半导体加工用片材的制作方法
半导体加工用片材的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种半导体加工用片材。
【背景技术】
[0002] 在对半导体晶圆进行研削、切断的工序中，以半导体晶圆的固定或电路等的保护 为目的，使用粘着片。作为这样的粘着片，有如下粘着片，其具备在贴附于半导体晶圆后的 处理工序中具有强的粘着力、另一方面在剥离时粘着力因能量线的照射而下降的能量线固 化性的粘着剂层。
[0003]这样的粘着片当规定的处理工序结束时被剥离，但此时，粘着片与作为被粘物的 半导体晶圆或半导体芯片（以下有时仅称为"芯片"）等之间，会产生被称作剥离静电的静 电。这样的静电成为半导体晶圆、芯片或形成它们的电路等被击穿的原因。为了防止该现 象，已知有在半导体晶圆的加工时所使用的粘着片中，通过向粘着剂中添加低分子量的季 铵盐化合物来使粘着片具备抗静电性。
[0004]但是，当使用低分子量的季铵盐化合物作为抗静电剂时，存在该化合物从粘着片 渗出，或者粘着剂的残渣物(微粒)污染半导体晶圆或芯片等被粘物的表面的问题。
[0005]对此，作为具备抗静电性的粘着剂，提出有将具有季铵盐的（甲基)丙烯酸类共聚 物作为粘着成分的光学部件用抗静电性粘着剂(参照专利文件1)。这样的粘着剂是将季铵 盐导入（甲基)丙烯酸类共聚物而形成高分子量。
[0006] 现有技术文献
[0007] 专利文件1:日本专利特开2011-12195号公报
【发明内容】
[0008] 本发明要解决的技术问题
[0009] 然而，专利文件1中公开的粘着剂是用于贴附在偏光板等光学部件的粘着片中的 粘着剂，并非将通过能量线照射导致的剥离作为前提。因此，所要求的物性与在能量线照射 前后粘着力大幅改变的、在半导体加工用途中使用的粘着片完全不同。
[0010] 在此，专利文件1的粘着剂是粘着成分其本身附有抗静电性。在这样的抗静电性粘 着成分中，例如，为了适用于半导体加工用途，若为了抑制其粘着性或抗静电性中的任意一 种而改变抗静电性粘着成分的组成等，则还会影响其他特性。因此，在所述抗静电性粘着成 分中，其设计的自由度受到制约。
[0011] 本发明是鉴于上述的现状而完成的，其目的在于提供一种能够发挥充分的抗静电 性，并且能够抑制在照射能量线后进行剥离时对被粘物的污染的半导体加工用片材。
[0012] 解决技术问题的技术手段
[0013] 为了实现上述目的，第一、本发明提供一种半导体加工用片材，其具备基材、及层 积于所述基材的至少一个面上的粘着剂层，其中，所述粘着剂层由粘着剂组合物形成，所述 粘着剂组合物含有:具有盐及能量线固化性基团的聚合物、以及能量线固化性粘着成分(所 述聚合物除外）（发明1)。
[0014] 作为本发明的半导体加工用片材，例如可以举出在半导体晶圆和各种封装类的切 割工序中使用的切割片、在半导体晶圆等背面研工序中使用的背面研磨片等，但并不限定 于此。本发明的半导体加工用片材尤其优选作为切割片使用。
[0015] 另外，本发明的半导体加工用片材包含具有用于贴附环状框架的另一粘着剂层 (及基材），例如设有如环绕贴附于晶圆部分的圆环状等的粘着部件。并且，本发明的半导体 加工用片材还包含粘着剂层局部设置于基材上的，例如，只在基材的周边部设有粘着剂层 而在内周部未设置粘着剂层的。另外，本发明中的"片材"还包含"胶带"的概念。
[0016] 上述发明（发明1)的半导体加工用片材通过粘着剂组合物中所含的聚合物具有盐 (阳离子)来发挥充分的抗静电性。并且，上述聚合物具有能量线固化性基团，通过能量线的 照射，该聚合物相互之间、或该聚合物与能量线固化性成分之间发生反应而交联。因此，在 照射能量线后剥离被粘物时，产生较少附着于被粘物的微粒，能够抑制被粘物的污染。
[0017] 在上述发明（发明1)中，所述粘着剂组合物中的所述聚合物的含量优选为0.5~65 质量％(发明2)。
[0018] 在上述发明（发明1或2)中，所述聚合物的重均分子量优选为500~20万(发明3)。 [0019]在上述发明（发明1~3)中，优选所述聚合物具有（甲基)丙烯酰基作为所述能量线 固化性基团(发明4)。
[0020] 在上述发明（发明1~4)中，所述聚合物的每单位质量的所述能量线固化性基团的 含量优选为5 X 10-5~2 X 10-3摩尔/g(发明5)。
[0021] 在上述发明（发明1~5)中，所述能量线固化性粘着成分可以是含有不具有能量线 固化性的丙烯酸类聚合物及能量线固化性化合物的能量线固化性粘着成分(发明6)，也可 以是含有侧链上导入有能量线固化性基团的丙烯酸类聚合物的能量线固化性粘着成分(发 明7)。
[0022] 在上述发明（发明1~7)中，所述能量线固化性粘着成分优选含有交联剂(发明8)。 [0023]在上述发明（发明1~8)中，所述盐优选为季铵盐(发明9)。
[0024]在上述发明（发明6、7)中，所述丙烯酸类聚合物优选在侧链具有醚键的丙烯酸类 聚合物(发明10)。
[0025]发明效果
[0026] 本发明的半导体加工用片材能够发挥充分的抗静电性，并且能够抑制在照射能量 线后进行剥离时的晶圆或芯片等被粘物的污染。
【附图说明】
[0027] 图1是本发明的一个实施方式的半导体加工用片材的截面图。
【具体实施方式】
[0028] 以下对本发明的实施方式进行说明。
[0029]图1是本发明的一个实施方式的半导体加工用片材的截面图。本实施方式的半导 体加工用片材1结构为具备基材2、及层积在基材2的一个面上（图1中为上侧的面)的粘着剂 层3。本实施方式的半导体加工用片材1能够用作切割片、背面研磨片等，以下，重点对用作 切割片的情况进行说明。
[0030] 1.基材
[0031]关于本实施方式的半导体加工用片材1的基材2,半导体加工用片材1只要能够在 切割工序、扩展工序或背面研磨工序等所希望的工序中适当地发挥作用，则其构成材料没 有特别限定，通常由以树脂类的材料为主材料的膜构成。作为该膜的具体例，可以举出乙 烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯_(甲基)丙烯酸酯共聚物膜等 乙烯类共聚膜；低密度聚乙烯（LDPE)膜、直链低密度聚乙烯（LLDPE)膜、高密度聚乙烯 (HDPE)膜等聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、乙烯-降冰片烯共 聚物膜、降冰片烯树脂膜等聚烯烃类膜;聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜等聚氯乙烯类膜;聚 对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜等聚酯类膜;聚氨酯膜;聚酰亚胺膜;聚 苯乙烯膜;聚碳酸酯膜;氟树脂膜等。并且，也可以使用它们的交联膜、离聚物膜等改性膜。 上述的基材2可以是由这些中的1种构成的膜，并且，也可以是将它们组合2种以上而成的层 积膜。另外，本说明书中的"(甲基)丙烯酸"是指丙烯酸及甲基丙烯酸两者。对于其他类似术 语也相同。
[0032]构成基材2的膜优选具备乙烯类共聚膜及聚烯烃类膜中的至少一种。乙烯类共聚 膜通过改变共聚比等容易将其机械特性控制在较宽范围内。因此，具备乙烯类共聚膜的基 材2容易满足作为本实施方式的半导体加工用片材1的基材所要求的机械特性。并且，由于 乙烯类共聚膜对粘着剂层3的贴附性较高，因此当用作半导体加工用片材时，很难在基材2 与粘着剂层3之间的界面发生剥离。
[0033]在此，在聚氯乙烯类膜等一部分膜中有包含大量对作为半导体加工用片材的特性 带来恶劣影响的成分。例如，聚氯乙烯类膜等中，该膜所含的增塑剂从基材2转移到粘着剂 层3,进而分布于粘着剂层3的与基材2对置的一侧的相反侧的面，从而有可能使粘着剂层3 相对于被粘物(半导体晶圆或芯片等）的粘着性下降。但是，乙烯类共聚膜及聚烯烃类膜中 由于对作为半导体加工用片材的特性带来恶劣影响的成分的含量少，因此不易产生粘着剂 层3相对于被粘物的粘着性下降等问题。即，乙烯类共聚膜及聚烯烃类膜的化学稳定性优 异。
[0034] 在本实施方式中所使用的基材2可以在以上述的树脂类材料为主材料的膜内包含 颜料、阻燃剂、增塑剂、抗静电剂、润滑剂、填充剂等各种添加剂。作为颜料，例如可以举出二 氧化钛、碳黑等。并且，作为填充剂，可以例示出三聚氰胺树脂等有机类材料、气相二氧化硅 等无机类材料及镍粒子等金属类材料。这样的添加剂的含量没有特别限定，但应该能使基 材2发挥所希望的功能，且停留在不失丧失平滑性和柔韧性的范围内。
[0035] 当使用紫外线作为用于使粘着剂层3固化而照射的能量线时，基材2优选相对于紫 外线具有透过性。另外，当使用电子束作为能量线时，基材2优选具有电子束的透过性。
[0036] 并且，在基材2的粘着剂层3侧的面（以下还称为"基材被粘面"）上优选存在具有选 自由羧基、及其离子及其盐所构成的组中的1种或2种以上的成分。通过基材2中的上述成分 与粘着剂层3中的成分(例示出构成粘着剂层3的成分及交联剂等形成粘着剂层3时所使用 的成分)的化学上的相互作用，能够降低它们之间产生剥离的可能性。用于使这样的成分存 在于基材被粘面的具体方法没有特别限定。例如，可以是将基材2本身作为乙烯_(甲基)丙 烯酸共聚物膜、离聚物树脂膜等，且使作为构成基材2的材料的树脂具有选自由羧基、及其 离子及盐所构成的组中的1种或2种以上。作为使上述成分存在于基材被粘面的其他方法， 可如下:使基材2例如为聚烯烃类膜，且通过在基材被粘面侧实施电晕处理、或设置底涂层。 并且，也可以在基材2的与基材被粘面相反一侧的面上设置各种涂膜。这些底涂层或涂膜可 以包含抗静电剂。由此，作为半导体加工用片材1，能够发挥更优异的抗静电性能。
[0037]基材2的厚度只要能够使半导体加工用片材1在所希望的工序中适当地发挥作用， 则没有限定。优选20~450μπι，更优选25~400μπι，进一步优选50~350μπι的范围。
[0038]优选本实施方式中的基材2的断裂伸长率作为在23°C、相对湿度50%时测定的值 为100 %以上，特别优选200~1000 %。在此，断裂伸长率是在依照JIS K7161:1994( ISO 527-1 1993)拉伸试验中试验片破坏时的试验片的长度相对于原来长度的伸长率。若上述 的断裂伸长率为100%以上，则当在扩展工序中使用本实施方式的半导体加工用片材时难 以断裂，容易使将晶圆切断而形成的芯片分离。
[0039]另外，本实施方式中的基材2的25%应变时拉伸应力优选为5~15N/10mm，优选最 大拉伸应力为15~50MPa。在此，25%应变时拉伸应力及最大拉伸应力通过依照JIS K7161: 1994的试验进行测定。若25%应变时拉伸应力为5N/10mm以上、且最大拉伸应力为15MPa以 上，则在将工件贴着于切割片1后在环状框架等框体上进行固定时，可以抑制基材2产生松 弛，从而能够防止产生搬送误差。另一方面，若25 %应变时拉伸应力为15N/10mm以下、且最 大拉伸应力为50MPa以下，则可以抑制在扩展工序时切割片1本身从环状框架上剥离等。另 外，上述的断裂伸长率、25%应变时拉伸应力、最大拉伸应力是指基材2中沿卷状膜的长边 方向测定的值。
[0040] 2.粘着剂层
[0041]本实施方式的半导体加工用片材1所具备的粘着剂层3是由含有能量线固化性粘 着成分(A)、及具有盐及能量线固化性基团的聚合物(B)(以下有时称为"能量线固化性抗静 电聚合物(B)"）的粘着剂组合物形成的。另外，使能量线固化性粘着成分(A)不含能量线固 化性抗静电聚合物(B)。另外，本实施方式中的粘着剂组合物优选含有后述的交联剂(C)。 [0042] (1)能量线固化性粘着成分(A)
[0043] 能量线固化性粘着成分(A)优选含有不具有能量线固化性的丙烯酸类聚合物(A1) 及能量线固化性化合物(A2)，或者含有侧链上导入有能量线固化性基团的丙烯酸类聚合物 (A3)。当能量线固化性粘着成分(A)含有侧链上导入有能量线固化性基团的丙烯酸类聚合 物(A3)时，作为能量线固化性粘着成分，可以仅含有该丙烯酸类聚合物(A3)，也可以含有该 丙烯酸类聚合物(A3)、和不具有能量线固化性的丙烯酸类聚合物(A1)及/或能量线固化性 化合物(A2)。另外，本说明书中的"聚合物"也包含"共聚物"的概念。
[0044] (1-1)不具有能量线固化性的丙烯酸类聚合物(A1)
[0045] 当形成本实施方式中的粘着剂层3的粘着剂组合物含有不具有能量线固化性的丙 烯酸类聚合物(A1)时，可以在该粘着剂组合物中直接含有该丙烯酸类聚合物(A1)，或者也 可以其至少一部分与后述的交联剂(C)进行交联反应后作为交联物含有该丙烯酸类聚合物 (Al)〇
[0046] 作为丙烯酸类聚合物(A1)，能够使用以往公知的丙烯酸类的聚合物。丙烯酸类聚 合物(A1)可以为由1种丙烯酸类单体形成的均聚物，也可以是由多种丙烯酸类单体形成的 共聚物，还可以是由1种或多种丙烯酸类单体与丙烯酸类单体以外的单体形成的共聚物。构 成丙烯酸类单体的化合物的具体种类没有特别限定，作为具体例可以举出（甲基)丙烯酸、 (甲基)丙烯酸酯、其衍生物(丙烯腈、衣康酸等）。关于（甲基)丙烯酸酯，进一步示出具体例， 则可以举出（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸丁 酯、（甲基）丙烯酸-2-乙基己酯等具有链状骨架的（甲基）丙烯酸酯；（甲基）丙烯酸环己酯、 (甲基)丙烯酸苄基酯、（甲基)丙烯酸异冰片酯、（甲基)丙烯酸二环戊酯、酰亚胺丙烯酸酯等 具有环状骨架的（甲基）丙烯酸酯；（甲基）丙烯酸-2-羟基乙酯、（甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯 等具有羟基的（甲基)丙烯酸酯;缩水甘油基（甲基)丙烯酸酯、（甲基)丙烯酸-N-甲基氨基乙 酯等具有羟基以外的反应性官能团的（甲基)丙烯酸酯。并且，作为丙烯酸类单体以外的单 体，可以例示出乙烯、降冰片烯等烯烃、乙酸乙烯酯、苯乙烯等。另外，当丙烯酸类单体为（甲 基)丙烯酸烷基酯时，该烷基的碳原子数优选为1~18的范围。
[0047] 在此，丙烯酸类聚合物(A1)优选在侧链具有醚键。通过使用在侧链具有醚键的丙 烯酸类聚合物(A1)，无需增加能量线固化性抗静电聚合物(B)的添加量，就能够提高（降低 表面电阻率)抗静电性能。即，即使能量线固化性抗静电聚合物(B)的添加量比较少，也能够 得到与能量线固化性抗静电聚合物(B)的添加量比较多的相同程度或比其高的抗静电性 能。因此，无需牺牲微粒抑制和崩裂抑制的性能，就能够提高抗静电性能。侧链的醚键的数 量越多，这样的效果越增大。
