一种有机发光显示装置及其制备方法
一种有机发光显示装置及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种有机发光显示装置，尤其涉及一种可以防止相邻像素短路的有机发光显示装置及其制备方法。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管(Organic Light-emitting D1de，简称OLED)具有主动发光、发光效率高、响应时间快、工作电压低、视角广、对比度高、工作温度范围广、可以实现柔性显示等优点，因此被誉为继CRT、IXD之后第三代显示技术。
[0003]0LED像素图案化主要采用真空蒸发并加掩膜遮蔽的方法形成，而相邻子像素采用固化后的有机光刻胶作为隔离壁皇。在实际工艺过程中，有机光刻胶往往采用正性光刻胶，并且图形边缘制作的坡角比较小，因而在经过烘烤固化之后其坡角非常平缓。有机材料的图形化一般在特定功能层，如发光层和补偿层，而其他的0LED器件公用层均未图形化，即采用公用掩膜版(CM mask)蒸镀。采用CM mask蒸镀后，对于所有像素的公用层横向是相连的，如注入层和传输层均为整面成膜，因此对于半导体的有机材料而言存在横向导电可能。
[0004]如图1所示，现有的有机电致发光器件，包括基板以及在基板上形成的像素限定层2，第一电极层3(阳极)、第一有机功能层42(空穴注入层和空穴传输层)、发光层41和第二有机功能层43(电子传输层和电子注入层)堆叠设置在像素限定层2之间。由于目前像素限定层2(光刻胶)图形边缘的坡角很小，可以通过降低材料迀移率降低相邻像素的短路，因为载流子导电在横向运动的距离远远大于垂直方向。当有机材料迀移率提高后或者相邻像素之间距离缩短后，相邻像素0LED器件发生横向短路，造成器件关不断的后果。解决办法是是通过降低有机材料横向迀移率来降低0LED相邻像素短路的可能性，因而牺牲了器件效率。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的技术问题在于现有解决0LED器件横向短路是通过降低有机材料横向迀移率进而降低器件效率的问题，从而提供一种0LED器件，其采用在像素限定层上设置隔离结构，有效解决现有0LED器件容易发生横向短路，且可以保持已有的器件效率。
[0006]为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的:
[0007]—种有机发光显示装置，包括基板和像素限定层，所述的像素限定层形成连续网格结构，所述连续网格结构中形成有像素单元，所述像素限定层中设置有防止相邻像素单元短路的隔离结构。
[0008]所述隔离结构为贯穿所述像素限定层的隔离槽，所述隔离槽将所述像素限定层分割为独立的两部分。
[0009]所述隔离槽的槽壁与所述基板的夹角为60°-90°，所述隔离槽顶部的横截面积大于等于底部的横截面积。
[0010]所述有机发光显示装置为顶发光0LED器件，连续网格结构中叠加设置有第一电极层、有机发光层和第二电极层，所述像素限定层的高度至少为有机发光层厚度的两倍。
[0011]所述像素限定层的厚度大于有机发光层和第二电极层的厚度之和，所述第二电极层的上方形成有透光导电聚合物层。
[0012]还包括封装膜，所述封装膜与所述基板形成封闭区域，所述像素限定层、像素单元和透光导电聚合物层位于所述封闭区域。
[0013]所述有机发光显示装置为底发光0LED器件，连续网格结构中叠加设置有第一电极层和有机发光层，所述像素限定层和有机发光层的上方形成有第二电极层，所述第一电极层、有机发光层和第二电极层构成所述像素单元，所述有机发光层和第二电极层的厚度之和大于所述像素限定层的高度。
[0014]所述像素限定层为有机光刻胶层。
[0015]一种防止相邻像素短路的有机发光显示装置的制备方法，包括下述步骤:
[0016]S11、在基板上制作导电层并图形化形成若干第一电极层，在第一电极层涂覆有机光刻胶层，并经过曝光显影形成像素限定层和贯穿所述像素限定层的隔离槽；
[0017]S12、采用蒸镀的方式依次沉积有机发光层和第二电极层，所述有机发光层的总厚度小于像素限定层的厚度，所述有机发光层和第二电极层厚度之和大于像素限定层的厚度。
[0018]一种制备有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤:
