有机发光元件以及包含该有机发光元件的有机发光装置的制造方法
有机发光元件以及包含该有机发光元件的有机发光装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 实施方案设及有机发光元件W及包含该有机发光元件的有机发光装置。
【背景技术】
[0002] 近来，由于液晶显示器化CD)已取代阴极射线管（CRT)显示器，因而监视器和电视 机设备已变得更薄且更轻。然而，LCD需要额外的背光，运是因为LCD是被动式发光装置。 此外，LCD在响应速度和视角方面存在问题。
[0003] 作为能够克服上述局限性的显示装置，有机发光装置已受到很大关注，有机发光 装置为具有广视角、优异对比度和快速响应时间优势的自发射显示元件。
[0004] 有机发光装置包括用于发光的有机发光元件，并且有机发光元件通过从一个电极 注入的电子与从另一电极注入的空穴在发射层中结合而形成激子，并且激子发射能量，从 而发光。
【发明内容】
[0005] 实施方案设及有机发光元件，其包括彼此相向的第一电极和第二电极、在所述第 一电极与所述第二电极之间的发射层、W及在所述第二电极与所述发射层之间的电子注入 层。所述电子注入层包含化。所述第二电极包含第一材料和第二材料，所述第一材料包括 Ag、Al和Mg中的至少一种，所述第二材料包括孔、〔曰、5111、611、化、51'、13曰、1^曰和〔6中的至少 一种。
[0006] 所述第二电极可W形成为共沉积所述第一材料和所述第二材料的单层。
[0007] 所述电子注入层可W包括包含化的第一层和在所述第一层与所述第二电极之间 布置的第二层。所述第二层可W包含孔、Sm、Eu、化、Sr、Ba、La和Ce中的至少一种。
[0008] 所述第二电极可W形成为共沉积Ag和孔的单层。
[0009] 所述第二电极可W形成为共沉积Ag和化的单层。
[0010] 所述有机发光元件还可W包括在所述发射层与所述电子注入层之间的电子传输 层W及在所述发射层与所述第一电极之间的空穴传输层，所述空穴传输层和所述电子传输 层包含有机材料。
[0011] 所述发射层可W包括红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层。辅助层可W位于所 述蓝色发射层的下端。
[0012] 所述辅助层可W包含由化学式1表示的化合物：
[0013]
[0014] 其中，在化学式1中，A1、A2和A3独立地为Η、烷基、芳基、巧挫基、二苯并嚷吩基、 二苯并巧喃基值Β巧或联苯基，并且a、b和C独立地为0至4的整数。
[0015] 所述辅助层可W包含由化学式2表示的化合物：
[0016]
[0017] 化学式2
[001引其中，在化学式2中，a、b和C独立地为0至3, X选自0、N或S，并且X各自相同 或不同。
[0019] 实施方案还设及有机发光装置，其包括衬底、在所述衬底上的栅极线、与所述栅极 线交叉的数据线和驱动电压线、与所述栅极线和所述数据线连接的开关薄膜晶体管、与所 述开关薄膜晶体管和所述驱动电压线连接的驱动薄膜晶体管、W及与所述驱动薄膜晶体管 连接的有机发光元件。所述有机发光元件包括彼此相向的第一电极和第二电极、在所述第 一电极与所述第二电极之间的发射层、W及在所述第二电极与所述发射层之间的电子注入 层。所述电子注入层包含化。所述第二电极包含第一材料和第二材料，所述第一材料包括 Ag、Al和Mg中的至少一种，所述第二材料包括孔、〔曰、5111、611、化、51'、13曰、1^曰和〔6中的至少 一种。
[0020] 所述第二电极可W形成为共沉积所述第一材料和所述第二材料的单层。
[0021] 所述电子注入层可W包括包含化的第一层和在所述第一层与所述第二电极之间 的第二层。所述第二层可W包含孔、Sm、Eu、化、Sr、Ba、La和Ce中的至少一种。
[0022] 所述第二电极可W形成为共沉积Ag和孔的单层。
[0023] 所述第二电极可W形成为共沉积Ag和化的单层。
[0024] 所述有机发光装置还可W包括在所述发射层与所述电子注入层之间的电子传输 层W及在所述发射层与所述第一电极之间的空穴传输层。所述空穴传输层和所述电子传输 层可W包含有机材料。
[00巧]所述发射层可W包括红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层。辅助层可W位于所 述蓝色发射层的下端。
[0026] 所述辅助层可W包含由化学式1表示的化合物：
[0027]
[0028] 其中，在化学式1中，A1、A2和A3独立地为H、烷基、芳基、巧挫基、二苯并嚷吩基、 二苯并巧喃基值B巧或联苯基，并且a、b和C独立地为0至4的整数。
[0029] 所述辅助层可W包含由化学式2表示的化合物：
[0030]
[00引]化学式2
[003引其中，在化学式2中，a、b和C独立地为0至3的整数，X选自0、N或S，并且X各 自相同或不同。
【附图说明】
[0033] 参考附图，通过详细描述示例性实施方案，特征对于本领域技术人员而言会变得 显而易见，其中：
[0034] 图1示出根据示例性实施方案的有机发光装置的横截面视图。
[0035] 图2示出图1的有机发光装置的放大的横截面视图。
[0036] 图3示出图2的有机发光元件的部分改变的示例性实施方案的横截面视图。
[0037] 图4示出显示根据示例性实施方案的有机发光装置的效率-光亮度特性的图。
[0038] 图5至图8示出图2的有机发光元件的部分改变的示例性实施方案的横截面视 图。
【具体实施方式】
[0039] 现在将参考附图在下文中更全面地描述示例实施方案；然而，它们可不同的 形式实施，并且不应解释为局限于本文所述的实施方案。相反，提供运些实施方案，W使得 本公开将全面和完整，并且将向本领域技术人员完整地表达示例性实施。
[0040] 在附图中，为了例示清楚，可W放大层和区域的尺寸。还应理解，当层或要素被称 为在另一层或衬底"上"时，其可直接在另一层或衬底上，或还可W存在中介层。此外，还应 理解，当层被称为在两个层"之间"时，其可W为所述两个层之间的唯一的层，或还可W存在 一个或多个中介层。全文中相同的参考数字指代相同的要素。
[0041] 本文中，烷基可W是指由直链或支链的Ci-Cw饱和控衍生的单价取代基。在某些实 施方案中，烷基可W是C1-C2。烷基。在某些实施方案中，烷基可W是C 1、C2、C3、C4、Cg、Ce、C,、 Cs、Cg、Cl。、C。、C12、C。、。4、。5、。6、Cig或C 2。烷基。在某些实施方案中，烷基可W是 Ci-Ci。烷基。在某些实施方案中，烷基可W是Ci-Ce烷基。烷基的非限制性实例包括甲基、乙 基、丙基、下基、异下基、仲下基、叔下基、戊基、异戊基、新戊基、己基等。
[0042] 本文中，芳基可W是指由具有至少一个芳环的仅由碳和氨组成的Ce-Cw芳香族不 饱和控衍生的单价取代基。当芳基包含两个或更多个环时，所述环可W经由单键彼此连接 或可W彼此稠合。在某些实施方案中，芳基可W是Ce-Cw芳基。在某些实施方案中，芳基可 W是Ce-Cis芳基。在某些实施方案中，芳基可W是Ce-Ci。芳基。芳基的非限制性实例包括苯 基、糞基、菲基、蔥基、奧基、蔵基、巧蔥基、巧基、不对称引达省基、对称引达省基、巧满基、 巧基、巧基和Ξ亚苯基。
[0043] 图1示出根据示例性实施方案的有机发光装置的横截面视图。图2为示出图1的 有机发光装置的放大的横截面视图。
[0044] 参考图1和图2,根据示例性实施方案的有机发光装置包括衬底123、驱动薄膜晶 体管130、第一电极160、发光元件层170和第二电极180。第一电极160可W为阳极，并且 第二电极180可W为阴极，或者第一电极160可W为阴极，并且第二电极180可W为阳极。
[0045] 衬底123可W由诸如玻璃的无机材料、诸如聚碳酸醋、聚甲基丙締酸甲醋、聚对苯 二甲酸乙二醇醋、聚糞二甲酸乙二醇醋、聚酷胺和聚酸讽的有机材料、或其组合物、或娃片 制成。
[0046] 衬底缓冲层126可W布置在衬底123上。衬底缓冲层126可W防止杂质渗透并可 W使表面平整化。 [0047] 衬底缓冲层126可W由能够执行上述功能的合适的材料制成。例如，衬底缓冲层 126可W为娃氮化物（SiNy)膜、娃氧化物（SiOy)膜和娃氮氧化物（SiOyNy)膜中的任一种。 在一些实施中，可W根据衬底123的类型和加工条件省略衬底缓冲层126。
