有源图案110重叠。此外，可通过使用栅电极125作为离子注入掩模将 杂质注入到有源图案110的部分中，从而形成源区114和漏区116。
[0118] 第一绝缘夹层130可被形成为覆盖栅电极125。源电极132和漏电极134可穿过 第一绝缘夹层130和栅绝缘层120形成，使得源电极132和漏电极134可分别被电连接到 源区114和漏区116。
[0119] 然后，第二绝缘夹层140可被形成在第一绝缘夹层130上，W覆盖源电极132和漏 电极134。第二绝缘夹层140可具有大致平坦的顶表面。
[0120] 参考图11至图13,下电极152、154和156 W及像素限定层155可被形成在第二绝 缘夹层140上。第二绝缘夹层140可被部分地去除，W形成暴露漏电极134的接触孔，下电 极层可被形成在第二绝缘夹层140上，W填充接触孔，然后下电极层可被部分地去除，W形 成下电极152、154和156。
[0121] 下电极152、154和156可被分别设置在发光部分（I、II、III)中。也就是说，下电 极152、154和156可不被设置在透射部分（IV)中。在示例实施例中，下电极层可使用诸如 氧化铜锋（IZ0)或氧化铜锡（IT0)的透明导电材料形成。
[0122] 然后，像素限定层155可被形成为部分覆盖下电极152、154和156。在示例实施 例中，像素限定层155可部分暴露第一发光部分（I)中的第一下电极152,可部分暴露第二 发光部分（II)中的第二下电极154,并且可部分暴露第Ξ发光部分（III)中的第Ξ下电极 156。在示例实施例中，如图12所示，像素限定层155可被形成在透射部分（IV)中。可替 代地，像素限定层155没有被形成在透射部分（IV)中。
[0123] 参考图14,空穴传输层160可被形成在下电极152、154和156 W及像素限定层155 上。在示例实施例中，空穴传输层160可被形成在第一发光部分（I)、第二发光部分（II)、 第Ξ发光部分（III)和透射部分（IV)中。也就是说，空穴传输层160可不使用附加掩模或 不执行额外的图案化工艺来形成。
[0124] 参考图15至图19,第一有机发光层图案162可通过使用第一掩模结构200被形成 为 与多个第一发光部分（I)重叠。图15是用于图示根据一些示例实施例的制造有机发光 显示设备的方法的放大平面图，图16是用于图示形成第一有机发光层图案162的工艺的透 视图，并且图17是根据一些示例实施例的第一掩模结构200的平面图。
[0125] 参考图17,第一掩模结构200可包括掩模主体210和穿透掩模主体210的多个开 口 221、222、223、224和225。在示例实施例中，掩模主体210可具有在第二方向上延伸的平 坦的形状，并且掩模主体210可具有在第二方向上的第二宽度（W2)。也就是说，掩模主体 210和基板100可具有相同的宽度（也就是在第二方向上的第二宽度（W2))。此外，掩模主 体210可在第一方向上具有比第二宽度（W2)小的宽度。
[0126] 多个开口 221、222、223、224和225可在第二方向上被布置，使得多个开口 221、 222、 223、224和225可在第二方向上彼此隔开。在示例实施例中，设置在掩模主体210的中 屯、部分处的第一开口 221可在第一方向上具有相对小的长度，并且设置在掩模主体210的 边缘部分处的第五开口 225可在第一方向上具有相对大的长度。也就是说，如图17所示， 开口 221、222、223、224和225在第一方向上的长度可从掩模主体210的中屯、部分到边缘部 分逐渐增加。可替代地，开口 221、222、223、224和225可在第一方向上具有相同长度。
[0127] 参考图16,设置在沉积装置300上方的基板100和第一掩模结构200可在沉积工 艺期间在第一方向上被传送。沉积装置300可包括主体310和设置在主体310的顶表面处 的多个开口部分330,并且主体310可包含沉积颗粒320。沉积颗粒320可流过多个开口部 分 330。
[012引随着沉积装置300的主体310被加热，主体310中的沉积颗粒320可通过多个开 口部分330在第Ξ方向上被排出。沉积颗粒320可穿过第一掩模结构200的开口 221、222、 223、 224和225,然后可到达基板100,从而在基板100上形成第一有机发光层图案162。
[0129] 第一有机发光层图案162可横跨基板100具有均匀厚度。如果第一掩模结构200 被省略，到达基板100的中屯、部分的沉积颗粒320的数量可大于到达基板100的边缘部分 的沉积颗粒320的数量。然而，设置在掩模主体210的边缘部分的第五开口 225可具有比 设置在掩模主体210的中屯、部分的第一开口 221的面积更大的面积。也就是说，开口 221、 222、223、224和225的面积可被调节，W控制穿过开口 221、222、223、224和225的沉积颗 粒320的数量，使得第一有机发光层图案162在基板100的中屯、部分和边缘部分可具有均 匀的厚度。此外，基板100在第二方向上的第二宽度（W2)可小于基板100在第一方向上的 第一宽度（W1)。当基板100在沉积工艺期间在第一方向上相对于第一掩模结构200被传送 时，例如与基板100在第二方向上相对于第一掩模结构200的传送相比，第一有机发光层图 案162的厚度的均匀性可得到提高。因此，沉积工艺可被用来制造诸如监视器或电视的具 有大屏幕的有机发光显示设备。
[0130] 现在参考图15、图18和图19,随着基板100在沉积工艺期间在第一方向上相对 于第一掩模结构200被传送，通过使用可具有比基板100的面积小的面积的第一掩模结构 200,可横跨基板100形成第一有机发光层图案162。此外，第一有机发光层图案162中的每 一个第一有机发光层图案可被形成为与多个像素区域（P)的多个第一发光部分（I)重叠。
[0131] 如上所述，当从第一方向看时，第一发光部分（I)可不与透射部分（IV)重叠。因 此，在第一方向上延伸并与第一发光部分（I)重叠的第一有机发光层图案162可不与透射 部分（IV)重叠。也就是说，穿过透射部分（IV)的外部光可不穿过第一有机发光层图案162， 使得可增加外部光在透射部分（IV)中的透射率，并且可防止由于第一有机发光层图案162 而引起的色偏问题。
[0132] 参考图20和图21，第二有机发光层图案164可通过使用第二掩模结构被形成为与 多个第二发光部分（II)重叠。用于形成第二有机发光层图案164的工艺可与形成第一有 机发光层图案162的工艺基本相似。然而，第二有机发光层图案164和第一有机发光层图 案162可包括可发射不同颜色的光的材料。另外，第二有机发光层图案164可被形成为与 第二发光部分（II)重叠，并且不与透射部分（IV)重叠。
[0133] 参考图22和图23,第Ξ有机发光层图案166可通过使用第Ξ掩模结构被形成为 与多个第Ξ发光部分（III)重叠。用于形成第Ξ有机发光层图案166的工艺可与形成第一 有机发光层图案162的工艺基本相似。然而，第Ξ有机发光层图案166、第二有机发光层图 案164和第一有机发光层图案162可包括可发射不同颜色的光的材料。此外，第Ξ有机发 光层图案166可被形成为与第Ξ发光部分（III)重叠，并且不与透射部分（IV)重叠。
[0134] 然后，可形成上电极，W制造有机发光显示设备。根据示例实施例，当从第一方向 看时，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)可不与透射部分（IV) 重叠，使得第一有机发光层图案162、第二有机发光层图案164和第Ξ有机发光层图案166 可不与透射部分（IV)重叠。也就是说，穿过透射部分（IV)的外部光可不穿过有机发光层 图案162、164和166,使得可增加外部光在透射部分（IV)的透射率，并且可防止由于有机发 光层图案162、164和166而产生的色偏问题。
[0135] 图24图示了根据其它示例实施例的有机发光显示设备的平面图，并且图25是根 据又一些其它示例实施例的有机发光显示设备的平面图。除了驱动电路部分（1C)和配线 的布置之外，有机发光显示设备可与参考图1至图7描述的有机发光显示设备基本相似。
[0136] 参考图24,有机发光显示设备的基板100可被分成显示区域狂）和周边区域灯）。 驱动电路部分（1C)可被设置在基板100的周边区域灯）中。驱动电路部分（1C)可包括可 控制和传送电信号到像素区域任）的数据驱动器、扫描驱动器、电平移位器和缓冲电路。在 示例实施例中，如图24所示，驱动电路部分（1C)可被设置在显示区域狂）的左侧。此外，驱 动电路部分（1C)可在第二方向上延伸。由于驱动电路部分（1C)可被设置在显示区域狂） 的左侧或右侧，扫描线（S)、数据线（D)和Vdd线（V)的布置和方向可与参考图1至图7描 述的不同。
[0137] 参考图25,扫描线（S)、数据线（D)和Vdd线（V)可被电连接到像素电路（C1、C2、 C3)。单条扫描线（巧可被电连接到第一像素电路（Cl)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电路 (C3)。也就是说，布置在同一行中的像素电路（C1、C2、C3)可被电连接到单条扫描线（S)。 [013引第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)可被设置为与透射 部分（IV)相邻，使得分别电连接到第一像素电路（Cl)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电路 (C3)的第一数据线值1)、第二数据线值2)和第Ξ数据线值3)可被设置为与透射部分（IV) 相邻。参考图25,第一数据线值1)、第二数据线值2)和第Ξ数据线值3)可被设置在透射 部分（IV)的左侧。因此，第一数据线值1)、第二数据线值2)和第Ξ数据线值3)可不与透 射部分（IV)重叠。
[0139] 另一方面，分别电连接到第一像素电路（C1)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电路 (C3)的第一 Vdd线（VI)、第二Vdd线（V2)和第^Vdd线（V3)可被设置为与透射部分（IV) 相邻。参考图25,第一 Vdd线（VI)、第二Vdd线（V2)和第^Vdd线（V3)可被设置在透射 部分（IV)的右侧。因此，第一 Vdd线（VI)、第二Vdd线（V2)和第SVdd线（V3)可不与透 射部分（IV)重叠。因此，配线（S、D1、D2、D3、V1、V2、V3)可被设置为不与透射部分（IV)重 叠，使得配线（S、D1、D2、D3、V1、V2、V3)不会降低透射部分（IV)的透射率。
[0140] 图26图示了根据又一些其它示例实施例的有机发光显示设备的平面图，并且图 27是根据一些示例实施例的沿图26的线B-B'截取的剖视图。除了有机层图案168和上电 极172之外，有机发光显示设备可与参考图1至图7描述的有机发光显示设备基本相似。
[0141] 参考图26至图27,包括薄膜晶体管（TR2)和电容器的像素电路可被设置在基板 100上并分别在第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)中。第二绝 缘夹层140可被设置为覆盖像素电路。
[0142] 下电极152、154和156可被设置在第二绝缘夹层140上，并且像素限定层155可 被设置在第二绝缘夹层140上，W部分覆盖下电极152、154和156。此外，有机发光层图案 162、164和166可被分别设置在下电极152、154和156的顶表面W及像素限定层155的侧 壁上。
[0143] 有机层图案168可被设置在像素限定层155上。有机层图案168可在第一方向上 延伸，并且可覆盖多个透射部分（IV)。在示例实施例中，有机层图案168可从透射部分（IV) 延伸至第Ξ发光部分（III)，使得有机层图案168可与第Ξ发光部分（III)部分重叠。可替 代地，有机层图案168可不被设置在第Ξ发光部分（III)中。
[0144] 有机层图案168可包括相对于上电极172可具有较弱的粘附特性的材料。例如， 有机层图案168可包括例如哇嘟裡化iQ)的透明有机材料。也就是说，有机层图案168可 具有比上电极172的透射率更好的透射率。因此，可减少或最小化透射部分（IV)由有机层 图案168引起的透射率降低。
[0145] 上电极172可被设置在有机发光层图案162、164和166 W及空穴传输层160上。 然而，上电极172可不与有机层图案168重叠，或可与有机层图案168的边缘部分重叠。也 就是说，上电极172可不被设置在透射部分（IV)中。
[0146] 根据示例实施例，上电极172可不与透射部分（IV)重叠，使得透射部分（IV)的透 射率可得到提高。此外，上电极172和有机层图案168可具有较弱的粘附性，使得上电极 172可不使用掩模而由金属自图案化工艺形成。
[0147] 图28至图32是根据一些示例实施例的制造有机发光显示设备的方法中各阶段的 平面图、剖视图和透视图。
[0148] 参考图28,参考图8至图23描述的工艺可被执行。也就是说，包括薄膜晶体管 (TR2)的像素电路可被形成在基板100上，并且第二绝缘夹层140可被形成为覆盖像素电 路。下电极152、154和156 W及像素限定层155可被形成在第二绝缘夹层140上，然后空 穴传输层160可被形成在下电极152、154和156 W及像素限定层155上。当在第一方向上 传送基板100时，第一有机发光层图案162可被形成为与第一发光部分（I)重叠，第二有机 发光层图案164可被形成为与第二发光部分（II)重叠，并且第Ξ有机发光层图案166可被 形成为与第Ξ发光部分（III)重叠。
