发光二极管的驱动电路及其发光装置的制造方法
发光二极管的驱动电路及其发光装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明是有关于一种驱动装置，且特别是有关于一种发光二极管的驱动电路及其发光装置。
【背景技术】
[0002]由于发光二极管(light emitting d1de，简称LED)结构具有低功率消耗、环保、使用寿命长及反应速率快等优势，因此已被广泛地应用在照明领域及显示领域中。伴随着半导体材料和化学工艺学的发展，发光二极管由原本的直流(Direct Current，简称DC)电源驱动，转而可透过交流(Alternating Current，简称AC)电源驱动。由于交流电源的电压电平变动较大，以致于可能具有较高的峰值电压，因此如何防止发光二极管因高压而烧毁是一个设计的重点。
【发明内容】
[0003]本发明提供一种发光二极管的驱动电路及其发光装置，可避免过高的驱动电压VDR烧毁发光二极管。
[0004]本发明的发光二极管的驱动电路，用以驱动至少一发光二极管，且包括一整流电路、一第一电阻、一第一开关及一第一控制单元。整流电路接收一交流电源以提供一驱动电压至发光二极管。第一电阻的一端親接发光二极管。第一开关具有一第一端、一第二端及一控制端，其中第一开关的第一端耦接第一电阻的另一端，第一开关的第二端耦接一接地电压。第一控制单元耦接第一开关的控制端，以依据驱动电压的一电压电平是否高于一第一临界电压导通第一开关或关闭第一开关。
[0005]本发明的发光装置，包括至少一发光二极管及上述的发光二极管的驱动电路。
[0006]在本发明的一实施例中，当驱动电压的电压电平大于等于第一临界电压时，第一控制单元关闭第一开关，当驱动电压的电压电平小于第一临界电压时，导通第一开关。
[0007]在本发明的一实施例中，发光二极管的驱动电路还包括一第二电阻、一第二开关及一第二控制单元。第二电阻的一端耦接发光二极管。第二开关具有一第一端、一第二端及一控制端，其中第二开关的第一端耦接第二电阻的另一端，第二开关的第二端耦接接地电压。第二控制单元耦接第二开关的控制端，以依据驱动电压的电压电平是否高于一第二临界电压导通第二开关或关闭第二开关。
[0008]在本发明的一实施例中，当驱动电压的电压电平大于等于第二临界电压时，第二控制单元关闭第二开关，当驱动电压的电压电平小于第二临界电压时，导通第二开关。
[0009]在本发明的一实施例中，发光二极管的驱动电路还包括一电压反馈单元，以依据驱动电压的电压电平提供一反馈参考电压至第一控制单元及第二控制单元，第一控制单元依据反馈参考电压判断驱动电压的电压电平是否高于第一临界电压，第二控制单元依据反馈参考电压以判断驱动电压的电压电平是否高于第二临界电压。
[0010]在本发明的一实施例中，电压反馈单元接收驱动电压以提供反馈参考电压。
[0011]在本发明的一实施例中，电压反馈单元包括一第一二极管及一第一电容。第一二极管的阳极接收驱动电压，其阴极提供反馈参考电压。第一电容耦接于第一二极管的阴极与接地电压之间。
[0012]在本发明的一实施例中，电压反馈单元接收第一电阻所提供的一反馈电压，以提供反馈参考电压。
[0013]在本发明的一实施例中，电压反馈单元包括第二二极管及第二电容。第二二极管的阳极接收反馈电压，其阴极提供反馈参考电压。第二电容耦接于二极管的阴极与接地电压之间。
[0014]在本发明的一实施例中，发光二极管的驱动电路还包括一电压稳压单元，耦接于电压反馈单元及反馈电压之间，用以滤除反馈电压的噪声。
[0015]在本发明的一实施例中，电压稳压单元包括第三电阻、第三电容及第二二极管。第三电阻耦接于驱动电压与电压反馈单元之间。第三电容并联耦接于三电阻。第二二极管的阳极耦接第三电阻及电压反馈单元，其阴极耦接反馈电压。
[0016]在本发明的一实施例中，第一控制单元及第二控制单元分别包括一晶体管一电压判断单元、一第一分压电阻、一第二分压电阻、一端点电阻及一电压限制元件。晶体管具有一第一端、一第二端及一控制端，其中晶体管的第一端耦接第一开关的控制端或第二开关的控制端，晶体管的第二端耦接接地电压。电压判断单元接收反馈参考电压，以依据反馈参考电压判断驱动电压是否大于等于第一临界电压或第二临界电压，并且对应地呈现导通或关闭。第一分压电阻耦接于电压判断单元与晶体管的控制端之间。第二分压电阻耦接于晶体管的控制端与接地电压之间。端点电阻耦接于晶体管的第一端与反馈参考电压之间。电压限制元件耦接于晶体管的第一端与接地电压之间。
[0017]在本发明的一实施例中，电压判断单元包括至少一齐纳(Zenner) 二极管。
[0018]在本发明的一实施例中，驱动电压的电压电平随着时间变动。
[0019]基于上述，本发明实施例的发光二极管的驱动电路及其发光装置，其串接第一电阻与第一开关，并且依据驱动电压决定导通第一开关与否。借此，可避免过高的驱动电压烧毁发光二极管。
[0020]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
【附图说明】
[0021]图1A为本发明第一实施例的发光装置的系统示意图；
[0022]图1B为本发明第一实施例的发光装置的功率曲线示意图；
[0023]图1C为本发明第二实施例的发光装置的系统示意图；
[0024]图1D为本发明第三实施例的发光装置的系统示意图；
[0025]图1E为本发明第四实施例的发光装置的系统示意图；
[0026]图2A为本发明第五实施例的发光装置的系统示意图；
[0027]图2B为本发明第五实施例的发光装置的功率曲线示意图；
[0028]图2C为本发明第六实施例的发光装置的系统示意图；
[0029]图2D为本发明第七实施例的发光装置的系统示意图；
[0030]图2E为本发明第八实施例的发光装置的系统示意图。
[0031]附图标记说明:
[0032]100、100a ?100c、200、200a ?200c:发光装置；
[0033]IlOUlOa ?110c、210、210a ?210c:驱动电路；
[0034]111:整流电路；
[0035]113、113a、113b、113c:第一控制单元；
[0036]115、115a:第一开关；
[0037]117、117a、117b:电压反馈单元；
[0038]119、217:电压判断单元；
[0039]211、211a:第二控制单元；
[0040]213、213a:第二开关；
[0041]215、215a:电压稳压单兀；