[0048] 可W在衬底缓冲层126上形成驱动半导体层137。驱动半导体层137可W由包括 多晶娃的材料制成。驱动半导体层137可W包括未渗杂有杂质的通道区135, W及通过在通 道区135的两侧渗杂离子材料而形成的源区134和漏区136。渗杂的离子材料可W为P型 杂质。例如，可W使用棚度）或B2&。杂质可W取决于薄膜晶体管的类型。
[0049] 可W在驱动半导体层137上布置由娃氮化物（SiNx)或娃氧化物（Si〇x)制成的栅 极绝缘层127。可W在栅极绝缘层127上布置包括驱动栅电极133的栅极布线。驱动栅电 极133可W与至少一部分的驱动半导体层137 (尤其是通道区135)重叠。
[0050] 可W在栅极绝缘层127上形成覆盖驱动栅电极133的层间绝缘层128。可W在栅 极绝缘层127和层间绝缘层128中形成暴露驱动半导体层137的源区134和漏区136的第 一接触孔122a和第二接触孔12化。与栅极绝缘层127类似，层间绝缘层128可W由娃氮化 物（SiN,)或娃氧化物（SiO,)制成。
[0051] 可W在层间绝缘层128上布置包括驱动源电极131和驱动漏电极132的数据布 线。驱动源电极131和驱动漏电极132可W分别通过在层间绝缘层128和栅极绝缘层127 中形成的第一接触孔122a和第二接触孔12化而连接至驱动半导体层137的源区134和漏 区 136。
[0052] 可W由驱动半导体层137、驱动栅电极133、驱动源电极131和驱动漏电极132形 成驱动薄膜晶体管130。可多种合适的方式改变驱动薄膜晶体管130的构造。
[0053] 可W在层间绝缘层128上形成覆盖数据布线的平整层124。平整层124可W通过 去除阶梯而使表面平整化，从而增加将在其上形成的有机发光元件的发射效率。平整层124 可W具有暴露一部分驱动漏电极132的第Ξ接触孔122c。
[0054] 平整层124可W由例如聚丙締酸醋树脂、环氧树脂、酪醒树脂、聚酷胺树脂、聚酷 亚胺树脂、不饱和聚醋树脂、聚苯酸树脂、聚苯硫酸树脂和苯并环下締度CB)中的至少一种 制成。
[00巧]在一些实施中，可W省略平整层124和层间绝缘层128中的任一层。
[0056] 可W在平整层124上布置有机发光元件的第一电极160,例如，像素电极。有机发 光显示装置可W包括分别在多个像素中布置的多个像素电极。多个第一电极160可W彼此 相间隔。第一电极160可W通过平整层124的第Ξ接触孔122c而连接至驱动漏电极132。
[0057] 可W在平整层124上布置具有暴露第一电极160的开口的像素限定层125。可W 在像素限定层125中形成分别对应于像素的多个开口。可W在像素限定层125中形成的每 一个开口中布置发光元件层170。因此，可W通过在像素限定层125中形成的开口来限定其 中形成发光元件层170的像素区。
[0058] 每个第一电极160可W被布置为对应于像素限定层125的开口。在一些实施中， 第一电极160可W被布置为不只是对应于像素限定层125的开口。例如，一部分的第一电 极160可W布置在像素限定层125之下，W与像素限定层125重叠。
[0059] 像素限定层125可W由基于聚丙締酸的树脂、基于聚酷亚胺的树脂或基于娃的无 机材料制成。
[0060] 发光元件层170布置在第一电极160上。下文将详细地描述发光元件层170的结 构。
[0061] 可W在发光元件层170上布置第二电极180,其可W为公共电极。因此，可W形成 包括第一电极160、发光元件层170和第二电极180的有机发光元件LD。
[0062] 第一电极160和第二电极180可W由透明导电材料或者半透明或反射导电材料制 成。有机发光显示装置可W为顶部发射型、底部发射型或双侧发射型，运取决于第一电极 160和第二电极180的材料。
[0063] 根据示例性实施方案的有机发光元件中包括的第二电极180(其可W为例如公共 电极）可W包含第一材料和第二材料，所述第一材料包括Ag、A1和Mg中的至少一种，所述 第二材料包括孔、Ca、Sm、Eu、化、Sr、Ba、La和Ce中的至少一种。例如，第二电极180可W 形成为共沉积所述第一材料和所述第二材料的单层。
[0064] 可W在第二电极180上由有机层形成覆盖并保护第二电极180的覆盖层190。
[0065] 可W在覆盖层190上形成薄膜密封层121。薄膜密封层121可W密封并保护有机 发光元件LD和在衬底123上形成的驱动电路W使其免受外部影响。
[0066] 薄膜密封层121可W包括交替堆叠的有机密封层121a和121c W及无机密封层 12化和121d。例如，在图1中，可W通过逐个地交替堆叠两个有机密封层121a和121c W 及两个无机密封层12化和121d来形成薄膜密封层121。
[0067] 在下文中，将参考图2描述根据示例性实施方案的有机发光元件。
[006引参考图2,根据示例性实施方案的有机发光元件（包括图1中的X部分）可W具有 其中依次堆叠第一电极160、空穴传输层174、发射层175、电子传输层177、电子注入层179 和第二电极180的结构。
[0069] 当第一电极160为阳极时，为了易于空穴注入，可W选择选自具有高功函的材料 的材料。第一电极160可W为透明电极或不透明电极。当第一电极160为透明电极时，第 一电极160可W由导电氧化物、例如氧化铜锡（ΙΤΟ)、氧化铜锋（IZO)、氧化锡（Sn〇2)、氧化 锋狂nO)或它们的组合、或诸如侣、银和儀的金属制成，并具有小厚度。当第一电极160为 不透明电极时，第一电极160可W由诸如侣、银或儀的金属制成。
[0070] 第一电极160可W形成为两层或多于两层的结构，所述结构包括不同类型的材 料。例如，第一电极160可W形成为具有其中依次堆叠氧化铜锡（IT0)/银（Ag)/氧化铜锡 (IT0)的结构。
[0071] 可W通过瓣射或真空沉积形成第一电极160。
[0072] 可W在第一电极160上布置空穴传输层174。空穴传输层174可W用于平稳地 传输从空穴注入层172传送的空穴。空穴传输层174可W包含有机材料。例如，空穴传输 层174可W包含NPD(N，N' -二糞基-N，N' -二苯基联苯胺）、TPD(N，N' -双-(3-甲基苯 基）-N，N' -双-(苯基）-联苯胺）、S-TAD、MTDATA(4,4'，4"-Ξ (N-3-甲基苯基-N-苯 基-氨基）-Ξ苯胺）等。
[0073] 空穴传输层174的厚度可W为约15nm至约25皿。例如，空穴传输层174的厚度可 W为约20nm。可W在空穴传输层174中包含空穴注入材料作为对空穴传输层174的改变， 并且因此空穴传输/注入层可W形成为单层。
[0074] 可W在空穴传输层174上布置发射层175。发射层175可W包括表现出特定颜色 的发射材料。例如，发射层175可W显示基本色，例如蓝色、绿色或红色，或其组合。
[00巧]发射层175的厚度可W为约10皿至约50皿。发射层175可W包含主体和渗杂剂。 发射层175可W包含发射红光、绿光、蓝光或白光的材料，并且可W使用憐光材料或巧光材 料形成。
[0076] 当发射层175发射红光时，发射层175可W包含包括CBP(巧挫联苯）或 mCP(l，3-双（巧挫-9-基）苯）的主体材料，并且可W包含憐光材料或巧光材料，所述憐光 材料包括选自PIQIr (acac)(双（1-苯基异哇嘟）乙酷丙酬银）、PQIr (acac)(双（1-苯基 哇嘟）乙酷丙酬银）、PQIr ( Ξ (1-苯基哇嘟）银）和PtOEP (八乙基化嘟销）中的至少一 种，所述巧光材料包括PBD:化值BM) 3 (Phen)或二糞嵌苯。
[0077] 当发射层175发射绿光时，发射层175可W包含包括CBP或mCP的主 体材料，并 且可W包含含有渗杂剂材料的憐光材料或巧光材料，所述含有渗杂剂材料的憐光材料包括 Ir (ppy) 3 (面式（fac) - Ξ (2-苯基化晚）银），所述巧光材料包括A1q3 ( Ξ (8-径基哇嘟） 侣）。