[0048] 为了得到在侧链具有醚键的丙烯酸类聚合物(A1)，可以使用具有醚键的（甲基)丙 烯酸酯作为该聚合物的构成单体。作为具有醚键的（甲基)丙烯酸酯，例如可以举出（甲基） 丙烯酸甲氧基乙酯、（甲基)丙烯酸乙氧基乙酯、（甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、（甲基)丙烯酸四 氢糠基酯、乙氧基乙氧基乙基（甲基)丙烯酸酯、乙氧基二乙二醇（甲基)丙烯酸酯、甲氧基三 乙二醇（甲基）丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、（2-甲基-2-乙基-1，3-二氧戊 环-4-基）甲基（甲基)丙烯酸酯、（3-乙基氧杂环丁烷-3-基）甲基（甲基)丙烯酸酯等。
[0049] 来源于具有醚键的（甲基)丙烯酸酯的结构部分的质量在丙烯酸类聚合物(A1)整 体的质量中所占的比例优选5~75质量％，特别优选12~70质量％，进一步优选20~65质 量％。通过来源于具有醚键的（甲基）丙烯酸酯的结构部分的质量的比例在上述范围，可更 容易得到上述的抗静电性能提高效果。
[0050] 当形成本实施方式中的粘着剂层3的粘着剂组合物含有后述的交联剂(C)时，优选 丙烯酸类聚合物(A1)具有与交联剂(C)发生反应的反应性官能基团。反应性官能基团的种 类没有特别限定，可根据交联剂(C)的种类等适当地决定。
[0051] 例如，当交联剂(C)为环氧类化合物时，作为丙烯酸类聚合物(A1)所具有的反应性 官能团，可以例示出羧基、氨基、酰胺基等，其中，与环氧基的反应性较高的羧基为优选。并 且，当交联剂(C)为多异氰酸酯化合物时，作为丙烯酸类聚合物(A1)所具有的反应性官能 团，可以例示羟基、羧基、氨基等，其中，与异氰酸酯基的反应性较高的羟基为优选。
[0052] 在丙烯酸类聚合物(A1)中导入反应性官能团的方法没有特别限定，作为一例，可 以举出如下方法:使用具有反应性官能团的单体形成丙烯酸类聚合物(A1)，使聚合物的骨 架中含有基于具有反应性官能团的单体的结构单元。例如，当将羧基导入丙烯酸类聚合物 (A1)时，使用（甲基)丙烯酸等具有羧基的单体形成丙烯酸类聚合物(A1)即可。
[0053] 当丙烯酸类聚合物(A1)具有反应性官能团时，从将交联程度控制在良好的范围的 观点考虑，来源于具有反应性官能团的单体的结构部分的质量在丙烯酸类聚合物(A1)整体 的质量中所占的比例优选为1~20质量％左右，更优选为2~10质量％。
[0054]从涂布时的成膜性的观点考虑，丙烯酸类聚合物(A1)的重均分子量(Mw)优选1万 ~200万，更优选10万~150万。另外，本说明书中的重均分子量为通过凝胶渗透色谱(GPC) 法测定的聚苯乙烯换算的值。并且，丙烯酸类聚合物(A1)的玻璃化转变温度Tg优选为-70°C ~30°C，进一步优选在_60°C~20°C范围。玻璃化转变温度可以通过Fox式进行计算。
[0055] (1-2)能量线固化性化合物(A2)
[0056] 当能量线固化性粘着成分(A)含有不具有能量线固化性的丙烯酸类聚合物(A1) 时，一并含有能量线固化性化合物(A2)。能量线固化性化合物(A2)为具有能量线固化性基 团且受到紫外线、电子束等能量线的照射则聚合的化合物。
[0057] 能量线固化性化合物(A2)所具有的能量线固化性基团例如为包含能量线固化性 的碳-碳双键的基团，具体而言，能够例示出（甲基)丙烯酰基、乙烯基等。
[0058] 作为能量线固化性化合物(A2)的例子，只要具有上述的能量线固化性基团，则没 有特别限定，从通用性的观点考虑，优选低分子量化合物（单官能、多官能的单体及低聚 物）。作为低分子量的能量线固化性化合物(A2)的具体例，可以举出三羟甲基丙烷三丙烯酸 酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季 戊四醇六丙烯酸酯或1，4_ 丁二醇二丙烯酸酯、1，6_己二醇二丙烯酸酯、双环戊二烯二甲氧 基二丙烯酸酯、丙烯酸异冰片酯等含环状脂肪族骨架的丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、低 聚酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯低聚物、环氧改性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、衣康酸低聚物 等丙烯酸酯类化合物。
[0059] 能量线固化性化合物(A2)的分子量通常为100~30000,优选300~10000左右。通 常，相对于100质量份丙烯酸类聚合物(A1)，优选以10~400质量份的比例使用能量线固化 性化合物(A2)，更优选以30~350质量份左右使用。
[0060] (1-3)侧链上导入有能量线固化性基团的丙烯酸类聚合物(A3)
[0061] 当本实施方式中的能量线固化性粘着成分(A)含有侧链上导入有能量线固化性基 团的丙烯酸类聚合物(A3)时，可以在粘着剂组合物中直接含有该丙烯酸类聚合物(A3)，或 者也可以其至少一部分与后述的交联剂(C)进行交联反应后作为交联物而含有该丙烯酸类 聚合物(A3)。
[0062] 侧链上导入有能量线固化性基团的丙烯酸类聚合物(A3)的主骨架没有特别限定， 可例示出与上述丙烯酸类聚合物(A1)相同。丙烯酸类聚合物(A3)也优选与丙烯酸类聚合物 (A1)同样地在侧链具有醚键。
[0063] 导入到丙烯酸类聚合物(A3)的侧链的能量线固化性基团例如为包含能量线固化 性的碳-碳双键的基团，具体而言，能够例示出（甲基)丙烯酰基等。能量线固化性基团可以 经由亚烷基、亚烷基氧基、聚亚烷基氧基等与丙烯酸类聚合物(A3)键合。
[0064] 侧链上导入有能量线固化性基团的丙烯酸类聚合物(A3)例如可通过下述方式得 到:使含有羟基、羧基、氨基、取代氨基、环氧基等官能团的丙烯酸类聚合物，与具有与该官 能团发生反应的取代基及每1分子具有1~5个能量线固化性碳-碳双键的含固化性基团化 合物发生反应。这样的丙烯酸类聚合物通过使具有羟基、羧基、氨基、取代氨基、环氧基等官 能团的（甲基）丙烯酸酯单体或其衍生物、与构成上述的成分(A1)的单体进行共聚合而得 到。并且，作为上述含固化性基团化合物，可以举出（甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、甲基- 异丙烯基-α，α-二甲基苄基异氰酸酯、（甲基)丙烯酰基异氰酸酯、烯丙基异氰酸酯、缩水甘 油基（甲基)丙烯酸酯；（甲基)丙烯酸等。
[0065]另外，当形成本实施方式中的粘着剂层3的粘着剂组合物含有后述的交联剂（C) 时，侧链上导入有能量线固化性基团的丙烯酸类聚合物(A3)优选具有与交联剂(C)发生反 应的反应性官能团。反应性官能团的种类没有特别限定，能够例示出与上述的丙烯酸类聚 合物(Α1)相同的官能团。
[0066]侧链上导入有能量线固化性基团的丙烯酸类聚合物(A3)的重均分子量(Mw)优选 为10万~200万，更优选为30万~150万。
[0067]另外，丙烯酸类聚合物(A3)的玻璃化转变温度(Tg)优选为-70~30°C，更优选在-60~20°C的范围。另外，在本说明书中，丙烯酸类聚合物(A3)的玻璃化转变温度(Tg)是指与 含固化性基团化合物发生反应前的丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度。
[0068] (2)能量线固化性抗静电聚合物(B)
[0069] 形成本实施方式中的粘着剂层3的粘着剂组合物，除上述的能量线固化性粘着成 分(A)以外，还含有具有盐及能量线固化性基团的聚合物(B)(能量线固化性抗静电聚合物 (B))〇
[0070] 能量线固化性抗静电聚合物(B)通过具有盐（阳离子)来发挥抗静电性。能量线固 化性抗静电聚合物(B)在主链或侧链具有盐即可，但优选在侧链具有盐。盐由阳离子和与其 相对的阴离子构成，优选由鑰阳离子和与其相对的阴离子构成。这样的盐可以是由与能量 线固化性抗静电聚合物(B)共价键合的阳离子和与其相对的阴离子构成的盐，也可以是由 与能量线固化性抗静电聚合物(B)共价键合的阴离子和与其相对的阳离子构成的盐。
[0071 ] 作为盐，例如可以举出季铵盐、鱗盐、銃盐、氧鑰盐、重氮盐、氯鑰盐、碘鑰盐、吡喃 鑰盐等。这些可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。另外，季铵盐由季铵阳离子和与 其相对的阴离子构成，其他盐也同样构成。
[0072] 在上述中，特别优选抗静电性能优异的季铵盐。其中，上述"季铵阳离子"是指氮的 鑰阳离子，包含如咪唑鑰、吡啶鑰等杂环鑰离子。作为季铵阳离子，烷基铵阳离子(在此所说 的"烷基"除包含碳原子数1~30的烃基以外，还包含被羟基烷基及烷氧基烷基取代的烷 基）；吡咯烷鑰阳离子、吡咯鑰阳离子、咪唑鑰阳离子、吡唑鑰阳离子、吡啶鑰阳离子、呱啶鑰 阳离子、哌嗪鑰阳离子等杂单环阳离子;吲哚鑰阳离子、苯并咪唑鑰阳离子、咔唑鑰阳离子、 喹啉鑰阳离子等缩合杂环阳离子等。均包含氮原子及/或环上键合有碳原子数1~30(例如， 碳原子数1~10)的经基、羟基烷基或烷氧基烷基。
[0073] 作为上述阴离子，除具有卤原子的阴离子以外，还可以举出羧酸、磺酸、磷酸等含 氧酸的衍生物（例如，硫酸氢盐、甲磺酸盐、乙基硫酸盐、二甲基磷酸盐、2_(2-甲氧基乙氧 基）乙基硫酸盐、二氰胺等)等，其中，优选具有卤原子的阴离子。具体而言，优选可以例示出 (FS0 2)2N-(双{(氟)磺酰基}酰亚胺阴离子）、（CF3S02) 2N-(双{(三氟甲基)磺酰基}酰亚胺阴 离子）、（C2F5S〇2) 2N-(双{(五氟乙基）磺酰基}酰亚胺阴离子）、cf3s〇2-n-⑶cf 3-、r-s〇2-n-S02CF3 -(R为脂肪族基）、ArS0 2-N-S02CF3-(Ar为芳香族基）等具有氮原子的阴离子;CnF 2n+ 1 ⑶ 2_(n为 1 ~4 的整数）、（0?3502)3(：-、(^211+130 3-(11为1~4的整数）、8?4-、？?6-等、具有氟原 子作为卤原子的阴离子。其中，尤其优选双{(氟)磺酰基}酰亚胺阴离子、双{(三氟甲基)磺 酰基}酰亚胺阴离子、双{(五氟乙基)磺酰基}酰亚胺阴离子、2,2,2_三氟-N-{(三氟甲基)磺 酰基）}乙酰酰亚胺阴离子、四氟硼酸阴离子及六氟磷酸盐阴离子。
[0074] 另外，能量线固化性抗静电聚合物(B)在侧链具有能量线固化性基团，由此，当对 粘着剂层3照射能量线时，能量线固化性抗静电聚合物(B)相互之间、或能量线固化性抗静 电聚合物(B)与上述的能量线固化性粘着成分(A)发生反应而交联。因此，可以抑制能量线 固化性抗静电聚合物(B)从粘着剂层3渗出，并且，当剥离半导体加工用片材1时很难产生粘 着剂的残渣物(微粒），能够抑制被粘物的污染。
[0075] 能量线固化性基团例如是包含能量线固化性的碳-碳双键的基团。具体而言，可以 举出（甲基)丙烯酰基及乙烯基等，其中，优选（甲基)丙烯酰基，尤其优选甲基丙烯酰基。
[0076] 能量线固化性抗静电聚合物(B)的每单位质量的能量线固化性基团的含量优选为 5 X 10-5~2 X 10-3摩尔/g，尤其优选1 X 10-4~1.5 X 10-3摩尔/g，进一步优选3 X 10-4~1 X 10 4摩尔/g。通过使能量线固化性基团的含量为5ΧΚΓ5摩尔/g以上，通过照射能量线，能量线 固化性抗静电聚合物(B)相互之间、或能量线固化性抗静电聚合物(B)与能量线固化性粘着 成分(A)之间交联变得充分，能够有效地抑制因粘着剂层3引起的被粘物的污染。另外，通过 使能量线固化性基团的含量为2ΧΚΓ 3摩尔/g以下，通过能量线使粘着剂层固化时的固化不 会过度进行，可以抑制固化后与被粘物之间的意想不到的剥离。
[0077] 本实施方式中的能量线固化性抗静电聚合物(B)例如是优选通过使具有盐的聚合 性单体尤其是具有季铵盐的聚合性单体（以下有时称为"季铵盐单体(B1)"）、具有反应性官 能团的聚合性单体（以下有时称为"含反应性官能团单体(B2)"）、及根据需要的其他聚合性 单体(B3)共聚后，与具有与上述反应性官能团发生反应的取代基及能量线固化性基团的含 固化性基团化合物(B4)反应而得到，但并不限定于此。
[0078] 上述季铵盐单体(B1)是由具有聚合性基团、及由季铵阳离子及与其相对的阴离子 构成的盐的单体，优选由具有聚合性基团的由季铵阳离子及与其相对的阴离子构成的盐构 成。作为聚合性基团，例如可以举出具有（甲基)丙烯酰基、乙烯基、烯丙基等碳-碳不饱和基 团、环氧基、氧杂环丁烷基等环状醚类、四氢噻吩等环状硫化物类和异氰酸酯基等，其中，优 选（甲基)丙烯酰基及乙烯基。
[0079]作为具有上述聚合性基团的季铵阳离子，例如可以举出三烷基氨基乙基（甲基)丙 烯酸酯铵阳离子、三烷基氨基丙基（甲基)丙烯酰胺铵阳离子、1-烷基-3-乙烯基咪唑鑰阳离 子、4-乙烯基-1-烷基吡啶鑰阳离子、1-(4-乙烯基苄基)-3-烷基咪唑鑰阳离子、1-(乙烯基 氧基乙基）-3-烷基咪唑鑰阳离子、1-乙烯基咪唑鑰阳离子、1-丙烯基咪唑鑰阳离子、N-烷 基-N-烯丙基铵阳离子、1-乙烯基-3-烷基咪唑鑰阳离子、1-缩水甘油基-3-烷基-咪唑鑰阳 离子、N-烯丙基-N-烷基吡咯烷鑰阳离子、季二烯丙基二烷基铵阳离子等(在此所说的"烷 基"是指碳原子数1~10的烃基）。其中，优选三烷基氨基乙基（甲基）丙烯酸酯铵阳离子（= [2-(甲基丙烯酰氧基）乙基]三烷基铵阳离子）。
[0080] 作为上述季铵盐单体(B1)，只要是由具有上述聚合性基团的季铵阳离子和上述阴 离子构成的盐即可，例如可以举出[2_(甲基丙烯酰氧基）乙基]三甲铵、双(三氟甲磺酰基） 亚胺等。另外，季铵盐单体(B1)能够以1种或2种以上进行使用。
[0081] 对能量线固化性抗静电聚合物(B)而言，源自季铵盐单体(B1)的结构部分的质量 在该聚合物(B)整体的质量中所占的比例优选为20~80质量％，特别优选25~75质量％，进 一步优选35~60质量％。通过使源自季铵盐单体(B1)的结构部分的质量的比例为20质量％ 以上，能量线固化性抗静电聚合物(B)发挥充分的抗静电性。另一方面，通过源自季铵盐单 体(B1)的结构部分的质量的比例为80质量％以下，能够将源自其他单体的结构部分的质量 的比例控制在优选的范围内。
[0082] 作为上述含反应性官能团单体(B2)，除（甲基)丙烯酸以外，还可以举出具有羧基、 羟基、氨基、取代氨基、环氧基等官能团的（甲基)丙烯酸酯单体，其中，优选（甲基)丙烯酸。
[0083] 对能量线固化性抗静电聚合物(B)而言，源自上述含反应性官能团单体(B2)的结 构部分的质量在该聚合物(B)整体的质量中所占的比例优选为1~35质量％，特别优选3~ 20质量％，进一步优选3~10质量％。通过源自含反应性官能团单体(B2)的结构部分的质量 的比例在上述范围，能够依上述含固化性基团化合物(B4)将能量线固化性基团对能量线固 化性抗静电聚合物(B)的导入量控制在优选的范围内。