[0042]C1、C2:电容；
[0043]D1、D2: 二极管；
[0044]DZl?DZ5:齐纳二极管；
[0045]LD_1 ?LD_n:发光二极管；
[0046]M1、M2:M0S 晶体管；
[0047]Rl:第一电阻；
[0048]R2:第二电阻；
[0049]R3:第三电阻；
[0050]RD1、RD3:第一分压电阻；
[0051]RD2、RD4:第二分压电阻；
[0052]RT1、RT2:端点电阻；
[0053]S1、S21 ?S23:曲线;
[0054]T1、T2:接面晶体管；
[0055]VAC:交流电源；
[0056]VDR:驱动电压；
[0057]VFB、VFBa:反馈电压；
[0058]VRF:反馈参考电压；
[0059]VTHUVTH11:第一临界电压；
[0060]VTHl2:第二临界电压。
【具体实施方式】
[0061]图1A为本发明第一实施例的发光装置的系统示意图。请参照图1Α，在本实施例中，发光装置100包括发光二极管LD_1?LD_n及驱动发光二极管的驱动电路110，其中η为大于等于I的正整数，并且驱动电路110至少包括整流电路111、第一电阻R1、第一控制单元113、及第一开关115。
[0062]整流电路111接收交流电源VAC以提供驱动电压VDR至发光二极管LD_1?LD_n，其中整流电路111可以是全波整流电路或半波整流电路，并且驱动电压VDR的电压电平是随着时间变动，亦即驱动电压VDR不是具有固定电平的直流电压。
[0063]第一电阻Rl的一端親接发光二极管LD_n的阴极，第一电阻Rl的另一端親接第一开关115。第一开关115的第一 端親接第一电阻Rl的另一端，第一开关115的第二端親接接地电压。第一控制单元113耦接第一开关115的控制端，并且接收驱动电压VDR。当驱动电压VDR的电压电平大于等于第一临界电压时，第一控制单元113关闭第一开关115，以使电流无法流经发光二极管LD_1?LD_n ;当驱动电压VDR的电压电平小于第一临界电压时，第一控制单元113导通第一开关115，以使电流会流经发光二极管LD_1?LD_n。借此，可避免过高的驱动电压VDR烧毁发光二极管LD_1?LD_n。
[0064]图1B为本发明第一实施例的发光装置的功率曲线示意图。请参照图1A及图1B，其中曲线SI示出为电阻Rl对应的功率值与驱动电压VDR的峰值电压的对应关系，其中功率值可以视为是电流值的对映。在本实施例中，当驱动电压VDR的峰值越高，驱动电压VDR整体的功率值会越高。当驱动电压VDR的峰值高于第一临界电压VTHl时，部分的驱动电压VDR会因为第一开关115的关闭而被截断，以致于驱动电压VDR的整体功率值会下降，并且当驱动电压VDR峰值越高时，被驱动电压VDR被截断的部分会越多，以致于驱动电压VDR的整体功率值会下降的更多。
[0065]图1C为本发明第二实施例的发光装置的系统示意图。请参照图1A及图1C，其中相同或相似元件使用相同或相似标号，并且发光装置10a大致相同于发光装置100，其不同之处在于驱动电路IlOa的第一控制单元113a。在本实施例中，第一控制单元113a接收第一电阻Rl所提供的反馈电压VFB。由于反馈电压VFB与驱动电压VDR之间会具有固定压差(即发光二极管LD_1?LD_n所产生的压降)，亦即反馈电压VFB的电压电平变动也代表着驱动电压VDR的电压电平变动，因此第一控制单元113a可借此判断驱动电压VDR的电压电平是否高于第一临界电压，进而依据判断结果导通第一开关115或关闭第一开关115。
[0066]图1D为本发明第三实施例的发光装置的系统示意图。请参照图1A及图1D，其中相同或相似元件使用相同或相似标号，并且发光装置10b大致相同于发光装置100，其不同之处在于驱动电路IlOb还包括的电压反馈单元117。在本实施例中，电压反馈单元117接收驱动电压VDR，以依据驱动电压VDR的电压电平提供反馈参考电压VRF至第一控制单元113b，而第一控制单元113b会依据反馈参考电压VRF判断驱动电压VDR的电压电平是否高于第一临界电压，进而依据判断结果导通第一开关115或关闭第一开关115。
[0067]图1E为本发明第四实施例的发光装置的系统示意图。请参照图1D及图1E，其中相同或相似元件使用相同或相似标号，并且发光装置10c大致相同于发光装置100b，其不同之处在于驱动电路IlOc的电压反馈单元117a。在本实施例中，电压反馈单元117a接收第一电阻Rl所提供的反馈电压VFB，以判断驱动电压VDR的电压电平变动，进而提供反馈参考电压VRF。由于反馈电压VFB与驱动电压VDR之间会具有固定压差(即发光二极管LD_1?LD_n所产生的压降)，亦即反馈电压VFB的电压电平变动也代表着驱动电压VDR的电压电平变动，因此电压反馈单元117a所提供的反馈电压VFB也会反应驱动电压VDR的电压电平变动。据此，第一控制单元113a可通过反馈参考电压VRF判断驱动电压VDR的电压电平是否高于第一临界电压，进而依据判断结果导通第一开关115或关闭第一开关115。
[0068]图2A为本发明第五实施例的发光装置的系统示意图。请参照图1D及图2A，其中相同或相似元件使用相同或相似标号，并且发光装置200与发光装置10b不同之处在于驱动电路210还包括第二电阻R2、第二控制单元211及第二开关213。第二电阻R2的一端耦接发光二极管LD_n的阴极，第二电阻R2的另一端耦接第二开关213。第二开关213的第一端耦接第二电阻R2的另一端，第二开关213的第二端耦接接地电压。第二控制单元213耦接第二开关213的控制端，并且耦接电压反馈单元117a以接收反馈参考电压VRF，其中第二控制单元213可通过反馈参考电压VRF判断驱动电压VDR的电压电平是否高于第二临界电压，进而依据判断结果导通第二开关213或关闭第二开关213。换言之，当驱动电压VDR的电压电平大于等于第二临界电压时，第二控制单元211关闭第二开关213 ;当驱动电压VDR的电压电平小于第二临界电压时，第二控制单元211导通第二开关213。
[0069]其中，第一控制单元113b的第一临界电压(如VTH1)会不同于第二控制单元211的第二临界电压，并且第一电阻Rl的阻抗值会不同于第二电阻R2的阻抗值。
[0070]图2B为本发明第五实施例的发光装置的功率曲线示意图。请参照图2A及图2B，其中曲线S21示出为电阻Rl对应的功率值与驱动电压VDR的峰值电压的对应关系，曲线S22示出为电阻R2对应的功率值与驱动电压VDR的峰值电压的对应关系，曲线S23示出为驱动电压VDR整体的功率值与驱动电压VDR的峰值电压的对应关系，其中功率值可以视为是电流值的对映。
