一种led倒装芯片的压模封装工艺的制作方法
一种led倒装芯片的压模封装工艺的制作方法
【专利说明】
【技术领域】
[0001]本发明涉及LED芯片技术领域，特别涉及LED芯片倒装压模封装工序。
【【背景技术】】
[0002]在LED封装技术中封装形式多种多样，常规现有的封装方法有支架排封装和贴片封装。支架排封装是最早采用，用来生产单个LED器件，也就是我们常见的引线型发光二极管。贴片封装是一种无引线封装，体积小、薄，很适合做手机的键盘显示照明，电视机的背光照明，以及需要照明或指示的电子产品，近年来贴片封装有向大尺寸和高功率的方向发展，一个贴片内封装三、四个LED芯片，可用于组装照明产品。模组封装也是一种多芯片封装技术，在一块基板上以较小的尺寸、较高的封装密度封装多个或者数十个LED芯片，内部采用混联型的联线方式形成一个电路，这种封装主要是用来扩大功率，大多数用于照明产品。在现有的LED倒装芯片的封装中，通过固晶设备在LED支架或基板上点固晶锡膏，根据不同芯片大小点的锡膏量也不同，将LED倒装芯片粘结在点胶位置上，然后通过过回流焊的方式使倒装芯片正负极金属层与支架或基板金属层进行熔合，一般使用高温锡膏，用时6-7分钟。焊接完成后，用压模或点胶的方式在LED芯片上封一层封装胶，烘烤2-6小时后进行切害I]，最后完成对颗粒进行光电参数的测试、分类。在现有的LED倒装芯片封装中，通常使用的固晶胶是高温锡膏，因为成型颗粒在SMT贴装中需要再一次过回流焊，也就是要考虑到此种技术在封装过程中需要进行二次回流的问题，在多次进行回流焊的过程中高温可能会对颗粒本身造成影响。同时在固晶阶段也可能对倒装芯片造成不必要的损坏，由于倒装芯片底部不像正面发光面那样坚固，它容易在固晶时被顶针顶穿受损，而造成后续成品颗粒的不良。因此需要找一种更加便捷可靠的工艺技术来替代现有的倒装芯片封装技术。
【
【发明内容】
】
[0003]本发明的目的在于提供一种LED倒装芯片的压模封装工艺，解决LED在颗粒在倒装过程中易损坏、倒装工艺复杂等问题。
[0004]为了解决上述问题，本发明提供一种LED倒装芯片的压模封装工艺，其包括:
[0005]提供多个具有第一表面和第二表面的LED芯片，所述第一表面具有电极区；
[0006]翻转LED芯片使第一表面朝下、第二表面朝上；
[0007]提供一耐高温膜，在所述第一表面上贴覆所述耐高温膜；
[0008]以封装胶自所述第二表面以压膜方式封装包覆所述LED芯片，形成封装体，所述第一表面的电极外露于所述胶体；
[0009]去除所述耐高温膜；
[0010]切割封装体，形成多个独立的具有第一表面和第二表面的LED颗粒；
[0011 ] 检测、分选所述LED颗粒。
[0012]作为本发明的一个优选的实施例，所述LED芯片的第一表面的电极区具有正、负电极。
[0013]作为本发明的一个优选的实施例，所述正、负电极相对称。
[0014]作为本发明的一个优选的实施例，所述正、负电极间的间距大于或等于150um。
[0015]作为本发明的一个优选的实施例，所述LED芯片的第一表面的电极区镀有金属层，所述金属层由导电金属构成。
[0016]作为本发明的一个优选的实施例，所述金属层的厚度为5-10um。
[0017]作为本发明的一个优选的实施例，所述导电金属包括金、银或铜中的任意一种。
[0018]作为本发明的一个优选的实施例，所述耐高温膜的耐热温度大于150°C。
[0019]作为本发明的一个优选的实施例，所述耐高温膜为UV膜。