[0084] 能量线固化性抗静电聚合物(B)优选含有上述其他的聚合性单体(B3)尤其是丙烯 酸类的聚合性单体作为构成该聚合物(B)的单体单元，更优选作为主成分而含有。作为这样 的其他的聚合性单体(B3)，举出优选（甲基)丙烯酸酯。作为（甲基)丙烯酸酯，例如可以举出 (甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基)丙烯酸丁酯、（甲基）丙 烯酸2-乙基己酯等具有链状骨架的（甲基)丙烯酸酯；（甲基)丙烯酸环己酯、（甲基）丙烯酸 苄基酯、（甲基）丙烯酸异冰片酯、（甲基)丙烯酸二环戊酯、（甲基）丙烯酸四氢糠基酯、酰亚 胺丙烯酸酯等具有环状骨架的（甲基)丙烯酸酯等。另外，当（甲基)丙烯酸酯为（甲基)丙烯 酸烷基酯时，其烷基碳原子数优选为1~18的范围。
[0085] 作为上述含固化性基团化合物(B4)，能够例示出与在丙烯酸类聚合物(A3)中所例 示的含固化性基团化合物相同的化合物。作为该含固化性基团化合物(B4)，优选缩水甘油 基（甲基)丙烯酸酯、（甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯等，尤其优选缩水甘油基（甲基)丙烯 酉支醋。
[0086] 在此，使含固化性基团化合物(B4)和上述含反应性官能团单体(B2)以摩尔当量为 等量程度地发生反应。
[0087]能量线固化性抗静电聚合物(B)的重均分子量优选为500~20万，特别优选800~ 10万，进一步优选800~5万。若能量线固化性抗静电聚合物(B)的重均分子量为500以上，则 当将本实施方式的半导体加工用片材1贴附于被粘物时，能够有效地抑制能量线固化性抗 静电聚合物(B)从粘着剂层3渗出。并且，若能量线固化性抗静电聚合物(B)的重均分子量为 20万以下，则不会对粘着剂层3的粘着性带来恶劣影响。具体而言，离子性的能量线固化性 抗静电聚合物(B)的分子链具有扩散的倾向，但其受到抑制，粘着剂层3不会变硬而显示出 良好的粘着性，可以维持半导体晶圆的保持性能。
[0088] 本实施方式的粘着剂组合物中的能量线固化性抗静电聚合物(B)的含量优选为 0.5~65质量％，特别优选10~50质量％，进一步优选13~30质量％。通过能量线固化性抗 静电聚合物(B)的添加量为0.5质量％以上，可以充分赋予粘着剂层3以抗静电性。并且，通 过能量线固化性抗静电聚合物(B)的添加量为65质量份以下，照射能量线前的粘着剂层3的 凝聚力维持得较高，粘着剂层3具有较佳的弹性，因此可以抑制切割时的振动的影响，从而 可以有效地抑制崩裂(芯片端部的崩碎)的发生。
[0089] 当本实施方式中的粘着剂组合物含有上述的能量线固化性化合物(A2)时，本实施 方式中的粘着剂组合物中，能量线固化性化合物(A2)及能量线固化性抗静电聚合物(B)的 总计含量优选为10~75质量％，特别优选为15~60质量％，更加优选为18~40质量％。通过 能量线固化性化合物(A2)及能量线固化性抗静电聚合物(B)的总计含量为10质量％以上， 可以对粘着剂层3充分赋予抗静电性。另外，通过该总计含量为75质量％以下，粘着剂层3的 凝聚力维持得较高，可以有效地抑制崩裂的发生。
[0090] (3)交联剂(C)
[0091] 如上所述，形成本实施方式中的粘着剂层3的粘着剂组合物可以含有能够与丙烯 酸类聚合物(A1)发生反应的交联剂(C)。此时，本实施方式中的粘着剂层3含有通过丙烯酸 类聚合物(A1)与交联剂(C)的交联反应而得到的交联物。
[0092] 作为交联剂(C)的种类，例如可以举出环氧类化合物、多异氰酸酯类化合物、金属 螯合类化合物、氮丙啶类化合物等聚亚胺化合物、三聚氰胺树脂、尿素树脂、二醛类、羟甲基 聚合物、金属醇盐、金属盐等。其中，从容易控制交联反应等原因考虑，优选环氧类化合物或 多异氰酸酯化合物。
[0093]作为环氧类化合物，例如可以举出1，3_双(N，N'_二缩水甘油氨甲基)环己烷、N，N， Ν'，N'_四缩水甘油基-间苯二甲胺、乙二醇二缩水甘油醚、1，6-己二醇二缩水甘油醚、三羟 甲基丙烷二缩水甘油醚、二缩水甘油苯胺、二缩水甘油胺等。
[0094] 多异氰酸酯化合物为每1分子具有2个以上异氰酸酯基的化合物。具体可以举出， 甲苯二异氰酸酯、二苯甲烷二异氰酸酯、苯二甲基二异氰酸酯等芳香族多异氰酸酯、六亚甲 基二异氰酸酯等脂肪族多异氰酸酯、异氟尔酮二异氰酸酯、氢化二苯甲烷二异氰酸酯等脂 环式多异氰酸酯等、及它们的双缩脲体、异氰脲酸酯体、以及与乙二醇、丙二醇、新戊二醇、 三羟甲基丙烷、蓖麻油等低分子活性含氢化合物的反应物即加合体等。
[0095] 相对于能量线固化性粘着成分(A)及能量线固化性抗静电聚合物(B)的总量100质 量份，形成粘着剂层3的粘着剂组合物的交联剂(C)的含量优选为0.01~50质量份，更优选 为0.1~10质量份。
[0096] 当形成本实施方式中的粘着剂层3的粘着剂组合物含有交联剂(C)时，按照该交联 剂(C)的种类等而优选含有适当的交联促进剂。例如，当交联剂(C)为多异氰酸酯化合物时， 形成粘着剂层3的粘着剂组合物优选含有有机锡化合物等有机金属化合物类的交联促进 剂。
[0097] (4)其他成分
[0098] 形成本实施方式中的粘着剂层3的粘着剂组合物除上述的成分以外，还可以含有 光聚合引发剂、染料和颜料等着色材料、阻燃剂、填充剂等各种添加剂。
[0099] 作为光聚合引发剂，可以举出安息香化合物、苯乙酮化合物、酰基膦氧化合物、二 茂钛化合物、噻吨酮化合物、过氧化物合物等光引发剂、胺和醌等光敏剂等，具体而言，可以 例示1-羟基环己基苯基酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香异丙醚、苄基二苯基硫 醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、联苄、联乙酰、氯蒽醌、2，4，6-三甲基苯甲酰基 二苯基氧化膦等。当使用紫外线作为能量线时，通过加入光聚合引发剂，能够减少照射时 间、照射量。
[0100] (5)能量线的照射
[0101] 作为用于使上述的能量线固化性粘着成分(Α)及能量线固化性抗静电聚合物(Β) 固化的能量线，可以举出电离辐射线，亦即X射线、紫外线、电子束等。其中，优选照射设备的 导入比较容易的紫外线。
[0102]当使用紫外线作为电离辐射线时，从操作难度考虑，使用包含波长为200~380nm 左右的紫外线的近紫外线即可。作为光量，按照能量线固化性粘着成分(A)及能量线固化性 抗静电聚合物(B)所具有的能量线固化性基团的种类和粘着剂层3的厚度适当地选择即可， 通常为50~500mJ/cm 2左右，优选100~450mJ/cm2，更优选200~400mJ/cm2。另外，紫外线照 度通常为50 ~500mW/cm 2左右，优选100~450mW/cm2，更优选200~400mW/cm2。作为紫外线源 并没有特别限制，例如可以使用高压汞灯、金属卤化物灯、UV-LED等。
[0103] 当使用电子束作为电离辐射线时，对于其加速电压，按照能量线固化性粘着成分 (A)及能量线固化性抗静电聚合物(B)所具有的能量线固化性基团的种类和粘着剂层3的厚 度适当地选定即可，通常，加速电压优选为10~1000kV左右。另外，照射线量设定于多官能 丙烯酸酯类能量线固化性化合物(A2)适当地固化的范围即可，通常在10~lOOOkrad的范围 内选定。作为电子束源并没有特别限制，例如能够使用柯克罗夫特沃尔顿（Cockcroft-Walton)型、范德格拉夫(Van de Graaff)型、共振变压器型、绝缘芯变压器型、或直线型、地 纳米型、高频型等各种电子束加速器。
[0104] (6)物性、形状等
[0105] (6-1)厚度
[0106] 本实施方式中的粘着剂层3的厚度为2~50μπι，优选5~30μπι，特别优选8~20μπι。通 过粘着剂层3的厚度为20μπι以下，能够将切割半导体晶圆等被粘物时所产生的粘着剂凝聚 物的量抑制得较少，很难产生因粘着剂凝聚物附着于芯片等而引起的不良情况。另一方面， 若粘着剂层3的厚度小于2μπι，则有可能产生粘着剂层3的粘着性的偏差变大的问题。
[0107] (6-2)表面电阻率
[0108] 粘着剂层3的表面电阻率优选为5 X 1012 Ω /□以下，特别优选1 X 1〇7~9 X 1011 Ω / □。通过粘着剂层3的表面电阻率在这样的范围内，可以得到较佳的抗静电性，因此当从被 粘物剥离本实施方式的半导体加工用片材1时，能够防止被粘物因剥离静电而被击穿。
[0109] 另外，在此所说的表面电阻率是由下述测定的值，将半导体加工用片材裁断为 1 00mm X 100mm，并在23°C、50 %相对湿度下进行24小时的调湿后，使用DIGITAL ELECTROMETER(ADVANTEST社制）以施加电压100V所测定的值。
[0110] (6-3)粘着力
[0111] 对本实施方式的半导体加工用片材1而言，能量线照射后的粘着力相对于能量线 照射前的粘着力之比优选为0.003~0.3，更优选0.005~0.1，特别优选0.008~0.05。若上 述粘着力之比在上述的范围内，则能量线照射前的粘着力与能量线照射后的粘着力的平衡 变得良好，容易实现能量线照射前的充分的粘着力和能量线照射后的适度的粘着力。
[0112]另外，在此所说的粘着力，是将镜面晶圆作为被粘物，通过依照JIS Z0237:2009的 180°剥离法测定的粘着力(mN/25mm)。并且，能量线照射后的粘着力，是将半导体加工用片 材1贴附于被粘物后，在氮气气氛下从半导体加工用片材1的基材2侧照射紫外线（照度 230mW/cm 2，光量190mJ/cm2)后所测定的值。
[0113]半导体加工用片材1的能量线照射前的粘着力优选2000~20000mN/25mm，更加优 选3000~15000mN/25mm，特别优选3500~10000mN/25mm。通过使能量线照射前的粘着力在 上述的范围内，在被粘物的处理工序中能够可靠地固定被粘物。
[0114] 另一方面，半导体加工用片材1的能量线照射后的粘着力优选10~500mN/25mm，更 加优选30~300mN/25mm，特别优选50~200mN/25mm。通过使能量线照射后的粘着力在上述 的范围内，在剥离时能够从半导体加工用片材1上轻松地剥离被粘物，并且，能够抑制剥离 时的粘着剂层3的内聚破坏、及因微粒产生的被粘物的污染。
[0115] 本实施方式中的粘着剂层3由上述的粘着剂组合物形成，由此可以将半导体加工 用片材1的能量线照射前的粘着力、能量线照射后的粘着力及它们的比轻松地控制在上述 的范围内。
[0116] (6-4)剥离片材
[0117] 本实施方式的半导体加工用片材1可以在将粘着剂层3贴附到被粘物上之前，以保 护粘着剂层3为目的，在粘着剂层3的与基材2侧的面相反一侧的面上层积剥离片材。剥离片 材的构成是任意的，例示出通过剥离剂等对塑胶膜进行剥离处理的材料。作为塑胶膜的具 体例，可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚 酯膜、及聚丙烯和聚乙烯等的聚烯烃膜。作为剥离剂，能够使用有机硅类、氟类、长链烷类 等，其中，优选廉价且可以得到稳定的性能的有机硅类。对于剥离片材的厚度并没有特别限 制，通常为20~250μπι左右。
[0118] 3.半导体加工用片材的制造方法
[0119] 半导体加工用片材1的制造方法只要能够将由上述的粘着剂组合物形成的粘着剂 层3层积于基材2的一个面上，则详细的方法没有特别限定。举出一例，制备上述的粘着剂组 合物、及根据需要进一步制备含有溶剂或分散剂的涂布用组合物，在基材2的一个面上通过 模具式涂布机、帘式涂布机、喷涂式涂布机、狭缝式涂布机、刮刀式涂布机等涂布该涂布用 组合物形成涂膜，并使该涂膜干燥，由此能够形成粘着剂层3。涂布用组合物只要能够进行 涂布，则其性状没有特别限定，既有作为溶质含有用于形成粘着剂层3的成分的情况，又有 作为分散质而含有的情况。
[0120] 当涂布用组合物含有交联剂(C)时，通过改变上述的干燥条件(温度、时间等），或 者通过另行设置加热处理，进行涂膜内的丙烯酸类聚合物(Α1)与交联剂(C)的交联反应，在 粘着剂层3内以所希望的存在密度形成交联结构即可。为了充分进行该交联反应，通过上述 的方法等在基材2上层积粘着剂层3后，通常进行如下养生，即，例如在23°C、相对湿度50% 的环境中将所得到的半导体加工用片材1静置数日。
[0121] 作为半导体加工用片材1的制造方法的另一例，也可以在上述的剥离片材的剥离 面上进行涂布用组合物的涂布来形成涂膜，并使其干燥来形成由粘着剂层3和剥离片材构 成的层积体，将该层积体的粘着剂层3中与剥离片材侧的面相反一侧的面贴附于基材2,从 而得到半导体加工用片材1和剥离片材的层积体。该层积体中的剥离片材可以作为工序材 料进行剥离，也可以在贴附于半导体晶圆等被粘物前，保护粘着剂层3。
[0122] 4.芯片的制造方法
[0123] 以下的一例中，对使用本实施方式的半导体加工用片材1，由半导体晶圆制造芯片 的方法进行说明。
[0124] 当使用本实施方式的半导体加工用片材1时，将粘着剂层3侧的面（即，粘着剂层3 的与基材2相反侧的面)贴附于半导体晶圆上。当在半导体加工用片材1的粘着剂层3侧的面 上层积有剥离片材时，对该剥离片材进行剥离而使粘着剂层3侧的面露出，并在半导体晶圆 的贴着面贴附该面即可。半导体加工用片材1的周边部通常通过设置于该部分的粘着剂层3 贴附于被称作环状框架的用于运送及固定于装置的环状夹具。
[0125] 接着，实施切割工序，由半导体晶圆得到多个芯片。半导体加工用片材1的粘着剂 层3通过调整形成该粘着剂层的粘着剂组合物的各成分的含量(例如，将粘着剂组合物中的 能量线固化性抗静电聚合物(B)的含量设为65质量％以下等），将能量线照射前的凝聚性维 持得较高，从而形成在切割工序中具有满意的弹性。因此，通过使用本实施方式的半导体加 工用片材1，切割工序中的振动的影响得到抑制，且崩裂的发生得到抑制。
[0126] 在切割工序结束后，从半导体加工用片材1的基材2侧进行能量线照射。由此，粘着 剂层3所包含的能量线固化性粘着成分(A)及能量线固化性抗静电聚合物(B)所具有的能量 线固化性基团进行聚合反应而使粘着性下降，从而能够拾取芯片。
[0127] 作为一例，在能量线照射后，进行使半导体加工用片材1沿平面方向上伸长的扩展 工序，使得能够轻松拾取在半导体加工用片材1上邻近配置的多个芯片。该伸长程度考虑邻 近配置的芯片应具有的间隔、基材2的拉伸强度等适当地设定即可。另外，扩展工序也可以 在能量线照射前进行。
[0128] 在扩展工序后，进行粘着剂层3上的芯片的拾取。拾取通过吸引筒夹等通用装置进 行，此时，为了轻松进行拾取，优选利用销或滚针等从半导体加工用片材1的基材2侧上推作 为对象的芯片。
