发光芯片模组、发光二极管以及发光芯片模组的制造方法
发光芯片模组、发光二极管以及发光芯片模组的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种发光芯片模组，特别涉及一种具有导流结构的发光芯片模组，本 发明还涉及一种应用发光芯片模组的发光二极管W及一种发光芯片模组的制造方法。
【背景技术】
[0002] 由发光芯片制成的发光二极管作为一种新型的光源，目前已广泛应用于多种场 合。在将发光芯片与基板固晶连接的过程中通常需要利用到有固晶材料，固晶材料的使用 量对于发光二极管的性能至关重要，当固晶材料使用量较少时，导致芯片与基板电连接性 不佳，容易导致短路；当固晶材料使用量过多时，容易导致发光芯片正负极之间短路。因此， 在保证发光芯片与基板保持良好电连接性的基础上，如何设计发光芯片的结构使得过量的 固晶材料能及时排出是目前亟待解决的问题。
【发明内容】
[0003] 本发明旨在提供一种发光芯片模组W克服上述缺陷。
[0004] -种发光芯片模组，包括一发光芯片和一设置在发光芯片的导流层。所述导流层 包括第一部分、第二部分和第Η部分，所述第一部分和第二部分分别设置于发光芯片表面 的相对两侧，所述第Η部分连接于第一部分和第二部分之间，且将发光芯片的表面分隔为 第一电连接区域和第二电连接区域，所述第一电连接区域和第二电连接区域分别形成相背 的第一开口和第二开口。
[0005] 本发明还提供一种应用该发光芯片模组的发光二极管，所述发光二极管包括所述 发光芯片模组和一基板，所述基板包括电路结构，所述电路结构通过一固晶层与发光芯片 电连接。
[0006] 本发明再提供一种发光芯片模组的制造方法，包括提供一发光芯片；在所述发光 芯片的一表面设置预制层；W及蚀刻预制层，形成导流层。
[0007] 本发明通过在发光芯片模组上设置导流层，在保证了发光芯片模组与基板保持良 好电连接性的基础上，使得过量的固晶材料能及时排出，避免了发光芯片的短路问题。
【附图说明】
[0008] 图1为本发明提供的发光芯片模组的第一实施方式俯视示意图。
[0009] 图2为图1所提供的发光芯片模组沿ΙΙ-ΙΙ的剖面图。
[0010] 图3为图1所提供的发光芯片模组沿ΙΙΙ-ΙΙΙ的剖面图。
[0011] 图4为本发明提供的发光芯片模组的第二实施方式俯视示意图。
[0012] 图5为本发明提供的发光芯片模组的第Η实施方式俯视示意图。
[0013] 图6为本发明提供的发光芯片模组的第四实施方式俯视示意图。
[0014] 图7为本发明所提供的包含图4所提供的发光芯片模组的发光二极管沿VII-VII 的剖面图。
[0015] 图8-10为本发明所提供的发光芯片模组的制造方法的示意图。
[0016] 主要元件符号说明
如下【具体实施方式】将结合上述附图进一步说明本发明。
【具体实施方式】
[0017] 下面将结合附图，对本发明作进一步的详细说明。
[0018] 请参阅图1-3,本发明提供一种发光芯片模组100,该发光芯片模组100包括一发 光芯片10和一设置在发光芯片10的导流层20。
[0019] 所述发光芯片10包括一 N型半导体层、一有源层和一 P型半导体层（图未示)。所 述发光芯片10还包括其他结构（图未示)，例如绝缘结构，该绝缘结构可包括若干通孔，该若 干通孔用于填充导电材料W使得发光芯片10的N型半导体层和P型半导体层与该发光芯 片10 W外电路结构电连接，同时该绝缘结构避免了 N型半导体层和P型半导体层之间的短 路。所述导电材料可W为媒、银、白金、館、金或其他合金材料。
[0020] 所述发光芯片10包括表面110。在本实施例中，所述表面110为矩形。所述表面 110包括第一侧边11、第二侧边12、第Η侧边13和第四侧边14。所述第一侧边11和第二 侧边12相对设置。所述第Η侧边13和第四侧边14相对设置。
