电容触摸屏及其制造方法
电容触摸屏及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及触摸屏，尤其涉及电容触摸屏及其制造方法。
【背景技术】
[0002]目前主流的触摸屏主要包括保护盖板、玻璃或薄膜基板以及附设在基板表面的用于感测触摸及连接外部的功能层，具体包括在基板表面中部形成的感测区及在基板边缘形成的具有多个引脚的引线区，用于连接柔性电路板(Flexible Printed Circuit，FPC)。现有主流的制作工艺是，在基板上通过黄光光刻或丝网印刷的方式形成多个上述功能层，然后进行分割以得到多片触摸屏。在上述工艺下，除了感测区中的图案及引线区中的引脚外，在基板上的其它地方都是被去除或没有印刷上导电材料的，即是说引线区之间有间隙，分割时不易造成短路。
[0003]相比上述主流工艺，镭射工艺具有制程简单及化学污染少的优点，因此应用也日益广泛。镭射工艺过程中，基板上先设置一导电层，再使激光在所需图案及引脚周围进行照射，从而形成上述感测区及引线区。在镭射工艺下，导电层不需要的部分不会被全部去除，引线区远离感测区一端通过切割的方式形成。切割时，需准确按照引脚的末端进行切割。然而，实际生产中，很难做到完全准确。若分割位置位于该引脚的末端偏向远离感测区一侧，引脚间会因未去除的导电部分而出现短路；若偏向靠近感测区一侧，由于分割后基板边缘会发生变形，尤其是薄膜基板，当相邻引脚的间距比较小的时候，相邻引脚容易由于基板的变形而出现短路。因此，任何一种情况都会降低制成良率。
【发明内容】
[0004]本发明的实施方式提供了一种可解决上述技术问题的电容触摸屏及其制作方法。
[0005]—种电容触摸屏，包括一基材及设置于该基材的一导电层，该导电层包括位于中间的感测区及位于边缘的引线区。该引线区包括靠近该感测区的内侧、远离该感测区的外侧以及连接该内侧及外侧的相对设置的第一侧及第二侧，该引线区还包括自该内侧向该外侧延伸的引脚。该引线区还包括位于该内侧及外侧之间的自该第一侧向该第二侧延伸的非导电区，该非导电区与各引脚相交。
[0006]—种电容触摸屏的制作方法，包括提供基材；在该基材上设置导电层；形成位于该导电层中间的感测区及位于该导电层边缘的引线区；其中，该引线区包括靠近该感测区的内侧、远离该感测区的外侧以及连接该内侧及外侧的相对设置的第一侧及第二侧，该引线区还包括自该内侧向该外侧延伸的引脚；在该引线区的内侧及外侧之间形成自该第一侧向该第二侧延伸的非导电区，该非导电区与各引脚相交；及沿该引线区的外侧分割该导电层及该基材。
[0007]在本发明的技术方案下，分割过程中，即使分割位置发生偏移，各引脚也由于非导电区的设置而无法发生短路，解决了【背景技术】所描述的问题，提高了制成良率。
【附图说明】
[0008]下列附图用于结合【具体实施方式】详细说明本发明的各个实施方式。应当理解，附图中示意出的各元件并不代表实际的大小及比例关系，仅是为了清楚说明而示意出来的示意图，不应理解成对本发明的限制。
[0009]图1是本发明第一实施方式提供的电容触摸屏的制作方法的流程图。
[0010]图2是根据图1的制作方法，激光照射在设置于基材上的导电层时的侧面示意图。
[0011]图3是根据图1的方法制作的电容触摸屏的平面视图。
[0012]图4是图1的纳米银丝薄膜的部分区域中被照射部分跟不被照射部分的微观示意图。
[0013]图5是根据本发明的第一实施方式，图3电容触摸屏上的部分感测区及引线区的放大示意图。
[0014]图6是本发明第二实施方式提供的电容触摸屏上的部分感测区及引线区的放大示意图。
[0015]图7是本发明第三实施方式提供的电容触摸屏上的部分感测区及引线区的放大示意图。
【具体实施方式】
[0016]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合多个实施方式及附图，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的【具体实施方式】仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0017]本发明提供了一种电容触摸屏及其制造方法，在下述实施方式中，将先对电容触摸屏的制造方法进行描述，然而，在描述过程中，也需提及到电容触摸屏的结构以更好地说明其制造方法，因此，本说明书中将不再单独地对电容触摸屏的结构进行与其制造方法分离的说明，本领域技术人员根据对制作方法的描述可清楚得知电容触摸屏的结构。