[0129] 在此，本实施方式的半导体加工用片材1通过粘着剂层3所包含的能量线固化性抗 静电聚合物(B)具有盐（阳离子），可以防止拾取等剥离时产生剥离静电，不会破坏电路或芯 片等就能够回收芯片。另外，通过粘着剂层3所包含的能量线固化性抗静电聚合物(B)具有 能量线固化性基团，很难产生对芯片的污染。另外，被拾取的芯片供给至输送工序等后续工 序。
[0130] 以上说明的实施方式是为了便于理解本发明而记载的，并非为了限定本发明。因 此，上述实施方式中所公开的各要素是还包含本发明的技术范围所属的所有设计变更和等 同物的趣旨。
[0131] 例如，还可以在上述半导体加工用片材1中的基材2与粘着剂层3之间存在其他层。
[0132] 实施例
[0133] 以下，通过实施例等对本发明进行更具体的说明，但本发明的范围并不限定于这 样的实施例等。
[0134] [实施例1]
[0135] (1)丙烯酸类聚合物的制备
[0136] 使丙烯酸正丁酯90质量份及丙烯酸10质量份共聚合来制备丙烯酸类聚合物(A1)。 利用后述的方法测定该丙烯酸类聚合物(A1)的分子量，结果重均分子量为60万。所得到的 丙烯酸类聚合物(A1)通过甲苯与乙酸乙酯的混合溶剂稀释为固体含量浓度34质量％。
[0137] (2)能量线固化性抗静电聚合物(B)的制备
[0138] 使作为季铵盐单体(B1)的[2_(甲基丙烯酰氧基）乙基]三甲铵、双(三氟甲磺酰基） 亚胺45质量份、作为含反应性官能团单体(B2)的甲基丙烯酸5质量份、及作为聚合性单体 (B3)的丙烯酸-2-乙基己酯38质量份及丙烯酸2-羟基乙酯5质量份共聚。使作为含固化性基 团化合物(B4)的甲基丙烯酸缩水甘油酯7质量份和所得到的聚合物发生反应，得到能量线 固化性抗静电聚合物(B)(在侧链具有甲基丙烯酰基及季铵盐）。利用后述的方法测定该能 量线固化性抗静电聚合物(B)的分子量，结果重均分子量为3万。
[0139] (3)半导体加工用片材的作制
[0140]混合上述工序（1)中所得到的丙烯酸类共聚物(Al)lOO质量份（固体含量换算值； 以下同样地进行标记）、作为能量线固化性化合物(A2)的6官能聚氨酯丙烯酸酯(重均分子 量:2000) 25质量份、上述工序(2)中所得到的能量线固化性抗静电聚合物(B)25质量份、作 为光聚合引发剂的1-羟基环己基苯基酮(BASF公司制，产品名"Irga CUrel84"）0.3质量份、 及作为交联剂(C)的1，3_双(N，N'_二缩水甘油氨甲基）环己烷(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.制，产品名"TETRAD-C"）0.05质量份并充分进行搅拌，并且利用甲乙酮稀释， 由此得到粘着剂组合物的涂布溶液。
[0141]利用刮刀式涂布机，将所得到的粘着剂组合物的涂布溶液以干燥后的厚度为ΙΟμπι 的方式涂布于剥离片材(Lintec Corporation制，产品名"SP-PET381031"，厚度:38μπι)的剥 离处理面上，然后在80°C下进行1分钟的处理，从而形成粘着剂组合物的涂膜，其中，所述剥 离片材是利用有机硅类剥离剂对聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的一个面进行剥离处理而得到 的。接着，贴合所得到的涂膜和作为基材的乙烯-甲基丙烯酸共聚物(EMAA)膜(厚度:80μπι)， 由此以在粘着剂层中与基材侧的面相反一侧的面上层积有剥离片材的状态得到半导体加 工用片材。
[0142] [实施例2]
[0143] 在上述工序(3)中，将能量线固化性抗静电聚合物(Β)的添加量改变为 1.5质量份， 除此以外，与实施例1同样地制造半导体加工用片材。
[0144] [实施例3]
[0145] 在上述工序(3)中，将能量线固化性抗静电聚合物(Β)的添加量改变为100质量份， 除此以外，与实施例1同样地制造半导体加工用片材。
[0146] [实施例4]
[0147] 在上述工序(3)中，将能量线固化性抗静电聚合物(Β)的添加量改变为200质量份， 除此以外，与实施例1同样地制造半导体加工用片材。
[0148] [实施例5]
[0149] 在上述工序(2)中，调整能量线固化性抗静电聚合物(Β)的重均分子量成为15万。 除使用该能量线固化性抗静电聚合物(Β)以外，与实施例1同样地制造半导体加工用片材。
[0150] [实施例6]
[0151] 在上述工序(2)中，调整能量线固化性抗静电聚合物(Β)的重均分子量为3000。除 使用该能量线固化性抗静电聚合物(Β)以外，与实施例1同样地制造半导体加工用片材。
[0152] [实施例7]
[0153] 在上述工序(2)中，调整能量线固化性抗静电聚合物(Β)的重均分子量为1000。除 使用该能量线固化性抗静电聚合物(Β)以外，与实施例1同样地制造半导体加工用片材。
[0154] [实施例8]
[0155] 在上述工序（1)中，使丙烯酸正丁酯95质量份及丙烯酸5质量份共聚，除此以外，与 实施例1同样地制造半导体加工用片材。
[0156] [实施例9]
[0157]在上述工序（1)中，使丙烯酸正丁酯90质量份及丙烯酸2-羟基乙酯10质量份共聚， 并且使用异氰酸酯类交联剂(T0Y0CHEM CO.，LTD.制，产品名"BHS8515"）0.2质量份作为上 述工序(3)中的交联剂(C)，除此以外，与实施例1同样地制造半导体加工用片材。
[0158][实施例10]
[0159]使丙烯酸-2-乙基己酯40质量份、乙酸乙酯40质量份及丙烯酸-2-羟基乙酯20质量 份共聚来得到共聚物。使其与甲基丙烯酸2_异氰酸乙酯发生反应，使得相对于丙烯酸-2-羟 基乙酯的羟基的摩尔当量为80%，从而得到侧链上导入有能量线固化性基团的丙烯酸类聚 合物(A3)(重均分子量:60万）。
[0160] 混合该侧链上导入有能量线固化性基团的丙烯酸类聚合物(A3H00质量份、上述 工序(2)中所得到的能量线固化性抗静电聚合物(B)25质量份、作为光聚合引发剂的1-羟基 环己基苯基酮(BASF公司制，产品名"Irgacurel84"）0.3质量份、及作为交联剂(C)的1，3_双 (N，N'_二缩水甘油氨甲基）环己烷(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.制，产品名 "TETRAD-00.05质量份并充分进行搅拌，并且利用甲乙酮稀释，由此得到粘着剂组合物的 涂布溶液。使用该涂布溶液，与实施例1同样地制造半导体加工用片材。
[0161] [实施例11]
[0162] 使用3官能聚氨酯丙烯酸酯与4官能聚氨酯丙烯酸酯的混合物(重均分子量:5000) 作为上述工序(3)中的能量线固化性化合物(A2)，除此以外，与实施例1同样地制造半导体 加工用片材。
[0163][实施例12]
[0164] 使2-乙基己基丙烯酸酯55质量份及甲氧基聚乙二醇丙烯酸酯（大阪有机化学社 制，产品名"MPE400A"）30质量份及丙烯酸羟乙酯15质量份共聚来制备丙烯酸类聚合物 (A1)。利用后述的方法测定该丙烯酸类聚合物(A1)的分子量，结果重均分子量为60万。
[0165] 混合上述丙烯酸类共聚物(Al)lOO质量份、作为能量线固化性化合物(A2)的6官能 聚氨酯丙烯酸酯(重均分子量:2000)50质量份、实施例1的工序(2)中所得到的能量线固化 性抗静电聚合物(B)14质量份、作为光聚合引发剂的1-羟基环己基苯基酮(BASF公司制，产 品名"Irgacurel84"）0.3质量份、及作为交联剂(C)的异氰酸酯类交联剂(T0Y0CHEM C0.， LTD.制，产品名"BHS8515"）1.2质量份并充分进行搅拌，并且利用甲乙酮稀释，由此得到粘 着剂组合物的涂布溶液。使用该涂布溶液，与实施例1同样地制造半导体加工用片材。
[0166][实施例13]
[0167] 使2-乙基己基丙烯酸酯25质量份及乙氧基乙氧基乙基丙烯酸酯60质量份及丙烯 酸羟乙酯15质量份共聚来制备丙烯酸类聚合物(A1)。利用后述的方法测定该丙烯酸类聚合 物(A1)的分子量，结果重均分子量为60万。
[0168] 使用上述的丙烯酸类聚合物(A1)作为丙烯酸类聚合物(A1)，除此以外，与实施例 12同样地制造半导体加工用片材。
[0169][实施例14]
[0170]使2-乙基己基丙烯酸酯25质量份及丙烯酸甲氧基乙酯60质量份及丙烯酸羟乙酯 15质量份共聚来制备丙烯酸类聚合物(A1)。利用后述的方法测定该丙烯酸类聚合物(A1)的 分子量，结果重均分子量为60万。
[0171]使用上述的丙烯酸类聚合物(A1)作为丙烯酸类聚合物(A1)，除此以外，与实施例 12同样地制造半导体加工用片材。
[0172] [比较例1]
[0173] 在上述工序(2)中，不让甲基丙烯酸缩水甘油酯发生反应，除此以外，与实施例1同 样地制造半导体加工用片材。
[0174] 在此，上述的重均分子量(Mw)是使用凝胶渗透色谱法(GPC)测定(GPC测定）的聚苯 乙烯换算的重均分子量。
[0175] [试验例1 ](表面电阻率的测定）
[0176] 将通过实施例及比较例制造的半导体加工用片材裁断为100_X 100mm，将其作为 试样。在23°C、50 %相对湿度下对试样进行24小时的调湿后，将剥离片材剥离，使用DIGITAL ELECTROMETER(ADVANTEST社制）以施加电压100V测定粘着剂面的表面电阻率。将结果示于 表1。
[0177] [试验例2](晶圆污染性的评价）
[0178] 从通过实施例及比较例制造的半导体加工用片材剥离掉剥离片材，并将粘着剂层 贴合于硅晶圆上，并且使5kg的辊往复1次，由此施加荷载以进行层积。将其在23°C、50 % RH 下静置24小时后，从半导体加工用片材的基材侧进行紫外线(UV)照射(照度:230mW/cm2,光 量：190mJ/cm 2)。从紫外线照射后的半导体加工用片材与硅晶圆的层积体，以剥离速度 300mm/min、剥离角度180°剥离半导体加工用片材后，使用晶圆表面检查装置(HITACHI ENGINEERING C0 .，LTD制，产品名"S6600"）测定硅晶圆上最大直径为0.27μπι以上的残渣物 (微粒)的个数。将结果示于表1。
[0179] [试验例3](崩裂的评价）
[0180] 从通过实施例及比较例制造的半导体加工用片材剥离掉剥离片材，并使用胶带贴 片机（tape mouter)(Lintec Corporation制，产品名"Adwill RAD2500m/12"），在所露出的 粘着剂层上贴附6英寸硅晶圆及切割用环状框架。接着，根据环状框架的外径裁断半导体加 工用片材后，使用切割装置(DIS⑶Inc.制:Dro-651)，通过以下切割条件进行从硅晶圆侧 切断的切割，得到8mm见方的芯片。
[0181] <切割条件>
[0182] ?晶圆的厚度:350μπι
[0183] ?切割装置:DISCO Inc.制DFD-651
[0184] ?划刀：DISC0 Inc.制NBC-2H 2050 27HECC
[0185] ?划刀宽度：0.025 ~0.030mm
[0186] ?出刀量:0.640 ~0.760mm
[0187] ?划刀转速：30000rpm
[0188] ?切削速度：80mm/sec
[0189] ?基材切入深度:20μπι
[0190] ?切削水量:1.0L/min
[0191] ?切削水温度:20°C
[0192] 在所得到的8mm见方的芯片中，对位于半导体加工用片材的中心部附近观察有无 崩裂(芯片端部的崩碎）。即，使用电子显微镜(KEYENCE CORPORATION制，产品名"VHZ-100"， 倍率:300倍），观察基材MD方向50芯片边部分及基材⑶方向50芯片边部分。而且，将具有20μ m以上的宽度或深度的崩碎判定为崩裂，并计量其数量。将结果示于表1。
[0193] [表 1]
[0194]
[0195] 由表1明确可知，实施例的半导体加工用片材的表面电阻率足够小，抗静电性优 异，并且晶圆上的微粒较少，污染得到了抑制。另外，通过较少地设定能量线固化性抗静电 聚合物(B)的添加量，抑制了崩裂的发生。
[0196] 工业实用性
[0197] 本发明的半导体加工用片材特别适合用于剥离静电有可能成为问题的半导体晶 圆或芯片的制造工序中。
[0198] 附图标记说明
[0199] 1.半导体加工用片材;2.基材;3.粘着剂层。
【主权项】
1. 一种半导体加工用片材，具备基材、及层积于所述基材的至少一个面上的粘着剂层， 其特征在于， 所述粘着剂层由粘着剂组合物形成，所述粘着剂组合物含有:具有盐及能量线固化性 基团的聚合物、以及能量线固化性粘着成分(除所述聚合物以外的）。2. 根据权利要求1所述的半导体加工用片材，其特征在于， 所述粘着剂组合物中的所述聚合物的含量为〇. 5~65质量％。3. 根据权利要求1或2所述的半导体加工用片材，其特征在于， 所述聚合物的重均分子量为500~20万。4. 根据权利要求1-3中任意一项所述的半导体加工用片材，其特征在于， 所述聚合物具有（甲基)丙烯酰基作为所述能量线固化性基团。5. 根据权利要求1-4中任意一项所述的半导体加工用片材，其特征在于， 所述聚合物的每单位质量的所述能量线固化性基团的含量为5ΧΚΓ5~2ΧΠΓ3摩尔/g。6. 根据权利要求1-5中任意一项所述的半导体加工用片材，其特征在于， 所述能量线固化性粘着成分含有不具有能量线固化性的丙烯酸类聚合物及能量线固 化性化合物。7. 根据权利要求1-5中任意一项所述的半导体加工用片材，其特征在于， 所述能量线固化性粘着成分含有侧链上导入有能量线固化性基团的丙烯酸类聚合物。8. 根据权利要求1-7中任意一项所述的半导体加工用片材，其特征在于， 所述能量线固化性粘着成分含有交联剂。9. 根据权利要求1-8中任意一项所述的半导体加工用片材，其特征在于， 所述盐为季铵盐。10. 根据权利要求6或7所述的半导体加工用片材，其特征在于， 所述丙烯酸类聚合物在侧链具有醚键。
【专利摘要】本发明提供一种半导体加工用片材。本发明的半导体加工用片材(1)具备基材(2)及层积于所述基材的至少一个面上的粘着剂层(3)，其中，粘着剂层(3)由粘着剂组合物形成，所述粘着剂组合物含有：具有盐及能量线固化性基团的聚合物、以及除上述聚合物以外的能量线固化性粘着成分。该半导体加工用片材(1)，能够发挥充分的抗静电性，并且在能量线照射后剥离时抑制被粘物的污染。
【IPC分类】C09J133/00, C09J7/02, H01L21/304, C09J11/06, H01L21/301, C09J9/02
【公开号】CN105492558
【申请号】CN201480047439
【发明人】山下茂之, 佐藤明德
【申请人】琳得科株式会社
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2014年8月29日
【公告号】EP3040389A1, US20160211163, WO2015030186A1
