降低hid电磁干扰的电路结构的制作方法
降低hid电磁干扰的电路结构的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种电路结构，尤其涉及一种降低HID电磁干扰的电路结构。
【背景技术】
[0002]随着电气、电子设备的大量应用，电磁波无处不在，无时不有，它们对于电子设备而言都是潜在的干扰源。一些电器、电子设备工作时所产生的电磁波，容易对周围的其他电气、电子设备形成电磁干扰，引发故障或者影响信号的传输。另外，过度的电磁干扰会形成电磁污染，危害人们的身体健康，破坏生态平衡。
[0003]因此，针对上述问题，有必要提出进一步的解决方案。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种降低HID电磁干扰的电路结构，以克服现有技术中存在的不足。
[0005]为实现上述发明目的，本发明的提供一种降低HID电磁干扰的电路结构，其包括电性连接的:EMC滤波电路、PFC电路、DC/AC变换电路以及LC谐振电路；
[0006]所述EMC滤波电路位于所述PFC电路的上游；
[0007]所述PFC电路位于所述DC/AC变换电路的上游，所述PFC电路上设置有第一覆铜区域，所述第一覆铜区域覆盖所述PFC电路中高频开关特性区域；
[0008]所述DC/AC变换电路位于所述LC谐振电路的上游，所述DC/AC变换电路上设置有第二覆铜区域，所述第二覆铜区域覆盖所述DC/AC变换电路中高频开关特性区域；
[0009]所述LC谐振电路上设置有第三覆铜区域，所述第三覆铜区域覆盖所述LC谐振电路中尚频开关特性区域。
[0010]作为本发明的降低HID电磁干扰的电路结构的改进，所述EMC滤波电路包括EMC滤波器。
[0011]作为本发明的降低HID电磁干扰的电路结构的改进，所述第一覆铜区域覆盖所述PFC电路中PFC电感、快恢复二极管、两个M0S的高频开关特性区域。
[0012]作为本发明的降低HID电磁干扰的电路结构的改进，所述PFC电路还包括PFC控制器。
[0013]作为本发明的降低HID电磁干扰的电路结构的改进，所述PFC控制器的型号为UCC28061。
[0014]作为本发明的降低HID电磁干扰的电路结构的改进，所述DC/AC变换电路包括DC/AC变换器。
[0015]作为本发明的降低HID电磁干扰的电路结构的改进，所述DC/AC变换器可输出20KHZ-200KHZ的高频交流电源。
[0016]作为本发明的降低HID电磁干扰的电路结构的改进，所述LC谐振电路包括电容器和高频电感。
[0017]作为本发明的降低HID电磁干扰的电路结构的改进，所述第一覆铜区域、第二覆铜区域、第三覆铜区域接地设置。
[0018]与现有技术相比，本发明的有益效果是:本发明的降低HID电磁干扰的电路结构通过覆铜改变了电路的空间电磁场走向，使得交变的场穿透相应PCB折射到机壳上面影响减小。从而，减小了通过外壳串扰到输入端，减小电磁干扰。另外发明人惊奇地发现，本发明的降低HID电磁干扰的电路结构使得电感的电流由谐波很大变为谐波很小。
【附图说明】
[0019]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本发明的降低HID电磁干扰的电路结构的工作原理示意图；
[0021]图2为本发明的降低HID电磁干扰的电路中PFC电路的电路图；
[0022]图3为利用频谱分析仪对覆铜前的电流谐波进行测试，得到的电流谐波图；
[0023]图4为利用频谱分析仪对覆铜后的电流谐波进行测试，得到的电流谐波图；
[0024]图5为本发明的降低HID电磁干扰的电路中DC/AC变换电路的电路图；
[0025 ]图6为本发明的降低HID电磁干扰的电路中LC谐振电路的电路图。
【具体实施方式】
[0026]下面结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本发明的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本发明的保护范围之内。
[0027]结合图1所示的本发明的工作原理示意图，工频电源经过EMC滤波电路，全波整流和功率因数校正器后，变为直流电源。通过DC/AC变换器，输出20KHZ-200KHZ的高频交流电源，加到与灯连接的LC串联谐振电路加热灯丝。