[0078] 当发射层175发射蓝光时，所述发射层175可W包含包括CBP或mCP的 主体材料，并且可W包含含有渗杂剂的憐光材料，所述含有渗杂剂的憐光材料包括 (4, 6-F化py)zirpic。在一些实施中，发射层175可W由巧光材料制成，所述巧光材料包括 选自螺-DPVBi、螺-6P、联苯乙締基苯值SB)、联苯乙締基亚芳基（distyiyla巧lene，DSA)、 基于PF0的聚合物和基于PPV的聚合物中的至少一种。
[0079] 可W在发射层175上布置电子传输层177。电子传输层177可朗尋电子从第二电 极180传输至发射层175。此外，电子传输层177可W防止从第一电极160注入的空穴通过 发射层175而移动至第二电极180。电子传输层177可W通过起空穴阻挡层的作用而有助 于空穴和电子在发射层175中的结合。
[0080] 电子传输层177可W包含有机材料。例如，电子传输层177可W包含选自A1q3(^ (8-径基哇嘟）侣）、PBD、TAZ、螺-P抓、BAlq和SAlq中的任一种或多种。
[0081] 可W在电子传输层177上布置电子注入层179。电子注入层179可W用于使从第 二电极180到电子传输层177的电子注入变得平稳。在本示例性实施方案中，电子注入层 179可W包含Ca。
[0082] 在本示例性实施方案中，电子注入层179的厚度经考虑到加工余量可W具有约5 埃（A)的最小值，并且经考虑到发挥电子注入层的功能的难度可W具有约50埃（A)的 最大值。由此，其范围可W为约5埃（A)至约50埃（A)。例如，电子注入层的厚度可W 为约10埃（1)至约20埃（1)。
[0083] 可W在电子注入层179上布置第二电极180。第二电极180可W为有机发光装置 的公共电极，其可W包含第一材料和第二材料，所述第一材料包括Ag、A1和Mg中的至少一 种，所述第二材料包括孔、Ca、Sm、Eu、化、Sr、Ba、La和Ce中的至少一种。例如，第二电极 180可W通过将所述第一材料和所述第二材料共沉积到一层中而形成。在一些实施中，第二 电极180可W通过共沉积Ag和孔，或者Ag和化而形成。第二电极的厚度可W为约90埃 (Λ)。
[0084] 当通过所述第一材料和所述第二材料的共沉积形成所述第二电极180时，所述第 一材料与所述第二材料的体积比可W为约20:1。
[0085] 第二电极180可W形成为两层或多于两层。
[0086] 图3示出基于图2的有机发光元件的部分改变的实施方案的横截面视图。
[0087] 参考图3,在有机发光元件中，电子注入层179可W形成为两层。在图3中示出 的示例性实施方案中，电子注入层179可W包括第一电子注入层179-1和第二电子注入层 179-2。第一电子注入层179-1可W包含诸如化的具有低功函的材料，并且第二电子注入 层179-2可W包含孔、Sm、Eu、化、Sr、Ba、La和Ce中的至少一种。在本示例性实施方案中， 可W连续沉积第一电子注入层179-1和第二电子注入层179-2。
[0088] 图2中描述的材料也可W适用于图3的示例性实施方案。
[0089] 图4示出显示了根据比较例和示例性实施方案的有机发光装置的效率-光亮度特 性的图。提供比较例和示例性实施方案W突出一个或多个实施方案的特性，但要理解示例 性实施方案不解释为限制所述实施方案的范围，比较例也不解释为在所述实施方案的范围 之外。此外，要理解所述实施方案不限于在示例性实施方案和比较例中描述的特定细节。
[0090] 在图4中，比较例1是其中电子注入层包含孔且厚度为15埃（A)并且第二电 极包含Ag且厚度为90埃（A)的实例。示例性实施方案1是其中电子注入层包含化且 厚度为15埃（A)并且第二电极通过Ag和孔的共沉积而形成的实例。示例性实施方案2 是其中电子注入层包括包含化且厚度为10埃（A)的第一层、和沉积在该第一层上并包 含孔且厚度为10埃（A)的第二层，并且第二电极通过Ag和孔的共沉积而形成的实例。 示例性实施方案3是其中电子注入层包括包含化且厚度为10埃（藻）的第一层、和沉积 在该第一层上并包含孔且厚度为10埃（A )的第二层，并且第二电极通过Ag和化的共 沉积而形成的实例。在示例性实施方案1、2和3中，Ag和孔的体积比为20:1。
[00川参考图4,与比较例1相比，可W确认的是，在示例性实施方案1、示例性实施方案 2和示例性实施方案3中，在大部分的光亮度范围中效率得到改善。
[0092] 表1示出在图4中描述的比较例1、示例性实施方案1、示例性实施方案2和示例 性实施方案3中测量的驱动电压和蓝色元件的效率。
[0093] (表 1)
[0094]
[0095]
[009引 参考表1，可见示例性实施方案1、示例性实施方案2和示例性实施方案3具有与 比较例1相同的驱动特性。在蓝色元件中它们的效率在示例性实施方案1和示例性实施方 案2中改善了约10%，并且在示例性实施方案3中改善了约20%。
[0097] 图5至图8示出图2的有机发光元件的部分改变的示例性实施方案的横截面视 图。
[0098] 参考图5,在根据图2的示例性实施方案的有机发光元件中，可W增加空穴注入层 172。空穴注入层172可W布置在空穴传输层174与第一电极160之间。空穴注入层172 可W用于将空穴从第一电极160平稳地注入空穴传输层174。空穴注入层172可W包含功 函大于4. 3eV的金属和其中将非金属和面素相结合的双极性材料。在其他实施中，空穴注 入层172可W由另一无机材料或有机材料形成。
[0099] 功函为4. 3eV或大于4. 3eV的金属或非金属可W为选自Ag、Au、B、Be、C、Co、Cr、 化、Fe、Hg、Ir、Mo、佩、化、Os、Pd、Pt、Re、化、Ru、Sb、Se、Si、Sn、Ta、Te、Ti、V、W 和化的元 素。
[0100] 图2中描述的材料也可W适用于图5的示例性实施方案。
[0101] 图6示出图5的有机发光元件的部分改变的示例性实施方案的横截面视图。
[0102] 参考图6,在根据部分改变的示例性实施方案的有机发光元件中，电子注入层179 可W由两层形成，与图3的示例性实施方案类似。
[0103] 图3和图5中描述的材料可W适用于图6的示例性实施方案。
[0104] 图7示出部分改变的示例性实施方案的横截面视图。
[0105] 参考图7,可W改变发射层175。在本示例性实施方案中，发射层175可W包括红 色发射层R、绿色发射层G和蓝色发射层B。可W在蓝色发射层B的下端提供辅助层BIL W 改善蓝色发射层B的效率。
[0106] 红色发射层R可W约为30皿至50皿厚，绿色发射层G可W约为10皿至30皿厚， W及蓝色发射层B可W约为10皿至30皿厚。位于蓝色发射层B的下端的辅助层BIL可W 小于约20nm厚。辅助层BIL可W通过控制空穴电荷平衡来改善蓝色发射层B的效率。所 述辅助层BIL可W包含由化学式1表示的化合物：
[0107]
[010引在化学式1中，A1、A2和A3可w独立地为Η、烷基、芳基、巧挫基、二苯并嚷吩基、二 苯并巧喃基值BF) W及联苯基，并且a、b和C可W独立地为0至4的整数。
[0109] 由化学式1表示的化合物的实例可W包括由W下化学式1-1、1-2、1-3、1-4、1-5和 1-6表示的化合物：
[0110]
[0116] 在另一示例性实施方案中，辅助层BIL可W包含由化学式2表示的化合物。
[0117]
[om] 化学式2
[0119] 在化学式2中，a、b和c可W独立地为0至3的整数，X可W选自0、N或S，并且X 可W彼此相同或不同。
[0120] 由化学式2表示的化合物的实例可W包括由W下化学式2-1、2-2、2-3、2-4、2- 5和 2-6表示的化合物：
[0127] 在另一示例性实施方案中，辅助层BIL可W包含由化学式3表示的化合物。
[012 引
[0129] 化学式3
[0130] 在化学式3中，A1可W为烷基、芳基、巧挫基、二苯并嚷吩基或二苯并巧喃基 (DB巧，LI和L2可W分别为
（其中η为Ο至3的整数），并且与LI和L2连接的 DBF可W被巧挫基或二苯并嚷吩基替换。
[0131] 在下文中，将描述根据示例性实施方案的辅助层BIL的构成方法。例如，描述W下 化学式1-1的合成方法。
[0132]
[0133] 合成实施例