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种半导体加工用片材。
【背景技术】
[0002] 在对半导体晶圆进行研削、切断的工序中，以半导体晶圆的固定或电路等的保护 为目的，使用粘着片。作为这样的粘着片，有如下粘着片，其具备在贴附于半导体晶圆后的 处理工序中具有强的粘着力、另一方面在剥离时粘着力因能量线的照射而下降的能量线固 化性的粘着剂层。
[0003]这样的粘着片当规定的处理工序结束时被剥离，但此时，粘着片与作为被粘物的 半导体晶圆或半导体芯片（以下有时仅称为"芯片"）等之间，会产生被称作剥离静电的静 电。这样的静电成为半导体晶圆、芯片或形成它们的电路等被击穿的原因。为了防止该现 象，已知有在半导体晶圆的加工时所使用的粘着片中，通过向粘着剂中添加低分子量的季 铵盐化合物来使粘着片具备抗静电性。
[0004]但是，当使用低分子量的季铵盐化合物作为抗静电剂时，存在该化合物从粘着片 渗出，或者粘着剂的残渣物(微粒)污染半导体晶圆或芯片等被粘物的表面的问题。
[0005]对此，作为具备抗静电性的粘着剂，提出有将具有季铵盐的（甲基)丙烯酸类共聚 物作为粘着成分的光学部件用抗静电性粘着剂(参照专利文件1)。这样的粘着剂是将季铵 盐导入（甲基)丙烯酸类共聚物而形成高分子量。
[0006] 现有技术文献
[0007] 专利文件1:日本专利特开2011-12195号公报
【发明内容】
[0008] 本发明要解决的技术问题
[0009] 然而，专利文件1中公开的粘着剂是用于贴附在偏光板等光学部件的粘着片中的 粘着剂，并非将通过能量线照射导致的剥离作为前提。因此，所要求的物性与在能量线照射 前后粘着力大幅改变的、在半导体加工用途中使用的粘着片完全不同。
[0010] 在此，专利文件1的粘着剂是粘着成分其本身附有抗静电性。在这样的抗静电性粘 着成分中，例如，为了适用于半导体加工用途，若为了抑制其粘着性或抗静电性中的任意一 种而改变抗静电性粘着成分的组成等，则还会影响其他特性。因此，在所述抗静电性粘着成 分中，其设计的自由度受到制约。
[0011] 本发明是鉴于上述的现状而完成的，其目的在于提供一种能够发挥充分的抗静电 性，并且能够抑制在照射能量线后进行剥离时对被粘物的污染的半导体加工用片材。
[0012] 解决技术问题的技术手段
[0013] 为了实现上述目的，第一、本发明提供一种半导体加工用片材，其具备基材、及层 积于所述基材的至少一个面上的粘着剂层，其中，所述粘着剂层由粘着剂组合物形成，所述 粘着剂组合物含有:具有盐及能量线固化性基团的聚合物、以及能量线固化性粘着成分(所 述聚合物除外）（发明1)。
[0014] 作为本发明的半导体加工用片材，例如可以举出在半导体晶圆和各种封装类的切 割工序中使用的切割片、在半导体晶圆等背面研工序中使用的背面研磨片等，但并不限定 于此。本发明的半导体加工用片材尤其优选作为切割片使用。
[0015] 另外，本发明的半导体加工用片材包含具有用于贴附环状框架的另一粘着剂层 (及基材），例如设有如环绕贴附于晶圆部分的圆环状等的粘着部件。并且，本发明的半导体 加工用片材还包含粘着剂层局部设置于基材上的，例如，只在基材的周边部设有粘着剂层 而在内周部未设置粘着剂层的。另外，本发明中的"片材"还包含"胶带"的概念。
[0016] 上述发明（发明1)的半导体加工用片材通过粘着剂组合物中所含的聚合物具有盐 (阳离子)来发挥充分的抗静电性。并且，上述聚合物具有能量线固化性基团，通过能量线的 照射，该聚合物相互之间、或该聚合物与能量线固化性成分之间发生反应而交联。因此，在 照射能量线后剥离被粘物时，产生较少附着于被粘物的微粒，能够抑制被粘物的污染。
[0017] 在上述发明（发明1)中，所述粘着剂组合物中的所述聚合物的含量优选为0.5~65 质量％(发明2)。
[0018] 在上述发明（发明1或2)中，所述聚合物的重均分子量优选为500~20万(发明3)。 [0019]在上述发明（发明1~3)中，优选所述聚合物具有（甲基)丙烯酰基作为所述能量线 固化性基团(发明4)。
[0020] 在上述发明（发明1~4)中，所述聚合物的每单位质量的所述能量线固化性基团的 含量优选为5 X 10-5~2 X 10-3摩尔/g(发明5)。
[0021] 在上述发明（发明1~5)中，所述能量线固化性粘着成分可以是含有不具有能量线 固化性的丙烯酸类聚合物及能量线固化性化合物的能量线固化性粘着成分(发明6)，也可 以是含有侧链上导入有能量线固化性基团的丙烯酸类聚合物的能量线固化性粘着成分(发 明7)。
[0022] 在上述发明（发明1~7)中，所述能量线固化性粘着成分优选含有交联剂(发明8)。 [0023]在上述发明（发明1~8)中，所述盐优选为季铵盐(发明9)。
[0024]在上述发明（发明6、7)中，所述丙烯酸类聚合物优选在侧链具有醚键的丙烯酸类 聚合物(发明10)。
[0025]发明效果
[0026] 本发明的半导体加工用片材能够发挥充分的抗静电性，并且能够抑制在照射能量 线后进行剥离时的晶圆或芯片等被粘物的污染。
【附图说明】
[0027] 图1是本发明的一个实施方式的半导体加工用片材的截面图。
【具体实施方式】
[0028] 以下对本发明的实施方式进行说明。
[0029]图1是本发明的一个实施方式的半导体加工用片材的截面图。本实施方式的半导 体加工用片材1结构为具备基材2、及层积在基材2的一个面上（图1中为上侧的面)的粘着剂 层3。本实施方式的半导体加工用片材1能够用作切割片、背面研磨片等，以下，重点对用作 切割片的情况进行说明。
[0030] 1.基材
[0031]关于本实施方式的半导体加工用片材1的基材2,半导体加工用片材1只要能够在 切割工序、扩展工序或背面研磨工序等所希望的工序中适当地发挥作用，则其构成材料没 有特别限定，通常由以树脂类的材料为主材料的膜构成。作为该膜的具体例，可以举出乙 烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯_(甲基)丙烯酸酯共聚物膜等 乙烯类共聚膜；低密度聚乙烯（LDPE)膜、直链低密度聚乙烯（LLDPE)膜、高密度聚乙烯 (HDPE)膜等聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、乙烯-降冰片烯共 聚物膜、降冰片烯树脂膜等聚烯烃类膜;聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜等聚氯乙烯类膜;聚 对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜等聚酯类膜;聚氨酯膜;聚酰亚胺膜;聚 苯乙烯膜;聚碳酸酯膜;氟树脂膜等。并且，也可以使用它们的交联膜、离聚物膜等改性膜。 上述的基材2可以是由这些中的1种构成的膜，并且，也可以是将它们组合2种以上而成的层 积膜。另外，本说明书中的"(甲基)丙烯酸"是指丙烯酸及甲基丙烯酸两者。对于其他类似术 语也相同。
[0032]构成基材2的膜优选具备乙烯类共聚膜及聚烯烃类膜中的至少一种。乙烯类共聚 膜通过改变共聚比等容易将其机械特性控制在较宽范围内。因此，具备乙烯类共聚膜的基 材2容易满足作为本实施方式的半导体加工用片材1的基材所要求的机械特性。并且，由于 乙烯类共聚膜对粘着剂层3的贴附性较高，因此当用作半导体加工用片材时，很难在基材2 与粘着剂层3之间的界面发生剥离。
[0033]在此，在聚氯乙烯类膜等一部分膜中有包含大量对作为半导体加工用片材的特性 带来恶劣影响的成分。例如，聚氯乙烯类膜等中，该膜所含的增塑剂从基材2转移到粘着剂 层3,进而分布于粘着剂层3的与基材2对置的一侧的相反侧的面，从而有可能使粘着剂层3 相对于被粘物(半导体晶圆或芯片等）的粘着性下降。但是，乙烯类共聚膜及聚烯烃类膜中 由于对作为半导体加工用片材的特性带来恶劣影响的成分的含量少，因此不易产生粘着剂 层3相对于被粘物的粘着性下降等问题。即，乙烯类共聚膜及聚烯烃类膜的化学稳定性优 异。
[0034] 在本实施方式中所使用的基材2可以在以上述的树脂类材料为主材料的膜内包含 颜料、阻燃剂、增塑剂、抗静电剂、润滑剂、填充剂等各种添加剂。作为颜料，例如可以举出二 氧化钛、碳黑等。并且，作为填充剂，可以例示出三聚氰胺树脂等有机类材料、气相二氧化硅 等无机类材料及镍粒子等金属类材料。这样的添加剂的含量没有特别限定，但应该能使基 材2发挥所希望的功能，且停留在不失丧失平滑性和柔韧性的范围内。
[0035] 当使用紫外线作为用于使粘着剂层3固化而照射的能量线时，基材2优选相对于紫 外线具有透过性。另外，当使用电子束作为能量线时，基材2优选具有电子束的透过性。
[0036] 并且，在基材2的粘着剂层3侧的面（以下还称为"基材被粘面"）上优选存在具有选 自由羧基、及其离子及其盐所构成的组中的1种或2种以上的成分。通过基材2中的上述成分 与粘着剂层3中的成分(例示出构成粘着剂层3的成分及交联剂等形成粘着剂层3时所使用 的成分)的化学上的相互作用，能够降低它们之间产生剥离的可能性。用于使这样的成分存 在于基材被粘面的具体方法没有特别限定。例如，可以是将基材2本身作为乙烯_(甲基)丙 烯酸共聚物膜、离聚物树脂膜等，且使作为构成基材2的材料的树脂具有选自由羧基、及其 离子及盐所构成的组中的1种或2种以上。作为使上述成分存在于基材被粘面的其他方法， 可如下:使基材2例如为聚烯烃类膜，且通过在基材被粘面侧实施电晕处理、或设置底涂层。 并且，也可以在基材2的与基材被粘面相反一侧的面上设置各种涂膜。这些底涂层或涂膜可 以包含抗静电剂。由此，作为半导体加工用片材1，能够发挥更优异的抗静电性能。
[0037]基材2的厚度只要能够使半导体加工用片材1在所希望的工序中适当地发挥作用， 则没有限定。优选20~450μπι，更优选25~400μπι，进一步优选50~350μπι的范围。
[0038]优选本实施方式中的基材2的断裂伸长率作为在23°C、相对湿度50%时测定的值 为100 %以上，特别优选200~1000 %。在此，断裂伸长率是在依照JIS K7161:1994( ISO 527-1 1993)拉伸试验中试验片破坏时的试验片的长度相对于原来长度的伸长率。若上述 的断裂伸长率为100%以上，则当在扩展工序中使用本实施方式的半导体加工用片材时难 以断裂，容易使将晶圆切断而形成的芯片分离。
[0039]另外，本实施方式中的基材2的25%应变时拉伸应力优选为5~15N/10mm，优选最 大拉伸应力为15~50MPa。在此，25%应变时拉伸应力及最大拉伸应力通过依照JIS K7161: 1994的试验进行测定。若25%应变时拉伸应力为5N/10mm以上、且最大拉伸应力为15MPa以 上，则在将工件贴着于切割片1后在环状框架等框体上进行固定时，可以抑制基材2产生松 弛，从而能够防止产生搬送误差。另一方面，若25 %应变时拉伸应力为15N/10mm以下、且最 大拉伸应力为50MPa以下，则可以抑制在扩展工序时切割片1本身从环状框架上剥离等。另 外，上述的断裂伸长率、25%应变时拉伸应力、最大拉伸应力是指基材2中沿卷状膜的长边 方向测定的值。
[0040] 2.粘着剂层
[0041]本实施方式的半导体加工用片材1所具备的粘着剂层3是由含有能量线固化性粘 着成分(A)、及具有盐及能量线固化性基团的聚合物(B)(以下有时称为"能量线固化性抗静 电聚合物(B)"）的粘着剂组合物形成的。另外，使能量线固化性粘着成分(A)不含能量线固 化性抗静电聚合物(B)。另外，本实施方式中的粘着剂组合物优选含有后述的交联剂(C)。 [0042] (1)能量线固化性粘着成分(A)
[0043] 能量线固化性粘着成分(A)优选含有不具有能量线固化性的丙烯酸类聚合物(A1) 及能量线固化性化合物(A2)，或者含有侧链上导入有能量线固化性基团的丙烯酸类聚合物 (A3)。当能量线固化性粘着成分(A)含有侧链上导入有能量线固化性基团的丙烯酸类聚合 物(A3)时，作为能量线固化性粘着成分，可以仅含有该丙烯酸类聚合物(A3)，也可以含有该 丙烯酸类聚合物(A3)、和不具有能量线固化性的丙烯酸类聚合物(A1)及/或能量线固化性 化合物(A2)。另外，本说明书中的"聚合物"也包含"共聚物"的概念。
[0044] (1-1)不具有能量线固化性的丙烯酸类聚合物(A1)
[0045] 当形成本实施方式中的粘着剂层3的粘着剂组合物含有不具有能量线固化性的丙 烯酸类聚合物(A1)时，可以在该粘着剂组合物中直接含有该丙烯酸类聚合物(A1)，或者也 可以其至少一部分与后述的交联剂(C)进行交联反应后作为交联物含有该丙烯酸类聚合物 (Al)〇
[0046] 作为丙烯酸类聚合物(A1)，能够使用以往公知的丙烯酸类的聚合物。丙烯酸类聚 合物(A1)可以为由1种丙烯酸类单体形成的均聚物，也可以是由多种丙烯酸类单体形成的 共聚物，还可以是由1种或多种丙烯酸类单体与丙烯酸类单体以外的单体形成的共聚物。构 成丙烯酸类单体的化合物的具体种类没有特别限定，作为具体例可以举出（甲基)丙烯酸、 (甲基)丙烯酸酯、其衍生物(丙烯腈、衣康酸等）。关于（甲基)丙烯酸酯，进一步示出具体例， 则可以举出（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸丁 酯、（甲基）丙烯酸-2-乙基己酯等具有链状骨架的（甲基）丙烯酸酯；（甲基）丙烯酸环己酯、 (甲基)丙烯酸苄基酯、（甲基)丙烯酸异冰片酯、（甲基)丙烯酸二环戊酯、酰亚胺丙烯酸酯等 具有环状骨架的（甲基）丙烯酸酯；（甲基）丙烯酸-2-羟基乙酯、（甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯 等具有羟基的（甲基)丙烯酸酯;缩水甘油基（甲基)丙烯酸酯、（甲基)丙烯酸-N-甲基氨基乙 酯等具有羟基以外的反应性官能团的（甲基)丙烯酸酯。并且，作为丙烯酸类单体以外的单 体，可以例示出乙烯、降冰片烯等烯烃、乙酸乙烯酯、苯乙烯等。另外，当丙烯酸类单体为（甲 基)丙烯酸烷基酯时，该烷基的碳原子数优选为1~18的范围。
[0047] 在此，丙烯酸类聚合物(A1)优选在侧链具有醚键。通过使用在侧链具有醚键的丙 烯酸类聚合物(A1)，无需增加能量线固化性抗静电聚合物(B)的添加量，就能够提高（降低 表面电阻率)抗静电性能。即，即使能量线固化性抗静电聚合物(B)的添加量比较少，也能够 得到与能量线固化性抗静电聚合物(B)的添加量比较多的相同程度或比其高的抗静电性 能。因此，无需牺牲微粒抑制和崩裂抑制的性能，就能够提高抗静电性能。侧链的醚键的数 量越多，这样的效果越增大。