[0019]S21、在基板上制作导电层并图形化形成若干第一电极层，在第一电极层涂覆有机光刻胶层，并经过曝光显影形成像素限定层和贯穿所述像素限定层的隔离槽；
[0020]S22、采用蒸镀的方式依次沉积有机发光层和第二电极层，所述有机发光层和第二电极层厚度之和小于像素限定层的厚度，所述像素限定层的高度至少为有机发光层厚度的两倍；
[0021]S23、在所述第二电极层的上方采用雾化成膜或低温快速蒸发方式沉积透光导电聚合物层，所述透光导电聚合物层的厚度大于2um。
[0022]本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:
[0023]1、本发明的提供一种有机发光显示装置，通过在像素限定层中设置防止相邻像素单元短路的隔离结构，所述隔离结构为贯穿所述像素限定层的隔离槽，所述隔离槽将所述像素限定层分割为独立的两部分。本发明通过改变像素结构，有效降低了0LED相邻像素有机层的关联性，能够使0LED公用层材料彻底断开连接，从而有效防止相邻像素之间短路现象发生，解决了器件关不断的现象。
[0024]2、本发明的隔离结构为贯穿所述像素限定层的隔离槽，所述隔离槽将所述像素限定层分割为独立的两部分，隔离槽的槽壁与所述基板的夹角为60°-90°，通过该高角度坡角设置，可以使相邻像素0LED有机层彻底断开，避免短路的可能性。
[0025]目前一般有机器件层的总厚度不超过500nm，而像素限定层的有机胶固化后在1.2um以上，
【附图说明】
[0026]为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中，
[0027]图1为现有技术的结构不意图；
[0028]图2为本发明隔离结构的结构示意图；
[0029]图3为本发明底发光有机发光显示装置的结构示意图；
[0030]图4为本发明顶发光有机发光显示装置的结构示意图；
[0031]图中附图标记表示为:
[0032]1-基板，2-像素限定层，3-第一电极层，4-有机发光层，5-第二电极层，7-隔离槽，8-透光导电聚合物层，9-封装膜，41 -发光层，42-第一有机功能层，43-第二有机功能层。
【具体实施方式】
[0033]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
[0034]本发明可以以许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本发明的构思充分传达给本领域技术人员，本发明将仅由权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是，当元件例如层、区域或基板被称作“形成在”或“设置在”另一元件“上”时，该元件可以直接设置在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接形成在”或“直接设置在”另一元件上时，不存在中间元件。
[0035]如图3和图4所示，一种有机发光显示装置，包括基板1和像素限定层2，所述的像素限定层2形成连续网格结构，所述连续网格结构中形成有像素单元，所述像素限定层2中设置有防止相邻像素单元短路的隔离结构。具体地，相邻像素单元之间的像素限定层2中设置有防止相邻像素单元短路的隔离结构。
[0036]如图2所示，所述隔离结构为贯穿所述像素限定层2的隔离槽7，相邻的第一电极层3之间的像素限定层2之间设置有隔离槽7，所述隔离槽7将所述像素限定层2分割为独立的两部分。所述隔离槽7的槽壁与所述基板1的夹角为60°-90°，图2所示隔离槽7顶部的横截面积大于等于底部的横截面积。上述像素限定层2为有机光刻胶层。
[0037]如图3所示，所述有机发光显示装置为顶发光0LED器件，连续网格结构中叠加设置有第一电极层3、有机发光层4和第二电极层5，所述像素限定层2的高度至少为有机发光层4厚度的两倍。目前一般有机器件层的总厚度不超过500nm，而像素限定层2的有机胶固化后在1.2um以上，因此像素限定层2的高度至少为有机发光层4厚度的两倍。
[0038]有机发光层4包括堆叠设置的第一有机功能层42(空穴注入层和/或空穴传输层)，发光层41，第二有机功能层43(电子传输层和/或电子注入层)。所述像素限定层2的厚度大于有机发光层4和第二电极层5的厚度之和，所述第二电极层5的上方形成有透光导电聚合物层8，所示透光导电聚合物层8可以使各像素单元的第二电极层5实现电 气连接。