[0018]请结合图1至图3，其是本发明的实施方式提供的电容触摸屏的制作方法的流程图，包括以下步骤:
[0019]步骤S10:提供基材12。基材12可由透明材料制成，比如玻璃或聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate，PET)，以利于制作具有触摸功能的显示屏幕模组或其它需透明特性的应用场景。当需电容触摸屏10具有柔性时，可选PET制作基材12，PET具有透光性及柔韧性好，易于制造等优点。在本实施方式中，由PET制成的基材12的厚度可以约为0.01至0.5毫米(mm)，优选可以为0.015至0.2mm,更优选可以为0.1mm,这个厚度内的基材具有较好的柔韧性。当然，在其它无需透明特性的情况下，基材12的厚度也可以是其他选择，也可由非透明的材料，比如金属制成。
[0020]步骤S20:在基材12上设置导电层14。导电层14可以是透明导电的具有纳米维度的金属薄膜，包括纳米维度的单一金属、合金、金属化合物或其以上任意组合形成的薄膜，例如包括纳米金属丝的薄膜、包括纳米金属颗粒的薄膜、包括纳米金属网格的薄膜，当然也可以是石墨烯薄膜、碳纳米管薄膜、有机导电高分子聚合物薄膜、铟锡金属氧化物(IndiumTin Oxides, ITO)薄膜或者以上任意组合。在本实施方式中，导电层14为透明导电的纳米银丝薄膜，其是包括一层具有纳米银丝的聚合物基体的薄膜，纳米银丝在薄膜中无序均匀分布，以使薄膜具有透明及导电的特征。纳米银丝薄膜可通过涂布、丝印或喷射的方式形成于基材12上。基材12及设置在其一表面上的纳米银丝薄膜14构成了电容触摸屏10基本要素。优选地，电容触摸屏10还包括位于基材12背对导电层14 一侧的保护层16，保护层16可由耐刮材料，比如聚碳酸脂材料等通过涂布方式固定至基材12。
[0021]步骤S30:形成位于导电层14中间的感测区20及位于导电层14边缘的引线区22。在本实施方式中，感测区20及引线区22通过镭射工艺形成。具体地，调整激光11的参数，可使得激光11以不去除的方式将纳米银丝薄膜的透明导电的特性变成透明且不导电。所述激光参数包括了脉冲宽度，脉冲通量，脉冲能量，光斑尺寸，脉冲重复率等。在选择适当的上述各个参数的情况下，激光11照射纳米银丝薄膜后，被照射部分中的纳米银丝将从导电变为不导电，同时，被照射部分的透明度几乎不发生改变，而且，纳米银丝薄膜被照射部分几乎不会有任何被剥离的情况发生。
[0022]由于上述工艺是现有技术，在此不做赘述。必须之处的是导电跟不导电的界定是相对于印刷电子器件、触摸感测或光电原件领域来讲的。比如，对于方阻约在30至250Ω/sq可认为是导电的，而方阻约在20MQ/Sq可认为 是不导电的。然而应当理解，在不同的领域中，导电与非导电可能有不同的界定，需根据具体的应用场景设定上述激光参数。
[0023]请结合图4，其放大地示意出导电层14部分被激光照射部分24及其两侧的未被激光照射的部分。如图4所示，放200倍大后看，才能看出被激光照射部分24的透明特性与导电部分有些许变化，因此，仅凭肉眼而不借助任何放大工具，无法分辨出被激光照射部分24与未被激光照射的部分，这在实际产品中以得到验证，即是说，被激光11照射后的被激光照射部分24同样是透明的。
[0024]请再结合图5，其是图3电容触摸屏上的部分感测区20及引线区22的放大示意图。感测区20具有用于感测触摸的图案26，以及从图案26引出的行线28及列线29，其中，行线28及列线29均设置在感测区20的一侧。引线区22包括靠近感测区20的内侧32、远离感测区20的外侧34以及连接内侧32及外侧34的相对设置的第一侧36及第二侧38。引线区22内具有多个由激光照射线形成的引脚39，各引脚39连接至对应的行线28及列线