[0021] 所述导流层20设置于所述发光芯片10的表面110上。所述导流层20包括一第 一部分21，一第二部分22和一第Η部分23。所述第一部分21和第二部分22分别设置于 发光芯片10的表面110的相对两侧。在本实施例中，所述第一部分21和第二部分22分别 设置于表面110的相对设置的第一侧边11和第二侧边12。所述第一部分21和第二部分 22为长条状。所述第一部分21和第二部分22均由表面110的第Η侧边13延伸至第四侧 边14。在本实施例中，所述第一部分21和第二部分22相互平行。所述第Η部分23为长 条状。所述第Η部分23连接于第一部分21和第二部分22之间。在本实施例中，所述第Η 部分23垂直地设置于所述第一部分21和第二部分22之间。所述第一部分21、第二部分 22和第Η部分23形成"H"型。所述第Η部分23将表面110分隔为第一电连接区域15和 第二电连接区域16。所述第一部分21、第二部分22和第Η部分23在所述第一电连接区域 15形成第一开口 151，在第二电连接区域16形成第二开口 161。所述第一开口 151和第二 开口 161相背设置。在本实施例中，所述第一开口 151设置于表面110的第Η侧边13处， 所述第二开口 161设置于表面110的第四侧边14处。所述第一电连接区域15和第二电连 接区域16分别电连接于所述发光芯片10的Ν型半导体层和Ρ型半导体层（图未示)。所述 第一部分21、第二部分22和第Η部分23在所述发光芯片10的表面110上定义出了固晶材 料（图未示)设置的范围，也即固晶材料的设置范围为第一电连接区域15和第二电连接区域 16, W使在采用覆晶方式固设所述发光芯片10时，多余的固晶材料将沿表面110的第Η侧 边13和第四侧边14从第一开口 151和第二开口 161被排出，避免了发光芯片10的短路现 象。
[0022] 所述导流层20还包括若干第四部分24。所述若干第四部分24分别设置于表面 110的第一电连接区域15和第二电连接区域16。所述若干第四部分24相互间隔设置，形 成第一间隙区域241。所述第一间隙区域241构成了排出多余的固晶材料的通道，使得多余 的固晶材料沿表面110的第Η侧边13和第四侧边14从第一开口 151和第二开口 161更有 效的排出。所述若干第四部分24与所述第一部分21、第二部分22和第Η部分23均间隔设 置，形成第二间隙区域242。所述第二间隙区域242提供了一容置区W收容固晶材料，保证 了发光芯片10在固晶连接时良好的电连接性。所述第一电连接区域15和第二电连接区域 16暴露于第一间隙区域241和第二间隙区域242。
[0023] 所述若干第四部分24的形状和设置方式至少包含W下四种实施方式： 在第一种实施方式中（如图1所示)，所述若干第四部分24均为长条状。所述若干第四 部分24的长度相等。所述若干第四部分24的宽度相等。设置于第一电连接区域15的若 干第四部分24和设置于第二电连接区域16的若干第四部分24分别由表面110的第Η侧 边13和第四侧边14向第Η部分23延伸，且均与第Η部分23间隔设置。
[0024] 在第二种实施方式中（如图4所示)，所述若干第四部分24均为圆柱状。所述若干 第四部分24形成阵列。所述若干第四部分24的俯视形状为圆形。所述若干圆形的半径相 等。所述若干第四部分24均匀的分布于第一电连接区域15和第二电连接区域16 。另外， 所述若干第四部分24也可为楠圆柱状。
[0025] 在第Η种实施方式中（如图5所示)，所述若干第四部分24均长条状。所述若干第 四部分24包括若干具有第一种长度的第四部分24和若干具有第二种长度的第四部分24。 所述若干第四部分24的宽度均相等。设置于第一电连接区域15的若干第一种长度的第四 部分24和第二种长度的第四部分24交替设置，且相互平行，由表面110的第Η侧边13向 第Η部分23延伸，并与第Η部分23间隔设置。设置于第二电连接区域16的若干第一种长 度的第四部分24和第二种长度的第四部分24交替设置，且相互平行，由表面110的第四侧 边14向第Η部分23延伸，并与第Η部分23间隔设置。
[0026] 在第四种实施方式中（如图6所示)，所述若干第四部分24包含若干长条状的第四 部分24和若干圆柱状的第四部分24。所述若干长条状的第四部分24的长度相等。所述若 干长条状的第四部分24的宽度相等。设置于第一电连接区域15和第二电连接区域16的 若干长条状的第四部分24分别由表面110的第Η侧边13和第四侧边14向第Η部分23延 伸，并与第Η部分23间隔设置。所述若干圆柱状的第四部分24形成阵列。所述若干长条 状的第四部分24穿插于所述若干圆柱状的第四部分24形成的阵列之间。