[0028]同时，在电容器上产生谐振高压，加在灯管两端，但使灯管“放电”变成“导通”状态，再进入发光状态。此时，高频电感起限制电流增大的作用，保证灯管获得正常工作所需的灯电压和灯电流。
[0029]基于上述工作原理，本发明的降低HID电磁干扰的电路结构包括电性连接的:EMC滤波电路10、PFC电路20、DC/AC变换电路30以及LC谐振电路40。
[0030]所述EMC滤波电路10位于所述PFC电路20的上游，所述EMC滤波电路10包括EMC滤波器。通过所述EMC滤波电路10可实现全波整流。
[0031]如图2所示，所述PFC电路20位于所述DC/AC变换电路30的上游，所述PFC电路20上设置有第一覆铜区域21，所述第一覆铜区域21覆盖所述PFC电路20中高频开关特性区域，且所述第一覆铜区域21接地设置。通过设置所述第一覆铜区域21，能够减小地线阻抗，提高抗干扰能力；降低压降，提高电源效率。此外，与地线相连，能够减小环路面积。
[0032]所述第一覆铜区域21的工作原理在于:通过设置所述第一覆铜区域21改变电路的空间电磁场走向，使得交变的场穿透相应PCB折射到机壳上面影响减小。从而，减小了通过外壳串扰到输入端，减小电磁干扰。另外发明人惊奇地发现，本发明的降低HID电磁干扰的电路结构使得电感的电流由谐波很大变 为谐波很小。
[0033]配合参照图3、4所示，利用频谱分析仪对覆铜前后的电流谐波进行测试，可获得如上所述结论的实验支持。由图3、4可知，覆铜后，电感的电流由谐波很大变为谐波很小。
[0034]进一步地，覆铜时，将PCB上闲置的空间作为基准面，然后用固体铜填充，这些铜区又称为灌铜。覆铜主要将变压器、开关器件等具有高频开关特性的区域进行覆铜接地。如果PCB的地较多，有SGND、AGND、GND，等等，就要根据PCB板面位置的不同，分别以最主要的“地”作为基准参考来独立覆铜，数字地和模拟地分开来敷铜。同时，在覆铜之前，首先加粗相应的电源连线:5.0V、3.3V等等。如此，就形成了多个不同形状的多变形结构。
[0035]作为一种实施方式，所述第一覆铜区域21覆盖所述PFC电路20中PFC电感、快恢复二极管、两个M0S的高频开关特性区域。此外，所述PFC电路20还包括PFC控制器。优选地，所述PFC控制器的型号为UCC28061。
[0036]如图5、6所示，相类似地，所述DC/AC变换电路30位于所述LC谐振电路40的上游，所述DC/AC变换电路30上设置有第二覆铜区域31，所述第二覆铜区域31覆盖所述DC/AC变换电路30中高频开关特性区域。所述LC谐振电路40上设置有第三覆铜区域41，所述第三覆铜区域41覆盖所述LC谐振电路40中高频开关特性区域。其中，所述第二覆铜区域31和第三覆铜区域41接地设置
[0037]此外，所述DC/AC变换电路30还包括DC/AC变换器。通过所述DC/AC变换器，输出20KHZ-200KHZ的高频交流电源，加到与灯连接的LC串联谐振电路加热灯丝。所述LC谐振电路40包括电容器和高频电感。所述LC谐振电路40可在电容器上产生谐振高压，加在灯管两端，但使灯管“放电”变成“导通”状态，再进入发光状态。此时，高频电感起限制电流增大的作用，保证灯管获得正常工作所需的灯电压和灯电流。
[0038]综上所述，本发明的降低HID电磁干扰的电路结构通过覆铜改变了电路的空间电磁场走向，使得交变的场穿透相应PCB折射到机壳上面影响减小。从而，减小了通过外壳串扰到输入端，减小电磁干扰。另外发明人惊奇地发现，本发明的降低HID电磁干扰的电路结构使得电感的电流由谐波很大变为谐波很小。
[0039]对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0040]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
【主权项】
1.一种降低ΗID电磁干扰的电路结构，其特征在于，所述降低ΗID电磁干扰的电路结构包括电性连接的:EMC滤波电路、PFC电路、DC/AC变换电路以及LC谐振电路； 所述EMC滤波电路位于所述PFC电路的上游； 所述PFC电路位于所述DC/AC变换电路的上游，所述PFC电路上设置有第一覆铜区域，所述第一覆铜区域覆盖所述PFC电路中高频开关特性区域； 所述DC/AC变换电路位于所述LC谐振电路的上游，所述DC/AC变换电路上设置有第二覆铜区域，所述第二覆铜区域覆盖所述DC/AC变换电路中高频开关特性区域； 所述LC谐振电路上设置有第三覆铜区域，所述第三覆铜区域覆盖所述LC谐振电路中高频开关特性区域。