具有陶瓷涂层的经热处理陶瓷基板及用于经涂布陶瓷的热处理方法
具有陶瓷涂层的经热处理陶瓷基板及用于经涂布陶瓷的热处理方法
【技术领域】
[0001] 本发明的具体实施例一般与用以热处理经涂布陶瓷物品的热处理工艺有关。
【背景技术】
[0002] 在半导体工业中，通过可产生尺寸越发减少的结构的数种制造工艺来制造元件。 某些制造工艺(例如等离子体蚀刻与等离子体清洁工艺)使基板暴露至高速等离子体流，以 蚀刻或清洁基板。等离子体为高度腐蚀性，且会腐蚀暴露于等离子体的处理腔室以及其他 表面。此腐蚀会产生粒子，粒子常会污染正在被处理的基板，导致元件缺陷。
[0003] 随着元件几何尺寸的缩减，对缺陷的敏感度会增加，且对于粒子污染的需求变得 更臻严格。因此，当元件的几何尺寸缩减时，可允许的粒子污染程度则会降低。为了使等离 子体蚀刻及/或等离子体清洁工艺所产生的粒子污染达到最低，已开发出可抵抗等离子体 的腔室材料。这类抗等离子体材料的实例包括含有六1 203^1151(：、￥203、石英与2抑2的陶瓷。 然而，对于某些应用而言，这些陶瓷材料的抗等离子体特性是不够的。举例而言，在使用于 阈值尺寸为45纳米或32纳米的半导体元件的等离子体蚀刻工艺中时，利用传统陶瓷制造工 艺所制造的抗等离子体陶瓷盖板及/或喷嘴会产生无法接受的粒子污染程度。此外，当这类 抗等离子体陶瓷被使用作为陶瓷涂层时，这些涂层会产生较高的粒子污染程度，且会因分 层剥落(delamination)而故障。
【发明内容】
[0004] 在一具体实施例中，提供了一种具有陶瓷基板与陶瓷涂层的陶瓷物品，该陶瓷涂 层具有初始孔隙度与初始裂缝量。该陶瓷物品被以约每分钟〇.l°C至约每分钟20°C的升降 温速率加热至介于约l〇〇〇°C与约1800°C间的温度范围。以该温度范围内的一或多个温度热 处理该陶瓷物品达约24小时的历时。接着以该升降温速率来冷却该陶瓷物品，其中在热处 理之后，该陶瓷涂层具有降低的孔隙度与降低的裂缝量。
【附图说明】
[0005] 在如附图中是藉例示而非限制来说明本发明，在附图中相同的元件符号是代表相 似的元件。应注意在本文中当述及"一"或"一个"具体实施例时，并不一定是指相同的具体 实施例，这类叙述是代表"至少一个"。
[0006] 图1A说明了根据本发明的一实施例的制造系统的例示架构；
[0007] 图1B说明了根据本发明的一实施例的用于热处理陶瓷物品的一种工艺；
[0008] 图2A为根据本发明实施例的在利用热处理处理陶瓷涂层之前以及在利用热处理 处理陶瓷涂层之后的陶瓷涂层表面的显微照片；
[0009] 图2B为根据本发明实施例的在利用热处理处理陶瓷涂层之前以及在各种温度和 处理历时下利用热处理处理陶瓷涂层之后的陶瓷涂层表面在4,000倍放大倍率下的其他显 微照片；
[0010]图2C为根据本发明具体实施例的在利用热处理处理陶瓷涂层之前以及在各种温 度和处理历时下利用热处理处理陶瓷涂层之后的陶瓷涂层表面在20,000倍放大倍率下的 其他显微照片；
[0011]图2D为根据本发明实施例的在陶瓷涂层经处理之前以及在陶瓷涂层经处理之后 的陶瓷涂层表面在1〇,〇〇〇倍放大倍率下的其他显微照片；
[0012] 图3A为显示根据本发明的一实施例的在热处理前后的陶瓷物品的截面侧视图的 显微照片；
[0013] 图3B为显示根据本发明实施例的在不同温度与不同历时下进行热处理前后的陶 瓷物品在4,000倍放大倍率下的截面侧视图的显微照片；
[0014] 图3C为显示根据本发明实施例的在热处理前后的陶瓷物品在20,000倍放大倍率 下的截面侧视图的显微照片；
[0015] 图3D说明根据本发明的一实施例的在热处理前后的HPM陶瓷复合涂层的相态组成 比较。
【具体实施方式】
[0016] 本发明的具体实施例是与一种用于热处理陶瓷物品的工艺有关，且与利用热处理 所处理的陶瓷物品有关。在一实施例中，提供了一种包括陶瓷基板与陶瓷涂层的陶瓷物品， 该陶瓷涂层具有初始孔隙度、对该陶瓷基板的初始键结强度以及初始裂缝量。该陶瓷基板 可为烧结陶瓷，且该陶瓷涂层是等离子体喷涂陶瓷。该陶瓷物品可为，例如等离子体蚀刻器 的陶瓷盖板、喷嘴或处理套件。该陶瓷物品被以约每分钟〇.l°C至约每分钟20°C的升降温速 率加热至介于约1 〇〇〇°C与约1800°C间的温度范围。该陶瓷物品在该温度范围内的一或多个 温度下进行热处理达约24小时的历时。接着该陶瓷物品被以该升降温速率予以冷却。在热 处理之后，该陶瓷涂层具有减少的表面缺陷、降低的涂层孔隙度以及减少的裂缝量。该陶瓷 涂层也具有降低的表面粗糙度，且另外具有对等离子体的较大抵抗性。此外，在热处理之 后，该陶瓷涂层对陶瓷基板具有较强的界面性，该较强的界面性提供了对陶瓷基板的较大 黏结强度。较强的界面性是因在陶瓷基板与陶瓷涂层之间形成过渡层所致。
[0017] 在一实施例中，加热炉对包含陶瓷基板与陶瓷涂层的陶瓷物品执行热处理工艺， 其中该陶瓷涂层具有初始孔隙度与初始裂缝量。该加热炉以每分钟约〇.l°C至每分钟约20 °C的升降温速率来加热该陶瓷物品，直到该陶瓷物品达到指定温度或温度范围为止。该指 定温度范围从约l〇〇〇°C变化至约1800°C，且该指定温度是该指定温度范围内的温度。加热 炉于该指定温度及/或该温度范围内的其他指定温度下对该陶瓷物品热处理达约24小时的 历时。该加热炉接着以该升降温速率来冷却该陶瓷物品。在热处理之后，该陶瓷物品具有降 低的表面孔隙度及减少的裂缝量。
[0018] 本发明的实施例经由过渡层的形成而增加陶瓷涂层以及涂布该陶瓷涂层的陶瓷 基板之间的键结强度。本发明的实施例也减少了经处理的陶瓷物品上的陶瓷涂层的表面缺 陷、降低孔隙度并减少裂缝量。实施例也降低了经处理的陶瓷涂层的表面粗糙度，并且使陶 瓷涂层上的表面粒子减到最少。当使用于应用等离子体的半导体工艺(例如等离子体蚀刻 与等离子体清洁工艺)时，这类经热处理的陶瓷涂层具有减少的高能量键结(断键)数，并产 生明显较低的粒子污染量。此外，经热处理的陶瓷涂层的降低孔隙度与减少裂缝可减少渗 入陶瓷涂层而与下方基板反应的处理气体量。另外，在陶瓷涂层与陶瓷基板间的过渡层(在 本文中也称为界面性过渡层）的形成可抑制渗入涂层的工艺化学物与下方基板反应。这可 使分层剥落的发生降至最低。过渡层可提高陶瓷涂层的黏结强度，且可使剥离降至最低。举 例而言，用于蚀刻器机器的经陶瓷涂布的盖板与喷嘴可经热处理，以使在等离子体蚀刻工 艺期间所产生的粒子污染及/或剥离降至最低。因此，利用本文所述的经热处理的陶瓷物品 而制造的半导体会具有较低的缺陷计数，且可导致降低的废弃率。
[0019] 在本文中所使用的用语"热处理"是表示对陶瓷物品施加升高温度，例如通过加热 炉。当于本文中使用用语"约"时，是用以表示所提出的标称数值在±10%内都是精确的。
[0020] 在本文中，有些实施例使用加热炉来进行热处理，然而，应了解也可使用其他的热 处理技术来进行所述热处理。可使用的其他热处理技术的部分实例包括激光表面处理（也 称为激光热处理）、电子束（e-beam)表面处理(也称为电子束热处理）、火焰表面处理(也称 为火焰热处理）以及高温等离子体处理。
[0021] 同时注意本文所述的有些实施例是关于半导体制造的等离子体蚀刻器中所使用 的经陶瓷涂布的盖板与经陶瓷涂布的喷嘴。然而，应理解到这类等离子体蚀刻器也可用以 制造微机电系统(MEMS)的元件。此外，本文所述的经热处理的陶瓷物品可为暴露于等离子 体的其他结构。举例而言，该陶瓷物品可为等离子体蚀刻器、等离子体清洁器、等离子体驱 动系统等的经陶瓷涂布的环件、壁部、基部、气体分配板材、喷淋头、基板固持框架等。
[0022] 此外，本文所述的实施例是关于在使用于富含等离子体工艺的处理腔室中时能够 产生降低的粒子污染的陶瓷物品。然而，应理解本文所述的陶瓷物品在使用于其他工艺的 处理腔室(例如非等离子体蚀刻器、非等离子体清洁器、化学气相沉积(CVD)腔室、物理气相 沉积(PVD)腔室、等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)腔室、等离子体增强的物理气相沉 积(PEPVD)腔室、等离子体增强的原子层沉积(PEALD)腔室等）中时也可提供降低的粒子污 染。
[0023] 图1A说明了根据本发明的一具体实施例的制造系统的例示架构。该制造系统100 可以是陶瓷制造系统。在一实施例中，该制造系统100包括加热炉105(例如，如旋转窑 (kiln)的陶瓷加热炉）、设备自动化层115与计算装置120。在替代实施例中，该制造系统100 可包括更多或更少的组件。举例而言，该制造系统100仅包含加热炉105,加热炉105是手动 的离线机器。
[0024] 加热炉105为一种经设计以加热例如陶瓷物品的机器。加热炉105包括热绝缘腔室 或炉体，能对插置于热绝 缘腔室或炉体中的物品（例如陶瓷物品）施加控制温度。在一实施 例中，该腔室呈密封。加热炉105可包含栗，以将空气栗送至腔室外，并因此而于腔室内产生 真空。加热炉105可另外或替代地包含气体入口，以将气体(例如，如氩气或氮气等惰性气 体)栗送至腔室中。
[0025] 加热炉105是具有由技术人员在陶瓷物品的处理期间手动设定的温度控制器的手 动加热炉。加热炉105也可以是离线机器，离线机器可以工艺配方来予以编程。该工艺配方 可以控制升温速率、降温速率、工艺时间、温度、压力、气体流量等。或者是，加热炉105可为 线上自动化加热炉，线上自动化加热炉可经由设备自动化层115而自例如个人电脑、伺服器 机器等的计算装置120接收工艺配方。该设备自动化层115使加热炉105与计算装置120、与 其他制造机器、与量度工具及/或其他装置互相连接。
[0026] 设备自动化层115可包含网络（例如局域网（LAN))、路由器、网关、服务器、数据储 存器等。加热炉105可经由半导体设备通讯标准/ 一般设备模式（SECS/GEM)界面、经由以太 网界面及/或经由其他界面而连接至设备自动化层115。在一实施例中，该设备自动化层115 可使工艺数据(例如加热炉105在工艺运转期间所收集到的数据)储存在数据储存器(未示） 中。在替代实施例中，该计算装置120直接连接至加热炉105。
[0027] 在一实施例中，加热炉105包括可编程控制器，可编程控制器可负载、储存与执行 工艺配方。该可编程控制器控制热处理工艺的温度设定、气体及/或真空设定、时间设定等。 可编程控制器控制腔室加热，使温度下降以及上升，可使多步骤热处理被输入作为单一工 艺等。该可编程控制器可包含主存储器(例如只读存储器(R0M)、快闪存储器、动态随机存取 存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)等），及/或次级存储器(例如，如磁盘驱动器的 数据储存装置）。主存储器及/或次级存储器可储存用于执行本文所述的热处理工艺的指 令。
[0028] 该可编程控制器也可包含耦接(例如经由总线）至主存储器及/或次级存储器以执 行指令的处理装置。该处理装置可为通用处理装置，例如微处理器、中央处理单元等。该处 理装置也可为专用处理装置，例如专用集成电路(ASIC)、场可编程门阵列(FPGA)、数字信号 处理器(DSP)、网络处理器等。在一具体实施例中，该可编程处理器是可编程的逻辑控制器 (PLC)〇
