制造发光器件封装件的方法
制造发光器件封装件的方法
【专利说明】
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请要求于2014年10月6日提交至韩国知识产权局的韩国专利申请 No. 10-2014-0134475的优先权，该申请公开的全部内容W引用方式并入本文中。
技术领域
[0003] 本发明构思设及一种发光器件封装件及其制造方法，并且更具体地，设及一种制 造具有憐光体层的发光器件封装件的方法。
【背景技术】
[0004] 白色发光二极管（白色LED)装置在诸如计算机、蜂窝电话和投影仪的多个技术领 域中吸引了许多注意。具体地，白色L邸装置正应用于越来越广泛的领域范围，例如液晶显 示器化CD)的背光单元度LU) W及照明系统。白色L邸装置可通过利用蓝色L邸忍片和憐 光体层来实现，并且近来对用于有效地形成憐光体层的技术的需求有所增长。
【发明内容】
阳0化]本发明构思提供了一种制造发光器件封装件的方法，利用该方法可有效地形成憐 光体层。
[0006] 根据本发明构思的一方面，提供了一种制造发光器件封装件的方法。该方法可包 括：制备包括第一表面和相对第一表面设置的第二表面的承载件；在承载件的第一表面上 形成憐光体层；将第一光从测试发光器件朝着承载件的第二表面发射；W及对包括在第一 光中且穿过憐光体层的第二光进行分析，并基于所述分析确定憐光体层的厚度。
[0007] 形成憐光体层的步骤可包括用憐光体涂覆承载件的第一表面W及利用模具使憐 光体成型。所述模具可包括刀片和漉中的至少一个。
[0008] 第二光可包括波长范围与第一光的波长范围实质上相同的第一透射光W及波长 范围与第一光的波长范围不同的第二透射光。确定憐光体层的厚度的步骤可包括：计算第 二透射光的发光强度与第一透射光的发光强度的比率。
[0009] 测试发光器件发射的第一光可包括蓝光。憐光体层发射的第二光可包括蓝光和黄 光。
[0010] 确定憐光体层的厚度的步骤可包括：收集关于第二光的波长的发光强度光谱；W 及计算发光强度光谱中黄光的最大发光强度与蓝光的最大发光强度的比率。
[0011] 憐光体层的厚度可由下式表示：
[0012] d = al * In + 1)1，
[0013] 其中d是憐光体层的厚度，ly是黄光的最大发光强度，Ib是蓝光的最大发光强度， 并且al和bl中的每一个都是常数。
[0014] 确定憐光体层的厚度的步骤可包括：收集关于第二光的波长的发光强度光谱；W 及计算黄光的波长范围中的光的总量与蓝光的波长范围中的光的总量的比率。憐光体层的 厚度可由下式表示：
[0015]
[0016] 其中d是憐光体层的厚度，lyt是黄光的波长范围中的光的总量，Ibt是蓝光的波 长范围中的光的总量，并且曰2和b2中的每一个都是常数。
[0017] 根据本发明构思的另一方面，提供了一种制造发光器件封装件的方法。该方法包 括W下步骤：用憐光体涂覆承载件的第一表面；利用模具使憐光体成型来形成憐光体层； 使用测试发光器件和光电探测器实时地测量憐光体层的厚度；确定测量到的憐光体层的厚 度是否等于期望厚度；W及通过根据确定结果对模具进行调整来控制憐光体层的厚度。
[0018] 控制憐光体层的厚度的步骤可包括调整相对于承载件的第一表面的模具的高度。
[0019] 测试发光器件可面对与所述承载件的第一表面相对设置的第二表面，并且所述光 电探测器可面对所述承载件的第一表面。
[0020] 在形成憐光体层期间，光电探测器可对憐光体层连续发射的光进行检测。
[0021] 在形成憐光体层期间，光电探测器可仅在特定时间段对憐光体层发射的光进行检 测。
[0022] 根据本发明构思的另一方面，提供了一种制造发光器件封装件的方法。所述方法 可包括W下步骤：用憐光体涂覆承载件；利用模具使憐光体成型来形成憐光体层，使用测 试发光器件和光电探测器实时地确定憐光体层的厚度；基于确定的憐光体层厚度实时地调 整模具，直至确定的厚度等于期望厚度为止；W及利用银切工艺将憐光体层划分为分离的 憐光体层。
[0023] 所述方法还可包括：制备发光忍片；W及利用拾取工具将分离的憐光体层附着至 发光忍片。
[0024] 在利用银切工艺划分憐光体层之前，所述方法还可包括将多个发光忍片附着在憐 光体层上的步骤。可在附着有所述多个发光忍片的憐光体层上执行利用银切工艺对憐光体 层的划分。
[00巧]测试发光器件可为蓝色发光二极管（LED)，并且憐光体可为黄色憐光体。
[00%] 测试发光器件可在形成憐光体层期间发射预定光谱的光。
[0027] 根据本发明构思的又一方面，提供了一种制造发光器件封装件的方法。所述方法 可包括W下步骤：用憐光体涂覆承载件的第一表面；使刀片和承载件中的一个沿着平行于 第一表面的方向相对于另一个移动，W在承载件上形成憐光体层；在承载件和憐光体层的 第一侧提供测试发光器件，W朝着憐光体层发射第一光，并且光电探测器位于承载件和憐 光体层的与所述第一侧相对的第二侧，W收集源于测试发光器件并由憐光体层进行转换的 第二光；对光电探测器收集到的第二光的光谱进行分析；W及基于光谱的分析来调整刀片 与第一表面之间的距离。
[0028] 第二光可包括波长范围与第一光的波长范围实质上相同的第一透射光W及波长 范围与第一光的波长范围不同的第二透射光。对第二光进行分析的步骤包括选自W下步骤 中的一个步骤：确定第二透射光的发光强度与第一透射光的发光强度的比率；确定第二透 射光的最大发光强度与第一透射光的最大发光强度的比率；W及确定第二透射光的波长范 围中的光的总量与第一透射光的波长范围中的光的总量的比率。
[0029] 调整距离的步骤可包括：如果所确定的比率大于对应的预定范围的上限，则减小 刀片与第一表面之间的距离，如果所确定的比率小于对应的预定范围的下限，则增大刀片 与第一表面之间的距离，W及如果所确定的比率在对应的预定范围内，则保持刀片与第一 表面之间的距离。
[0030] 所述方法还可包括W下步骤：将憐光体层附着至发射出与所述测试发光器件所发 射的光实质上相同的光的多个发光器件；W及分割憐光体层W形成多个发光器件封装件。
[0031] 所述方法还可包括W下步骤：分割憐光体层W形成多个分割的憐光体层；W及将 所述多个分割的憐光体层之一附着至发射出与测试发光器件所发射的光实质上相同的光 的发光器件。
【附图说明】
[0032] 通过W下结合附图进行的详细描述，将更加清楚地理解本发明构思的示例性实施 例，其中：
[0033] 图1是在根据本发明构思的示例性实施例的制造发光器件封装件的方法中将发 光器件安装在衬底上的处理的截面图；
[0034] 图2是在根据本发明构思的示例性实施例的制造发光器件封装件的方法中形成 憐光体层的处理的截面图；
[0035] 图3是图2的区域K的局部放大图，其示出了测量憐光体层的厚度的方法；
[0036] 图4是示出关于憐光体层发射的第二光的波长的发光强度光谱的曲线图，其示出 了测量憐光体层的厚度的方法；
[0037] 图5A至图5C是在根据本发明构思的示例性实施例的制造发光器件封装件的方法 中形成憐光体层并将憐光体层附着至发光器件的处理的示图；
[0038] 图6是在根据本发明构思的另一示例性实施例的制造发光器件封装件的方法中 形成憐光体层的处理的截面图；
[0039] 图7是在根据本发明构思的另一示例性实施例的制造发光器件封装件的方法中 形成憐光体层的处理的截面图； W40] 图8和图9是根据本发明构思的示例性实施例的发光器件封装件的截面图；
[0041] 图10是示出根据本发明构思的示例性实施例的发光器件封装件所发射的光的普 朗克光谱的示图；
[0042] 图11是可应用于根据本发明构思的示例性实施例的发光器件封装件的量子点 (QD)结构的示例的示图；
[0043] 图12是示出在根据本发明构思的示例性实施例的利用了蓝色发光器件的白色发 光器件封装件的应用领域中所使用的憐光体的类型的表；
[0044] 图13A是包括有发光器件阵列单元的背光组件的示例的分解透视图，在所述发光 器件阵列单元中布置了使用根据本发明构思的示例性实施例的制造发光器件封装件的方 法而制造的发光器件封装件；
[0045] 图13B是可包括在图13A的背光组件中的发光模块的示例的截面图；
[0046] 图14是包括有发光器件阵列单元和发光器件模块的平板照明系统的示意图，在 所述发光器件模块中布置了使用根据本发明构思的示例性实施例的制造发光器件封装件 的方法而制造的发光器件封装件；
[0047] 图15是灯泡型照明器的示意图，该灯泡型照明器是包括有发光器件阵列单元和 发光器件模块的照明系统，在所述发光器件模块中布置了使用根据本发明构思的示例性实 施例的制造 LED忍片的方法而制造的LED忍片；W及 W4引图16和图17是家庭网络的示例的示意图，所述家庭网络应用了包括根据本发明 构思的示例性实施例的发光器件封装件的照明系统。
【具体实施方式】
[0049] 下面将参照示出了本发明构思的实施例的附图更加全面地描述本发明构思。然 而，本发明构思可按照许多不同形式实现，并且不应理解为限于本文阐述的实施例。相反， 提供运些实施例W使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本 发明构思的范围。在附图中，为了清楚起见，可放大层和区的尺寸。相同的附图标记用于表 示相同的元件，并且将省略对其的重复描述。
[0050] 应该理解，虽然本文中可使用术语"第一"、"第二"等来描述多个不同的元件、组 件、区域、层和/或部分，但是运些元件、组件、区域、层和/或部分不应被运些术语限制。因 此，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可被称作第二元件、第二 组件、第二区域、第二层或第二部分，而不脱离本发明构思的指教。
[0051] 除非另外限定，否则本文中使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）具有与 本发明构思所属领域的普通技术人员之一通常理解的含义相同的含义。应该理解，诸如在 常用词典中定义的那些术语应该被解释为具有与它们在相关技术和本说明书的上下文中 的含义一致的含义，而不应该理按照想化地或过于正式的含义进行解释，除非本文中明确 运样定义。
[0052] 当可按不同方式实施一些实施例时，本文中描述的各个工艺步骤可按不同方式执 行，例如，按照连续次序描述的两个工艺步骤可W实质上同时执行或按照相反次序执行。
[0053] 作为例如制造技术和/或公差的结果，可W预见附图中的形状的变化。因此，本发 明构思的实施例不应被理解为限于本文示出的区域的具体形状，而是包括例如由制造工艺 导致的形状的偏差。
[0054] 如本文所使用的那样，术语"和/或"包括相关所列项目中的一个或多个的任何和 所有组合。当诸如"……中的至少一个"的措辞出现在元件列表之后时，更改整个元件列表 而不是更改所述列表中的各个元件。
[0055] 图1是在根据本发明构思的示例性实施例的制造发光器件封装件的方法中将发 光器件110安装在衬底101上的处理的截面图。
[0056] 参照图1，可制备用于安装发光器件110的衬底101，并且可W在衬底101上安装 发光器件110。
[0057] 衬底101可为具有用于驱动发光器件110的互连结构的任意衬底，所述衬底在结 构或类型方面不受限制。
[0058] 在一些示例性实施例中，衬底101可预先被划分为多个部分，并且可将至少一个 发光器件110安装在衬底101的所述多个部分中的每一个上。
[0059] 在一些其它实施例中，可将多个发光器件110安装在衬底101上，然后可将衬底 101划分为与各个发光器件110安装在衬底101上的位置对应的多个部分。
[0060] 在一些其它实施例中，多个发光器件110可安装在一个衬底101上。
[0061] 本实施例示出了运样一个示例，其中可将衬底101预先划分为多个部分，并且可 在衬底101的所述多个部分中的每一个上安装一个发光器件110。
[0062] 在一些示例性实施例中，发光器件110可为发光二极管（LED)忍片，其可通过LED 忍片的底表面110B电连接至衬底101，并且将光发射至LED忍片的顶表面110T和侧表面 110S中的至少一个。
[0063] 可使用诸如侣铜嫁氮化物（AlInGaN)的氮化物半导体制造发光器件110。例如，发 光器件110可包括被配置为产生光的有源层（未示出）、形成在有源层的下方或上方且被配 置为将电子供应至有源层的η型氮化物层（未示出）、W及与η型氮化物层相对地堆叠在有 源层的上方或下方且被配置为将空穴供应至有源层的Ρ型氮化物层（未示出）。虽然未示 出，但是用于产生与衬底101的电连接的电极（未示出）可形成在发光器件110的底表面 110Β上。稍后将参照图8和图9详细描述发光器件110的示例性结构。
[0064] 例如，发光器件110可为L邸忍片，其被配置为发射具有约100皿至约430皿的 波长范围的紫外0JV)光、具有约430皿至约480皿的波长范围的蓝光、具有约500皿至约 560nm的波长范围的绿光或者具有约610nm至约670nm的波长范围的红光。 阳0化]图2是在根据本发明构思的示例性实施例的制造发光器件封装件的方法中形成 憐光体层120y的处理的截面图。
[0066] 参照图2,在承载件130沿着第一方向（X轴方向）从第一轴A1向第二轴A2传送 的同时，憐光体层120y可形成在承载件130的一个表面130T上。
[0067] 承载件130可具有任意结构或为任意类型，只要测试发光器件162发射的光可穿 过承载件130而不失真即可。例如，承载件130可为超薄透明塑料膜或薄玻璃。承载件130 可具有柔性和穿透性。测试发光器件162可W发射出与将要使用憐光体层120y进行封装 的发光器件110所发射的光实质上相同的光。
[0068] 在一些实施例中，可W在就绪状态下将承载件130缠绕在第一轴A1周围，然后在 完成形成憐光体120y的处理之后将承载件130与憐光体层120y -起缠绕在第二轴A2周 围。 W例憐光体供应单元150可被配置为在承载件130从第一轴A1移动至第二轴A2期间 用憐光体120X在承载件130的一个表面130T上形成一层。虽然本实施例示出了在憐光体 120X与承载件130之间未设置任何其它层的示例，但是本发明构思不限于此。例如，还可在 憐光体120X与承载件130之间形成娃树脂层或粘合剂层。
[0070] 憐光体120X可将发光器件（参照图1中的110)要发射的光转换为白光。为了实 现运一目标，憐光体120X的组成可根据发光器件110要发射的光的颜色（即，波长）而变 化。
[0071] 在一些实施例中，发光器件110可为蓝色L邸忍片，其被配置为发射具有约430nm 至约480nm的波长范围的蓝光，并且憐光体120x可为黄色憐光体。例如，黄色憐光体可包 括含有稀±元素的基于YAG的材料（例如，渗有姉（Ce)的（YGd)sAl5〇3))或含有稀±元素 的基于娃酸盐的材料（例如，渗有館巧U)的锁娃氧化物（SrsSiOg))。
[0072] 在一些其它实施例中，发光器件110可为绿色L邸忍片，其被配置为发射具有约 500nm至约560nm的波长范围的绿光，并且憐光体120x可为红色憐光体。例如，红色憐光体 可包括含有稀上元素的基于氮化物的材料（例如，渗有化的SrBaCaAlSiNs)、含有稀±元素 的基于氧化物的材料（例如，渗有化的氧化锭灯2〇3))、或者含有稀±元素的基于硫化物的 材料（例如，渗有化的硫化巧（CaS))。 阳073] 可通过利用模具140使憐光体120x成型来形成憐光体层120y。 阳074] 在一些实施例中，模具140可包括第一刀片142_1和第二刀片142_2。本实施例示 出了模具140包括两个刀片142_1和142_2的示例，但是模具140可包括一个刀片或Ξ个 W上的刀片。 阳0巧]第一刀片142_1和第二刀片142_2可使在承载件130的表面130T上形成的憐光 体120X成型，并且形成具有均匀厚度的憐光体层120y (参见图3中的"d")。
[0076] 可W对在第二方向灯轴方向）上获得的第一刀片142_1和第二刀片142_2中的 至少一个的高度进行调整。第一刀片142_1和第二刀片142_2的高度可表示从第一刀片 142_1和第二刀片142_2至所述一个表面130T的距离。可通过调整第一刀片142_1和第二 刀片142_2的高度来调整憐光体层120y的厚度"d"。
[0077] 在一些实施例中，在使用测试发光器件162和光电探测器164测量通过第一刀片 142_1形成的憐光体层120y的厚度之后，可通过调整在第二方向灯轴方向）上获得的第二 刀片142_2的高度来控制憐光体层120y的厚度。
[0078] 在一些实施例中，第一刀片142_1和第二刀片142_2中的至少一个可具有各种形 状并且形成图案化的憐光体层120y。
[0079] 在形成憐光体层120y期间，可使用测试发光器件162和光电探测器164来测量憐 光体层120y的厚度。
[0080] 此外，为了将憐光体层120y形成为期望厚度，可根据使用测试发光器件162和光 电探测器164测量到的憐光体层120y的厚度来调整在第二方向灯轴方向）上获得的第一 刀片142_1和第二刀片142_2中的至少一个的高度。稍后将参照图3和图4描述使用测试 发光器件162和光电探测器164测量憐光体层120y的厚度的方法。
[0081] 在一些实施例中，在涂覆憐光体120X之前，还可执行用于从承载件130去除细微 灰尘的流动处理W及用于在承载件130的表面130T上均匀地提供附加材料（例如粘合剂、 粘结剂或防粘剂）的喷洒处理。
[0082] 在一些其它实施例中，在利用第一刀片142_1和第二刀片142_2使憐光体层120y 成型之后，或者在测量憐光体层120y的厚度之后，还可执行冷却处理、加热处理和干燥处 理中的至少一个。
[0083] 图3是图2的区域K的放大图，其示出了测量憐光体层120y的厚度的方法。
[0084] 在图3中，相同的附图标记用于表示与图1和图2中的元件相同的元件，并且为了 简明起见，将省略对其的重复描述。
[0085] 参照图3,可使用测试发光器件162和光电探测器164来测量憐光体层120y的厚 度。
[0086] 测试发光器件162可朝着承载件130的反面130B发射第一光Ls。第一光Ls可穿 过承载件130和憐光体层120y，并且憐光体层120y可发射第二光Lr。
[0087] 光电探测器164可对第二光Lr进行分析并基于所述分析确定憐光体层120y的厚 度。在一些实施例中，光电探测器164可W收集关于第二光Lr的波长的发光强度光谱（参 照图4)。