[0048] 为了得到在侧链具有醚键的丙烯酸类聚合物(A1)，可以使用具有醚键的（甲基)丙 烯酸酯作为该聚合物的构成单体。作为具有醚键的（甲基)丙烯酸酯，例如可以举出（甲基） 丙烯酸甲氧基乙酯、（甲基)丙烯酸乙氧基乙酯、（甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、（甲基)丙烯酸四 氢糠基酯、乙氧基乙氧基乙基（甲基)丙烯酸酯、乙氧基二乙二醇（甲基)丙烯酸酯、甲氧基三 乙二醇（甲基）丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、（2-甲基-2-乙基-1，3-二氧戊 环-4-基）甲基（甲基)丙烯酸酯、（3-乙基氧杂环丁烷-3-基）甲基（甲基)丙烯酸酯等。
[0049] 来源于具有醚键的（甲基)丙烯酸酯的结构部分的质量在丙烯酸类聚合物(A1)整 体的质量中所占的比例优选5~75质量％，特别优选12~70质量％，进一步优选20~65质 量％。通过来源于具有醚键的（甲基）丙烯酸酯的结构部分的质量的比例在上述范围，可更 容易得到上述的抗静电性能提高效果。
[0050] 当形成本实施方式中的粘着剂层3的粘着剂组合物含有后述的交联剂(C)时，优选 丙烯酸类聚合物(A1)具有与交联剂(C)发生反应的反应性官能基团。反应性官能基团的种 类没有特别限定，可根据交联剂(C)的种类等适当地决定。
[0051] 例如，当交联剂(C)为环氧类化合物时，作为丙烯酸类聚合物(A1)所具有的反应性 官能团，可以例示出羧基、氨基、酰胺基等，其中，与环氧基的反应性较高的羧基为优选。并 且，当交联剂(C)为多异氰酸酯化合物时，作为丙烯酸类聚合物(A1)所具有的反应性官能 团，可以例示羟基、羧基、氨基等，其中，与异氰酸酯基的反应性较高的羟基为优选。
[0052] 在丙烯酸类聚合物(A1)中导入反应性官能团的方法没有特别限定，作为一例，可 以举出如下方法:使用具有反应性官能团的单体形成丙烯酸类聚合物(A1)，使聚合物的骨 架中含有基于具有反应性官能团的单体的结构单元。例如，当将羧基导入丙烯酸类聚合物 (A1)时，使用（甲基)丙烯酸等具有羧基的单体形成丙烯酸类聚合物(A1)即可。
[0053] 当丙烯酸类聚合物(A1)具有反应性官能团时，从将交联程度控制在良好的范围的 观点考虑，来源于具有反应性官能团的单体的结构部分的质量在丙烯酸类聚合物(A1)整体 的质量中所占的比例优选为1~20质量％左右，更优选为2~10质量％。
[0054]从涂布时的成膜性的观点考虑，丙烯酸类聚合物(A1)的重均分子量(Mw)优选1万 ~200万，更优选10万~150万。另外，本说明书中的重均分子量为通过凝胶渗透色谱(GPC) 法测定的聚苯乙烯换算的值。并且，丙烯酸类聚合物(A1)的玻璃化转变温度Tg优选为-70°C ~30°C，进一步优选在_60°C~20°C范围。玻璃化转变温度可以通过Fox式进行计算。
[0055] (1-2)能量线固化性化合物(A2)
[0056] 当能量线固化性粘着成分(A)含有不具有能量线固化性的丙烯酸类聚合物(A1) 时，一并含有能量线固化性化合物(A2)。能量线固化性化合物(A2)为具有能量线固化性基 团且受到紫外线、电子束等能量线的照射则聚合的化合物。
[0057] 能量线固化性化合物(A2)所具有的能量线固化性基团例如为包含能量线固化性 的碳-碳双键的基团，具体而言，能够例示出（甲基)丙烯酰基、乙烯基等。
[0058] 作为能量线固化性化合物(A2)的例子，只要具有上述的能量线固化性基团，则没 有特别限定，从通用性的观点考虑，优选低分子量化合物（单官能、多官能的单体及低聚 物）。作为低分子量的能量线固化性化合物(A2)的具体例，可以举出三羟甲基丙烷三丙烯酸 酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季 戊四醇六丙烯酸酯或1，4_ 丁二醇二丙烯酸酯、1，6_己二醇二丙烯酸酯、双环戊二烯二甲氧 基二丙烯酸酯、丙烯酸异冰片酯等含环状脂肪族骨架的丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、低 聚酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯低聚物、环氧改性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、衣康酸低聚物 等丙烯酸酯类化合物。
[0059] 能量线固化性化合物(A2)的分子量通常为100~30000,优选300~10000左右。通 常，相对于100质量份丙烯酸类聚合物(A1)，优选以10~400质量份的比例使用能量线固化 性化合物(A2)，更优选以30~350质量份左右使用。
[0060] (1-3)侧链上导入有能量线固化性基团的丙烯酸类聚合物(A3)
[0061] 当本实施方式中的能量线固化性粘着成分(A)含有侧链上导入有能量线固化性基 团的丙烯酸类聚合物(A3)时，可以在粘着剂组合物中直接含有该丙烯酸类聚合物(A3)，或 者也可以其至少一部分与后述的交联剂(C)进行交联反应后作为交联物而含有该丙烯酸类 聚合物(A3)。
[0062] 侧链上导入有能量线固化性基团的丙烯酸类聚合物(A3)的主骨架没有特别限定， 可例示出与上述丙烯酸类聚合物(A1)相同。丙烯酸类聚合物(A3)也优选与丙烯酸类聚合物 (A1)同样地在侧链具有醚键。
[0063] 导入到丙烯酸类聚合物(A3)的侧链的能量线固化性基团例如为包含能量线固化 性的碳-碳双键的基团，具体而言，能够例示出（甲基)丙烯酰基等。能量线固化性基团可以 经由亚烷基、亚烷基氧基、聚亚烷基氧基等与丙烯酸类聚合物(A3)键合。
[0064] 侧链上导入有能量线固化性基团的丙烯酸类聚合物(A3)例如可通过下述方式得 到:使含有羟基、羧基、氨基、取代氨基、环氧基等官能团的丙烯酸类聚合物，与具有与该官 能团发生反应的取代基及每1分子具有1~5个能量线固化性碳-碳双键的含固化性基团化 合物发生反应。这样的丙烯酸类聚合物通过使具有羟基、羧基、氨基、取代氨基、环氧基等官 能团的（甲基）丙烯酸酯单体或其衍生物、与构成上述的成分(A1)的单体进行共聚合而得 到。并且，作为上述含固化性基团化合物，可以举出（甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、甲基- 异丙烯基-α，α-二甲基苄基异氰酸酯、（甲基)丙烯酰基异氰酸酯、烯丙基异氰酸酯、缩水甘 油基（甲基)丙烯酸酯；（甲基)丙烯酸等。
[0065]另外，当形成本实施方式中的粘着剂层3的粘着剂组合物含有后述的交联剂（C) 时，侧链上导入有能量线固化性基团的丙烯酸类聚合物(A3)优选具有与交联剂(C)发生反 应的反应性官能团。反应性官能团的种类没有特别限定，能够例示出与上述的丙烯酸类聚 合物(Α1)相同的官能团。
[0066]侧链上导入有能量线固化性基团的丙烯酸类聚合物(A3)的重均分子量(Mw)优选 为10万~200万，更优选为30万~150万。
[0067]另外，丙烯酸类聚合物(A3)的玻璃化转变温度(Tg)优选为-70~30°C，更优选在-60~20°C的范围。另外，在本说明书中，丙烯酸类聚合物(A3)的玻璃化转变温度(Tg)是指与 含固化性基团化合物发生反应前的丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度。
[0068] (2)能量线固化性抗静电聚合物(B)
[0069] 形成本实施方式中的粘着剂层3的粘着剂组合物，除上述的能量线固化性粘着成 分(A)以外，还含有具有盐及能量线固化性基团的聚合物(B)(能量线固化性抗静电聚合物 (B))〇
[0070] 能量线固化性抗静电聚合物(B)通过具有盐（阳离子)来发挥抗静电性。能量线固 化性抗静电聚合物(B)在主链或侧链具有盐即可，但优选在侧链具有盐。盐由阳离子和与其 相对的阴离子构成，优选由鑰阳离子和与其相对的阴离子构成。这样的盐可以是由与能量 线固化性抗静电聚合物(B)共价键合的阳离子和与其相对的阴离子构成的盐，也可以是由 与能量线固化性抗静电聚合物(B)共价键合的阴离子和与其相对的阳离子构成的盐。
[0071 ] 作为盐，例如可以举出季铵盐、鱗盐、銃盐、氧鑰盐、重氮盐、氯鑰盐、碘鑰盐、吡喃 鑰盐等。这些可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。另外，季铵盐由季铵阳离子和与 其相对的阴离子构成，其他盐也同样构成。
[0072] 在上述中，特别优选抗静电性能优异的季铵盐。其中，上述"季铵阳离子"是指氮的 鑰阳离子，包含如咪唑鑰、吡啶鑰等杂环鑰离子。作为季铵阳离子，烷基铵阳离子(在此所说 的"烷基"除包含碳原子数1~30的烃基以外，还包含被羟基烷基及烷氧基烷基取代的烷 基）；吡咯烷鑰阳离子、吡咯鑰阳离子、咪唑鑰阳离子、吡唑鑰阳离子、吡啶鑰阳离子、呱啶鑰 阳离子、哌嗪鑰阳离子等杂单环阳离子;吲哚鑰阳离子、苯并咪唑鑰阳离子、咔唑鑰阳离子、 喹啉鑰阳离子等缩合杂环阳离子等。均包含氮原子及/或环上键合有碳原子数1~30(例如， 碳原子数1~10)的经基、羟基烷基或烷氧基烷基。
[0073] 作为上述阴离子，除具有卤原子的阴离子以外，还可以举出羧酸、磺酸、磷酸等含 氧酸的衍生物（例如，硫酸氢盐、甲磺酸盐、乙基硫酸盐、二甲基磷酸盐、2_(2-甲氧基乙氧 基）乙基硫酸盐、二氰胺等)等，其中，优选具有卤原子的阴离子。具体而言，优选可以例示出 (FS0 2)2N-(双{(氟)磺酰基}酰亚胺阴离子）、（CF3S02) 2N-(双{(三氟甲基)磺酰基}酰亚胺阴 离子）、（C2F5S〇2) 2N-(双{(五氟乙基）磺酰基}酰亚胺阴离子）、cf3s〇2-n-⑶cf 3-、r-s〇2-n-S02CF3 -(R为脂肪族基）、ArS0 2-N-S02CF3-(Ar为芳香族基）等具有氮原子的阴离子;CnF 2n+ 1 ⑶ 2_(n为 1 ~4 的整数）、（0?3502)3(：-、(^211+130 3-(11为1~4的整数）、8?4-、？?6-等、具有氟原 子作为卤原子的阴离子。其中，尤其优选双{(氟)磺酰基}酰亚胺阴离子、双{(三氟甲基)磺 酰基}酰亚胺阴离子、双{(五氟乙基)磺酰基}酰亚胺阴离子、2,2,2_三氟-N-{(三氟甲基)磺 酰基）}乙酰酰亚胺阴离子、四氟硼酸阴离子及六氟磷酸盐阴离子。
[0074] 另外，能量线固化性抗静电聚合物(B)在侧链具有能量线固化性基团，由此，当对 粘着剂层3照射能量线时，能量线固化性抗静电聚合物(B)相互之间、或能量线固化性抗静 电聚合物(B)与上述的能量线固化性粘着成分(A)发生反应而交联。因此，可以抑制能量线 固化性抗静电聚合物(B)从粘着剂层3渗出，并且，当剥离半导体加工用片材1时很难产生粘 着剂的残渣物(微粒），能够抑制被粘物的污染。
[0075] 能量线固化性基团例如是包含能量线固化性的碳-碳双键的基团。具体而言，可以 举出（甲基)丙烯酰基及乙烯基等，其中，优选（甲基)丙烯酰基，尤其优选甲基丙烯酰基。
[0076] 能量线固化性抗静电聚合物(B)的每单位质量的能量线固化性基团的含量优选为 5 X 10-5~2 X 10-3摩尔/g，尤其优选1 X 10-4~1.5 X 10-3摩尔/g，进一步优选3 X 10-4~1 X 10 4摩尔/g。通过使能量线固化性基团的含量为5ΧΚΓ5摩尔/g以上，通过照射能量线，能量线 固化性抗静电聚合物(B)相互之间、或能量线固化性抗静电聚合物(B)与能量线固化性粘着 成分(A)之间交联变得充分，能够有效地抑制因粘着剂层3引起的被粘物的污染。另外，通过 使能量线固化性基团的含量为2ΧΚΓ 3摩尔/g以下，通过能量线使粘着剂层固化时的固化不 会过度进行，可以抑制固化后与被粘物之间的意想不到的剥离。
[0077] 本实施方式中的能量线固化性抗静电聚合物(B)例如是优选通过使具有盐的聚合 性单体尤其是具有季铵盐的聚合性单体（以下有时称为"季铵盐单体(B1)"）、具有反应性官 能团的聚合性单体（以下有时称为"含反应性官能团单体(B2)"）、及根据需要的其他聚合性 单体(B3)共聚后，与具有与上述反应性官能团发生反应的取代基及能量线固化性基团的含 固化性基团化合物(B4)反应而得到，但并不限定于此。
[0078] 上述季铵盐单体(B1)是由具有聚合性基团、及由季铵阳离子及与其相对的阴离子 构成的盐的单体，优选由具有聚合性基团的由季铵阳离子及与其相对的阴离子构成的盐构 成。作为聚合性基团，例如可以举出具有（甲基)丙烯酰基、乙烯基、烯丙基等碳-碳不饱和基 团、环氧基、氧杂环丁烷基等环状醚类、四氢噻吩等环状硫化物类和异氰酸酯基等，其中，优 选（甲基)丙烯酰基及乙烯基。
[0079]作为具有上述聚合性基团的季铵阳离子，例如可以举出三烷基氨基乙基（甲基)丙 烯酸酯铵阳离子、三烷基氨基丙基（甲基)丙烯酰胺铵阳离子、1-烷基-3-乙烯基咪唑鑰阳离 子、4-乙烯基-1-烷基吡啶鑰阳离子、1-(4-乙烯基苄基)-3-烷基咪唑鑰阳离子、1-(乙烯基 氧基乙基）-3-烷基咪唑鑰阳离子、1-乙烯基咪唑鑰阳离子、1-丙烯基咪唑鑰阳离子、N-烷 基-N-烯丙基铵阳离子、1-乙烯基-3-烷基咪唑鑰阳离子、1-缩水甘油基-3-烷基-咪唑鑰阳 离子、N-烯丙基-N-烷基吡咯烷鑰阳离子、季二烯丙基二烷基铵阳离子等(在此所说的"烷 基"是指碳原子数1~10的烃基）。其中，优选三烷基氨基乙基（甲基）丙烯酸酯铵阳离子（= [2-(甲基丙烯酰氧基）乙基]三烷基铵阳离子）。
[0080] 作为上述季铵盐单体(B1)，只要是由具有上述聚合性基团的季铵阳离子和上述阴 离子构成的盐即可，例如可以举出[2_(甲基丙烯酰氧基）乙基]三甲铵、双(三氟甲磺酰基） 亚胺等。另外，季铵盐单体(B1)能够以1种或2种以上进行使用。
[0081] 对能量线固化性抗静电聚合物(B)而言，源自季铵盐单体(B1)的结构部分的质量 在该聚合物(B)整体的质量中所占的比例优选为20~80质量％，特别优选25~75质量％，进 一步优选35~60质量％。通过使源自季铵盐单体(B1)的结构部分的质量的比例为20质量％ 以上，能量线固化性抗静电聚合物(B)发挥充分的抗静电性。另一方面，通过源自季铵盐单 体(B1)的结构部分的质量的比例为80质量％以下，能够将源自其他单体的结构部分的质量 的比例控制在优选的范围内。
[0082] 作为上述含反应性官能团单体(B2)，除（甲基)丙烯酸以外，还可以举出具有羧基、 羟基、氨基、取代氨基、环氧基等官能团的（甲基)丙烯酸酯单体，其中，优选（甲基)丙烯酸。
[0083] 对能量线固化性抗静电聚合物(B)而言，源自上述含反应性官能团单体(B2)的结 构部分的质量在该聚合物(B)整体的质量中所占的比例优选为1~35质量％，特别优选3~ 20质量％，进一步优选3~10质量％。通过源自含反应性官能团单体(B2)的结构部分的质量 的比例在上述范围，能够依上述含固化性基团化合物(B4)将能量线固化性基团对能量线固 化性抗静电聚合物(B)的导入量控制在优选的范围内。