[0029] 在一实施例中，加热炉105经编程，以执行将使加热炉105可使用关于图1B所述热 处理工艺来对陶瓷物品进行热处理的配方。
[0030] 图1B是流程图，该流程图说明了根据本发明的一实施例的用于热处理陶瓷物品的 工艺150。在工艺150的方块155中，提供陶瓷物品（例如提供至加热炉或旋转窑）。在一具体 实施例中，该陶瓷物品由装载器自动地载入至加热炉中。该陶瓷物品包括陶瓷基板，该陶瓷 基板在至少一表面上已涂布有陶瓷涂层。在一实施例中，该陶瓷物品是等离子体蚀刻器或 等离子体清洁器的陶瓷盖板、陶瓷喷嘴或其他处理腔室元件。该陶瓷物品可具有主要为钇 氧化物的陶瓷涂层。使用主要为钇氧化物的陶瓷是因为钇氧化物有较佳的抗等离子体特性 之故。该陶瓷物品也可具有陶瓷基板，该陶瓷基板具有良好的机械特性，例如高挠曲强度与 对于高温及/或热应力所致的破裂的抵抗性。
[0031 ]在被涂布陶瓷涂层之前，陶瓷基板可先经加工。此外，陶瓷涂层可在涂布该陶瓷基 板之后再经加工。加工的实例包括表面研磨、抛光、钻孔、磨擦、切割、玻璃珠喷砂或是以加 工工具所进行的其他处理。在一具体实施例中，在陶瓷涂层形成于陶瓷基板上方之后，该陶 瓷涂层经抛光。这会产生大量的粒子，粒子会留在陶瓷涂层的裂缝、孔洞或是其他表面缺陷 中。
[0032]陶瓷基板由陶瓷块材所形成，例如 Y2〇3、Y4Al2〇9、Al2〇3、Y 3Al5〇12(YAG)、5g、SiC、 Si3N4、AlN、Zr02等。举例而言，该陶瓷基板可为下文中关于陶瓷涂层所说明的任何一种陶瓷 的烧结形式的块材。基板也可为陶瓷复合物，例如AI2O3-YAG的陶瓷复合物或SiC-Si 3N4的陶 瓷复合物。该陶瓷基板也可为包括含固体溶液的氧化钇(或称为钇氧化物或Y2〇 3)的陶瓷复 合物。举例而言，陶瓷基板可为高性能材料(High Performance Material ,ΗΡΜ)，该高性能 材料由化合物Υ4Α12〇9 (YAM)与固体溶液Y2-xZrx〇3 (Y2〇3-Zr02的固体溶液)所组成。注意，纯的 氧化钇以及含有固体溶液的氧化钇可掺有Zr02、Al2〇3、Si0 2、B2〇3、Er2〇3、Nd 2〇3、Nb2〇5、Ce〇2、 S1112O3、Yb2〇3或其他氧化物中的一或多种。
[0033] 类似于陶瓷基板，陶瓷涂层由Y2〇3(氧化钇）、Y4Al2〇9(YAM)、Al 2〇3(氧化铝）、Υ3Α15〇12 (YAG)、石英、YA103(YAP)、SiC(碳化硅）、Si3N4(氮化硅）、A1N(氮化铝）、Zr0 2(二氧化锆）、 A10N(氮氧化铝）、Ti02(二氧化钛）、TiC(碳化钛）、ZrC(碳化锆）、TiN(氮化钛）、TiCN(氮化碳 钛）、以Y 2〇3稳定化的Zr02(YSZ)等。同样类似于陶瓷基板，陶瓷涂层可为纯的氧化钇或是含 有固体溶液的氧化钇，纯的氧化钇或是含有固体溶液的氧化钇可掺有Zr0 2、A12〇3、Si02、 B2〇3、Er2〇3、Nd2〇3、Nb2〇5、Ce〇2、Sm2〇3、Yb2〇3或其他氧化物中的一或多种。在一实施例中，陶瓷 涂层是HPM复合物。然而，该陶瓷涂层可通过在陶瓷基板上喷涂或成长陶瓷涂层而形成，且 该陶瓷基板由烧结工艺所形成。
[0034]在一实施例中，该陶瓷涂层为含有已经利用热喷涂技术或等离子体喷涂技术而沉 积在陶瓷基板上的陶瓷的氧化钇。热喷涂技术可熔化材料(例如陶瓷粉末），并将熔化的材 料喷涂在陶瓷基板上。热喷涂陶瓷涂层可具有约20微米至约数毫米的厚度。
[0035]在一实施例中，该陶瓷涂层经等离子体喷涂至陶瓷基板上。或者是，也可使用其他 的热喷涂技术，例如爆炸喷涂、电弧喷涂、高速氧燃料(HV0F)喷涂、火焰喷涂、暖喷涂与冷喷 涂。此外，也可使用其他的涂布工艺来形成陶瓷涂层，例如气胶沉积、电镀、物理气相沈积 (PVD)、离子辅助沉积（IAD)以及化学气相沉积(CVD)。注意，陶瓷涂布工艺可产生具有如孔 洞、裂缝与不完全键结区域等小空洞的陶瓷涂层，该陶瓷涂层具有明显不同于块材的陶瓷 材料(例如陶瓷基板)的结构特性。
[0036]在一实施例中，该陶瓷涂层由Y203粉末所制成。或者是，该陶瓷涂层可以是由Y 203 粉末、Zr02粉末以及Α12〇3粉末的混合物所制成的HPM陶瓷复合物。在一实施例中，该HPM陶瓷 复合物含有77%的Y 2〇3、15%的Zr02以及8%的Al2〇3。在另一实施例中，该HPM陶瓷复合物含 有63%的Υ 2〇3、23%的Zr02以及14%的Al2〇3。在另外一个实施例中，该HPM陶瓷复合物含有 55%的Υ 2〇3、20%的Zr02以及25%的Al2〇3。相对百分率也可为摩尔比率。举例而言，该HPM陶 瓷可含有77摩尔％的￥ 2〇3、15摩尔％的Zr02以及8摩尔％的六12〇 3。这些陶瓷粉末的其他分配 也可用于HPM材料。
[0037] 该陶瓷涂层初始具有弱黏结强度（例如约3兆帕(MPa))，这会使陶瓷涂层随时间 (例如由于将陶瓷物品使用于富含等离子体工艺的结果)而分层或自陶瓷基板剥离脱落。此 外，陶瓷涂层具有初始孔隙度与初始裂缝量。这些孔洞与裂缝会使处理气体与清洁化学物 质在处理期间渗入陶瓷涂层中并与下方的陶瓷基板反应。这类反应会在陶瓷涂层下方产生 气体、水气或不同材料，而在陶瓷涂层下方产生气泡。这些气泡会进一步使陶瓷涂层与陶瓷 基板分离。这种分离会对经处理的材料(例如经处理的晶圆）产生较大量的粒子污染。此外， 即使没有剥离，气泡、裂缝与孔洞（以及其他的表面缺陷)本身也会对经处理基板产生粒子 污染。
[0038] 在一实例中，在陶瓷涂层中的孔洞、裂缝、空洞与其他表面缺陷可包含断裂的（或 开放的)键，该等断裂的（或开放的)键为高能量位置。这些表面缺陷会捕集粒子。举例而言， 粒子会在表面缺陷处与陶瓷物品形成弱的断键(broken bonds)。在等离子体处理期间，等 离子体会破坏这些弱的断键，并自陶瓷涂层移除部分的粒子。陶瓷粒子接着沉积在经处理 的基板上。此外，等离子体会破坏陶瓷物品在缺陷位址处、在孔洞处、在裂缝处等的键结，此 举会侵蚀陶瓷涂层，并产生其他的粒子。
[0039] 在方块160处，以约每分钟0.1°C至约每分钟20°C的升降温速率来加热该陶瓷物 品。该陶瓷物品为脆性，且在暴露于极度温度变化下时会破裂。因此，需使用够慢而足以避 免陶瓷物品破裂的升降温速率。可预期对于某些陶瓷而言，大于每分钟20°C的升降温速率 也是可行的。因此， 在某些具体实施例中，可以使用不会导致破裂且超过每分钟20°C的升降 温速率。
[0040] 会使陶瓷物品发生破裂的温度变化依陶瓷物品的组成而定。举例而言，可以每分 钟10°c或更高的升降温速率来加热Al2〇3而不会破裂。然而，若以比每分钟约5°C更快速的升 降温速率来加热Υ 2〇3，Υ2〇3则会破裂。在一实施例中，对Y2〇3与HPM陶瓷复合物的陶瓷涂层使 用约每分钟0.1至5°C的升降温速率。在进一步的实施例中，对于由Υ 2〇3与ΗΡΜ陶瓷复合物所 制成的陶瓷涂层使用每分钟约5°C的升降温速率。一般而言，陶瓷物品是在周围温度或接近 周围温度下开始，且以升降温速率缓慢加热至预定温度。
[0041 ] 该陶瓷物品被加热至直到达到指定温度或温度范围为止。该指定温度介于约1000 °C至约1800°C的范围。所使用的该指定温度依陶瓷物品的组成或过渡层的指定目标厚度而 定。在一实施例中，针对具有氧化铝基板与HPM陶瓷涂层或钇氧化物(Y 2〇3)的陶瓷涂层的陶 瓷物品使用1400°C至1500°C的温度。
[0042] 在方块165,该陶瓷物品在该指定温度下或在该温度范围内的一或多个温度下被 加热处理达24小时的历时。所使用的指定历时可依据陶瓷物品的组成以及陶瓷物品的需要 性能特性而定。举例而言，该指定历时可依据该过渡层的目标温度而定。
[0043] 如上述说明，该陶瓷涂层具有大量的表面缺陷以及留在这些表面缺陷中的粒子。 热处理可减少或消除这些缺陷及/或粒子。具体而言，热处理会使粒子熔化及/或使在表面 曲线区域处的一部分陶瓷涂层熔化。熔化的粒子会与在表面缺陷区域处的陶瓷涂层一起流 动。熔化的粒子接着即重新沉积在陶瓷涂层上，并与在这些表面缺陷区域处的陶瓷涂层形 成未断键。所产生的未断键会比先前使粒子与陶瓷涂层结合的断键更强许多，因此，在等离 子体蚀刻工艺中，粒子会变得较不会自陶瓷涂层移除，且缺陷区域也变得较不会受到磨蚀。
[0044] 此外，陶瓷涂层一般具有相对高的孔隙度与相对高的裂缝量。热处理会使孔洞与 裂缝缩减及/或被移除。孔洞与裂缝会基于上述陶瓷涂层的相同熔化与重新沉积而缩减或 消失。举例而言，在孔洞或裂缝处的陶瓷涂层会熔化、然后重新沉积，填充及/或愈合孔洞或 裂缝。
[0045] 在一实施例中，该陶瓷涂层与该陶瓷基板会在热处理工艺期间反应而形成过渡 层。当陶瓷涂层与陶瓷基板由会在对热暴露时反应的材料所组成时，即会形成过渡层。举例 而言，若陶瓷基板为Al 2〇3且陶瓷涂层为HPM陶瓷复合物，则该陶瓷涂层与该陶瓷基板将会在 热处理期间反应而形成YAG过渡层。在另一实例中，若陶瓷基板为Al 2〇3且陶瓷涂层为Y2〇3， 则该陶瓷涂层与该陶瓷基板会在热处理期间反应而形成YAG过渡层。其他的陶瓷涂层材料 与陶瓷基板材料的组合将形成其他的过渡层。
[0046] 特别地，该过渡层是非反应性与非孔隙层。因此，在使用经热处理的陶瓷物品的后 续处理期间，处理气体会渗入陶瓷涂层，但不会渗入过渡层。因此，该过渡层可避免处理气 体与陶瓷基板反应。这可最小化或避免气泡发生，且可改善陶瓷涂层的剥离性能与黏结强 度(键结强度）。
[0047]虽然过渡层具有各种有利的效应，但若过渡层变得过厚时，过渡层会变得有问题。 有些过渡层将具有不同于陶瓷涂层及/或陶瓷基板的膨胀系数。因此，若过渡层比阈值厚度 (例如约5微米)更厚，则该过渡层会在后续处理中于陶瓷涂层中产生裂缝。举例而言，HPM陶 瓷复合物与氧化铝具有大致相等的膨胀系数，但是YAG过渡层则具有不同于HPM陶瓷复合物 与氧化铝的膨胀系数。因此，当YAG过渡层厚于约5微米(μπι)时，YAG过渡层的膨胀与收缩会 使陶瓷涂层破裂。
[0048]过渡层以与温度和时间有关的速率成长。当温度与热处理历时增加时，过渡层的 厚度也会增加。因此，用于热处理陶瓷物品的温度(或多个温度）与历时应被选以形成不厚 于约5微米的过渡层。在一实施例中，温度与历时被选以可使约为0.1微米至约5微米的过渡 层被形成。在一实施例中，过渡层具有足以避免气体在处理期间与陶瓷基板反应的最小厚 度(例如约0.1微米）。在一实施例中，该过渡层具有1微米至2微米的目标厚度。
[0049]热处理也可使陶瓷涂层的晶粒大小增加。当温度与热处理历时增加时，陶瓷涂层 的晶粒大小也会增加。晶粒大小的增加导致较少的晶界。晶界则比陶瓷的晶粒更容易受到 等离子体磨蚀。因此，晶粒大小的增加可使陶瓷涂层在后续处理中较不易产生粒子污染。因 此，可根据陶瓷涂层的目标晶粒大小来选择热处理温度与历时。
[0050]对于氧化铝陶瓷基板与ΗΡΜ或氧化钇陶瓷涂层而言，进行1500°C、热处理历时约为 3小时至6小时的热处理。在一实施例中，氧化钇或HPM陶瓷复合物的陶瓷涂层的热处理历时 为约4小时。