[0149] 参考图29至图31，有机层图案168可被形成为与透射部分（IV)重叠。用于形成 有机层图案168的工艺可与参考图15至图19描述的基本相同或相似。也就是说，当在第 一方向上传送基板100时，从沉积装置300发射的沉积颗粒322可穿过第四掩模结构202， 然后可到达基板100, W形成有机层图案168。 [0150] 在示例实施例中，沉积颗粒322可包括相对于上电极172可具有较弱的粘附特性 的材料。例如，沉积颗粒322可包括例如哇嘟裡化i曲的透明有机材料。
[0151] 在示例实施例中，有机层图案168可被形成在像素限定层155上。有机层图案168 可在第一方向上延伸，并且可覆盖多个透射部分（IV)。在示例实施例中，有机层图案168 可从透射部分（IV)延伸至第Ξ发光部分（III)，使得有机层图案168可与第Ξ发光部分 (ΠΙ)部分重叠。可替代地，有机层图案168可不被设置在第Ξ发光部分（III)中。
[0152] 参考图32,上电极172可被形成为与第一至第Ξ有机发光层图案162、164和166 重叠。在示例实施例中，上电极172可使用诸如侣（A1)、销（Pt)、银（Ag)、儀（Mg)、金（Au)、 铭（化）、鹤（W)、钢（Mo)、铁灯i)的金属或其合金形成。上电极172的金属相对于有机层图 案168可具有较弱的粘附特性。因此，上电极172可被形成为不与有机层图案168重叠，或 者与有机层图案168的边缘部分重叠。因此，上电极172可不与透射部分（IV)重叠，使得 透射部分（IV)中的透射率可得到提高。
[0153] 图33图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的平面图，并且图34是图 33的放大平面图。参考图33,有机发光显示设备的基板100可被分成显示区域狂）和周边 区域灯）。
[0154] 在示例实施例中，显示区域佩可被设置在基板100的中心并且周边区域灯）可 被设置在基板100的边缘。也就是说，周边区域灯）可围绕显示区域狂）的至少一侧。
[0155] 有机发光显示设备的基板100可具有在第一方向上的第一宽度W1，并且可具有在 第二方向上的第二宽度W2。在示例实施例中，第一宽度W1可大于第二宽度W2。也就是说， 基板100可具有可在第一方向上延伸的矩形形状。
[0156] 另一方面，驱动电路部分（1C)可被设置在基板100的周边区域灯）中。驱动电路 部分（1C)可包括可控制和传送电信号到像素区域（P)的数据驱动器、扫描驱动器、电平移 位器和缓冲电路。在示例实施例中，驱动电路部分（1C)可被设置在显示区域狂）的下侧或 上侧。此外，驱动电路部分（1C)可如图33所示在第一方向上延伸。
[0157] 参考图33和图34,多个像素区域（巧可被设置在基板100的显示区域狂）中。多 个像素区域任）可在第一方向和第二方向上被布置。像素区域（P)中的每一个像素区域可 包括第一区域巧）和第二区域灯)，第一区域巧）可包括第一发光部分（I)、第二发光部分 (II)和第Ξ发光部分（III)，并且第二区域灯）可包括透射部分（IV)。
[015引在示例实施例中，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)可 与红光、绿光和蓝光对应。也就是说，设置在第一至第Ξ发光部分（I、II、III)中的发光结 构可产生红光、绿光和蓝光。
[0159] 在示例实施例中，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)中 的每一个发光部分可具有在第二方向上延伸的多边形形状。也就是说，第一发光部分（I) 在第二方向上的长度可大于第一发光部分（I)在第一方向上的宽度，第二发光部分（II) 在第二方向上的长度可大于第二发光部分（II)在第一方向上的宽度，并且第Ξ发光部分 (ΠΙ)在第二方向上的长度可大于第Ξ发光部分（ΠΙ)在第一方向上的宽度。
[0160] 第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)可在第一方向上被 依次布置。也就是说，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)可在第 一方向上彼此隔开。当从第二方向看时，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光 部分（III)可彼此不重叠。
[0161] 此外，透射部分（IV)可在第一方向上与第Ξ发光部分（III)隔开。在示例实施例 中，透射部分（IV)可相对于像素区域（P)的面积占据约20%至约90%的范围内的比率。
[0162] 现在参考图34,相邻像素区域（P)的第一发光部分（I)、第二发光部分（II)、第Ξ 发光部分（III)和透射部分（IV)可在第二方向上被布置。也就是说，相邻像素区域（P)的 第一发光部分（I)可在第二方向上被布置。相邻像素区域（P)的第二发光部分（II)可在 第二方向上被布置。相邻像素区域（巧的第Ξ发光部分（III)可在第二方向上被布置。此 夕F，相邻像素区域（巧的透射部分（IV)可在第二方向上被布置。因此，当从第二方向看时， 透射部分（IV)可不与第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)重叠。
[0163] 此外，有机发光结构和用于电控制有机发光结构的像素电路可被设置在第一发光 部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)中的每一个发光部分中。
[0164] 图35图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的像素电路的示意图。
[0165] 参考图35，扫描线做、数据线值1、02、03)、￥(1(1线（￥1、￥2、￥3)可被电连接到像 素电路（C1、C2、C3)。在示例实施例中，取决于像素电路（C1、C2、C3)的结构，其它配线可被 电连接到像素电路（C1、C2、C3)。
[0166] 在示例实施例中，单条扫描线（巧可被电连接到第一像素电路（C1)、第二像素电 路（C2)和第Ξ像素电路（C3)中。也就是说，布置在同一列上的像素电路（C1、C2、C3)可被 电连接到单条扫描线（S)。第一像素电路（C1)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电路（C3) 可被分别设置在第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)中。第一像 素电路（C1)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电路（C3)可不被设置在透射部分（IV)中，使 得第一像素电路（C1)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电路（C3)不会降低透射部分（IV)的 透射率。
[0167] 分别电连接到第一像素电路（C1)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电路（C3)的第 一数据线值1)、第二数据线值2)和第Ξ数据线值3)可被设置为与透射部分（IV)相邻。参 考图35,第一数据线值1)、第二数据线值2)和第Ξ数据线值3)可被设置在透射部分（IV) 上方，使得第一数据线值1)、第二数据线值2)和第Ξ数据线值3)可不与透射部分（IV)重 叠。
[016引此外，第一 Vdd线（VI)、第二Vdd线（V。和第立Vdd线可被设置为与透射部 分（IV)相邻。然而，第一 Vdd线（VI)、第二Vdd线（V2)和第^Vdd线（V3)可不与透射部 分（IV)重叠，使得第一 Vdd线（VI)、第二Vdd线（V2)和第^Vdd线（V3)不会降低透射部 分（IV)的透射率。
[0169] 图36图示了根据一些示例实施例的沿图34的线B-B'截取的剖视图，并且图37 是根据一些示例实施例的沿图34的线A-A'截取的剖视图。
[0170] 参考图36和图37,像素电路和发光结构可被设置在基板100的发光部分（I、II、 III)上。
[0171] 有机发光显示设备可包括基板100、像素电路的开关结构、下电极152、154和156、 发光结构、W及上电极170。
[0172] 基板100可包括透明绝缘基板。例如，基板100可包括玻璃基板、石英基板、透明 树脂基板等。可替代地，基板100可包括柔性基板。
[0173] 缓冲层105可被设置在基板100上。缓冲层105可提供平坦的顶表面，并且可防 止杂质扩散到基板100内。构成像素电路的晶体管和电容器可被设置在缓冲层105上。像 素电路可被分别设置在第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)中。
[0174] 为了便于描述，在图36和图37中图示了第二晶体管（TR2)，然而第一晶体管（未 示出）和电容器（未示出）可被进一步设置在缓冲层105上。第二晶体管（TR2)可包括有 源图案110、栅电极125、源电极132和漏电极134。
[017引有源图案110可包括氧化物半导体、多晶娃、渗杂多晶娃、非晶娃、渗杂非晶娃等。 此外，有源图案110可包括沟道区112、源区114和漏区116。源区114和漏区116可被渗 杂杂质，并且沟道区112可被设置在源区114和漏区116之间。
[0176] 栅绝缘层120可被设置为覆盖有源图案110,并且栅电极125可被设置在栅绝缘层 120上。在示例实施例中，栅电极125可与有源图案110的沟道区112重叠。
[0177] 第一绝缘夹层130可被设置为覆盖栅电极125,并且源电极132和漏电极134可穿 过第一绝缘夹层130和栅绝缘层120被分别电连接到源区114和漏区116。此外，第二绝缘 夹层140可被设置为覆盖包括第二晶体管（TR2)的像素电路。在示例实施例中，第二绝缘 夹层140可具有基本上平坦的上表面。
[017引 下电极152、154和156可被设置在第二绝缘夹层140上。下电极152、154和156 可被分别设置在发光部分（I、II、III)中。下电极152、154和156可包括诸如氧化铜锋 (IZ0)或氧化铜锡（IT0)的透明导电材料。
[0179] 像素限定层155可被设置在第二绝缘夹层140上，W部分覆盖下电极152、154和 156。在示例实施例中，像素限定层155可包括有机绝缘材料或诸如氧化娃或氮化娃的无机 绝缘材料。
[0180] 空穴传输层160可被设置在下电极152、154和156 W及像素限定层155上。在示 例实施例中，空穴传输层160可不使用掩模或不执行使用蚀刻溶液的蚀刻工艺来形成。
[0181] 有机发光层图案182、184和186可被设置在下电极152、154和156的顶表面和像 素限定层155的侧壁上。在示例实施例中，有机发光层图案182、184和186可具有在大约 200A至大约500A的范围内的厚度。
[0182] 参考图36和图37,第一有机发光层图案182可在第二方向上延伸，使得第一有机 发光层图案182可与多个第一发光部分（I)重叠。第二有机发光层图案184可在第二方向 上延伸，使得第二有机发光层图案184可与多个第二发光部分（II)重叠。第Ξ有机发光层 图案186可在第二方向上延伸，使得第Ξ有机发光层图案186可与多个第Ξ发光部分（III) 重叠。此外，第一有机发光层图案182、第二有机发光层图案184和第Ξ有机发光层图案186 可在第一方向上彼此隔开。
[0183] 如上所述，当从第二方向看时，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光 部分（III)可不与透射部分（IV)重叠，使得第一有机发光层图案182、第二有机发光层图案 184和第Ξ有机发光层图案186可不与透射部分（IV)重叠。也就是说，穿过透射部分（IV) 的外部光可不穿过有机发光层图案182、184和186,使得可增加外部光在透射部分（IV)中 的透射率，并且可防止由于有机发光层图案182、184和186而引起的色偏问题。
[0184] 上电极170可被设置在有机发光层图案182、184和186 W及空穴传输层160上。例 如，上电极170可包括侣（Α1)、销（Pt)、银（Ag)、儀（Mg)、金（Au)、铭（Cr)、鹤（W)、钢（Mo)、 铁灯i)或其合金。然而，上电极170可具有相对薄的厚度，使得上电极170可具有相对高 的透射率。
[0185] 根据示例实施例，第一有机发光层图案182、第二有机发光层图案184和第Ξ有机 发光层图案186可在第二方向上延伸。此外，当从第二方向看时，第一发光部分（I)、第二 发光部分（II)和第Ξ发光部 分（III)可不与透射部分（IV)重叠。当在第二方向上传送基 板100时，第一有机发光层图案182、第二有机发光层图案184和第Ξ有机发光层图案186 中的每一个有机发光层图案可被形成为不与透射部分（IV)重叠。因此，可增加外部光在透 射部分（IV)中的透射率，并且可防止由于有机发光层图案182、184和186而引起的色偏问 题。
[0186] 根据示例实施例，当从第一方向看时，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第 Ξ发光部分（III)可不与透射部分（IV)重叠，使得第一有机发光层图案、第二有机发光层 图案和第Ξ有机发光层图案可不与透射部分（IV)重叠。也就是说，穿过透射部分（IV)的 外部光可不穿过有机发光层图案，使得可增加外部光在透射部分（IV)中的透射率，并且可 防止由于有机发光层图案而引起的色偏问题。
[0187] 在本文中已经公开了示例实施例，尽管使用了特定的术语，但它们仅W-般和描 述性的意思被使用和解释，而不是为了限制的目的。在某些情况下，如对递交本申请的领域 内的普通技术人员来说将是显而易见的那样，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元 件可单独使用，或可与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另有明 确说明。因此，本领域技术人员将理解，可在不脱离如W下权利要求中提出的本发明的精神 和范围的情况下对形式和细节进行各种改变。