2.根据权利要求1所述的降低HID电磁干扰的电路结构，其特征在于，所述EMC滤波电路包括EMC滤波器。3.根据权利要求1所述的降低HID电磁干扰的电路结构，其特征在于，所述第一覆铜区域覆盖所述PFC电路中PFC电感、快恢复二极管、两个MOS的高频开关特性区域。4.根据权利要求1所述的降低HID电磁干扰的电路结构，其特征在于，所述PFC电路还包括PFC控制器。5.根据权利要求4所述的降低HID电磁干扰的电路结构，其特征在于，所述PFC控制器的型号为UCC28061。6.根据权利要求1所述的降低HID电磁干扰的电路结构，其特征在于，所述DC/AC变换电路包括DC/AC变换器。7.根据权利要求6所述的降低HID电磁干扰的电路结构，其特征在于，所述DC/AC变换器可输出20KHZ-200KHZ的高频交流电源。8.根据权利要求1所述的降低HID电磁干扰的电路结构，其特征在于，所述LC谐振电路包括电容器和高频电感。9.根据权利要求1所述的降低HID电磁干扰的电路结构，其特征在于，所述第一覆铜区域、第二覆铜区域、第三覆铜区域接地设置。
【专利摘要】本发明提供一种降低HID电磁干扰的电路结构，其包括：EMC滤波电路、PFC电路、DC/AC变换电路以及LC谐振电路；PFC电路位于DC/AC变换电路的上游，PFC电路上设置有第一覆铜区域，第一覆铜区域覆盖PFC电路中高频开关特性区域；DC/AC变换电路位于LC谐振电路的上游，DC/AC变换电路上设置有第二覆铜区域，第二覆铜区域覆盖DC/AC变换电路中高频开关特性区域；LC谐振电路上设置有第三覆铜区域，第三覆铜区域覆盖LC谐振电路中高频开关特性区域。本发明的电路结构通过覆铜改变了电路的空间电磁场走向，使得交变的场穿透相应PCB折射到机壳上面影响减小。减小了通过外壳串扰到输入端，减小电磁干扰。
【IPC分类】H05K1/02, H02M1/44
【公开号】CN105490517
【申请号】CN201610049873
【发明人】邱明, 蒋乙明, 李勇
【申请人】苏州市纽克斯照明有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2016年1月25日
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种电路结构，尤其涉及一种降低HID电磁干扰的电路结构。
【背景技术】
[0002]随着电气、电子设备的大量应用，电磁波无处不在，无时不有，它们对于电子设备而言都是潜在的干扰源。一些电器、电子设备工作时所产生的电磁波，容易对周围的其他电气、电子设备形成电磁干扰，引发故障或者影响信号的传输。另外，过度的电磁干扰会形成电磁污染，危害人们的身体健康，破坏生态平衡。
[0003]因此，针对上述问题，有必要提出进一步的解决方案。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种降低HID电磁干扰的电路结构，以克服现有技术中存在的不足。
[0005]为实现上述发明目的，本发明的提供一种降低HID电磁干扰的电路结构，其包括电性连接的:EMC滤波电路、PFC电路、DC/AC变换电路以及LC谐振电路；
[0006]所述EMC滤波电路位于所述PFC电路的上游；
[0007]所述PFC电路位于所述DC/AC变换电路的上游，所述PFC电路上设置有第一覆铜区域，所述第一覆铜区域覆盖所述PFC电路中高频开关特性区域；
[0008]所述DC/AC变换电路位于所述LC谐振电路的上游，所述DC/AC变换电路上设置有第二覆铜区域，所述第二覆铜区域覆盖所述DC/AC变换电路中高频开关特性区域；
[0009]所述LC谐振电路上设置有第三覆铜区域，所述第三覆铜区域覆盖所述LC谐振电路中尚频开关特性区域。
[0010]作为本发明的降低HID电磁干扰的电路结构的改进，所述EMC滤波电路包括EMC滤波器。
[0011]作为本发明的降低HID电磁干扰的电路结构的改进，所述第一覆铜区域覆盖所述PFC电路中PFC电感、快恢复二极管、两个M0S的高频开关特性区域。
[0012]作为本发明的降低HID电磁干扰的电路结构的改进，所述PFC电路还包括PFC控制器。
[0013]作为本发明的降低HID电磁干扰的电路结构的改进，所述PFC控制器的型号为UCC28061。
[0014]作为本发明的降低HID电磁干扰的电路结构的改进，所述DC/AC变换电路包括DC/AC变换器。