[0084] 能量线固化性抗静电聚合物(B)优选含有上述其他的聚合性单体(B3)尤其是丙烯 酸类的聚合性单体作为构成该聚合物(B)的单体单元，更优选作为主成分而含有。作为这样 的其他的聚合性单体(B3)，举出优选（甲基)丙烯酸酯。作为（甲基)丙烯酸酯，例如可以举出 (甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基)丙烯酸丁酯、（甲基）丙 烯酸2-乙基己酯等具有链状骨架的（甲基)丙烯酸酯；（甲基)丙烯酸环己酯、（甲基）丙烯酸 苄基酯、（甲基）丙烯酸异冰片酯、（甲基)丙烯酸二环戊酯、（甲基）丙烯酸四氢糠基酯、酰亚 胺丙烯酸酯等具有环状骨架的（甲基)丙烯酸酯等。另外，当（甲基)丙烯酸酯为（甲基)丙烯 酸烷基酯时，其烷基碳原子数优选为1~18的范围。
[0085] 作为上述含固化性基团化合物(B4)，能够例示出与在丙烯酸类聚合物(A3)中所例 示的含固化性基团化合物相同的化合物。作为该含固化性基团化合物(B4)，优选缩水甘油 基（甲基)丙烯酸酯、（甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯等，尤其优选缩水甘油基（甲基)丙烯 酉支醋。
[0086] 在此，使含固化性基团化合物(B4)和上述含反应性官能团单体(B2)以摩尔当量为 等量程度地发生反应。
[0087]能量线固化性抗静电聚合物(B)的重均分子量优选为500~20万，特别优选800~ 10万，进一步优选800~5万。若能量线固化性抗静电聚合物(B)的重均分子量为500以上，则 当将本实施方式的半导体加工用片材1贴附于被粘物时，能够有效地抑制能量线固化性抗 静电聚合物(B)从粘着剂层3渗出。并且，若能量线固化性抗静电聚合物(B)的重均分子量为 20万以下，则不会对粘着剂层3的粘着性带来恶劣影响。具体而言，离子性的能量线固化性 抗静电聚合物(B)的分子链具有扩散的倾向，但其受到抑制，粘着剂层3不会变硬而显示出 良好的粘着性，可以维持半导体晶圆的保持性能。
[0088] 本实施方式的粘着剂组合物中的能量线固化性抗静电聚合物(B)的含量优选为 0.5~65质量％，特别优选10~50质量％，进一步优选13~30质量％。通过能量线固化性抗 静电聚合物(B)的添加量为0.5质量％以上，可以充分赋予粘着剂层3以抗静电性。并且，通 过能量线固化性抗静电聚合物(B)的添加量为65质量份以下，照射能量线前的粘着剂层3的 凝聚力维持得较高，粘着剂层3具有较佳的弹性，因此可以抑制切割时的振动的影响，从而 可以有效地抑制崩裂(芯片端部的崩碎)的发生。
[0089] 当本实施方式中的粘着剂组合物含有上述的能量线固化性化合物(A2)时，本实施 方式中的粘着剂组合物中，能量线固化性化合物(A2)及能量线固化性抗静电聚合物(B)的 总计含量优选为10~75质量％，特别优选为15~60质量％，更加优选为18~40质量％。通过 能量线固化性化合物(A2)及能量线固化性抗静电聚合物(B)的总计含量为10质量％以上， 可以对粘着剂层3充分赋予抗静电性。另外，通过该总计含量为75质量％以下，粘着剂层3的 凝聚力维持得较高，可以有效地抑制崩裂的发生。
[0090] (3)交联剂(C)
[0091] 如上所述，形成本实施方式中的粘着剂层3的粘着剂组合物可以含有能够与丙烯 酸类聚合物(A1)发生反应的交联剂(C)。此时，本实施方式中的粘着剂层3含有通过丙烯酸 类聚合物(A1)与交联剂(C)的交联反应而得到的交联物。
[0092] 作为交联剂(C)的种类，例如可以举出环氧类化合物、多异氰酸酯类化合物、金属 螯合类化合物、氮丙啶类化合物等聚亚胺化合物、三聚氰胺树脂、尿素树脂、二醛类、羟甲基 聚合物、金属醇盐、金属盐等。其中，从容易控制交联反应等原因考虑，优选环氧类化合物或 多异氰酸酯化合物。
[0093]作为环氧类化合物，例如可以举出1，3_双(N，N'_二缩水甘油氨甲基)环己烷、N，N， Ν'，N'_四缩水甘油基-间苯二甲胺、乙二醇二缩水甘油醚、1，6-己二醇二缩水甘油醚、三羟 甲基丙烷二缩水甘油醚、二缩水甘油苯胺、二缩水甘油胺等。
[0094] 多异氰酸酯化合物为每1分子具有2个以上异氰酸酯基的化合物。具体可以举出， 甲苯二异氰酸酯、二苯甲烷二异氰酸酯、苯二甲基二异氰酸酯等芳香族多异氰酸酯、六亚甲 基二异氰酸酯等脂肪族多异氰酸酯、异氟尔酮二异氰酸酯、氢化二苯甲烷二异氰酸酯等脂 环式多异氰酸酯等、及它们的双缩脲体、异氰脲酸酯体、以及与乙二醇、丙二醇、新戊二醇、 三羟甲基丙烷、蓖麻油等低分子活性含氢化合物的反应物即加合体等。
[0095] 相对于能量线固化性粘着成分(A)及能量线固化性抗静电聚合物(B)的总量100质 量份，形成粘着剂层3的粘着剂组合物的交联剂(C)的含量优选为0.01~50质量份，更优选 为0.1~10质量份。
[0096] 当形成本实施方式中的粘着剂层3的粘着剂组合物含有交联剂(C)时，按照该交联 剂(C)的种类等而优选含有适当的交联促进剂。例如，当交联剂(C)为多异氰酸酯化合物时， 形成粘着剂层3的粘着剂组合物优选含有有机锡化合物等有机金属化合物类的交联促进 剂。
[0097] (4)其他成分
[0098] 形成本实施方式中的粘着剂层3的粘着剂组合物除上述的成分以外，还可以含有 光聚合引发剂、染料和颜料等着色材料、阻燃剂、填充剂等各种添加剂。
[0099] 作为光聚合引发剂，可以举出安息香化合物、苯乙酮化合物、酰基膦氧化合物、二 茂钛化合物、噻吨酮化合物、过氧化物合物等光引发剂、胺和醌等光敏剂等，具体而言，可以 例示1-羟基环己基苯基酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香异丙醚、苄基二苯基硫 醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、联苄、联乙酰、氯蒽醌、2，4，6-三甲基苯甲酰基 二苯基氧化膦等。当使用紫外线作为能量线时，通过加入光聚合引发剂，能够减少照射时 间、照射量。
[0100] (5)能量线的照射
[0101] 作为用于使上述的能量线固化性粘着成分(Α)及能量线固化性抗静电聚合物(Β) 固化的能量线，可以举出电离辐射线，亦即X射线、紫外线、电子束等。其中，优选照射设备的 导入比较容易的紫外线。
[0102]当使用紫外线作为电离辐射线时，从操作难度考虑，使用包含波长为200~380nm 左右的紫外线的近紫外线即可。作为光量，按照能量线固化性粘着成分(A)及能量线固化性 抗静电聚合物(B)所具有的能量线固化性基团的种类和粘着剂层3的厚度适当地选择即可， 通常为50~500mJ/cm 2左右，优选100~450mJ/cm2，更优选200~400mJ/cm2。另外，紫外线照 度通常为50 ~500mW/cm 2左右，优选100~450mW/cm2，更优选200~400mW/cm2。作为紫外线源 并没有特别限制，例如可以使用高压汞灯、金属卤化物灯、UV-LED等。
[0103] 当使用电子束作为电离辐射线时，对于其加速电压，按照能量线固化性粘着成分 (A)及能量线固化性抗静电聚合物(B)所具有的能量线固化性基团的种类和粘着剂层3的厚 度适当地选定即可，通常，加速电压优选为10~1000kV左右。另外，照射线量设定于多官能 丙烯酸酯类能量线固化性化合物(A2)适当地固化的范围即可，通常在10~lOOOkrad的范围 内选定。作为电子束源并没有特别限制，例如能够使用柯克罗夫特沃尔顿（Cockcroft-Walton)型、范德格拉夫(Van de Graaff)型、共振变压器型、绝缘芯变压器型、或直线型、地 纳米型、高频型等各种电子束加速器。
[0104] (6)物性、形状等
[0105] (6-1)厚度
[0106] 本实施方式中的粘着剂层3的厚度为2~50μπι，优选5~30μπι，特别优选8~20μπι。通 过粘着剂层3的厚度为20μπι以下，能够将切割半导体晶圆等被粘物时所产生的粘着剂凝聚 物的量抑制得较少，很难产生因粘着剂凝聚物附着于芯片等而引起的不良情况。另一方面， 若粘着剂层3的厚度小于2μπι，则有可能产生粘着剂层3的粘着性的偏差变大的问题。
[0107] (6-2)表面电阻率
[0108] 粘着剂层3的表面电阻率优选为5 X 1012 Ω /□以下，特别优选1 X 1〇7~9 X 1011 Ω / □。通过粘着剂层3的表面电阻率在这样的范围内，可以得到较佳的抗静电性，因此当从被 粘物剥离本实施方式的半导体加工用片材1时，能够防止被粘物因剥离静电而被击穿。
[0109] 另外，在此所说的表面电阻率是由下述测定的值，将半导体加工用片材裁断为 1 00mm X 100mm，并在23°C、50 %相对湿度下进行24小时的调湿后，使用DIGITAL ELECTROMETER(ADVANTEST社制）以施加电压100V所测定的值。
[0110] (6-3)粘着力
[0111] 对本实施方式的半导体加工用片材1而言，能量线照射后的粘着力相对于能量线 照射前的粘着力之比优选为0.003~0.3，更优选0.005~0.1，特别优选0.008~0.05。若上 述粘着力之比在上述的范围内，则能量线照射前的粘着力与能量线照射后的粘着力的平衡 变得良好，容易实现能量线照射前的充分的粘着力和能量线照射后的适度的粘着力。
[0112]另外，在此所说的粘着力，是将镜面晶圆作为被粘物，通过依照JIS Z0237:2009的 180°剥离法测定的粘着力(mN/25mm)。并且，能量线照射后的粘着力，是将半导体加工用片 材1贴附于被粘物后，在氮气气氛下从半导体加工用片材1的基材2侧照射紫外线（照度 230mW/cm 2，光量190mJ/cm2)后所测定的值。
[0113]半导体加工用片材1的能量线照射前的粘着力优选2000~20000mN/25mm，更加优 选3000~15000mN/25mm，特别优选3500~10000mN/25mm。通过使能量线照射前的粘着力在 上述的范围内，在被粘物的处理工序中能够可靠地固定被粘物。
[0114] 另一方面，半导体加工用片材1的能量线照射后的粘着力优选10~500mN/25mm，更 加优选30~300mN/25mm，特别优选50~200mN/25mm。通过使能量线照射后的粘着力在上述 的范围内，在剥离时能够从半导体加工用片材1上轻松地剥离被粘物，并且，能够抑制剥离 时的粘着剂层3的内聚破坏、及因微粒产生的被粘物的污染。
[0115] 本实施方式中的粘着剂层3由上述的粘着剂组合物形成，由此可以将半导体加工 用片材1的能量线照射前的粘着力、能量线照射后的粘着力及它们的比轻松地控制在上述 的范围内。
[0116] (6-4)剥离片材
[0117] 本实施方式的半导体加工用片材1可以在将粘着剂层3贴附到被粘物上之前，以保 护粘着剂层3为目的，在粘着剂层3的与基材2侧的面相反一侧的面上层积剥离片材。剥离片 材的构成是任意的，例示出通过剥离剂等对塑胶膜进行剥离处理的材料。作为塑胶膜的具 体例，可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚 酯膜、及聚丙烯和聚乙烯等的聚烯烃膜。作为剥离剂，能够使用有机硅类、氟类、长链烷类 等，其中，优选廉价且可以得到稳定的性能的有机硅类。对于剥离片材的厚度并没有特别限 制，通常为20~250μπι左右。
[0118] 3.半导体加工用片材的制造方法
[0119] 半导体加工用片材1的制造方法只要能够将由上述的粘着剂组合物形成的粘着剂 层3层积于基材2的一个面上，则详细的方法没有特别限定。举出一例，制备上述的粘着剂组 合物、及根据需要进一步制备含有溶剂或分散剂的涂布用组合物，在基材2的一个面上通过 模具式涂布机、帘式涂布机、喷涂式涂布机、狭缝式涂布机、刮刀式涂布机等涂布该涂布用 组合物形成涂膜，并使该涂膜干燥，由此能够形成粘着剂层3。涂布用组合物只要能够进行 涂布，则其性状没有特别限定，既有作为溶质含有用于形成粘着剂层3的成分的情况，又有 作为分散质而含有的情况。
[0120] 当涂布用组合物含有交联剂(C)时，通过改变上述的干燥条件(温度、时间等），或 者通过另行设置加热处理，进行涂膜内的丙烯酸类聚合物(Α1)与交联剂(C)的交联反应，在 粘着剂层3内以所希望的存在密度形成交联结构即可。为了充分进行该交联反应，通过上述 的方法等在基材2上层积粘着剂层3后，通常进行如下养生，即，例如在23°C、相对湿度50% 的环境中将所得到的半导体加工用片材1静置数日。
[0121] 作为半导体加工用片材1的制造方法的另一例，也可以在上述的剥离片材的剥离 面上进行涂布用组合物的涂布来形成涂膜，并使其干燥来形成由粘着剂层3和剥离片材构 成的层积体，将该层积体的粘着剂层3中与剥离片材侧的面相反一侧的面贴附于基材2,从 而得到半导体加工用片材1和剥离片材的层积体。该层积体中的剥离片材可以作为工序材 料进行剥离，也可以在贴附于半导体晶圆等被粘物前，保护粘着剂层3。
[0122] 4.芯片的制造方法
[0123] 以下的一例中，对使用本实施方式的半导体加工用片材1，由半导体晶圆制造芯片 的方法进行说明。
[0124] 当使用本实施方式的半导体加工用片材1时，将粘着剂层3侧的面（即，粘着剂层3 的与基材2相反侧的面)贴附于半导体晶圆上。当在半导体加工用片材1的粘着剂层3侧的面 上层积有剥离片材时，对该剥离片材进行剥离而使粘着剂层3侧的面露出，并在半导体晶圆 的贴着面贴附该面即可。半导体加工用片材1的周边部通常通过设置于该部分的粘着剂层3 贴附于被称作环状框架的用于运送及固定于装置的环状夹具。
[0125] 接着，实施切割工序，由半导体晶圆得到多个芯片。半导体加工用片材1的粘着剂 层3通过调整形成该粘着剂层的粘着剂组合物的各成分的含量(例如，将粘着剂组合物中的 能量线固化性抗静电聚合物(B)的含量设为65质量％以下等），将能量线照射前的凝聚性维 持得较高，从而形成在切割工序中具有满意的弹性。因此，通过使用本实施方式的半导体加 工用片材1，切割工序中的振动的影响得到抑制，且崩裂的发生得到抑制。
[0126] 在切割工序结束后，从半导体加工用片材1的基材2侧进行能量线照射。由此，粘着 剂层3所包含的能量线固化性粘着成分(A)及能量线固化性抗静电聚合物(B)所具有的能量 线固化性基团进行聚合反应而使粘着性下降，从而能够拾取芯片。
[0127] 作为一例，在能量线照射后，进行使半导体加工用片材1沿平面方向上伸长的扩展 工序，使得能够轻松拾取在半导体加工用片材1上邻近配置的多个芯片。该伸长程度考虑邻 近配置的芯片应具有的间隔、基材2的拉伸强度等适当地设定即可。另外，扩展工序也可以 在能量线照射前进行。
[0128] 在扩展工序后，进行粘着剂层3上的芯片的拾取。拾取通过吸引筒夹等通用装置进 行，此时，为了轻松进行拾取，优选利用销或滚针等从半导体加工用片材1的基材2侧上推作 为对象的芯片。