[0051]在一实施例中，该陶瓷物品在热处理历程中维持为单一温度。或者是，在热处理期 间，该陶瓷物品被加热及/或冷却至该温度范围内的多个不同温度。举例而言，该陶瓷物品 于1500°C的温度下热处理4小时，然后在1700°C的温度下热处理2小时，然后在1000°C的温 度下另外热处理3小时。注意当使用多个不同的热处理温度时，该陶瓷物品以该升降温速率 进行加热及/或冷却，以于热处理温度之间转换。
[0052]在方块170处，陶瓷物品以升降温速率进行冷却。在一实施例中，陶瓷物品以与用 以加热陶瓷物品的升降温速率相同的升降温速率来进行冷却。在另一实施例中，可使用不 同的升降温速率来加热该陶瓷物品。在关于经处理基板的粒子污染、抗等离子体磨蚀性、黏 结强度、孔隙度、裂缝的数量与大小以及抗剥离性上，所产生的经热处理的陶瓷物品的陶瓷 涂层都具有增进的性能。此外，所产生的经热处理的陶瓷物品具有在陶瓷涂层与陶瓷基板 之间的过渡层。因此，陶瓷盖板、陶瓷喷嘴、处理套件以及其他的陶瓷内部处理腔室组件利 用工艺150来进行热处理，以增进制造的产品的产量。此外，工艺150所应用的陶瓷物品具有 降低的替换频率，且可减少设备停工期。
[0053]注意工艺150可在已经在陶瓷基板上形成陶瓷涂层之后被执行作为陶瓷物品的制 造工艺的一部分。此外，可对经使用的陶瓷物品周期性地执行工艺150,以治愈或修复这些 陶瓷物品。举例而言，在使用之前利用工艺150对陶瓷物品进行热处理，然后每数月一次、一 年一次、一年两次或以某些其他频率利用工艺150再进行热处理。执行工艺150的频率可依 据陶瓷物品使用的等离子体蚀刻及/或等离子体清洁配方而定。举例而言，若该陶瓷物品频 繁地暴露于特别严峻的等离子体环境，则以较高频率来热处理该陶瓷物品。
[0054]暴露于等离子体会使陶瓷涂层随时间而磨蚀及/或腐蚀。举例而言，等离子体会使 断键发生于陶瓷涂层的表面处，会产生会污染经处理的基板的陶瓷粒子，会导致在陶瓷涂 层表面处的缺陷，会使陶瓷涂层自陶瓷基板剥离等。因此，当陶瓷物品老化时，可能会产生 更多的粒子污染。可对这种老化的陶瓷物品进行热处理工艺150,以回复因腐蚀性等离子体 环境所产生的损害。除了新制成的陶瓷物品以外，热处理也可为已使用的陶瓷物品修复缺 陷及减少粒子。因此，可对已使用的陶瓷物品执行工艺150,以延长陶瓷物品的使用寿命。 [0055]注意除了修复表面缺陷以及使粒子减至最少以外，热处理工艺150也可用以干式 清洁陶瓷物品。暴露于等离子体环境会使聚合物形成于陶瓷物品的表面上。这些聚合物会 在后续处理期间在基板上产生粒子污染。通常会执行周期性地湿式清洁工艺来移除陶瓷物 品上的聚合物。在一实施例中，执行热处理工艺150来取代湿式清洁工艺。热处理工艺150会 使涂布陶瓷物品的聚合物在高温环境中与空气或其他气体反应，此反应会使聚合物变为气 态，并离开陶瓷物品的表面。因此，热处理工艺150可用以清洁陶瓷物品以及用以修复陶瓷 物品的表面。注意用于后续热处理工艺的温度及/或历时可与用于初始热处理工艺的温度 及/或历时不同。
[0056]图2A说明根据本发明实施例的在利用热处理来处理陶瓷涂层之前以及在利用热 处理来处理陶瓷物品之后的陶瓷涂层的显微照片202-216。在显微照片202-216中所显示的 陶瓷涂层是具有Y4Al 20^Y2-xZrx03的HPM陶瓷复合物。
[0057] 显微照片202显示在热处理之前的陶瓷物品的实例。显微照片204显示在显微照片 202中所示的区域208的放大视图。区域208相对较无表面缺陷。显微照片204说明陶瓷涂层 的晶粒大小。显微照片206显示在显微照片202中的区域210的放大视图。区域210说明了陶 瓷涂层的表面缺陷与表面粒子。
[0058] 显微照片212显示在热处理之后的显微照片202所示的实例。如图所示，表面缺陷 量已因热处理而减少。显微照片214显示了显微照片212中所示的区域218的放大视图。区域 218是相对较无表面缺陷与表面粒子。显微照片214说明了陶瓷涂层的晶粒大小比显微照片 204中所示的晶粒 大小更大。显微照片216显示了显微照片212中所示区域220的放大视图。 区域220说明了陶瓷涂层的表面缺陷。然而，显微照片216中所显示的表面缺陷比显微照片 206中所示的表面缺陷较不严重，且表面粒子亦已实质上被移除。
[0059]图2B显示在根据本发明实施例的使用热处理来处理陶瓷涂层之前以及在已经在 不同温度与处理历时下使用热处理来处理该陶瓷涂层之后的陶瓷涂层表面的其他显微照 片222-234(放大倍率为4000倍）。显微照片222显示在热处理之前的陶瓷涂层的实例。显微 照片224显示在1300°C的温度下进行4小时热处理之后的陶瓷涂层的实例。显微照片226显 示在1400°C的温度下进行4小时热处理之后的陶瓷涂层的实例。显微照片228显示在1500°C 的温度下进行4小时热处理之后的陶瓷涂层的实例。显微照片234显示在1600°C的温度下进 行4小时热处理之后的陶瓷涂层的实例。如图所示，在固定的热处理时间下，温度的增加会 使裂缝的大小与数量减少。此外，温度的增加会使孔洞的大小与数量减少（因而降低孔隙 率)。
[0060] 显微照片230说明在温度为1300°C下进行24小时热处理之后的陶瓷涂层的实例。 显微照片232说明在温度为1400°C下进行24小时热处理之后的陶瓷涂层的实例。如图所示， 对陶瓷涂层进行热处理达4小时以上并不会明显进一步减少孔隙度或裂缝量。因此，在一实 施例中，热处理历时大致为4小时。
[0061] 图2C显示在根据本发明实施例的使用热处理来处理陶瓷涂层之前以及在已经在 不同温度与处理历时下使用热处理来处理该陶瓷涂层之后的陶瓷涂层表面的其他显微照 片236-248(放大倍率为20000倍）。显微照片236显示在热处理之前的陶瓷涂层。显微照片 238显示在温度为1300°C下进行4小时热处理之后的陶瓷涂层。显微照片240显示在温度为 1400°C下进行4小时热处理之后的陶瓷涂层。显微照片242显示在温度为1500°C下进行4小 时热处理之后的陶瓷涂层。显微照片248显示在温度为1600°C下进行4小时热处理之后的陶 瓷涂层。显微照片248中所示的晶粒大小大于显微照片242中所示的晶粒大小，显微照片242 中所示的晶粒大小大于显微照片240中所示的晶粒大小，依此类推。因此，热处理温度的增 加会导致陶瓷涂层的晶粒大小的增加。
[0062] 显微照片244显示在温度为1300°C下进行24小时热处理之后的陶瓷涂层。显微照 片246显示在温度为1400°C下进行24小时热处理之后的陶瓷涂层。因此，热处理历时的增加 也会使陶瓷涂层的晶粒大小增加。在热处理之前，陶瓷涂层的晶粒大小初始为纳米尺寸，且 最后因热处理而成长为大于纳米尺寸。热处理的温度及/或历时基于目标晶粒大小而加以 选择。增加处理历时会导致不均匀的晶粒大小，如显微照片244与246中所示。
[0063]图2D显示根据本发明实施例在陶瓷涂层被处理之前以及在该陶瓷涂层已被处理 之后的陶瓷涂层表面的其他显微照片250-256(放大倍率为10000倍）。显微照片250与254显 示在热处理之前，陶瓷涂层包含大量的陶瓷粒子。显微照片252与256显示在热处理之后，陶 瓷粒子已减少或消除。在一实施例中，表面粒子计数可减少达约93%。
[0064]图3A说明显微照片302-304,显微照片302-304显示了根据本发明的一实施例的在 热处理前后的陶瓷物品截面侧视图。显微照片302显示该陶瓷物品包括陶瓷基板314和在该 陶瓷基板314上方的陶瓷涂层310。所述的陶瓷基板314为氧化铝，而所述的陶瓷涂层310为 HPM陶瓷复合物。
[0065] 显微照片304显示陶瓷基板314与陶瓷涂层310以及已经形成于陶瓷涂层310与陶 瓷基板314之间的过渡层312。所述过渡层具有约1微米至2微米的厚度。
[0066]同时也显示了过渡层的元素图谱308。元素图谱308根据能量色散X射线光谱仪 (EDX)而提供过渡层312的元素分析。元素图谱308显示过渡层312由碳、氧、铝和钇所组成。 元素图谱308更显示了过渡层312中的元素原子浓度大致为18%的碳、46%的氧、23%的铝 以及13%的钇。因此，显示过渡层312为Y 3Al5〇12(YAG)。过渡层会明显增进陶瓷涂层对陶瓷 基板的黏结强度。
[0067]图3B说明了显示根据本发明实施例的在不同温度与不同历时下进行热处理前后 的陶瓷物品的4,000倍放大倍率截面侧视图的显微照片。显微照片320显示，在热处理之前， 在陶瓷涂层310与陶瓷基板314之间有界面。显微照片322显示在1300°C下进行4小时热处理 之后的陶瓷涂层310与陶瓷基板314之间的界面。显微照片324显示在1400°C下进行4小时热 处理之后的陶瓷涂层310与陶瓷基板314之间的界面。显微照片326显示在1500°C下进行4小 时热处理之后的陶瓷涂层310与陶瓷基板314之间的界面。显微照片332显示在1600°C下进 行4小时热处理之后的陶瓷涂层310与陶瓷基板314之间的界面。显微照片328显示在1300°C 下进行24小时热处理之后的陶瓷涂层310与陶瓷基板314之间的界面。显微照片330显示在 1300°C下进行24小时热处理之后的陶瓷涂层310与陶瓷基板314之间的界面。
[0068] 如显微照片326、330与332所示，过渡层312在某些条件下的热处理期间形成于陶 瓷涂层310与陶瓷基板314之间。在热处理温度为1300°C下，无论热处理历时多久，都没有过 渡层形成。在热处理温度为1400°C下，在处理4小时之后并无法侦测到过渡层，但是可在处 理24小时之后侦测到过渡层312。在热处理温度为1500°C与1600°C下，在处理4小时之后即 可侦测到过渡层。
[0069]显示在增加的处理温度与增加的处理历时下会形成较厚的过渡层。对于过渡层厚 度而言，温度比历时具有更大影响。如图所示，历时为4小时、温度1500°C的热处理所产生的 过渡层312厚度比历时为24小时、温度1400°C的热处理所产生的过渡层312厚度稍微更厚 止匕 -、〇
[0070] 图3C说明了显示根据本发明具体实施例的在热处理前后的陶瓷物品的20,000倍 放大倍率截面侧视图的显微照片350-356。显微照片350与354显示在热处理之前在陶瓷涂 层310与陶瓷基板314之间的界面。在热处理之前，在陶瓷基板314与陶瓷涂层310之间显示 有间隙370存在。这些间隙会导致陶瓷涂层310后来从陶瓷基板314分层。显微照片352与356 显示过渡层312于热处理期间形成于陶瓷涂层310与陶瓷基板314之间的界面处。此外，显微 照片352与356显示在热处理之前所存在的间隙370因热处理的结果而消除或减少。此可降 低分层的可能性，且可提升陶瓷涂层310对陶瓷基板314的黏结或键结强度。
[0071] 图3D说明根据本发明的一实施例的在热处理前后的HPM陶瓷复合涂层的相态组成 比较。如图所示，热处理并不明显改变陶瓷涂层或陶瓷基板的相态组成。
[0072] 陶瓷涂层的表面型态可以表面粗糙度参数及/或表面均匀度参数来表示。表面型 态也可使用孔隙度、裂缝及/或空洞的参数。代表孔隙度的测量参数可包含孔隙计数及/或 平均孔隙大小。同样地，代表空洞及/或裂缝的测量参数包含平均空洞/裂缝大小及/或空 洞/裂缝计数。