[0015]作为本发明的降低HID电磁干扰的电路结构的改进，所述DC/AC变换器可输出20KHZ-200KHZ的高频交流电源。
[0016]作为本发明的降低HID电磁干扰的电路结构的改进，所述LC谐振电路包括电容器和高频电感。
[0017]作为本发明的降低HID电磁干扰的电路结构的改进，所述第一覆铜区域、第二覆铜区域、第三覆铜区域接地设置。
[0018]与现有技术相比，本发明的有益效果是:本发明的降低HID电磁干扰的电路结构通过覆铜改变了电路的空间电磁场走向，使得交变的场穿透相应PCB折射到机壳上面影响减小。从而，减小了通过外壳串扰到输入端，减小电磁干扰。另外发明人惊奇地发现，本发明的降低HID电磁干扰的电路结构使得电感的电流由谐波很大变为谐波很小。
【附图说明】
[0019]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本发明的降低HID电磁干扰的电路结构的工作原理示意图；
[0021]图2为本发明的降低HID电磁干扰的电路中PFC电路的电路图；
[0022]图3为利用频谱分析仪对覆铜前的电流谐波进行测试，得到的电流谐波图；
[0023]图4为利用频谱分析仪对覆铜后的电流谐波进行测试，得到的电流谐波图；
[0024]图5为本发明的降低HID电磁干扰的电路中DC/AC变换电路的电路图；
[0025 ]图6为本发明的降低HID电磁干扰的电路中LC谐振电路的电路图。
【具体实施方式】
[0026]下面结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本发明的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本发明的保护范围之内。
[0027]结合图1所示的本发明的工作原理示意图，工频电源经过EMC滤波电路，全波整流和功率因数校正器后，变为直流电源。通过DC/AC变换器，输出20KHZ-200KHZ的高频交流电源，加到与灯连接的LC串联谐振电路加热灯丝。
[0028]同时，在电容器上产生谐振高压，加在灯管两端，但使灯管“放电”变成“导通”状态，再进入发光状态。此时，高频电感起限制电流增大的作用，保证灯管获得正常工作所需的灯电压和灯电流。
[0029]基于上述工作原理，本发明的降低HID电磁干扰的电路结构包括电性连接的:EMC滤波电路10、PFC电路20、DC/AC变换电路30以及LC谐振电路40。
[0030]所述EMC滤波电路10位于所述PFC电路20的上游，所述EMC滤波电路10包括EMC滤波器。通过所述EMC滤波电路10可实现全波整流。
[0031]如图2所示，所述PFC电路20位于所述DC/AC变换电路30的上游，所述PFC电路20上设置有第一覆铜区域21，所述第一覆铜区域21覆盖所述PFC电路20中高频开关特性区域，且所述第一覆铜区域21接地设置。通过设置所述第一覆铜区域21，能够减小地线阻抗，提高抗干扰能力；降低压降，提高电源效率。此外，与地线相连，能够减小环路面积。
[0032]所述第一覆铜区域21的工作原理在于:通过设置所述第一覆铜区域21改变电路的空间电磁场走向，使得交变的场穿透相应PCB折射到机壳上面影响减小。从而，减小了通过外壳串扰到输入端，减小电磁干扰。另外发明人惊奇地发现，本发明的降低HID电磁干扰的电路结构使得电感的电流由谐波很大变 为谐波很小。
[0033]配合参照图3、4所示，利用频谱分析仪对覆铜前后的电流谐波进行测试，可获得如上所述结论的实验支持。由图3、4可知，覆铜后，电感的电流由谐波很大变为谐波很小。
[0034]进一步地，覆铜时，将PCB上闲置的空间作为基准面，然后用固体铜填充，这些铜区又称为灌铜。覆铜主要将变压器、开关器件等具有高频开关特性的区域进行覆铜接地。如果PCB的地较多，有SGND、AGND、GND，等等，就要根据PCB板面位置的不同，分别以最主要的“地”作为基准参考来独立覆铜，数字地和模拟地分开来敷铜。同时，在覆铜之前，首先加粗相应的电源连线:5.0V、3.3V等等。如此，就形成了多个不同形状的多变形结构。
[0035]作为一种实施方式，所述第一覆铜区域21覆盖所述PFC电路20中PFC电感、快恢复二极管、两个M0S的高频开关特性区域。此外，所述PFC电路20还包括PFC控制器。优选地，所述PFC控制器的型号为UCC28061。