[0039]顶发光0LED器件还包括封装膜9，所述封装膜9与所述基板1形成封闭区域，所述像素限定层2、像素单元和透光导电聚合物层8位于所述封闭区域。
[0040]图4所示有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤:
[0041]S21、在基板1上制作导电层并图形化形成若干第一电极层3，在第一电极层3涂覆有机光刻胶层，并经过曝光显影形成像素限定层2和贯穿所述像素限定层2的隔离槽7;
[0042]S22、采用蒸镀的方式依次沉积有机发光层4和第二电极层5，所述有机发光层4和第二电极层5厚度之和小于像素限定层2的厚度，所述像素限定层2的高度至少为有机发光层4厚度的两倍；
[0043]S23、在所述第二电极层5的上方采用雾化成膜或低温快速蒸发方式沉积透光导电聚合物层8，所述透光导电聚合物层8的厚度大于2um。
[0044]图4所示的顶发光显示装置通过改变像素结构，有效降低了OLED相邻像素有机层的关联性，能够使0LED公用层材料彻底断开连接，从而有效防止相邻像素之间短路现象发生，解决了器件关不断的现象。
[0045]如图3所示，所述有机发光显示装置为底发光0LED器件，连续网格结构中叠加设置有第一电极层3和有机发光层4，所述像素限定层2和有机发光层4的上方形成有第二电极层5，所述第一电极层3、有机发光层4和第二电极层5构成所述像素单元，所述有机发光层4和第二电极层5的厚度之和大于所述像素限定层2的高度。有机发光层4包括堆叠设置的空穴注入层和/或空穴传输层，发光层41，电子传输层和/或电子注入层
[0046]图3所示的有机发光显示装置的制备方法，包括下述步骤:
[0047]S11、在基板1上制作导电层并图形化形成若干第一电极层3，在第一电极层3涂覆有机光刻胶层，并经过曝光显影形成像素限定层2和贯穿所述像素限定层2的隔离槽7;
[0048]S12、采用蒸镀的方式依次沉积有机发光层4和第二电极层5，所述有机发光层4的总厚度小于像素限定层2的厚度，所述有机发光层4和第二电极层5厚度之和大于像素限定层2的厚度。
[0049]图3所示的底发光显示装置通过改变像素结构，有效降低了0LED相邻像素有机层的关联性，能够使0LED公用层材料彻底断开连接，从而有效防止相邻像素之间短路现象发生，解决了器件关不断的现象。
[0050]如无特别说明，本发明中的器件各层采用材料如下:
[0051]第一电极层阳极可以采用无机材料或有机导电聚合物。无机材料一般为氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(ΙΖ0)等金属氧化物或金、铜、银等功函数较高的金属，优选ΙΤ0;有机导电聚合物优选为聚噻吩/聚乙烯基苯磺酸钠(以下简称PED0T/PSS)、聚苯胺(以下简称PANI)中的一种。
[0052]第二电极层阴极一般采用锂、镁、钙、锶、铝、铟等功函数较低的金属或它们与铜、金、银的合金，或金属与金属氟化物交替形成的电极层。本发明中阴极优选为A1层。
[0053]空穴传输层的材料可以选自芳胺类，咔唑类和枝聚物类低分子材料，优选NPB和TCTAo
[0054]所述空穴注入层的材料例如可采用2，3,6,7,10,11_六氰基_1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲HAT-CN，4，4’，4”_三(3-甲基苯基苯胺)三苯胺掺杂F4TCNQ，或者采用铜酞菁(CuPc)，或可为金属氧化物类，如氧化钼，氧化铼。
[0055]发光层的发光材料可以选自香豆素类如DMQA或C545T，或双吡喃类如DCJTB或DCM等荧光染料，或含Ir，Pt，Os，Ru，Rh，Pd，镧系，锕系等金属配合物。
[0056]荧光染料在发光层中的掺杂浓度不高于5wt%，磷光染料在发光层中的掺杂浓度不高于30wt%。所述的掺杂浓度=染料质量/(染料质量+主体材料质量)X 100%。
[0057 ]发光层的主体材料可选自常用于基质材料的材料，如4，4 ’ -二( P卡卩坐基-9-)联苯CBP0
[0058]本发明的电子传输层的材料可采用常用于电子传输层的材料，如芳香稠环类(如Pentacene、花)或邻菲略啉类(如Bphen、BCP)化合物。
[0059]基板可以是玻璃或是柔性基片，所述柔性基片可采用聚酯类、聚酰亚胺类化合物材料或者薄金属片。所述层叠及封装可采用本领域技术人员已知的任意合适方法。