29。引脚39自内侧32向外侧34延伸，并且在本实施方式中沿直线延伸。
[0025]生产过程中，激光自外侧34向内侧32先从引线区22开始照射导电层，并直接进入感测区22，以使得引脚39及与其对应的行线28或列线29 —次生成。如此，制作整个电容触摸屏的过程中便无需通过两次工艺分别制作完成触摸屏的引线区及感测区，仅需一次激光制程，提高了生产效率。
[0026]步骤S40:在引线区22的内侧32及外侧34之间形成自第一侧36向该第二侧38延伸的非导电区40。在本实施方式中，非导电区40即是纳米银丝薄膜被激光11以不去除的方式照射后变成透明且不导电的部分。部分非导电区40如图5所示，非导电区40为自第一侧36向该第二侧38延伸的非导电线，并且其与引脚相交并相互垂直。优选地，与内侧32相比，非导电区40相对靠近外侧34，并且非导电区40与外侧34的距离大于分割误差。如此，各引脚39可有更长的长度与FPC连接。应当理解，非导电区40不限于线，其也可以具有较大的宽度，比如长方形；另外，非导电区40也可以是自第一侧36向该第二侧38延伸的与各引脚39相交的斜向，即不相互垂直，如图6所示；或者，非导电区40也可以是自第一侧36向该第二侧38延伸的曲线，而不限于直线，如图7所示。
[0027]步骤S50:沿引线区22的外侧34分割导电层14及基材12。如此，便可形成多块具有触摸感测功能的独立的触摸屏10。分割过程中，若分割位置位于外侧34远离感测区20 一侧，各引脚39间由于非导电区40的设置而不会出现短路的现象；若分割位置偏向靠近感测区20 —侧，由于非导电区40与外侧34的距离大于分割误差，因此，偏移后的分割位置不会位于非导电区40靠近感测区20的一侧。如此。即使分割后基材发生变形而发生【背景技术】所述的情况，各引脚39间由于非导电区40的设置而不会出现短路的现象。因此，本发明通过非导电区40的设置解决了【背景技术】所描述的问题，提高了制成良率。
[0028]以上所述仅为本发明的较佳实施方式而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种电容触摸屏，包括一基材及设置于该基材的一导电层，该导电层包括位于中间的感测区及位于边缘的引线区；该引线区包括靠近该感测区的内侧、远离该感测区的外侧以及连接该内侧及外侧的相对设置的第一侧及第二侧，该引线区还包括自该内侧向该外侧延伸的引脚；其特征在于，该引线区还包括位于该内侧及外侧之间的自该第一侧向该第二侧延伸的非导电区，该非导电区与各引脚相交。2.如权利要求1所述的电容触摸屏，其特征在于，该导电层为包括具有纳米维度的金属的薄膜、碳纳米管薄膜、石墨烯薄膜、有机导电高分子薄膜、ITO薄膜之一或其任意组合。3.如权利要求1所述的电容触摸屏，其特征在于，该导电层包括纳米银丝薄膜。4.如权利要求1所述的电容触摸屏，其特征在于，还包括一个位于该基材背对该导电层一侧的保护层。5.如权利要求1所述的电容触摸屏，其特征在于，该非导电区为自该第一侧向该第二侧延伸的非导电线。6.如权利要求5所述的电容触摸屏，其特征在于，该非导电线为自该第6—侧向该第二侧延伸的直线。7.如权利要求6所述的电容触摸屏，其特征在于，该非导电线与各引脚垂直。8.如权利要求5所述的电容触摸屏，其特征在于，该非导电线为自该第一侧向该第二侧延伸的曲线。9.一种电容触摸屏的制作方法，包括: 提供基材； 在该基材上设置导电层； 形成位于该导电层中间的感测区及位于该导电层边缘的引线区；其中，该引线区包括靠近该感测区的内侧、远离该感测区的外侧以及连接该内侧及外侧的相对设置的第一侧及第二侧，该引线区还包括自该内侧向该外侧延伸的引脚； 在该引线区的内侧及外侧之间形成自该第一侧向该第二侧延伸的非导电区，该非导电区与各引脚相交；及 沿该引线区的外侧分割该导电层及该基材。10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，该在该基材上设置导电层的步骤包括在该基材上涂布、丝印或喷射形成的包括纳米维度的金属的薄膜、碳纳米管薄膜、石墨烯薄膜、有机导电高分子薄膜、ITO薄膜之一或其任意组合。11.