[0073]代表粒子计数的测量参数为胶带剥离测试粒子计数与液体粒子计数(LPC)。胶带 测试通过将黏性胶带贴附在陶瓷涂层上、然后撕除胶带并计算黏在胶带上的粒子数量而进 行。LPC通过将陶瓷物品放置在水浴(例如去离子(DI)水浴）中并对水浴进行声波震荡、接着 可使用例如激光计数器来计数脱离而进入溶液中的粒子数量而进行。
[0074] 黏结强度通过对陶瓷涂层施加一力（例如以MPa来测量）、直到陶瓷涂层自陶瓷基 板剥离为止而决定。在一实施例中，陶瓷涂层的黏结强度在热处理之前是4MPa的程度，而在 热处理之后则为12MPa的程度。因此，在热处理之后，陶瓷涂层对陶瓷基板的黏结强度会比 在热处理之前的黏结强度大致强三倍。
[0075]陶瓷涂层的黏结强度、孔隙度、裂缝与粒子计数值可因热处理而提升。此外，晶粒 大小会因热处理而增加，而硬度会因热处理而降低。经验上证据也显示，经陶瓷涂布的盖板 与经陶瓷涂布的喷嘴在等离子体蚀刻处理期间所产生的粒子污染因热处理而减少。经验上 证据也显示，因热处理的结果，可减少陶瓷涂层自陶瓷基板的剥离。此外，陶瓷涂层的表面 粗糙度也因热处理而降低。
[0076] 注意对于高达约1200°C的热处理而言，粒子与陶瓷涂层表面之间的互相作用是由 范德华(van der Waals)力所主导，根据下式：
[0077]
[0078] 其中F为力，A为面积，而Η为距离。随着热处理温度从室温增加至约500°C，范德华 力会减弱，而热膨胀会导致距离Η的增加 。当热处理温度从约500°C增加至约1200°C，范德华 力会至少因距离Η的减少而增强。这种距离的减少因为基板表吸收了粒子及/或变形所致。 [0079]在介于约1200°C与1800°C之间的温度下，在粒子与陶瓷涂层表面之间会形成液体 膜。在约1200°C与1500°C之间，液体薄膜可以是薄液体膜，而在约1500°C与1800°C之间，该 液体膜可以为厚液体膜。在高达约1800°C的温度下，粒子与陶瓷涂层表面之间的互相作用 通过毛细力而由液体间互相作用所主导，根据下式：
[0080] F = 4jryRcos9 (式 2)
[0081] 其中F为力，γ为液体-空气表面张力，R为粒子与基板表面之间的界面等效半径， 而Θ为接触角。在这些温度下，粒子扩散至液体中，且会在对应晶粒上重新成长。这会使粒子 从基板表面移除，即使是在陶瓷物品已经冷却之后亦然。
[0082]对于ΗΡΜ陶瓷复合物与钇氧化物而言，1800°C为烧结温度。因此，在大致为1800°C 或高于约1800°C的温度下，在粉末之间的陶瓷涂层中形成液态相。这些粉末会熔化为液体， 并且成长为尺寸更大的晶粒。原子会从高能量晶粒扩散至低能量晶粒，直到达到平衡为止。 因此，在一实施例中，在低于约1800°C的温度下进行热处理。
[0083]前述说明提出各种具体细节(例如具体系统、组件、方法等的实例），以提供对本发 明的数个实施例的良好理解。然而，本领域技术人员明显可知，在无这些具体细节下亦可实 施本发明的至少某些实施例。在其他例子中，习知组件或方法并不详细加以说明、或是仅以 简单方块图形式来呈现，以避免不需要地混淆本发明。因此，所提出的具体细节仅为例示， 特定的实施方式可随这些例示细节而变化，且仍被视为落于本发明的范畴内。
[0084]在本说明书中，当述及"一个实施例"或"一实施例"时，是表示与该实施例相关说 明的一特定特征、结构或特性包含于至少一个实施例中。因此，当本说明书中各个部分出现 用语"在一个实施例中"或"在一具体实施例中"时，并不是必须要全部都指同一个实施例。 此外，用语"或"是用以表示包含性的"或"而非排除性的"或"。
[0085]本文所述的方法的操作虽以特定顺序来说明，但每一方法的操作次序可加以调 整，使得某些操作可以一反向次序而执行，或使得某些操作可至少部分与其他操作同时执 行。在另一具体实施例中，不同操作的指令或次操作可为周期性及/或交替的形式。
[0086] 应理解上述说明仅为说明、而非限制之用。在研读并理解上述说明之后，本领域技 术人员即可明显得知多其他具体实施例。因此，本发明的范畴应参照如附权利要求及这些 权利要求所记载的等效例的完整范畴而决定。
【主权项】
1. 一种方法，包括以下步骤： 提供陶瓷物品，包括陶瓷基板与陶瓷涂层，其中所述陶瓷涂层具有初始孔隙度与初始 裂缝量； 以约每分钟〇.l°C至约每分钟20°C的升降温速率，加热所述陶瓷物品至介于约1000°C与约1800°C间的温度范围； 以所述温度范围内的一或多个温度热处理所述陶瓷物品达约24小时的历时，以减少所 述陶瓷涂层的孔隙度与裂缝量;及 在热处理之后以所述升降温速率来冷却所述陶瓷物品。2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述陶瓷涂层另外具有初始粒子计数与初始 黏结强度，且其中在热处理之后，所述陶瓷涂层具有降低的粒子计数与增加的黏结强度。3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述陶瓷基板与所述陶瓷涂层各自实质上由 ￥2〇3、厶12〇 3、￥4厶12〇9、￥3厶15〇 12(￥厶6)、石英、3比、31必4、厶以或51(：-31必4中的至少其一组成，且 其中所述陶瓷基板具有与所述陶瓷涂层不同的组成。4. 如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述陶瓷基板与所述陶瓷涂层包括在热处理 期间将反应而于所述陶瓷涂层与所述陶瓷基板之间形成过渡层的陶瓷。5. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述陶瓷涂层由包括Y2〇3以及Zr02、Al2〇3、 Si02、B2〇3，Er2〇3、Nd2〇3、Nb2〇5、Ce02、Sm2〇3 或Yb2〇3 中的至少其一的固体溶液组成。6. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理使所述陶瓷涂层与所述陶瓷基板 反应而于所述陶瓷基板与所述陶瓷涂层之间形成过渡层，且其中所述历时与所述温度范围 经选择以使所述过渡层具有约0.1微米至约5微米的厚度。7. 如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤： 在所述加工陶瓷物品已经用于等离子体蚀刻工艺之后，重复加热、热处理与冷却，以减 少所述等离子体蚀刻工艺所产生的增加的表面缺陷密度。8. 如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述等离子体蚀刻工艺使聚合物形成于所述 陶瓷物品上，且其中在氧的存在下重复所述热处理通过使所述等聚合物与氧反应以变成气 体而干式清洁所述陶瓷物品。9. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在真空、空气的存在、氩气的存在、 或氮气的存在中至少其一之下进行。10. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加工陶瓷物品是等离子体蚀刻器的处 理腔室组件。11. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理使所述陶瓷涂层的晶粒大小增 加，且其中所述历时与所述温度范围经过选择以达到目标晶粒大小。12. -种由工艺所制备的经热处理陶瓷物品，所述工艺包括： 提供陶瓷物品，所述陶瓷物品包括陶瓷基板与陶瓷涂层，其中所述陶瓷涂层具有初始 孔隙度与初始黏结强度； 以约每分钟〇.l°C至约每分钟20°C的升降温速率，加热所述陶瓷物品至介于约1000°C与约1800°C间的温度范围； 以所述温度范围内的一或多个温度热处理所述陶瓷物品达约24小时的历时;及 以所述升降温速率来冷却所述陶瓷物品，其中在所述热处理之后所述陶瓷涂层具有增 加的黏结强度与降低的孔隙度。13. 如权利要求12所述的经热处理陶瓷物品，其特征在于，所述陶瓷涂层另外具有初始 粒子计数与初始黏结强度，且其中在所述热处理之后，所述陶瓷涂层具有降低的粒子计数 与增加的黏结强度。14. 如权利要求12所述的经热处理陶瓷物品，其特征在于，所述陶瓷基板与所述陶瓷涂 层各自实质上由丫2〇3、厶12〇 3、￥4厶12〇9、￥3厶15〇 12(￥厶6)、石英、3扣、31必4、厶1~或51(：-31必4中的至 少其一组成，且其中所述陶瓷基板具有与所述陶瓷涂层不同的组成。15. 如权利要求14所述的经热处理陶瓷物品，其特征在于，所述陶瓷基板与所述陶瓷涂 层包括在热处理期间将反应而于所述陶瓷涂层与所述陶瓷基板之间形成过渡层的陶瓷。16. 如权利要求12所述的经热处理陶瓷物品，其特征在于，所述热处理使所述陶瓷涂层 与所述陶瓷基板反应而于所述陶瓷基板与所述陶瓷涂层之间形成过渡层，且其中所述历时 与所述温度范围经选择以使所述过渡层具有约0.1微米至约5微米的厚度。17. -种陶瓷物品，包括： 陶瓷基板； 在所述陶瓷基板上的陶瓷涂层，其中所述陶瓷涂层具有与所述陶瓷基板不同的组成； 及 过渡层，位于所述陶瓷基板与所述陶瓷涂层之间，所述过渡层包括来自所述陶瓷涂层 的第一元素，所述第一元素已与来自所述陶瓷基板的第二元素反应，其中所述过渡层具有 介于约0.1微米至约5微米的厚度。18. 如权利要求17所述的陶瓷物品，其特征在于，所述陶瓷基板包括Al2〇3,所述过渡层 包括Y3Al5〇12(YAG)，且所述陶瓷涂层包括Y2〇3或Y4Al2〇9的化合物与Y2〇3-Zr02的固体溶液中 至少其一。19. 如权利要求17所述的陶瓷物品，其特征在于，所述陶瓷基板与所述陶瓷涂层各自实 质上由￥2〇3、厶12〇 3、￥4厶12〇9、￥3厶15〇 12(￥厶6)、石英、3扣、31必4、厶以或31(：-31必4中的至少其一组 成，且其中所述陶瓷基板具有与所述陶瓷涂层不同的组成。20. 如权利要求17所述的陶瓷物品，其特征在于，所述陶瓷物品是等离子体蚀刻器的处 理腔室组件。
【专利摘要】本文提供了一种具有陶瓷基板与陶瓷涂层的陶瓷物品，其中该陶瓷涂层具有初始孔隙度与初始裂缝量。该陶瓷物品以约每分钟0.1℃至约每分钟20℃的升降温速率被加热至介于约1000℃与约1800℃间的温度范围。以该温度范围内的一或多个温度热处理该陶瓷物品达约24小时的历时。接着以该升降温速率来冷却该陶瓷物品，其中在热处理之后，该陶瓷涂层具有降低的孔隙度与降低的裂缝量。
【IPC分类】C03C1/00, C23C28/00, C04B41/50
【公开号】CN105492400
【申请号】CN201380010899
【发明人】J·Y·孙, R-G·段, B·R·卡农戈, D·卢博米尔斯基
【申请人】应用材料公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2013年2月20日
【公告号】US9212099, US20130216821, US20160060181, WO2013126466A1