[0060]显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
【主权项】
1.一种有机发光显示装置，包括基板(1)和像素限定层(2)，所述的像素限定层(2)形成连续网格结构，所述连续网格结构中形成有像素单元，其特征在于， 所述像素限定层(2)中设置有防止相邻像素单元短路的隔离结构。2.根据权利要求1所述有机发光显示装置，其特征在于，所述隔离结构为贯穿所述像素限定层(2)的隔离槽(7)，所述隔离槽(7)将所述像素限定层(2)分割为独立的两部分。3.根据权利要求2所述有机发光显示装置，其特征在于，所述隔离槽(7)的槽壁与所述基板(1)的夹角为60°-90°，所述隔离槽(7)顶部的横截面积大于等于底部的横截面积。4.根据权利要求1-3任一项所述有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置为顶发光OLED器件，连续网格结构中叠加设置有第一电极层(3)、有机发光层(4)和第二电极层(5)，所述像素限定层(2)的高度至少为有机发光层(4)厚度的两倍。5.根据权利要求4所述有机发光显示装置，其特征在于，所述像素限定层(2)的厚度大于有机发光层(4)和第二电极层(5)的厚度之和，所述第二电极层(5)的上方形成有透光导电聚合物层(8)。6.根据权利要求5所述有机发光显示装置，其特征在于，还包括封装膜(9)，所述封装膜(9)与所述基板(1)形成封闭区域，所述像素限定层(2)、像素单元和透光导电聚合物层(8)位于所述封闭区域。7.根据权利要求1-3任一项所述有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置为底发光OLED器件，连续网格结构中叠加设置有第一电极层(3)和有机发光层(4)，所述像素限定层(2)和有机发光层(4)的上方形成有第二电极层(5)，所述第一电极层(3)、有机发光层(4)和第二电极层(5)构成所述像素单元，所述有机发光层(4)和第二电极层(5)的厚度之和大于所述像素限定层(2)的高度。8.根据权利要求1-3任一项所述有机发光显示装置，其特征在于，所述像素限定层(2)为有机光刻胶层。9.一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，包括下述步骤: S11、在基板(1)上制作导电层并图形化形成若干第一电极层(3)，在第一电极层(3)涂覆有机光刻胶层，并经过曝光显影形成像素限定层(2)和贯穿所述像素限定层的隔离槽(7)； S12、采用蒸镀的方式依次沉积有机发光层(4)和第二电极层(5)，所述有机发光层(4)的总厚度小于像素限定层(2)的厚度，所述有机发光层和第二电极层厚度之和大于像素限定层(2)的厚度。10.—种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: S21、在基板(1)上制作导电层并图形化形成若干第一电极层(3)，在第一电极层(3)涂覆有机光刻胶层，并经过曝光显影形成像素限定层(2)和贯穿所述像素限定层的隔离槽(7)； S22、采用蒸镀的方式依次沉积有机发光层(4)和第二电极层(5)，所述有机发光层(4)和第二电极层(5)厚度之和小于像素限定层(2)的厚度，所述像素限定层(2)的高度至少为有机发光层(4)厚度的两倍； S23、在所述第二电极层(5)的上方采用雾化成膜或低温快速蒸发方式沉积透光导电聚合物层(8)，所述透光导电聚合物层(8)的厚度大于2um。
【专利摘要】本发明涉及一种防止相邻像素短路的有机发光显示装置，包括基板和像素限定层，所述的像素限定层形成连续网格结构，所述连续网格结构中形成有像素单元，所述像素限定层中设置有防止相邻像素单元短路的隔离结构。本发明的有机发光显示装置采用在像素限定层上设置隔离结构，有效解决现有OLED器件容易发生横向短路，且可以保持已有的器件效率。
【IPC分类】H01L51/52, H01L27/32, H01L51/56
【公开号】CN105489631
【申请号】CN201510975405
【发明人】周茂清, 赵海廷, 段志勇, 魏朝刚
【申请人】昆山国显光电有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年12月22日