[0020]与现有技术相比，本发明所述的LED倒装芯片的压模封装工艺，不同于传统的贴片封装技术，本技术使用倒装芯片，舍弃了传统封装技术中使用的支架或基板，将倒装芯片有规则的固定在耐高温膜上直接压模封装，然后再进行切割、分选得到需要的LED颗粒。由于倒装芯片发光面和电极在正反两个面，压模封装后的倒装芯片正面和侧面都有胶体保护，背面电极用于导电连接，可以直接用于SMT贴片。与传统的封装工艺相比，本技术很好的优化了工艺流程，在倒装芯片得到应用的前提下，省去了常规的固晶、焊线流程，免去了LED支架或者基板以及金线的使用，大大降低了封装成本。同时，与传统的封装颗粒相比，此应用得到的颗粒也可以直接在SMT中应用，而且它通过锡膏直接焊接在基板上，导热性更好、散热更快、更加可靠。
【【附图说明】】
[0021]为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中:
[0022]图1为本申请的一种LED倒装芯片的压模封装工艺在一个实施例中的流程图；
[0023]图2为本申请的一种LED倒装芯片的压模封装工艺的LED颗粒在一个实施例中的结构示意图。其中，1为LED芯片，2为封装胶，3为电极区。
【【具体实施方式】】
[0024]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明。
[0025]此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本发明至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。
[0026]请参阅图1，图1为本申请的一种LED倒装芯片的压模封装工艺在一个实施例中的流程图。如图1所示，所述方法100包括如下步骤。
[0027]步骤110，提供多个具有第一表面和第二表面的LED芯片，所述第一表面具有电极区。
[0028]具体 的，提供多个具有第一表面和第二表面的LED芯片，将具有电极区的表面定义为所述第一表面，所述LED芯片的第一表面的电极区具有正、负电极，所述正、负电极相对称，所述正、负电极间的间距大于或等于150um。所述LED芯片的第一表面的电极区镀有金属层，所述金属层由与锡结合性好的导电金属构成，如金、银或铜等，一般采用金，其导电效果更好。所述金属层的厚度为5-10um。与正装LED芯片相比，同尺寸倒装LED芯片发光面比正装LED芯片大、可承受电流更大。
[0029]步骤120，翻转LED芯片使第一表面朝下、第二表面朝上。
[0030]具体的，采用人工或机器翻转LED芯片使第一表面朝下、第二表面朝上。这样的设计是因为目前较多厂家提供的LED芯片为第一表面朝上、第二表面朝下的结构，需要进行翻转，如若提供的LED芯片为第二表面朝上、第一表面朝下的结构，则可以省去此步骤。
[0031]步骤130，提供一耐高温膜，在所述第一表面上贴覆所述耐高温膜。
[0032]具体的，提供一耐高温膜，所述耐高温膜的耐热温度大于150°C，如:UV膜，在所述第一表面上贴覆所述耐高温膜。
[0033]步骤140，以封装胶自所述第二表面以压膜方式封装包覆所述LED芯片，形成封装体，所述第一表面的电极外露于所述胶体。
[0034]具体的，请参阅图2，图2为本申请的一种LED倒装芯片的压模封装工艺的LED颗粒在一个实施例中的结构示意图。如图2所示，第一表面贴覆有耐高温膜(未图示)，封装胶2自所述第二表面以压膜方式封装包覆所述LED芯片1，形成封装体，所述第一表面的电极区3外露于所述胶体，确保底部两电极区3未被胶体覆盖。
[0035]步骤150，去除所述耐高温膜。
[0036]具体的，剥离所述耐高温膜，所述耐高温膜作为工艺过渡，省去了基板或支架。
[0037]步骤160，切割封装体，形成多个独立的具有第一表面和第二表面的LED颗粒。