[0036]如图5、6所示，相类似地，所述DC/AC变换电路30位于所述LC谐振电路40的上游，所述DC/AC变换电路30上设置有第二覆铜区域31，所述第二覆铜区域31覆盖所述DC/AC变换电路30中高频开关特性区域。所述LC谐振电路40上设置有第三覆铜区域41，所述第三覆铜区域41覆盖所述LC谐振电路40中高频开关特性区域。其中，所述第二覆铜区域31和第三覆铜区域41接地设置
[0037]此外，所述DC/AC变换电路30还包括DC/AC变换器。通过所述DC/AC变换器，输出20KHZ-200KHZ的高频交流电源，加到与灯连接的LC串联谐振电路加热灯丝。所述LC谐振电路40包括电容器和高频电感。所述LC谐振电路40可在电容器上产生谐振高压，加在灯管两端，但使灯管“放电”变成“导通”状态，再进入发光状态。此时，高频电感起限制电流增大的作用，保证灯管获得正常工作所需的灯电压和灯电流。
[0038]综上所述，本发明的降低HID电磁干扰的电路结构通过覆铜改变了电路的空间电磁场走向，使得交变的场穿透相应PCB折射到机壳上面影响减小。从而，减小了通过外壳串扰到输入端，减小电磁干扰。另外发明人惊奇地发现，本发明的降低HID电磁干扰的电路结构使得电感的电流由谐波很大变为谐波很小。
[0039]对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0040]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
【主权项】
1.一种降低ΗID电磁干扰的电路结构，其特征在于，所述降低ΗID电磁干扰的电路结构包括电性连接的:EMC滤波电路、PFC电路、DC/AC变换电路以及LC谐振电路； 所述EMC滤波电路位于所述PFC电路的上游； 所述PFC电路位于所述DC/AC变换电路的上游，所述PFC电路上设置有第一覆铜区域，所述第一覆铜区域覆盖所述PFC电路中高频开关特性区域； 所述DC/AC变换电路位于所述LC谐振电路的上游，所述DC/AC变换电路上设置有第二覆铜区域，所述第二覆铜区域覆盖所述DC/AC变换电路中高频开关特性区域； 所述LC谐振电路上设置有第三覆铜区域，所述第三覆铜区域覆盖所述LC谐振电路中高频开关特性区域。2.根据权利要求1所述的降低HID电磁干扰的电路结构，其特征在于，所述EMC滤波电路包括EMC滤波器。3.根据权利要求1所述的降低HID电磁干扰的电路结构，其特征在于，所述第一覆铜区域覆盖所述PFC电路中PFC电感、快恢复二极管、两个MOS的高频开关特性区域。4.根据权利要求1所述的降低HID电磁干扰的电路结构，其特征在于，所述PFC电路还包括PFC控制器。5.根据权利要求4所述的降低HID电磁干扰的电路结构，其特征在于，所述PFC控制器的型号为UCC28061。6.根据权利要求1所述的降低HID电磁干扰的电路结构，其特征在于，所述DC/AC变换电路包括DC/AC变换器。7.根据权利要求6所述的降低HID电磁干扰的电路结构，其特征在于，所述DC/AC变换器可输出20KHZ-200KHZ的高频交流电源。8.根据权利要求1所述的降低HID电磁干扰的电路结构，其特征在于，所述LC谐振电路包括电容器和高频电感。9.根据权利要求1所述的降低HID电磁干扰的电路结构，其特征在于，所述第一覆铜区域、第二覆铜区域、第三覆铜区域接地设置。
【专利摘要】本发明提供一种降低HID电磁干扰的电路结构，其包括：EMC滤波电路、PFC电路、DC/AC变换电路以及LC谐振电路；PFC电路位于DC/AC变换电路的上游，PFC电路上设置有第一覆铜区域，第一覆铜区域覆盖PFC电路中高频开关特性区域；DC/AC变换电路位于LC谐振电路的上游，DC/AC变换电路上设置有第二覆铜区域，第二覆铜区域覆盖DC/AC变换电路中高频开关特性区域；LC谐振电路上设置有第三覆铜区域，第三覆铜区域覆盖LC谐振电路中高频开关特性区域。本发明的电路结构通过覆铜改变了电路的空间电磁场走向，使得交变的场穿透相应PCB折射到机壳上面影响减小。减小了通过外壳串扰到输入端，减小电磁干扰。
【IPC分类】H05K1/02, H02M1/44
【公开号】CN105490517
【申请号】CN201610049873
【发明人】邱明, 蒋乙明, 李勇
【申请人】苏州市纽克斯照明有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2016年1月25日
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