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种有机发光显示装置，尤其涉及一种可以防止相邻像素短路的有机发光显示装置及其制备方法。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管(Organic Light-emitting D1de，简称OLED)具有主动发光、发光效率高、响应时间快、工作电压低、视角广、对比度高、工作温度范围广、可以实现柔性显示等优点，因此被誉为继CRT、IXD之后第三代显示技术。
[0003]0LED像素图案化主要采用真空蒸发并加掩膜遮蔽的方法形成，而相邻子像素采用固化后的有机光刻胶作为隔离壁皇。在实际工艺过程中，有机光刻胶往往采用正性光刻胶，并且图形边缘制作的坡角比较小，因而在经过烘烤固化之后其坡角非常平缓。有机材料的图形化一般在特定功能层，如发光层和补偿层，而其他的0LED器件公用层均未图形化，即采用公用掩膜版(CM mask)蒸镀。采用CM mask蒸镀后，对于所有像素的公用层横向是相连的，如注入层和传输层均为整面成膜，因此对于半导体的有机材料而言存在横向导电可能。
[0004]如图1所示，现有的有机电致发光器件，包括基板以及在基板上形成的像素限定层2，第一电极层3(阳极)、第一有机功能层42(空穴注入层和空穴传输层)、发光层41和第二有机功能层43(电子传输层和电子注入层)堆叠设置在像素限定层2之间。由于目前像素限定层2(光刻胶)图形边缘的坡角很小，可以通过降低材料迀移率降低相邻像素的短路，因为载流子导电在横向运动的距离远远大于垂直方向。当有机材料迀移率提高后或者相邻像素之间距离缩短后，相邻像素0LED器件发生横向短路，造成器件关不断的后果。解决办法是是通过降低有机材料横向迀移率来降低0LED相邻像素短路的可能性，因而牺牲了器件效率。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的技术问题在于现有解决0LED器件横向短路是通过降低有机材料横向迀移率进而降低器件效率的问题，从而提供一种0LED器件，其采用在像素限定层上设置隔离结构，有效解决现有0LED器件容易发生横向短路，且可以保持已有的器件效率。
[0006]为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的:
[0007]—种有机发光显示装置，包括基板和像素限定层，所述的像素限定层形成连续网格结构，所述连续网格结构中形成有像素单元，所述像素限定层中设置有防止相邻像素单元短路的隔离结构。
[0008]所述隔离结构为贯穿所述像素限定层的隔离槽，所述隔离槽将所述像素限定层分割为独立的两部分。
[0009]所述隔离槽的槽壁与所述基板的夹角为60°-90°，所述隔离槽顶部的横截面积大于等于底部的横截面积。
[0010]所述有机发光显示装置为顶发光0LED器件，连续网格结构中叠加设置有第一电极层、有机发光层和第二电极层，所述像素限定层的高度至少为有机发光层厚度的两倍。
[0011]所述像素限定层的厚度大于有机发光层和第二电极层的厚度之和，所述第二电极层的上方形成有透光导电聚合物层。
[0012]还包括封装膜，所述封装膜与所述基板形成封闭区域，所述像素限定层、像素单元和透光导电聚合物层位于所述封闭区域。
[0013]所述有机发光显示装置为底发光0LED器件，连续网格结构中叠加设置有第一电极层和有机发光层，所述像素限定层和有机发光层的上方形成有第二电极层，所述第一电极层、有机发光层和第二电极层构成所述像素单元，所述有机发光层和第二电极层的厚度之和大于所述像素限定层的高度。
[0014]所述像素限定层为有机光刻胶层。
[0015]一种防止相邻像素短路的有机发光显示装置的制备方法，包括下述步骤:
[0016]S11、在基板上制作导电层并图形化形成若干第一电极层，在第一电极层涂覆有机光刻胶层，并经过曝光显影形成像素限定层和贯穿所述像素限定层的隔离槽；
[0017]S12、采用蒸镀的方式依次沉积有机发光层和第二电极层，所述有机发光层的总厚度小于像素限定层的厚度，所述有机发光层和第二电极层厚度之和大于像素限定层的厚度。
[0018]一种制备有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤:
[0019]S21、在基板上制作导电层并图形化形成若干第一电极层，在第一电极层涂覆有机光刻胶层，并经过曝光显影形成像素限定层和贯穿所述像素限定层的隔离槽；