[0038]具体的，切割封装体，形成多个LED颗粒，每个所述LED颗粒包括一个所述LED芯片，所述LED颗粒可直接应用于SMT贴片封装，同时也免去了二次回流和固晶时会对芯片造成影响的隐患。
[0039]步骤170，检测、分选所述LED颗粒。
[0040]具体的，对所述LED颗粒进行电性测试等，将不合格产品作废或返工处理，将合格产品用于SMT贴片封装。
[0041]所属领域内的普通技术人员应该能够理解的是，本发明的特点或目的之一在于:本技术通过选用耐高温膜，将倒装LED芯片电极朝下有规则的放置在耐高温膜上，通过压模的方式将倒装LED芯片直接封装在胶体内，同时确保底部两电极区域未被胶体覆盖。此技术无需像传统工艺一样将LED芯片固定在支架或者基板上，它属于一种无基板封装技术，采用耐高温膜作为工艺过渡，在压模封装完成后将耐高温膜剥离后进行切割，如此切割后获得的LED颗粒可直接应用于SMT贴片封装，同时也免去了二次回流和固晶时会对芯片造成影响的隐患。
[0042]需要指出的是，熟悉该领域的技术人员对本发明的【具体实施方式】所做的任何改动均不脱离本发明的权利要求书的范围。相应地，本发明的权利要求的范围也并不仅仅局限于前述【具体实施方式】。
【主权项】
1.一种LED倒装芯片的压模封装工艺，其特征在于:其包括: 提供多个具有第一表面和第二表面的LED芯片，所述第一表面具有电极区； 翻转LED芯片使第一表面朝下、第二表面朝上； 提供一耐高温膜，在所述第一表面上贴覆所述耐高温膜； 以封装胶自所述第二表面以压膜方式封装包覆所述LED芯片，形成封装体，所述第一表面的电极外露于所述胶体； 去除所述耐高温膜； 切割封装体，形成多个独立的具有第一表面和第二表面的LED颗粒； 检测、分选所述LED颗粒。2.根据权利要求1所述的LED倒装芯片的压模封装工艺，其特征在于，所述LED芯片的第一表面的电极区具有正、负电极。3.根据权利要求2所述的LED倒装芯片的压模封装工艺，其特征在于，所述正、负电极相对称。4.根据权利要求3所述的LED倒装芯片的压模封装工艺，其特征在于，所述正、负电极间的间距大于或等于150um。5.根据权利要求1所述的LED倒装芯片的压模封装工艺，其特征在于，所述LED芯片的第一表面的电极区镀有金属层，所述金属层由导电金属构成。6.根据权利要求5所述的LED倒装芯片的压模封装工艺，其特征在于，所述金属层的厚度为 5-lOum。7.根据权利要求5所述的LED倒装芯片的压模封装工艺，其特征在于，所述导电金属包括金、银或铜中的任意一种。8.根据权利要求1所述的LED倒装芯片的压模封装工艺，其特征在于，所述耐高温膜的耐热温度大于150°C。9.根据权利要求1所述的LED倒装芯片的压模封装工艺，其特征在于，所述耐高温膜为UV膜。
【专利摘要】本发明提供一种LED倒装芯片的压模封装工艺，其包括：提供多个具有第一表面和第二表面的LED芯片，所述第一表面具有电极区；翻转LED芯片使第一表面朝下、第二表面朝上；提供一耐高温膜，在所述第一表面上贴覆所述耐高温膜；以封装胶自所述第二表面以压膜方式封装包覆所述LED芯片，形成封装体，所述第一表面的电极外露于所述胶体；去除所述耐高温膜；切割封装体，形成多个独立的具有第一表面和第二表面的LED颗粒；检测、分选所述LED颗粒，本方法制得的LED颗粒可以直接在贴片封装中应用，而且它通过锡膏直接焊接在基板上，导热性更好、散热更快、更加可靠。
【IPC分类】H01L33/00, H01L33/52
【公开号】CN105489741
【申请号】CN201410479621
【发明人】陈隆基, 韩庆华, 袁永刚
【申请人】苏州东山精密制造股份有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2014年9月18日
【专利说明】