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，该在该基材上设置导电层的步骤包括在该基材上涂布形成纳米银丝薄膜。12.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在提供基材的步骤之后还包括:在该基材背对该导电层的一侧设置保护层。13.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在该形成位于该导电层中间的感测区及位于该导电层边缘的引线区的步骤中，该感测区及引线区通过镭射工艺形成。14.如权利要求13所述的制作方法，其特征在于，在该引线区的内侧及外侧之间形成自该第一侧向该第二侧延伸的非导电区的步骤中，该非导电区为通过镭射工艺形成的非导电线。15.如权利要求14所述的制作方法，其特征在于，该非导电线为自该第一侧向该第二侧延伸的直线。16.如权利要求15所述的制作方法，其特征在于，该非导电线与各引脚垂直。17.如权利要求16所述的制作方法，其特征在于，该非导电线为自该第一侧向该第二侧延伸的曲线。
【专利摘要】本发明涉及一种电容触摸屏，包括一基材及设置于该基材的一导电层，该导电层包括位于中间的感测区及位于边缘的引线区。该引线区包括靠近该感测区的内侧、远离该感测区的外侧以及连接该内侧及外侧的相对设置的第一侧及第二侧，该引线区还包括自该内侧向该外侧延伸的引脚。该引线区还包括位于该内侧及外侧之间的自该第一侧向该第二侧延伸的非导电区，该非导电区与各引脚相交。在本发明的技术方案下，分割过程中，即使分割位置发生偏移，各引脚也由于非导电区的设置而无法发生短路，解决了【背景技术】所描述的问题，提高了制成良率。
【IPC分类】G06F3/044
【公开号】CN105493014
【申请号】CN201580000929
【发明人】刘自鸿, 余晓军, 魏鹏, 邹翔, 周瑜, 陈鑫
【申请人】深圳市柔宇科技有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年2月6日
【技术领域】
[0001]本发明涉及触摸屏，尤其涉及电容触摸屏及其制造方法。
【背景技术】
[0002]目前主流的触摸屏主要包括保护盖板、玻璃或薄膜基板以及附设在基板表面的用于感测触摸及连接外部的功能层，具体包括在基板表面中部形成的感测区及在基板边缘形成的具有多个引脚的引线区，用于连接柔性电路板(Flexible Printed Circuit，FPC)。现有主流的制作工艺是，在基板上通过黄光光刻或丝网印刷的方式形成多个上述功能层，然后进行分割以得到多片触摸屏。在上述工艺下，除了感测区中的图案及引线区中的引脚外，在基板上的其它地方都是被去除或没有印刷上导电材料的，即是说引线区之间有间隙，分割时不易造成短路。
[0003]相比上述主流工艺，镭射工艺具有制程简单及化学污染少的优点，因此应用也日益广泛。镭射工艺过程中，基板上先设置一导电层，再使激光在所需图案及引脚周围进行照射，从而形成上述感测区及引线区。在镭射工艺下，导电层不需要的部分不会被全部去除，引线区远离感测区一端通过切割的方式形成。切割时，需准确按照引脚的末端进行切割。然而，实际生产中，很难做到完全准确。若分割位置位于该引脚的末端偏向远离感测区一侧，引脚间会因未去除的导电部分而出现短路；若偏向靠近感测区一侧，由于分割后基板边缘会发生变形，尤其是薄膜基板，当相邻引脚的间距比较小的时候，相邻引脚容易由于基板的变形而出现短路。因此，任何一种情况都会降低制成良率。
【发明内容】
[0004]本发明的实施方式提供了一种可解决上述技术问题的电容触摸屏及其制作方法。
[0005]—种电容触摸屏，包括一基材及设置于该基材的一导电层，该导电层包括位于中间的感测区及位于边缘的引线区。该引线区包括靠近该感测区的内侧、远离该感测区的外侧以及连接该内侧及外侧的相对设置的第一侧及第二侧，该引线区还包括自该内侧向该外侧延伸的引脚。该引线区还包括位于该内侧及外侧之间的自该第一侧向该第二侧延伸的非导电区，该非导电区与各引脚相交。