【技术领域】
[0001] 本发明的具体实施例一般与用以热处理经涂布陶瓷物品的热处理工艺有关。
【背景技术】
[0002] 在半导体工业中，通过可产生尺寸越发减少的结构的数种制造工艺来制造元件。 某些制造工艺(例如等离子体蚀刻与等离子体清洁工艺)使基板暴露至高速等离子体流，以 蚀刻或清洁基板。等离子体为高度腐蚀性，且会腐蚀暴露于等离子体的处理腔室以及其他 表面。此腐蚀会产生粒子，粒子常会污染正在被处理的基板，导致元件缺陷。
[0003] 随着元件几何尺寸的缩减，对缺陷的敏感度会增加，且对于粒子污染的需求变得 更臻严格。因此，当元件的几何尺寸缩减时，可允许的粒子污染程度则会降低。为了使等离 子体蚀刻及/或等离子体清洁工艺所产生的粒子污染达到最低，已开发出可抵抗等离子体 的腔室材料。这类抗等离子体材料的实例包括含有六1 203^1151(：、￥203、石英与2抑2的陶瓷。 然而，对于某些应用而言，这些陶瓷材料的抗等离子体特性是不够的。举例而言，在使用于 阈值尺寸为45纳米或32纳米的半导体元件的等离子体蚀刻工艺中时，利用传统陶瓷制造工 艺所制造的抗等离子体陶瓷盖板及/或喷嘴会产生无法接受的粒子污染程度。此外，当这类 抗等离子体陶瓷被使用作为陶瓷涂层时，这些涂层会产生较高的粒子污染程度，且会因分 层剥落(delamination)而故障。
【发明内容】
[0004] 在一具体实施例中，提供了一种具有陶瓷基板与陶瓷涂层的陶瓷物品，该陶瓷涂 层具有初始孔隙度与初始裂缝量。该陶瓷物品被以约每分钟〇.l°C至约每分钟20°C的升降 温速率加热至介于约l〇〇〇°C与约1800°C间的温度范围。以该温度范围内的一或多个温度热 处理该陶瓷物品达约24小时的历时。接着以该升降温速率来冷却该陶瓷物品，其中在热处 理之后，该陶瓷涂层具有降低的孔隙度与降低的裂缝量。
【附图说明】
[0005] 在如附图中是藉例示而非限制来说明本发明，在附图中相同的元件符号是代表相 似的元件。应注意在本文中当述及"一"或"一个"具体实施例时，并不一定是指相同的具体 实施例，这类叙述是代表"至少一个"。
[0006] 图1A说明了根据本发明的一实施例的制造系统的例示架构；
[0007] 图1B说明了根据本发明的一实施例的用于热处理陶瓷物品的一种工艺；
[0008] 图2A为根据本发明实施例的在利用热处理处理陶瓷涂层之前以及在利用热处理 处理陶瓷涂层之后的陶瓷涂层表面的显微照片；
[0009] 图2B为根据本发明实施例的在利用热处理处理陶瓷涂层之前以及在各种温度和 处理历时下利用热处理处理陶瓷涂层之后的陶瓷涂层表面在4,000倍放大倍率下的其他显 微照片；
[0010]图2C为根据本发明具体实施例的在利用热处理处理陶瓷涂层之前以及在各种温 度和处理历时下利用热处理处理陶瓷涂层之后的陶瓷涂层表面在20,000倍放大倍率下的 其他显微照片；
[0011]图2D为根据本发明实施例的在陶瓷涂层经处理之前以及在陶瓷涂层经处理之后 的陶瓷涂层表面在1〇,〇〇〇倍放大倍率下的其他显微照片；
[0012] 图3A为显示根据本发明的一实施例的在热处理前后的陶瓷物品的截面侧视图的 显微照片；
[0013] 图3B为显示根据本发明实施例的在不同温度与不同历时下进行热处理前后的陶 瓷物品在4,000倍放大倍率下的截面侧视图的显微照片；
[0014] 图3C为显示根据本发明实施例的在热处理前后的陶瓷物品在20,000倍放大倍率 下的截面侧视图的显微照片；
[0015] 图3D说明根据本发明的一实施例的在热处理前后的HPM陶瓷复合涂层的相态组成 比较。
【具体实施方式】
[0016] 本发明的具体实施例是与一种用于热处理陶瓷物品的工艺有关，且与利用热处理 所处理的陶瓷物品有关。在一实施例中，提供了一种包括陶瓷基板与陶瓷涂层的陶瓷物品， 该陶瓷涂层具有初始孔隙度、对该陶瓷基板的初始键结强度以及初始裂缝量。该陶瓷基板 可为烧结陶瓷，且该陶瓷涂层是等离子体喷涂陶瓷。该陶瓷物品可为，例如等离子体蚀刻器 的陶瓷盖板、喷嘴或处理套件。该陶瓷物品被以约每分钟〇.l°C至约每分钟20°C的升降温速 率加热至介于约1 〇〇〇°C与约1800°C间的温度范围。该陶瓷物品在该温度范围内的一或多个 温度下进行热处理达约24小时的历时。接着该陶瓷物品被以该升降温速率予以冷却。在热 处理之后，该陶瓷涂层具有减少的表面缺陷、降低的涂层孔隙度以及减少的裂缝量。该陶瓷 涂层也具有降低的表面粗糙度，且另外具有对等离子体的较大抵抗性。此外，在热处理之 后，该陶瓷涂层对陶瓷基板具有较强的界面性，该较强的界面性提供了对陶瓷基板的较大 黏结强度。较强的界面性是因在陶瓷基板与陶瓷涂层之间形成过渡层所致。
[0017] 在一实施例中，加热炉对包含陶瓷基板与陶瓷涂层的陶瓷物品执行热处理工艺， 其中该陶瓷涂层具有初始孔隙度与初始裂缝量。该加热炉以每分钟约〇.l°C至每分钟约20 °C的升降温速率来加热该陶瓷物品，直到该陶瓷物品达到指定温度或温度范围为止。该指 定温度范围从约l〇〇〇°C变化至约1800°C，且该指定温度是该指定温度范围内的温度。加热 炉于该指定温度及/或该温度范围内的其他指定温度下对该陶瓷物品热处理达约24小时的 历时。该加热炉接着以该升降温速率来冷却该陶瓷物品。在热处理之后，该陶瓷物品具有降 低的表面孔隙度及减少的裂缝量。
[0018] 本发明的实施例经由过渡层的形成而增加陶瓷涂层以及涂布该陶瓷涂层的陶瓷 基板之间的键结强度。本发明的实施例也减少了经处理的陶瓷物品上的陶瓷涂层的表面缺 陷、降低孔隙度并减少裂缝量。实施例也降低了经处理的陶瓷涂层的表面粗糙度，并且使陶 瓷涂层上的表面粒子减到最少。当使用于应用等离子体的半导体工艺(例如等离子体蚀刻 与等离子体清洁工艺)时，这类经热处理的陶瓷涂层具有减少的高能量键结(断键)数，并产 生明显较低的粒子污染量。此外，经热处理的陶瓷涂层的降低孔隙度与减少裂缝可减少渗 入陶瓷涂层而与下方基板反应的处理气体量。另外，在陶瓷涂层与陶瓷基板间的过渡层(在 本文中也称为界面性过渡层）的形成可抑制渗入涂层的工艺化学物与下方基板反应。这可 使分层剥落的发生降至最低。过渡层可提高陶瓷涂层的黏结强度，且可使剥离降至最低。举 例而言，用于蚀刻器机器的经陶瓷涂布的盖板与喷嘴可经热处理，以使在等离子体蚀刻工 艺期间所产生的粒子污染及/或剥离降至最低。因此，利用本文所述的经热处理的陶瓷物品 而制造的半导体会具有较低的缺陷计数，且可导致降低的废弃率。
[0019] 在本文中所使用的用语"热处理"是表示对陶瓷物品施加升高温度，例如通过加热 炉。当于本文中使用用语"约"时，是用以表示所提出的标称数值在±10%内都是精确的。
[0020] 在本文中，有些实施例使用加热炉来进行热处理，然而，应了解也可使用其他的热 处理技术来进行所述热处理。可使用的其他热处理技术的部分实例包括激光表面处理（也 称为激光热处理）、电子束（e-beam)表面处理(也称为电子束热处理）、火焰表面处理(也称 为火焰热处理）以及高温等离子体处理。
[0021] 同时注意本文所述的有些实施例是关于半导体制造的等离子体蚀刻器中所使用 的经陶瓷涂布的盖板与经陶瓷涂布的喷嘴。然而，应理解到这类等离子体蚀刻器也可用以 制造微机电系统(MEMS)的元件。此外，本文所述的经热处理的陶瓷物品可为暴露于等离子 体的其他结构。举例而言，该陶瓷物品可为等离子体蚀刻器、等离子体清洁器、等离子体驱 动系统等的经陶瓷涂布的环件、壁部、基部、气体分配板材、喷淋头、基板固持框架等。
[0022] 此外，本文所述的实施例是关于在使用于富含等离子体工艺的处理腔室中时能够 产生降低的粒子污染的陶瓷物品。然而，应理解本文所述的陶瓷物品在使用于其他工艺的 处理腔室(例如非等离子体蚀刻器、非等离子体清洁器、化学气相沉积(CVD)腔室、物理气相 沉积(PVD)腔室、等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)腔室、等离子体增强的物理气相沉 积(PEPVD)腔室、等离子体增强的原子层沉积(PEALD)腔室等）中时也可提供降低的粒子污 染。
[0023] 图1A说明了根据本发明的一具体实施例的制造系统的例示架构。该制造系统100 可以是陶瓷制造系统。在一实施例中，该制造系统100包括加热炉105(例如，如旋转窑 (kiln)的陶瓷加热炉）、设备自动化层115与计算装置120。在替代实施例中，该制造系统100 可包括更多或更少的组件。举例而言，该制造系统100仅包含加热炉105,加热炉105是手动 的离线机器。
[0024] 加热炉105为一种经设计以加热例如陶瓷物品的机器。加热炉105包括热绝缘腔室 或炉体，能对插置于热绝 缘腔室或炉体中的物品（例如陶瓷物品）施加控制温度。在一实施 例中，该腔室呈密封。加热炉105可包含栗，以将空气栗送至腔室外，并因此而于腔室内产生 真空。加热炉105可另外或替代地包含气体入口，以将气体(例如，如氩气或氮气等惰性气 体)栗送至腔室中。
[0025] 加热炉105是具有由技术人员在陶瓷物品的处理期间手动设定的温度控制器的手 动加热炉。加热炉105也可以是离线机器，离线机器可以工艺配方来予以编程。该工艺配方 可以控制升温速率、降温速率、工艺时间、温度、压力、气体流量等。或者是，加热炉105可为 线上自动化加热炉，线上自动化加热炉可经由设备自动化层115而自例如个人电脑、伺服器 机器等的计算装置120接收工艺配方。该设备自动化层115使加热炉105与计算装置120、与 其他制造机器、与量度工具及/或其他装置互相连接。
[0026] 设备自动化层115可包含网络（例如局域网（LAN))、路由器、网关、服务器、数据储 存器等。加热炉105可经由半导体设备通讯标准/ 一般设备模式（SECS/GEM)界面、经由以太 网界面及/或经由其他界面而连接至设备自动化层115。在一实施例中，该设备自动化层115 可使工艺数据(例如加热炉105在工艺运转期间所收集到的数据)储存在数据储存器(未示） 中。在替代实施例中，该计算装置120直接连接至加热炉105。
[0027] 在一实施例中，加热炉105包括可编程控制器，可编程控制器可负载、储存与执行 工艺配方。该可编程控制器控制热处理工艺的温度设定、气体及/或真空设定、时间设定等。 可编程控制器控制腔室加热，使温度下降以及上升，可使多步骤热处理被输入作为单一工 艺等。该可编程控制器可包含主存储器(例如只读存储器(R0M)、快闪存储器、动态随机存取 存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)等），及/或次级存储器(例如，如磁盘驱动器的 数据储存装置）。主存储器及/或次级存储器可储存用于执行本文所述的热处理工艺的指 令。
[0028] 该可编程控制器也可包含耦接(例如经由总线）至主存储器及/或次级存储器以执 行指令的处理装置。该处理装置可为通用处理装置，例如微处理器、中央处理单元等。该处 理装置也可为专用处理装置，例如专用集成电路(ASIC)、场可编程门阵列(FPGA)、数字信号 处理器(DSP)、网络处理器等。在一具体实施例中，该可编程处理器是可编程的逻辑控制器 (PLC)〇