【主权项】
1. 一种有机发光显不设备，包括： 基板，具有在第一方向上的第一宽度和在垂直于所述第一方向的第二方向上的第二宽 度，所述第一宽度大于所述第二宽度；和 在所述基板上的多个像素区域，所述多个像素区域中的每一个像素区域被分成第一区 域和第二区域，所述多个像素区域中的每一个像素区域包括沿所述第二方向布置的第一发 光部分、第二发光部分、第三发光部分和透射部分，并且所述第一发光部分、所述第二发光 部分和所述第三发光部分中的每一个发光部分在所述第一方向上延伸， 其中所述第一发光部分、所述第二发光部分和所述第三发光部分被设置在所述像素区 域中的每一个像素区域的所述第一区域中，并且所述透射部分被设置在所述像素区域中的 每一个像素区域的所述第二区域中。2. 根据权利要求1所述的有机发光显示设备，进一步包括： 在多个所述第一发光部分中的多个第一下电极； 在多个所述第二发光部分中的多个第二下电极；和 在多个所述第三发光部分中的多个第三下电极。3. 根据权利要求2所述的有机发光显示设备，进一步包括： 在所述多个第一下电极上的第一有机发光层图案，所述第一有机发光层图案在所述第 一方向上延伸； 在所述多个第二下电极上的第二有机发光层图案，所述第二有机发光层图案在所述第 一方向上延伸；和 在所述多个第三下电极上的第三有机发光层图案，所述第三有机发光层图案在所述第 一方向上延伸。4. 根据权利要求3所述的有机发光显示设备，其中： 所述第一有机发光层图案覆盖所述第一发光部分，并暴露所述透射部分， 所述第二有机发光层图案覆盖所述第二发光部分，并暴露所述透射部分，并且 所述第三有机发光层图案覆盖所述第三发光部分，并暴露所述透射部分。5. 根据权利要求3所述的有机发光显示设备，进一步包括： 在所述第一有机发光层图案、所述第二有机发光层图案和所述第三有机发光层图案上 的上电极， 其中所述上电极覆盖所述第一发光部分、所述第二发光部分、所述第三发光部分和所 述透射部分。6. 根据权利要求3所述的有机发光显示设备，进一步包括： 在所述第一有机发光层图案、所述第二有机发光层图案和所述第三有机发光层图案上 的上电极， 其中所述上电极在暴露所述透射部分的同时，覆盖所述第一发光部分、所述第二发光 部分和所述第三发光部分。7. 根据权利要求6所述的有机发光显示设备，其中所述上电极包括铝、铂、银、镁、金、 铬、钨、钼、钛或其合金。8. 根据权利要求6所述的有机发光显示设备，进一步包括覆盖所述透射部分的有机层 图案，所述有机层图案具有相对于所述上电极较低的粘附特性。9. 根据权利要求8所述的有机发光显示设备，其中所述有机层图案包括喹啉锂。10. 根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述透射部分在所述第一方向上 看时不与所述第一发光部分、所述第二发光部分或所述第三发光部分重叠。11. 根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中： 所述第一发光部分在所述第一方向上的长度大于所述第一发光部分在所述第二方向 上的宽度， 所述第二发光部分在所述第一方向上的长度大于所述第二发光部分在所述第二方向 上的宽度，并且 所述第三发光部分在所述第一方向上的长度大于所述第三发光部分在所述第二方向 上的宽度。12. 根据权利要求2所述的有机发光显示设备，进一步包括： 在所述第一发光部分中的第一像素电路，所述第一像素电路被电连接到所述第一下电 极； 在所述第二发光部分中的第二像素电路，所述第二像素电路被电连接到所述第二下电 极；和 在所述第三发光部分中的第三像素电路，所述第三像素电路被电连接到所述第三下电 极。13. 根据权利要求12所述的有机发光显示设备，进一步包括： 在所述基板的边缘的驱动电路部分；和 电连接所述驱动电路部分与所述第一像素电路、所述第二像素电路或所述第三像素电 路的多个配线。14. 根据权利要求13所述的有机发光显示设备，其中所述配线包括扫描线、数据线和 Vdd线。15. 根据权利要求14所述的有机发光显示设备，其中所述扫描线在所述第二方向上延 伸，并且所述数据线和所述Vdd线在所述第一方向上延伸。16. 根据权利要求14所述的有机发光显示设备，其中所述扫描线在所述第一方向上延 伸，并且所述数据线和所述Vdd线在所述第二方向上延伸。17. 根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述有机发光显示设备绕在所述 第二方向上延伸的轴线可弯曲。18. 根据权利要求3所述的有机发光显示设备，其中所述第一有机发光层图案、所述第 二有机发光层图案和所述第三有机发光层图案没有被设置在所述透射部分中。19. 一种有机发光显不设备，包括： 基板，具有在第一方向上的第一宽度和在垂直于所述第一方向的第二方向上的第二宽 度，所述第一宽度大于所述第二宽度；和 在所述基板上的多个像素区域，所述像素区域中的每一个像素区域被分成第一区域和 第二区域，所述多个像素区域中的每一个像素区域包括沿所述第一方向布置的第一发光部 分、第二发光部分、第三发光部分和透射部分，并且所述第一发光部分、所述第二发光部分 和所述第三发光部分中的每一个发光部分在所述第二方向上延伸， 其中所述第一发光部分、所述第二发光部分和所述第三发光部分被设置在所述像素区 域中的每一个像素区域的所述第一区域中，并且所述透射部分被设置在所述像素区域中的 每一个像素区域的所述第二区域中。20. 根据权利要求19所述的有机发光显示设备，进一步包括： 在多个所述第一发光部分中的多个第一下电极； 在多个所述第二发光部分中的多个第二下电极；和 在多个所述第三发光部分中的多个第三下电极。21. 根据权利要求19所述的有机发光显示设备，进一步包括： 在所述多个第一下电极上的第一有机发光层图案，所述第一有机发光层图案在所述第 二方向上延伸； 在所述多个第二下电极上的第二有机发光层图案，所述第二有机发光层图案在所述第 二方向上延伸；和 在所述多个第三下电极上的第三有机发光层图案，所述第三有机发光层图案在所述第 二方向上延伸。22. 根据权利要求21所述的有机发光显示设备， 其中所述第一有机发光层图案覆盖所述第一发光部分，并暴露所述透射部分， 其中所述第二有机发光层图案覆盖所述第二发光部分，并暴露所述透射部分，并且 其中所述第三有机发光层图案覆盖所述第三发光部分，并暴露所述透射部分。23. 根据权利要求21所述的有机发光显示设备，进一步包括： 在所述第一有机发光层图案、所述第二有机发光层图案和所述第三有机发光层图案上 的上电极， 其中所述上电极覆盖所述第一发光部分、所述第二发光部分、所述第三发光部分和所 述透射部分。24. 根据权利要求21所述的有机发光显示设备，进一步包括： 在所述第一有机发光层图案、所述第二有机发光层图案和所述第三有机发光层图案上 的上电极， 其中所述上电极覆盖所述第一发光部分、所述第二发光部分和所述第三发光部分，并 且暴露所述透射部分。25. 根据权利要求19所述的有机发光显示设备，其中所述透射部分在所述第二方向上 看时不与所述第一发光部分、所述第二发光部分和所述第三发光部分重叠。26. 根据权利要求19所述的有机发光显示设备， 其中所述第一发光部分在所述第二方向上的长度大于所述第一发光部分在所述第一 方向上的宽度， 其中所述第二发光部分在所述第二方向上的长度大于所述第二发光部分在所述第一 方向上的宽度，并且 其中所述第三发光部分在所述第二方向上的长度大于所述第三发光部分在所述第一 方向上的宽度。27. -种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括： 提供具有在第一方向上的第一宽度和在垂直于所述第一方向的第二方向上的第二宽 度的基板，所述第一宽度大于所述第二宽度； 在所述基板上限定多个像素区域，所述多个像素区域中的每一个像素区域包括沿所述 第二方向布置的第一发光部分、第二发光部分、第三发光部分和透射部分； 形成在所述第一方向上延伸的第一有机发光层图案，所述第一有机发光层图案与所述 第一发光部分重叠； 形成在所述第一方向上延伸的第二有机发光层图案，所述第二有机发光层图案与所述 第二发光部分重叠；和 形成在所述第一方向上延伸的第三有机发光层图案，所述第三有机发光层图案与所述 第三发光部分重叠。28. 根据权利要求27所述的方法，进一步包括：在形成所述第一有机发光层图案之前， 形成多个所述第一发光部分中的多个第一下电极、多个所述第二发光部分中的多个第二下 电极和多个所述第三发光部分中的多个第三下电极。29. 根据权利要求27所述的方法，进一步包括：在形成所述第三有机发光层图案之后， 在所述第一有机发光层图案、所述第二有机发光层图案和所述第三有机发光层图案上形成 上电极。30. 根据权利要求27所述的方法，其中形成所述第一有机发光层图案包括： 在沉积装置上方布置掩模结构，所述掩模结构包括多个开口； 通过加热所述沉积装置从所述沉积装置排出沉积颗粒；和 在所述第一方向上在所述掩模结构上方传送所述基板。31. 根据权利要求30所述的方法，其中所述掩模结构具有在所述第二方向上的所述第 二宽度。32. 根据权利要求27所述的方法，在形成所述第三有机发光层图案之后进一步包括： 形成覆盖所述透射部分的有机层图案；和 在所述第一有机发光层图案、所述第二有机发光层图案和所述第三有机发光层图案上 形成上电极，所述上电极暴露所述透射部分。33. 根据权利要求32所述的方法，其中所述有机层图案包括喹啉锂，并且 其中所述上电极包括错、钼、银、镁、金、络、妈、钼、钛或其合金。34. 根据权利要求33所述的方法，其中所述上电极不与所述有机层图案重叠，或者所 述上电极与所述有机层图案的边缘部分重叠。
【专利摘要】本发明涉及有机发光显示设备和制造有机发光显示设备的方法。该有机发光显示设备，包括：基板，具有在第一方向上的第一宽度和在第二方向上的第二宽度，所述第二宽度垂直于第一宽度并小于第一宽度；以及在基板上的像素区域，像素区域中的每一个像素区域包括沿第二方向布置的第一发光部分、第二发光部分、第三发光部分和透射部分，第一至第三发光部分中的每一个发光部分在第一方向上延伸。
【IPC分类】H01L51/52, H01L27/32
【公开号】CN105489629
【申请号】CN201510631811
【发明人】郑镇旭, 赵一花世界, 金相烈
【申请人】三星显示有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年9月29日
【公告号】EP3002790A1, US20160099294
【技术领域】
[0001] 示例实施例设及有机发光显示设备和制造有机发光显示设备的方法。更具体地 说，示例实施例设及具有对于外部光的提高的透射率的有机发光显示设备和制造有机发光 显示设备的方法。
【背景技术】
[0002] 显示器包括多个像素，多个像素发光W形成图像。0L邸显示器的像素包括有机发 光二极管（0LED)。0LED发射具有取决于被包括在0L邸的发光层中的有机材料的类型的波 长的光。例如，为了发射红色光、绿色光和蓝色光中的一种，0L邸可包括不同类型的有机材 料。0L邸显示器混合由0L邸发射的具有不同颜色的光，W形成彩色图像。最近已经研究具 有预定透射率的0LED显示器。
【发明内容】
[0003] 示例实施例提供了一种具有对于外部光的提高的透射率的有机发光显示设备。
[0004] 示例实施例提供了一种制造有机发光显示设备的方法。
[0005] 根据示例实施例，一种有机发光显示设备包括：基板，具有在第一方向上的第一宽 度和在基本上垂直于第一方向的第二方向上的第二宽度，第一宽度大于第二宽度；W及设 置在基板上的多个像素区域，多个像素区域中的每一个像素区域被分成第一区域和第二区 域，多个像素区域中的每一个像素区域包括沿第二方向布置的第一发光部分、第二发光部 分、第Ξ发光部分和透射部分，并且第一发光部分、第二发光部分和第Ξ发光部分中的每一 个发光部分在第一方向上延伸，其中第一发光部分、第二发光部分和第Ξ发光部分被设置 在像素区域中的每一个像素区域的第一区域中，并且透射部分被设置在像素区域中的每一 个像素区域的第二区域中。
[0006] 在示例实施例中，有机发光显示设备可进一步包括：设置在多个第一发光部分中 的多个第一下电极；设置在多个第二发光部分中的多个第二下电极；W及设置在多个第Ξ 发光部分中的多个第Ξ下电极。
[0007] 在示例实施例中，有机发光显示设备可进一步包括：设置在多个第一下电极上的 第一有机发光层图案；设置在多个第二下电极上的第二有机发光层图案；W及设置在多个 第Ξ下电极上的第Ξ有机发光层图案。第一有机发光层图案可在第一方向上延伸，第二有 机发光层图案可在第一方向上延伸，并且第Ξ有机发光层图案可在第一方向上延伸。
[0008] 在示例实施例中，第一有机发光层图案可覆盖第一发光部分，并可暴露透射部分。 第二有机发光层图案可覆盖第二发光部分，并可暴露透射部分。第Ξ有机发光层图案可覆 盖第Ξ发光部分，并可暴露透射部分。
[0009] 在示例实施例中，有机发光显示设备可进一步包括设置在第一有机发光层图案、 第二有机发光层图案和第Ξ有机发光层图案上的上电极。上电极可覆盖第一发光部分、第 二发光部分、第Ξ发光部分和透射部分。
[0010] 在示例实施例中，有机发光显示设备可进一步包括设置在第一有机发光层图案、 第二有机发光层图案和第Ξ有机发光层图案上的上电极。上电极可覆盖第一发光部分、第 二发光部分和第Ξ发光部分，并可暴露透射部分。
[0011] 在示例实施例中，上电极可包括侣（AU、销（Pt)、银（Ag)、儀（Mg)、金（Au)、铭 府）、鹤（W)、钢（Mo)、铁Ο?)或其合金。
[0012] 在示例实施例中，有机发光显示设备可进一步包括覆盖透射部分的有机层图案。 有机层图案可具有相对于上电极较低的粘附特性。