[0071]在本实施例中，当驱动电压VDR的峰值越高，驱动电压VDR整体的功率值会越高。当驱动电压VDR的峰值高于第一临界电压VTHll时，部分的驱动电压VDR会因为第一开关115的关闭而无法提供至第一电阻R1，以致于电阻Rl对应的功率值会下降，并且当驱动电压VDR峰值越高时，被驱动电压VDR被截断的部分会越多，以致于电阻Rl对应的功率值会下降的更多。当驱动电压VDR的峰值高于第二临界电压VTH12时，部分的驱动电压VDR会因为第二开关213的关闭而无法提供至第二电阻R2，以致于电阻Rl对应的功率值会下降，并且当驱动电压VDR峰值越高时，被驱动电压VDR被截断的部分会越多，以致于电阻R2对应的功率值会下降的更多。
[0072]曲线S21及S22的结合如曲线S23所示，如曲线S23示，会在第一临界电压VTHll至第二临界电压VTH12之间的功率值会维持一固定值，亦即在第一临界电压VTHll至第二临界电压VTH12之间，驱动电路210可视为一定电流源，其中定电流源的电流值可透过调整第一电阻Rl及第二电阻R2来设定。
[0073]图2C为本发明第六实施例的发光装置的系统示意图。请参照图2A及图2C，其中相同或相似元件使用相同或相似标号，并且发光装置200a大致相同于发光装置200，其不同之处在于驱动电路210a的电压稳压单元215及电压反馈单元117a，其中电压反馈单元117a可参照图1E实施例所示。在本实施例中，电压稳压单元215耦接于电压反馈单元117a及反馈电压VFB之间，用以滤除反馈电压VFB的噪声后提供反馈电压VFBa至电压反馈单元117a0
[0074]图2D为本发明第七实施例的发光装置的系统示意图。请参照图2A及图2D，其中相同或相似元件使用相同或相似标号，并且图2D可视为图2A的电路示意图，亦即发光装置200c的驱动电路210b可视为驱动电路210的电路示意图。电压反馈单元117b包括二极管Dl及电容Cl。二极管Dl的阳极接收驱动电压VDR，二极管Dl的阴极提供反馈参考电压VRF。电容Cl耦接于二极管Dl的阴极与接地电压之间。第一开关115a包括MOS晶体管M1，其中晶体管Ml的漏极耦接第一电阻R1，晶体管Ml的源极耦接接地电压。
[0075]第一控制单元113c包括接面晶体管(BJT)TU电压判断单元119、第一分压电阻RD1、第二分压电阻RD2、端点电阻RTl及电压限制元件(如齐纳二极管DZ2)，其中电压判断单元119例如包括单个齐纳二极管DZl。
[0076]电压判断单元119接收反馈参考电压VRF，以依据反馈参考电压VRF判断驱动电压VDR是否大于等于第一临界电压，并且对应地呈现导通或关闭，亦即决定是否提供电压至第一分压电阻RDl。进一步来说，齐纳二极管DZl耦接于反馈参考电压VRF与第一分压电阻RDl之间。
[0077]第一分压电阻RDl耦接于电压判断单元119与接面晶体管Tl的基极之间。第二分压电阻RD2耦接于接面晶体管Tl的基极与接地电压之间。端点电阻RTl耦接于接面晶体管Tl的集极与反馈参考电压VRF之间。齐纳二极管DZ2耦接于接面晶体管Tl的集极与接地电压之间。接面晶体管Tl的集极耦接至晶体管Ml的栅极，接面晶体管Tl的射极耦接接地电压。
[0078]第二开关213a包括MOS晶体管M2，其中晶体管M2的漏极耦接第二电阻R2，晶体管M2的源极耦接接地电压。第二控制单元211a包括接面晶体管T2、电压判断单元217、第一分压电阻RD3、第二分压电阻RD4、端点电阻RT2及电压限制元件(如齐纳二极管DZ5)，其中电压判断单元217例如包括至少一个齐纳二极管DZ3 (及或加上DZ4)。
[0079]电压判断单元217接收反馈参考电压VRF，以依据反馈参考电压VRF判断驱动电压VDR是否大于等于第二临界电压，并且对应地呈现导通或关闭，亦即决定是否提供电压至第一分压电阻RD3。进一步来说，齐纳二极管DZ3(及或加上DZ4)串接于反馈参考电压VRF与第一分压电阻RD3之间。
[0080]第一分压电阻RD3耦接于电压判断单元217与接面晶体管T2的基极之间。第二分压电阻RD4耦接于接面晶体管T2的基极与接地电压之间。端点电阻RT2耦接于接面晶体管T2的集极与反馈参考电压VRF之间。齐纳二极管DZ5耦接于接面晶体管T2的集极与接地电压之间。接面晶体管T2的集极耦接至晶体管M2的栅极，接面晶体管T2的射极耦接接地电压。
[0081]依据上述，本发明实施例具有定电流源的效果，但不同于传统定电流源的是，本发明实施例未使用负电阻性的元件，因此可避免电路振荡所产生的噪声。
[0082]图2E为本发明第八实施例的发光装置的系统示意图。请参照图2B至图2E，其中相同或相似元件使用相同或相似标号，并且图2E可视为图2B的电路示意图，亦即发光装置200c的驱动电路210c可视为驱动电路210a的电路示意图。在本实施例中，驱动电路210c还包括电压稳压单元215a，其中电压稳压单元215a包括第三电阻R3、电容C2及二极管D2。
[0083]第三电阻R3耦接于驱动电压VDR与电压反馈单元117b之间。电容C2并联耦接于第三电阻R3。二极管D2的阳极耦接第三电阻R3及电压反馈单元117b，以提供过滤后的反馈电压VFBa，二极管D2的阴极耦接反馈电压VFB。
[0084]在上述图2A至图2E的实施例中，是以两路电流路径为例(亦即串接的第一电阻Rl与第一开关115、以及串接的第二电阻R2与第二开关213)，但在其他实施例中，还延伸为多路电流路径，以提供更宽的电压范围的定电流区域。
[0085]上述之开关单元(如第一开关115、第二开关213)是以N型金属-氧化物-半导体(N-Mental-Oxide-SemiconductorJI^lNMOS)为实施例，唯应用时可以(positivechannel Metal Oxide Semiconductor，简称 PMOS)或双极结型晶体管(Bipolar Junct1nTransistor，简称BJT)等元件取代之；控制单元之控制开关(如晶体管T1、T2)是以NPNBJT为实施例，唯应用时也可以PNPBJT或MOS等元件取代之。
[0086]综上所述，本发明实施例的发光二极管的驱动电路及其发光装置，其串接电阻与开关，并且依据驱动电压决定导通开关与否。借此，可避免过高的驱动电压烧毁发光二极管。并且，通过多组串接的电阻与开关，来模拟定电路源，并且可避免电路产生振荡。