[0088] 在一些实施例中，在形成憐光体层120y期间，测试发光器件162可连续地发射具 有均匀发光强度的第一光Ls。在一些其它实施例中，测试发光器件162可从形成憐光体层 120y的时间量中抽取特定时段，并且仅在抽取出的特定时段发射第一光Ls。
[0089] 类似地，在形成憐光体层120y期间，光电探测器164可连续地对第二光Lr进行分 析。可替代地，光电探测器164可从形成憐光体层120y的时间量中仅抽取特定时段，并且 仅在抽取出的特定时段对第二光Lr进行分析。
[0090] 根据测试发光器件162的类型，第一光Ls可具有不同波长。与参照图1描述的发 光器件110类似，测试发光器件162可为L邸忍片，其被配置为发射具有约lOOnm至约430nm 的波长范围的UV光、具有约430皿至约480皿的波长范围的蓝光、具有约500皿至约560皿 的波长范围的绿光、或具有约610皿至约670皿的波长范围的红光。
[0091] 本实施例将对测试发光器件162为蓝色L邸忍片的示例进行描述，也就是说，测试 发光器件162发射具有约430皿至约480皿的波长范围的第一光Ls。当测试发光器件162 是蓝色L邸忍片时，由于可利用黄色憐光体（未示出）来输出白光，因此本实施例将对憐光 体层120y包含黄色憐光体的示例进行描述。
[0092] 测试发光器件162发射的第一光Ls可W入射至承载件130的反面130B、穿过承 载件130和憐光体层120y、并且转换为第二光Lr并从憐光体层120y的一个表面120升输 出。
[0093] 第二光Lr可包括波长范围与第一光Ls的波长范围相似的第一透射光（未示出） W及波长范围与第一光Ls的波长范围不同的第二透射光（未示出）。
[0094] 例如，第二光Lr可包括：黄光Ly，其充当第二透射光，并且由第一光Ls通过黄色 憐光体转换而成W具有约520nm至约700nm的波长范围；W及蓝光化，其充当第一透射光， 并且与第一光Ls的未转换为黄光Ly的那部分对应。蓝光化可具有与第一光Ls的波长相 似的波长。
[0095] 蓝光化的发光强度Ib和憐光体层120y的厚度"d"可具有W下等式1所示的关 系：
[0096] 扣=l〇*A*e a*d (i)，
[0097] 其中Ιο表示已穿过承载件130的第一光Lo的发光强度，也就是说，在憐光体层 120y的反面120yB上测量到的第一光Lo的发光强度，A表示损失系数，并且"a"表示憐光 体层120y的光学吸收率。
[0098] 黄光Ly的发光强度ly和憐光体层120y的厚度"d"可具有W下等式2所示的关 系：
[0099] ly = l〇*f(e)*f(d)似，
[0100] 其中?·(β)是取决于憐光体的物理特性（即，材料、密度和混合比）的函数，并且 f(d)是表示福射光的量相对于憐光体层120y的厚度"d"的变化的函数。 阳101] 从等式1和等式2中，憐光体层120y的厚度"d"可具有如W下等式3所示的与黄 光Ly的发光强度ly和蓝光化的发光强度Ib的关系： 阳 102]
阳103] 其中，由于A表示损失系数，"a"是表示憐光体层120y的光学吸收率的常数，并且 f(e )是取决于憐光体的物理特性的函数，因此在与憐光体层120y的厚度"d"的关系中，损 失系数A、常数"a"和函数f(e)可看作是常数。 阳104] 此外，虽然f(d)是表示福射光的量相对于憐光体层120y的厚度d的变化的函数， 但是可将制造发光器件封装件期间所需的憐光体层120y的厚度"d"的范围内福射光的量 的变化作为常数对待。因此，憐光体层120y的厚度"d"可具有如W下等式4所示的与黄光 Ly的发光强度ly和蓝光化的发光强度Ib的关系： 阳1化]
[0106] 利用等式4,可W从在光电探测器164测量到的发光强度光谱（参照图4)中的黄 光Ly的发光强度ly和蓝光化的发光强度Ib获得憐光体层120y的厚度"d"。因此，即使 憐光体层120y的成型和固化尚未完成，也可容易地测量憐光体层120y的厚度"d"。另外， 由于可基于测量到的憐光体层120y的厚度"d"实时地调整憐光体层120y的成型处理，因 此可减小制造发光器件封装件的憐光体层（参照图3中的120y)所需的处理时间和成本。 阳107] 图4是示出了关于憐光体层120y所发射的第二光Lr的波长的发光强度光谱的曲 线图，该图示出了测量憐光体层120y的厚度的方法。在图4中，相同的附图标记用于表示 与图1至图3中的元件相同的元件，并且为了简明起见，省略对其的重复描述。
[0108] 图4示出了关于第二光Lr的波长λ的发光强度光谱。在发光强度光谱中，发光 强度I可被表示为用于对各种波长的第二光Lr的输出强度进行比较的任意单位，并且不限 于特定的单位，只要能够对各种波长的第二光Lr的输出强度进行比较即可。例如，发光强 度I可指福照度（W/m 2)。
[0109] 如同上文参照图3描述的那样，根据本实施例，可由能够从发光强度光谱获得的 黄光Ly的发光强度ly和蓝光化的发光强度Ib，来获得憐光体层120y的厚度"d"。当黄 光Ly的发光强度ly与蓝光化的发光强度Ib的比率大于第一预定范围的上限时，可减小 第一刀片142_1和第二刀片142_2与所述一个表面130T之间的距离。当黄光Ly的发光强 度ly与蓝光化的发光强度Ib的比率小于第一预定范围的下限时，可增大第一刀片142_1 和第二刀片142_2与所述一个表面130T之间的距离。当黄光Ly的发光强度ly与蓝光化 的发光强度Ib的比率在第一预定范围内时，可保持第一刀片142_1和第二刀片142_2与所 述一个表面130T之间的距离。
[0110] 在一些实施例中，可从发光强度光谱中的黄光Ly的最大发光强度lym和蓝光化 的最大发光强度Ibm获得憐光体层120y的厚度"d"，如W下等式5所示： 阳 111]
[0112] 其中A表示损失系数，"a"表示憐光体层120y的光学吸收率，?·(β )是取决于憐光 体的物理特性的函数，并且f(d)是表示福射光的量相对于憐光体层120y的厚度"d"的变 化的函数。如同上文参照图3描述的那样，由于4、"3"、^0)和^(1)中的每一个可看作是 常数，因此可从黄光Ly的最大发光强度lym和蓝光化的最大发光强度Ibm获得憐光体层 120y的厚度"d"。当黄光Ly的最大发光强度lym与蓝光化的最大发光强度Ibm的比率大 于第二预定范围的上限时，可减小第一刀片142_1和第二刀片142_2与所述一个表面130T 之间的距离。当黄光Ly的最大发光强度lym与蓝光化的最大发光强度Ibm的比率小于第 二预定范围的下限时，可增大第一刀片142_1和第二刀片142_2与所述一个表面130T之间 的距离。当黄光Ly的最大发光强度lym与蓝光化的最大发光强度Ibm的比率在第二预定 范围内时，可保持第一刀片142_1和第二刀片142_2与所述一个表面130T之间的距离。
[0113] 黄光Ly的最大发光强度lym可表示约520皿至约700皿的黄色波长范围中的最 大发光强度I。相似地，蓝光化的最大发光强度扣m可表示约430nm至约480nm的蓝色波 长范围中的最大发光强度I。
[0114] 在一些其它实施例中，可从黄光的波长范围中的光的总量lyt和蓝光的波长范围 中的光的总量Ibt获得憐光体层120y的厚度"d"，如W下等式6所示： 阳115]
[0116] 其中A表示损失系数，"a"表示憐光体层120y的光学吸收率，f (β )是取决于憐光 体的物理特性的函数，并且f(d)是表示福射光的总量相对于憐光体层120y的厚度"d"的 变化的函数。如同参照图3描述的那样，由于4、"3"、^0)和^(1)中的每一个可作为常数 对待，因此可从黄光的波长范围中的光的总量lyt和蓝光的波长范围中的光的总量Ibt获 得憐光体层120y的厚度"d"。
[0117] 例如，可通过对黄光的波长范围中的发射光谱Sp_y进行积分来获得黄光的波长 范围中的光的总量lyt，如W下等式7所示： 阳11引
阳119] 在等式7中，S1与S2之间的积分区间可在约520皿至约700皿的范围内。也就 是说，黄光的波长范围可表示约520皿至约700皿的波长范围。
[0120] 与黄光的波长范围中的光的总量lyt类似，可通过对蓝光的波长范围中的发射光 谱Sp_b进行积分来获得蓝光的波长范围中的光的总量Ibt，如W下等式8所示：
[0121]
, 阳12引在等式8中，S3与S4之间的积分区间可在例如约430皿至约480皿的范围内。也 就是说，蓝光的波长范围可为约430皿至约480皿的波长范围。
[0123] 如同参照等式6至等式8描述的那样，可从黄光的波长范围中的光的总量lyt和 蓝光的波长范围中的光的总量Ibt获得憐光体层120y的厚度"d"，从而可确保测量到的憐 光体层120y的厚度"d"的可靠性。当黄光Ly的波长范围中的光的总量lyt与蓝光化的波 长范围中的光的总量Ibt的比率大于第Ξ预定范围的上限时，可减小第一刀片142_1和第 二刀片142_2与所述一个表面130T之间的距离。当黄光Ly的波长范围中的光的总量lyt 与蓝光化的波长范围中的光的总量Ibt的比率小于第Ξ预定范围的下限时，可增大第一刀 片142_1和第二刀片142_2与所述一个表面130T之间的距离。当黄光Ly的波长范围中的 光的总量lyt与蓝光化的波长范围中的光的总量Ibt的比率在第Ξ预定范围内时，可保持 第一刀片142_1和第二刀片142_2与所述一个表面130T之间的距离。
[0124]图5A至图5C是在根据本发明构思的示例性实施例的制造发光器件封装件的方法 中形成憐光体层120y并将憐光体层120y附着至发光器件的处理的示图。在图5A至图5C 中，相同的附图标记用于表示与图1至图4中的元件相同的元件，并且为了简明起见，省略 对其的重复描述。
[01巧]参照图5A，可在承载件130上形成憐光体层120y。由于形成憐光体层120y的处 理与W上参照图2至图4描述的相同，因此省略对其的详细描述。 阳126] 参照图5B，可通过银切憐光体层120y来形成多个憐光体层120。形成各个憐光体 层120的处理可为使用例如刀片（未示出）的银切处理。
[0127] 参照图5C，各个憐光体层120中的每一个可附着至对应的一个发光器件110,从而 完成发光器件封装件100的制造。将各个憐光体层120中的每一个附着至对应的发光器件 110的处理可包括：使用例如拾取工具（未示出）转移各个憐光体层120中的每一个，W将 各个憐光体层120中的每一个布置在对应的发光器件110上；W及使用粘合剂（未示出） 将各个憐光体层120中的每一个附着至对应的发光器件110。
[0128] 本实施例描述了运样的示例，其中在通过银切憐光体层120y形成各憐光体层120 之后，各个憐光体层120中的每一个可附着在对应的发光器件110上，但是本发明构思不限 于此。例如，在将多个发光器件（未示出）附着在憐光体层120y上之后，可利用银切处理 形成多个憐光体层120。
[0129] 图6是在根据本发明构思的另一示例性实施例的制造发光器件封装件的方法中 形成憐光体层220y的处理的截面图。在图6中，相同的附图标记用于表示与图1至图5C 中的元件相同的元件，并且为了简明起见，省略对其的重复描述。
[0130] 参照图6,承载件230可涂覆有憐光体220X，并且可通过利用模具240使憐光体 220x成型来形成憐光体层220y。 阳131] 憐光体220X和承载件230的结构和功能可与参照图2描述的憐光体120X和承载 件130的结构和功能实质上相似。然而，在本实施例中，在形成憐光体层220y期间，模具 240 (而不是承载件230)在第一方向狂轴方向）上移动。
[0132] 在一些实施例中，模具240可包括刀片242和漉244。本实施例示出了模具240包 括一个刀片242的情况，但是本发明构思不限于此。在另一种情况下，与参照图2描述的模 具140类似，模具240可包括至少一个刀片。
[0133] 刀片242和漉244可分别设置在憐光体220X的一个表面220χΤ和承载件230的 相对于所述表面220χΤ的表面230Β上，并且在形成憐光体层220y的处理期间在第一方向 狂轴方向）上移动。
[0134] 在一些实施例中，可调整在第二方向灯轴方向）上获得的刀片242和漉244中的 至少一个的高度，并且可通过对在第二方向灯轴方向）上获得的刀片242和漉244中的至 少一个的高度进行调整，来控制成型的憐光体层220y的厚度。
[0135] 在形成憐光体层220y期间，可使用测试发光器件262和光电探测器264来测量憐 光体层220y的厚度。 阳136] 在一些实施例中，与刀片242和漉244类似，测试发光器件262和光电探测器264 可在沿着第一方向狂轴方向）移动的同时测量憐光体层220y的厚度。可W按照与如参照 图3和图4描述的测量憐光体层120y的厚度的方法相似的方式，来执行使用测试发光器件 262和光电探测器264测量憐光体层220y的厚度的方法。
[0137] 图7是在根据本发明构思的另一示例性实施例的制造发光器件封装件的方法中 形成憐光体层320y的处理的截面图。在图7中，相同的附图标记用于表示与图1至图6中 的元件相同的元件，并且为了简明起见，省略对其的重复描述。
[0138] 参照图7,承载件330可涂覆有憐光体320X，并且可通过利用模具340使憐光体 320x成型来形成憐光体层320y。
[0139] 憐光体320x、承载件330和模具340的结构和功能可与W上参照图6描述的憐光 体220X、承载件230和模具240的结构和功能实质上相似。然而，与图6所示的模具240不 同的是，根据本实施例的模具340可包括刀片342、第一漉344和第二漉346。
[0140] 同时，本实施例示出了模具340包括一个刀片342的情况，但是本发明构思不限于 此。在另一种情况下，与参照图2描述的模具140类似，模具340可包括至少一个刀片。 阳141] 虽然本实施例示出了刀片342介于第一漉344与光电探测器364之间的示例，但 是本发明构思不限于图7所示的实施例。例如，可在第一漉344和光电探测器364后方提 供刀片342。换言之，可在刀片342与第一漉344之间提供光电探测器364。 阳142] 可W在憐光体320X的一个表面320χΤ和承载件330的反面330B上分别提供第一 漉344和第二漉346。在沿着第一方向狂轴方向）移动的同时，第一漉344和第二漉346 可用于将憐光体320Χ附着在承载件330上。
[0143] 在一些实施例中，可W通过由第一漉344和第二漉346施加的压力和热将憐光体 320Χ附着至承载件330。在图7中，憐光体320Χ表示将要附着至承载件330的憐光体，而 憐光体320Χ'表示已附着至承载件330的憐光体。在图7中，将憐光体320Χ的反面320χΒ 示为与承载件330的一个表面330Τ分隔开，W在概念上将憐光体320χ与憐光体320χ'区 分开，但是本发明构思不限于此。例如，憐光体320Χ的反面320χΒ可与承载件330的表面 330Τ直接物理接触。
[0144] 形成憐光体层320y的步骤可包括：利用第一漉344和第二漉346将憐光体320Χ' 附着至承载件330，W及利用刀片342使憐光体320X成型。刀片342可与W上参照图6描 述的刀片242具有相似的结构并且发挥相似的功能。
[0145] 在形成憐光体层320y期间，可使用测试发光器件362和光电探测器364测量憐光 体层320y的厚度。
[0146] 可W按照与W上参照图3和图4描述的测量憐光体层120y的厚度的方法相似的 方式，来执行测量憐光体层320y的厚度的方法。 阳147]图8和图9是根据本发明构思的示例性实施例的发光器件封装件的截面图。
[0148] 参照图8,发光器件封装件1800可W包括可充当光源并安装在安装衬底1820上的 LED忍片1810, W及附着至LED忍片1810的憐光体层1830。
[0149] 图8所示的发光器件封装件1800可包括安装衬底1820 W及安装在安装衬底1820 上的LED忍片1810。 阳150] LED忍片1810可包括设置在衬底1801的一个表面上的发光堆叠结构S，W及在整 个发光堆叠结构S上与衬底1801相对设置的第一电极1808a和第二电极1808b。另外，LED 忍片1810可包括为了覆盖第一电极1808a和第二电极1808b而形成的绝缘单元1803。 阳151 ] 可通过第一电连接单元1809a和第二电连接单元1809b将第一电极180fe和第二 电极1808b连接至第一电极焊盘1819a和第二电极焊盘1819b。 阳152] 发光堆叠结构S可W包括可在衬底1801上顺序堆叠的第一导电类型的半导体层 1804、有源层1805 W及第二导电类型的半导体层1806。可提供第一电极1808a作为导电过 孔，该导电过孔可穿过第二导电类型的半导体层1806和有源层1805而形成，并连接至第一 导电类型的半导体层1804。第二电极1808b可连接至第二导电类型的半导体层1806。
[0153] 可W在一个发光器件区中形成多个导电过孔。可控制导电过孔的数量和接触面 积，W使得在平面图中，所述多个导电过孔与第一导电类型的半导体层1804进行接触的区 域的面积在发光器件区域的面积的约1 %至约5%的范围内。例如，平面图中导电过孔与第 一导电类型的半导体层1804进行接触的区域的半径可在约5 μ m至约50 μ m的范围内，并 且根据发光器件区域的面积，每个发光器件区域中的导电过孔的数量可在1至50的范围 内。虽然取决于发光器件区域的面积，但是每个发光器件区域中可提供Ξ个W上的导电过 孔。导电过孔可彼此分隔开约100 μ m至约500 μ m的距离，并且更优选地，彼此分隔开约 150 μπι至约450 μπι的距离，并且按照多行多列的矩阵型排列。当导电过孔之间的距离小 于约100 μ m时，导电过孔的数量可增加，并且发射面积可相对减小，从而降低发光效率。与 此相反，当导电过孔之间的距离大于约500 μπι时，可妨碍电流扩散W降低发光效率。虽然 取决于第二导电类型的半导体层1806和有源层1805的厚度，但是导电过孔的深度可在约 0. 5 μ m至约5. 0 μ m的范围内 。