[0006]—种电容触摸屏的制作方法，包括提供基材；在该基材上设置导电层；形成位于该导电层中间的感测区及位于该导电层边缘的引线区；其中，该引线区包括靠近该感测区的内侧、远离该感测区的外侧以及连接该内侧及外侧的相对设置的第一侧及第二侧，该引线区还包括自该内侧向该外侧延伸的引脚；在该引线区的内侧及外侧之间形成自该第一侧向该第二侧延伸的非导电区，该非导电区与各引脚相交；及沿该引线区的外侧分割该导电层及该基材。
[0007]在本发明的技术方案下，分割过程中，即使分割位置发生偏移，各引脚也由于非导电区的设置而无法发生短路，解决了【背景技术】所描述的问题，提高了制成良率。
【附图说明】
[0008]下列附图用于结合【具体实施方式】详细说明本发明的各个实施方式。应当理解，附图中示意出的各元件并不代表实际的大小及比例关系，仅是为了清楚说明而示意出来的示意图，不应理解成对本发明的限制。
[0009]图1是本发明第一实施方式提供的电容触摸屏的制作方法的流程图。
[0010]图2是根据图1的制作方法，激光照射在设置于基材上的导电层时的侧面示意图。
[0011]图3是根据图1的方法制作的电容触摸屏的平面视图。
[0012]图4是图1的纳米银丝薄膜的部分区域中被照射部分跟不被照射部分的微观示意图。
[0013]图5是根据本发明的第一实施方式，图3电容触摸屏上的部分感测区及引线区的放大示意图。
[0014]图6是本发明第二实施方式提供的电容触摸屏上的部分感测区及引线区的放大示意图。
[0015]图7是本发明第三实施方式提供的电容触摸屏上的部分感测区及引线区的放大示意图。
【具体实施方式】
[0016]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合多个实施方式及附图，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的【具体实施方式】仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0017]本发明提供了一种电容触摸屏及其制造方法，在下述实施方式中，将先对电容触摸屏的制造方法进行描述，然而，在描述过程中，也需提及到电容触摸屏的结构以更好地说明其制造方法，因此，本说明书中将不再单独地对电容触摸屏的结构进行与其制造方法分离的说明，本领域技术人员根据对制作方法的描述可清楚得知电容触摸屏的结构。
[0018]请结合图1至图3，其是本发明的实施方式提供的电容触摸屏的制作方法的流程图，包括以下步骤:
[0019]步骤S10:提供基材12。基材12可由透明材料制成，比如玻璃或聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate，PET)，以利于制作具有触摸功能的显示屏幕模组或其它需透明特性的应用场景。当需电容触摸屏10具有柔性时，可选PET制作基材12，PET具有透光性及柔韧性好，易于制造等优点。在本实施方式中，由PET制成的基材12的厚度可以约为0.01至0.5毫米(mm)，优选可以为0.015至0.2mm,更优选可以为0.1mm,这个厚度内的基材具有较好的柔韧性。当然，在其它无需透明特性的情况下，基材12的厚度也可以是其他选择，也可由非透明的材料，比如金属制成。
[0020]步骤S20:在基材12上设置导电层14。导电层14可以是透明导电的具有纳米维度的金属薄膜，包括纳米维度的单一金属、合金、金属化合物或其以上任意组合形成的薄膜，例如包括纳米金属丝的薄膜、包括纳米金属颗粒的薄膜、包括纳米金属网格的薄膜，当然也可以是石墨烯薄膜、碳纳米管薄膜、有机导电高分子聚合物薄膜、铟锡金属氧化物(IndiumTin Oxides, ITO)薄膜或者以上任意组合。在本实施方式中，导电层14为透明导电的纳米银丝薄膜，其是包括一层具有纳米银丝的聚合物基体的薄膜，纳米银丝在薄膜中无序均匀分布，以使薄膜具有透明及导电的特征。纳米银丝薄膜可通过涂布、丝印或喷射的方式形成于基材12上。基材12及设置在其一表面上的纳米银丝薄膜14构成了电容触摸屏10基本要素。优选地，电容触摸屏10还包括位于基材12背对导电层14 一侧的保护层16，保护层16可由耐刮材料，比如聚碳酸脂材料等通过涂布方式固定至基材12。