[0027] 需要说明的是，本案所提供的导流层的若干第四部分24的形状和设置方式并不 拘泥于W上四种。
[0028] 进一步的，所述若干第四部分24的厚度小于等于所述第一部分21、第二部分22和 第Η部分23的厚度。在本实施例中，所述第一部分21、第二部分22、第Η部分23和若干第 四部分24的厚度相等。
[0029] 所述导流层20为绝缘材料。所述导流层20可W为陶瓷、二氧化娃、氮化娃、氧化 铅、氮化铅、类金刚石、娃氧焼、氣碳渗杂化合物、娃酸盐类化合物或碳氧化合物。所述导流 层20的厚度小于等于2微米，减少了热传输距离，W增强导流层20的散热性能。
[0030] 本发明通过在发光芯片模组100上设置导流层20,在保证了发光芯片模组100良 好电连接性的基础上，使得过量的固晶材料能及时排出，避免了发光芯片10的短路问题。
[0031] 请参阅图7,本发明还提供一发光二极管200,所述发光二极管200包括一发光芯 片模组100 (请一并参阅图4)和一基板40。所述基板40包括电路结构（图未示)。所述发 光芯片模组100采用覆晶方式设置于基板40。所述发光芯片模组100通过一固晶层50设 置于基板40,并与基板40的电路结构电连接。在将所述发光芯片模组100采用覆晶连接方 式固设于基板40时，过量的固晶材料沿发光芯片模组100的第一开口 151和第二开口 161 排出，避免了发光芯片10的短路问题。所述固晶层50的厚度大于等于5微米，W保证发光 芯片模组100与电路结构的电连接性良好。所述基板40的厚度大于等于50微米，W保证 基板40对发光芯片模组100的良好散热。
[0032] 请参阅图8-10,本发明再提供一种制造发光芯片模组100的方法，包括： 提供一发光芯片10 ; 在所述发光芯片10的一表面110设置预制层60 ; 蚀刻所述预制层60,形成导流层20。
[0033] 所述发光芯片10包括一 Ν型半导体层、一有源层和一 Ρ型半导体层（图未示)。所 述发光芯片10还包括其他结构（图未示)，例如绝缘结构，该绝缘结构可包括若干通孔，该若 干通孔用于填充导电材料W使得发光芯片10的Ν型半导体层和Ρ型半导体层与该发光芯 片10 W外电路结构电连接，同时该绝缘结构避免了 Ν型半导体层和Ρ型半导体层之间的短 路。
[0034] 所述预制层60为绝缘材料。所述预制层60可W为陶瓷、二氧化娃、氮化娃、氧化 铅、氮化铅、类金刚石、娃氧焼、氣碳渗杂化合物、娃酸盐类化合物或碳氧化合物。
[0035] 蚀刻所述预制层60,形成导流层20。所述导流层20将发光芯片10的表面110分 隔为第一电连接区域15和第二电连接区域16。所述第一电连接区域15和第二电连接区域 16分别电连接于发光芯片10的Ν型半导体层和Ρ型半导体层（图未示)。所述导流层20的 厚度小于等于2微米。
[0036] 对于本领域的技术人员来说可W在本发明技术构思内做其他变化，但是，根据本 发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，都应属于本发明权利要求的保护范围。
【主权项】
1. 一种发光芯片模组，包括一发光芯片和一设置在发光芯片的导流层，其特征在于： 所述导流层包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分和第二部分分别设置于发 光芯片表面的相对两侧，所述第三部分连接于第一部分和第二部分之间，且将发光芯片的 表面分隔为第一电连接区域和第二电连接区域，所述第一电连接区域和第二电连接区域分 别形成相背的第一开口和第二开口。2. 如权利要求1所述的发光芯片模组，其特征在于：所述第一部分、第二部分和第三部 分形成"H"型。3.如权利要求1所述的发光芯片模组，其特征在于：所述导流层还包括若干第四部分， 所述若干第四部分设置于第一电连接区域和第二电连接区域，该若干第四部分彼此间隔， 并与第三部分间隔设置。4.如权利要求3所述的发光芯片模组，其特征在于：所述若干第四部分均为长条状，所 述若干第四部分长度相等。5.如权利要求3所述的发光芯片模组，其特征在于：所述若干第四部分为圆柱状阵列。