[0134] 在氣气氛下，将6. 3g的4-二苯并巧喃棚酸、4. 8g的4, 4'，4"- Ξ漠 Ξ苯胺、104mg 的四（Ξ苯基麟）钮（Pd(PPh3)4)、48ml的碳酸钢（胞2〇)3)溶液（2M)和48ml甲苯放入300ml Ξ颈烧瓶中，并且在80°C下反应8小时。用甲苯/水萃取反应溶液，并且用无水硫酸钢干 燥。将生成物在低压下浓缩，并且通过所获得的粗制产物的柱纯化，获得3. 9g淡黄白色粉 〇
[0135] 参考图7,可W在红色发射层R的下端提供红色共振辅助层R'，并且可W在绿色发 射层G的下端提供绿色共振辅助层G'。运些共振辅助层R'和G'分别是用于调节共振距离 的额外的层。
[0136] 另外，在与红色发射层R和绿色发射层G二者相对应的蓝色发射层B和辅助层BIL 的下端可W不提供额外的共振辅助层。
[0137] 尽管在图7中未例示出，但可W在第一电极160与空穴传输层174之间形成空穴 注入层172,如在图5的示例性实施方案中一样。
[013引除了上述差异外，关于图2描述的材料可W适用于图7的示例性实施方案。 阳13引图S为图7的有机发光元件的部分改变的示例性实施方案的横截面视图。
[0140] 参考图8,在根据图7的部分改变的示例性实施方案的有机发光元件中，电子注入 层179可W由两层形成，与图3的示例性实施方案类似。
[0141] 在图3和图7中描述的材料可W适用于图8的示例性实施方案。
[0142] 通过总结和回顾，普遍的有机发光装置可能具有高驱动电压、高发光亮度、低光亮 度和低发光效率W及短使用寿命。
[0143] 实施方案提供了具有高效率和长使用寿命的有机发光元件，W及包括该有机发光 元件的发光显示器。通过形成包含化的电子注入层，可w提高发射效率。通过在蓝色发射 层的下端形成辅助层，可W提高蓝色发射层的发射效率。
[0144] 本文已经公开了示例实施方案，并且尽管使用具体术语，但它们仅应W上位且描 述性含义来使用和解释，并且不用于限定的目的。在一些情形中，如自提交本申请起本领域 技术人员所显而易见的，对于特定实施方案描述的特征、特性和/或要素可W单独使用或 与对于其他实施方案描述的特征、特性和/或要素组合使用，除非另外具体指明。因此，本 领域技术人员应理解在不背离权利要求所述的其精神和范围的情况下，可W进行形式和细 节的各种改变。
【主权项】
1. 有机发光元件，其包括： 彼此相向的第一电极和第二电极； 在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层；以及 在所述第二电极与所述发射层之间的电子注入层， 其中所述电子注入层包含Ca，并且 所述第二电极包含第一材料和第二材料，所述第一材料包括Ag、Al和Mg中的至少一 种，以及所述第二材料包括Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce中的至少一种。2. 如权利要求1所述的有机发光元件，其中： 所述第二电极形成为共沉积所述第一材料和所述第二材料的单层。3. 如权利要求2所述的有机发光元件，其中： 所述电子注入层包括包含Ca的第一层和在所述第一层与所述第二电极之间布置的第 二层；并且 所述第二层包含Yb、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce中的至少一种。4. 如权利要求3所述的有机发光元件，其中： 所述第二电极形成为共沉积Ag和Yb的单层。5. 如权利要求3所述的有机发光元件，其中： 所述第二电极形成为共沉积Ag和Ca的单层。6. 如权利要求1所述的有机发光元件，其还包括： 在所述发射层与所述电子注入层之间的电子传输层以及在所述发射层与所述第一电 极之间的空穴传输层，所述空穴传输层和所述电子传输层包含有机材料。7. 如权利要求1所述的有机发光元件，其中： 所述发射层包括红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层；以及 辅助层位于所述蓝色发射层的下端。8. 如权利要求7所述的有机发光元件，其中： 所述辅助层包含由化学式1表示的化合物：其中，在化学式1中，AU A2和A3独立地为H、烷基、芳基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯 并呋喃基（DBF)或联苯基，并且a、b和c独立地为O至4的整数。9. 如权利要求7所述的有机发光元件，其中 所述辅助层包含由化学式2表示的化合物：其中，在化学式2中，a、b和c独立地为O至3, X选自0、N或S，并且各个X相同或不 同。10. 有机发光装置，其包括： 衬底； 在所述衬底上的栅极线； 与所述栅极线交叉的数据线和驱动电压线； 与所述栅极线和所述数据线连接的开关薄膜晶体管； 与所述开关薄膜晶体管和所述驱动电压线连接的驱动薄膜晶体管；以及 与所述驱动薄膜晶体管连接的有机发光元件， 其中所述有机发光元件包括： 彼此相向的第一电极和第二电极； 在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层；以及 在所述第二电极与所述发射层之间的电子注入层， 其中： 所述电子注入层包含Ca，并且 所述第二电极包含第一材料和第二材料，所述第一材料包括Ag、Al和Mg中的至少一 种，以及所述第二材料包括Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce中的至少一种。11. 如权利要求10所述的有机发光装置，其中所述第二电极形成为共沉积所述第一材 料和所述第二材料的单层。12. 如权利要求11所述的有机发光装置，其中： 所述电子注入层包括包含Ca的第一层和在所述第一层与所述第二电极之间的第二 层；并且 所述第二层包含Yb、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce中的至少一种。13. 如权利要求12所述的有机发光装置，其中： 所述第二电极形成为共沉积Ag和Yb的单层。14. 如权利要求12所述的有机发光装置，其中： 所述第二电极形成为共沉积Ag和Ca的单层。15. 如权利要求10所述的有机发光装置，其还包括： 在所述发射层与所述电子注入层之间的电子传输层以及在所述发射层与所述第一电 极之间的空穴传输层，并且 所述空穴传输层和所述电子传输层包含有机材料。16. 如权利要求10所述的有机发光装置，其中： 所述发射层包括红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层；以及 辅助层位于所述蓝色发射层的下端。17. 如权利要求16所述的有机发光装置，其中： 所述辅助层包含由化学式1表示的化合物：其中，在化学式1中，AU A2和A3独立地为H、烷基、芳基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯 并呋喃基（DBF)或联苯基，并且a、b和c独立地为O至4的整数。18.如权利要求16所述的有机发光装置，其中： 所述辅助层包含由化学式2表示的化合物：其中，在化学式2中，a、b和c独立地为O至3的整数，X选自0、N或S，并且各个X相 同或不同。
【专利摘要】本申请涉及有机发光元件以及包含该有机发光元件的有机发光装置。所述有机发光元件包括：彼此相向的第一电极和第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间提供的发射层；以及在所述第二电极与所述发射层之间提供的电子注入层，其中所述电子注入层包含Ca，并且所述第二电极包含第一材料和第二材料，所述第一材料包括Ag、Al和Mg中的至少一种，以及所述第二材料包括Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce中的至少一种。
【IPC分类】H01L51/54, H01L51/50, H01L27/32
【公开号】CN105489779
【申请号】CN201510613719
【发明人】金应道, 金东赞, 金元钟, 徐东揆, 林多慧, 任相薰
【申请人】三星显示有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年9月23日