[0021]步骤S30:形成位于导电层14中间的感测区20及位于导电层14边缘的引线区22。在本实施方式中，感测区20及引线区22通过镭射工艺形成。具体地，调整激光11的参数，可使得激光11以不去除的方式将纳米银丝薄膜的透明导电的特性变成透明且不导电。所述激光参数包括了脉冲宽度，脉冲通量，脉冲能量，光斑尺寸，脉冲重复率等。在选择适当的上述各个参数的情况下，激光11照射纳米银丝薄膜后，被照射部分中的纳米银丝将从导电变为不导电，同时，被照射部分的透明度几乎不发生改变，而且，纳米银丝薄膜被照射部分几乎不会有任何被剥离的情况发生。
[0022]由于上述工艺是现有技术，在此不做赘述。必须之处的是导电跟不导电的界定是相对于印刷电子器件、触摸感测或光电原件领域来讲的。比如，对于方阻约在30至250Ω/sq可认为是导电的，而方阻约在20MQ/Sq可认为 是不导电的。然而应当理解，在不同的领域中，导电与非导电可能有不同的界定，需根据具体的应用场景设定上述激光参数。
[0023]请结合图4，其放大地示意出导电层14部分被激光照射部分24及其两侧的未被激光照射的部分。如图4所示，放200倍大后看，才能看出被激光照射部分24的透明特性与导电部分有些许变化，因此，仅凭肉眼而不借助任何放大工具，无法分辨出被激光照射部分24与未被激光照射的部分，这在实际产品中以得到验证，即是说，被激光11照射后的被激光照射部分24同样是透明的。
[0024]请再结合图5，其是图3电容触摸屏上的部分感测区20及引线区22的放大示意图。感测区20具有用于感测触摸的图案26，以及从图案26引出的行线28及列线29，其中，行线28及列线29均设置在感测区20的一侧。引线区22包括靠近感测区20的内侧32、远离感测区20的外侧34以及连接内侧32及外侧34的相对设置的第一侧36及第二侧38。引线区22内具有多个由激光照射线形成的引脚39，各引脚39连接至对应的行线28及列线
29。引脚39自内侧32向外侧34延伸，并且在本实施方式中沿直线延伸。
[0025]生产过程中，激光自外侧34向内侧32先从引线区22开始照射导电层，并直接进入感测区22，以使得引脚39及与其对应的行线28或列线29 —次生成。如此，制作整个电容触摸屏的过程中便无需通过两次工艺分别制作完成触摸屏的引线区及感测区，仅需一次激光制程，提高了生产效率。
[0026]步骤S40:在引线区22的内侧32及外侧34之间形成自第一侧36向该第二侧38延伸的非导电区40。在本实施方式中，非导电区40即是纳米银丝薄膜被激光11以不去除的方式照射后变成透明且不导电的部分。部分非导电区40如图5所示，非导电区40为自第一侧36向该第二侧38延伸的非导电线，并且其与引脚相交并相互垂直。优选地，与内侧32相比，非导电区40相对靠近外侧34，并且非导电区40与外侧34的距离大于分割误差。如此，各引脚39可有更长的长度与FPC连接。应当理解，非导电区40不限于线，其也可以具有较大的宽度，比如长方形；另外，非导电区40也可以是自第一侧36向该第二侧38延伸的与各引脚39相交的斜向，即不相互垂直，如图6所示；或者，非导电区40也可以是自第一侧36向该第二侧38延伸的曲线，而不限于直线，如图7所示。
[0027]步骤S50:沿引线区22的外侧34分割导电层14及基材12。如此，便可形成多块具有触摸感测功能的独立的触摸屏10。分割过程中，若分割位置位于外侧34远离感测区20 一侧，各引脚39间由于非导电区40的设置而不会出现短路的现象；若分割位置偏向靠近感测区20 —侧，由于非导电区40与外侧34的距离大于分割误差，因此，偏移后的分割位置不会位于非导电区40靠近感测区20的一侧。如此。即使分割后基材发生变形而发生【背景技术】所述的情况，各引脚39间由于非导电区40的设置而不会出现短路的现象。因此，本发明通过非导电区40的设置解决了【背景技术】所描述的问题，提高了制成良率。