6. 如权利要求4所述的发光芯片模组，其特征在于：所述若干第四部分均为长条状，所 述若干第四部分包括若干具有第一种长度的第四部分和若干具有第二种长度的第四部分。7.如权利要求3所述的发光芯片模组，其特征在于：所述若干第四部分包括若干长条 状的第四部分和若干圆柱状的第四部分，所述若干长条状的第四部分穿插于所述若干圆柱 状第四部分形成的阵列之间。8. 如权利要求1所述的发光芯片模组，其特征在于：所述导流层的厚度小于等于2微 米。9. 一种应用权利要求1-8中任一项所述的发光芯片模组的发光二极管，其特征在于： 还包括一基板，所述基板包括电路结构，所述电路结构通过一固晶层与发光芯片电连接。10. 如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述固晶层厚度大于等于5微米。11. 一种制造如权利要求1-8中任一项所述的发光芯片模组的制造方法，包括： 提供一发光芯片； 在所述发光芯片的一表面设置预制层；以及 蚀刻预制层，形成导流层。
【专利摘要】一种发光芯片模组，包括一发光芯片和一设置在发光芯片的导流层。所述导流层包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分和第二部分分别设置于发光芯片表面的相对两侧，所述第三部分连接于第一部分和第二部分之间，且将发光芯片的表面分隔为第一电连接区域和第二电连接区域，所述第一电连接区域和第二电连接区域分别形成相背的第一开口和第二开口。本发明还提供一种应用该发光芯片模组的发光二极管和一种用于制造该发光芯片模组的方法。
【IPC分类】H01L33/48, H01L33/62, H01L33/00
【公开号】CN105489746
【申请号】CN201410480623
【发明人】黄建翔, 洪梓健, 凃博闵
【申请人】展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2014年9月19日
【公告号】US20160087176
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种发光芯片模组，特别涉及一种具有导流结构的发光芯片模组，本 发明还涉及一种应用发光芯片模组的发光二极管W及一种发光芯片模组的制造方法。
【背景技术】
[0002] 由发光芯片制成的发光二极管作为一种新型的光源，目前已广泛应用于多种场 合。在将发光芯片与基板固晶连接的过程中通常需要利用到有固晶材料，固晶材料的使用 量对于发光二极管的性能至关重要，当固晶材料使用量较少时，导致芯片与基板电连接性 不佳，容易导致短路；当固晶材料使用量过多时，容易导致发光芯片正负极之间短路。因此， 在保证发光芯片与基板保持良好电连接性的基础上，如何设计发光芯片的结构使得过量的 固晶材料能及时排出是目前亟待解决的问题。
【发明内容】
[0003] 本发明旨在提供一种发光芯片模组W克服上述缺陷。
[0004] -种发光芯片模组，包括一发光芯片和一设置在发光芯片的导流层。所述导流层 包括第一部分、第二部分和第Η部分，所述第一部分和第二部分分别设置于发光芯片表面 的相对两侧，所述第Η部分连接于第一部分和第二部分之间，且将发光芯片的表面分隔为 第一电连接区域和第二电连接区域，所述第一电连接区域和第二电连接区域分别形成相背 的第一开口和第二开口。
[0005] 本发明还提供一种应用该发光芯片模组的发光二极管，所述发光二极管包括所述 发光芯片模组和一基板，所述基板包括电路结构，所述电路结构通过一固晶层与发光芯片 电连接。
[0006] 本发明再提供一种发光芯片模组的制造方法，包括提供一发光芯片；在所述发光 芯片的一表面设置预制层；W及蚀刻预制层，形成导流层。
[0007] 本发明通过在发光芯片模组上设置导流层，在保证了发光芯片模组与基板保持良 好电连接性的基础上，使得过量的固晶材料能及时排出，避免了发光芯片的短路问题。
【附图说明】
[0008] 图1为本发明提供的发光芯片模组的第一实施方式俯视示意图。
[0009] 图2为图1所提供的发光芯片模组沿ΙΙ-ΙΙ的剖面图。