[0154] 可通过在发光堆叠结构S上沉积导电性欧姆材料来形成第一电极1808a和第二电 极1808b。第一电极1808a和第二电极1808b可包括银（Ag)、侣（A1)、儀（Ni)、铭（化）、铜 (Cu)、金（Au)、钮（Pd)、销（Pt)、锡（Sn)、铁们）、鹤（W)、锭她）、银（Ir)、钉（Ru)、儀（Mg)、 锋狂η)或它们的合金中的至少一种。例如，形成第二电极1808b的步骤可包括将Ag欧姆 电极堆叠在第二导电类型的半导体层1806上。Ag欧姆电极可充当光发射层。可选地，由 Ni、Ti、Pt或W形成的单层可堆叠在Ag欧姆电极上，或者由它们的合金形成的多层可交替 地堆叠在Ag欧姆电极上。例如，Ni/Ti层、TiW/Pt层或Ti/W层可堆叠在Ag欧姆电极下方， 或者Ni/Ti层、TiW/Pt层和Ti/W层可交替地堆叠在Ag欧姆电极下方。
[01巧]形成第一电极1808a的步骤可包括将化层堆叠在第一导电类型的半导体层1804 上W及将Au/Pt/Ti层顺序堆叠在化层上，或者包括将A1层堆叠在第二导电类型的半导体 层1806上W及将Ti/Ni/Au层顺序堆叠在A1层上。 阳156] 与本实施例中不同的是，可将各种其它材料或堆叠结构应用于第一电极1808a和 第二电极1808b，W提高其欧姆特性或反射特性。 阳157] 绝缘单元1803可包括用于暴露第一电极1808a和第二电极1808b的至少一部分 的开口区域，并且第一电极焊盘1819a和第二电极焊盘1819b可分别连接至第一电极1808a 和第二电极1808b。可通过在500°C或更低的溫度下使用化学气相沉积（CVD)处理将Si〇2 和/或SiN层沉积为约0. 01 μ m至约3 μ m的厚度，来形成绝缘单元1803。
[0158] 第一电极1808a和第二电极1808b可在相同方向上设置，并且可作为倒装忍片类 型安装在如下所述的引线框架上。在运种情况下，第一电极1808a和第二电极1808b可在 相同方向上进行指向。
[0159] 在第一电极结构中，可由具有导电过孔的第一电极1808a形成第一电连接单元 1809a，所述导电过孔可穿过第一导电类型的半导体层1804和有源层1805而形成，并连接 至发光堆叠结构S中的第一导电类型的半导体层1804。
[0160] 可W对导电过孔和第一电连接单元1809a的数量、形状和间距W及导电过孔和第 一电连接单元1809a与第一导电类型的半导体层1804进行接触的面积合适地进行调整，W 减小接触电阻。导电过孔和第一电连接单元1809a可排列为多行多列的形式W提高电流。 阳161] 第二电极结构可包括在第二导电类型的半导体层1806上直接形成的第二电极 1808b W及在第二电极1808b上形成的第二电连接单元1809b。第二电极1808b可用于形 成与第二导电类型的半导体层1806的电欧姆接触。另外，第二电极1808b可由光反射材料 形成，并且在L邸忍片1810作为倒装忍片类型安装的同时有效地将光从有源层1805朝着 衬底1801发射。第二电极1808b可根据主要的光发射方向由诸如透明导电氧化物灯C0) 的光透射导电材料形成。
[0162] 上述两个电极结构可通过绝缘单元1803彼此电绝缘。虽然绝缘单元1803可由任 意绝缘材料或任意绝缘物体形成，但是绝缘单元1803可优选地由具有低光学吸收率的材 料形成。例如，绝缘单元1803可由诸如Si〇2、SiOyNy或Si yNy的氧化娃或氮化娃形成。在必 要时，可通过将光反射填充物分散在光透射材料中而使绝缘单元1803具有光反射结构。 阳163] 第一电极焊盘1819a和第二电极焊盘1819b可分别连接至第一电连接单元1809a 和第二电连接单元1809b，并充当LED忍片1810的外部端子。例如，第一电极焊盘1819a 和第二电极焊盘1819b可由金（Au)、银（Ag)、侣（A1)、铁灯i)、鹤（W)、铜（化）、锡（Sn)、儀 (Ni)、销（Pt)、铭（Cr)、NiSn、TiW、AuSn或它们的共晶金属形成。在运种情况下，当第一电 极焊盘1819a和第二电极焊盘1819b安装在安装衬底1820上时，可使用共晶金属将第一电 极焊盘1819a和第二电极焊盘1819b键合至安装衬底1820。因此，可W不使用倒装忍片键 合工艺通常所需的额外的焊料凸块。与使用焊料凸块时相比，使用共晶金属安装第一电极 焊盘1819a和第二电极焊盘1819b时，可获得更好的散热效果。可形成第一电极焊盘1819a 和第二电极焊盘1819b使其具有大的面积，W实现良好的散热效果。
[0164] 除非明确地另外描述，否则可参照先前的描述来理解衬底1801和发光堆叠结构 S。虽然未具体示出，但是可在发光堆叠结构S与衬底1801之间形成缓冲层，并且可采用由 例如基于氮化物的半导体形成的未渗杂的半导体层作为缓冲层，W减小在缓冲层上生长的 发光结构S的晶格缺陷。
[01化]衬底1801可具有彼此相对地设置的第一主表面和第二主表面，并且可在衬底 1801的第一主表面和第二主表面中的至少一个上形成粗糖结构。在衬底1801的第一主表 面和第二主表面中的至少一个上形成的粗糖结构可通过刻蚀衬底1801的一部分而形成， 并且包括与衬底1801的材料相同的材料。可替代地，粗糖结构可由与衬底1801的材料不 同的材料形成。 阳166] 如同本实施例中那样，可在衬底1801与第一导电类型的半导体层1804之间的界 面处形成粗糖结构，W使得有源层1805发射的光可沿着多个路径行进。因此，可减小由第 一导电类型的半导体层1804吸收光的光学吸收率并且可增大光散射率，从而增大光提取 效率。 阳167] 具体地说，粗糖结构可具有规则形状或不规则形状。当粗糖结构由与衬底1801的 材料不同的材料形成时，粗糖结构可为透明导体、透明绝缘体或高反射材料。透明绝缘体 可为氧化娃物（Si〇2)、氮化娃（SiNx)、氧化侣（Al2〇3)、氧化给化fo)、氧化铁灯i〇2)或氧化 错狂rO)。透明导体可为TC0,例如含添加剂的氧化锋姑0)或氧化铜，所述添加剂例如儀 (Mg)、银（Ag)、锋姑）、筑（Sc)、给（邮、错紅）、蹄（Te)、砸（Se)、粗灯a)、鹤（W)、妮（Nb)、 铜似1)、娃（Si)、儀（Ni)、钻（Co)、钢（Mo)、铭（Cr)或锡（Sn)。反射材料可为银（Ag)、侣 (A1)或者包括具有不同折射率的多层的分布式布拉格反射器值BR)，但是本发明构思不限 于此。
[0168] 虽然图8中并未示出，但是可从第一导电类型的半导体层1804去除衬底1801。可 使用利用激光的激光剥离化L0)工艺、刻蚀工艺或抛光工艺来执行对衬底1801的去除。另 夕F，在去除衬底1801之后，可在第一导电类型的半导体层1804的表面上形成粗糖结构。
[0169] 如图8所示，LED忍片1810可安装在安装衬底1820上。安装衬底1820可包括分 别在衬底主体1811的顶表面和底表面上形成的上电极层181化和下电极层1812a、W及可 穿透衬底主体1811 W连接上电极层181化和下电极层1812a的过孔1813。衬底主体1811 可由树脂、陶瓷或金属形成，并且上电极层1812b或下电极层1812a可为由例如Au、化、Ag 或A1形成的金属层。
[0170] 其上安装有L邸忍片1810的衬底不限于图8所示的安装衬底1820,并且可为在其 上形成了用于驱动L邸忍片1810的互连结构的任何衬底。例如，可提供一种封装件结构， 在该结构中L邸忍片安装在具有一对引线框架的封装件主体上。 阳171] 憐光体层1830可附着在LED忍片1810的顶表面（即，衬底1801的顶表面1801T) 上，并且将L邸忍片1810发射的光转换为白光。例如，当L邸忍片1810是被配置为发射具 有约430nm至约480nm的波长范围的蓝光的蓝色LED忍片时，憐光体层1830可W包括可参 照图2进行理解的黄色憐光体。另外，可利用与W上参照图1至图7描述的制造发光器件 封装件的工艺类似的工艺来形成憐光体层1830。 阳172] [LED忍片的其它示例]
[0173] 除上述L邸忍片W外，可将具有各种结构的L邸忍片应用于根据本实施例的发光 器件封装件。例如，可有效地采用运样的L邸忍片，在所述L邸忍片中表面等离子体极化激 元（SP巧形成在金属与电介质材料之间的界面处并且与量子阱激子相互作用W极大地提 高光提取效率。
[0174] [发光器件封装件的示例：忍片级封装（CSP)]
[01巧]具有CSP结构的L邸忍片封装件可用作上述发光器件封装件的示例。
[0176] CSP可适于大规模生产，运是因为CSP可缩减L邸忍片封装件的尺寸并简化制造 工艺。具体地，因为波长转换材料（例如，作为憐光体层）和光学结构（例如，透镜）可与 L邸忍片一体化，所W CSP可有效地用于照明系统。
[0177] 作为CSP的示例，图9示出了运样的封装件结构，其中电极沿着与其主要光提取表 面相反的方向形成在LED 1910的底表面上，并且憐光体层1907和透镜1920形成为一体化 类型。
[0178] 图9所示的CSP 1900可包括可设置在衬底1911上或衬底1911中的发光堆叠结 构S、第一端子化和第二端子化、憐光体层1907 W及透镜1920。
[0179] 发光堆叠结构S可为包括有第一导电类型的半导体层1904、第二导电类型的半导 体层1906和介于它们之间的有源层1905的堆叠结构。在本实施例中，第一导电类型的半 导体层1904和第二导电类型的半导体层1906可分别为p型半导体层和η型半导体层。另 夕F，第一导电类型的半导体层1904和第二导电类型的半导体层1906可由氮化物半导体形 成，所述氮化物半导体例如AlxIriyGa。X y)N(0《X《1、0《y《1、0《x+y《1)。然而，除 氮化物半导体W外，第一导电类型的半导体层1904和第二导电类型的半导体层1906可由 基于神化嫁（GaAs)的半导体或基于憐化嫁（GaP)的半导体形成。 阳180] 在第一导电类型的半导体层1904与第二导电类型的半导体层1906之间形成的有 源层1905可由于电子和空穴之间的复合而发射具有预定能量的光。有源层1905可具有量 子阱层和量子势垒层交替地堆叠的多量子阱（MQW)结构。例如，InGaN/GaN结构或AlGaN/ GaN结构可用作MQW结构。 阳181] 可利用诸如金属有机CVD(MOCVD)工艺、分子束外延（MB巧工艺或氨化物气相外延 化VP巧工艺的已知的半导体生长工艺来形成第一导电类型的半导体层1904和第二导电类 型的半导体层1906 W及有源层1905。 阳182] 图9所示的LED 1910可具有从其去除生长衬底的表面，并且粗糖部分P可形成在 所述去除了生长衬底的表面上。另外，用作光转换层的憐光体层1907可在在其上形成有粗 糖部分P的LED 1910的表面上形成。 阳183] LED 1910可包括分别与第一导电类型的半导体层1904和第二导电类型的半导体 层1906连接的第一电极1909a和第二电极1909b。第一电极1909a可包括穿过第二导电类 型的半导体层1906和有源层1905而形成并且连接至第二导电类型的半导体层1904的导 电过孔1908。可在导电过孔1908与有源层1905和第二导电类型的半导体层1906之间形 成绝缘层1903, W防止发生短路。
[0184] 虽然本实施例示出了仅形成一个导电过孔1908的示例，但是可提供至少两个导 电过孔1908 W有利于电流分散，并且运些过孔可按照各种形状排列。
[01化]本实施例描述了安装衬底1911是可容易地施加半导体工艺的支承衬底（例如，娃 衬底）的示例，但是本发明构思不限于此。安装衬底1911和LED 1910可通过利用第一键 合层1902和第二键合层1912彼此键合。第一键合层1902和第二键合层1912可由绝缘材 料或导电材料形成。例如，绝缘材料可为诸如Si化的氧化物或SiN，或者为诸如娃树脂或环 氧树脂的基于树脂的材料。导电材料可为Ag、A1、Ti、W、Cu、Sn、Ni、Pt、化、NiSn、TiW、AuSn 或它们的共晶金属。键合工艺可包括：分别将第一键合层1902和第二键合层1912施加至 LED 1910和衬底1911的键合表面，并且使LED 1910和衬底1911彼此键合。 阳186] 可在安装衬底1911中从安装衬底1911的底表面形成过孔，并将所述过孔连接至 键合的LED 1910的第一电极1909a和第二电极1909b。绝缘材料1913可形成在过孔的侧 表面和安装衬底1911的底表面上。当安装衬底1911是 娃衬底时，绝缘材料1913可包括利 用热氧化工艺形成的氧化娃层。可通过用导电材料填充过孔来形成第一端子化和第二端 子化，并且可将第一端子化和第二端子化连接至第一电极1909a和第二电极1909b。第 一端子化和第二端子化可分别包括种层1918a和种层1918b W及通过利用种层1918a和 1918b执行电锻工艺而形成的电锻填充单元1919a和电锻填充单元1919b。 阳187] 图10是示出根据本发明构思的示例性实施例的发光器件封装件所发射的光的普 朗克光谱的示图。图11是量子点（QD)结构的示例的示图，所述量子点结构可应用于根据 本发明构思的示例性实施例的发光器件封装件。
[0188] 参照图10,发光器件封装件的发光器件可根据构成发光器件的化合物半导体的种 类来发射蓝光、绿光或红光。可替代地，L邸忍片可发射UV光。在一些其它实施例中，发光 器件可包括UV L邸忍片、激光二极管忍片或有机L邸忍片。然而，根据本发明构思的发光 器件不限于上述示例，并且可包括各种光学装置。
[0189] 可将发光器件的显色指数（CRI)控制在40(例如，钢灯）至100(例如，日光）的 范围内，并且使其发射色溫范围为2000K至20000K的各种类型的白光。在必要时，可通过 产生可见光（例如，紫光、蓝光、绿光、红光和澄光）或红外（IR)光来根据环境气氛或屯、情 调整照明光的颜色。另外，发光器件可产生具有特定波长的光W刺激植物生长。
[0190] 将蓝色L邸与黄色憐光体、绿色憐光体、红色憐光体和/或与绿色发光器件和红 色发光器件进行组合而产生的白光可具有至少两个峰值波长。白光在CIE 1931坐标系中 的坐标（X，y)可位于对（0. 4476,0. 4074)、（0. 3484,0. 3516)、（0. 3101,0. 3162)、（0. 3128， 0.3292)和化3333,0. 3333)进行连接的线段上，或者位于由该线段与黑体福射体光谱包 围的区域中。白光的色溫可在2000K与20000K之间。 阳191] 例如，根据本发明构思的示例性实施例的憐光体可具有W下配方和颜色。 阳192] 基于氧化物的憐光体：黄色和绿色灯、Lu、Se、La、Gd、Sm)3(Ga、Al)5〇i2:Ce W及蓝 色6曰1邑411。〇17:611、35。任〇4)2.〇曰〔1:化； 阳193] 基于娃酸盐的憐光体：黄色和绿色度a, Sr)2Si〇4:Eu、黄色和澄色度a, Sr)3Si〇5:Eu W及对应于红色Ca2Si〇4:Eu的Cai.2化。.sSi〇4;
[0194] 基于氮化物的憐光体：绿色β-SiA10N:Eu，黄色化日、Gd、Lu、Υ、 Sc)3SieNu:Ce，澄色 a-SiA10N:Eu，红色（Sr, Ca) AlSi^iEu、（Sr, Ca) AlSiO^iEu、 (S;r,Ca)2Si5Ns:Eu、（S;r,Ca)2Si5(0N)s:Eu、（S;r,Ba)SiAl4N7:Eu、S;rLiAl3N4:Eu、Lri4x巧UzMiz) xSii2yAl/V"yNisxy〇). 5《X《3、0 < z < 0. 3、0 < y《4)，其中 Ln 可为从包含 Ilia 族元 素和稀±元素的组合中选择的至少一种元素，并且Μ可为从包含巧（Ca)、领度a)、锁（Sr) 和儀（Mg)的组合中选择的至少一种元素； 阳1巧]基于硫化物的憐光体：红色（Sr,化)S:Eu、（Y, Gd)2〇2S:Eu，绿色SrGa2S4:Eu ;
[0196] 基于氣化物的憐光体：基于KSF的红色KzSiFe: Mn4\ KzTiFe: Mn4\ NaYF4: Mn4\ NaGdF4:MrA 阳197] 憐光体的组成应该符合化学计算法，并且各个元素可由周期表中本族的其它元素 代替。例如，Sr可由诸如BaXa或Mg的II族元素（碱±金属）代替，并且Y可由诸如化、 Lu、Sc或Gd的基于铜的元素代替。另外，根据期望的能级，充当活化剂的館巧U)可由姉 (Ce)、铺帅）、错（Pr)、巧巧r)或镜州）代替。活化剂可单独使用，或者还可施加共活化 剂等W改变特性。
[0198] 此外，诸如量子点（QD)的材料可作为能够代替憐光体的材料使用，并且憐光体和 QD可单独使用或彼此组合用于LED。
[0199] QD可具有包括诸如CdSe或InP的核（约3皿至约lOnm)、诸如ZnS或化Se的壳 (约0. 5nm至约2nm) W及用于稳定所述核和壳的配体的结构，并且可根据尺寸实现各种颜 色。 阳200] 图12是示出关于根据本发明构思的示例性实施例的使用了蓝色发光器件的白色 发光器件封装件所处的应用领域的憐光体类型的表格。 阳201] 涂覆憐光体或QD的方法可包括W下处理中的至少一个：将憐光体或QD喷洒到 L邸忍片或发光器件上；用薄膜覆盖L邸忍片或发光器件；或者将薄膜或陶瓷憐光体片附着 至L邸忍片或发光器件。 阳202] 喷洒处理通常可包括分散处理和喷洒涂覆处理，并且分散处理可包括气动处理W 及诸如螺旋紧固处理或线型紧固处理的机械处理。在喷洒处理中，可通过喷射非常少量的 憐光体或QD来调整点的量，并且可通过调整点的量来控制色坐标。在利用喷洒处理将憐光 体统一地涂覆在晶圆级或发光器件衬底上的处理中，可提高生产率，并且可容易地控制所 涂覆的层的厚度。 阳203] 用薄膜覆盖L邸忍片或发光器件的处理可包括根据忍片的侧表面是否需要涂覆 薄膜而选择性地采用的电泳处理、丝网印刷处理或憐光体模制处理。 阳204] 可将具有不同发光波长的至少两个憐光体层分离W控制较长波长的发光憐光体 的效率，所述较长波长的发光憐光体被配置为从具有不同发光波长的至少两个憐光体中对 短波长范围内发射的光进行再吸收。另外，可在各憐光体层之间提供DBR(或全向反射器 (0DR))层，W使光的再吸收W及L邸忍片与至少两个憐光体层之间的干设最小化。 阳205] 为了形成均匀涂覆的层，憐光体可形成为薄膜或陶瓷类型，然后附着在忍片或发 光器件上。 阳206] 可按照远程方式设置光转换材料，W改变光学效率或光分布特性。在运种情况下， 光转换材料可根据其耐久性或耐热性与透明聚合物或玻璃一起设置。 阳207] 由于涂覆憐光体的技术极大地影响L邸装置的光学特性，因此已经对各种控制憐 光体涂层或均匀地分散憐光体的技术进行研究。可按照与憐光体的设置方式相同的方式将 QD设置在L邸忍片或发光器件上。另外，QD可形成在L邸忍片（或发光器件）中且介于玻 璃与透明聚合物材料之间，并且执行光转换操作。 阳20引透射材料可作为填充物设置在L邸忍片或发光器件上，W从外部保护L邸忍片或 发光器件或者提高光提取效率。