[0028]以上所述仅为本发明的较佳实施方式而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种电容触摸屏，包括一基材及设置于该基材的一导电层，该导电层包括位于中间的感测区及位于边缘的引线区；该引线区包括靠近该感测区的内侧、远离该感测区的外侧以及连接该内侧及外侧的相对设置的第一侧及第二侧，该引线区还包括自该内侧向该外侧延伸的引脚；其特征在于，该引线区还包括位于该内侧及外侧之间的自该第一侧向该第二侧延伸的非导电区，该非导电区与各引脚相交。2.如权利要求1所述的电容触摸屏，其特征在于，该导电层为包括具有纳米维度的金属的薄膜、碳纳米管薄膜、石墨烯薄膜、有机导电高分子薄膜、ITO薄膜之一或其任意组合。3.如权利要求1所述的电容触摸屏，其特征在于，该导电层包括纳米银丝薄膜。4.如权利要求1所述的电容触摸屏，其特征在于，还包括一个位于该基材背对该导电层一侧的保护层。5.如权利要求1所述的电容触摸屏，其特征在于，该非导电区为自该第一侧向该第二侧延伸的非导电线。6.如权利要求5所述的电容触摸屏，其特征在于，该非导电线为自该第6—侧向该第二侧延伸的直线。7.如权利要求6所述的电容触摸屏，其特征在于，该非导电线与各引脚垂直。8.如权利要求5所述的电容触摸屏，其特征在于，该非导电线为自该第一侧向该第二侧延伸的曲线。9.一种电容触摸屏的制作方法，包括: 提供基材； 在该基材上设置导电层； 形成位于该导电层中间的感测区及位于该导电层边缘的引线区；其中，该引线区包括靠近该感测区的内侧、远离该感测区的外侧以及连接该内侧及外侧的相对设置的第一侧及第二侧，该引线区还包括自该内侧向该外侧延伸的引脚； 在该引线区的内侧及外侧之间形成自该第一侧向该第二侧延伸的非导电区，该非导电区与各引脚相交；及 沿该引线区的外侧分割该导电层及该基材。10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，该在该基材上设置导电层的步骤包括在该基材上涂布、丝印或喷射形成的包括纳米维度的金属的薄膜、碳纳米管薄膜、石墨烯薄膜、有机导电高分子薄膜、ITO薄膜之一或其任意组合。11.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，该在该基材上设置导电层的步骤包括在该基材上涂布形成纳米银丝薄膜。12.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在提供基材的步骤之后还包括:在该基材背对该导电层的一侧设置保护层。13.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在该形成位于该导电层中间的感测区及位于该导电层边缘的引线区的步骤中，该感测区及引线区通过镭射工艺形成。14.如权利要求13所述的制作方法，其特征在于，在该引线区的内侧及外侧之间形成自该第一侧向该第二侧延伸的非导电区的步骤中，该非导电区为通过镭射工艺形成的非导电线。15.如权利要求14所述的制作方法，其特征在于，该非导电线为自该第一侧向该第二侧延伸的直线。16.如权利要求15所述的制作方法，其特征在于，该非导电线与各引脚垂直。17.如权利要求16所述的制作方法，其特征在于，该非导电线为自该第一侧向该第二侧延伸的曲线。
【专利摘要】本发明涉及一种电容触摸屏，包括一基材及设置于该基材的一导电层，该导电层包括位于中间的感测区及位于边缘的引线区。该引线区包括靠近该感测区的内侧、远离该感测区的外侧以及连接该内侧及外侧的相对设置的第一侧及第二侧，该引线区还包括自该内侧向该外侧延伸的引脚。该引线区还包括位于该内侧及外侧之间的自该第一侧向该第二侧延伸的非导电区，该非导电区与各引脚相交。在本发明的技术方案下，分割过程中，即使分割位置发生偏移，各引脚也由于非导电区的设置而无法发生短路，解决了【背景技术】所描述的问题，提高了制成良率。
【IPC分类】G06F3/044
【公开号】CN105493014
【申请号】CN201580000929
【发明人】刘自鸿, 余晓军, 魏鹏, 邹翔, 周瑜, 陈鑫
【申请人】深圳市柔宇科技有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年2月6日
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