[0020]S22、采用蒸镀的方式依次沉积有机发光层和第二电极层，所述有机发光层和第二电极层厚度之和小于像素限定层的厚度，所述像素限定层的高度至少为有机发光层厚度的两倍；
[0021]S23、在所述第二电极层的上方采用雾化成膜或低温快速蒸发方式沉积透光导电聚合物层，所述透光导电聚合物层的厚度大于2um。
[0022]本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:
[0023]1、本发明的提供一种有机发光显示装置，通过在像素限定层中设置防止相邻像素单元短路的隔离结构，所述隔离结构为贯穿所述像素限定层的隔离槽，所述隔离槽将所述像素限定层分割为独立的两部分。本发明通过改变像素结构，有效降低了0LED相邻像素有机层的关联性，能够使0LED公用层材料彻底断开连接，从而有效防止相邻像素之间短路现象发生，解决了器件关不断的现象。
[0024]2、本发明的隔离结构为贯穿所述像素限定层的隔离槽，所述隔离槽将所述像素限定层分割为独立的两部分，隔离槽的槽壁与所述基板的夹角为60°-90°，通过该高角度坡角设置，可以使相邻像素0LED有机层彻底断开，避免短路的可能性。
[0025]目前一般有机器件层的总厚度不超过500nm，而像素限定层的有机胶固化后在1.2um以上，
【附图说明】
[0026]为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中，
[0027]图1为现有技术的结构不意图；
[0028]图2为本发明隔离结构的结构示意图；
[0029]图3为本发明底发光有机发光显示装置的结构示意图；
[0030]图4为本发明顶发光有机发光显示装置的结构示意图；
[0031]图中附图标记表示为:
[0032]1-基板，2-像素限定层，3-第一电极层，4-有机发光层，5-第二电极层，7-隔离槽，8-透光导电聚合物层，9-封装膜，41 -发光层，42-第一有机功能层，43-第二有机功能层。
【具体实施方式】
[0033]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
[0034]本发明可以以许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本发明的构思充分传达给本领域技术人员，本发明将仅由权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是，当元件例如层、区域或基板被称作“形成在”或“设置在”另一元件“上”时，该元件可以直接设置在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接形成在”或“直接设置在”另一元件上时，不存在中间元件。
[0035]如图3和图4所示，一种有机发光显示装置，包括基板1和像素限定层2，所述的像素限定层2形成连续网格结构，所述连续网格结构中形成有像素单元，所述像素限定层2中设置有防止相邻像素单元短路的隔离结构。具体地，相邻像素单元之间的像素限定层2中设置有防止相邻像素单元短路的隔离结构。
[0036]如图2所示，所述隔离结构为贯穿所述像素限定层2的隔离槽7，相邻的第一电极层3之间的像素限定层2之间设置有隔离槽7，所述隔离槽7将所述像素限定层2分割为独立的两部分。所述隔离槽7的槽壁与所述基板1的夹角为60°-90°，图2所示隔离槽7顶部的横截面积大于等于底部的横截面积。上述像素限定层2为有机光刻胶层。
[0037]如图3所示，所述有机发光显示装置为顶发光0LED器件，连续网格结构中叠加设置有第一电极层3、有机发光层4和第二电极层5，所述像素限定层2的高度至少为有机发光层4厚度的两倍。目前一般有机器件层的总厚度不超过500nm，而像素限定层2的有机胶固化后在1.2um以上，因此像素限定层2的高度至少为有机发光层4厚度的两倍。
[0038]有机发光层4包括堆叠设置的第一有机功能层42(空穴注入层和/或空穴传输层)，发光层41，第二有机功能层43(电子传输层和/或电子注入层)。所述像素限定层2的厚度大于有机发光层4和第二电极层5的厚度之和，所述第二电极层5的上方形成有透光导电聚合物层8，所示透光导电聚合物层8可以使各像素单元的第二电极层5实现电 气连接。