[0010] 图3为图1所提供的发光芯片模组沿ΙΙΙ-ΙΙΙ的剖面图。
[0011] 图4为本发明提供的发光芯片模组的第二实施方式俯视示意图。
[0012] 图5为本发明提供的发光芯片模组的第Η实施方式俯视示意图。
[0013] 图6为本发明提供的发光芯片模组的第四实施方式俯视示意图。
[0014] 图7为本发明所提供的包含图4所提供的发光芯片模组的发光二极管沿VII-VII 的剖面图。
[0015] 图8-10为本发明所提供的发光芯片模组的制造方法的示意图。
[0016] 主要元件符号说明
如下【具体实施方式】将结合上述附图进一步说明本发明。
【具体实施方式】
[0017] 下面将结合附图，对本发明作进一步的详细说明。
[0018] 请参阅图1-3,本发明提供一种发光芯片模组100,该发光芯片模组100包括一发 光芯片10和一设置在发光芯片10的导流层20。
[0019] 所述发光芯片10包括一 N型半导体层、一有源层和一 P型半导体层（图未示)。所 述发光芯片10还包括其他结构（图未示)，例如绝缘结构，该绝缘结构可包括若干通孔，该若 干通孔用于填充导电材料W使得发光芯片10的N型半导体层和P型半导体层与该发光芯 片10 W外电路结构电连接，同时该绝缘结构避免了 N型半导体层和P型半导体层之间的短 路。所述导电材料可W为媒、银、白金、館、金或其他合金材料。
[0020] 所述发光芯片10包括表面110。在本实施例中，所述表面110为矩形。所述表面 110包括第一侧边11、第二侧边12、第Η侧边13和第四侧边14。所述第一侧边11和第二 侧边12相对设置。所述第Η侧边13和第四侧边14相对设置。
[0021] 所述导流层20设置于所述发光芯片10的表面110上。所述导流层20包括一第 一部分21，一第二部分22和一第Η部分23。所述第一部分21和第二部分22分别设置于 发光芯片10的表面110的相对两侧。在本实施例中，所述第一部分21和第二部分22分别 设置于表面110的相对设置的第一侧边11和第二侧边12。所述第一部分21和第二部分 22为长条状。所述第一部分21和第二部分22均由表面110的第Η侧边13延伸至第四侧 边14。在本实施例中，所述第一部分21和第二部分22相互平行。所述第Η部分23为长 条状。所述第Η部分23连接于第一部分21和第二部分22之间。在本实施例中，所述第Η 部分23垂直地设置于所述第一部分21和第二部分22之间。所述第一部分21、第二部分 22和第Η部分23形成"H"型。所述第Η部分23将表面110分隔为第一电连接区域15和 第二电连接区域16。所述第一部分21、第二部分22和第Η部分23在所述第一电连接区域 15形成第一开口 151，在第二电连接区域16形成第二开口 161。所述第一开口 151和第二 开口 161相背设置。在本实施例中，所述第一开口 151设置于表面110的第Η侧边13处， 所述第二开口 161设置于表面110的第四侧边14处。所述第一电连接区域15和第二电连 接区域16分别电连接于所述发光芯片10的Ν型半导体层和Ρ型半导体层（图未示)。所述 第一部分21、第二部分22和第Η部分23在所述发光芯片10的表面110上定义出了固晶材 料（图未示)设置的范围，也即固晶材料的设置范围为第一电连接区域15和第二电连接区域 16, W使在采用覆晶方式固设所述发光芯片10时，多余的固晶材料将沿表面110的第Η侧 边13和第四侧边14从第一开口 151和第二开口 161被排出，避免了发光芯片10的短路现 象。
[0022] 所述导流层20还包括若干第四部分24。所述若干第四部分24分别设置于表面 110的第一电连接区域15和第二电连接区域16。所述若干第四部分24相互间隔设置，形 成第一间隙区域241。所述第一间隙区域241构成了排出多余的固晶材料的通道，使得多余 的固晶材料沿表面110的第Η侧边13和第四侧边14从第一开口 151和第二开口 161更有 效的排出。所述若干第四部分24与所述第一部分21、第二部分22和第Η部分23均间隔设 置，形成第二间隙区域242。所述第二间隙区域242提供了一容置区W收容固晶材料，保证 了发光芯片10在固晶连接时良好的电连接性。所述第一电连接区域15和第二电连接区域 16暴露于第一间隙区域241和第二间隙区域242。