【技术领域】
[0001]本发明涉及LED芯片技术领域，特别涉及LED芯片倒装压模封装工序。
【【背景技术】】
[0002]在LED封装技术中封装形式多种多样，常规现有的封装方法有支架排封装和贴片封装。支架排封装是最早采用，用来生产单个LED器件，也就是我们常见的引线型发光二极管。贴片封装是一种无引线封装，体积小、薄，很适合做手机的键盘显示照明，电视机的背光照明，以及需要照明或指示的电子产品，近年来贴片封装有向大尺寸和高功率的方向发展，一个贴片内封装三、四个LED芯片，可用于组装照明产品。模组封装也是一种多芯片封装技术，在一块基板上以较小的尺寸、较高的封装密度封装多个或者数十个LED芯片，内部采用混联型的联线方式形成一个电路，这种封装主要是用来扩大功率，大多数用于照明产品。在现有的LED倒装芯片的封装中，通过固晶设备在LED支架或基板上点固晶锡膏，根据不同芯片大小点的锡膏量也不同，将LED倒装芯片粘结在点胶位置上，然后通过过回流焊的方式使倒装芯片正负极金属层与支架或基板金属层进行熔合，一般使用高温锡膏，用时6-7分钟。焊接完成后，用压模或点胶的方式在LED芯片上封一层封装胶，烘烤2-6小时后进行切害I]，最后完成对颗粒进行光电参数的测试、分类。在现有的LED倒装芯片封装中，通常使用的固晶胶是高温锡膏，因为成型颗粒在SMT贴装中需要再一次过回流焊，也就是要考虑到此种技术在封装过程中需要进行二次回流的问题，在多次进行回流焊的过程中高温可能会对颗粒本身造成影响。同时在固晶阶段也可能对倒装芯片造成不必要的损坏，由于倒装芯片底部不像正面发光面那样坚固，它容易在固晶时被顶针顶穿受损，而造成后续成品颗粒的不良。因此需要找一种更加便捷可靠的工艺技术来替代现有的倒装芯片封装技术。
【
【发明内容】
】
[0003]本发明的目的在于提供一种LED倒装芯片的压模封装工艺，解决LED在颗粒在倒装过程中易损坏、倒装工艺复杂等问题。
[0004]为了解决上述问题，本发明提供一种LED倒装芯片的压模封装工艺，其包括:
[0005]提供多个具有第一表面和第二表面的LED芯片，所述第一表面具有电极区；
[0006]翻转LED芯片使第一表面朝下、第二表面朝上；
[0007]提供一耐高温膜，在所述第一表面上贴覆所述耐高温膜；
[0008]以封装胶自所述第二表面以压膜方式封装包覆所述LED芯片，形成封装体，所述第一表面的电极外露于所述胶体；
[0009]去除所述耐高温膜；
[0010]切割封装体，形成多个独立的具有第一表面和第二表面的LED颗粒；
[0011 ] 检测、分选所述LED颗粒。
[0012]作为本发明的一个优选的实施例，所述LED芯片的第一表面的电极区具有正、负电极。
[0013]作为本发明的一个优选的实施例，所述正、负电极相对称。
[0014]作为本发明的一个优选的实施例，所述正、负电极间的间距大于或等于150um。
[0015]作为本发明的一个优选的实施例，所述LED芯片的第一表面的电极区镀有金属层，所述金属层由导电金属构成。
[0016]作为本发明的一个优选的实施例，所述金属层的厚度为5-10um。
[0017]作为本发明的一个优选的实施例，所述导电金属包括金、银或铜中的任意一种。
[0018]作为本发明的一个优选的实施例，所述耐高温膜的耐热温度大于150°C。
[0019]作为本发明的一个优选的实施例，所述耐高温膜为UV膜。