[0087]最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
【主权项】
1.一种发光二极管的驱动电路，用以驱动至少一发光二极管，其特征在于，包括: 一整流电路，接收一交流电源以提供一驱动电压至该至少一发光二极管； 一第一电阻，该第一电阻的一端親接该至少一发光二极管； 一第一开关，具有一第一端、一第二端及一控制端，该第一开关的该第一端親接该第一电阻的另一端，该第一开关的该第二端耦接一接地电压；以及 一第一控制单元，耦接该第一开关的该控制端，以依据该驱动电压的一电压电平是否高于一第一临界电压导通该第一开关或关闭该第一开关。2.根据权利要求1所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，当该驱动电压的该电压电平大于等于该第一临界电压时，该第一控制单元关闭该第一开关，当该驱动电压的该电压电平小于该第一临界电压时，该第一控制单元导通该第一开关。3.根据权利要求1所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，还包括: 一第二电阻，该第二电阻的一端耦接该至少一发光二极管； 一第二开关，具有一第一端、一第二端及一控制端，该第二开关的该第一端耦接该第二电阻的另一端，该第二开关的该第二端耦接该接地电压；以及 一第二控制单元，耦接该第二开关的该控制端，以依据该驱动电压的该电压电平是否高于一第二临界电压导通该第二开关或关闭该第二开关。4.根据权利要求3所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，当该驱动电压的该电压电平大于等于该第二临界电压时，该第二控制单元关闭该第二开关，当该驱动电压的该电压电平小于该第二临界电压时，导通该第二开关。5.根据权利要求3所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，该第一临界电压不同于该第二临界电压。6.根据权利要求3所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，该第一电阻的阻抗值不同于该第二电阻的阻抗值。7.根据权利要求3所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，还包括一电压反馈单元，以依据该驱动电压的该电压电平提供一反馈参考电压至该第一控制单元及该第二控制单元，该第一控制单元依据该反馈参考电压判断该驱动电压的该电压电平是否高于该第一临界电压，该第二控制单元依据该反馈参考电压以判断该驱动电压的该电压电平是否高于该第二临界电压。8.根据权利要求7所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，该电压反馈单元接收该驱动电压以提供该反馈参考电压。9.根据权利要求8所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，该电压反馈单元包括: 一第一二极管，该第一二极管的阳极接收该驱动电压，该第一二极管的阴极提供该反馈参考电压；以及 一第一电容，耦接于该第一二极管的阴极与接地电压之间。10.根据权利要求7所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，该电压反馈单元接收该第一电阻所提供的一反馈电压，以提供该反馈参考电压。11.根据权利要求10所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，该电压反馈单元包括: 一第二二极管，该第二二极管的阳极接收该反馈电压，该第二二极管的阴极提供该反馈参考电压；以及 一第二电容，耦接于该第二二极管的阴极与接地电压之间。12.根据权利要求10所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，还包括一电压稳压单元，耦接于该电压反馈单元及该反馈电压之间，用以滤除该反馈电压的噪声。13.根据权利要求12所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，该电压稳压单元包括: 一第三电阻，耦接于该驱动电压与该电压反馈单元之间； 一第三电容，并联耦接于该第三电阻；以及 一第三二极管，该第三二极管的阳极耦接该第三电阻及该电压反馈单元，该第三二极管的阴极耦接该反馈电压。14.根据权利要求7所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，该第一控制单元及该第二控制单元分别包括: 一晶体管，具有一第一端、一第二端及一控制端，该晶体管的该第一端耦接该第一开关的该控制端或该第二开关的该控制端，该晶体管的该第二端耦接该接地电压； 一电压判断单元，接收该反馈参考电压，以依据该反馈参考电压判断该驱动电压是否大于等于该第一临界电压或该第二临界电压，并且对应地呈现导通或关闭； 一第一分压电阻，耦接于该电压判断单元与该晶体管的该控制端之间； 一第二分压电阻，耦接于该晶体管的该控制端与该接地电压之间； 一端点电阻，耦接于该晶体管的该第一端与该反馈参考电压之间；以及 一电压限制元件，耦接于该晶体管的该第一端与该接地电压之间。15.根据权利要求14所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，该电压判断单元包括至少一齐纳二极管。16.根据权利要求1所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，该驱动电压的该电压电平随着时间变动。17.一种发光装置，其特征在于，包括: 至少一发光二极管；以及 一如权利要求1所述的发光二极管的驱动电路，用以驱动该至少一发光二极管。
【专利摘要】本发明提供一种发光二极管的驱动电路及其发光装置。驱动电路包括一整流电路、一第一电阻、一第一开关及一第一控制单元。整流电路接收一交流电源以提供一驱动电压至发光二极管。第一电阻的一端耦接发光二极管。第一开关具有一第一端、一第二端及一控制端，其中第一开关的第一端耦接第一电阻的另一端，第一开关的第二端耦接一接地电压。第一控制单元耦接第一开关的控制端，以依据驱动电压的一电压电平是否高于一第一临界电压导通第一开关或关闭第一开关；可避免过高的驱动电压烧毁发光二极管。