[0023] 所述若干第四部分24的形状和设置方式至少包含W下四种实施方式： 在第一种实施方式中（如图1所示)，所述若干第四部分24均为长条状。所述若干第四 部分24的长度相等。所述若干第四部分24的宽度相等。设置于第一电连接区域15的若 干第四部分24和设置于第二电连接区域16的若干第四部分24分别由表面110的第Η侧 边13和第四侧边14向第Η部分23延伸，且均与第Η部分23间隔设置。
[0024] 在第二种实施方式中（如图4所示)，所述若干第四部分24均为圆柱状。所述若干 第四部分24形成阵列。所述若干第四部分24的俯视形状为圆形。所述若干圆形的半径相 等。所述若干第四部分24均匀的分布于第一电连接区域15和第二电连接区域16 。另外， 所述若干第四部分24也可为楠圆柱状。
[0025] 在第Η种实施方式中（如图5所示)，所述若干第四部分24均长条状。所述若干第 四部分24包括若干具有第一种长度的第四部分24和若干具有第二种长度的第四部分24。 所述若干第四部分24的宽度均相等。设置于第一电连接区域15的若干第一种长度的第四 部分24和第二种长度的第四部分24交替设置，且相互平行，由表面110的第Η侧边13向 第Η部分23延伸，并与第Η部分23间隔设置。设置于第二电连接区域16的若干第一种长 度的第四部分24和第二种长度的第四部分24交替设置，且相互平行，由表面110的第四侧 边14向第Η部分23延伸，并与第Η部分23间隔设置。
[0026] 在第四种实施方式中（如图6所示)，所述若干第四部分24包含若干长条状的第四 部分24和若干圆柱状的第四部分24。所述若干长条状的第四部分24的长度相等。所述若 干长条状的第四部分24的宽度相等。设置于第一电连接区域15和第二电连接区域16的 若干长条状的第四部分24分别由表面110的第Η侧边13和第四侧边14向第Η部分23延 伸，并与第Η部分23间隔设置。所述若干圆柱状的第四部分24形成阵列。所述若干长条 状的第四部分24穿插于所述若干圆柱状的第四部分24形成的阵列之间。
[0027] 需要说明的是，本案所提供的导流层的若干第四部分24的形状和设置方式并不 拘泥于W上四种。
[0028] 进一步的，所述若干第四部分24的厚度小于等于所述第一部分21、第二部分22和 第Η部分23的厚度。在本实施例中，所述第一部分21、第二部分22、第Η部分23和若干第 四部分24的厚度相等。
[0029] 所述导流层20为绝缘材料。所述导流层20可W为陶瓷、二氧化娃、氮化娃、氧化 铅、氮化铅、类金刚石、娃氧焼、氣碳渗杂化合物、娃酸盐类化合物或碳氧化合物。所述导流 层20的厚度小于等于2微米，减少了热传输距离，W增强导流层20的散热性能。
[0030] 本发明通过在发光芯片模组100上设置导流层20,在保证了发光芯片模组100良 好电连接性的基础上，使得过量的固晶材料能及时排出，避免了发光芯片10的短路问题。
[0031] 请参阅图7,本发明还提供一发光二极管200,所述发光二极管200包括一发光芯 片模组100 (请一并参阅图4)和一基板40。所述基板40包括电路结构（图未示)。所述发 光芯片模组100采用覆晶方式设置于基板40。所述发光芯片模组100通过一固晶层50设 置于基板40,并与基板40的电路结构电连接。在将所述发光芯片模组100采用覆晶连接方 式固设于基板40时，过量的固晶材料沿发光芯片模组100的第一开口 151和第二开口 161 排出，避免了发光芯片10的短路问题。所述固晶层50的厚度大于等于5微米，W保证发光 芯片模组100与电路结构的电连接性良好。所述基板40的厚度大于等于50微米，W保证 基板40对发光芯片模组100的良好散热。
[0032] 请参阅图8-10,本发明再提供一种制造发光芯片模组100的方法，包括： 提供一发光芯片10 ; 在所述发光芯片10的一表面110设置预制层60 ; 蚀刻所述预制层60,形成导流层20。
[0033] 所述发光芯片10包括一 Ν型半导体层、一有源层和一 Ρ型半导体层（图未示)。所 述发光芯片10还包括其他结构（图未示)，例如绝缘结构，该绝缘结构可包括若干通孔，该若 干通孔用于填充导电材料W使得发光芯片10的Ν型半导体层和Ρ型半导体层与该发光芯 片10 W外电路结构电连接，同时该绝缘结构避免了 Ν型半导体层和Ρ型半导体层之间的短 路。