[0013] 在示例实施例中，有机层图案可包括哇嘟裡。
[0014] 在不例实施例中，透射部分在第一方向上看时不与第一发光部分、第二发光部分 和第Ξ发光部分重叠。
[0015] 在示例实施例中，第一发光部分在第一方向上的长度可基本上大于第一发光部分 在第二方向上的宽度。第二发光部分在第一方向上的长度可基本上大于第二发光部分在第 二方向上的宽度。第Ξ发光部分在第一方向上的长度可基本上大于第Ξ发光部分在第二方 向上的宽度。
[0016] 在示例实施例中，有机发光显示设备可进一步包括：设置在第一发光部分中的第 一像素电路、设置在第二发光部分中的第二像素电路、W及设置在第Ξ发光部分中的第Ξ 像素电路。第一像素电路可被电连接到第一下电极，第二像素电路可被电连接到第二下电 极，并且第Ξ像素电路可被电连接到第Ξ下电极。
[0017] 在示例实施例中，有机发光显示设备可进一步包括设置在基板的边缘的驱动电路 部分W及电连接驱动电路部分与第一像素电路、第二像素电路或第Ξ像素电路的多个配 线。
[001引在示例实施例中，配线可包括扫描线、数据线和Vdd线。
[0019] 在示例实施例中，扫描线可在第二方向上延伸，并且数据线和Vdd线可在第一方 向上延伸。
[0020] 在示例实施例中，扫描线可在第一方向上延伸。数据线和Vdd线可在第二方向上 延伸。
[0021] 在示例实施例中，有机发光显示设备可绕在第二方向上延伸的轴线被弯曲。
[0022] 在示例实施例中，第一有机发光层图案、第二有机发光层图案和第Ξ有机发光层 图案可没有被设置在透射部分中。
[0023] 根据示例实施例，一种有机发光显示设备包括基板和设置在基板上的多个像素区 域。基板具有在第一方向上的第一宽度和在基本上垂直于第一方向的第二方向上的第二宽 度，并且第一宽度大于第二宽度。像素区域中的每一个像素区域被分成第一区域和第二区 域。像素区域中的每一个像素区域包括沿第一方向布置的第一发光部分、第二发光部分、第 Ξ发光部分和透射部分。第一发光部分、第二发光部分和第Ξ发光部分中的每一个发光部 分在第二方向上延伸。第一发光部分、第二发光部分和第Ξ发光部分被设置在像素区域中 的每一个像素区域的第一区域中，并且透射部分被设置在像素区域中的每一个像素区域的 第二区域中。
[0024] 在示例实施例中，有机发光显示设备可进一步包括：设置在多个第一发光部分中 的多个第一下电极；设置在多个第二发光部分中的多个第二下电极；W及设置在多个第Ξ 发光部分中的多个第Ξ下电极。
[0025] 在示例实施例中，有机发光显示设备可进一步包括：设置在多个第一下电极上的 第一有机发光层图案；设置在多个第二下电极上的第二有机发光层图案；W及设置在多个 第Ξ下电极上的第Ξ有机发光层图案。第一有机发光层图案可在第二方向上延伸，第二有 机发光层图案可在第二方向上延伸，并且第Ξ有机发光层图案可在第二方向上延伸。
[0026] 在示例实施例中，第一有机发光层图案可覆盖第一发光部分，并可暴露透射部分。 第二有机发光层图案可覆盖第二发光部分，并可暴露透射部分。第Ξ有机发光层图案可覆 盖第Ξ发光部分，并可暴露透射部分。
[0027] 在示例实施例中，有机发光显示设备可进一步包括设置在第一有机发光层图案、 第二有机发光层图案和第Ξ有机发光层图案上的上电极。上电极可覆盖第一发光部分、第 二发光部分、第Ξ发光部分和透射部分。
[0028] 在示例实施例中，有机发光显示设备可进一步包括设置在第一有机发光层图案、 第二有机发光层图案和第Ξ有机发光层图案上的上电极。上电极可覆盖第一发光部分、第 二发光部分和第Ξ发光部分，并可暴露透射部分。
[0029] 在示例实施例中，透射部分可在第二方向上看时不与第一发光部分、第二发光部 分和第Ξ发光部分重叠。
[0030] 在示例实施例中，第一发光部分在第二方向上的长度可基本上大于第一发光部分 在第一方向上的宽度。第二发光部分在第二方向上的长度可基本上大于第二发光部分在第 一方向上的宽度。第Ξ发光部分在第二方向上的长度可基本上大于第Ξ发光部分在第一方 向上的宽度。
[0031] 根据示例实施例，基板被提供为具有在第一方向上的第一宽度和在基本上垂直于 第一方向的第二方向上的第二宽度。第一宽度大于第二宽度。多个像素区域被限定在基板 上。像素区域中的每一个像素区域包括沿第二方向布置的第一发光部分、第二发光部分、第 Ξ发光部分和透射部分。第一有机发光层图案被形成为在第一方向上延伸。第一有机发光 层图案与第一发光部分重叠。第二有机发光层图案被形成为在第一方向上延伸。第二有机 发光层图案与第二发光部分重叠。第Ξ有机发光层图案被形成为在第一方向上延伸。第Ξ 有机发光层图案与第Ξ发光部分重叠。
[0032] 在示例实施例中，在形成第一有机发光层图案之前，多个第一下电极被形成在多 个第一发光部分中，多个第二下电极被形成在多个第二发光部分中，并且多个第Ξ下电极 被形成在多个第Ξ发光部分中。
[0033] 在示例实施例中，在形成第Ξ有机发光层图案之后，上电极被形成在第一有机发 光层图案、第二有机发光层图案和第Ξ有机发光层图案上。
[0034] 在示例实施例中，形成第一有机发光层图案可包括：在沉积装置上方布置掩模结 构，掩模结构包括多个开口；通过加热沉积装置从沉积装置排出沉积颗粒；W及在第一方 向上在掩模结构上方传送基板。
[0035] 在示例实施例中，掩模结构可具有在第二方向上的第二宽度。
[0036] 在示例实施例中，在形成第Ξ有机发光层图案之后，有机层图案被形成为覆盖透 射部分，并且上电极被形成在第一有机发光层图案、第二有机发光层图案和第Ξ有机发光 层图案上。上电极可暴露透射部分。
[0037] 在示例实施例中，有机层图案可包括哇嘟裡。上电极可包括侣（Al)、销（Pt)、银 (八邑)、儀^扣、金（411)、铭府)、鹤卿)、钢曲〇)、铁们）或其合金。
[0038] 在示例实施例中，上电极可不与有机层图案重叠，或者上电极可与有机层图案的 边缘部分重叠。
【附图说明】
[0039] 通过参考附图详细描述示例性实施例，对于本领域普通技术人员来说特征将变得 显而易见，附图中：
[0040] 图1图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的平面图；
[0041] 图2图示了图1的放大平面图；
[0042] 图3图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的像素电路的示意图；
[0043] 图4图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的平面图；
[0044] 图5图示了根据一些示例实施例的沿图2的线A-A'截取的剖视图；
[0045] 图6图示了根据一些示例实施例的沿图2的线B-B'截取的剖视图；
[0046] 图7图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的透视图；
[0047] 图8至图23是根据一些示例实施例的制造有机发光显示设备的方法中各阶段的 平面图、剖视图和透视图；
[004引图24图示了根据其它示例实施例的有机发光显示设备的平面图；
[0049] 图25图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的平面图；
[0050] 图26图示了根据其它示例实施例的有机发光显示设备的平面图；
[0051] 图27图示了根据一些示例实施例的沿图26的线B-B'截取的剖视图；
[0052] 图28至图32是根据一些示例实施例的制造有机发光显示设备的方法中各阶段的 平面图、剖视图和透视图；
[0053] 图33图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的平面图；
[0054] 图34图示了图33的放大平面图；
[0055] 图35图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的像素电路的示意图；
[005引图36图示了根据一些示例实施例的沿图35的线B-B'截取的剖视图讯 [0057] 图37图示了根据一些示例实施例的沿图35的线A-A'截取的剖视图。
【具体实施方式】
[005引在下文中将参考附图更详细地描述示例实施例；然而，示例实施例可不同的 形式体现 ，不应当被认为限于本文所提出的实施例。相反，提供运些实施例是为了使得本公 开充分和完整，并且向本领域技术人员充分地传达示例性实施方式。
[0059] 将理解的是，当元件或层被称为在另一元件或层"上"、"被连接到"或"被联接到" 另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上，被直接连接到或联接到另一元件或层，或者 可存在中间元件或中间层。与此相反，当元件被称为"直接在"另一元件或层"上"、"被直接 连接到"或"被直接联接到"另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。在整个文件中，相 同的附图标记指代相同的元件。如本文所用，术语"和/或"包括相关联的所列项目的一个 或多个的任意和所有组合。
[0060] 将理解的是，虽然术语第一、第二、第Ξ等可在本文中用来描述各种元件、组件、区 域、层和/或部分，但是运些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受运些术语的限制。运 些术语仅用来区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分。因 此，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被称为第二元件、组件、区域、层或部分， 而不脱离示例实施例的教导。
[006。 出于易于描述的目的，在本文中可能使用诸如"之下V吓方"、"下"、"上方"、"上" 等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征相对于另一个元件或特征的关系。 将理解的是，除了图中描绘的方位之外，空间相对术语意在包含设备在使用或操作中的不 同方位。例如，如果图中设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征"下方"或"之下"的元 件将被定向为在其它元件或特征的"上方"。因此，示例性术语"下方"可包含上方和下方两 种方位。设备可被另外定向（旋转90度或者在其它方位），并且本文使用的空间相对描述 符可进行相应的解释。
[0062] 本文使用的术语仅用于描述特定的示例实施例，并不旨在限制示例实施例。如本 文所用，单数形式的"一"和"该"旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确说明。将进一 步理解的是，当在本申请文件中使用时，术语"包括"表明存在所陈述的特征、整体、步骤、操 作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组 件和/或它们的组。
[0063] 在本文中参考代表性的图示来描述示例实施例，该代表性的图示是理想化示例实 施例（和中间结构）的示意性图示。运样，作为例如制造技术和/或公差的结果，可预期图 示形状之间的变化。因此，示例实施例不应该被解释为限于本文所示的区域的特定形状，而 是包括例如由制造产生的形状的偏差。图中所示的区域在本质上是示意性的，并且它们的 形状并不旨在图示设备的区域的实际形状，也不旨在限制示例实施例的范围。
[0064] 除非另有定义，本文使用的所有术语（包括技术和科学术语）具有示例实施例所 属的技术领域的普通技术人员所通常理解的相同含义。将进一步理解，例如那些在常用字 典中定义的术语应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文的含义一致的含义，并且将 不W理想化或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此定义。
[0065] 在下文中，将参考附图详细解释示例实施例。
[0066] 图1图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的平面图，并且图2是图1 的区域狂）的放大平面图。
[0067] 参考图1，有机发光显示设备的基板100可被分成显示区域狂）和周边区域灯）。 在示例实施例中，显示区域狂）可被设置在基板100的中屯、，并且周边区域灯）可被设置在 基板100的边缘。也就是说，周边区域灯）可围绕显示区域狂）的至少一侧。例如，周边区 域灯）可如图1所示围绕显示区域佩的四侧，然而实施例不限于此。例如，周边区域灯） 可被设置在显示区域狂）的左侧、右侧、上侧和/或下侧。
[0068] 有机发光显示设备的基板100可具有在第一方向上的第一宽度W1，并且可具有在 第二方向上的第二宽度W2。在示例实施例中，第一宽度W1可大于第二宽度W2。也就是说， 基板100可具有可在第一方向上延伸的矩形形状。
[0069] 驱动电路部分（1C)可被设置在基板100的周边区域灯）中。驱动电路部分（1C) 可包括可控制电信号并传送电信号到像素区域（Ρ)的数据驱动器、扫描驱动器、电平移位 器和缓冲电路。在示例实施例中，驱动电路部分（IC)可被设置在显示区域狂）的下侧或上 侦U。此外，驱动电路部分（1C)可如图1所示在第一方向上延伸。
[0070] 参考图1和图2,多个像素区域（巧可被设置在基板100的显示区域狂）中。在 示例实施例中，多个像素区域（巧可在基板100上沿第一方向和第二方向被布置。如上所 述，基板100可具有可在第一方向上延伸的矩形形状，从而使在第一方向上布置的像素区 域（巧的数量可大于在第二方向上布置的像素区域（巧的数量。如图2所示，像素区域（P) 中的每一个像素区域可包括第一区域巧）和第二区域灯)，第一区域巧）可包括第一发光 部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)，并且第二区域灯）可包括透射部分 (IV)。