[0020]与现有技术相比，本发明所述的LED倒装芯片的压模封装工艺，不同于传统的贴片封装技术，本技术使用倒装芯片，舍弃了传统封装技术中使用的支架或基板，将倒装芯片有规则的固定在耐高温膜上直接压模封装，然后再进行切割、分选得到需要的LED颗粒。由于倒装芯片发光面和电极在正反两个面，压模封装后的倒装芯片正面和侧面都有胶体保护，背面电极用于导电连接，可以直接用于SMT贴片。与传统的封装工艺相比，本技术很好的优化了工艺流程，在倒装芯片得到应用的前提下，省去了常规的固晶、焊线流程，免去了LED支架或者基板以及金线的使用，大大降低了封装成本。同时，与传统的封装颗粒相比，此应用得到的颗粒也可以直接在SMT中应用，而且它通过锡膏直接焊接在基板上，导热性更好、散热更快、更加可靠。
【【附图说明】】
[0021]为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中:
[0022]图1为本申请的一种LED倒装芯片的压模封装工艺在一个实施例中的流程图；
[0023]图2为本申请的一种LED倒装芯片的压模封装工艺的LED颗粒在一个实施例中的结构示意图。其中，1为LED芯片，2为封装胶，3为电极区。
【【具体实施方式】】
[0024]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明。
[0025]此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本发明至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。
[0026]请参阅图1，图1为本申请的一种LED倒装芯片的压模封装工艺在一个实施例中的流程图。如图1所示，所述方法100包括如下步骤。
[0027]步骤110，提供多个具有第一表面和第二表面的LED芯片，所述第一表面具有电极区。
[0028]具体 的，提供多个具有第一表面和第二表面的LED芯片，将具有电极区的表面定义为所述第一表面，所述LED芯片的第一表面的电极区具有正、负电极，所述正、负电极相对称，所述正、负电极间的间距大于或等于150um。所述LED芯片的第一表面的电极区镀有金属层，所述金属层由与锡结合性好的导电金属构成，如金、银或铜等，一般采用金，其导电效果更好。所述金属层的厚度为5-10um。与正装LED芯片相比，同尺寸倒装LED芯片发光面比正装LED芯片大、可承受电流更大。
[0029]步骤120，翻转LED芯片使第一表面朝下、第二表面朝上。
[0030]具体的，采用人工或机器翻转LED芯片使第一表面朝下、第二表面朝上。这样的设计是因为目前较多厂家提供的LED芯片为第一表面朝上、第二表面朝下的结构，需要进行翻转，如若提供的LED芯片为第二表面朝上、第一表面朝下的结构，则可以省去此步骤。
[0031]步骤130，提供一耐高温膜，在所述第一表面上贴覆所述耐高温膜。
[0032]具体的，提供一耐高温膜，所述耐高温膜的耐热温度大于150°C，如:UV膜，在所述第一表面上贴覆所述耐高温膜。
[0033]步骤140，以封装胶自所述第二表面以压膜方式封装包覆所述LED芯片，形成封装体，所述第一表面的电极外露于所述胶体。
[0034]具体的，请参阅图2，图2为本申请的一种LED倒装芯片的压模封装工艺的LED颗粒在一个实施例中的结构示意图。如图2所示，第一表面贴覆有耐高温膜(未图示)，封装胶2自所述第二表面以压膜方式封装包覆所述LED芯片1，形成封装体，所述第一表面的电极区3外露于所述胶体，确保底部两电极区3未被胶体覆盖。
[0035]步骤150，去除所述耐高温膜。
[0036]具体的，剥离所述耐高温膜，所述耐高温膜作为工艺过渡，省去了基板或支架。
[0037]步骤160，切割封装体，形成多个独立的具有第一表面和第二表面的LED颗粒。
[0038]具体的，切割封装体，形成多个LED颗粒，每个所述LED颗粒包括一个所述LED芯片，所述LED颗粒可直接应用于SMT贴片封装，同时也免去了二次回流和固晶时会对芯片造成影响的隐患。