[0029] 在一实施例中，加热炉105经编程，以执行将使加热炉105可使用关于图1B所述热 处理工艺来对陶瓷物品进行热处理的配方。
[0030] 图1B是流程图，该流程图说明了根据本发明的一实施例的用于热处理陶瓷物品的 工艺150。在工艺150的方块155中，提供陶瓷物品（例如提供至加热炉或旋转窑）。在一具体 实施例中，该陶瓷物品由装载器自动地载入至加热炉中。该陶瓷物品包括陶瓷基板，该陶瓷 基板在至少一表面上已涂布有陶瓷涂层。在一实施例中，该陶瓷物品是等离子体蚀刻器或 等离子体清洁器的陶瓷盖板、陶瓷喷嘴或其他处理腔室元件。该陶瓷物品可具有主要为钇 氧化物的陶瓷涂层。使用主要为钇氧化物的陶瓷是因为钇氧化物有较佳的抗等离子体特性 之故。该陶瓷物品也可具有陶瓷基板，该陶瓷基板具有良好的机械特性，例如高挠曲强度与 对于高温及/或热应力所致的破裂的抵抗性。
[0031 ]在被涂布陶瓷涂层之前，陶瓷基板可先经加工。此外，陶瓷涂层可在涂布该陶瓷基 板之后再经加工。加工的实例包括表面研磨、抛光、钻孔、磨擦、切割、玻璃珠喷砂或是以加 工工具所进行的其他处理。在一具体实施例中，在陶瓷涂层形成于陶瓷基板上方之后，该陶 瓷涂层经抛光。这会产生大量的粒子，粒子会留在陶瓷涂层的裂缝、孔洞或是其他表面缺陷 中。
[0032]陶瓷基板由陶瓷块材所形成，例如 Y2〇3、Y4Al2〇9、Al2〇3、Y 3Al5〇12(YAG)、5g、SiC、 Si3N4、AlN、Zr02等。举例而言，该陶瓷基板可为下文中关于陶瓷涂层所说明的任何一种陶瓷 的烧结形式的块材。基板也可为陶瓷复合物，例如AI2O3-YAG的陶瓷复合物或SiC-Si 3N4的陶 瓷复合物。该陶瓷基板也可为包括含固体溶液的氧化钇(或称为钇氧化物或Y2〇 3)的陶瓷复 合物。举例而言，陶瓷基板可为高性能材料(High Performance Material ,ΗΡΜ)，该高性能 材料由化合物Υ4Α12〇9 (YAM)与固体溶液Y2-xZrx〇3 (Y2〇3-Zr02的固体溶液)所组成。注意，纯的 氧化钇以及含有固体溶液的氧化钇可掺有Zr02、Al2〇3、Si0 2、B2〇3、Er2〇3、Nd 2〇3、Nb2〇5、Ce〇2、 S1112O3、Yb2〇3或其他氧化物中的一或多种。
[0033] 类似于陶瓷基板，陶瓷涂层由Y2〇3(氧化钇）、Y4Al2〇9(YAM)、Al 2〇3(氧化铝）、Υ3Α15〇12 (YAG)、石英、YA103(YAP)、SiC(碳化硅）、Si3N4(氮化硅）、A1N(氮化铝）、Zr0 2(二氧化锆）、 A10N(氮氧化铝）、Ti02(二氧化钛）、TiC(碳化钛）、ZrC(碳化锆）、TiN(氮化钛）、TiCN(氮化碳 钛）、以Y 2〇3稳定化的Zr02(YSZ)等。同样类似于陶瓷基板，陶瓷涂层可为纯的氧化钇或是含 有固体溶液的氧化钇，纯的氧化钇或是含有固体溶液的氧化钇可掺有Zr0 2、A12〇3、Si02、 B2〇3、Er2〇3、Nd2〇3、Nb2〇5、Ce〇2、Sm2〇3、Yb2〇3或其他氧化物中的一或多种。在一实施例中，陶瓷 涂层是HPM复合物。然而，该陶瓷涂层可通过在陶瓷基板上喷涂或成长陶瓷涂层而形成，且 该陶瓷基板由烧结工艺所形成。
[0034]在一实施例中，该陶瓷涂层为含有已经利用热喷涂技术或等离子体喷涂技术而沉 积在陶瓷基板上的陶瓷的氧化钇。热喷涂技术可熔化材料(例如陶瓷粉末），并将熔化的材 料喷涂在陶瓷基板上。热喷涂陶瓷涂层可具有约20微米至约数毫米的厚度。
[0035]在一实施例中，该陶瓷涂层经等离子体喷涂至陶瓷基板上。或者是，也可使用其他 的热喷涂技术，例如爆炸喷涂、电弧喷涂、高速氧燃料(HV0F)喷涂、火焰喷涂、暖喷涂与冷喷 涂。此外，也可使用其他的涂布工艺来形成陶瓷涂层，例如气胶沉积、电镀、物理气相沈积 (PVD)、离子辅助沉积（IAD)以及化学气相沉积(CVD)。注意，陶瓷涂布工艺可产生具有如孔 洞、裂缝与不完全键结区域等小空洞的陶瓷涂层，该陶瓷涂层具有明显不同于块材的陶瓷 材料(例如陶瓷基板)的结构特性。
[0036]在一实施例中，该陶瓷涂层由Y203粉末所制成。或者是，该陶瓷涂层可以是由Y 203 粉末、Zr02粉末以及Α12〇3粉末的混合物所制成的HPM陶瓷复合物。在一实施例中，该HPM陶瓷 复合物含有77%的Y 2〇3、15%的Zr02以及8%的Al2〇3。在另一实施例中，该HPM陶瓷复合物含 有63%的Υ 2〇3、23%的Zr02以及14%的Al2〇3。在另外一个实施例中，该HPM陶瓷复合物含有 55%的Υ 2〇3、20%的Zr02以及25%的Al2〇3。相对百分率也可为摩尔比率。举例而言，该HPM陶 瓷可含有77摩尔％的￥ 2〇3、15摩尔％的Zr02以及8摩尔％的六12〇 3。这些陶瓷粉末的其他分配 也可用于HPM材料。
[0037] 该陶瓷涂层初始具有弱黏结强度（例如约3兆帕(MPa))，这会使陶瓷涂层随时间 (例如由于将陶瓷物品使用于富含等离子体工艺的结果)而分层或自陶瓷基板剥离脱落。此 外，陶瓷涂层具有初始孔隙度与初始裂缝量。这些孔洞与裂缝会使处理气体与清洁化学物 质在处理期间渗入陶瓷涂层中并与下方的陶瓷基板反应。这类反应会在陶瓷涂层下方产生 气体、水气或不同材料，而在陶瓷涂层下方产生气泡。这些气泡会进一步使陶瓷涂层与陶瓷 基板分离。这种分离会对经处理的材料(例如经处理的晶圆）产生较大量的粒子污染。此外， 即使没有剥离，气泡、裂缝与孔洞（以及其他的表面缺陷)本身也会对经处理基板产生粒子 污染。
[0038] 在一实例中，在陶瓷涂层中的孔洞、裂缝、空洞与其他表面缺陷可包含断裂的（或 开放的)键，该等断裂的（或开放的)键为高能量位置。这些表面缺陷会捕集粒子。举例而言， 粒子会在表面缺陷处与陶瓷物品形成弱的断键(broken bonds)。在等离子体处理期间，等 离子体会破坏这些弱的断键，并自陶瓷涂层移除部分的粒子。陶瓷粒子接着沉积在经处理 的基板上。此外，等离子体会破坏陶瓷物品在缺陷位址处、在孔洞处、在裂缝处等的键结，此 举会侵蚀陶瓷涂层，并产生其他的粒子。
[0039] 在方块160处，以约每分钟0.1°C至约每分钟20°C的升降温速率来加热该陶瓷物 品。该陶瓷物品为脆性，且在暴露于极度温度变化下时会破裂。因此，需使用够慢而足以避 免陶瓷物品破裂的升降温速率。可预期对于某些陶瓷而言，大于每分钟20°C的升降温速率 也是可行的。因此， 在某些具体实施例中，可以使用不会导致破裂且超过每分钟20°C的升降 温速率。
[0040] 会使陶瓷物品发生破裂的温度变化依陶瓷物品的组成而定。举例而言，可以每分 钟10°c或更高的升降温速率来加热Al2〇3而不会破裂。然而，若以比每分钟约5°C更快速的升 降温速率来加热Υ 2〇3，Υ2〇3则会破裂。在一实施例中，对Y2〇3与HPM陶瓷复合物的陶瓷涂层使 用约每分钟0.1至5°C的升降温速率。在进一步的实施例中，对于由Υ 2〇3与ΗΡΜ陶瓷复合物所 制成的陶瓷涂层使用每分钟约5°C的升降温速率。一般而言，陶瓷物品是在周围温度或接近 周围温度下开始，且以升降温速率缓慢加热至预定温度。
[0041 ] 该陶瓷物品被加热至直到达到指定温度或温度范围为止。该指定温度介于约1000 °C至约1800°C的范围。所使用的该指定温度依陶瓷物品的组成或过渡层的指定目标厚度而 定。在一实施例中，针对具有氧化铝基板与HPM陶瓷涂层或钇氧化物(Y 2〇3)的陶瓷涂层的陶 瓷物品使用1400°C至1500°C的温度。
[0042] 在方块165,该陶瓷物品在该指定温度下或在该温度范围内的一或多个温度下被 加热处理达24小时的历时。所使用的指定历时可依据陶瓷物品的组成以及陶瓷物品的需要 性能特性而定。举例而言，该指定历时可依据该过渡层的目标温度而定。
[0043] 如上述说明，该陶瓷涂层具有大量的表面缺陷以及留在这些表面缺陷中的粒子。 热处理可减少或消除这些缺陷及/或粒子。具体而言，热处理会使粒子熔化及/或使在表面 曲线区域处的一部分陶瓷涂层熔化。熔化的粒子会与在表面缺陷区域处的陶瓷涂层一起流 动。熔化的粒子接着即重新沉积在陶瓷涂层上，并与在这些表面缺陷区域处的陶瓷涂层形 成未断键。所产生的未断键会比先前使粒子与陶瓷涂层结合的断键更强许多，因此，在等离 子体蚀刻工艺中，粒子会变得较不会自陶瓷涂层移除，且缺陷区域也变得较不会受到磨蚀。
[0044] 此外，陶瓷涂层一般具有相对高的孔隙度与相对高的裂缝量。热处理会使孔洞与 裂缝缩减及/或被移除。孔洞与裂缝会基于上述陶瓷涂层的相同熔化与重新沉积而缩减或 消失。举例而言，在孔洞或裂缝处的陶瓷涂层会熔化、然后重新沉积，填充及/或愈合孔洞或 裂缝。
[0045] 在一实施例中，该陶瓷涂层与该陶瓷基板会在热处理工艺期间反应而形成过渡 层。当陶瓷涂层与陶瓷基板由会在对热暴露时反应的材料所组成时，即会形成过渡层。举例 而言，若陶瓷基板为Al 2〇3且陶瓷涂层为HPM陶瓷复合物，则该陶瓷涂层与该陶瓷基板将会在 热处理期间反应而形成YAG过渡层。在另一实例中，若陶瓷基板为Al 2〇3且陶瓷涂层为Y2〇3， 则该陶瓷涂层与该陶瓷基板会在热处理期间反应而形成YAG过渡层。其他的陶瓷涂层材料 与陶瓷基板材料的组合将形成其他的过渡层。
[0046] 特别地，该过渡层是非反应性与非孔隙层。因此，在使用经热处理的陶瓷物品的后 续处理期间，处理气体会渗入陶瓷涂层，但不会渗入过渡层。因此，该过渡层可避免处理气 体与陶瓷基板反应。这可最小化或避免气泡发生，且可改善陶瓷涂层的剥离性能与黏结强 度(键结强度）。
[0047]虽然过渡层具有各种有利的效应，但若过渡层变得过厚时，过渡层会变得有问题。 有些过渡层将具有不同于陶瓷涂层及/或陶瓷基板的膨胀系数。因此，若过渡层比阈值厚度 (例如约5微米)更厚，则该过渡层会在后续处理中于陶瓷涂层中产生裂缝。举例而言，HPM陶 瓷复合物与氧化铝具有大致相等的膨胀系数，但是YAG过渡层则具有不同于HPM陶瓷复合物 与氧化铝的膨胀系数。因此，当YAG过渡层厚于约5微米(μπι)时，YAG过渡层的膨胀与收缩会 使陶瓷涂层破裂。
[0048]过渡层以与温度和时间有关的速率成长。当温度与热处理历时增加时，过渡层的 厚度也会增加。因此，用于热处理陶瓷物品的温度(或多个温度）与历时应被选以形成不厚 于约5微米的过渡层。在一实施例中，温度与历时被选以可使约为0.1微米至约5微米的过渡 层被形成。在一实施例中，过渡层具有足以避免气体在处理期间与陶瓷基板反应的最小厚 度(例如约0.1微米）。在一实施例中，该过渡层具有1微米至2微米的目标厚度。
[0049]热处理也可使陶瓷涂层的晶粒大小增加。当温度与热处理历时增加时，陶瓷涂层 的晶粒大小也会增加。晶粒大小的增加导致较少的晶界。晶界则比陶瓷的晶粒更容易受到 等离子体磨蚀。因此，晶粒大小的增加可使陶瓷涂层在后续处理中较不易产生粒子污染。因 此，可根据陶瓷涂层的目标晶粒大小来选择热处理温度与历时。
[0050]对于氧化铝陶瓷基板与ΗΡΜ或氧化钇陶瓷涂层而言，进行1500°C、热处理历时约为 3小时至6小时的热处理。在一实施例中，氧化钇或HPM陶瓷复合物的陶瓷涂层的热处理历时 为约4小时。