[0209] 透射材料可为透明有机材料（例如环氧树脂、娃树脂、环氧树脂和娃树脂的混合 物），并且可通过热或福射光来固化，或者通过允许透射材料放置超过预定时间段来固化。
[0210] 聚二甲硅氧烷（PDM巧可归类为基于甲基的娃树脂，而聚甲基苯基硅氧烷可归类 为基于苯基的娃树脂。基于甲基的娃树脂与基于苯基的娃树脂可在折射率、透湿性、透光 率、耐光稳定性和耐热稳定性的方面有所不同。另外，娃树脂可根据交联剂和催化剂W不同 速率固化，并且影响憐光体的分散。 阳211] 光提取效率可取决于填充物的折射率。具有不同折射率的至少两种娃树脂可顺序 堆叠 W使设置在发射蓝光的忍片的最外侧部分的介质的折射率与光从其发射至空气中的 介质的折射率之间的差异最小化。
[0212] 通常，基于甲基的娃树脂可具有最高的耐热稳定性，而基于苯基的娃树脂、混合物 和环氧树脂可随着溫度按照有序方式的升高而W低速率变化。娃树脂可根据硬度分为凝胶 类型、弹性体类型和树脂类型。
[0213] 发光器件还可包括对光源所福射的光进行放射状导向的透镜。在运种情况下，预 先成型的透镜可附着在L邸忍片或发光器件上。可替代地，可W将可流动的有机溶剂注射 到安装有L邸忍片或发光器件的模具中，并且使其固化W形成透镜。
[0214] 通过将发光器件的外部粘附于透镜的外部，可将透镜直接附着至形成在忍片上的 填充物，或者与填充物分隔开。当将可流动的有机溶剂注射到模具中时，可使用注射模制处 理、转移模制处理或压缩模制处理。
[0215] 光分布特性可受透镜形状（例如，凹形形状、凸形形状、粗糖形状、圆锥形状或几 何结构）影响。可对透镜的形状进行修改W符合效率和光分布特性的需求。
[0216] 发光器件可由例如半导体形成。例如，发光器件可由氮化物半导体形成，所述氮化 物半导体可由下式表示：AlxGaylrizN (0《x《 l、0《y《 l、0《z《1、x+y+z = 1)。可通 过利用诸如MOCVD工艺的气相生长工艺在衬底上W外延方式生长出诸如InN、AIN、InGaN、 AlGaN或InGaAlN的氮化物半导体，来形成发光器件。除氮化物半导体之外，发光器件可由 诸如化0、aiS、aiSe、SiC、GaP、GaAlAs或AlInGaP的半导体形成。半导体可包括通过顺序 堆叠 η型半导体层、发射层和P型半导体层而形成的堆叠结构。发射层（或有源层）可包 括具有MQW结构或单量子阱（SQW)结构的堆叠的半导体，或者具有双异质结构的堆叠的半 导体。虽然发光器件可为被配置为发射蓝光的装置，但是本发明构思不限于此。可选择发 光器件W使其发射具有任意波长的光。
[0217] 图13Α是包括有发光器件阵列单元的背光度L)组件的示例的分解透视图，在所述 发光器件阵列单元中布置了使用根据本发明构思的示例性实施例的制造发光器件封装件 的方法而制造的发光器件封装件，并且图13Β是可包括在图13Α的化组件中的发光模块的 示例的截面图。
[0218] 如图13Α所示，直接发光型化组件3000可包括下盖3005、反射片3007、发光模块 3010、光学片3020、液晶化C)面板3030和上盖3040。根据示例性实施例的发光器件阵列 单元可W作为包括在直接发光型化组件3000中的发光模块3010使用。
[0219] 根据示例性实施例，发光模块3010可包括具有电路衬底和至少一个发光器件封 装件的发光器件阵列3012 W及行列存储单元3013。发光器件阵列3012可包括参照图1至 图12描述的发光器件封装件之一。发光器件阵列3012可从设置在直接式化组件3000之 外的发光器件驱动器接收用于发光的功率，并且发光器件驱动器可对供应至发光器件阵列 3012的电流进行控制。 阳220] 在一个实施例中，如图13Β所示，发光模块可包括：第一平面部分1002a，其对应于 电路衬底1002的主要区域；倾斜部分1002b，其设置为邻近第一平面部分1002a并且至少 一部分弯曲；W及第二平面部分1002c，其设置在倾斜部分100化之外的电路衬底1002的 拐角。多个光源可布置在第一平面部分1002a上且彼此间隔开第一距离d2,并且至少一个 光源1001可布置在倾斜部分100化上且彼此间隔开第二距离dl。第一距离d2可等于第二 距离dl。倾斜部分100化的宽度（或者在截面图中获得的倾斜部分1002b的长度）可小于 第一平面部分1002a的宽度且大于第二平面部分1002c的宽度。另外，在必要时，至少一个 光源可布置在第二平面部分1002c上。 阳221] 可将倾斜部分100化与第一平面部分1002a形成的角度合适地控制为在0°至 90°之间的范围内。电路衬底1002可具有上述结构，从而使光学片3020甚至在其边缘部 分也可保持均匀的亮度。 阳222] 可W在发光模块3010上提供光学片3020,并且光学片3020包括发散片3021、会 聚片3022和保护片3023。也就是说，发散片3021、会聚片3022和保护片3023可在发光模 块3010上顺序制备。发散片3021可使发光模块3010所发射的光发散，会聚片3022可使 经发散片3021发散的光会聚并增加发光模块3010的亮度，并且保护片3023可保护会聚片 3022并保证发光模块3010的视角。 阳223] 上盖3040可封闭光学片3020的边缘，并且与下盖3005组装。
[0224] 另外，可在光学片3020与上盖3040之间提供LC面板3030。LC面板3030可包括 一对第一衬底（未示出）和第二衬底（未示出），运一对衬底可在LC层位于它们之间的情 况下彼此键合。多条栅极线可与多条数据线交叉W在第一衬底上限定像素区。可在各像素 区之间的交叉部分分别提供薄膜晶体管（TFT)，并且所述薄膜晶体管可与安装在各像素区 上的像素电极一一对应并连接至所述像素电极。第二衬底可包括分别与各像素区对应的红 色（时、绿色（G)和蓝色度）的彩色滤波器W及覆盖各个彩色滤波器的边缘、各条栅极线、各 条数据线和TFT的黑矩 阵。 阳225]图14是包括有发光器件阵列单元和发光器件模块的平板照明系统4100的示意 图，在所述发光器件阵列单元和发光器件模块中布置了使用根据本发明构思的示例性实施 例的制造发光器件封装件的方法而制造的发光器件封装件。 阳226] 参照图14,平板照明系统4100可包括光源4110、电源装置4120和壳体4130。光 源4110可包括具有根据本发明构思的示例性实施例的发光器件封装件的发光器件阵列单 _7Π 〇
[0227] 光源4110可包括发光器件阵列单元，并且具有如图14所示的整体平面形状。
[0228] 电源装置4120可被配置为将功率供应至光源4110。
[0229] 壳体4130可包括容纳有光源4110和电源装置4120的容纳空间，并且具有包括一 个敞开的侧表面的六面体形状，但是本示例性实施例不限于此。光源4110可设置为朝着壳 体4130的敞开的侧表面发射光。 阳230] 图15是灯泡型照明器的示意图，所述灯泡型照明器是包括有发光器件阵列单元 和发光器件模块的照明系统4200,在所述发光器件阵列单元和发光器件模块中布置了使用 根据本发明构思的示例性实施例的制造 L邸忍片的方法而制造的L邸忍片。 阳231] 参照图15,照明系统4200可包括插座4210、电源单元4220、福射单元4230、光源 4240和光学单元4250。根据示例性实施例，光源4240可包括具有根据本发明构思的示例 性实施例的发光器件封装件的发光器件阵列单元。 阳232] 插座4210可被配置为能够被现有技术的照明系统替代。可通过插座4210来施加 供应至照明系统4200的功率。如图15所示，可对第一电源单元4221和第二电源单元4222 进行组装来形成电源单元4220。 阳233] 福射单元4230可包括内部福射单元4231和外部福射单元4232。内部福射单元 4131可直接连接至光源4240和/或电源单元4220,从而可将热量传输至外部福射单元 4232。光学单元4250可包括内部光学单元（未示出）和外部光学单元（未示出），并且可 被配置为使光源4240发射的光均匀分散。 阳234] 光源4240可从电源单元4220接收功率，并且将光发射至光学单元4250。光源 4240可包括根据示例性实施例之一的发光器件阵列单元。光源4240可包括至少一个发光 器件封装件4241、电路衬底4242和行列信息存储单元4243,并且行列信息存储单元4243 可存储发光器件封装件4241的行列信息。 阳235] 包括在光源4240中的多个发光器件封装件4241可为相同类型，W产生具有相同 波长的光。可替代地，包括在光源4240中的多个发光器件封装件4241可为不同类型，W产 生具有不同波长的光。例如，发光器件封装件4241可包括：通过对黄色憐光体、绿色憐光 体、红色憐光体或澄色憐光体与蓝色发光器件进行组合而制造的白色发光器件，W及紫色 发光器件、蓝色发光器件、绿色发光器件、红色发光器件或红外（IR)发光器件中的至少一 个，W控制光的色溫和显色指数（CRI)。可替代地，当LED忍片发射蓝光时，包括有黄色憐光 体、绿色憐光体和红色憐光体中的至少一个的发光器件封装件可被配置为根据憐光体的混 合比发射具有各种色溫的白光。可替代地，将绿色憐光体或红色憐光体施加至蓝色L邸忍 片的发光器件封装件可被配置为发射绿光或红光。配置为发射白光的发光器件封装件可与 配置为发射绿光或红光的发光器件封装件组合，W控制白光的色溫和CRI。另外，发光器件 封装件4241可包括被配置为发射紫光、蓝光、绿光、红光或IR光的发光器件中的至少一个。 在运种情况下，照明系统4200可控制钢（化）中的CRI达到日光的水平，并且产生色溫为约 1500K至约20000K的各种白光光束。在必要时，照明系统4200可产生紫色、蓝色、绿色、红 色或澄色的可见光或者IR光，并且根据环境气氛或屯、情控制照明的颜色。另外，照明系统 4200可产生具有特定波长的光，W有利于植物的生长。
[0236] 图16和图17是家庭网络的示例的示意图，所述家庭网络应用了包括根据本发明 构思的示例性实施例的发光器件封装件的照明系统。 阳237] 如图16所示，家庭网络可包括家庭无线路由器2000、网关集线器2010、Zi浊ee模 块2020、L邸照明器2030、车库口锁2040、无线口锁2050、家庭应用2060、蜂窝电话2070、 安装在墙壁上的开关2080和云网络2090。
[0238] 家庭网络可根据邸室、客厅、Π 厅、储藏室和家用电器的操作状态W及周围环境和 状态，利用家庭无线通信狂i浊ee和Wi-Fi)自动地控制L邸照明器2030的亮度。
[0239] 例如，如图17所示，可根据在TV 3030上观看的TV节目的类型或TV 3030的屏幕 的亮度，利用网关或路由器3010自动地控制L邸照明器3020B的亮度。当在TV 3030上显 示戏剧并因此需要舒适气氛时，可控制对颜色的感应，从而可使得L邸照明器3020B的色溫 降至约2000K至约5000K或约2000K至约12000K的范围内或更低。与此相反，当在轻松气 氛下显示喜剧节目时，L邸照明器3020B的色溫可增至约4000K至7000K或约4000K至约 12000K的范围内或更高，并且可控制L邸照明器3020B为接近蓝色的白色。
[0240] 可将Zi浊ee模块2020或3020A与光学传感器一体化并形成模块。例如，Zi浊ee 模块2020或3020A可与照明系统4200的光源4240 -体化。 阳241] 可见光无线通信技术可使用具有人眼可见的可见光波长范围的光来W无线方式 传输信息。可见光无线通信技术与现有技术的有线光学通信技术和红外（IR)无线通信的 区别可W在于其使用具有可见光波长范围的光。另外，可见光无线通信技术与现有技术的 有线光学通信技术的区别可W在于其使用无线通信环境。另外，与射频（R巧无线通信不 同，可见光无线通信技术在方便性和物理安全性方面可W较为出色，运是因为其可自由使 用频率而不需要调节或许可。此外，因为用户可用肉眼看见通信链路，所W可见光无线通信 技术可为独特的。最重要的是，可见光无线通信技术可通过充当光源和通信装置运两者而 具有融合技术的特点。因此，可使用具有可见光无线通信功能的智能光源4240来实现参照 图16和图17描述的智能家庭网络系统。 阳242] 另外，L邸照明系统可用于车辆的内部光源或外部光源。L邸照明系统可用于内部 光源，诸如车辆的内部灯、阅读灯或仪表板的各种灯。另外，LED照明系统可用作外部光源， 诸如车辆的前灯、刹车灯、方向指示灯、雾灯、行驶灯等。 阳243] 利用特定波长范围的L邸可促进植物生长、稳定人的情绪或治疗疾病。另外，LED 可作为机器人或各种机械设施的光源使用。由于L邸具有低功耗和长寿命，因此通过将LED 与使用太阳能电池或风力的环保可再生的能源系统进行组合来实现照明系统。
[0244] 虽然已经参照本发明构思的示例性实施例具体示出和描述了本发明构思，但是应 该理解，在不脱离权利要求的精神和范围的情况下，可W进行各种形式和细节上的改变。
【主权项】
1. 一种制造发光器件封装件的方法，所述方法包括步骤： 制备包括第一表面和相对所述第一表面设置的第二表面的承载件； 在所述承载件的第一表面上形成磷光体层； 将第一光从测试发光器件朝着所述承载件的第二表面发射； 对穿过所述磷光体层的第二光进行分析；以及 基于所述分析确定所述磷光体层的厚度。2. 根据权利要求1所述的方法，其中，形成磷光体层的步骤包括： 用磷光体涂覆所述承载件的第一表面；以及 利用模具使所述磷光体成型。3. 根据权利要求2所述的方法，其中，模具包括刀片和辊中的至少一个。4. 根据权利要求1所述的方法，其中，第二光包括波长范围与第一光的波长范围实质 上相同的第一透射光以及波长范围与第一光的波长范围不同的第二透射光， 其中确定磷光体层的厚度的步骤包括：计算第二透射光的发光强度与第一透射光的发 光强度的比率。5. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述测试发光器件发射的第一光包括蓝光。6. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述磷光体层发射的第二光包括蓝光和黄光。7. 根据权利要求6所述的方法，其中，确定磷光体层的厚度的步骤包括： 收集关于第二光的波长的发光强度光谱；以及 计算发光强度光谱中黄光的最大发光强度与蓝光的最大发光强度的比率。8. 根据权利要求7所述的方法，其中，磷光体层的厚度由下式表示：其中d是磷光体层的厚度，Iy是发光强度光谱中黄光的最大发光强度，Ib是发光强度 光谱中蓝光的最大发光强度，并且al和bl中的每一个都是常数。9. 根据权利要求6所述的方法，其中，确定磷光体层的厚度的步骤包括： 收集关于第二光的波长的发光强度光谱；以及 计算黄光的波长范围中的光的总量与蓝光的波长范围中的光的总量的比率。10. 根据权利要求9所述的方法，其中，磷光体层的厚度由下式表示：其中d是磷光体层的厚度，Iyt是黄光的波长范围中的光的总量，Ibt是蓝光的波长范 围中的光的总量，并且a2和b2中的每一个都是常数。11. 一种制造发光器件封装件的方法，所述方法包括步骤： 用磷光体涂覆承载件的第一表面； 通过利用模具使磷光体成型来形成磷光体层； 使用测试发光器件和光电探测器实时地测量磷光体层的厚度； 确定测量到的厚度是否等于期望厚度；以及 通过根据确定结果对模具进行调整来控制磷光体层的厚度。12. 根据权利要求11所述的方法，其中，控制磷光体层的厚度的步骤包括调整相对于 承载件的第一表面的模具的高度。13. 根据权利要求11所述的方法，其中，所述测试发光器件面对与所述承载件的第一 表面相对设置的第二表面，并且所述光电探测器面对所述承载件的第一表面。14. 根据权利要求11所述的方法，其中，在形成磷光体层期间，光电探测器对磷光体层 连续发射的光进行检测。15. 根据权利要求11所述的方法，其中，在形成磷光体层期间，光电探测器仅在特定时 间段对磷光体层发射的光进行检测。16. -种制造发光器件封装件的方法，所述方法包括步骤： 用磷光体涂覆承载件的第一表面； 使刀片和承载件中的一个沿着平行于第一表面的方向相对于刀片和承载件中的另一 个移动，以在承载件上形成磷光体层； 在承载件和磷光体层的第一侧提供测试发光器件，以朝着磷光体层发射第一光，并且 光电探测器位于承载件和磷光体层的与所述第一侧相对的第二侧，以收集源于测试发光器 件并且由磷光体层进行转换的第二光； 对光电探测器收集到的第二光的光谱进行分析；以及 基于对光谱的分析来调整刀片与第一表面之间的距离。17. 根据权利要求16所述的方法，其中，第二光包括波长范围与第一光的波长范围实 质上相同的第一透射光以及波长范围与第一光的波长范围不同的第二透射光， 其中对第二光进行分析的步骤包括选自以下步骤中的一个步骤： 确定第二透射光的发光强度与第一透射光的发光强度的比率； 确定第二透射光的最大发光强度与第一透射光的最大发光强度的比率；以及 确定第二透射光的波长范围中的光的总量与第一透射光的波长范围中的光的总量的 比率。18. 根据权利要求17所述的方法，其中，调整距离的步骤包括： 如果确定的比率大于对应的预定范围的上限，则减小所述刀片与第一表面之间的距 离， 如果确定的比率小于对应的预定范围的下限，则增大所述刀片与第一表面之间的距 离，以及 如果确定的比率在对应的预定范围内，则保持所述刀片与第一表面之间的距离。19. 根据权利要求16所述的方法，还包括步骤： 将磷光体层附着至发射出与所述测试发光器件所发射的光实质上相同的光的多个发 光器件；以及 分割磷光体层以形成多个发光器件封装件。20. 根据权利要求16所述的方法，还包括步骤： 分割磷光体层以形成多个分割的磷光体层；以及 将所述多个分割的磷光体层之一附着至发射出与所述测试发光器件所发射的光实质 上相同的光的发光器件。
【专利摘要】本发明涉及一种制造发光器件封装件的方法，该方法包括：制备包括第一表面和相对第一表面设置的第二表面的承载件；在承载件的第一表面上形成磷光体层；将第一光从测试发光器件朝着承载件的第二表面发射；对穿过磷光体层的第二光进行分析；以及基于所述分析确定磷光体层的厚度。
【IPC分类】H01L33/50, H01L33/48
【公开号】CN105489735
【申请号】CN201510642515
【发明人】郑·拉斐尔, 林在亨, 郭煐宣
【申请人】三星电子株式会社
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年9月30日
【公告号】US9368694, US20160099388
【专利说明】