【公告号】US20160099431
【技术领域】
[0001] 实施方案设及有机发光元件W及包含该有机发光元件的有机发光装置。
【背景技术】
[0002] 近来，由于液晶显示器化CD)已取代阴极射线管（CRT)显示器，因而监视器和电视 机设备已变得更薄且更轻。然而，LCD需要额外的背光，运是因为LCD是被动式发光装置。 此外，LCD在响应速度和视角方面存在问题。
[0003] 作为能够克服上述局限性的显示装置，有机发光装置已受到很大关注，有机发光 装置为具有广视角、优异对比度和快速响应时间优势的自发射显示元件。
[0004] 有机发光装置包括用于发光的有机发光元件，并且有机发光元件通过从一个电极 注入的电子与从另一电极注入的空穴在发射层中结合而形成激子，并且激子发射能量，从 而发光。
【发明内容】
[0005] 实施方案设及有机发光元件，其包括彼此相向的第一电极和第二电极、在所述第 一电极与所述第二电极之间的发射层、W及在所述第二电极与所述发射层之间的电子注入 层。所述电子注入层包含化。所述第二电极包含第一材料和第二材料，所述第一材料包括 Ag、Al和Mg中的至少一种，所述第二材料包括孔、〔曰、5111、611、化、51'、13曰、1^曰和〔6中的至少 一种。
[0006] 所述第二电极可W形成为共沉积所述第一材料和所述第二材料的单层。
[0007] 所述电子注入层可W包括包含化的第一层和在所述第一层与所述第二电极之间 布置的第二层。所述第二层可W包含孔、Sm、Eu、化、Sr、Ba、La和Ce中的至少一种。
[0008] 所述第二电极可W形成为共沉积Ag和孔的单层。
[0009] 所述第二电极可W形成为共沉积Ag和化的单层。
[0010] 所述有机发光元件还可W包括在所述发射层与所述电子注入层之间的电子传输 层W及在所述发射层与所述第一电极之间的空穴传输层，所述空穴传输层和所述电子传输 层包含有机材料。
[0011] 所述发射层可W包括红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层。辅助层可W位于所 述蓝色发射层的下端。
[0012] 所述辅助层可W包含由化学式1表示的化合物：
[0013]
[0014] 其中，在化学式1中，A1、A2和A3独立地为Η、烷基、芳基、巧挫基、二苯并嚷吩基、 二苯并巧喃基值Β巧或联苯基，并且a、b和C独立地为0至4的整数。
[0015] 所述辅助层可W包含由化学式2表示的化合物：
[0016]
[0017] 化学式2
[001引其中，在化学式2中，a、b和C独立地为0至3, X选自0、N或S，并且X各自相同 或不同。
[0019] 实施方案还设及有机发光装置，其包括衬底、在所述衬底上的栅极线、与所述栅极 线交叉的数据线和驱动电压线、与所述栅极线和所述数据线连接的开关薄膜晶体管、与所 述开关薄膜晶体管和所述驱动电压线连接的驱动薄膜晶体管、W及与所述驱动薄膜晶体管 连接的有机发光元件。所述有机发光元件包括彼此相向的第一电极和第二电极、在所述第 一电极与所述第二电极之间的发射层、W及在所述第二电极与所述发射层之间的电子注入 层。所述电子注入层包含化。所述第二电极包含第一材料和第二材料，所述第一材料包括 Ag、Al和Mg中的至少一种，所述第二材料包括孔、〔曰、5111、611、化、51'、13曰、1^曰和〔6中的至少 一种。
[0020] 所述第二电极可W形成为共沉积所述第一材料和所述第二材料的单层。
[0021] 所述电子注入层可W包括包含化的第一层和在所述第一层与所述第二电极之间 的第二层。所述第二层可W包含孔、Sm、Eu、化、Sr、Ba、La和Ce中的至少一种。
[0022] 所述第二电极可W形成为共沉积Ag和孔的单层。
[0023] 所述第二电极可W形成为共沉积Ag和化的单层。
[0024] 所述有机发光装置还可W包括在所述发射层与所述电子注入层之间的电子传输 层W及在所述发射层与所述第一电极之间的空穴传输层。所述空穴传输层和所述电子传输 层可W包含有机材料。
[00巧]所述发射层可W包括红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层。辅助层可W位于所 述蓝色发射层的下端。
[0026] 所述辅助层可W包含由化学式1表示的化合物：
[0027]
[0028] 其中，在化学式1中，A1、A2和A3独立地为H、烷基、芳基、巧挫基、二苯并嚷吩基、 二苯并巧喃基值B巧或联苯基，并且a、b和C独立地为0至4的整数。
[0029] 所述辅助层可W包含由化学式2表示的化合物：
[0030]
[00引]化学式2
[003引其中，在化学式2中，a、b和C独立地为0至3的整数，X选自0、N或S，并且X各 自相同或不同。
【附图说明】
[0033] 参考附图，通过详细描述示例性实施方案，特征对于本领域技术人员而言会变得 显而易见，其中：
[0034] 图1示出根据示例性实施方案的有机发光装置的横截面视图。
[0035] 图2示出图1的有机发光装置的放大的横截面视图。
[0036] 图3示出图2的有机发光元件的部分改变的示例性实施方案的横截面视图。
[0037] 图4示出显示根据示例性实施方案的有机发光装置的效率-光亮度特性的图。
[0038] 图5至图8示出图2的有机发光元件的部分改变的示例性实施方案的横截面视 图。
【具体实施方式】
[0039] 现在将参考附图在下文中更全面地描述示例实施方案；然而，它们可不同的 形式实施，并且不应解释为局限于本文所述的实施方案。相反，提供运些实施方案，W使得 本公开将全面和完整，并且将向本领域技术人员完整地表达示例性实施。
[0040] 在附图中，为了例示清楚，可W放大层和区域的尺寸。还应理解，当层或要素被称 为在另一层或衬底"上"时，其可直接在另一层或衬底上，或还可W存在中介层。此外，还应 理解，当层被称为在两个层"之间"时，其可W为所述两个层之间的唯一的层，或还可W存在 一个或多个中介层。全文中相同的参考数字指代相同的要素。
[0041] 本文中，烷基可W是指由直链或支链的Ci-Cw饱和控衍生的单价取代基。在某些实 施方案中，烷基可W是C1-C2。烷基。在某些实施方案中，烷基可W是C 1、C2、C3、C4、Cg、Ce、C,、 Cs、Cg、Cl。、C。、C12、C。、。4、。5、。6、Cig或C 2。烷基。在某些实施方案中，烷基可W是 Ci-Ci。烷基。在某些实施方案中，烷基可W是Ci-Ce烷基。烷基的非限制性实例包括甲基、乙 基、丙基、下基、异下基、仲下基、叔下基、戊基、异戊基、新戊基、己基等。
[0042] 本文中，芳基可W是指由具有至少一个芳环的仅由碳和氨组成的Ce-Cw芳香族不 饱和控衍生的单价取代基。当芳基包含两个或更多个环时，所述环可W经由单键彼此连接 或可W彼此稠合。在某些实施方案中，芳基可W是Ce-Cw芳基。在某些实施方案中，芳基可 W是Ce-Cis芳基。在某些实施方案中，芳基可W是Ce-Ci。芳基。芳基的非限制性实例包括苯 基、糞基、菲基、蔥基、奧基、蔵基、巧蔥基、巧基、不对称引达省基、对称引达省基、巧满基、 巧基、巧基和Ξ亚苯基。
[0043] 图1示出根据示例性实施方案的有机发光装置的横截面视图。图2为示出图1的 有机发光装置的放大的横截面视图。
[0044] 参考图1和图2,根据示例性实施方案的有机发光装置包括衬底123、驱动薄膜晶 体管130、第一电极160、发光元件层170和第二电极180。第一电极160可W为阳极，并且 第二电极180可W为阴极，或者第一电极160可W为阴极，并且第二电极180可W为阳极。
[0045] 衬底123可W由诸如玻璃的无机材料、诸如聚碳酸醋、聚甲基丙締酸甲醋、聚对苯 二甲酸乙二醇醋、聚糞二甲酸乙二醇醋、聚酷胺和聚酸讽的有机材料、或其组合物、或娃片 制成。
[0046] 衬底缓冲层126可W布置在衬底123上。衬底缓冲层126可W防止杂质渗透并可 W使表面平整化。 [0047] 衬底缓冲层126可W由能够执行上述功能的合适的材料制成。例如，衬底缓冲层 126可W为娃氮化物（SiNy)膜、娃氧化物（SiOy)膜和娃氮氧化物（SiOyNy)膜中的任一种。 在一些实施中，可W根据衬底123的类型和加工条件省略衬底缓冲层126。