[0051]在一实施例中，该陶瓷物品在热处理历程中维持为单一温度。或者是，在热处理期 间，该陶瓷物品被加热及/或冷却至该温度范围内的多个不同温度。举例而言，该陶瓷物品 于1500°C的温度下热处理4小时，然后在1700°C的温度下热处理2小时，然后在1000°C的温 度下另外热处理3小时。注意当使用多个不同的热处理温度时，该陶瓷物品以该升降温速率 进行加热及/或冷却，以于热处理温度之间转换。
[0052]在方块170处，陶瓷物品以升降温速率进行冷却。在一实施例中，陶瓷物品以与用 以加热陶瓷物品的升降温速率相同的升降温速率来进行冷却。在另一实施例中，可使用不 同的升降温速率来加热该陶瓷物品。在关于经处理基板的粒子污染、抗等离子体磨蚀性、黏 结强度、孔隙度、裂缝的数量与大小以及抗剥离性上，所产生的经热处理的陶瓷物品的陶瓷 涂层都具有增进的性能。此外，所产生的经热处理的陶瓷物品具有在陶瓷涂层与陶瓷基板 之间的过渡层。因此，陶瓷盖板、陶瓷喷嘴、处理套件以及其他的陶瓷内部处理腔室组件利 用工艺150来进行热处理，以增进制造的产品的产量。此外，工艺150所应用的陶瓷物品具有 降低的替换频率，且可减少设备停工期。
[0053]注意工艺150可在已经在陶瓷基板上形成陶瓷涂层之后被执行作为陶瓷物品的制 造工艺的一部分。此外，可对经使用的陶瓷物品周期性地执行工艺150,以治愈或修复这些 陶瓷物品。举例而言，在使用之前利用工艺150对陶瓷物品进行热处理，然后每数月一次、一 年一次、一年两次或以某些其他频率利用工艺150再进行热处理。执行工艺150的频率可依 据陶瓷物品使用的等离子体蚀刻及/或等离子体清洁配方而定。举例而言，若该陶瓷物品频 繁地暴露于特别严峻的等离子体环境，则以较高频率来热处理该陶瓷物品。
[0054]暴露于等离子体会使陶瓷涂层随时间而磨蚀及/或腐蚀。举例而言，等离子体会使 断键发生于陶瓷涂层的表面处，会产生会污染经处理的基板的陶瓷粒子，会导致在陶瓷涂 层表面处的缺陷，会使陶瓷涂层自陶瓷基板剥离等。因此，当陶瓷物品老化时，可能会产生 更多的粒子污染。可对这种老化的陶瓷物品进行热处理工艺150,以回复因腐蚀性等离子体 环境所产生的损害。除了新制成的陶瓷物品以外，热处理也可为已使用的陶瓷物品修复缺 陷及减少粒子。因此，可对已使用的陶瓷物品执行工艺150,以延长陶瓷物品的使用寿命。 [0055]注意除了修复表面缺陷以及使粒子减至最少以外，热处理工艺150也可用以干式 清洁陶瓷物品。暴露于等离子体环境会使聚合物形成于陶瓷物品的表面上。这些聚合物会 在后续处理期间在基板上产生粒子污染。通常会执行周期性地湿式清洁工艺来移除陶瓷物 品上的聚合物。在一实施例中，执行热处理工艺150来取代湿式清洁工艺。热处理工艺150会 使涂布陶瓷物品的聚合物在高温环境中与空气或其他气体反应，此反应会使聚合物变为气 态，并离开陶瓷物品的表面。因此，热处理工艺150可用以清洁陶瓷物品以及用以修复陶瓷 物品的表面。注意用于后续热处理工艺的温度及/或历时可与用于初始热处理工艺的温度 及/或历时不同。
[0056]图2A说明根据本发明实施例的在利用热处理来处理陶瓷涂层之前以及在利用热 处理来处理陶瓷物品之后的陶瓷涂层的显微照片202-216。在显微照片202-216中所显示的 陶瓷涂层是具有Y4Al 20^Y2-xZrx03的HPM陶瓷复合物。
[0057] 显微照片202显示在热处理之前的陶瓷物品的实例。显微照片204显示在显微照片 202中所示的区域208的放大视图。区域208相对较无表面缺陷。显微照片204说明陶瓷涂层 的晶粒大小。显微照片206显示在显微照片202中的区域210的放大视图。区域210说明了陶 瓷涂层的表面缺陷与表面粒子。
[0058] 显微照片212显示在热处理之后的显微照片202所示的实例。如图所示，表面缺陷 量已因热处理而减少。显微照片214显示了显微照片212中所示的区域218的放大视图。区域 218是相对较无表面缺陷与表面粒子。显微照片214说明了陶瓷涂层的晶粒大小比显微照片 204中所示的晶粒 大小更大。显微照片216显示了显微照片212中所示区域220的放大视图。 区域220说明了陶瓷涂层的表面缺陷。然而，显微照片216中所显示的表面缺陷比显微照片 206中所示的表面缺陷较不严重，且表面粒子亦已实质上被移除。
[0059]图2B显示在根据本发明实施例的使用热处理来处理陶瓷涂层之前以及在已经在 不同温度与处理历时下使用热处理来处理该陶瓷涂层之后的陶瓷涂层表面的其他显微照 片222-234(放大倍率为4000倍）。显微照片222显示在热处理之前的陶瓷涂层的实例。显微 照片224显示在1300°C的温度下进行4小时热处理之后的陶瓷涂层的实例。显微照片226显 示在1400°C的温度下进行4小时热处理之后的陶瓷涂层的实例。显微照片228显示在1500°C 的温度下进行4小时热处理之后的陶瓷涂层的实例。显微照片234显示在1600°C的温度下进 行4小时热处理之后的陶瓷涂层的实例。如图所示，在固定的热处理时间下，温度的增加会 使裂缝的大小与数量减少。此外，温度的增加会使孔洞的大小与数量减少（因而降低孔隙 率)。
[0060] 显微照片230说明在温度为1300°C下进行24小时热处理之后的陶瓷涂层的实例。 显微照片232说明在温度为1400°C下进行24小时热处理之后的陶瓷涂层的实例。如图所示， 对陶瓷涂层进行热处理达4小时以上并不会明显进一步减少孔隙度或裂缝量。因此，在一实 施例中，热处理历时大致为4小时。
[0061] 图2C显示在根据本发明实施例的使用热处理来处理陶瓷涂层之前以及在已经在 不同温度与处理历时下使用热处理来处理该陶瓷涂层之后的陶瓷涂层表面的其他显微照 片236-248(放大倍率为20000倍）。显微照片236显示在热处理之前的陶瓷涂层。显微照片 238显示在温度为1300°C下进行4小时热处理之后的陶瓷涂层。显微照片240显示在温度为 1400°C下进行4小时热处理之后的陶瓷涂层。显微照片242显示在温度为1500°C下进行4小 时热处理之后的陶瓷涂层。显微照片248显示在温度为1600°C下进行4小时热处理之后的陶 瓷涂层。显微照片248中所示的晶粒大小大于显微照片242中所示的晶粒大小，显微照片242 中所示的晶粒大小大于显微照片240中所示的晶粒大小，依此类推。因此，热处理温度的增 加会导致陶瓷涂层的晶粒大小的增加。
[0062] 显微照片244显示在温度为1300°C下进行24小时热处理之后的陶瓷涂层。显微照 片246显示在温度为1400°C下进行24小时热处理之后的陶瓷涂层。因此，热处理历时的增加 也会使陶瓷涂层的晶粒大小增加。在热处理之前，陶瓷涂层的晶粒大小初始为纳米尺寸，且 最后因热处理而成长为大于纳米尺寸。热处理的温度及/或历时基于目标晶粒大小而加以 选择。增加处理历时会导致不均匀的晶粒大小，如显微照片244与246中所示。
[0063]图2D显示根据本发明实施例在陶瓷涂层被处理之前以及在该陶瓷涂层已被处理 之后的陶瓷涂层表面的其他显微照片250-256(放大倍率为10000倍）。显微照片250与254显 示在热处理之前，陶瓷涂层包含大量的陶瓷粒子。显微照片252与256显示在热处理之后，陶 瓷粒子已减少或消除。在一实施例中，表面粒子计数可减少达约93%。
[0064]图3A说明显微照片302-304,显微照片302-304显示了根据本发明的一实施例的在 热处理前后的陶瓷物品截面侧视图。显微照片302显示该陶瓷物品包括陶瓷基板314和在该 陶瓷基板314上方的陶瓷涂层310。所述的陶瓷基板314为氧化铝，而所述的陶瓷涂层310为 HPM陶瓷复合物。
[0065] 显微照片304显示陶瓷基板314与陶瓷涂层310以及已经形成于陶瓷涂层310与陶 瓷基板314之间的过渡层312。所述过渡层具有约1微米至2微米的厚度。
[0066]同时也显示了过渡层的元素图谱308。元素图谱308根据能量色散X射线光谱仪 (EDX)而提供过渡层312的元素分析。元素图谱308显示过渡层312由碳、氧、铝和钇所组成。 元素图谱308更显示了过渡层312中的元素原子浓度大致为18%的碳、46%的氧、23%的铝 以及13%的钇。因此，显示过渡层312为Y 3Al5〇12(YAG)。过渡层会明显增进陶瓷涂层对陶瓷 基板的黏结强度。
[0067]图3B说明了显示根据本发明实施例的在不同温度与不同历时下进行热处理前后 的陶瓷物品的4,000倍放大倍率截面侧视图的显微照片。显微照片320显示，在热处理之前， 在陶瓷涂层310与陶瓷基板314之间有界面。显微照片322显示在1300°C下进行4小时热处理 之后的陶瓷涂层310与陶瓷基板314之间的界面。显微照片324显示在1400°C下进行4小时热 处理之后的陶瓷涂层310与陶瓷基板314之间的界面。显微照片326显示在1500°C下进行4小 时热处理之后的陶瓷涂层310与陶瓷基板314之间的界面。显微照片332显示在1600°C下进 行4小时热处理之后的陶瓷涂层310与陶瓷基板314之间的界面。显微照片328显示在1300°C 下进行24小时热处理之后的陶瓷涂层310与陶瓷基板314之间的界面。显微照片330显示在 1300°C下进行24小时热处理之后的陶瓷涂层310与陶瓷基板314之间的界面。
[0068] 如显微照片326、330与332所示，过渡层312在某些条件下的热处理期间形成于陶 瓷涂层310与陶瓷基板314之间。在热处理温度为1300°C下，无论热处理历时多久，都没有过 渡层形成。在热处理温度为1400°C下，在处理4小时之后并无法侦测到过渡层，但是可在处 理24小时之后侦测到过渡层312。在热处理温度为1500°C与1600°C下，在处理4小时之后即 可侦测到过渡层。
[0069]显示在增加的处理温度与增加的处理历时下会形成较厚的过渡层。对于过渡层厚 度而言，温度比历时具有更大影响。如图所示，历时为4小时、温度1500°C的热处理所产生的 过渡层312厚度比历时为24小时、温度1400°C的热处理所产生的过渡层312厚度稍微更厚 止匕 -、〇
[0070] 图3C说明了显示根据本发明具体实施例的在热处理前后的陶瓷物品的20,000倍 放大倍率截面侧视图的显微照片350-356。显微照片350与354显示在热处理之前在陶瓷涂 层310与陶瓷基板314之间的界面。在热处理之前，在陶瓷基板314与陶瓷涂层310之间显示 有间隙370存在。这些间隙会导致陶瓷涂层310后来从陶瓷基板314分层。显微照片352与356 显示过渡层312于热处理期间形成于陶瓷涂层310与陶瓷基板314之间的界面处。此外，显微 照片352与356显示在热处理之前所存在的间隙370因热处理的结果而消除或减少。此可降 低分层的可能性，且可提升陶瓷涂层310对陶瓷基板314的黏结或键结强度。
[0071] 图3D说明根据本发明的一实施例的在热处理前后的HPM陶瓷复合涂层的相态组成 比较。如图所示，热处理并不明显改变陶瓷涂层或陶瓷基板的相态组成。
[0072] 陶瓷涂层的表面型态可以表面粗糙度参数及/或表面均匀度参数来表示。表面型 态也可使用孔隙度、裂缝及/或空洞的参数。代表孔隙度的测量参数可包含孔隙计数及/或 平均孔隙大小。同样地，代表空洞及/或裂缝的测量参数包含平均空洞/裂缝大小及/或空 洞/裂缝计数。