【IPC分类】H05B37/02
【公开号】CN105517274
【申请号】CN201510605283
【发明人】陈国祚
【申请人】光明电子股份有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年9月22日
【技术领域】
[0001]本发明是有关于一种驱动装置，且特别是有关于一种发光二极管的驱动电路及其发光装置。
【背景技术】
[0002]由于发光二极管(light emitting d1de，简称LED)结构具有低功率消耗、环保、使用寿命长及反应速率快等优势，因此已被广泛地应用在照明领域及显示领域中。伴随着半导体材料和化学工艺学的发展，发光二极管由原本的直流(Direct Current，简称DC)电源驱动，转而可透过交流(Alternating Current，简称AC)电源驱动。由于交流电源的电压电平变动较大，以致于可能具有较高的峰值电压，因此如何防止发光二极管因高压而烧毁是一个设计的重点。
【发明内容】
[0003]本发明提供一种发光二极管的驱动电路及其发光装置，可避免过高的驱动电压VDR烧毁发光二极管。
[0004]本发明的发光二极管的驱动电路，用以驱动至少一发光二极管，且包括一整流电路、一第一电阻、一第一开关及一第一控制单元。整流电路接收一交流电源以提供一驱动电压至发光二极管。第一电阻的一端親接发光二极管。第一开关具有一第一端、一第二端及一控制端，其中第一开关的第一端耦接第一电阻的另一端，第一开关的第二端耦接一接地电压。第一控制单元耦接第一开关的控制端，以依据驱动电压的一电压电平是否高于一第一临界电压导通第一开关或关闭第一开关。
[0005]本发明的发光装置，包括至少一发光二极管及上述的发光二极管的驱动电路。
[0006]在本发明的一实施例中，当驱动电压的电压电平大于等于第一临界电压时，第一控制单元关闭第一开关，当驱动电压的电压电平小于第一临界电压时，导通第一开关。
[0007]在本发明的一实施例中，发光二极管的驱动电路还包括一第二电阻、一第二开关及一第二控制单元。第二电阻的一端耦接发光二极管。第二开关具有一第一端、一第二端及一控制端，其中第二开关的第一端耦接第二电阻的另一端，第二开关的第二端耦接接地电压。第二控制单元耦接第二开关的控制端，以依据驱动电压的电压电平是否高于一第二临界电压导通第二开关或关闭第二开关。
[0008]在本发明的一实施例中，当驱动电压的电压电平大于等于第二临界电压时，第二控制单元关闭第二开关，当驱动电压的电压电平小于第二临界电压时，导通第二开关。
[0009]在本发明的一实施例中，发光二极管的驱动电路还包括一电压反馈单元，以依据驱动电压的电压电平提供一反馈参考电压至第一控制单元及第二控制单元，第一控制单元依据反馈参考电压判断驱动电压的电压电平是否高于第一临界电压，第二控制单元依据反馈参考电压以判断驱动电压的电压电平是否高于第二临界电压。
[0010]在本发明的一实施例中，电压反馈单元接收驱动电压以提供反馈参考电压。
[0011]在本发明的一实施例中，电压反馈单元包括一第一二极管及一第一电容。第一二极管的阳极接收驱动电压，其阴极提供反馈参考电压。第一电容耦接于第一二极管的阴极与接地电压之间。
[0012]在本发明的一实施例中，电压反馈单元接收第一电阻所提供的一反馈电压，以提供反馈参考电压。
[0013]在本发明的一实施例中，电压反馈单元包括第二二极管及第二电容。第二二极管的阳极接收反馈电压，其阴极提供反馈参考电压。第二电容耦接于二极管的阴极与接地电压之间。
[0014]在本发明的一实施例中，发光二极管的驱动电路还包括一电压稳压单元，耦接于电压反馈单元及反馈电压之间，用以滤除反馈电压的噪声。
[0015]在本发明的一实施例中，电压稳压单元包括第三电阻、第三电容及第二二极管。第三电阻耦接于驱动电压与电压反馈单元之间。第三电容并联耦接于三电阻。第二二极管的阳极耦接第三电阻及电压反馈单元，其阴极耦接反馈电压。
[0016]在本发明的一实施例中，第一控制单元及第二控制单元分别包括一晶体管一电压判断单元、一第一分压电阻、一第二分压电阻、一端点电阻及一电压限制元件。晶体管具有一第一端、一第二端及一控制端，其中晶体管的第一端耦接第一开关的控制端或第二开关的控制端，晶体管的第二端耦接接地电压。电压判断单元接收反馈参考电压，以依据反馈参考电压判断驱动电压是否大于等于第一临界电压或第二临界电压，并且对应地呈现导通或关闭。第一分压电阻耦接于电压判断单元与晶体管的控制端之间。第二分压电阻耦接于晶体管的控制端与接地电压之间。端点电阻耦接于晶体管的第一端与反馈参考电压之间。电压限制元件耦接于晶体管的第一端与接地电压之间。
[0017]在本发明的一实施例中，电压判断单元包括至少一齐纳(Zenner) 二极管。
[0018]在本发明的一实施例中，驱动电压的电压电平随着时间变动。
[0019]基于上述，本发明实施例的发光二极管的驱动电路及其发光装置，其串接第一电阻与第一开关，并且依据驱动电压决定导通第一开关与否。借此，可避免过高的驱动电压烧毁发光二极管。
[0020]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
【附图说明】
[0021]图1A为本发明第一实施例的发光装置的系统示意图；
[0022]图1B为本发明第一实施例的发光装置的功率曲线示意图；
[0023]图1C为本发明第二实施例的发光装置的系统示意图；
[0024]图1D为本发明第三实施例的发光装置的系统示意图；
[0025]图1E为本发明第四实施例的发光装置的系统示意图；
[0026]图2A为本发明第五实施例的发光装置的系统示意图；
[0027]图2B为本发明第五实施例的发光装置的功率曲线示意图；
[0028]图2C为本发明第六实施例的发光装置的系统示意图；
[0029]图2D为本发明第七实施例的发光装置的系统示意图；
[0030]图2E为本发明第八实施例的发光装置的系统示意图。
[0031]附图标记说明:
[0032]100、100a ?100c、200、200a ?200c:发光装置；
[0033]IlOUlOa ?110c、210、210a ?210c:驱动电路；
[0034]111:整流电路；
[0035]113、113a、113b、113c:第一控制单元；
[0036]115、115a:第一开关；
[0037]117、117a、117b:电压反馈单元；