[0071] 在示例实施例中，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)可 与红光、绿光和蓝光对应。也就是说，设置在第一至第Ξ发光部分（I、II、III)中的发光结 构可产生红光、绿光和蓝光。
[0072] 在示例实施例中，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)中 的每一个发光部分可具有在第一方向上延伸的多边形形状。也就是说，第一发光部分（I) 在第一方向上的长度可大于第一发光部分（I)在第二方向上的宽度，第二发光部分（II) 在第一方向上的长度可大于第二发光部分（II)在第二方向上的宽度，并且第Ξ发光部分 (III)在第一方向上的长度可大于第Ξ发光部分（ΠΙ)在第二方向上的宽度。
[0073] 在一些示例实施例中，第Ξ发光部分（ΠΙ)可具有比第一发光部分（I)和第二发 光部分（Π )的面积更大的面积。然而，实施例不限于此。例如，第立发光部分（ΙΠ )可具 有与第一发光部分（I)和第二发光部分（II)的面积基本相等的面积。
[0074] 第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)可在第二方向上被 依次布置。也就是说，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)可在第 二方向上彼此隔开。当从第一方向看时，同一像素（P)的第一发光部分（I)、第二发光部分 (II)和第Ξ发光部分（III)可彼此不重叠。
[00巧]此外，透射部分（IV)可在第二方向上与第Ξ发光部分（III)隔开。在示例实施例 中，透射部分（IV)可相对于像素区域（P)的面积占据大约20%至大约90%的范围内的比 率。
[0076] 现在参考图2,相邻像素区域（P)的第一发光部分（I)、第二发光部分（II)、第Ξ 发光部分（III)和透射部分（IV)可在第一方向上被布置。也就是说，相邻像素区域（P)的 第一发光部分（I)可在第一方向上被布置。相邻像素区域（P)的第二发光部分（II)可在 第一方向上被布置。相邻像素区域（巧的第Ξ发光部分（III)可在第一方向上被布置。此 夕F，相邻像素区域（巧的透射部分（IV)可在第一方向上被布置。因此，当从第一方向看时， 像素区域（P)的透射部分（IV)可不与同一像素区域（巧或相邻像素区域（P)的第一发光 部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)重叠。此外，有机发光结构和用于电控 制有机发光结构的像素电路可被设置在第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光 部分（III)中的每一个发光部分中。
[0077] 图3图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的像素电路的示意图，并且 图4是根据一些示例实施例的有机发光显示设备的平面图。
[007引参考图3,扫描线做、数据线做和Vdd线（V)可被电连接到像素电路似。在示 例实施例中，取决于像素电路（c)的结构，其它配线可被电连接到像素电路（c)。
[0079] 在示例实施例中，像素电路（C)可包括第一晶体管（TR1)、第二晶体管（TR2)和存 储电容器（Cst)。在运种情况下，第一晶体管（TR1)可被电连接到扫描线做和数据线值)， 第二晶体管（TR2)可被电连接到第一晶体管（TR1)和Vdd线（V)，并且存储电容器（Cst)可 被电连接到第一晶体管（TR1)和Vdd线（V)。也就是说，第二晶体管（TR2)的第一电极可被 电连接到Vdd线（V)和存储电容器（Cst),并且第二晶体管灯R2)的第二电极可被电连接到 有机发光二极管巧L)。第一晶体管（TR1)可W是开关晶体管，并且第二晶体管（TR2)可W 是驱动晶体管。
[0080] 图3中的像素电路似是示例性实施例，并且实施例不限于此。例如，像素电路 (C)可包括屯个晶体管和两个电容器。
[0081] 参考图4,单条扫描线（巧可被电连接到第一像素电路（C1)、第二像素电路（C2) 和第Ξ像素电路（C3)。也就是说，布置在同一列上的像素电路（C1、C2、C3)可被电连接到单 条扫描线（S)，也就是，同一扫描线（S)。第一像素电路（C1)、第二像素电路（C2)和第Ξ像 素电路（C3)可被分别设置在第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III) 中。第一像素电路（C1)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电路（C3)可不被设置在透射部分 (IV)中，使得第一像素电路（C1)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电路（C3)不会降低透射 部分（IV)的透射率。
[0082] 第一像素电路（C1)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电路（C3)可被设置为与透射 部分（IV)相邻，使得分别电连接到第一像素电路（C1)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电 路（C3)的第一数据线值1)、第二数据线值2)和第Ξ数据线值3)可被设置为与透射部分 (IV)相邻。参考图4,第一数据线值1)可被设置在第一发光部分（I)上方，并且第二数据 线值2)和第Ξ数据线值3)可被设置在第Ξ发光部分（III)和透射部分（IV)之间。因此， 第一数据线值1)、第二数据线值2)和第Ξ数据线值3)可不与透射部分（IV)重叠。
[0083] 此外，分别电连接到第一像素电路（C1)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电路（C3) 的第一 Vdd线（VI)、第二Vdd线（V2)和第Ξ Vdd线（V3)可被设置为与透射部分（IV)相 邻。然而，第一 Vdd线（VI)、第二Vdd线（V2)和第Ξ Vdd线（V3)可不与透射部分（IV)重 叠。第一 Vdd线（VI)、第二Vdd线（V2)和第Ξ Vdd线（V3)不会降低透射部分（IV)的透射 率。
[0084] 图5图示了根据一些示例实施例的沿图2的线A-A'截取的剖视图，并且图6是根 据一些示例实施例的沿图2的线B-B'截取的剖视图。
[0085] 参考图5和图6,像素电路和发光结构可被设置在基板100的发光部分（I、II、 III)上。有机发光显示设备可包括基板100、像素电路的开关结构、下电极152、154和156、 发光结构、W及上电极170。
[0086] 基板100可包括透明绝缘基板。例如，基板100可包括玻璃基板、石英基板或透明 树脂基板等。可替代地，基板100可包括柔性基板。
[0087] 缓冲层105可被设置在基板100上。缓冲层105可提供平坦的顶表面，并且可防 止杂质扩散到基板100内。缓冲层105可包括无机材料、有机材料或其层叠结构。例如，无 机材料可包括氧化娃、氮化娃、氧氮化娃、氧化侣、氮化侣、氧化铁或氮化铁，有机材料可包 括聚酷亚胺、聚醋或丙締酸树脂。在其它示例实施例中，缓冲层105可被省略。
[0088] 构成像素电路的晶体管和电容器可被设置在缓冲层105上。像素电路可被设置在 第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)中。
[0089] 为了便于描述，在图5和图6中图示了第二晶体管（TR2)，然而第一晶体管（未示 出）和电容器（未示出）可被进一步设置在缓冲层105上。
[0090] 有源图案110可包括氧化物半导体、多晶娃、渗杂多晶娃、非晶娃或渗杂非晶娃 等。在示例实施例中，氧化物半导体可包括二元化合物（ΑΒ、)、Ξ元化合物（AByCy)、四元化 合物（AB其0,)等，其可含有铜（In)、锋姑）、嫁（Ga)、锡（Sn)、铁们）、侣（A1)、给am、错 狂r)、儀（Mg)等。运些可单独使用或W其混合物使用。例如，氧化物半导体可包括G-I-Z-0 层[(In203)a(Ga203)b姑0)。层]，其中a、b和C各自是满足a > 0、b > 0、c〉0的实数。当有 源图案110由氧化物半导体形成时，发光部分（I、II、III)的外部光的透射率可得到增加。
[0091] 此外，有源图案110可包括沟道区112、源区114和漏区116。源区114和漏区116 可渗杂杂质，并且沟道区112可被设置在源区114和漏区116之间。
[0092] 栅绝缘层120可被设置为覆盖有源图案110,并且栅电极125可被设置在栅绝缘层 120上。在示例实施例中，栅电极125可与有源图案110的沟道区112重叠。
[0093] 第一绝缘夹层130可被设置为覆盖栅电极125,并且源电极132和漏电极134可穿 过第一绝缘夹层130和栅绝缘层120被分别电连接到源区114和漏区116。
[0094] 图5中所示的第二晶体管TR2可具有其中栅电极125被设置在有源图案110上方 的顶栅结构，然而实施例不限于此。例如，晶体管可具有其中有源图案被设置在栅电极上方 的底栅结构。
[0095] 此外，第二绝缘夹层140可被设置为覆盖包括第二晶体管（TR2)的像素电路。在 示例实施例中，第二绝缘夹层140可具有基本上平坦的上表面。
[0096] 下电极152、154和156可被设置在第二绝缘夹层140上。下电极152、154和156 可被分别设置在发光部分（Ι、Π 、ΠΙ)中。在示例实施例中，第一下电极152可被设置在第 一发光部分（I)中，第二下电极154可被设置在第二发光部分（II)中，并且第Ξ下电极156 可被设置在第Ξ发光部分（III)中。也就是说，下电极152、154和156可不被设置在透射 部分（IV)中。下电极152、154和156可包括诸如氧化铜锋（ΙΖ0)或氧化铜锡（ΙΤ0)的透 明导电材料。
[0097] 像素限定层155可被设置在第二绝缘夹层140上，W部分覆盖下电极152、154和 156。在示例实施例中，像素限定层155可包括有机绝缘材料或诸如氧化娃或氮化娃的无机 绝缘材料。
[009引空穴传输层160可被设置在下电极152、154和156 W及像素限定层155上。在示 例实施例中，空穴传输层160可不使用掩模或不执行使用蚀刻溶液的蚀刻工艺来形成。
[0099] 有机发光层图案162、164和166可被设置在下电极152、154和156的顶表面和像 素限定层155的侧壁上。在示例实施例中，有机发光层图案162、164和166可具有在大约 200Α至大约SOOA，例如大约250Α至大约350Α，的范围内的厚度。
[0100] 参考图2、图5和图6,第一有机发光层图案162可在第一方向上延伸，使得第一有 机发光层图案162可与多个第一发光部分（I)重叠。第二有机发光层图案164可在第一方 向上延伸，使得第二有机发光层图案164可与多个第二发光部分（II)重叠。第Ξ有机发 光层图案166可在第一方向上延伸，使得第Ξ有机发光层图案166可与多个第Ξ发光部分 (HI)重叠。另外，第一有机发光层图案162、第二有机发光层图案164和第Ξ有机发光层 图案166可在第二方向上彼此隔开。
[0101] 如上所述，当从第一方向看时，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光 部分（III)可不与透射部分（IV)重叠，使得第一有机发光层图案162、第二有机发光层图案 164和第Ξ有机发光层图案166可不与透射部分（IV)重叠。也就是说，穿过透射部分（IV) 的外部光可不穿过有机发光层图案162、164和166,使得可增加外部光在透射部分（IV)中 的透射率，并且可防止由于有机发光层图案162、164和166而引起的色偏问题。
[0102] 在示例实施例中，第一有机发光层图案162可包括用于发射红光的材料，第二有 机发光层图案164可包括用于发射绿光的材料，并且第Ξ有机发光层图案166可包括用于 发射蓝光的材料。
[0103] 在其它示例实施例中，空穴注入层化IL)可被进一步设置在空穴传输层160的下 方，并且电子传输层巧TL)和/或电子注入层巧IL)可被进一步设置在有机发光层图案 162、164 和 166 上。
[0104] 上电极170可被设置在有机发光层图案162、164和166 W及空穴传输层160上。例 如，上电极170可包括侣（Α1)、销（Pt)、银（Ag)、儀（Mg)、金（Au)、铭（Cr)、鹤（W)、钢（Mo)、 铁灯i)或其合金。然而，上电极170可具有相对薄的厚度，使得上电极170可具有相对高 的透射率。
[0105] 图7图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的透视图。有机发光显示设 备可与参考图1至图6描述的有机发光显示设备基本相似。有机发光显示设备可具有预定 的柔性并可在预定的方向上弯曲。
[0106] 参考图7,有机发光显示设备可围绕在第二方向上延伸的轴线沿第一方向弯曲。因 此，当用户看有机发光显示设备时，有机发光显示设备在第一方向上的长度可减小。
[0107] 如上所述，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)中的每 一个发光部分可具有在第一方向上延伸的矩形形状。当有机发光显示设备围绕在第二方向 上延伸的轴线沿第一方向弯曲时，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分 (ΠΙ)中的每一个发光部分可具有长度减小了的矩形形状。因此，第一发光部分（I)、第二 发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)中的每一个发光部分的可见性不会由于弯曲的形状 而降低。