[0039]顶发光0LED器件还包括封装膜9，所述封装膜9与所述基板1形成封闭区域，所述像素限定层2、像素单元和透光导电聚合物层8位于所述封闭区域。
[0040]图4所示有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤:
[0041]S21、在基板1上制作导电层并图形化形成若干第一电极层3，在第一电极层3涂覆有机光刻胶层，并经过曝光显影形成像素限定层2和贯穿所述像素限定层2的隔离槽7;
[0042]S22、采用蒸镀的方式依次沉积有机发光层4和第二电极层5，所述有机发光层4和第二电极层5厚度之和小于像素限定层2的厚度，所述像素限定层2的高度至少为有机发光层4厚度的两倍；
[0043]S23、在所述第二电极层5的上方采用雾化成膜或低温快速蒸发方式沉积透光导电聚合物层8，所述透光导电聚合物层8的厚度大于2um。
[0044]图4所示的顶发光显示装置通过改变像素结构，有效降低了OLED相邻像素有机层的关联性，能够使0LED公用层材料彻底断开连接，从而有效防止相邻像素之间短路现象发生，解决了器件关不断的现象。
[0045]如图3所示，所述有机发光显示装置为底发光0LED器件，连续网格结构中叠加设置有第一电极层3和有机发光层4，所述像素限定层2和有机发光层4的上方形成有第二电极层5，所述第一电极层3、有机发光层4和第二电极层5构成所述像素单元，所述有机发光层4和第二电极层5的厚度之和大于所述像素限定层2的高度。有机发光层4包括堆叠设置的空穴注入层和/或空穴传输层，发光层41，电子传输层和/或电子注入层
[0046]图3所示的有机发光显示装置的制备方法，包括下述步骤:
[0047]S11、在基板1上制作导电层并图形化形成若干第一电极层3，在第一电极层3涂覆有机光刻胶层，并经过曝光显影形成像素限定层2和贯穿所述像素限定层2的隔离槽7;
[0048]S12、采用蒸镀的方式依次沉积有机发光层4和第二电极层5，所述有机发光层4的总厚度小于像素限定层2的厚度，所述有机发光层4和第二电极层5厚度之和大于像素限定层2的厚度。
[0049]图3所示的底发光显示装置通过改变像素结构，有效降低了0LED相邻像素有机层的关联性，能够使0LED公用层材料彻底断开连接，从而有效防止相邻像素之间短路现象发生，解决了器件关不断的现象。
[0050]如无特别说明，本发明中的器件各层采用材料如下:
[0051]第一电极层阳极可以采用无机材料或有机导电聚合物。无机材料一般为氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(ΙΖ0)等金属氧化物或金、铜、银等功函数较高的金属，优选ΙΤ0;有机导电聚合物优选为聚噻吩/聚乙烯基苯磺酸钠(以下简称PED0T/PSS)、聚苯胺(以下简称PANI)中的一种。
[0052]第二电极层阴极一般采用锂、镁、钙、锶、铝、铟等功函数较低的金属或它们与铜、金、银的合金，或金属与金属氟化物交替形成的电极层。本发明中阴极优选为A1层。
[0053]空穴传输层的材料可以选自芳胺类，咔唑类和枝聚物类低分子材料，优选NPB和TCTAo
[0054]所述空穴注入层的材料例如可采用2，3,6,7,10,11_六氰基_1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲HAT-CN，4，4’，4”_三(3-甲基苯基苯胺)三苯胺掺杂F4TCNQ，或者采用铜酞菁(CuPc)，或可为金属氧化物类，如氧化钼，氧化铼。
[0055]发光层的发光材料可以选自香豆素类如DMQA或C545T，或双吡喃类如DCJTB或DCM等荧光染料，或含Ir，Pt，Os，Ru，Rh，Pd，镧系，锕系等金属配合物。
[0056]荧光染料在发光层中的掺杂浓度不高于5wt%，磷光染料在发光层中的掺杂浓度不高于30wt%。所述的掺杂浓度=染料质量/(染料质量+主体材料质量)X 100%。
[0057 ]发光层的主体材料可选自常用于基质材料的材料，如4，4 ’ -二( P卡卩坐基-9-)联苯CBP0
[0058]本发明的电子传输层的材料可采用常用于电子传输层的材料，如芳香稠环类(如Pentacene、花)或邻菲略啉类(如Bphen、BCP)化合物。
[0059]基板可以是玻璃或是柔性基片，所述柔性基片可采用聚酯类、聚酰亚胺类化合物材料或者薄金属片。所述层叠及封装可采用本领域技术人员已知的任意合适方法。