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请要求于2014年10月6日提交至韩国知识产权局的韩国专利申请 No. 10-2014-0134475的优先权，该申请公开的全部内容W引用方式并入本文中。
技术领域
[0003] 本发明构思设及一种发光器件封装件及其制造方法，并且更具体地，设及一种制 造具有憐光体层的发光器件封装件的方法。
【背景技术】
[0004] 白色发光二极管（白色LED)装置在诸如计算机、蜂窝电话和投影仪的多个技术领 域中吸引了许多注意。具体地，白色L邸装置正应用于越来越广泛的领域范围，例如液晶显 示器化CD)的背光单元度LU) W及照明系统。白色L邸装置可通过利用蓝色L邸忍片和憐 光体层来实现，并且近来对用于有效地形成憐光体层的技术的需求有所增长。
【发明内容】
阳0化]本发明构思提供了一种制造发光器件封装件的方法，利用该方法可有效地形成憐 光体层。
[0006] 根据本发明构思的一方面，提供了一种制造发光器件封装件的方法。该方法可包 括：制备包括第一表面和相对第一表面设置的第二表面的承载件；在承载件的第一表面上 形成憐光体层；将第一光从测试发光器件朝着承载件的第二表面发射；W及对包括在第一 光中且穿过憐光体层的第二光进行分析，并基于所述分析确定憐光体层的厚度。
[0007] 形成憐光体层的步骤可包括用憐光体涂覆承载件的第一表面W及利用模具使憐 光体成型。所述模具可包括刀片和漉中的至少一个。
[0008] 第二光可包括波长范围与第一光的波长范围实质上相同的第一透射光W及波长 范围与第一光的波长范围不同的第二透射光。确定憐光体层的厚度的步骤可包括：计算第 二透射光的发光强度与第一透射光的发光强度的比率。
[0009] 测试发光器件发射的第一光可包括蓝光。憐光体层发射的第二光可包括蓝光和黄 光。
[0010] 确定憐光体层的厚度的步骤可包括：收集关于第二光的波长的发光强度光谱；W 及计算发光强度光谱中黄光的最大发光强度与蓝光的最大发光强度的比率。
[0011] 憐光体层的厚度可由下式表示：
[0012] d = al * In + 1)1，
[0013] 其中d是憐光体层的厚度，ly是黄光的最大发光强度，Ib是蓝光的最大发光强度， 并且al和bl中的每一个都是常数。
[0014] 确定憐光体层的厚度的步骤可包括：收集关于第二光的波长的发光强度光谱；W 及计算黄光的波长范围中的光的总量与蓝光的波长范围中的光的总量的比率。憐光体层的 厚度可由下式表示：
[0015]
[0016] 其中d是憐光体层的厚度，lyt是黄光的波长范围中的光的总量，Ibt是蓝光的波 长范围中的光的总量，并且曰2和b2中的每一个都是常数。
[0017] 根据本发明构思的另一方面，提供了一种制造发光器件封装件的方法。该方法包 括W下步骤：用憐光体涂覆承载件的第一表面；利用模具使憐光体成型来形成憐光体层； 使用测试发光器件和光电探测器实时地测量憐光体层的厚度；确定测量到的憐光体层的厚 度是否等于期望厚度；W及通过根据确定结果对模具进行调整来控制憐光体层的厚度。
[0018] 控制憐光体层的厚度的步骤可包括调整相对于承载件的第一表面的模具的高度。
[0019] 测试发光器件可面对与所述承载件的第一表面相对设置的第二表面，并且所述光 电探测器可面对所述承载件的第一表面。
[0020] 在形成憐光体层期间，光电探测器可对憐光体层连续发射的光进行检测。
[0021] 在形成憐光体层期间，光电探测器可仅在特定时间段对憐光体层发射的光进行检 测。
[0022] 根据本发明构思的另一方面，提供了一种制造发光器件封装件的方法。所述方法 可包括W下步骤：用憐光体涂覆承载件；利用模具使憐光体成型来形成憐光体层，使用测 试发光器件和光电探测器实时地确定憐光体层的厚度；基于确定的憐光体层厚度实时地调 整模具，直至确定的厚度等于期望厚度为止；W及利用银切工艺将憐光体层划分为分离的 憐光体层。
[0023] 所述方法还可包括：制备发光忍片；W及利用拾取工具将分离的憐光体层附着至 发光忍片。
[0024] 在利用银切工艺划分憐光体层之前，所述方法还可包括将多个发光忍片附着在憐 光体层上的步骤。可在附着有所述多个发光忍片的憐光体层上执行利用银切工艺对憐光体 层的划分。
[00巧]测试发光器件可为蓝色发光二极管（LED)，并且憐光体可为黄色憐光体。
[00%] 测试发光器件可在形成憐光体层期间发射预定光谱的光。
[0027] 根据本发明构思的又一方面，提供了一种制造发光器件封装件的方法。所述方法 可包括W下步骤：用憐光体涂覆承载件的第一表面；使刀片和承载件中的一个沿着平行于 第一表面的方向相对于另一个移动，W在承载件上形成憐光体层；在承载件和憐光体层的 第一侧提供测试发光器件，W朝着憐光体层发射第一光，并且光电探测器位于承载件和憐 光体层的与所述第一侧相对的第二侧，W收集源于测试发光器件并由憐光体层进行转换的 第二光；对光电探测器收集到的第二光的光谱进行分析；W及基于光谱的分析来调整刀片 与第一表面之间的距离。
[0028] 第二光可包括波长范围与第一光的波长范围实质上相同的第一透射光W及波长 范围与第一光的波长范围不同的第二透射光。对第二光进行分析的步骤包括选自W下步骤 中的一个步骤：确定第二透射光的发光强度与第一透射光的发光强度的比率；确定第二透 射光的最大发光强度与第一透射光的最大发光强度的比率；W及确定第二透射光的波长范 围中的光的总量与第一透射光的波长范围中的光的总量的比率。
[0029] 调整距离的步骤可包括：如果所确定的比率大于对应的预定范围的上限，则减小 刀片与第一表面之间的距离，如果所确定的比率小于对应的预定范围的下限，则增大刀片 与第一表面之间的距离，W及如果所确定的比率在对应的预定范围内，则保持刀片与第一 表面之间的距离。
[0030] 所述方法还可包括W下步骤：将憐光体层附着至发射出与所述测试发光器件所发 射的光实质上相同的光的多个发光器件；W及分割憐光体层W形成多个发光器件封装件。
[0031] 所述方法还可包括W下步骤：分割憐光体层W形成多个分割的憐光体层；W及将 所述多个分割的憐光体层之一附着至发射出与测试发光器件所发射的光实质上相同的光 的发光器件。
【附图说明】
[0032] 通过W下结合附图进行的详细描述，将更加清楚地理解本发明构思的示例性实施 例，其中：
[0033] 图1是在根据本发明构思的示例性实施例的制造发光器件封装件的方法中将发 光器件安装在衬底上的处理的截面图；
[0034] 图2是在根据本发明构思的示例性实施例的制造发光器件封装件的方法中形成 憐光体层的处理的截面图；
[0035] 图3是图2的区域K的局部放大图，其示出了测量憐光体层的厚度的方法；
[0036] 图4是示出关于憐光体层发射的第二光的波长的发光强度光谱的曲线图，其示出 了测量憐光体层的厚度的方法；
[0037] 图5A至图5C是在根据本发明构思的示例性实施例的制造发光器件封装件的方法 中形成憐光体层并将憐光体层附着至发光器件的处理的示图；
[0038] 图6是在根据本发明构思的另一示例性实施例的制造发光器件封装件的方法中 形成憐光体层的处理的截面图；
[0039] 图7是在根据本发明构思的另一示例性实施例的制造发光器件封装件的方法中 形成憐光体层的处理的截面图； W40] 图8和图9是根据本发明构思的示例性实施例的发光器件封装件的截面图；
[0041] 图10是示出根据本发明构思的示例性实施例的发光器件封装件所发射的光的普 朗克光谱的示图；
[0042] 图11是可应用于根据本发明构思的示例性实施例的发光器件封装件的量子点 (QD)结构的示例的示图；
[0043] 图12是示出在根据本发明构思的示例性实施例的利用了蓝色发光器件的白色发 光器件封装件的应用领域中所使用的憐光体的类型的表；
[0044] 图13A是包括有发光器件阵列单元的背光组件的示例的分解透视图，在所述发光 器件阵列单元中布置了使用根据本发明构思的示例性实施例的制造发光器件封装件的方 法而制造的发光器件封装件；
[0045] 图13B是可包括在图13A的背光组件中的发光模块的示例的截面图；
[0046] 图14是包括有发光器件阵列单元和发光器件模块的平板照明系统的示意图，在 所述发光器件模块中布置了使用根据本发明构思的示例性实施例的制造发光器件封装件 的方法而制造的发光器件封装件；
[0047] 图15是灯泡型照明器的示意图，该灯泡型照明器是包括有发光器件阵列单元和 发光器件模块的照明系统，在所述发光器件模块中布置了使用根据本发明构思的示例性实 施例的制造 LED忍片的方法而制造的LED忍片；W及 W4引图16和图17是家庭网络的示例的示意图，所述家庭网络应用了包括根据本发明 构思的示例性实施例的发光器件封装件的照明系统。
【具体实施方式】
[0049] 下面将参照示出了本发明构思的实施例的附图更加全面地描述本发明构思。然 而，本发明构思可按照许多不同形式实现，并且不应理解为限于本文阐述的实施例。相反， 提供运些实施例W使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本 发明构思的范围。在附图中，为了清楚起见，可放大层和区的尺寸。相同的附图标记用于表 示相同的元件，并且将省略对其的重复描述。
[0050] 应该理解，虽然本文中可使用术语"第一"、"第二"等来描述多个不同的元件、组 件、区域、层和/或部分，但是运些元件、组件、区域、层和/或部分不应被运些术语限制。因 此，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可被称作第二元件、第二 组件、第二区域、第二层或第二部分，而不脱离本发明构思的指教。
[0051] 除非另外限定，否则本文中使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）具有与 本发明构思所属领域的普通技术人员之一通常理解的含义相同的含义。应该理解，诸如在 常用词典中定义的那些术语应该被解释为具有与它们在相关技术和本说明书的上下文中 的含义一致的含义，而不应该理按照想化地或过于正式的含义进行解释，除非本文中明确 运样定义。
[0052] 当可按不同方式实施一些实施例时，本文中描述的各个工艺步骤可按不同方式执 行，例如，按照连续次序描述的两个工艺步骤可W实质上同时执行或按照相反次序执行。
[0053] 作为例如制造技术和/或公差的结果，可W预见附图中的形状的变化。因此，本发 明构思的实施例不应被理解为限于本文示出的区域的具体形状，而是包括例如由制造工艺 导致的形状的偏差。
[0054] 如本文所使用的那样，术语"和/或"包括相关所列项目中的一个或多个的任何和 所有组合。当诸如"……中的至少一个"的措辞出现在元件列表之后时，更改整个元件列表 而不是更改所述列表中的各个元件。
[0055] 图1是在根据本发明构思的示例性实施例的制造发光器件封装件的方法中将发 光器件110安装在衬底101上的处理的截面图。
[0056] 参照图1，可制备用于安装发光器件110的衬底101，并且可W在衬底101上安装 发光器件110。
[0057] 衬底101可为具有用于驱动发光器件110的互连结构的任意衬底，所述衬底在结 构或类型方面不受限制。
[0058] 在一些示例性实施例中，衬底101可预先被划分为多个部分，并且可将至少一个 发光器件110安装在衬底101的所述多个部分中的每一个上。
[0059] 在一些其它实施例中，可将多个发光器件110安装在衬底101上，然后可将衬底 101划分为与各个发光器件110安装在衬底101上的位置对应的多个部分。
[0060] 在一些其它实施例中，多个发光器件110可安装在一个衬底101上。
[0061] 本实施例示出了运样一个示例，其中可将衬底101预先划分为多个部分，并且可 在衬底101的所述多个部分中的每一个上安装一个发光器件110。
[0062] 在一些示例性实施例中，发光器件110可为发光二极管（LED)忍片，其可通过LED 忍片的底表面110B电连接至衬底101，并且将光发射至LED忍片的顶表面110T和侧表面 110S中的至少一个。
[0063] 可使用诸如侣铜嫁氮化物（AlInGaN)的氮化物半导体制造发光器件110。例如，发 光器件110可包括被配置为产生光的有源层（未示出）、形成在有源层的下方或上方且被配 置为将电子供应至有源层的η型氮化物层（未示出）、W及与η型氮化物层相对地堆叠在有 源层的上方或下方且被配置为将空穴供应至有源层的Ρ型氮化物层（未示出）。虽然未示 出，但是用于产生与衬底101的电连接的电极（未示出）可形成在发光器件110的底表面 110Β上。稍后将参照图8和图9详细描述发光器件110的示例性结构。
[0064] 例如，发光器件110可为L邸忍片，其被配置为发射具有约100皿至约430皿的 波长范围的紫外0JV)光、具有约430皿至约480皿的波长范围的蓝光、具有约500皿至约 560nm的波长范围的绿光或者具有约610nm至约670nm的波长范围的红光。 阳0化]图2是在根据本发明构思的示例性实施例的制造发光器件封装件的方法中形成 憐光体层120y的处理的截面图。
[0066] 参照图2,在承载件130沿着第一方向（X轴方向）从第一轴A1向第二轴A2传送 的同时，憐光体层120y可形成在承载件130的一个表面130T上。
[0067] 承载件130可具有任意结构或为任意类型，只要测试发光器件162发射的光可穿 过承载件130而不失真即可。例如，承载件130可为超薄透明塑料膜或薄玻璃。承载件130 可具有柔性和穿透性。测试发光器件162可W发射出与将要使用憐光体层120y进行封装 的发光器件110所发射的光实质上相同的光。
[0068] 在一些实施例中，可W在就绪状态下将承载件130缠绕在第一轴A1周围，然后在 完成形成憐光体120y的处理之后将承载件130与憐光体层120y -起缠绕在第二轴A2周 围。 W例憐光体供应单元150可被配置为在承载件130从第一轴A1移动至第二轴A2期间 用憐光体120X在承载件130的一个表面130T上形成一层。虽然本实施例示出了在憐光体 120X与承载件130之间未设置任何其它层的示例，但是本发明构思不限于此。例如，还可在 憐光体120X与承载件130之间形成娃树脂层或粘合剂层。
[0070] 憐光体120X可将发光器件（参照图1中的110)要发射的光转换为白光。为了实 现运一目标，憐光体120X的组成可根据发光器件110要发射的光的颜色（即，波长）而变 化。
[0071] 在一些实施例中，发光器件110可为蓝色L邸忍片，其被配置为发射具有约430nm 至约480nm的波长范围的蓝光，并且憐光体120x可为黄色憐光体。例如，黄色憐光体可包 括含有稀±元素的基于YAG的材料（例如，渗有姉（Ce)的（YGd)sAl5〇3))或含有稀±元素 的基于娃酸盐的材料（例如，渗有館巧U)的锁娃氧化物（SrsSiOg))。
[0072] 在一些其它实施例中，发光器件110可为绿色L邸忍片，其被配置为发射具有约 500nm至约560nm的波长范围的绿光，并且憐光体120x可为红色憐光体。例如，红色憐光体 可包括含有稀上元素的基于氮化物的材料（例如，渗有化的SrBaCaAlSiNs)、含有稀±元素 的基于氧化物的材料（例如，渗有化的氧化锭灯2〇3))、或者含有稀±元素的基于硫化物的 材料（例如，渗有化的硫化巧（CaS))。 阳073] 可通过利用模具140使憐光体120x成型来形成憐光体层120y。 阳074] 在一些实施例中，模具140可包括第一刀片142_1和第二刀片142_2。本实施例示 出了模具140包括两个刀片142_1和142_2的示例，但是模具140可包括一个刀片或Ξ个 W上的刀片。 阳0巧]第一刀片142_1和第二刀片142_2可使在承载件130的表面130T上形成的憐光 体120X成型，并且形成具有均匀厚度的憐光体层120y (参见图3中的"d")。
[0076] 可W对在第二方向灯轴方向）上获得的第一刀片142_1和第二刀片142_2中的 至少一个的高度进行调整。第一刀片142_1和第二刀片142_2的高度可表示从第一刀片 142_1和第二刀片142_2至所述一个表面130T的距离。可通过调整第一刀片142_1和第二 刀片142_2的高度来调整憐光体层120y的厚度"d"。
[0077] 在一些实施例中，在使用测试发光器件162和光电探测器164测量通过第一刀片 142_1形成的憐光体层120y的厚度之后，可通过调整在第二方向灯轴方向）上获得的第二 刀片142_2的高度来控制憐光体层120y的厚度。
[0078] 在一些实施例中，第一刀片142_1和第二刀片142_2中的至少一个可具有各种形 状并且形成图案化的憐光体层120y。
[0079] 在形成憐光体层120y期间，可使用测试发光器件162和光电探测器164来测量憐 光体层120y的厚度。
[0080] 此外，为了将憐光体层120y形成为期望厚度，可根据使用测试发光器件162和光 电探测器164测量到的憐光体层120y的厚度来调整在第二方向灯轴方向）上获得的第一 刀片142_1和第二刀片142_2中的至少一个的高度。稍后将参照图3和图4描述使用测试 发光器件162和光电探测器164测量憐光体层120y的厚度的方法。
[0081] 在一些实施例中，在涂覆憐光体120X之前，还可执行用于从承载件130去除细微 灰尘的流动处理W及用于在承载件130的表面130T上均匀地提供附加材料（例如粘合剂、 粘结剂或防粘剂）的喷洒处理。
[0082] 在一些其它实施例中，在利用第一刀片142_1和第二刀片142_2使憐光体层120y 成型之后，或者在测量憐光体层120y的厚度之后，还可执行冷却处理、加热处理和干燥处 理中的至少一个。
[0083] 图3是图2的区域K的放大图，其示出了测量憐光体层120y的厚度的方法。
[0084] 在图3中，相同的附图标记用于表示与图1和图2中的元件相同的元件，并且为了 简明起见，将省略对其的重复描述。
[0085] 参照图3,可使用测试发光器件162和光电探测器164来测量憐光体层120y的厚 度。
[0086] 测试发光器件162可朝着承载件130的反面130B发射第一光Ls。第一光Ls可穿 过承载件130和憐光体层120y，并且憐光体层120y可发射第二光Lr。
[0087] 光电探测器164可对第二光Lr进行分析并基于所述分析确定憐光体层120y的厚 度。在一些实施例中，光电探测器164可W收集关于第二光Lr的波长的发光强度光谱（参 照图4)。