[0039]步骤170，检测、分选所述LED颗粒。
[0040]具体的，对所述LED颗粒进行电性测试等，将不合格产品作废或返工处理，将合格产品用于SMT贴片封装。
[0041]所属领域内的普通技术人员应该能够理解的是，本发明的特点或目的之一在于:本技术通过选用耐高温膜，将倒装LED芯片电极朝下有规则的放置在耐高温膜上，通过压模的方式将倒装LED芯片直接封装在胶体内，同时确保底部两电极区域未被胶体覆盖。此技术无需像传统工艺一样将LED芯片固定在支架或者基板上，它属于一种无基板封装技术，采用耐高温膜作为工艺过渡，在压模封装完成后将耐高温膜剥离后进行切割，如此切割后获得的LED颗粒可直接应用于SMT贴片封装，同时也免去了二次回流和固晶时会对芯片造成影响的隐患。
[0042]需要指出的是，熟悉该领域的技术人员对本发明的【具体实施方式】所做的任何改动均不脱离本发明的权利要求书的范围。相应地，本发明的权利要求的范围也并不仅仅局限于前述【具体实施方式】。
【主权项】
1.一种LED倒装芯片的压模封装工艺，其特征在于:其包括: 提供多个具有第一表面和第二表面的LED芯片，所述第一表面具有电极区； 翻转LED芯片使第一表面朝下、第二表面朝上； 提供一耐高温膜，在所述第一表面上贴覆所述耐高温膜； 以封装胶自所述第二表面以压膜方式封装包覆所述LED芯片，形成封装体，所述第一表面的电极外露于所述胶体； 去除所述耐高温膜； 切割封装体，形成多个独立的具有第一表面和第二表面的LED颗粒； 检测、分选所述LED颗粒。2.根据权利要求1所述的LED倒装芯片的压模封装工艺，其特征在于，所述LED芯片的第一表面的电极区具有正、负电极。3.根据权利要求2所述的LED倒装芯片的压模封装工艺，其特征在于，所述正、负电极相对称。4.根据权利要求3所述的LED倒装芯片的压模封装工艺，其特征在于，所述正、负电极间的间距大于或等于150um。5.根据权利要求1所述的LED倒装芯片的压模封装工艺，其特征在于，所述LED芯片的第一表面的电极区镀有金属层，所述金属层由导电金属构成。6.根据权利要求5所述的LED倒装芯片的压模封装工艺，其特征在于，所述金属层的厚度为 5-lOum。7.根据权利要求5所述的LED倒装芯片的压模封装工艺，其特征在于，所述导电金属包括金、银或铜中的任意一种。8.根据权利要求1所述的LED倒装芯片的压模封装工艺，其特征在于，所述耐高温膜的耐热温度大于150°C。9.根据权利要求1所述的LED倒装芯片的压模封装工艺，其特征在于，所述耐高温膜为UV膜。
【专利摘要】本发明提供一种LED倒装芯片的压模封装工艺，其包括：提供多个具有第一表面和第二表面的LED芯片，所述第一表面具有电极区；翻转LED芯片使第一表面朝下、第二表面朝上；提供一耐高温膜，在所述第一表面上贴覆所述耐高温膜；以封装胶自所述第二表面以压膜方式封装包覆所述LED芯片，形成封装体，所述第一表面的电极外露于所述胶体；去除所述耐高温膜；切割封装体，形成多个独立的具有第一表面和第二表面的LED颗粒；检测、分选所述LED颗粒，本方法制得的LED颗粒可以直接在贴片封装中应用，而且它通过锡膏直接焊接在基板上，导热性更好、散热更快、更加可靠。
【IPC分类】H01L33/00, H01L33/52
【公开号】CN105489741
【申请号】CN201410479621
【发明人】陈隆基, 韩庆华, 袁永刚
【申请人】苏州东山精密制造股份有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2014年9月18日
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