[0060]显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
【主权项】
1.一种有机发光显示装置，包括基板(1)和像素限定层(2)，所述的像素限定层(2)形成连续网格结构，所述连续网格结构中形成有像素单元，其特征在于， 所述像素限定层(2)中设置有防止相邻像素单元短路的隔离结构。2.根据权利要求1所述有机发光显示装置，其特征在于，所述隔离结构为贯穿所述像素限定层(2)的隔离槽(7)，所述隔离槽(7)将所述像素限定层(2)分割为独立的两部分。3.根据权利要求2所述有机发光显示装置，其特征在于，所述隔离槽(7)的槽壁与所述基板(1)的夹角为60°-90°，所述隔离槽(7)顶部的横截面积大于等于底部的横截面积。4.根据权利要求1-3任一项所述有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置为顶发光OLED器件，连续网格结构中叠加设置有第一电极层(3)、有机发光层(4)和第二电极层(5)，所述像素限定层(2)的高度至少为有机发光层(4)厚度的两倍。5.根据权利要求4所述有机发光显示装置，其特征在于，所述像素限定层(2)的厚度大于有机发光层(4)和第二电极层(5)的厚度之和，所述第二电极层(5)的上方形成有透光导电聚合物层(8)。6.根据权利要求5所述有机发光显示装置，其特征在于，还包括封装膜(9)，所述封装膜(9)与所述基板(1)形成封闭区域，所述像素限定层(2)、像素单元和透光导电聚合物层(8)位于所述封闭区域。7.根据权利要求1-3任一项所述有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置为底发光OLED器件，连续网格结构中叠加设置有第一电极层(3)和有机发光层(4)，所述像素限定层(2)和有机发光层(4)的上方形成有第二电极层(5)，所述第一电极层(3)、有机发光层(4)和第二电极层(5)构成所述像素单元，所述有机发光层(4)和第二电极层(5)的厚度之和大于所述像素限定层(2)的高度。8.根据权利要求1-3任一项所述有机发光显示装置，其特征在于，所述像素限定层(2)为有机光刻胶层。9.一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，包括下述步骤: S11、在基板(1)上制作导电层并图形化形成若干第一电极层(3)，在第一电极层(3)涂覆有机光刻胶层，并经过曝光显影形成像素限定层(2)和贯穿所述像素限定层的隔离槽(7)； S12、采用蒸镀的方式依次沉积有机发光层(4)和第二电极层(5)，所述有机发光层(4)的总厚度小于像素限定层(2)的厚度，所述有机发光层和第二电极层厚度之和大于像素限定层(2)的厚度。10.—种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: S21、在基板(1)上制作导电层并图形化形成若干第一电极层(3)，在第一电极层(3)涂覆有机光刻胶层，并经过曝光显影形成像素限定层(2)和贯穿所述像素限定层的隔离槽(7)； S22、采用蒸镀的方式依次沉积有机发光层(4)和第二电极层(5)，所述有机发光层(4)和第二电极层(5)厚度之和小于像素限定层(2)的厚度，所述像素限定层(2)的高度至少为有机发光层(4)厚度的两倍； S23、在所述第二电极层(5)的上方采用雾化成膜或低温快速蒸发方式沉积透光导电聚合物层(8)，所述透光导电聚合物层(8)的厚度大于2um。
【专利摘要】本发明涉及一种防止相邻像素短路的有机发光显示装置，包括基板和像素限定层，所述的像素限定层形成连续网格结构，所述连续网格结构中形成有像素单元，所述像素限定层中设置有防止相邻像素单元短路的隔离结构。本发明的有机发光显示装置采用在像素限定层上设置隔离结构，有效解决现有OLED器件容易发生横向短路，且可以保持已有的器件效率。
【IPC分类】H01L51/52, H01L27/32, H01L51/56
【公开号】CN105489631
【申请号】CN201510975405
【发明人】周茂清, 赵海廷, 段志勇, 魏朝刚
【申请人】昆山国显光电有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年12月22日
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