[010引图8至图23图示了根据一些示例实施例的制造有机发光显示设备的方法中各阶 段的平面图、剖视图和透视图。
[0109] 参考图8,可提供包括多个像素区域任）的基板100。多个像素区域（巧可在第一 方向和第二方向上被布置。像素区域任）中的每一个像素区域可包括第一发光部分（I)、第 二发光部分（II)、第Ξ发光部分（ΠΙ)和透射部分（IV)。
[0110] 在示例实施例中，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)中 的每一个发光部分可具有在第一方向上延伸的矩形形状。也就是说，第一发光部分（I)在 第一方向上的长度可大于第一发光部分（I)在第二方向上的宽度，第二发光部分（II)在第 一方向上的长度可大于第二发光部分（II)在第二方向上的宽度，并且第Ξ发光部分（III) 在第一方向上的长度可大于第Ξ发光部分（III)在第二方向上的宽度。
[0111] 第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)可在第二方向上彼 此隔开。第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)可在第二方向上被 依次布置。
[0112] 此外，透射部分（IV)可在第二方向上与第Ξ发光部分（III)隔开。在示例实施例 中，透射部分（IV)可相对于像素区域（P)的面积占据大约20%至大约90%的范围内的比 率。
[0113] 现在参考图8,相邻像素区域（P)的第一发光部分（I)、第二发光部分（II)、第Ξ 发光部分（III)和透射部分（IV)可在第一方向上被布置。也就是说，相邻像素区域（P)的 第一发光部分（I)可在第一方向上被布置。相邻像素区域（P)的第二发光部分（II)可在 第一方向上被布置。相邻像素区域（巧的第Ξ发光部分（III)可在第一方向上被布置。此 夕F，相邻像素区域（巧的透射部分（IV)可在第一方向上被布置。因此，当从第一方向看时， 透射部分（IV)可不与第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)重叠。
[0114] 参考图9和图10,包括第二晶体管（TR2)的像素电路可被形成在基板100上。为 了便于描述，在图9和图10中图示了第二晶体管（TR2)，然而第一晶体管（未示出）和电容 器（未示出）可被进一步设置在基板100上。
[0115] 首先，缓冲层105可被形成在基板100上。在示例实施例中，缓冲层105可通过使 用无机材料、有机材料或其层叠结构由沉积工艺或涂覆工艺形成。例如，无机材料可包括氧 化娃、氮化娃、氧氮化娃、氧化侣、氮化侣、氧化铁或氮化铁，有机材料可包括聚酷亚胺、聚醋 或丙締酸树脂。在其它示例实施例中，缓冲层105可被省略。
[0116] 半导体层可使用氧化物半导体、多晶娃、渗杂多晶娃、非晶娃或渗杂非晶娃等被形 成在缓冲层105上，然后半导体层可被部分蚀刻，W形成有源图案110。在示例实施例中，半 导体层可使用氧化物半导体通过使用多个祀的瓣射工艺来形成。
[0117] 然后，栅绝缘层120可被形成为覆盖有源图案110,并且栅电极125可被形成在栅 绝缘层120上，W与有源图案110重叠。此外，可通过使用栅电极125作为离子注入掩模将 杂质注入到有源图案110的部分中，从而形成源区114和漏区116。
[0118] 第一绝缘夹层130可被形成为覆盖栅电极125。源电极132和漏电极134可穿过 第一绝缘夹层130和栅绝缘层120形成，使得源电极132和漏电极134可分别被电连接到 源区114和漏区116。
[0119] 然后，第二绝缘夹层140可被形成在第一绝缘夹层130上，W覆盖源电极132和漏 电极134。第二绝缘夹层140可具有大致平坦的顶表面。
[0120] 参考图11至图13,下电极152、154和156 W及像素限定层155可被形成在第二绝 缘夹层140上。第二绝缘夹层140可被部分地去除，W形成暴露漏电极134的接触孔，下电 极层可被形成在第二绝缘夹层140上，W填充接触孔，然后下电极层可被部分地去除，W形 成下电极152、154和156。
[0121] 下电极152、154和156可被分别设置在发光部分（I、II、III)中。也就是说，下电 极152、154和156可不被设置在透射部分（IV)中。在示例实施例中，下电极层可使用诸如 氧化铜锋（IZ0)或氧化铜锡（IT0)的透明导电材料形成。
[0122] 然后，像素限定层155可被形成为部分覆盖下电极152、154和156。在示例实施 例中，像素限定层155可部分暴露第一发光部分（I)中的第一下电极152,可部分暴露第二 发光部分（II)中的第二下电极154,并且可部分暴露第Ξ发光部分（III)中的第Ξ下电极 156。在示例实施例中，如图12所示，像素限定层155可被形成在透射部分（IV)中。可替 代地，像素限定层155没有被形成在透射部分（IV)中。
[0123] 参考图14,空穴传输层160可被形成在下电极152、154和156 W及像素限定层155 上。在示例实施例中，空穴传输层160可被形成在第一发光部分（I)、第二发光部分（II)、 第Ξ发光部分（III)和透射部分（IV)中。也就是说，空穴传输层160可不使用附加掩模或 不执行额外的图案化工艺来形成。
[0124] 参考图15至图19,第一有机发光层图案162可通过使用第一掩模结构200被形成 为 与多个第一发光部分（I)重叠。图15是用于图示根据一些示例实施例的制造有机发光 显示设备的方法的放大平面图，图16是用于图示形成第一有机发光层图案162的工艺的透 视图，并且图17是根据一些示例实施例的第一掩模结构200的平面图。
[0125] 参考图17,第一掩模结构200可包括掩模主体210和穿透掩模主体210的多个开 口 221、222、223、224和225。在示例实施例中，掩模主体210可具有在第二方向上延伸的平 坦的形状，并且掩模主体210可具有在第二方向上的第二宽度（W2)。也就是说，掩模主体 210和基板100可具有相同的宽度（也就是在第二方向上的第二宽度（W2))。此外，掩模主 体210可在第一方向上具有比第二宽度（W2)小的宽度。
[0126] 多个开口 221、222、223、224和225可在第二方向上被布置，使得多个开口 221、 222、 223、224和225可在第二方向上彼此隔开。在示例实施例中，设置在掩模主体210的中 屯、部分处的第一开口 221可在第一方向上具有相对小的长度，并且设置在掩模主体210的 边缘部分处的第五开口 225可在第一方向上具有相对大的长度。也就是说，如图17所示， 开口 221、222、223、224和225在第一方向上的长度可从掩模主体210的中屯、部分到边缘部 分逐渐增加。可替代地，开口 221、222、223、224和225可在第一方向上具有相同长度。
[0127] 参考图16,设置在沉积装置300上方的基板100和第一掩模结构200可在沉积工 艺期间在第一方向上被传送。沉积装置300可包括主体310和设置在主体310的顶表面处 的多个开口部分330,并且主体310可包含沉积颗粒320。沉积颗粒320可流过多个开口部 分 330。
[012引随着沉积装置300的主体310被加热，主体310中的沉积颗粒320可通过多个开 口部分330在第Ξ方向上被排出。沉积颗粒320可穿过第一掩模结构200的开口 221、222、 223、 224和225,然后可到达基板100,从而在基板100上形成第一有机发光层图案162。
[0129] 第一有机发光层图案162可横跨基板100具有均匀厚度。如果第一掩模结构200 被省略，到达基板100的中屯、部分的沉积颗粒320的数量可大于到达基板100的边缘部分 的沉积颗粒320的数量。然而，设置在掩模主体210的边缘部分的第五开口 225可具有比 设置在掩模主体210的中屯、部分的第一开口 221的面积更大的面积。也就是说，开口 221、 222、223、224和225的面积可被调节，W控制穿过开口 221、222、223、224和225的沉积颗 粒320的数量，使得第一有机发光层图案162在基板100的中屯、部分和边缘部分可具有均 匀的厚度。此外，基板100在第二方向上的第二宽度（W2)可小于基板100在第一方向上的 第一宽度（W1)。当基板100在沉积工艺期间在第一方向上相对于第一掩模结构200被传送 时，例如与基板100在第二方向上相对于第一掩模结构200的传送相比，第一有机发光层图 案162的厚度的均匀性可得到提高。因此，沉积工艺可被用来制造诸如监视器或电视的具 有大屏幕的有机发光显示设备。
[0130] 现在参考图15、图18和图19,随着基板100在沉积工艺期间在第一方向上相对 于第一掩模结构200被传送，通过使用可具有比基板100的面积小的面积的第一掩模结构 200,可横跨基板100形成第一有机发光层图案162。此外，第一有机发光层图案162中的每 一个第一有机发光层图案可被形成为与多个像素区域（P)的多个第一发光部分（I)重叠。
[0131] 如上所述，当从第一方向看时，第一发光部分（I)可不与透射部分（IV)重叠。因 此，在第一方向上延伸并与第一发光部分（I)重叠的第一有机发光层图案162可不与透射 部分（IV)重叠。也就是说，穿过透射部分（IV)的外部光可不穿过第一有机发光层图案162， 使得可增加外部光在透射部分（IV)中的透射率，并且可防止由于第一有机发光层图案162 而引起的色偏问题。
[0132] 参考图20和图21，第二有机发光层图案164可通过使用第二掩模结构被形成为与 多个第二发光部分（II)重叠。用于形成第二有机发光层图案164的工艺可与形成第一有 机发光层图案162的工艺基本相似。然而，第二有机发光层图案164和第一有机发光层图 案162可包括可发射不同颜色的光的材料。另外，第二有机发光层图案164可被形成为与 第二发光部分（II)重叠，并且不与透射部分（IV)重叠。
[0133] 参考图22和图23,第Ξ有机发光层图案166可通过使用第Ξ掩模结构被形成为 与多个第Ξ发光部分（III)重叠。用于形成第Ξ有机发光层图案166的工艺可与形成第一 有机发光层图案162的工艺基本相似。然而，第Ξ有机发光层图案166、第二有机发光层图 案164和第一有机发光层图案162可包括可发射不同颜色的光的材料。此外，第Ξ有机发 光层图案166可被形成为与第Ξ发光部分（III)重叠，并且不与透射部分（IV)重叠。
[0134] 然后，可形成上电极，W制造有机发光显示设备。根据示例实施例，当从第一方向 看时，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)可不与透射部分（IV) 重叠，使得第一有机发光层图案162、第二有机发光层图案164和第Ξ有机发光层图案166 可不与透射部分（IV)重叠。也就是说，穿过透射部分（IV)的外部光可不穿过有机发光层 图案162、164和166,使得可增加外部光在透射部分（IV)的透射率，并且可防止由于有机发 光层图案162、164和166而产生的色偏问题。
[0135] 图24图示了根据其它示例实施例的有机发光显示设备的平面图，并且图25是根 据又一些其它示例实施例的有机发光显示设备的平面图。除了驱动电路部分（1C)和配线 的布置之外，有机发光显示设备可与参考图1至图7描述的有机发光显示设备基本相似。
[0136] 参考图24,有机发光显示设备的基板100可被分成显示区域狂）和周边区域灯）。 驱动电路部分（1C)可被设置在基板100的周边区域灯）中。驱动电路部分（1C)可包括可 控制和传送电信号到像素区域任）的数据驱动器、扫描驱动器、电平移位器和缓冲电路。在 示例实施例中，如图24所示，驱动电路部分（1C)可被设置在显示区域狂）的左侧。此外，驱 动电路部分（1C)可在第二方向上延伸。由于驱动电路部分（1C)可被设置在显示区域狂） 的左侧或右侧，扫描线（S)、数据线（D)和Vdd线（V)的布置和方向可与参考图1至图7描 述的不同。
[0137] 参考图25,扫描线（S)、数据线（D)和Vdd线（V)可被电连接到像素电路（C1、C2、 C3)。单条扫描线（巧可被电连接到第一像素电路（Cl)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电路 (C3)。也就是说，布置在同一行中的像素电路（C1、C2、C3)可被电连接到单条扫描线（S)。 [013引第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)可被设置为与透射 部分（IV)相邻，使得分别电连接到第一像素电路（Cl)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电路 (C3)的第一数据线值1)、第二数据线值2)和第Ξ数据线值3)可被设置为与透射部分（IV) 相邻。参考图25,第一数据线值1)、第二数据线值2)和第Ξ数据线值3)可被设置在透射 部分（IV)的左侧。因此，第一数据线值1)、第二数据线值2)和第Ξ数据线值3)可不与透 射部分（IV)重叠。
[0139] 另一方面，分别电连接到第一像素电路（C1)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电路 (C3)的第一 Vdd线（VI)、第二Vdd线（V2)和第^Vdd线（V3)可被设置为与透射部分（IV) 相邻。参考图25,第一 Vdd线（VI)、第二Vdd线（V2)和第^Vdd线（V3)可被设置在透射 部分（IV)的右侧。因此，第一 Vdd线（VI)、第二Vdd线（V2)和第SVdd线（V3)可不与透 射部分（IV)重叠。因此，配线（S、D1、D2、D3、V1、V2、V3)可被设置为不与透射部分（IV)重 叠，使得配线（S、D1、D2、D3、V1、V2、V3)不会降低透射部分（IV)的透射率。