[0034] 所述预制层60为绝缘材料。所述预制层60可W为陶瓷、二氧化娃、氮化娃、氧化 铅、氮化铅、类金刚石、娃氧焼、氣碳渗杂化合物、娃酸盐类化合物或碳氧化合物。
[0035] 蚀刻所述预制层60,形成导流层20。所述导流层20将发光芯片10的表面110分 隔为第一电连接区域15和第二电连接区域16。所述第一电连接区域15和第二电连接区域 16分别电连接于发光芯片10的Ν型半导体层和Ρ型半导体层（图未示)。所述导流层20的 厚度小于等于2微米。
[0036] 对于本领域的技术人员来说可W在本发明技术构思内做其他变化，但是，根据本 发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，都应属于本发明权利要求的保护范围。
【主权项】
1. 一种发光芯片模组，包括一发光芯片和一设置在发光芯片的导流层，其特征在于： 所述导流层包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分和第二部分分别设置于发 光芯片表面的相对两侧，所述第三部分连接于第一部分和第二部分之间，且将发光芯片的 表面分隔为第一电连接区域和第二电连接区域，所述第一电连接区域和第二电连接区域分 别形成相背的第一开口和第二开口。2. 如权利要求1所述的发光芯片模组，其特征在于：所述第一部分、第二部分和第三部 分形成"H"型。3.如权利要求1所述的发光芯片模组，其特征在于：所述导流层还包括若干第四部分， 所述若干第四部分设置于第一电连接区域和第二电连接区域，该若干第四部分彼此间隔， 并与第三部分间隔设置。4.如权利要求3所述的发光芯片模组，其特征在于：所述若干第四部分均为长条状，所 述若干第四部分长度相等。5.如权利要求3所述的发光芯片模组，其特征在于：所述若干第四部分为圆柱状阵列。6. 如权利要求4所述的发光芯片模组，其特征在于：所述若干第四部分均为长条状，所 述若干第四部分包括若干具有第一种长度的第四部分和若干具有第二种长度的第四部分。7.如权利要求3所述的发光芯片模组，其特征在于：所述若干第四部分包括若干长条 状的第四部分和若干圆柱状的第四部分，所述若干长条状的第四部分穿插于所述若干圆柱 状第四部分形成的阵列之间。8. 如权利要求1所述的发光芯片模组，其特征在于：所述导流层的厚度小于等于2微 米。9. 一种应用权利要求1-8中任一项所述的发光芯片模组的发光二极管，其特征在于： 还包括一基板，所述基板包括电路结构，所述电路结构通过一固晶层与发光芯片电连接。10. 如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述固晶层厚度大于等于5微米。11. 一种制造如权利要求1-8中任一项所述的发光芯片模组的制造方法，包括： 提供一发光芯片； 在所述发光芯片的一表面设置预制层；以及 蚀刻预制层，形成导流层。
【专利摘要】一种发光芯片模组，包括一发光芯片和一设置在发光芯片的导流层。所述导流层包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分和第二部分分别设置于发光芯片表面的相对两侧，所述第三部分连接于第一部分和第二部分之间，且将发光芯片的表面分隔为第一电连接区域和第二电连接区域，所述第一电连接区域和第二电连接区域分别形成相背的第一开口和第二开口。本发明还提供一种应用该发光芯片模组的发光二极管和一种用于制造该发光芯片模组的方法。
【IPC分类】H01L33/48, H01L33/62, H01L33/00
【公开号】CN105489746
【申请号】CN201410480623
【发明人】黄建翔, 洪梓健, 凃博闵
【申请人】展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2014年9月19日
【公告号】US20160087176
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