[0038]119、217:电压判断单元；
[0039]211、211a:第二控制单元；
[0040]213、213a:第二开关；
[0041]215、215a:电压稳压单兀；
[0042]C1、C2:电容；
[0043]D1、D2: 二极管；
[0044]DZl?DZ5:齐纳二极管；
[0045]LD_1 ?LD_n:发光二极管；
[0046]M1、M2:M0S 晶体管；
[0047]Rl:第一电阻；
[0048]R2:第二电阻；
[0049]R3:第三电阻；
[0050]RD1、RD3:第一分压电阻；
[0051]RD2、RD4:第二分压电阻；
[0052]RT1、RT2:端点电阻；
[0053]S1、S21 ?S23:曲线;
[0054]T1、T2:接面晶体管；
[0055]VAC:交流电源；
[0056]VDR:驱动电压；
[0057]VFB、VFBa:反馈电压；
[0058]VRF:反馈参考电压；
[0059]VTHUVTH11:第一临界电压；
[0060]VTHl2:第二临界电压。
【具体实施方式】
[0061]图1A为本发明第一实施例的发光装置的系统示意图。请参照图1Α，在本实施例中，发光装置100包括发光二极管LD_1?LD_n及驱动发光二极管的驱动电路110，其中η为大于等于I的正整数，并且驱动电路110至少包括整流电路111、第一电阻R1、第一控制单元113、及第一开关115。
[0062]整流电路111接收交流电源VAC以提供驱动电压VDR至发光二极管LD_1?LD_n，其中整流电路111可以是全波整流电路或半波整流电路，并且驱动电压VDR的电压电平是随着时间变动，亦即驱动电压VDR不是具有固定电平的直流电压。
[0063]第一电阻Rl的一端親接发光二极管LD_n的阴极，第一电阻Rl的另一端親接第一开关115。第一开关115的第一 端親接第一电阻Rl的另一端，第一开关115的第二端親接接地电压。第一控制单元113耦接第一开关115的控制端，并且接收驱动电压VDR。当驱动电压VDR的电压电平大于等于第一临界电压时，第一控制单元113关闭第一开关115，以使电流无法流经发光二极管LD_1?LD_n ;当驱动电压VDR的电压电平小于第一临界电压时，第一控制单元113导通第一开关115，以使电流会流经发光二极管LD_1?LD_n。借此，可避免过高的驱动电压VDR烧毁发光二极管LD_1?LD_n。
[0064]图1B为本发明第一实施例的发光装置的功率曲线示意图。请参照图1A及图1B，其中曲线SI示出为电阻Rl对应的功率值与驱动电压VDR的峰值电压的对应关系，其中功率值可以视为是电流值的对映。在本实施例中，当驱动电压VDR的峰值越高，驱动电压VDR整体的功率值会越高。当驱动电压VDR的峰值高于第一临界电压VTHl时，部分的驱动电压VDR会因为第一开关115的关闭而被截断，以致于驱动电压VDR的整体功率值会下降，并且当驱动电压VDR峰值越高时，被驱动电压VDR被截断的部分会越多，以致于驱动电压VDR的整体功率值会下降的更多。
[0065]图1C为本发明第二实施例的发光装置的系统示意图。请参照图1A及图1C，其中相同或相似元件使用相同或相似标号，并且发光装置10a大致相同于发光装置100，其不同之处在于驱动电路IlOa的第一控制单元113a。在本实施例中，第一控制单元113a接收第一电阻Rl所提供的反馈电压VFB。由于反馈电压VFB与驱动电压VDR之间会具有固定压差(即发光二极管LD_1?LD_n所产生的压降)，亦即反馈电压VFB的电压电平变动也代表着驱动电压VDR的电压电平变动，因此第一控制单元113a可借此判断驱动电压VDR的电压电平是否高于第一临界电压，进而依据判断结果导通第一开关115或关闭第一开关115。
[0066]图1D为本发明第三实施例的发光装置的系统示意图。请参照图1A及图1D，其中相同或相似元件使用相同或相似标号，并且发光装置10b大致相同于发光装置100，其不同之处在于驱动电路IlOb还包括的电压反馈单元117。在本实施例中，电压反馈单元117接收驱动电压VDR，以依据驱动电压VDR的电压电平提供反馈参考电压VRF至第一控制单元113b，而第一控制单元113b会依据反馈参考电压VRF判断驱动电压VDR的电压电平是否高于第一临界电压，进而依据判断结果导通第一开关115或关闭第一开关115。
[0067]图1E为本发明第四实施例的发光装置的系统示意图。请参照图1D及图1E，其中相同或相似元件使用相同或相似标号，并且发光装置10c大致相同于发光装置100b，其不同之处在于驱动电路IlOc的电压反馈单元117a。在本实施例中，电压反馈单元117a接收第一电阻Rl所提供的反馈电压VFB，以判断驱动电压VDR的电压电平变动，进而提供反馈参考电压VRF。由于反馈电压VFB与驱动电压VDR之间会具有固定压差(即发光二极管LD_1?LD_n所产生的压降)，亦即反馈电压VFB的电压电平变动也代表着驱动电压VDR的电压电平变动，因此电压反馈单元117a所提供的反馈电压VFB也会反应驱动电压VDR的电压电平变动。据此，第一控制单元113a可通过反馈参考电压VRF判断驱动电压VDR的电压电平是否高于第一临界电压，进而依据判断结果导通第一开关115或关闭第一开关115。
[0068]图2A为本发明第五实施例的发光装置的系统示意图。请参照图1D及图2A，其中相同或相似元件使用相同或相似标号，并且发光装置200与发光装置10b不同之处在于驱动电路210还包括第二电阻R2、第二控制单元211及第二开关213。第二电阻R2的一端耦接发光二极管LD_n的阴极，第二电阻R2的另一端耦接第二开关213。第二开关213的第一端耦接第二电阻R2的另一端，第二开关213的第二端耦接接地电压。第二控制单元213耦接第二开关213的控制端，并且耦接电压反馈单元117a以接收反馈参考电压VRF，其中第二控制单元213可通过反馈参考电压VRF判断驱动电压VDR的电压电平是否高于第二临界电压，进而依据判断结果导通第二开关213或关闭第二开关213。换言之，当驱动电压VDR的电压电平大于等于第二临界电压时，第二控制单元211关闭第二开关213 ;当驱动电压VDR的电压电平小于第二临界电压时，第二控制单元211导通第二开关213。
[0069]其中，第一控制单元113b的第一临界电压(如VTH1)会不同于第二控制单元211的第二临界电压，并且第一电阻Rl的阻抗值会不同于第二电阻R2的阻抗值。