[0140] 图26图示了根据又一些其它示例实施例的有机发光显示设备的平面图，并且图 27是根据一些示例实施例的沿图26的线B-B'截取的剖视图。除了有机层图案168和上电 极172之外，有机发光显示设备可与参考图1至图7描述的有机发光显示设备基本相似。
[0141] 参考图26至图27,包括薄膜晶体管（TR2)和电容器的像素电路可被设置在基板 100上并分别在第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)中。第二绝 缘夹层140可被设置为覆盖像素电路。
[0142] 下电极152、154和156可被设置在第二绝缘夹层140上，并且像素限定层155可 被设置在第二绝缘夹层140上，W部分覆盖下电极152、154和156。此外，有机发光层图案 162、164和166可被分别设置在下电极152、154和156的顶表面W及像素限定层155的侧 壁上。
[0143] 有机层图案168可被设置在像素限定层155上。有机层图案168可在第一方向上 延伸，并且可覆盖多个透射部分（IV)。在示例实施例中，有机层图案168可从透射部分（IV) 延伸至第Ξ发光部分（III)，使得有机层图案168可与第Ξ发光部分（III)部分重叠。可替 代地，有机层图案168可不被设置在第Ξ发光部分（III)中。
[0144] 有机层图案168可包括相对于上电极172可具有较弱的粘附特性的材料。例如， 有机层图案168可包括例如哇嘟裡化iQ)的透明有机材料。也就是说，有机层图案168可 具有比上电极172的透射率更好的透射率。因此，可减少或最小化透射部分（IV)由有机层 图案168引起的透射率降低。
[0145] 上电极172可被设置在有机发光层图案162、164和166 W及空穴传输层160上。 然而，上电极172可不与有机层图案168重叠，或可与有机层图案168的边缘部分重叠。也 就是说，上电极172可不被设置在透射部分（IV)中。
[0146] 根据示例实施例，上电极172可不与透射部分（IV)重叠，使得透射部分（IV)的透 射率可得到提高。此外，上电极172和有机层图案168可具有较弱的粘附性，使得上电极 172可不使用掩模而由金属自图案化工艺形成。
[0147] 图28至图32是根据一些示例实施例的制造有机发光显示设备的方法中各阶段的 平面图、剖视图和透视图。
[0148] 参考图28,参考图8至图23描述的工艺可被执行。也就是说，包括薄膜晶体管 (TR2)的像素电路可被形成在基板100上，并且第二绝缘夹层140可被形成为覆盖像素电 路。下电极152、154和156 W及像素限定层155可被形成在第二绝缘夹层140上，然后空 穴传输层160可被形成在下电极152、154和156 W及像素限定层155上。当在第一方向上 传送基板100时，第一有机发光层图案162可被形成为与第一发光部分（I)重叠，第二有机 发光层图案164可被形成为与第二发光部分（II)重叠，并且第Ξ有机发光层图案166可被 形成为与第Ξ发光部分（III)重叠。
[0149] 参考图29至图31，有机层图案168可被形成为与透射部分（IV)重叠。用于形成 有机层图案168的工艺可与参考图15至图19描述的基本相同或相似。也就是说，当在第 一方向上传送基板100时，从沉积装置300发射的沉积颗粒322可穿过第四掩模结构202， 然后可到达基板100, W形成有机层图案168。 [0150] 在示例实施例中，沉积颗粒322可包括相对于上电极172可具有较弱的粘附特性 的材料。例如，沉积颗粒322可包括例如哇嘟裡化i曲的透明有机材料。
[0151] 在示例实施例中，有机层图案168可被形成在像素限定层155上。有机层图案168 可在第一方向上延伸，并且可覆盖多个透射部分（IV)。在示例实施例中，有机层图案168 可从透射部分（IV)延伸至第Ξ发光部分（III)，使得有机层图案168可与第Ξ发光部分 (ΠΙ)部分重叠。可替代地，有机层图案168可不被设置在第Ξ发光部分（III)中。
[0152] 参考图32,上电极172可被形成为与第一至第Ξ有机发光层图案162、164和166 重叠。在示例实施例中，上电极172可使用诸如侣（A1)、销（Pt)、银（Ag)、儀（Mg)、金（Au)、 铭（化）、鹤（W)、钢（Mo)、铁灯i)的金属或其合金形成。上电极172的金属相对于有机层图 案168可具有较弱的粘附特性。因此，上电极172可被形成为不与有机层图案168重叠，或 者与有机层图案168的边缘部分重叠。因此，上电极172可不与透射部分（IV)重叠，使得 透射部分（IV)中的透射率可得到提高。
[0153] 图33图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的平面图，并且图34是图 33的放大平面图。参考图33,有机发光显示设备的基板100可被分成显示区域狂）和周边 区域灯）。
[0154] 在示例实施例中，显示区域佩可被设置在基板100的中心并且周边区域灯）可 被设置在基板100的边缘。也就是说，周边区域灯）可围绕显示区域狂）的至少一侧。
[0155] 有机发光显示设备的基板100可具有在第一方向上的第一宽度W1，并且可具有在 第二方向上的第二宽度W2。在示例实施例中，第一宽度W1可大于第二宽度W2。也就是说， 基板100可具有可在第一方向上延伸的矩形形状。
[0156] 另一方面，驱动电路部分（1C)可被设置在基板100的周边区域灯）中。驱动电路 部分（1C)可包括可控制和传送电信号到像素区域（P)的数据驱动器、扫描驱动器、电平移 位器和缓冲电路。在示例实施例中，驱动电路部分（1C)可被设置在显示区域狂）的下侧或 上侧。此外，驱动电路部分（1C)可如图33所示在第一方向上延伸。
[0157] 参考图33和图34,多个像素区域（巧可被设置在基板100的显示区域狂）中。多 个像素区域任）可在第一方向和第二方向上被布置。像素区域（P)中的每一个像素区域可 包括第一区域巧）和第二区域灯)，第一区域巧）可包括第一发光部分（I)、第二发光部分 (II)和第Ξ发光部分（III)，并且第二区域灯）可包括透射部分（IV)。
[015引在示例实施例中，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)可 与红光、绿光和蓝光对应。也就是说，设置在第一至第Ξ发光部分（I、II、III)中的发光结 构可产生红光、绿光和蓝光。
[0159] 在示例实施例中，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)中 的每一个发光部分可具有在第二方向上延伸的多边形形状。也就是说，第一发光部分（I) 在第二方向上的长度可大于第一发光部分（I)在第一方向上的宽度，第二发光部分（II) 在第二方向上的长度可大于第二发光部分（II)在第一方向上的宽度，并且第Ξ发光部分 (ΠΙ)在第二方向上的长度可大于第Ξ发光部分（ΠΙ)在第一方向上的宽度。
[0160] 第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)可在第一方向上被 依次布置。也就是说，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)可在第 一方向上彼此隔开。当从第二方向看时，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光 部分（III)可彼此不重叠。
[0161] 此外，透射部分（IV)可在第一方向上与第Ξ发光部分（III)隔开。在示例实施例 中，透射部分（IV)可相对于像素区域（P)的面积占据约20%至约90%的范围内的比率。
[0162] 现在参考图34,相邻像素区域（P)的第一发光部分（I)、第二发光部分（II)、第Ξ 发光部分（III)和透射部分（IV)可在第二方向上被布置。也就是说，相邻像素区域（P)的 第一发光部分（I)可在第二方向上被布置。相邻像素区域（P)的第二发光部分（II)可在 第二方向上被布置。相邻像素区域（巧的第Ξ发光部分（III)可在第二方向上被布置。此 夕F，相邻像素区域（巧的透射部分（IV)可在第二方向上被布置。因此，当从第二方向看时， 透射部分（IV)可不与第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)重叠。
[0163] 此外，有机发光结构和用于电控制有机发光结构的像素电路可被设置在第一发光 部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)中的每一个发光部分中。
[0164] 图35图示了根据一些示例实施例的有机发光显示设备的像素电路的示意图。
[0165] 参考图35，扫描线做、数据线值1、02、03)、￥(1(1线（￥1、￥2、￥3)可被电连接到像 素电路（C1、C2、C3)。在示例实施例中，取决于像素电路（C1、C2、C3)的结构，其它配线可被 电连接到像素电路（C1、C2、C3)。
[0166] 在示例实施例中，单条扫描线（巧可被电连接到第一像素电路（C1)、第二像素电 路（C2)和第Ξ像素电路（C3)中。也就是说，布置在同一列上的像素电路（C1、C2、C3)可被 电连接到单条扫描线（S)。第一像素电路（C1)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电路（C3) 可被分别设置在第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)中。第一像 素电路（C1)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电路（C3)可不被设置在透射部分（IV)中，使 得第一像素电路（C1)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电路（C3)不会降低透射部分（IV)的 透射率。
[0167] 分别电连接到第一像素电路（C1)、第二像素电路（C2)和第Ξ像素电路（C3)的第 一数据线值1)、第二数据线值2)和第Ξ数据线值3)可被设置为与透射部分（IV)相邻。参 考图35,第一数据线值1)、第二数据线值2)和第Ξ数据线值3)可被设置在透射部分（IV) 上方，使得第一数据线值1)、第二数据线值2)和第Ξ数据线值3)可不与透射部分（IV)重 叠。
[016引此外，第一 Vdd线（VI)、第二Vdd线（V。和第立Vdd线可被设置为与透射部 分（IV)相邻。然而，第一 Vdd线（VI)、第二Vdd线（V2)和第^Vdd线（V3)可不与透射部 分（IV)重叠，使得第一 Vdd线（VI)、第二Vdd线（V2)和第^Vdd线（V3)不会降低透射部 分（IV)的透射率。
[0169] 图36图示了根据一些示例实施例的沿图34的线B-B'截取的剖视图，并且图37 是根据一些示例实施例的沿图34的线A-A'截取的剖视图。
[0170] 参考图36和图37,像素电路和发光结构可被设置在基板100的发光部分（I、II、 III)上。
[0171] 有机发光显示设备可包括基板100、像素电路的开关结构、下电极152、154和156、 发光结构、W及上电极170。
[0172] 基板100可包括透明绝缘基板。例如，基板100可包括玻璃基板、石英基板、透明 树脂基板等。可替代地，基板100可包括柔性基板。
[0173] 缓冲层105可被设置在基板100上。缓冲层105可提供平坦的顶表面，并且可防 止杂质扩散到基板100内。构成像素电路的晶体管和电容器可被设置在缓冲层105上。像 素电路可被分别设置在第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光部分（III)中。
[0174] 为了便于描述，在图36和图37中图示了第二晶体管（TR2)，然而第一晶体管（未 示出）和电容器（未示出）可被进一步设置在缓冲层105上。第二晶体管（TR2)可包括有 源图案110、栅电极125、源电极132和漏电极134。
[017引有源图案110可包括氧化物半导体、多晶娃、渗杂多晶娃、非晶娃、渗杂非晶娃等。 此外，有源图案110可包括沟道区112、源区114和漏区116。源区114和漏区116可被渗 杂杂质，并且沟道区112可被设置在源区114和漏区116之间。
[0176] 栅绝缘层120可被设置为覆盖有源图案110,并且栅电极125可被设置在栅绝缘层 120上。在示例实施例中，栅电极125可与有源图案110的沟道区112重叠。
[0177] 第一绝缘夹层130可被设置为覆盖栅电极125,并且源电极132和漏电极134可穿 过第一绝缘夹层130和栅绝缘层120被分别电连接到源区114和漏区116。此外，第二绝缘 夹层140可被设置为覆盖包括第二晶体管（TR2)的像素电路。在示例实施例中，第二绝缘 夹层140可具有基本上平坦的上表面。
[017引 下电极152、154和156可被设置在第二绝缘夹层140上。下电极152、154和156 可被分别设置在发光部分（I、II、III)中。下电极152、154和156可包括诸如氧化铜锋 (IZ0)或氧化铜锡（IT0)的透明导电材料。
[0179] 像素限定层155可被设置在第二绝缘夹层140上，W部分覆盖下电极152、154和 156。在示例实施例中，像素限定层155可包括有机绝缘材料或诸如氧化娃或氮化娃的无机 绝缘材料。
[0180] 空穴传输层160可被设置在下电极152、154和156 W及像素限定层155上。在示 例实施例中，空穴传输层160可不使用掩模或不执行使用蚀刻溶液的蚀刻工艺来形成。
[0181] 有机发光层图案182、184和186可被设置在下电极152、154和156的顶表面和像 素限定层155的侧壁上。在示例实施例中，有机发光层图案182、184和186可具有在大约 200A至大约500A的范围内的厚度。