[0073]代表粒子计数的测量参数为胶带剥离测试粒子计数与液体粒子计数(LPC)。胶带 测试通过将黏性胶带贴附在陶瓷涂层上、然后撕除胶带并计算黏在胶带上的粒子数量而进 行。LPC通过将陶瓷物品放置在水浴(例如去离子(DI)水浴）中并对水浴进行声波震荡、接着 可使用例如激光计数器来计数脱离而进入溶液中的粒子数量而进行。
[0074] 黏结强度通过对陶瓷涂层施加一力（例如以MPa来测量）、直到陶瓷涂层自陶瓷基 板剥离为止而决定。在一实施例中，陶瓷涂层的黏结强度在热处理之前是4MPa的程度，而在 热处理之后则为12MPa的程度。因此，在热处理之后，陶瓷涂层对陶瓷基板的黏结强度会比 在热处理之前的黏结强度大致强三倍。
[0075]陶瓷涂层的黏结强度、孔隙度、裂缝与粒子计数值可因热处理而提升。此外，晶粒 大小会因热处理而增加，而硬度会因热处理而降低。经验上证据也显示，经陶瓷涂布的盖板 与经陶瓷涂布的喷嘴在等离子体蚀刻处理期间所产生的粒子污染因热处理而减少。经验上 证据也显示，因热处理的结果，可减少陶瓷涂层自陶瓷基板的剥离。此外，陶瓷涂层的表面 粗糙度也因热处理而降低。
[0076] 注意对于高达约1200°C的热处理而言，粒子与陶瓷涂层表面之间的互相作用是由 范德华(van der Waals)力所主导，根据下式：
[0077]
[0078] 其中F为力，A为面积，而Η为距离。随着热处理温度从室温增加至约500°C，范德华 力会减弱，而热膨胀会导致距离Η的增加 。当热处理温度从约500°C增加至约1200°C，范德华 力会至少因距离Η的减少而增强。这种距离的减少因为基板表吸收了粒子及/或变形所致。 [0079]在介于约1200°C与1800°C之间的温度下，在粒子与陶瓷涂层表面之间会形成液体 膜。在约1200°C与1500°C之间，液体薄膜可以是薄液体膜，而在约1500°C与1800°C之间，该 液体膜可以为厚液体膜。在高达约1800°C的温度下，粒子与陶瓷涂层表面之间的互相作用 通过毛细力而由液体间互相作用所主导，根据下式：
[0080] F = 4jryRcos9 (式 2)
[0081] 其中F为力，γ为液体-空气表面张力，R为粒子与基板表面之间的界面等效半径， 而Θ为接触角。在这些温度下，粒子扩散至液体中，且会在对应晶粒上重新成长。这会使粒子 从基板表面移除，即使是在陶瓷物品已经冷却之后亦然。
[0082]对于ΗΡΜ陶瓷复合物与钇氧化物而言，1800°C为烧结温度。因此，在大致为1800°C 或高于约1800°C的温度下，在粉末之间的陶瓷涂层中形成液态相。这些粉末会熔化为液体， 并且成长为尺寸更大的晶粒。原子会从高能量晶粒扩散至低能量晶粒，直到达到平衡为止。 因此，在一实施例中，在低于约1800°C的温度下进行热处理。
[0083]前述说明提出各种具体细节(例如具体系统、组件、方法等的实例），以提供对本发 明的数个实施例的良好理解。然而，本领域技术人员明显可知，在无这些具体细节下亦可实 施本发明的至少某些实施例。在其他例子中，习知组件或方法并不详细加以说明、或是仅以 简单方块图形式来呈现，以避免不需要地混淆本发明。因此，所提出的具体细节仅为例示， 特定的实施方式可随这些例示细节而变化，且仍被视为落于本发明的范畴内。
[0084]在本说明书中，当述及"一个实施例"或"一实施例"时，是表示与该实施例相关说 明的一特定特征、结构或特性包含于至少一个实施例中。因此，当本说明书中各个部分出现 用语"在一个实施例中"或"在一具体实施例中"时，并不是必须要全部都指同一个实施例。 此外，用语"或"是用以表示包含性的"或"而非排除性的"或"。
[0085]本文所述的方法的操作虽以特定顺序来说明，但每一方法的操作次序可加以调 整，使得某些操作可以一反向次序而执行，或使得某些操作可至少部分与其他操作同时执 行。在另一具体实施例中，不同操作的指令或次操作可为周期性及/或交替的形式。
[0086] 应理解上述说明仅为说明、而非限制之用。在研读并理解上述说明之后，本领域技 术人员即可明显得知多其他具体实施例。因此，本发明的范畴应参照如附权利要求及这些 权利要求所记载的等效例的完整范畴而决定。
【主权项】
1. 一种方法，包括以下步骤： 提供陶瓷物品，包括陶瓷基板与陶瓷涂层，其中所述陶瓷涂层具有初始孔隙度与初始 裂缝量； 以约每分钟〇.l°C至约每分钟20°C的升降温速率，加热所述陶瓷物品至介于约1000°C与约1800°C间的温度范围； 以所述温度范围内的一或多个温度热处理所述陶瓷物品达约24小时的历时，以减少所 述陶瓷涂层的孔隙度与裂缝量;及 在热处理之后以所述升降温速率来冷却所述陶瓷物品。2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述陶瓷涂层另外具有初始粒子计数与初始 黏结强度，且其中在热处理之后，所述陶瓷涂层具有降低的粒子计数与增加的黏结强度。3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述陶瓷基板与所述陶瓷涂层各自实质上由 ￥2〇3、厶12〇 3、￥4厶12〇9、￥3厶15〇 12(￥厶6)、石英、3比、31必4、厶以或51(：-31必4中的至少其一组成，且 其中所述陶瓷基板具有与所述陶瓷涂层不同的组成。4. 如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述陶瓷基板与所述陶瓷涂层包括在热处理 期间将反应而于所述陶瓷涂层与所述陶瓷基板之间形成过渡层的陶瓷。5. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述陶瓷涂层由包括Y2〇3以及Zr02、Al2〇3、 Si02、B2〇3，Er2〇3、Nd2〇3、Nb2〇5、Ce02、Sm2〇3 或Yb2〇3 中的至少其一的固体溶液组成。6. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理使所述陶瓷涂层与所述陶瓷基板 反应而于所述陶瓷基板与所述陶瓷涂层之间形成过渡层，且其中所述历时与所述温度范围 经选择以使所述过渡层具有约0.1微米至约5微米的厚度。7. 如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤： 在所述加工陶瓷物品已经用于等离子体蚀刻工艺之后，重复加热、热处理与冷却，以减 少所述等离子体蚀刻工艺所产生的增加的表面缺陷密度。8. 如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述等离子体蚀刻工艺使聚合物形成于所述 陶瓷物品上，且其中在氧的存在下重复所述热处理通过使所述等聚合物与氧反应以变成气 体而干式清洁所述陶瓷物品。9. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在真空、空气的存在、氩气的存在、 或氮气的存在中至少其一之下进行。10. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加工陶瓷物品是等离子体蚀刻器的处 理腔室组件。11. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理使所述陶瓷涂层的晶粒大小增 加，且其中所述历时与所述温度范围经过选择以达到目标晶粒大小。12. -种由工艺所制备的经热处理陶瓷物品，所述工艺包括： 提供陶瓷物品，所述陶瓷物品包括陶瓷基板与陶瓷涂层，其中所述陶瓷涂层具有初始 孔隙度与初始黏结强度； 以约每分钟〇.l°C至约每分钟20°C的升降温速率，加热所述陶瓷物品至介于约1000°C与约1800°C间的温度范围； 以所述温度范围内的一或多个温度热处理所述陶瓷物品达约24小时的历时;及 以所述升降温速率来冷却所述陶瓷物品，其中在所述热处理之后所述陶瓷涂层具有增 加的黏结强度与降低的孔隙度。13. 如权利要求12所述的经热处理陶瓷物品，其特征在于，所述陶瓷涂层另外具有初始 粒子计数与初始黏结强度，且其中在所述热处理之后，所述陶瓷涂层具有降低的粒子计数 与增加的黏结强度。14. 如权利要求12所述的经热处理陶瓷物品，其特征在于，所述陶瓷基板与所述陶瓷涂 层各自实质上由丫2〇3、厶12〇 3、￥4厶12〇9、￥3厶15〇 12(￥厶6)、石英、3扣、31必4、厶1~或51(：-31必4中的至 少其一组成，且其中所述陶瓷基板具有与所述陶瓷涂层不同的组成。15. 如权利要求14所述的经热处理陶瓷物品，其特征在于，所述陶瓷基板与所述陶瓷涂 层包括在热处理期间将反应而于所述陶瓷涂层与所述陶瓷基板之间形成过渡层的陶瓷。16. 如权利要求12所述的经热处理陶瓷物品，其特征在于，所述热处理使所述陶瓷涂层 与所述陶瓷基板反应而于所述陶瓷基板与所述陶瓷涂层之间形成过渡层，且其中所述历时 与所述温度范围经选择以使所述过渡层具有约0.1微米至约5微米的厚度。17. -种陶瓷物品，包括： 陶瓷基板； 在所述陶瓷基板上的陶瓷涂层，其中所述陶瓷涂层具有与所述陶瓷基板不同的组成； 及 过渡层，位于所述陶瓷基板与所述陶瓷涂层之间，所述过渡层包括来自所述陶瓷涂层 的第一元素，所述第一元素已与来自所述陶瓷基板的第二元素反应，其中所述过渡层具有 介于约0.1微米至约5微米的厚度。18. 如权利要求17所述的陶瓷物品，其特征在于，所述陶瓷基板包括Al2〇3,所述过渡层 包括Y3Al5〇12(YAG)，且所述陶瓷涂层包括Y2〇3或Y4Al2〇9的化合物与Y2〇3-Zr02的固体溶液中 至少其一。19. 如权利要求17所述的陶瓷物品，其特征在于，所述陶瓷基板与所述陶瓷涂层各自实 质上由￥2〇3、厶12〇 3、￥4厶12〇9、￥3厶15〇 12(￥厶6)、石英、3扣、31必4、厶以或31(：-31必4中的至少其一组 成，且其中所述陶瓷基板具有与所述陶瓷涂层不同的组成。20. 如权利要求17所述的陶瓷物品，其特征在于，所述陶瓷物品是等离子体蚀刻器的处 理腔室组件。
【专利摘要】本文提供了一种具有陶瓷基板与陶瓷涂层的陶瓷物品，其中该陶瓷涂层具有初始孔隙度与初始裂缝量。该陶瓷物品以约每分钟0.1℃至约每分钟20℃的升降温速率被加热至介于约1000℃与约1800℃间的温度范围。以该温度范围内的一或多个温度热处理该陶瓷物品达约24小时的历时。接着以该升降温速率来冷却该陶瓷物品，其中在热处理之后，该陶瓷涂层具有降低的孔隙度与降低的裂缝量。
【IPC分类】C03C1/00, C23C28/00, C04B41/50
【公开号】CN105492400
【申请号】CN201380010899
【发明人】J·Y·孙, R-G·段, B·R·卡农戈, D·卢博米尔斯基
【申请人】应用材料公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2013年2月20日
【公告号】US9212099, US20130216821, US20160060181, WO2013126466A1
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