[0070]图2B为本发明第五实施例的发光装置的功率曲线示意图。请参照图2A及图2B，其中曲线S21示出为电阻Rl对应的功率值与驱动电压VDR的峰值电压的对应关系，曲线S22示出为电阻R2对应的功率值与驱动电压VDR的峰值电压的对应关系，曲线S23示出为驱动电压VDR整体的功率值与驱动电压VDR的峰值电压的对应关系，其中功率值可以视为是电流值的对映。
[0071]在本实施例中，当驱动电压VDR的峰值越高，驱动电压VDR整体的功率值会越高。当驱动电压VDR的峰值高于第一临界电压VTHll时，部分的驱动电压VDR会因为第一开关115的关闭而无法提供至第一电阻R1，以致于电阻Rl对应的功率值会下降，并且当驱动电压VDR峰值越高时，被驱动电压VDR被截断的部分会越多，以致于电阻Rl对应的功率值会下降的更多。当驱动电压VDR的峰值高于第二临界电压VTH12时，部分的驱动电压VDR会因为第二开关213的关闭而无法提供至第二电阻R2，以致于电阻Rl对应的功率值会下降，并且当驱动电压VDR峰值越高时，被驱动电压VDR被截断的部分会越多，以致于电阻R2对应的功率值会下降的更多。
[0072]曲线S21及S22的结合如曲线S23所示，如曲线S23示，会在第一临界电压VTHll至第二临界电压VTH12之间的功率值会维持一固定值，亦即在第一临界电压VTHll至第二临界电压VTH12之间，驱动电路210可视为一定电流源，其中定电流源的电流值可透过调整第一电阻Rl及第二电阻R2来设定。
[0073]图2C为本发明第六实施例的发光装置的系统示意图。请参照图2A及图2C，其中相同或相似元件使用相同或相似标号，并且发光装置200a大致相同于发光装置200，其不同之处在于驱动电路210a的电压稳压单元215及电压反馈单元117a，其中电压反馈单元117a可参照图1E实施例所示。在本实施例中，电压稳压单元215耦接于电压反馈单元117a及反馈电压VFB之间，用以滤除反馈电压VFB的噪声后提供反馈电压VFBa至电压反馈单元117a0
[0074]图2D为本发明第七实施例的发光装置的系统示意图。请参照图2A及图2D，其中相同或相似元件使用相同或相似标号，并且图2D可视为图2A的电路示意图，亦即发光装置200c的驱动电路210b可视为驱动电路210的电路示意图。电压反馈单元117b包括二极管Dl及电容Cl。二极管Dl的阳极接收驱动电压VDR，二极管Dl的阴极提供反馈参考电压VRF。电容Cl耦接于二极管Dl的阴极与接地电压之间。第一开关115a包括MOS晶体管M1，其中晶体管Ml的漏极耦接第一电阻R1，晶体管Ml的源极耦接接地电压。
[0075]第一控制单元113c包括接面晶体管(BJT)TU电压判断单元119、第一分压电阻RD1、第二分压电阻RD2、端点电阻RTl及电压限制元件(如齐纳二极管DZ2)，其中电压判断单元119例如包括单个齐纳二极管DZl。
[0076]电压判断单元119接收反馈参考电压VRF，以依据反馈参考电压VRF判断驱动电压VDR是否大于等于第一临界电压，并且对应地呈现导通或关闭，亦即决定是否提供电压至第一分压电阻RDl。进一步来说，齐纳二极管DZl耦接于反馈参考电压VRF与第一分压电阻RDl之间。
[0077]第一分压电阻RDl耦接于电压判断单元119与接面晶体管Tl的基极之间。第二分压电阻RD2耦接于接面晶体管Tl的基极与接地电压之间。端点电阻RTl耦接于接面晶体管Tl的集极与反馈参考电压VRF之间。齐纳二极管DZ2耦接于接面晶体管Tl的集极与接地电压之间。接面晶体管Tl的集极耦接至晶体管Ml的栅极，接面晶体管Tl的射极耦接接地电压。
[0078]第二开关213a包括MOS晶体管M2，其中晶体管M2的漏极耦接第二电阻R2，晶体管M2的源极耦接接地电压。第二控制单元211a包括接面晶体管T2、电压判断单元217、第一分压电阻RD3、第二分压电阻RD4、端点电阻RT2及电压限制元件(如齐纳二极管DZ5)，其中电压判断单元217例如包括至少一个齐纳二极管DZ3 (及或加上DZ4)。
[0079]电压判断单元217接收反馈参考电压VRF，以依据反馈参考电压VRF判断驱动电压VDR是否大于等于第二临界电压，并且对应地呈现导通或关闭，亦即决定是否提供电压至第一分压电阻RD3。进一步来说，齐纳二极管DZ3(及或加上DZ4)串接于反馈参考电压VRF与第一分压电阻RD3之间。
[0080]第一分压电阻RD3耦接于电压判断单元217与接面晶体管T2的基极之间。第二分压电阻RD4耦接于接面晶体管T2的基极与接地电压之间。端点电阻RT2耦接于接面晶体管T2的集极与反馈参考电压VRF之间。齐纳二极管DZ5耦接于接面晶体管T2的集极与接地电压之间。接面晶体管T2的集极耦接至晶体管M2的栅极，接面晶体管T2的射极耦接接地电压。
[0081]依据上述，本发明实施例具有定电流源的效果，但不同于传统定电流源的是，本发明实施例未使用负电阻性的元件，因此可避免电路振荡所产生的噪声。
[0082]图2E为本发明第八实施例的发光装置的系统示意图。请参照图2B至图2E，其中相同或相似元件使用相同或相似标号，并且图2E可视为图2B的电路示意图，亦即发光装置200c的驱动电路210c可视为驱动电路210a的电路示意图。在本实施例中，驱动电路210c还包括电压稳压单元215a，其中电压稳压单元215a包括第三电阻R3、电容C2及二极管D2。
[0083]第三电阻R3耦接于驱动电压VDR与电压反馈单元117b之间。电容C2并联耦接于第三电阻R3。二极管D2的阳极耦接第三电阻R3及电压反馈单元117b，以提供过滤后的反馈电压VFBa，二极管D2的阴极耦接反馈电压VFB。
[0084]在上述图2A至图2E的实施例中，是以两路电流路径为例(亦即串接的第一电阻Rl与第一开关115、以及串接的第二电阻R2与第二开关213)，但在其他实施例中，还延伸为多路电流路径，以提供更宽的电压范围的定电流区域。
[0085]上述之开关单元(如第一开关115、第二开关213)是以N型金属-氧化物-半导体(N-Mental-Oxide-SemiconductorJI^lNMOS)为实施例，唯应用时可以(positivechannel Metal Oxide Semiconductor，简称 PMOS)或双极结型晶体管(Bipolar Junct1nTransistor，简称BJT)等元件取代之；控制单元之控制开关(如晶体管T1、T2)是以NPNBJT为实施例，唯应用时也可以PNPBJT或MOS等元件取代之。