[0048] 可W在衬底缓冲层126上形成驱动半导体层137。驱动半导体层137可W由包括 多晶娃的材料制成。驱动半导体层137可W包括未渗杂有杂质的通道区135, W及通过在通 道区135的两侧渗杂离子材料而形成的源区134和漏区136。渗杂的离子材料可W为P型 杂质。例如，可W使用棚度）或B2&。杂质可W取决于薄膜晶体管的类型。
[0049] 可W在驱动半导体层137上布置由娃氮化物（SiNx)或娃氧化物（Si〇x)制成的栅 极绝缘层127。可W在栅极绝缘层127上布置包括驱动栅电极133的栅极布线。驱动栅电 极133可W与至少一部分的驱动半导体层137 (尤其是通道区135)重叠。
[0050] 可W在栅极绝缘层127上形成覆盖驱动栅电极133的层间绝缘层128。可W在栅 极绝缘层127和层间绝缘层128中形成暴露驱动半导体层137的源区134和漏区136的第 一接触孔122a和第二接触孔12化。与栅极绝缘层127类似，层间绝缘层128可W由娃氮化 物（SiN,)或娃氧化物（SiO,)制成。
[0051] 可W在层间绝缘层128上布置包括驱动源电极131和驱动漏电极132的数据布 线。驱动源电极131和驱动漏电极132可W分别通过在层间绝缘层128和栅极绝缘层127 中形成的第一接触孔122a和第二接触孔12化而连接至驱动半导体层137的源区134和漏 区 136。
[0052] 可W由驱动半导体层137、驱动栅电极133、驱动源电极131和驱动漏电极132形 成驱动薄膜晶体管130。可多种合适的方式改变驱动薄膜晶体管130的构造。
[0053] 可W在层间绝缘层128上形成覆盖数据布线的平整层124。平整层124可W通过 去除阶梯而使表面平整化，从而增加将在其上形成的有机发光元件的发射效率。平整层124 可W具有暴露一部分驱动漏电极132的第Ξ接触孔122c。
[0054] 平整层124可W由例如聚丙締酸醋树脂、环氧树脂、酪醒树脂、聚酷胺树脂、聚酷 亚胺树脂、不饱和聚醋树脂、聚苯酸树脂、聚苯硫酸树脂和苯并环下締度CB)中的至少一种 制成。
[00巧]在一些实施中，可W省略平整层124和层间绝缘层128中的任一层。
[0056] 可W在平整层124上布置有机发光元件的第一电极160,例如，像素电极。有机发 光显示装置可W包括分别在多个像素中布置的多个像素电极。多个第一电极160可W彼此 相间隔。第一电极160可W通过平整层124的第Ξ接触孔122c而连接至驱动漏电极132。
[0057] 可W在平整层124上布置具有暴露第一电极160的开口的像素限定层125。可W 在像素限定层125中形成分别对应于像素的多个开口。可W在像素限定层125中形成的每 一个开口中布置发光元件层170。因此，可W通过在像素限定层125中形成的开口来限定其 中形成发光元件层170的像素区。
[0058] 每个第一电极160可W被布置为对应于像素限定层125的开口。在一些实施中， 第一电极160可W被布置为不只是对应于像素限定层125的开口。例如，一部分的第一电 极160可W布置在像素限定层125之下，W与像素限定层125重叠。
[0059] 像素限定层125可W由基于聚丙締酸的树脂、基于聚酷亚胺的树脂或基于娃的无 机材料制成。
[0060] 发光元件层170布置在第一电极160上。下文将详细地描述发光元件层170的结 构。
[0061] 可W在发光元件层170上布置第二电极180,其可W为公共电极。因此，可W形成 包括第一电极160、发光元件层170和第二电极180的有机发光元件LD。
[0062] 第一电极160和第二电极180可W由透明导电材料或者半透明或反射导电材料制 成。有机发光显示装置可W为顶部发射型、底部发射型或双侧发射型，运取决于第一电极 160和第二电极180的材料。
[0063] 根据示例性实施方案的有机发光元件中包括的第二电极180(其可W为例如公共 电极）可W包含第一材料和第二材料，所述第一材料包括Ag、A1和Mg中的至少一种，所述 第二材料包括孔、Ca、Sm、Eu、化、Sr、Ba、La和Ce中的至少一种。例如，第二电极180可W 形成为共沉积所述第一材料和所述第二材料的单层。
[0064] 可W在第二电极180上由有机层形成覆盖并保护第二电极180的覆盖层190。
[0065] 可W在覆盖层190上形成薄膜密封层121。薄膜密封层121可W密封并保护有机 发光元件LD和在衬底123上形成的驱动电路W使其免受外部影响。
[0066] 薄膜密封层121可W包括交替堆叠的有机密封层121a和121c W及无机密封层 12化和121d。例如，在图1中，可W通过逐个地交替堆叠两个有机密封层121a和121c W 及两个无机密封层12化和121d来形成薄膜密封层121。
[0067] 在下文中，将参考图2描述根据示例性实施方案的有机发光元件。
[006引参考图2,根据示例性实施方案的有机发光元件（包括图1中的X部分）可W具有 其中依次堆叠第一电极160、空穴传输层174、发射层175、电子传输层177、电子注入层179 和第二电极180的结构。
[0069] 当第一电极160为阳极时，为了易于空穴注入，可W选择选自具有高功函的材料 的材料。第一电极160可W为透明电极或不透明电极。当第一电极160为透明电极时，第 一电极160可W由导电氧化物、例如氧化铜锡（ΙΤΟ)、氧化铜锋（IZO)、氧化锡（Sn〇2)、氧化 锋狂nO)或它们的组合、或诸如侣、银和儀的金属制成，并具有小厚度。当第一电极160为 不透明电极时，第一电极160可W由诸如侣、银或儀的金属制成。
[0070] 第一电极160可W形成为两层或多于两层的结构，所述结构包括不同类型的材 料。例如，第一电极160可W形成为具有其中依次堆叠氧化铜锡（IT0)/银（Ag)/氧化铜锡 (IT0)的结构。
[0071] 可W通过瓣射或真空沉积形成第一电极160。
[0072] 可W在第一电极160上布置空穴传输层174。空穴传输层174可W用于平稳地 传输从空穴注入层172传送的空穴。空穴传输层174可W包含有机材料。例如，空穴传输 层174可W包含NPD(N，N' -二糞基-N，N' -二苯基联苯胺）、TPD(N，N' -双-(3-甲基苯 基）-N，N' -双-(苯基）-联苯胺）、S-TAD、MTDATA(4,4'，4"-Ξ (N-3-甲基苯基-N-苯 基-氨基）-Ξ苯胺）等。
[0073] 空穴传输层174的厚度可W为约15nm至约25皿。例如，空穴传输层174的厚度可 W为约20nm。可W在空穴传输层174中包含空穴注入材料作为对空穴传输层174的改变， 并且因此空穴传输/注入层可W形成为单层。
[0074] 可W在空穴传输层174上布置发射层175。发射层175可W包括表现出特定颜色 的发射材料。例如，发射层175可W显示基本色，例如蓝色、绿色或红色，或其组合。
[00巧]发射层175的厚度可W为约10皿至约50皿。发射层175可W包含主体和渗杂剂。 发射层175可W包含发射红光、绿光、蓝光或白光的材料，并且可W使用憐光材料或巧光材 料形成。
[0076] 当发射层175发射红光时，发射层175可W包含包括CBP(巧挫联苯）或 mCP(l，3-双（巧挫-9-基）苯）的主体材料，并且可W包含憐光材料或巧光材料，所述憐光 材料包括选自PIQIr (acac)(双（1-苯基异哇嘟）乙酷丙酬银）、PQIr (acac)(双（1-苯基 哇嘟）乙酷丙酬银）、PQIr ( Ξ (1-苯基哇嘟）银）和PtOEP (八乙基化嘟销）中的至少一 种，所述巧光材料包括PBD:化值BM) 3 (Phen)或二糞嵌苯。
[0077] 当发射层175发射绿光时，发射层175可W包含包括CBP或mCP的主 体材料，并 且可W包含含有渗杂剂材料的憐光材料或巧光材料，所述含有渗杂剂材料的憐光材料包括 Ir (ppy) 3 (面式（fac) - Ξ (2-苯基化晚）银），所述巧光材料包括A1q3 ( Ξ (8-径基哇嘟） 侣）。
[0078] 当发射层175发射蓝光时，所述发射层175可W包含包括CBP或mCP的 主体材料，并且可W包含含有渗杂剂的憐光材料，所述含有渗杂剂的憐光材料包括 (4, 6-F化py)zirpic。在一些实施中，发射层175可W由巧光材料制成，所述巧光材料包括 选自螺-DPVBi、螺-6P、联苯乙締基苯值SB)、联苯乙締基亚芳基（distyiyla巧lene，DSA)、 基于PF0的聚合物和基于PPV的聚合物中的至少一种。