[0129] 在此，本实施方式的半导体加工用片材1通过粘着剂层3所包含的能量线固化性抗 静电聚合物(B)具有盐（阳离子），可以防止拾取等剥离时产生剥离静电，不会破坏电路或芯 片等就能够回收芯片。另外，通过粘着剂层3所包含的能量线固化性抗静电聚合物(B)具有 能量线固化性基团，很难产生对芯片的污染。另外，被拾取的芯片供给至输送工序等后续工 序。
[0130] 以上说明的实施方式是为了便于理解本发明而记载的，并非为了限定本发明。因 此，上述实施方式中所公开的各要素是还包含本发明的技术范围所属的所有设计变更和等 同物的趣旨。
[0131] 例如，还可以在上述半导体加工用片材1中的基材2与粘着剂层3之间存在其他层。
[0132] 实施例
[0133] 以下，通过实施例等对本发明进行更具体的说明，但本发明的范围并不限定于这 样的实施例等。
[0134] [实施例1]
[0135] (1)丙烯酸类聚合物的制备
[0136] 使丙烯酸正丁酯90质量份及丙烯酸10质量份共聚合来制备丙烯酸类聚合物(A1)。 利用后述的方法测定该丙烯酸类聚合物(A1)的分子量，结果重均分子量为60万。所得到的 丙烯酸类聚合物(A1)通过甲苯与乙酸乙酯的混合溶剂稀释为固体含量浓度34质量％。
[0137] (2)能量线固化性抗静电聚合物(B)的制备
[0138] 使作为季铵盐单体(B1)的[2_(甲基丙烯酰氧基）乙基]三甲铵、双(三氟甲磺酰基） 亚胺45质量份、作为含反应性官能团单体(B2)的甲基丙烯酸5质量份、及作为聚合性单体 (B3)的丙烯酸-2-乙基己酯38质量份及丙烯酸2-羟基乙酯5质量份共聚。使作为含固化性基 团化合物(B4)的甲基丙烯酸缩水甘油酯7质量份和所得到的聚合物发生反应，得到能量线 固化性抗静电聚合物(B)(在侧链具有甲基丙烯酰基及季铵盐）。利用后述的方法测定该能 量线固化性抗静电聚合物(B)的分子量，结果重均分子量为3万。
[0139] (3)半导体加工用片材的作制
[0140]混合上述工序（1)中所得到的丙烯酸类共聚物(Al)lOO质量份（固体含量换算值； 以下同样地进行标记）、作为能量线固化性化合物(A2)的6官能聚氨酯丙烯酸酯(重均分子 量:2000) 25质量份、上述工序(2)中所得到的能量线固化性抗静电聚合物(B)25质量份、作 为光聚合引发剂的1-羟基环己基苯基酮(BASF公司制，产品名"Irga CUrel84"）0.3质量份、 及作为交联剂(C)的1，3_双(N，N'_二缩水甘油氨甲基）环己烷(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.制，产品名"TETRAD-C"）0.05质量份并充分进行搅拌，并且利用甲乙酮稀释， 由此得到粘着剂组合物的涂布溶液。
[0141]利用刮刀式涂布机，将所得到的粘着剂组合物的涂布溶液以干燥后的厚度为ΙΟμπι 的方式涂布于剥离片材(Lintec Corporation制，产品名"SP-PET381031"，厚度:38μπι)的剥 离处理面上，然后在80°C下进行1分钟的处理，从而形成粘着剂组合物的涂膜，其中，所述剥 离片材是利用有机硅类剥离剂对聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的一个面进行剥离处理而得到 的。接着，贴合所得到的涂膜和作为基材的乙烯-甲基丙烯酸共聚物(EMAA)膜(厚度:80μπι)， 由此以在粘着剂层中与基材侧的面相反一侧的面上层积有剥离片材的状态得到半导体加 工用片材。
[0142] [实施例2]
[0143] 在上述工序(3)中，将能量线固化性抗静电聚合物(Β)的添加量改变为 1.5质量份， 除此以外，与实施例1同样地制造半导体加工用片材。
[0144] [实施例3]
[0145] 在上述工序(3)中，将能量线固化性抗静电聚合物(Β)的添加量改变为100质量份， 除此以外，与实施例1同样地制造半导体加工用片材。
[0146] [实施例4]
[0147] 在上述工序(3)中，将能量线固化性抗静电聚合物(Β)的添加量改变为200质量份， 除此以外，与实施例1同样地制造半导体加工用片材。
[0148] [实施例5]
[0149] 在上述工序(2)中，调整能量线固化性抗静电聚合物(Β)的重均分子量成为15万。 除使用该能量线固化性抗静电聚合物(Β)以外，与实施例1同样地制造半导体加工用片材。
[0150] [实施例6]
[0151] 在上述工序(2)中，调整能量线固化性抗静电聚合物(Β)的重均分子量为3000。除 使用该能量线固化性抗静电聚合物(Β)以外，与实施例1同样地制造半导体加工用片材。
[0152] [实施例7]
[0153] 在上述工序(2)中，调整能量线固化性抗静电聚合物(Β)的重均分子量为1000。除 使用该能量线固化性抗静电聚合物(Β)以外，与实施例1同样地制造半导体加工用片材。
[0154] [实施例8]
[0155] 在上述工序（1)中，使丙烯酸正丁酯95质量份及丙烯酸5质量份共聚，除此以外，与 实施例1同样地制造半导体加工用片材。
[0156] [实施例9]
[0157]在上述工序（1)中，使丙烯酸正丁酯90质量份及丙烯酸2-羟基乙酯10质量份共聚， 并且使用异氰酸酯类交联剂(T0Y0CHEM CO.，LTD.制，产品名"BHS8515"）0.2质量份作为上 述工序(3)中的交联剂(C)，除此以外，与实施例1同样地制造半导体加工用片材。
[0158][实施例10]
[0159]使丙烯酸-2-乙基己酯40质量份、乙酸乙酯40质量份及丙烯酸-2-羟基乙酯20质量 份共聚来得到共聚物。使其与甲基丙烯酸2_异氰酸乙酯发生反应，使得相对于丙烯酸-2-羟 基乙酯的羟基的摩尔当量为80%，从而得到侧链上导入有能量线固化性基团的丙烯酸类聚 合物(A3)(重均分子量:60万）。
[0160] 混合该侧链上导入有能量线固化性基团的丙烯酸类聚合物(A3H00质量份、上述 工序(2)中所得到的能量线固化性抗静电聚合物(B)25质量份、作为光聚合引发剂的1-羟基 环己基苯基酮(BASF公司制，产品名"Irgacurel84"）0.3质量份、及作为交联剂(C)的1，3_双 (N，N'_二缩水甘油氨甲基）环己烷(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.制，产品名 "TETRAD-00.05质量份并充分进行搅拌，并且利用甲乙酮稀释，由此得到粘着剂组合物的 涂布溶液。使用该涂布溶液，与实施例1同样地制造半导体加工用片材。
[0161] [实施例11]
[0162] 使用3官能聚氨酯丙烯酸酯与4官能聚氨酯丙烯酸酯的混合物(重均分子量:5000) 作为上述工序(3)中的能量线固化性化合物(A2)，除此以外，与实施例1同样地制造半导体 加工用片材。
[0163][实施例12]
[0164] 使2-乙基己基丙烯酸酯55质量份及甲氧基聚乙二醇丙烯酸酯（大阪有机化学社 制，产品名"MPE400A"）30质量份及丙烯酸羟乙酯15质量份共聚来制备丙烯酸类聚合物 (A1)。利用后述的方法测定该丙烯酸类聚合物(A1)的分子量，结果重均分子量为60万。
[0165] 混合上述丙烯酸类共聚物(Al)lOO质量份、作为能量线固化性化合物(A2)的6官能 聚氨酯丙烯酸酯(重均分子量:2000)50质量份、实施例1的工序(2)中所得到的能量线固化 性抗静电聚合物(B)14质量份、作为光聚合引发剂的1-羟基环己基苯基酮(BASF公司制，产 品名"Irgacurel84"）0.3质量份、及作为交联剂(C)的异氰酸酯类交联剂(T0Y0CHEM C0.， LTD.制，产品名"BHS8515"）1.2质量份并充分进行搅拌，并且利用甲乙酮稀释，由此得到粘 着剂组合物的涂布溶液。使用该涂布溶液，与实施例1同样地制造半导体加工用片材。
[0166][实施例13]
[0167] 使2-乙基己基丙烯酸酯25质量份及乙氧基乙氧基乙基丙烯酸酯60质量份及丙烯 酸羟乙酯15质量份共聚来制备丙烯酸类聚合物(A1)。利用后述的方法测定该丙烯酸类聚合 物(A1)的分子量，结果重均分子量为60万。
[0168] 使用上述的丙烯酸类聚合物(A1)作为丙烯酸类聚合物(A1)，除此以外，与实施例 12同样地制造半导体加工用片材。
[0169][实施例14]
[0170]使2-乙基己基丙烯酸酯25质量份及丙烯酸甲氧基乙酯60质量份及丙烯酸羟乙酯 15质量份共聚来制备丙烯酸类聚合物(A1)。利用后述的方法测定该丙烯酸类聚合物(A1)的 分子量，结果重均分子量为60万。
[0171]使用上述的丙烯酸类聚合物(A1)作为丙烯酸类聚合物(A1)，除此以外，与实施例 12同样地制造半导体加工用片材。
[0172] [比较例1]
[0173] 在上述工序(2)中，不让甲基丙烯酸缩水甘油酯发生反应，除此以外，与实施例1同 样地制造半导体加工用片材。
[0174] 在此，上述的重均分子量(Mw)是使用凝胶渗透色谱法(GPC)测定(GPC测定）的聚苯 乙烯换算的重均分子量。
[0175] [试验例1 ](表面电阻率的测定）
[0176] 将通过实施例及比较例制造的半导体加工用片材裁断为100_X 100mm，将其作为 试样。在23°C、50 %相对湿度下对试样进行24小时的调湿后，将剥离片材剥离，使用DIGITAL ELECTROMETER(ADVANTEST社制）以施加电压100V测定粘着剂面的表面电阻率。将结果示于 表1。
[0177] [试验例2](晶圆污染性的评价）
[0178] 从通过实施例及比较例制造的半导体加工用片材剥离掉剥离片材，并将粘着剂层 贴合于硅晶圆上，并且使5kg的辊往复1次，由此施加荷载以进行层积。将其在23°C、50 % RH 下静置24小时后，从半导体加工用片材的基材侧进行紫外线(UV)照射(照度:230mW/cm2,光 量：190mJ/cm 2)。从紫外线照射后的半导体加工用片材与硅晶圆的层积体，以剥离速度 300mm/min、剥离角度180°剥离半导体加工用片材后，使用晶圆表面检查装置(HITACHI ENGINEERING C0 .，LTD制，产品名"S6600"）测定硅晶圆上最大直径为0.27μπι以上的残渣物 (微粒)的个数。将结果示于表1。
[0179] [试验例3](崩裂的评价）
[0180] 从通过实施例及比较例制造的半导体加工用片材剥离掉剥离片材，并使用胶带贴 片机（tape mouter)(Lintec Corporation制，产品名"Adwill RAD2500m/12"），在所露出的 粘着剂层上贴附6英寸硅晶圆及切割用环状框架。接着，根据环状框架的外径裁断半导体加 工用片材后，使用切割装置(DIS⑶Inc.制:Dro-651)，通过以下切割条件进行从硅晶圆侧 切断的切割，得到8mm见方的芯片。
[0181] <切割条件>
[0182] ?晶圆的厚度:350μπι
[0183] ?切割装置:DISCO Inc.制DFD-651
[0184] ?划刀：DISC0 Inc.制NBC-2H 2050 27HECC
[0185] ?划刀宽度：0.025 ~0.030mm
[0186] ?出刀量:0.640 ~0.760mm
[0187] ?划刀转速：30000rpm
[0188] ?切削速度：80mm/sec
[0189] ?基材切入深度:20μπι
[0190] ?切削水量:1.0L/min
[0191] ?切削水温度:20°C
[0192] 在所得到的8mm见方的芯片中，对位于半导体加工用片材的中心部附近观察有无 崩裂(芯片端部的崩碎）。即，使用电子显微镜(KEYENCE CORPORATION制，产品名"VHZ-100"， 倍率:300倍），观察基材MD方向50芯片边部分及基材⑶方向50芯片边部分。而且，将具有20μ m以上的宽度或深度的崩碎判定为崩裂，并计量其数量。将结果示于表1。
[0193] [表 1]
[0194]
[0195] 由表1明确可知，实施例的半导体加工用片材的表面电阻率足够小，抗静电性优 异，并且晶圆上的微粒较少，污染得到了抑制。另外，通过较少地设定能量线固化性抗静电 聚合物(B)的添加量，抑制了崩裂的发生。
[0196] 工业实用性
[0197] 本发明的半导体加工用片材特别适合用于剥离静电有可能成为问题的半导体晶 圆或芯片的制造工序中。
[0198] 附图标记说明
[0199] 1.半导体加工用片材;2.基材;3.粘着剂层。
【主权项】
1. 一种半导体加工用片材，具备基材、及层积于所述基材的至少一个面上的粘着剂层， 其特征在于， 所述粘着剂层由粘着剂组合物形成，所述粘着剂组合物含有:具有盐及能量线固化性 基团的聚合物、以及能量线固化性粘着成分(除所述聚合物以外的）。2. 根据权利要求1所述的半导体加工用片材，其特征在于， 所述粘着剂组合物中的所述聚合物的含量为〇. 5~65质量％。3. 根据权利要求1或2所述的半导体加工用片材，其特征在于， 所述聚合物的重均分子量为500~20万。4. 根据权利要求1-3中任意一项所述的半导体加工用片材，其特征在于， 所述聚合物具有（甲基)丙烯酰基作为所述能量线固化性基团。5. 根据权利要求1-4中任意一项所述的半导体加工用片材，其特征在于， 所述聚合物的每单位质量的所述能量线固化性基团的含量为5ΧΚΓ5~2ΧΠΓ3摩尔/g。6. 根据权利要求1-5中任意一项所述的半导体加工用片材，其特征在于， 所述能量线固化性粘着成分含有不具有能量线固化性的丙烯酸类聚合物及能量线固 化性化合物。7. 根据权利要求1-5中任意一项所述的半导体加工用片材，其特征在于， 所述能量线固化性粘着成分含有侧链上导入有能量线固化性基团的丙烯酸类聚合物。8. 根据权利要求1-7中任意一项所述的半导体加工用片材，其特征在于， 所述能量线固化性粘着成分含有交联剂。9. 根据权利要求1-8中任意一项所述的半导体加工用片材，其特征在于， 所述盐为季铵盐。10. 根据权利要求6或7所述的半导体加工用片材，其特征在于， 所述丙烯酸类聚合物在侧链具有醚键。
【专利摘要】本发明提供一种半导体加工用片材。本发明的半导体加工用片材(1)具备基材(2)及层积于所述基材的至少一个面上的粘着剂层(3)，其中，粘着剂层(3)由粘着剂组合物形成，所述粘着剂组合物含有：具有盐及能量线固化性基团的聚合物、以及除上述聚合物以外的能量线固化性粘着成分。该半导体加工用片材(1)，能够发挥充分的抗静电性，并且在能量线照射后剥离时抑制被粘物的污染。
【IPC分类】C09J133/00, C09J7/02, H01L21/304, C09J11/06, H01L21/301, C09J9/02
【公开号】CN105492558
【申请号】CN201480047439
【发明人】山下茂之, 佐藤明德
【申请人】琳得科株式会社
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2014年8月29日
【公告号】EP3040389A1, US20160211163, WO2015030186A1
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