[0088] 在一些实施例中，在形成憐光体层120y期间，测试发光器件162可连续地发射具 有均匀发光强度的第一光Ls。在一些其它实施例中，测试发光器件162可从形成憐光体层 120y的时间量中抽取特定时段，并且仅在抽取出的特定时段发射第一光Ls。
[0089] 类似地，在形成憐光体层120y期间，光电探测器164可连续地对第二光Lr进行分 析。可替代地，光电探测器164可从形成憐光体层120y的时间量中仅抽取特定时段，并且 仅在抽取出的特定时段对第二光Lr进行分析。
[0090] 根据测试发光器件162的类型，第一光Ls可具有不同波长。与参照图1描述的发 光器件110类似，测试发光器件162可为L邸忍片，其被配置为发射具有约lOOnm至约430nm 的波长范围的UV光、具有约430皿至约480皿的波长范围的蓝光、具有约500皿至约560皿 的波长范围的绿光、或具有约610皿至约670皿的波长范围的红光。
[0091] 本实施例将对测试发光器件162为蓝色L邸忍片的示例进行描述，也就是说，测试 发光器件162发射具有约430皿至约480皿的波长范围的第一光Ls。当测试发光器件162 是蓝色L邸忍片时，由于可利用黄色憐光体（未示出）来输出白光，因此本实施例将对憐光 体层120y包含黄色憐光体的示例进行描述。
[0092] 测试发光器件162发射的第一光Ls可W入射至承载件130的反面130B、穿过承 载件130和憐光体层120y、并且转换为第二光Lr并从憐光体层120y的一个表面120升输 出。
[0093] 第二光Lr可包括波长范围与第一光Ls的波长范围相似的第一透射光（未示出） W及波长范围与第一光Ls的波长范围不同的第二透射光（未示出）。
[0094] 例如，第二光Lr可包括：黄光Ly，其充当第二透射光，并且由第一光Ls通过黄色 憐光体转换而成W具有约520nm至约700nm的波长范围；W及蓝光化，其充当第一透射光， 并且与第一光Ls的未转换为黄光Ly的那部分对应。蓝光化可具有与第一光Ls的波长相 似的波长。
[0095] 蓝光化的发光强度Ib和憐光体层120y的厚度"d"可具有W下等式1所示的关 系：
[0096] 扣=l〇*A*e a*d (i)，
[0097] 其中Ιο表示已穿过承载件130的第一光Lo的发光强度，也就是说，在憐光体层 120y的反面120yB上测量到的第一光Lo的发光强度，A表示损失系数，并且"a"表示憐光 体层120y的光学吸收率。
[0098] 黄光Ly的发光强度ly和憐光体层120y的厚度"d"可具有W下等式2所示的关 系：
[0099] ly = l〇*f(e)*f(d)似，
[0100] 其中?·(β)是取决于憐光体的物理特性（即，材料、密度和混合比）的函数，并且 f(d)是表示福射光的量相对于憐光体层120y的厚度"d"的变化的函数。 阳101] 从等式1和等式2中，憐光体层120y的厚度"d"可具有如W下等式3所示的与黄 光Ly的发光强度ly和蓝光化的发光强度Ib的关系： 阳 102]
阳103] 其中，由于A表示损失系数，"a"是表示憐光体层120y的光学吸收率的常数，并且 f(e )是取决于憐光体的物理特性的函数，因此在与憐光体层120y的厚度"d"的关系中，损 失系数A、常数"a"和函数f(e)可看作是常数。 阳104] 此外，虽然f(d)是表示福射光的量相对于憐光体层120y的厚度d的变化的函数， 但是可将制造发光器件封装件期间所需的憐光体层120y的厚度"d"的范围内福射光的量 的变化作为常数对待。因此，憐光体层120y的厚度"d"可具有如W下等式4所示的与黄光 Ly的发光强度ly和蓝光化的发光强度Ib的关系： 阳1化]
[0106] 利用等式4,可W从在光电探测器164测量到的发光强度光谱（参照图4)中的黄 光Ly的发光强度ly和蓝光化的发光强度Ib获得憐光体层120y的厚度"d"。因此，即使 憐光体层120y的成型和固化尚未完成，也可容易地测量憐光体层120y的厚度"d"。另外， 由于可基于测量到的憐光体层120y的厚度"d"实时地调整憐光体层120y的成型处理，因 此可减小制造发光器件封装件的憐光体层（参照图3中的120y)所需的处理时间和成本。 阳107] 图4是示出了关于憐光体层120y所发射的第二光Lr的波长的发光强度光谱的曲 线图，该图示出了测量憐光体层120y的厚度的方法。在图4中，相同的附图标记用于表示 与图1至图3中的元件相同的元件，并且为了简明起见，省略对其的重复描述。
[0108] 图4示出了关于第二光Lr的波长λ的发光强度光谱。在发光强度光谱中，发光 强度I可被表示为用于对各种波长的第二光Lr的输出强度进行比较的任意单位，并且不限 于特定的单位，只要能够对各种波长的第二光Lr的输出强度进行比较即可。例如，发光强 度I可指福照度（W/m 2)。
[0109] 如同上文参照图3描述的那样，根据本实施例，可由能够从发光强度光谱获得的 黄光Ly的发光强度ly和蓝光化的发光强度Ib，来获得憐光体层120y的厚度"d"。当黄 光Ly的发光强度ly与蓝光化的发光强度Ib的比率大于第一预定范围的上限时，可减小 第一刀片142_1和第二刀片142_2与所述一个表面130T之间的距离。当黄光Ly的发光强 度ly与蓝光化的发光强度Ib的比率小于第一预定范围的下限时，可增大第一刀片142_1 和第二刀片142_2与所述一个表面130T之间的距离。当黄光Ly的发光强度ly与蓝光化 的发光强度Ib的比率在第一预定范围内时，可保持第一刀片142_1和第二刀片142_2与所 述一个表面130T之间的距离。
[0110] 在一些实施例中，可从发光强度光谱中的黄光Ly的最大发光强度lym和蓝光化 的最大发光强度Ibm获得憐光体层120y的厚度"d"，如W下等式5所示： 阳 111]
[0112] 其中A表示损失系数，"a"表示憐光体层120y的光学吸收率，?·(β )是取决于憐光 体的物理特性的函数，并且f(d)是表示福射光的量相对于憐光体层120y的厚度"d"的变 化的函数。如同上文参照图3描述的那样，由于4、"3"、^0)和^(1)中的每一个可看作是 常数，因此可从黄光Ly的最大发光强度lym和蓝光化的最大发光强度Ibm获得憐光体层 120y的厚度"d"。当黄光Ly的最大发光强度lym与蓝光化的最大发光强度Ibm的比率大 于第二预定范围的上限时，可减小第一刀片142_1和第二刀片142_2与所述一个表面130T 之间的距离。当黄光Ly的最大发光强度lym与蓝光化的最大发光强度Ibm的比率小于第 二预定范围的下限时，可增大第一刀片142_1和第二刀片142_2与所述一个表面130T之间 的距离。当黄光Ly的最大发光强度lym与蓝光化的最大发光强度Ibm的比率在第二预定 范围内时，可保持第一刀片142_1和第二刀片142_2与所述一个表面130T之间的距离。
[0113] 黄光Ly的最大发光强度lym可表示约520皿至约700皿的黄色波长范围中的最 大发光强度I。相似地，蓝光化的最大发光强度扣m可表示约430nm至约480nm的蓝色波 长范围中的最大发光强度I。
[0114] 在一些其它实施例中，可从黄光的波长范围中的光的总量lyt和蓝光的波长范围 中的光的总量Ibt获得憐光体层120y的厚度"d"，如W下等式6所示： 阳115]
[0116] 其中A表示损失系数，"a"表示憐光体层120y的光学吸收率，f (β )是取决于憐光 体的物理特性的函数，并且f(d)是表示福射光的总量相对于憐光体层120y的厚度"d"的 变化的函数。如同参照图3描述的那样，由于4、"3"、^0)和^(1)中的每一个可作为常数 对待，因此可从黄光的波长范围中的光的总量lyt和蓝光的波长范围中的光的总量Ibt获 得憐光体层120y的厚度"d"。
[0117] 例如，可通过对黄光的波长范围中的发射光谱Sp_y进行积分来获得黄光的波长 范围中的光的总量lyt，如W下等式7所示： 阳11引
阳119] 在等式7中，S1与S2之间的积分区间可在约520皿至约700皿的范围内。也就 是说，黄光的波长范围可表示约520皿至约700皿的波长范围。
[0120] 与黄光的波长范围中的光的总量lyt类似，可通过对蓝光的波长范围中的发射光 谱Sp_b进行积分来获得蓝光的波长范围中的光的总量Ibt，如W下等式8所示：
[0121]
, 阳12引在等式8中，S3与S4之间的积分区间可在例如约430皿至约480皿的范围内。也 就是说，蓝光的波长范围可为约430皿至约480皿的波长范围。
[0123] 如同参照等式6至等式8描述的那样，可从黄光的波长范围中的光的总量lyt和 蓝光的波长范围中的光的总量Ibt获得憐光体层120y的厚度"d"，从而可确保测量到的憐 光体层120y的厚度"d"的可靠性。当黄光Ly的波长范围中的光的总量lyt与蓝光化的波 长范围中的光的总量Ibt的比率大于第Ξ预定范围的上限时，可减小第一刀片142_1和第 二刀片142_2与所述一个表面130T之间的距离。当黄光Ly的波长范围中的光的总量lyt 与蓝光化的波长范围中的光的总量Ibt的比率小于第Ξ预定范围的下限时，可增大第一刀 片142_1和第二刀片142_2与所述一个表面130T之间的距离。当黄光Ly的波长范围中的 光的总量lyt与蓝光化的波长范围中的光的总量Ibt的比率在第Ξ预定范围内时，可保持 第一刀片142_1和第二刀片142_2与所述一个表面130T之间的距离。
[0124]图5A至图5C是在根据本发明构思的示例性实施例的制造发光器件封装件的方法 中形成憐光体层120y并将憐光体层120y附着至发光器件的处理的示图。在图5A至图5C 中，相同的附图标记用于表示与图1至图4中的元件相同的元件，并且为了简明起见，省略 对其的重复描述。
[01巧]参照图5A，可在承载件130上形成憐光体层120y。由于形成憐光体层120y的处 理与W上参照图2至图4描述的相同，因此省略对其的详细描述。 阳126] 参照图5B，可通过银切憐光体层120y来形成多个憐光体层120。形成各个憐光体 层120的处理可为使用例如刀片（未示出）的银切处理。
[0127] 参照图5C，各个憐光体层120中的每一个可附着至对应的一个发光器件110,从而 完成发光器件封装件100的制造。将各个憐光体层120中的每一个附着至对应的发光器件 110的处理可包括：使用例如拾取工具（未示出）转移各个憐光体层120中的每一个，W将 各个憐光体层120中的每一个布置在对应的发光器件110上；W及使用粘合剂（未示出） 将各个憐光体层120中的每一个附着至对应的发光器件110。
[0128] 本实施例描述了运样的示例，其中在通过银切憐光体层120y形成各憐光体层120 之后，各个憐光体层120中的每一个可附着在对应的发光器件110上，但是本发明构思不限 于此。例如，在将多个发光器件（未示出）附着在憐光体层120y上之后，可利用银切处理 形成多个憐光体层120。
[0129] 图6是在根据本发明构思的另一示例性实施例的制造发光器件封装件的方法中 形成憐光体层220y的处理的截面图。在图6中，相同的附图标记用于表示与图1至图5C 中的元件相同的元件，并且为了简明起见，省略对其的重复描述。
[0130] 参照图6,承载件230可涂覆有憐光体220X，并且可通过利用模具240使憐光体 220x成型来形成憐光体层220y。 阳131] 憐光体220X和承载件230的结构和功能可与参照图2描述的憐光体120X和承载 件130的结构和功能实质上相似。然而，在本实施例中，在形成憐光体层220y期间，模具 240 (而不是承载件230)在第一方向狂轴方向）上移动。
[0132] 在一些实施例中，模具240可包括刀片242和漉244。本实施例示出了模具240包 括一个刀片242的情况，但是本发明构思不限于此。在另一种情况下，与参照图2描述的模 具140类似，模具240可包括至少一个刀片。
[0133] 刀片242和漉244可分别设置在憐光体220X的一个表面220χΤ和承载件230的 相对于所述表面220χΤ的表面230Β上，并且在形成憐光体层220y的处理期间在第一方向 狂轴方向）上移动。
[0134] 在一些实施例中，可调整在第二方向灯轴方向）上获得的刀片242和漉244中的 至少一个的高度，并且可通过对在第二方向灯轴方向）上获得的刀片242和漉244中的至 少一个的高度进行调整，来控制成型的憐光体层220y的厚度。
[0135] 在形成憐光体层220y期间，可使用测试发光器件262和光电探测器264来测量憐 光体层220y的厚度。 阳136] 在一些实施例中，与刀片242和漉244类似，测试发光器件262和光电探测器264 可在沿着第一方向狂轴方向）移动的同时测量憐光体层220y的厚度。可W按照与如参照 图3和图4描述的测量憐光体层120y的厚度的方法相似的方式，来执行使用测试发光器件 262和光电探测器264测量憐光体层220y的厚度的方法。
[0137] 图7是在根据本发明构思的另一示例性实施例的制造发光器件封装件的方法中 形成憐光体层320y的处理的截面图。在图7中，相同的附图标记用于表示与图1至图6中 的元件相同的元件，并且为了简明起见，省略对其的重复描述。
[0138] 参照图7,承载件330可涂覆有憐光体320X，并且可通过利用模具340使憐光体 320x成型来形成憐光体层320y。
[0139] 憐光体320x、承载件330和模具340的结构和功能可与W上参照图6描述的憐光 体220X、承载件230和模具240的结构和功能实质上相似。然而，与图6所示的模具240不 同的是，根据本实施例的模具340可包括刀片342、第一漉344和第二漉346。
[0140] 同时，本实施例示出了模具340包括一个刀片342的情况，但是本发明构思不限于 此。在另一种情况下，与参照图2描述的模具140类似，模具340可包括至少一个刀片。 阳141] 虽然本实施例示出了刀片342介于第一漉344与光电探测器364之间的示例，但 是本发明构思不限于图7所示的实施例。例如，可在第一漉344和光电探测器364后方提 供刀片342。换言之，可在刀片342与第一漉344之间提供光电探测器364。 阳142] 可W在憐光体320X的一个表面320χΤ和承载件330的反面330B上分别提供第一 漉344和第二漉346。在沿着第一方向狂轴方向）移动的同时，第一漉344和第二漉346 可用于将憐光体320Χ附着在承载件330上。
[0143] 在一些实施例中，可W通过由第一漉344和第二漉346施加的压力和热将憐光体 320Χ附着至承载件330。在图7中，憐光体320Χ表示将要附着至承载件330的憐光体，而 憐光体320Χ'表示已附着至承载件330的憐光体。在图7中，将憐光体320Χ的反面320χΒ 示为与承载件330的一个表面330Τ分隔开，W在概念上将憐光体320χ与憐光体320χ'区 分开，但是本发明构思不限于此。例如，憐光体320Χ的反面320χΒ可与承载件330的表面 330Τ直接物理接触。
[0144] 形成憐光体层320y的步骤可包括：利用第一漉344和第二漉346将憐光体320Χ' 附着至承载件330，W及利用刀片342使憐光体320X成型。刀片342可与W上参照图6描 述的刀片242具有相似的结构并且发挥相似的功能。
[0145] 在形成憐光体层320y期间，可使用测试发光器件362和光电探测器364测量憐光 体层320y的厚度。
[0146] 可W按照与W上参照图3和图4描述的测量憐光体层120y的厚度的方法相似的 方式，来执行测量憐光体层320y的厚度的方法。 阳147]图8和图9是根据本发明构思的示例性实施例的发光器件封装件的截面图。
[0148] 参照图8,发光器件封装件1800可W包括可充当光源并安装在安装衬底1820上的 LED忍片1810, W及附着至LED忍片1810的憐光体层1830。
[0149] 图8所示的发光器件封装件1800可包括安装衬底1820 W及安装在安装衬底1820 上的LED忍片1810。 阳150] LED忍片1810可包括设置在衬底1801的一个表面上的发光堆叠结构S，W及在整 个发光堆叠结构S上与衬底1801相对设置的第一电极1808a和第二电极1808b。另外，LED 忍片1810可包括为了覆盖第一电极1808a和第二电极1808b而形成的绝缘单元1803。 阳151 ] 可通过第一电连接单元1809a和第二电连接单元1809b将第一电极180fe和第二 电极1808b连接至第一电极焊盘1819a和第二电极焊盘1819b。 阳152] 发光堆叠结构S可W包括可在衬底1801上顺序堆叠的第一导电类型的半导体层 1804、有源层1805 W及第二导电类型的半导体层1806。可提供第一电极1808a作为导电过 孔，该导电过孔可穿过第二导电类型的半导体层1806和有源层1805而形成，并连接至第一 导电类型的半导体层1804。第二电极1808b可连接至第二导电类型的半导体层1806。
[0153] 可W在一个发光器件区中形成多个导电过孔。可控制导电过孔的数量和接触面 积，W使得在平面图中，所述多个导电过孔与第一导电类型的半导体层1804进行接触的区 域的面积在发光器件区域的面积的约1 %至约5%的范围内。例如，平面图中导电过孔与第 一导电类型的半导体层1804进行接触的区域的半径可在约5 μ m至约50 μ m的范围内，并 且根据发光器件区域的面积，每个发光器件区域中的导电过孔的数量可在1至50的范围 内。虽然取决于发光器件区域的面积，但是每个发光器件区域中可提供Ξ个W上的导电过 孔。导电过孔可彼此分隔开约100 μ m至约500 μ m的距离，并且更优选地，彼此分隔开约 150 μπι至约450 μπι的距离，并且按照多行多列的矩阵型排列。当导电过孔之间的距离小 于约100 μ m时，导电过孔的数量可增加，并且发射面积可相对减小，从而降低发光效率。与 此相反，当导电过孔之间的距离大于约500 μπι时，可妨碍电流扩散W降低发光效率。虽然 取决于第二导电类型的半导体层1806和有源层1805的厚度，但是导电过孔的深度可在约 0. 5 μ m至约5. 0 μ m的范围内 。
[0154] 可通过在发光堆叠结构S上沉积导电性欧姆材料来形成第一电极1808a和第二电 极1808b。第一电极1808a和第二电极1808b可包括银（Ag)、侣（A1)、儀（Ni)、铭（化）、铜 (Cu)、金（Au)、钮（Pd)、销（Pt)、锡（Sn)、铁们）、鹤（W)、锭她）、银（Ir)、钉（Ru)、儀（Mg)、 锋狂η)或它们的合金中的至少一种。例如，形成第二电极1808b的步骤可包括将Ag欧姆 电极堆叠在第二导电类型的半导体层1806上。Ag欧姆电极可充当光发射层。可选地，由 Ni、Ti、Pt或W形成的单层可堆叠在Ag欧姆电极上，或者由它们的合金形成的多层可交替 地堆叠在Ag欧姆电极上。例如，Ni/Ti层、TiW/Pt层或Ti/W层可堆叠在Ag欧姆电极下方， 或者Ni/Ti层、TiW/Pt层和Ti/W层可交替地堆叠在Ag欧姆电极下方。