[0182] 参考图36和图37,第一有机发光层图案182可在第二方向上延伸，使得第一有机 发光层图案182可与多个第一发光部分（I)重叠。第二有机发光层图案184可在第二方向 上延伸，使得第二有机发光层图案184可与多个第二发光部分（II)重叠。第Ξ有机发光层 图案186可在第二方向上延伸，使得第Ξ有机发光层图案186可与多个第Ξ发光部分（III) 重叠。此外，第一有机发光层图案182、第二有机发光层图案184和第Ξ有机发光层图案186 可在第一方向上彼此隔开。
[0183] 如上所述，当从第二方向看时，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第Ξ发光 部分（III)可不与透射部分（IV)重叠，使得第一有机发光层图案182、第二有机发光层图案 184和第Ξ有机发光层图案186可不与透射部分（IV)重叠。也就是说，穿过透射部分（IV) 的外部光可不穿过有机发光层图案182、184和186,使得可增加外部光在透射部分（IV)中 的透射率，并且可防止由于有机发光层图案182、184和186而引起的色偏问题。
[0184] 上电极170可被设置在有机发光层图案182、184和186 W及空穴传输层160上。例 如，上电极170可包括侣（Α1)、销（Pt)、银（Ag)、儀（Mg)、金（Au)、铭（Cr)、鹤（W)、钢（Mo)、 铁灯i)或其合金。然而，上电极170可具有相对薄的厚度，使得上电极170可具有相对高 的透射率。
[0185] 根据示例实施例，第一有机发光层图案182、第二有机发光层图案184和第Ξ有机 发光层图案186可在第二方向上延伸。此外，当从第二方向看时，第一发光部分（I)、第二 发光部分（II)和第Ξ发光部 分（III)可不与透射部分（IV)重叠。当在第二方向上传送基 板100时，第一有机发光层图案182、第二有机发光层图案184和第Ξ有机发光层图案186 中的每一个有机发光层图案可被形成为不与透射部分（IV)重叠。因此，可增加外部光在透 射部分（IV)中的透射率，并且可防止由于有机发光层图案182、184和186而引起的色偏问 题。
[0186] 根据示例实施例，当从第一方向看时，第一发光部分（I)、第二发光部分（II)和第 Ξ发光部分（III)可不与透射部分（IV)重叠，使得第一有机发光层图案、第二有机发光层 图案和第Ξ有机发光层图案可不与透射部分（IV)重叠。也就是说，穿过透射部分（IV)的 外部光可不穿过有机发光层图案，使得可增加外部光在透射部分（IV)中的透射率，并且可 防止由于有机发光层图案而引起的色偏问题。
[0187] 在本文中已经公开了示例实施例，尽管使用了特定的术语，但它们仅W-般和描 述性的意思被使用和解释，而不是为了限制的目的。在某些情况下，如对递交本申请的领域 内的普通技术人员来说将是显而易见的那样，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元 件可单独使用，或可与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另有明 确说明。因此，本领域技术人员将理解，可在不脱离如W下权利要求中提出的本发明的精神 和范围的情况下对形式和细节进行各种改变。
【主权项】
1. 一种有机发光显不设备，包括： 基板，具有在第一方向上的第一宽度和在垂直于所述第一方向的第二方向上的第二宽 度，所述第一宽度大于所述第二宽度；和 在所述基板上的多个像素区域，所述多个像素区域中的每一个像素区域被分成第一区 域和第二区域，所述多个像素区域中的每一个像素区域包括沿所述第二方向布置的第一发 光部分、第二发光部分、第三发光部分和透射部分，并且所述第一发光部分、所述第二发光 部分和所述第三发光部分中的每一个发光部分在所述第一方向上延伸， 其中所述第一发光部分、所述第二发光部分和所述第三发光部分被设置在所述像素区 域中的每一个像素区域的所述第一区域中，并且所述透射部分被设置在所述像素区域中的 每一个像素区域的所述第二区域中。2. 根据权利要求1所述的有机发光显示设备，进一步包括： 在多个所述第一发光部分中的多个第一下电极； 在多个所述第二发光部分中的多个第二下电极；和 在多个所述第三发光部分中的多个第三下电极。3. 根据权利要求2所述的有机发光显示设备，进一步包括： 在所述多个第一下电极上的第一有机发光层图案，所述第一有机发光层图案在所述第 一方向上延伸； 在所述多个第二下电极上的第二有机发光层图案，所述第二有机发光层图案在所述第 一方向上延伸；和 在所述多个第三下电极上的第三有机发光层图案，所述第三有机发光层图案在所述第 一方向上延伸。4. 根据权利要求3所述的有机发光显示设备，其中： 所述第一有机发光层图案覆盖所述第一发光部分，并暴露所述透射部分， 所述第二有机发光层图案覆盖所述第二发光部分，并暴露所述透射部分，并且 所述第三有机发光层图案覆盖所述第三发光部分，并暴露所述透射部分。5. 根据权利要求3所述的有机发光显示设备，进一步包括： 在所述第一有机发光层图案、所述第二有机发光层图案和所述第三有机发光层图案上 的上电极， 其中所述上电极覆盖所述第一发光部分、所述第二发光部分、所述第三发光部分和所 述透射部分。6. 根据权利要求3所述的有机发光显示设备，进一步包括： 在所述第一有机发光层图案、所述第二有机发光层图案和所述第三有机发光层图案上 的上电极， 其中所述上电极在暴露所述透射部分的同时，覆盖所述第一发光部分、所述第二发光 部分和所述第三发光部分。7. 根据权利要求6所述的有机发光显示设备，其中所述上电极包括铝、铂、银、镁、金、 铬、钨、钼、钛或其合金。8. 根据权利要求6所述的有机发光显示设备，进一步包括覆盖所述透射部分的有机层 图案，所述有机层图案具有相对于所述上电极较低的粘附特性。9. 根据权利要求8所述的有机发光显示设备，其中所述有机层图案包括喹啉锂。10. 根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述透射部分在所述第一方向上 看时不与所述第一发光部分、所述第二发光部分或所述第三发光部分重叠。11. 根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中： 所述第一发光部分在所述第一方向上的长度大于所述第一发光部分在所述第二方向 上的宽度， 所述第二发光部分在所述第一方向上的长度大于所述第二发光部分在所述第二方向 上的宽度，并且 所述第三发光部分在所述第一方向上的长度大于所述第三发光部分在所述第二方向 上的宽度。12. 根据权利要求2所述的有机发光显示设备，进一步包括： 在所述第一发光部分中的第一像素电路，所述第一像素电路被电连接到所述第一下电 极； 在所述第二发光部分中的第二像素电路，所述第二像素电路被电连接到所述第二下电 极；和 在所述第三发光部分中的第三像素电路，所述第三像素电路被电连接到所述第三下电 极。13. 根据权利要求12所述的有机发光显示设备，进一步包括： 在所述基板的边缘的驱动电路部分；和 电连接所述驱动电路部分与所述第一像素电路、所述第二像素电路或所述第三像素电 路的多个配线。14. 根据权利要求13所述的有机发光显示设备，其中所述配线包括扫描线、数据线和 Vdd线。15. 根据权利要求14所述的有机发光显示设备，其中所述扫描线在所述第二方向上延 伸，并且所述数据线和所述Vdd线在所述第一方向上延伸。16. 根据权利要求14所述的有机发光显示设备，其中所述扫描线在所述第一方向上延 伸，并且所述数据线和所述Vdd线在所述第二方向上延伸。17. 根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述有机发光显示设备绕在所述 第二方向上延伸的轴线可弯曲。18. 根据权利要求3所述的有机发光显示设备，其中所述第一有机发光层图案、所述第 二有机发光层图案和所述第三有机发光层图案没有被设置在所述透射部分中。19. 一种有机发光显不设备，包括： 基板，具有在第一方向上的第一宽度和在垂直于所述第一方向的第二方向上的第二宽 度，所述第一宽度大于所述第二宽度；和 在所述基板上的多个像素区域，所述像素区域中的每一个像素区域被分成第一区域和 第二区域，所述多个像素区域中的每一个像素区域包括沿所述第一方向布置的第一发光部 分、第二发光部分、第三发光部分和透射部分，并且所述第一发光部分、所述第二发光部分 和所述第三发光部分中的每一个发光部分在所述第二方向上延伸， 其中所述第一发光部分、所述第二发光部分和所述第三发光部分被设置在所述像素区 域中的每一个像素区域的所述第一区域中，并且所述透射部分被设置在所述像素区域中的 每一个像素区域的所述第二区域中。20. 根据权利要求19所述的有机发光显示设备，进一步包括： 在多个所述第一发光部分中的多个第一下电极； 在多个所述第二发光部分中的多个第二下电极；和 在多个所述第三发光部分中的多个第三下电极。21. 根据权利要求19所述的有机发光显示设备，进一步包括： 在所述多个第一下电极上的第一有机发光层图案，所述第一有机发光层图案在所述第 二方向上延伸； 在所述多个第二下电极上的第二有机发光层图案，所述第二有机发光层图案在所述第 二方向上延伸；和 在所述多个第三下电极上的第三有机发光层图案，所述第三有机发光层图案在所述第 二方向上延伸。22. 根据权利要求21所述的有机发光显示设备， 其中所述第一有机发光层图案覆盖所述第一发光部分，并暴露所述透射部分， 其中所述第二有机发光层图案覆盖所述第二发光部分，并暴露所述透射部分，并且 其中所述第三有机发光层图案覆盖所述第三发光部分，并暴露所述透射部分。23. 根据权利要求21所述的有机发光显示设备，进一步包括： 在所述第一有机发光层图案、所述第二有机发光层图案和所述第三有机发光层图案上 的上电极， 其中所述上电极覆盖所述第一发光部分、所述第二发光部分、所述第三发光部分和所 述透射部分。24. 根据权利要求21所述的有机发光显示设备，进一步包括： 在所述第一有机发光层图案、所述第二有机发光层图案和所述第三有机发光层图案上 的上电极， 其中所述上电极覆盖所述第一发光部分、所述第二发光部分和所述第三发光部分，并 且暴露所述透射部分。25. 根据权利要求19所述的有机发光显示设备，其中所述透射部分在所述第二方向上 看时不与所述第一发光部分、所述第二发光部分和所述第三发光部分重叠。26. 根据权利要求19所述的有机发光显示设备， 其中所述第一发光部分在所述第二方向上的长度大于所述第一发光部分在所述第一 方向上的宽度， 其中所述第二发光部分在所述第二方向上的长度大于所述第二发光部分在所述第一 方向上的宽度，并且 其中所述第三发光部分在所述第二方向上的长度大于所述第三发光部分在所述第一 方向上的宽度。27. -种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括： 提供具有在第一方向上的第一宽度和在垂直于所述第一方向的第二方向上的第二宽 度的基板，所述第一宽度大于所述第二宽度； 在所述基板上限定多个像素区域，所述多个像素区域中的每一个像素区域包括沿所述 第二方向布置的第一发光部分、第二发光部分、第三发光部分和透射部分； 形成在所述第一方向上延伸的第一有机发光层图案，所述第一有机发光层图案与所述 第一发光部分重叠； 形成在所述第一方向上延伸的第二有机发光层图案，所述第二有机发光层图案与所述 第二发光部分重叠；和 形成在所述第一方向上延伸的第三有机发光层图案，所述第三有机发光层图案与所述 第三发光部分重叠。28. 根据权利要求27所述的方法，进一步包括：在形成所述第一有机发光层图案之前， 形成多个所述第一发光部分中的多个第一下电极、多个所述第二发光部分中的多个第二下 电极和多个所述第三发光部分中的多个第三下电极。29. 根据权利要求27所述的方法，进一步包括：在形成所述第三有机发光层图案之后， 在所述第一有机发光层图案、所述第二有机发光层图案和所述第三有机发光层图案上形成 上电极。30. 根据权利要求27所述的方法，其中形成所述第一有机发光层图案包括： 在沉积装置上方布置掩模结构，所述掩模结构包括多个开口； 通过加热所述沉积装置从所述沉积装置排出沉积颗粒；和 在所述第一方向上在所述掩模结构上方传送所述基板。31. 根据权利要求30所述的方法，其中所述掩模结构具有在所述第二方向上的所述第 二宽度。32. 根据权利要求27所述的方法，在形成所述第三有机发光层图案之后进一步包括： 形成覆盖所述透射部分的有机层图案；和 在所述第一有机发光层图案、所述第二有机发光层图案和所述第三有机发光层图案上 形成上电极，所述上电极暴露所述透射部分。33. 根据权利要求32所述的方法，其中所述有机层图案包括喹啉锂，并且 其中所述上电极包括错、钼、银、镁、金、络、妈、钼、钛或其合金。34. 根据权利要求33所述的方法，其中所述上电极不与所述有机层图案重叠，或者所 述上电极与所述有机层图案的边缘部分重叠。
【专利摘要】本发明涉及有机发光显示设备和制造有机发光显示设备的方法。该有机发光显示设备，包括：基板，具有在第一方向上的第一宽度和在第二方向上的第二宽度，所述第二宽度垂直于第一宽度并小于第一宽度；以及在基板上的像素区域，像素区域中的每一个像素区域包括沿第二方向布置的第一发光部分、第二发光部分、第三发光部分和透射部分，第一至第三发光部分中的每一个发光部分在第一方向上延伸。
【IPC分类】H01L51/52, H01L27/32
【公开号】CN105489629
【申请号】CN201510631811
【发明人】郑镇旭, 赵一花世界, 金相烈
【申请人】三星显示有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年9月29日
【公告号】EP3002790A1, US20160099294
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