[0079] 可W在发射层175上布置电子传输层177。电子传输层177可朗尋电子从第二电 极180传输至发射层175。此外，电子传输层177可W防止从第一电极160注入的空穴通过 发射层175而移动至第二电极180。电子传输层177可W通过起空穴阻挡层的作用而有助 于空穴和电子在发射层175中的结合。
[0080] 电子传输层177可W包含有机材料。例如，电子传输层177可W包含选自A1q3(^ (8-径基哇嘟）侣）、PBD、TAZ、螺-P抓、BAlq和SAlq中的任一种或多种。
[0081] 可W在电子传输层177上布置电子注入层179。电子注入层179可W用于使从第 二电极180到电子传输层177的电子注入变得平稳。在本示例性实施方案中，电子注入层 179可W包含Ca。
[0082] 在本示例性实施方案中，电子注入层179的厚度经考虑到加工余量可W具有约5 埃（A)的最小值，并且经考虑到发挥电子注入层的功能的难度可W具有约50埃（A)的 最大值。由此，其范围可W为约5埃（A)至约50埃（A)。例如，电子注入层的厚度可W 为约10埃（1)至约20埃（1)。
[0083] 可W在电子注入层179上布置第二电极180。第二电极180可W为有机发光装置 的公共电极，其可W包含第一材料和第二材料，所述第一材料包括Ag、A1和Mg中的至少一 种，所述第二材料包括孔、Ca、Sm、Eu、化、Sr、Ba、La和Ce中的至少一种。例如，第二电极 180可W通过将所述第一材料和所述第二材料共沉积到一层中而形成。在一些实施中，第二 电极180可W通过共沉积Ag和孔，或者Ag和化而形成。第二电极的厚度可W为约90埃 (Λ)。
[0084] 当通过所述第一材料和所述第二材料的共沉积形成所述第二电极180时，所述第 一材料与所述第二材料的体积比可W为约20:1。
[0085] 第二电极180可W形成为两层或多于两层。
[0086] 图3示出基于图2的有机发光元件的部分改变的实施方案的横截面视图。
[0087] 参考图3,在有机发光元件中，电子注入层179可W形成为两层。在图3中示出 的示例性实施方案中，电子注入层179可W包括第一电子注入层179-1和第二电子注入层 179-2。第一电子注入层179-1可W包含诸如化的具有低功函的材料，并且第二电子注入 层179-2可W包含孔、Sm、Eu、化、Sr、Ba、La和Ce中的至少一种。在本示例性实施方案中， 可W连续沉积第一电子注入层179-1和第二电子注入层179-2。
[0088] 图2中描述的材料也可W适用于图3的示例性实施方案。
[0089] 图4示出显示了根据比较例和示例性实施方案的有机发光装置的效率-光亮度特 性的图。提供比较例和示例性实施方案W突出一个或多个实施方案的特性，但要理解示例 性实施方案不解释为限制所述实施方案的范围，比较例也不解释为在所述实施方案的范围 之外。此外，要理解所述实施方案不限于在示例性实施方案和比较例中描述的特定细节。
[0090] 在图4中，比较例1是其中电子注入层包含孔且厚度为15埃（A)并且第二电 极包含Ag且厚度为90埃（A)的实例。示例性实施方案1是其中电子注入层包含化且 厚度为15埃（A)并且第二电极通过Ag和孔的共沉积而形成的实例。示例性实施方案2 是其中电子注入层包括包含化且厚度为10埃（A)的第一层、和沉积在该第一层上并包 含孔且厚度为10埃（A)的第二层，并且第二电极通过Ag和孔的共沉积而形成的实例。 示例性实施方案3是其中电子注入层包括包含化且厚度为10埃（藻）的第一层、和沉积 在该第一层上并包含孔且厚度为10埃（A )的第二层，并且第二电极通过Ag和化的共 沉积而形成的实例。在示例性实施方案1、2和3中，Ag和孔的体积比为20:1。
[00川参考图4,与比较例1相比，可W确认的是，在示例性实施方案1、示例性实施方案 2和示例性实施方案3中，在大部分的光亮度范围中效率得到改善。
[0092] 表1示出在图4中描述的比较例1、示例性实施方案1、示例性实施方案2和示例 性实施方案3中测量的驱动电压和蓝色元件的效率。
[0093] (表 1)
[0094]
[0095]
[009引 参考表1，可见示例性实施方案1、示例性实施方案2和示例性实施方案3具有与 比较例1相同的驱动特性。在蓝色元件中它们的效率在示例性实施方案1和示例性实施方 案2中改善了约10%，并且在示例性实施方案3中改善了约20%。
[0097] 图5至图8示出图2的有机发光元件的部分改变的示例性实施方案的横截面视 图。
[0098] 参考图5,在根据图2的示例性实施方案的有机发光元件中，可W增加空穴注入层 172。空穴注入层172可W布置在空穴传输层174与第一电极160之间。空穴注入层172 可W用于将空穴从第一电极160平稳地注入空穴传输层174。空穴注入层172可W包含功 函大于4. 3eV的金属和其中将非金属和面素相结合的双极性材料。在其他实施中，空穴注 入层172可W由另一无机材料或有机材料形成。
[0099] 功函为4. 3eV或大于4. 3eV的金属或非金属可W为选自Ag、Au、B、Be、C、Co、Cr、 化、Fe、Hg、Ir、Mo、佩、化、Os、Pd、Pt、Re、化、Ru、Sb、Se、Si、Sn、Ta、Te、Ti、V、W 和化的元 素。
[0100] 图2中描述的材料也可W适用于图5的示例性实施方案。
[0101] 图6示出图5的有机发光元件的部分改变的示例性实施方案的横截面视图。
[0102] 参考图6,在根据部分改变的示例性实施方案的有机发光元件中，电子注入层179 可W由两层形成，与图3的示例性实施方案类似。
[0103] 图3和图5中描述的材料可W适用于图6的示例性实施方案。
[0104] 图7示出部分改变的示例性实施方案的横截面视图。
[0105] 参考图7,可W改变发射层175。在本示例性实施方案中，发射层175可W包括红 色发射层R、绿色发射层G和蓝色发射层B。可W在蓝色发射层B的下端提供辅助层BIL W 改善蓝色发射层B的效率。
[0106] 红色发射层R可W约为30皿至50皿厚，绿色发射层G可W约为10皿至30皿厚， W及蓝色发射层B可W约为10皿至30皿厚。位于蓝色发射层B的下端的辅助层BIL可W 小于约20nm厚。辅助层BIL可W通过控制空穴电荷平衡来改善蓝色发射层B的效率。所 述辅助层BIL可W包含由化学式1表示的化合物：
[0107]
[010引在化学式1中，A1、A2和A3可w独立地为Η、烷基、芳基、巧挫基、二苯并嚷吩基、二 苯并巧喃基值BF) W及联苯基，并且a、b和C可W独立地为0至4的整数。
[0109] 由化学式1表示的化合物的实例可W包括由W下化学式1-1、1-2、1-3、1-4、1-5和 1-6表示的化合物：
[0110]
[0116] 在另一示例性实施方案中，辅助层BIL可W包含由化学式2表示的化合物。
[0117]
[om] 化学式2
[0119] 在化学式2中，a、b和c可W独立地为0至3的整数，X可W选自0、N或S，并且X 可W彼此相同或不同。
[0120] 由化学式2表示的化合物的实例可W包括由W下化学式2-1、2-2、2-3、2-4、2- 5和 2-6表示的化合物：
[0127] 在另一示例性实施方案中，辅助层BIL可W包含由化学式3表示的化合物。
[012 引
[0129] 化学式3
[0130] 在化学式3中，A1可W为烷基、芳基、巧挫基、二苯并嚷吩基或二苯并巧喃基 (DB巧，LI和L2可W分别为
（其中η为Ο至3的整数），并且与LI和L2连接的 DBF可W被巧挫基或二苯并嚷吩基替换。
[0131] 在下文中，将描述根据示例性实施方案的辅助层BIL的构成方法。例如，描述W下 化学式1-1的合成方法。
[0132]
[0133] 合成实施例
[0134] 在氣气氛下，将6. 3g的4-二苯并巧喃棚酸、4. 8g的4, 4'，4"- Ξ漠 Ξ苯胺、104mg 的四（Ξ苯基麟）钮（Pd(PPh3)4)、48ml的碳酸钢（胞2〇)3)溶液（2M)和48ml甲苯放入300ml Ξ颈烧瓶中，并且在80°C下反应8小时。用甲苯/水萃取反应溶液，并且用无水硫酸钢干 燥。将生成物在低压下浓缩，并且通过所获得的粗制产物的柱纯化，获得3. 9g淡黄白色粉 〇