[01巧]形成第一电极1808a的步骤可包括将化层堆叠在第一导电类型的半导体层1804 上W及将Au/Pt/Ti层顺序堆叠在化层上，或者包括将A1层堆叠在第二导电类型的半导体 层1806上W及将Ti/Ni/Au层顺序堆叠在A1层上。 阳156] 与本实施例中不同的是，可将各种其它材料或堆叠结构应用于第一电极1808a和 第二电极1808b，W提高其欧姆特性或反射特性。 阳157] 绝缘单元1803可包括用于暴露第一电极1808a和第二电极1808b的至少一部分 的开口区域，并且第一电极焊盘1819a和第二电极焊盘1819b可分别连接至第一电极1808a 和第二电极1808b。可通过在500°C或更低的溫度下使用化学气相沉积（CVD)处理将Si〇2 和/或SiN层沉积为约0. 01 μ m至约3 μ m的厚度，来形成绝缘单元1803。
[0158] 第一电极1808a和第二电极1808b可在相同方向上设置，并且可作为倒装忍片类 型安装在如下所述的引线框架上。在运种情况下，第一电极1808a和第二电极1808b可在 相同方向上进行指向。
[0159] 在第一电极结构中，可由具有导电过孔的第一电极1808a形成第一电连接单元 1809a，所述导电过孔可穿过第一导电类型的半导体层1804和有源层1805而形成，并连接 至发光堆叠结构S中的第一导电类型的半导体层1804。
[0160] 可W对导电过孔和第一电连接单元1809a的数量、形状和间距W及导电过孔和第 一电连接单元1809a与第一导电类型的半导体层1804进行接触的面积合适地进行调整，W 减小接触电阻。导电过孔和第一电连接单元1809a可排列为多行多列的形式W提高电流。 阳161] 第二电极结构可包括在第二导电类型的半导体层1806上直接形成的第二电极 1808b W及在第二电极1808b上形成的第二电连接单元1809b。第二电极1808b可用于形 成与第二导电类型的半导体层1806的电欧姆接触。另外，第二电极1808b可由光反射材料 形成，并且在L邸忍片1810作为倒装忍片类型安装的同时有效地将光从有源层1805朝着 衬底1801发射。第二电极1808b可根据主要的光发射方向由诸如透明导电氧化物灯C0) 的光透射导电材料形成。
[0162] 上述两个电极结构可通过绝缘单元1803彼此电绝缘。虽然绝缘单元1803可由任 意绝缘材料或任意绝缘物体形成，但是绝缘单元1803可优选地由具有低光学吸收率的材 料形成。例如，绝缘单元1803可由诸如Si〇2、SiOyNy或Si yNy的氧化娃或氮化娃形成。在必 要时，可通过将光反射填充物分散在光透射材料中而使绝缘单元1803具有光反射结构。 阳163] 第一电极焊盘1819a和第二电极焊盘1819b可分别连接至第一电连接单元1809a 和第二电连接单元1809b，并充当LED忍片1810的外部端子。例如，第一电极焊盘1819a 和第二电极焊盘1819b可由金（Au)、银（Ag)、侣（A1)、铁灯i)、鹤（W)、铜（化）、锡（Sn)、儀 (Ni)、销（Pt)、铭（Cr)、NiSn、TiW、AuSn或它们的共晶金属形成。在运种情况下，当第一电 极焊盘1819a和第二电极焊盘1819b安装在安装衬底1820上时，可使用共晶金属将第一电 极焊盘1819a和第二电极焊盘1819b键合至安装衬底1820。因此，可W不使用倒装忍片键 合工艺通常所需的额外的焊料凸块。与使用焊料凸块时相比，使用共晶金属安装第一电极 焊盘1819a和第二电极焊盘1819b时，可获得更好的散热效果。可形成第一电极焊盘1819a 和第二电极焊盘1819b使其具有大的面积，W实现良好的散热效果。
[0164] 除非明确地另外描述，否则可参照先前的描述来理解衬底1801和发光堆叠结构 S。虽然未具体示出，但是可在发光堆叠结构S与衬底1801之间形成缓冲层，并且可采用由 例如基于氮化物的半导体形成的未渗杂的半导体层作为缓冲层，W减小在缓冲层上生长的 发光结构S的晶格缺陷。
[01化]衬底1801可具有彼此相对地设置的第一主表面和第二主表面，并且可在衬底 1801的第一主表面和第二主表面中的至少一个上形成粗糖结构。在衬底1801的第一主表 面和第二主表面中的至少一个上形成的粗糖结构可通过刻蚀衬底1801的一部分而形成， 并且包括与衬底1801的材料相同的材料。可替代地，粗糖结构可由与衬底1801的材料不 同的材料形成。 阳166] 如同本实施例中那样，可在衬底1801与第一导电类型的半导体层1804之间的界 面处形成粗糖结构，W使得有源层1805发射的光可沿着多个路径行进。因此，可减小由第 一导电类型的半导体层1804吸收光的光学吸收率并且可增大光散射率，从而增大光提取 效率。 阳167] 具体地说，粗糖结构可具有规则形状或不规则形状。当粗糖结构由与衬底1801的 材料不同的材料形成时，粗糖结构可为透明导体、透明绝缘体或高反射材料。透明绝缘体 可为氧化娃物（Si〇2)、氮化娃（SiNx)、氧化侣（Al2〇3)、氧化给化fo)、氧化铁灯i〇2)或氧化 错狂rO)。透明导体可为TC0,例如含添加剂的氧化锋姑0)或氧化铜，所述添加剂例如儀 (Mg)、银（Ag)、锋姑）、筑（Sc)、给（邮、错紅）、蹄（Te)、砸（Se)、粗灯a)、鹤（W)、妮（Nb)、 铜似1)、娃（Si)、儀（Ni)、钻（Co)、钢（Mo)、铭（Cr)或锡（Sn)。反射材料可为银（Ag)、侣 (A1)或者包括具有不同折射率的多层的分布式布拉格反射器值BR)，但是本发明构思不限 于此。
[0168] 虽然图8中并未示出，但是可从第一导电类型的半导体层1804去除衬底1801。可 使用利用激光的激光剥离化L0)工艺、刻蚀工艺或抛光工艺来执行对衬底1801的去除。另 夕F，在去除衬底1801之后，可在第一导电类型的半导体层1804的表面上形成粗糖结构。
[0169] 如图8所示，LED忍片1810可安装在安装衬底1820上。安装衬底1820可包括分 别在衬底主体1811的顶表面和底表面上形成的上电极层181化和下电极层1812a、W及可 穿透衬底主体1811 W连接上电极层181化和下电极层1812a的过孔1813。衬底主体1811 可由树脂、陶瓷或金属形成，并且上电极层1812b或下电极层1812a可为由例如Au、化、Ag 或A1形成的金属层。
[0170] 其上安装有L邸忍片1810的衬底不限于图8所示的安装衬底1820,并且可为在其 上形成了用于驱动L邸忍片1810的互连结构的任何衬底。例如，可提供一种封装件结构， 在该结构中L邸忍片安装在具有一对引线框架的封装件主体上。 阳171] 憐光体层1830可附着在LED忍片1810的顶表面（即，衬底1801的顶表面1801T) 上，并且将L邸忍片1810发射的光转换为白光。例如，当L邸忍片1810是被配置为发射具 有约430nm至约480nm的波长范围的蓝光的蓝色LED忍片时，憐光体层1830可W包括可参 照图2进行理解的黄色憐光体。另外，可利用与W上参照图1至图7描述的制造发光器件 封装件的工艺类似的工艺来形成憐光体层1830。 阳172] [LED忍片的其它示例]
[0173] 除上述L邸忍片W外，可将具有各种结构的L邸忍片应用于根据本实施例的发光 器件封装件。例如，可有效地采用运样的L邸忍片，在所述L邸忍片中表面等离子体极化激 元（SP巧形成在金属与电介质材料之间的界面处并且与量子阱激子相互作用W极大地提 高光提取效率。
[0174] [发光器件封装件的示例：忍片级封装（CSP)]
[01巧]具有CSP结构的L邸忍片封装件可用作上述发光器件封装件的示例。
[0176] CSP可适于大规模生产，运是因为CSP可缩减L邸忍片封装件的尺寸并简化制造 工艺。具体地，因为波长转换材料（例如，作为憐光体层）和光学结构（例如，透镜）可与 L邸忍片一体化，所W CSP可有效地用于照明系统。
[0177] 作为CSP的示例，图9示出了运样的封装件结构，其中电极沿着与其主要光提取表 面相反的方向形成在LED 1910的底表面上，并且憐光体层1907和透镜1920形成为一体化 类型。
[0178] 图9所示的CSP 1900可包括可设置在衬底1911上或衬底1911中的发光堆叠结 构S、第一端子化和第二端子化、憐光体层1907 W及透镜1920。
[0179] 发光堆叠结构S可为包括有第一导电类型的半导体层1904、第二导电类型的半导 体层1906和介于它们之间的有源层1905的堆叠结构。在本实施例中，第一导电类型的半 导体层1904和第二导电类型的半导体层1906可分别为p型半导体层和η型半导体层。另 夕F，第一导电类型的半导体层1904和第二导电类型的半导体层1906可由氮化物半导体形 成，所述氮化物半导体例如AlxIriyGa。X y)N(0《X《1、0《y《1、0《x+y《1)。然而，除 氮化物半导体W外，第一导电类型的半导体层1904和第二导电类型的半导体层1906可由 基于神化嫁（GaAs)的半导体或基于憐化嫁（GaP)的半导体形成。 阳180] 在第一导电类型的半导体层1904与第二导电类型的半导体层1906之间形成的有 源层1905可由于电子和空穴之间的复合而发射具有预定能量的光。有源层1905可具有量 子阱层和量子势垒层交替地堆叠的多量子阱（MQW)结构。例如，InGaN/GaN结构或AlGaN/ GaN结构可用作MQW结构。 阳181] 可利用诸如金属有机CVD(MOCVD)工艺、分子束外延（MB巧工艺或氨化物气相外延 化VP巧工艺的已知的半导体生长工艺来形成第一导电类型的半导体层1904和第二导电类 型的半导体层1906 W及有源层1905。 阳182] 图9所示的LED 1910可具有从其去除生长衬底的表面，并且粗糖部分P可形成在 所述去除了生长衬底的表面上。另外，用作光转换层的憐光体层1907可在在其上形成有粗 糖部分P的LED 1910的表面上形成。 阳183] LED 1910可包括分别与第一导电类型的半导体层1904和第二导电类型的半导体 层1906连接的第一电极1909a和第二电极1909b。第一电极1909a可包括穿过第二导电类 型的半导体层1906和有源层1905而形成并且连接至第二导电类型的半导体层1904的导 电过孔1908。可在导电过孔1908与有源层1905和第二导电类型的半导体层1906之间形 成绝缘层1903, W防止发生短路。
[0184] 虽然本实施例示出了仅形成一个导电过孔1908的示例，但是可提供至少两个导 电过孔1908 W有利于电流分散，并且运些过孔可按照各种形状排列。
[01化]本实施例描述了安装衬底1911是可容易地施加半导体工艺的支承衬底（例如，娃 衬底）的示例，但是本发明构思不限于此。安装衬底1911和LED 1910可通过利用第一键 合层1902和第二键合层1912彼此键合。第一键合层1902和第二键合层1912可由绝缘材 料或导电材料形成。例如，绝缘材料可为诸如Si化的氧化物或SiN，或者为诸如娃树脂或环 氧树脂的基于树脂的材料。导电材料可为Ag、A1、Ti、W、Cu、Sn、Ni、Pt、化、NiSn、TiW、AuSn 或它们的共晶金属。键合工艺可包括：分别将第一键合层1902和第二键合层1912施加至 LED 1910和衬底1911的键合表面，并且使LED 1910和衬底1911彼此键合。 阳186] 可在安装衬底1911中从安装衬底1911的底表面形成过孔，并将所述过孔连接至 键合的LED 1910的第一电极1909a和第二电极1909b。绝缘材料1913可形成在过孔的侧 表面和安装衬底1911的底表面上。当安装衬底1911是 娃衬底时，绝缘材料1913可包括利 用热氧化工艺形成的氧化娃层。可通过用导电材料填充过孔来形成第一端子化和第二端 子化，并且可将第一端子化和第二端子化连接至第一电极1909a和第二电极1909b。第 一端子化和第二端子化可分别包括种层1918a和种层1918b W及通过利用种层1918a和 1918b执行电锻工艺而形成的电锻填充单元1919a和电锻填充单元1919b。 阳187] 图10是示出根据本发明构思的示例性实施例的发光器件封装件所发射的光的普 朗克光谱的示图。图11是量子点（QD)结构的示例的示图，所述量子点结构可应用于根据 本发明构思的示例性实施例的发光器件封装件。
[0188] 参照图10,发光器件封装件的发光器件可根据构成发光器件的化合物半导体的种 类来发射蓝光、绿光或红光。可替代地，L邸忍片可发射UV光。在一些其它实施例中，发光 器件可包括UV L邸忍片、激光二极管忍片或有机L邸忍片。然而，根据本发明构思的发光 器件不限于上述示例，并且可包括各种光学装置。
[0189] 可将发光器件的显色指数（CRI)控制在40(例如，钢灯）至100(例如，日光）的 范围内，并且使其发射色溫范围为2000K至20000K的各种类型的白光。在必要时，可通过 产生可见光（例如，紫光、蓝光、绿光、红光和澄光）或红外（IR)光来根据环境气氛或屯、情 调整照明光的颜色。另外，发光器件可产生具有特定波长的光W刺激植物生长。
[0190] 将蓝色L邸与黄色憐光体、绿色憐光体、红色憐光体和/或与绿色发光器件和红 色发光器件进行组合而产生的白光可具有至少两个峰值波长。白光在CIE 1931坐标系中 的坐标（X，y)可位于对（0. 4476,0. 4074)、（0. 3484,0. 3516)、（0. 3101,0. 3162)、（0. 3128， 0.3292)和化3333,0. 3333)进行连接的线段上，或者位于由该线段与黑体福射体光谱包 围的区域中。白光的色溫可在2000K与20000K之间。 阳191] 例如，根据本发明构思的示例性实施例的憐光体可具有W下配方和颜色。 阳192] 基于氧化物的憐光体：黄色和绿色灯、Lu、Se、La、Gd、Sm)3(Ga、Al)5〇i2:Ce W及蓝 色6曰1邑411。〇17:611、35。任〇4)2.〇曰〔1:化； 阳193] 基于娃酸盐的憐光体：黄色和绿色度a, Sr)2Si〇4:Eu、黄色和澄色度a, Sr)3Si〇5:Eu W及对应于红色Ca2Si〇4:Eu的Cai.2化。.sSi〇4;
[0194] 基于氮化物的憐光体：绿色β-SiA10N:Eu，黄色化日、Gd、Lu、Υ、 Sc)3SieNu:Ce，澄色 a-SiA10N:Eu，红色（Sr, Ca) AlSi^iEu、（Sr, Ca) AlSiO^iEu、 (S;r,Ca)2Si5Ns:Eu、（S;r,Ca)2Si5(0N)s:Eu、（S;r,Ba)SiAl4N7:Eu、S;rLiAl3N4:Eu、Lri4x巧UzMiz) xSii2yAl/V"yNisxy〇). 5《X《3、0 < z < 0. 3、0 < y《4)，其中 Ln 可为从包含 Ilia 族元 素和稀±元素的组合中选择的至少一种元素，并且Μ可为从包含巧（Ca)、领度a)、锁（Sr) 和儀（Mg)的组合中选择的至少一种元素； 阳1巧]基于硫化物的憐光体：红色（Sr,化)S:Eu、（Y, Gd)2〇2S:Eu，绿色SrGa2S4:Eu ;
[0196] 基于氣化物的憐光体：基于KSF的红色KzSiFe: Mn4\ KzTiFe: Mn4\ NaYF4: Mn4\ NaGdF4:MrA 阳197] 憐光体的组成应该符合化学计算法，并且各个元素可由周期表中本族的其它元素 代替。例如，Sr可由诸如BaXa或Mg的II族元素（碱±金属）代替，并且Y可由诸如化、 Lu、Sc或Gd的基于铜的元素代替。另外，根据期望的能级，充当活化剂的館巧U)可由姉 (Ce)、铺帅）、错（Pr)、巧巧r)或镜州）代替。活化剂可单独使用，或者还可施加共活化 剂等W改变特性。
[0198] 此外，诸如量子点（QD)的材料可作为能够代替憐光体的材料使用，并且憐光体和 QD可单独使用或彼此组合用于LED。
[0199] QD可具有包括诸如CdSe或InP的核（约3皿至约lOnm)、诸如ZnS或化Se的壳 (约0. 5nm至约2nm) W及用于稳定所述核和壳的配体的结构，并且可根据尺寸实现各种颜 色。 阳200] 图12是示出关于根据本发明构思的示例性实施例的使用了蓝色发光器件的白色 发光器件封装件所处的应用领域的憐光体类型的表格。 阳201] 涂覆憐光体或QD的方法可包括W下处理中的至少一个：将憐光体或QD喷洒到 L邸忍片或发光器件上；用薄膜覆盖L邸忍片或发光器件；或者将薄膜或陶瓷憐光体片附着 至L邸忍片或发光器件。 阳202] 喷洒处理通常可包括分散处理和喷洒涂覆处理，并且分散处理可包括气动处理W 及诸如螺旋紧固处理或线型紧固处理的机械处理。在喷洒处理中，可通过喷射非常少量的 憐光体或QD来调整点的量，并且可通过调整点的量来控制色坐标。在利用喷洒处理将憐光 体统一地涂覆在晶圆级或发光器件衬底上的处理中，可提高生产率，并且可容易地控制所 涂覆的层的厚度。 阳203] 用薄膜覆盖L邸忍片或发光器件的处理可包括根据忍片的侧表面是否需要涂覆 薄膜而选择性地采用的电泳处理、丝网印刷处理或憐光体模制处理。 阳204] 可将具有不同发光波长的至少两个憐光体层分离W控制较长波长的发光憐光体 的效率，所述较长波长的发光憐光体被配置为从具有不同发光波长的至少两个憐光体中对 短波长范围内发射的光进行再吸收。另外，可在各憐光体层之间提供DBR(或全向反射器 (0DR))层，W使光的再吸收W及L邸忍片与至少两个憐光体层之间的干设最小化。 阳205] 为了形成均匀涂覆的层，憐光体可形成为薄膜或陶瓷类型，然后附着在忍片或发 光器件上。 阳206] 可按照远程方式设置光转换材料，W改变光学效率或光分布特性。在运种情况下， 光转换材料可根据其耐久性或耐热性与透明聚合物或玻璃一起设置。 阳207] 由于涂覆憐光体的技术极大地影响L邸装置的光学特性，因此已经对各种控制憐 光体涂层或均匀地分散憐光体的技术进行研究。可按照与憐光体的设置方式相同的方式将 QD设置在L邸忍片或发光器件上。另外，QD可形成在L邸忍片（或发光器件）中且介于玻 璃与透明聚合物材料之间，并且执行光转换操作。 阳20引透射材料可作为填充物设置在L邸忍片或发光器件上，W从外部保护L邸忍片或 发光器件或者提高光提取效率。
[0209] 透射材料可为透明有机材料（例如环氧树脂、娃树脂、环氧树脂和娃树脂的混合 物），并且可通过热或福射光来固化，或者通过允许透射材料放置超过预定时间段来固化。
[0210] 聚二甲硅氧烷（PDM巧可归类为基于甲基的娃树脂，而聚甲基苯基硅氧烷可归类 为基于苯基的娃树脂。基于甲基的娃树脂与基于苯基的娃树脂可在折射率、透湿性、透光 率、耐光稳定性和耐热稳定性的方面有所不同。另外，娃树脂可根据交联剂和催化剂W不同 速率固化，并且影响憐光体的分散。 阳211] 光提取效率可取决于填充物的折射率。具有不同折射率的至少两种娃树脂可顺序 堆叠 W使设置在发射蓝光的忍片的最外侧部分的介质的折射率与光从其发射至空气中的 介质的折射率之间的差异最小化。
[0212] 通常，基于甲基的娃树脂可具有最高的耐热稳定性，而基于苯基的娃树脂、混合物 和环氧树脂可随着溫度按照有序方式的升高而W低速率变化。娃树脂可根据硬度分为凝胶 类型、弹性体类型和树脂类型。
[0213] 发光器件还可包括对光源所福射的光进行放射状导向的透镜。在运种情况下，预 先成型的透镜可附着在L邸忍片或发光器件上。可替代地，可W将可流动的有机溶剂注射 到安装有L邸忍片或发光器件的模具中，并且使其固化W形成透镜。
[0214] 通过将发光器件的外部粘附于透镜的外部，可将透镜直接附着至形成在忍片上的 填充物，或者与填充物分隔开。当将可流动的有机溶剂注射到模具中时，可使用注射模制处 理、转移模制处理或压缩模制处理。
[0215] 光分布特性可受透镜形状（例如，凹形形状、凸形形状、粗糖形状、圆锥形状或几 何结构）影响。可对透镜的形状进行修改W符合效率和光分布特性的需求。
[0216] 发光器件可由例如半导体形成。例如，发光器件可由氮化物半导体形成，所述氮化 物半导体可由下式表示：AlxGaylrizN (0《x《 l、0《y《 l、0《z《1、x+y+z = 1)。可通 过利用诸如MOCVD工艺的气相生长工艺在衬底上W外延方式生长出诸如InN、AIN、InGaN、 AlGaN或InGaAlN的氮化物半导体，来形成发光器件。除氮化物半导体之外，发光器件可由 诸如化0、aiS、aiSe、SiC、GaP、GaAlAs或AlInGaP的半导体形成。半导体可包括通过顺序 堆叠 η型半导体层、发射层和P型半导体层而形成的堆叠结构。发射层（或有源层）可包 括具有MQW结构或单量子阱（SQW)结构的堆叠的半导体，或者具有双异质结构的堆叠的半 导体。虽然发光器件可为被配置为发射蓝光的装置，但是本发明构思不限于此。可选择发 光器件W使其发射具有任意波长的光。
[0217] 图13Α是包括有发光器件阵列单元的背光度L)组件的示例的分解透视图，在所述 发光器件阵列单元中布置了使用根据本发明构思的示例性实施例的制造发光器件封装件 的方法而制造的发光器件封装件，并且图13Β是可包括在图13Α的化组件中的发光模块的 示例的截面图。
[0218] 如图13Α所示，直接发光型化组件3000可包括下盖3005、反射片3007、发光模块 3010、光学片3020、液晶化C)面板3030和上盖3040。根据示例性实施例的发光器件阵列 单元可W作为包括在直接发光型化组件3000中的发光模块3010使用。
[0219] 根据示例性实施例，发光模块3010可包括具有电路衬底和至少一个发光器件封 装件的发光器件阵列3012 W及行列存储单元3013。发光器件阵列3012可包括参照图1至 图12描述的发光器件封装件之一。发光器件阵列3012可从设置在直接式化组件3000之 外的发光器件驱动器接收用于发光的功率，并且发光器件驱动器可对供应至发光器件阵列 3012的电流进行控制。 阳220] 在一个实施例中，如图13Β所示，发光模块可包括：第一平面部分1002a，其对应于 电路衬底1002的主要区域；倾斜部分1002b，其设置为邻近第一平面部分1002a并且至少 一部分弯曲；W及第二平面部分1002c，其设置在倾斜部分100化之外的电路衬底1002的 拐角。多个光源可布置在第一平面部分1002a上且彼此间隔开第一距离d2,并且至少一个 光源1001可布置在倾斜部分100化上且彼此间隔开第二距离dl。第一距离d2可等于第二 距离dl。倾斜部分100化的宽度（或者在截面图中获得的倾斜部分1002b的长度）可小于 第一平面部分1002a的宽度且大于第二平面部分1002c的宽度。另外，在必要时，至少一个 光源可布置在第二平面部分1002c上。 阳221] 可将倾斜部分100化与第一平面部分1002a形成的角度合适地控制为在0°至 90°之间的范围内。电路衬底1002可具有上述结构，从而使光学片3020甚至在其边缘部 分也可保持均匀的亮度。 阳222] 可W在发光模块3010上提供光学片3020,并且光学片3020包括发散片3021、会 聚片3022和保护片3023。也就是说，发散片3021、会聚片3022和保护片3023可在发光模 块3010上顺序制备。发散片3021可使发光模块3010所发射的光发散，会聚片3022可使 经发散片3021发散的光会聚并增加发光模块3010的亮度，并且保护片3023可保护会聚片 3022并保证发光模块3010的视角。 阳223] 上盖3040可封闭光学片3020的边缘，并且与下盖3005组装。
[0224] 另外，可在光学片3020与上盖3040之间提供LC面板3030。LC面板3030可包括 一对第一衬底（未示出）和第二衬底（未示出），运一对衬底可在LC层位于它们之间的情 况下彼此键合。多条栅极线可与多条数据线交叉W在第一衬底上限定像素区。可在各像素 区之间的交叉部分分别提供薄膜晶体管（TFT)，并且所述薄膜晶体管可与安装在各像素区 上的像素电极一一对应并连接至所述像素电极。第二衬底可包括分别与各像素区对应的红 色（时、绿色（G)和蓝色度）的彩色滤波器W及覆盖各个彩色滤波器的边缘、各条栅极线、各 条数据线和TFT的黑矩 阵。 阳225]图14是包括有发光器件阵列单元和发光器件模块的平板照明系统4100的示意 图，在所述发光器件阵列单元和发光器件模块中布置了使用根据本发明构思的示例性实施 例的制造发光器件封装件的方法而制造的发光器件封装件。 阳226] 参照图14,平板照明系统4100可包括光源4110、电源装置4120和壳体4130。光 源4110可包括具有根据本发明构思的示例性实施例的发光器件封装件的发光器件阵列单 _7Π 〇
[0227] 光源4110可包括发光器件阵列单元，并且具有如图14所示的整体平面形状。
[0228] 电源装置4120可被配置为将功率供应至光源4110。
[0229] 壳体4130可包括容纳有光源4110和电源装置4120的容纳空间，并且具有包括一 个敞开的侧表面的六面体形状，但是本示例性实施例不限于此。光源4110可设置为朝着壳 体4130的敞开的侧表面发射光。 阳230] 图15是灯泡型照明器的示意图，所述灯泡型照明器是包括有发光器件阵列单元 和发光器件模块的照明系统4200,在所述发光器件阵列单元和发光器件模块中布置了使用 根据本发明构思的示例性实施例的制造 L邸忍片的方法而制造的L邸忍片。 阳231] 参照图15,照明系统4200可包括插座4210、电源单元4220、福射单元4230、光源 4240和光学单元4250。根据示例性实施例，光源4240可包括具有根据本发明构思的示例 性实施例的发光器件封装件的发光器件阵列单元。 阳232] 插座4210可被配置为能够被现有技术的照明系统替代。可通过插座4210来施加 供应至照明系统4200的功率。如图15所示，可对第一电源单元4221和第二电源单元4222 进行组装来形成电源单元4220。 阳233] 福射单元4230可包括内部福射单元4231和外部福射单元4232。内部福射单元 4131可直接连接至光源4240和/或电源单元4220,从而可将热量传输至外部福射单元 4232。光学单元4250可包括内部光学单元（未示出）和外部光学单元（未示出），并且可 被配置为使光源4240发射的光均匀分散。 阳234] 光源4240可从电源单元4220接收功率，并且将光发射至光学单元4250。光源 4240可包括根据示例性实施例之一的发光器件阵列单元。光源4240可包括至少一个发光 器件封装件4241、电路衬底4242和行列信息存储单元4243,并且行列信息存储单元4243 可存储发光器件封装件4241的行列信息。 阳235] 包括在光源4240中的多个发光器件封装件4241可为相同类型，W产生具有相同 波长的光。可替代地，包括在光源4240中的多个发光器件封装件4241可为不同类型，W产 生具有不同波长的光。例如，发光器件封装件4241可包括：通过对黄色憐光体、绿色憐光 体、红色憐光体或澄色憐光体与蓝色发光器件进行组合而制造的白色发光器件，W及紫色 发光器件、蓝色发光器件、绿色发光器件、红色发光器件或红外（IR)发光器件中的至少一 个，W控制光的色溫和显色指数（CRI)。可替代地，当LED忍片发射蓝光时，包括有黄色憐光 体、绿色憐光体和红色憐光体中的至少一个的发光器件封装件可被配置为根据憐光体的混 合比发射具有各种色溫的白光。可替代地，将绿色憐光体或红色憐光体施加至蓝色L邸忍 片的发光器件封装件可被配置为发射绿光或红光。配置为发射白光的发光器件封装件可与 配置为发射绿光或红光的发光器件封装件组合，W控制白光的色溫和CRI。另外，发光器件 封装件4241可包括被配置为发射紫光、蓝光、绿光、红光或IR光的发光器件中的至少一个。 在运种情况下，照明系统4200可控制钢（化）中的CRI达到日光的水平，并且产生色溫为约 1500K至约20000K的各种白光光束。在必要时，照明系统4200可产生紫色、蓝色、绿色、红 色或澄色的可见光或者IR光，并且根据环境气氛或屯、情控制照明的颜色。另外，照明系统 4200可产生具有特定波长的光，W有利于植物的生长。
[0236] 图16和图17是家庭网络的示例的示意图，所述家庭网络应用了包括根据本发明 构思的示例性实施例的发光器件封装件的照明系统。 阳237] 如图16所示，家庭网络可包括家庭无线路由器2000、网关集线器2010、Zi浊ee模 块2020、L邸照明器2030、车库口锁2040、无线口锁2050、家庭应用2060、蜂窝电话2070、 安装在墙壁上的开关2080和云网络2090。
[0238] 家庭网络可根据邸室、客厅、Π 厅、储藏室和家用电器的操作状态W及周围环境和 状态，利用家庭无线通信狂i浊ee和Wi-Fi)自动地控制L邸照明器2030的亮度。
[0239] 例如，如图17所示，可根据在TV 3030上观看的TV节目的类型或TV 3030的屏幕 的亮度，利用网关或路由器3010自动地控制L邸照明器3020B的亮度。当在TV 3030上显 示戏剧并因此需要舒适气氛时，可控制对颜色的感应，从而可使得L邸照明器3020B的色溫 降至约2000K至约5000K或约2000K至约12000K的范围内或更低。与此相反，当在轻松气 氛下显示喜剧节目时，L邸照明器3020B的色溫可增至约4000K至7000K或约4000K至约 12000K的范围内或更高，并且可控制L邸照明器3020B为接近蓝色的白色。
[0240] 可将Zi浊ee模块2020或3020A与光学传感器一体化并形成模块。例如，Zi浊ee 模块2020或3020A可与照明系统4200的光源4240 -体化。 阳241] 可见光无线通信技术可使用具有人眼可见的可见光波长范围的光来W无线方式 传输信息。可见光无线通信技术与现有技术的有线光学通信技术和红外（IR)无线通信的 区别可W在于其使用具有可见光波长范围的光。另外，可见光无线通信技术与现有技术的 有线光学通信技术的区别可W在于其使用无线通信环境。另外，与射频（R巧无线通信不 同，可见光无线通信技术在方便性和物理安全性方面可W较为出色，运是因为其可自由使 用频率而不需要调节或许可。此外，因为用户可用肉眼看见通信链路，所W可见光无线通信 技术可为独特的。最重要的是，可见光无线通信技术可通过充当光源和通信装置运两者而 具有融合技术的特点。因此，可使用具有可见光无线通信功能的智能光源4240来实现参照 图16和图17描述的智能家庭网络系统。 阳242] 另外，L邸照明系统可用于车辆的内部光源或外部光源。L邸照明系统可用于内部 光源，诸如车辆的内部灯、阅读灯或仪表板的各种灯。另外，LED照明系统可用作外部光源， 诸如车辆的前灯、刹车灯、方向指示灯、雾灯、行驶灯等。 阳243] 利用特定波长范围的L邸可促进植物生长、稳定人的情绪或治疗疾病。另外，LED 可作为机器人或各种机械设施的光源使用。由于L邸具有低功耗和长寿命，因此通过将LED 与使用太阳能电池或风力的环保可再生的能源系统进行组合来实现照明系统。
[0244] 虽然已经参照本发明构思的示例性实施例具体示出和描述了本发明构思，但是应 该理解，在不脱离权利要求的精神和范围的情况下，可W进行各种形式和细节上的改变。
【主权项】
1. 一种制造发光器件封装件的方法，所述方法包括步骤： 制备包括第一表面和相对所述第一表面设置的第二表面的承载件； 在所述承载件的第一表面上形成磷光体层； 将第一光从测试发光器件朝着所述承载件的第二表面发射； 对穿过所述磷光体层的第二光进行分析；以及 基于所述分析确定所述磷光体层的厚度。2. 根据权利要求1所述的方法，其中，形成磷光体层的步骤包括： 用磷光体涂覆所述承载件的第一表面；以及 利用模具使所述磷光体成型。3. 根据权利要求2所述的方法，其中，模具包括刀片和辊中的至少一个。4. 根据权利要求1所述的方法，其中，第二光包括波长范围与第一光的波长范围实质 上相同的第一透射光以及波长范围与第一光的波长范围不同的第二透射光， 其中确定磷光体层的厚度的步骤包括：计算第二透射光的发光强度与第一透射光的发 光强度的比率。5. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述测试发光器件发射的第一光包括蓝光。6. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述磷光体层发射的第二光包括蓝光和黄光。7. 根据权利要求6所述的方法，其中，确定磷光体层的厚度的步骤包括： 收集关于第二光的波长的发光强度光谱；以及 计算发光强度光谱中黄光的最大发光强度与蓝光的最大发光强度的比率。8. 根据权利要求7所述的方法，其中，磷光体层的厚度由下式表示：其中d是磷光体层的厚度，Iy是发光强度光谱中黄光的最大发光强度，Ib是发光强度 光谱中蓝光的最大发光强度，并且al和bl中的每一个都是常数。9. 根据权利要求6所述的方法，其中，确定磷光体层的厚度的步骤包括： 收集关于第二光的波长的发光强度光谱；以及 计算黄光的波长范围中的光的总量与蓝光的波长范围中的光的总量的比率。10. 根据权利要求9所述的方法，其中，磷光体层的厚度由下式表示：其中d是磷光体层的厚度，Iyt是黄光的波长范围中的光的总量，Ibt是蓝光的波长范 围中的光的总量，并且a2和b2中的每一个都是常数。11. 一种制造发光器件封装件的方法，所述方法包括步骤： 用磷光体涂覆承载件的第一表面； 通过利用模具使磷光体成型来形成磷光体层； 使用测试发光器件和光电探测器实时地测量磷光体层的厚度； 确定测量到的厚度是否等于期望厚度；以及 通过根据确定结果对模具进行调整来控制磷光体层的厚度。12. 根据权利要求11所述的方法，其中，控制磷光体层的厚度的步骤包括调整相对于 承载件的第一表面的模具的高度。13. 根据权利要求11所述的方法，其中，所述测试发光器件面对与所述承载件的第一 表面相对设置的第二表面，并且所述光电探测器面对所述承载件的第一表面。14. 根据权利要求11所述的方法，其中，在形成磷光体层期间，光电探测器对磷光体层 连续发射的光进行检测。15. 根据权利要求11所述的方法，其中，在形成磷光体层期间，光电探测器仅在特定时 间段对磷光体层发射的光进行检测。16. -种制造发光器件封装件的方法，所述方法包括步骤： 用磷光体涂覆承载件的第一表面； 使刀片和承载件中的一个沿着平行于第一表面的方向相对于刀片和承载件中的另一 个移动，以在承载件上形成磷光体层； 在承载件和磷光体层的第一侧提供测试发光器件，以朝着磷光体层发射第一光，并且 光电探测器位于承载件和磷光体层的与所述第一侧相对的第二侧，以收集源于测试发光器 件并且由磷光体层进行转换的第二光； 对光电探测器收集到的第二光的光谱进行分析；以及 基于对光谱的分析来调整刀片与第一表面之间的距离。17. 根据权利要求16所述的方法，其中，第二光包括波长范围与第一光的波长范围实 质上相同的第一透射光以及波长范围与第一光的波长范围不同的第二透射光， 其中对第二光进行分析的步骤包括选自以下步骤中的一个步骤： 确定第二透射光的发光强度与第一透射光的发光强度的比率； 确定第二透射光的最大发光强度与第一透射光的最大发光强度的比率；以及 确定第二透射光的波长范围中的光的总量与第一透射光的波长范围中的光的总量的 比率。18. 根据权利要求17所述的方法，其中，调整距离的步骤包括： 如果确定的比率大于对应的预定范围的上限，则减小所述刀片与第一表面之间的距 离， 如果确定的比率小于对应的预定范围的下限，则增大所述刀片与第一表面之间的距 离，以及 如果确定的比率在对应的预定范围内，则保持所述刀片与第一表面之间的距离。19. 根据权利要求16所述的方法，还包括步骤： 将磷光体层附着至发射出与所述测试发光器件所发射的光实质上相同的光的多个发 光器件；以及 分割磷光体层以形成多个发光器件封装件。20. 根据权利要求16所述的方法，还包括步骤： 分割磷光体层以形成多个分割的磷光体层；以及 将所述多个分割的磷光体层之一附着至发射出与所述测试发光器件所发射的光实质 上相同的光的发光器件。
【专利摘要】本发明涉及一种制造发光器件封装件的方法，该方法包括：制备包括第一表面和相对第一表面设置的第二表面的承载件；在承载件的第一表面上形成磷光体层；将第一光从测试发光器件朝着承载件的第二表面发射；对穿过磷光体层的第二光进行分析；以及基于所述分析确定磷光体层的厚度。
【IPC分类】H01L33/50, H01L33/48
【公开号】CN105489735
【申请号】CN201510642515
【发明人】郑·拉斐尔, 林在亨, 郭煐宣
【申请人】三星电子株式会社
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年9月30日
【公告号】US9368694, US20160099388
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