[0135] 参考图7,可W在红色发射层R的下端提供红色共振辅助层R'，并且可W在绿色发 射层G的下端提供绿色共振辅助层G'。运些共振辅助层R'和G'分别是用于调节共振距离 的额外的层。
[0136] 另外，在与红色发射层R和绿色发射层G二者相对应的蓝色发射层B和辅助层BIL 的下端可W不提供额外的共振辅助层。
[0137] 尽管在图7中未例示出，但可W在第一电极160与空穴传输层174之间形成空穴 注入层172,如在图5的示例性实施方案中一样。
[013引除了上述差异外，关于图2描述的材料可W适用于图7的示例性实施方案。 阳13引图S为图7的有机发光元件的部分改变的示例性实施方案的横截面视图。
[0140] 参考图8,在根据图7的部分改变的示例性实施方案的有机发光元件中，电子注入 层179可W由两层形成，与图3的示例性实施方案类似。
[0141] 在图3和图7中描述的材料可W适用于图8的示例性实施方案。
[0142] 通过总结和回顾，普遍的有机发光装置可能具有高驱动电压、高发光亮度、低光亮 度和低发光效率W及短使用寿命。
[0143] 实施方案提供了具有高效率和长使用寿命的有机发光元件，W及包括该有机发光 元件的发光显示器。通过形成包含化的电子注入层，可w提高发射效率。通过在蓝色发射 层的下端形成辅助层，可W提高蓝色发射层的发射效率。
[0144] 本文已经公开了示例实施方案，并且尽管使用具体术语，但它们仅应W上位且描 述性含义来使用和解释，并且不用于限定的目的。在一些情形中，如自提交本申请起本领域 技术人员所显而易见的，对于特定实施方案描述的特征、特性和/或要素可W单独使用或 与对于其他实施方案描述的特征、特性和/或要素组合使用，除非另外具体指明。因此，本 领域技术人员应理解在不背离权利要求所述的其精神和范围的情况下，可W进行形式和细 节的各种改变。
【主权项】
1. 有机发光元件，其包括： 彼此相向的第一电极和第二电极； 在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层；以及 在所述第二电极与所述发射层之间的电子注入层， 其中所述电子注入层包含Ca，并且 所述第二电极包含第一材料和第二材料，所述第一材料包括Ag、Al和Mg中的至少一 种，以及所述第二材料包括Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce中的至少一种。2. 如权利要求1所述的有机发光元件，其中： 所述第二电极形成为共沉积所述第一材料和所述第二材料的单层。3. 如权利要求2所述的有机发光元件，其中： 所述电子注入层包括包含Ca的第一层和在所述第一层与所述第二电极之间布置的第 二层；并且 所述第二层包含Yb、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce中的至少一种。4. 如权利要求3所述的有机发光元件，其中： 所述第二电极形成为共沉积Ag和Yb的单层。5. 如权利要求3所述的有机发光元件，其中： 所述第二电极形成为共沉积Ag和Ca的单层。6. 如权利要求1所述的有机发光元件，其还包括： 在所述发射层与所述电子注入层之间的电子传输层以及在所述发射层与所述第一电 极之间的空穴传输层，所述空穴传输层和所述电子传输层包含有机材料。7. 如权利要求1所述的有机发光元件，其中： 所述发射层包括红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层；以及 辅助层位于所述蓝色发射层的下端。8. 如权利要求7所述的有机发光元件，其中： 所述辅助层包含由化学式1表示的化合物：其中，在化学式1中，AU A2和A3独立地为H、烷基、芳基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯 并呋喃基（DBF)或联苯基，并且a、b和c独立地为O至4的整数。9. 如权利要求7所述的有机发光元件，其中 所述辅助层包含由化学式2表示的化合物：其中，在化学式2中，a、b和c独立地为O至3, X选自0、N或S，并且各个X相同或不 同。10. 有机发光装置，其包括： 衬底； 在所述衬底上的栅极线； 与所述栅极线交叉的数据线和驱动电压线； 与所述栅极线和所述数据线连接的开关薄膜晶体管； 与所述开关薄膜晶体管和所述驱动电压线连接的驱动薄膜晶体管；以及 与所述驱动薄膜晶体管连接的有机发光元件， 其中所述有机发光元件包括： 彼此相向的第一电极和第二电极； 在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层；以及 在所述第二电极与所述发射层之间的电子注入层， 其中： 所述电子注入层包含Ca，并且 所述第二电极包含第一材料和第二材料，所述第一材料包括Ag、Al和Mg中的至少一 种，以及所述第二材料包括Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce中的至少一种。11. 如权利要求10所述的有机发光装置，其中所述第二电极形成为共沉积所述第一材 料和所述第二材料的单层。12. 如权利要求11所述的有机发光装置，其中： 所述电子注入层包括包含Ca的第一层和在所述第一层与所述第二电极之间的第二 层；并且 所述第二层包含Yb、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce中的至少一种。13. 如权利要求12所述的有机发光装置，其中： 所述第二电极形成为共沉积Ag和Yb的单层。14. 如权利要求12所述的有机发光装置，其中： 所述第二电极形成为共沉积Ag和Ca的单层。15. 如权利要求10所述的有机发光装置，其还包括： 在所述发射层与所述电子注入层之间的电子传输层以及在所述发射层与所述第一电 极之间的空穴传输层，并且 所述空穴传输层和所述电子传输层包含有机材料。16. 如权利要求10所述的有机发光装置，其中： 所述发射层包括红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层；以及 辅助层位于所述蓝色发射层的下端。17. 如权利要求16所述的有机发光装置，其中： 所述辅助层包含由化学式1表示的化合物：其中，在化学式1中，AU A2和A3独立地为H、烷基、芳基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯 并呋喃基（DBF)或联苯基，并且a、b和c独立地为O至4的整数。18.如权利要求16所述的有机发光装置，其中： 所述辅助层包含由化学式2表示的化合物：其中，在化学式2中，a、b和c独立地为O至3的整数，X选自0、N或S，并且各个X相 同或不同。
【专利摘要】本申请涉及有机发光元件以及包含该有机发光元件的有机发光装置。所述有机发光元件包括：彼此相向的第一电极和第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间提供的发射层；以及在所述第二电极与所述发射层之间提供的电子注入层，其中所述电子注入层包含Ca，并且所述第二电极包含第一材料和第二材料，所述第一材料包括Ag、Al和Mg中的至少一种，以及所述第二材料包括Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce中的至少一种。
【IPC分类】H01L51/54, H01L51/50, H01L27/32
【公开号】CN105489779
【申请号】CN201510613719
【发明人】金应道, 金东赞, 金元钟, 徐东揆, 林多慧, 任相薰
【申请人】三星显示有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年9月23日
【公告号】US20160099431
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