[0086]综上所述，本发明实施例的发光二极管的驱动电路及其发光装置，其串接电阻与开关，并且依据驱动电压决定导通开关与否。借此，可避免过高的驱动电压烧毁发光二极管。并且，通过多组串接的电阻与开关，来模拟定电路源，并且可避免电路产生振荡。
[0087]最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
【主权项】
1.一种发光二极管的驱动电路，用以驱动至少一发光二极管，其特征在于，包括: 一整流电路，接收一交流电源以提供一驱动电压至该至少一发光二极管； 一第一电阻，该第一电阻的一端親接该至少一发光二极管； 一第一开关，具有一第一端、一第二端及一控制端，该第一开关的该第一端親接该第一电阻的另一端，该第一开关的该第二端耦接一接地电压；以及 一第一控制单元，耦接该第一开关的该控制端，以依据该驱动电压的一电压电平是否高于一第一临界电压导通该第一开关或关闭该第一开关。2.根据权利要求1所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，当该驱动电压的该电压电平大于等于该第一临界电压时，该第一控制单元关闭该第一开关，当该驱动电压的该电压电平小于该第一临界电压时，该第一控制单元导通该第一开关。3.根据权利要求1所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，还包括: 一第二电阻，该第二电阻的一端耦接该至少一发光二极管； 一第二开关，具有一第一端、一第二端及一控制端，该第二开关的该第一端耦接该第二电阻的另一端，该第二开关的该第二端耦接该接地电压；以及 一第二控制单元，耦接该第二开关的该控制端，以依据该驱动电压的该电压电平是否高于一第二临界电压导通该第二开关或关闭该第二开关。4.根据权利要求3所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，当该驱动电压的该电压电平大于等于该第二临界电压时，该第二控制单元关闭该第二开关，当该驱动电压的该电压电平小于该第二临界电压时，导通该第二开关。5.根据权利要求3所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，该第一临界电压不同于该第二临界电压。6.根据权利要求3所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，该第一电阻的阻抗值不同于该第二电阻的阻抗值。7.根据权利要求3所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，还包括一电压反馈单元，以依据该驱动电压的该电压电平提供一反馈参考电压至该第一控制单元及该第二控制单元，该第一控制单元依据该反馈参考电压判断该驱动电压的该电压电平是否高于该第一临界电压，该第二控制单元依据该反馈参考电压以判断该驱动电压的该电压电平是否高于该第二临界电压。8.根据权利要求7所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，该电压反馈单元接收该驱动电压以提供该反馈参考电压。9.根据权利要求8所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，该电压反馈单元包括: 一第一二极管，该第一二极管的阳极接收该驱动电压，该第一二极管的阴极提供该反馈参考电压；以及 一第一电容，耦接于该第一二极管的阴极与接地电压之间。10.根据权利要求7所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，该电压反馈单元接收该第一电阻所提供的一反馈电压，以提供该反馈参考电压。11.根据权利要求10所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，该电压反馈单元包括: 一第二二极管，该第二二极管的阳极接收该反馈电压，该第二二极管的阴极提供该反馈参考电压；以及 一第二电容，耦接于该第二二极管的阴极与接地电压之间。12.根据权利要求10所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，还包括一电压稳压单元，耦接于该电压反馈单元及该反馈电压之间，用以滤除该反馈电压的噪声。13.根据权利要求12所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，该电压稳压单元包括: 一第三电阻，耦接于该驱动电压与该电压反馈单元之间； 一第三电容，并联耦接于该第三电阻；以及 一第三二极管，该第三二极管的阳极耦接该第三电阻及该电压反馈单元，该第三二极管的阴极耦接该反馈电压。14.根据权利要求7所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，该第一控制单元及该第二控制单元分别包括: 一晶体管，具有一第一端、一第二端及一控制端，该晶体管的该第一端耦接该第一开关的该控制端或该第二开关的该控制端，该晶体管的该第二端耦接该接地电压； 一电压判断单元，接收该反馈参考电压，以依据该反馈参考电压判断该驱动电压是否大于等于该第一临界电压或该第二临界电压，并且对应地呈现导通或关闭； 一第一分压电阻，耦接于该电压判断单元与该晶体管的该控制端之间； 一第二分压电阻，耦接于该晶体管的该控制端与该接地电压之间； 一端点电阻，耦接于该晶体管的该第一端与该反馈参考电压之间；以及 一电压限制元件，耦接于该晶体管的该第一端与该接地电压之间。15.根据权利要求14所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，该电压判断单元包括至少一齐纳二极管。16.根据权利要求1所述的发光二极管的驱动电路，其特征在于，该驱动电压的该电压电平随着时间变动。17.一种发光装置，其特征在于，包括: 至少一发光二极管；以及 一如权利要求1所述的发光二极管的驱动电路，用以驱动该至少一发光二极管。
【专利摘要】本发明提供一种发光二极管的驱动电路及其发光装置。驱动电路包括一整流电路、一第一电阻、一第一开关及一第一控制单元。整流电路接收一交流电源以提供一驱动电压至发光二极管。第一电阻的一端耦接发光二极管。第一开关具有一第一端、一第二端及一控制端，其中第一开关的第一端耦接第一电阻的另一端，第一开关的第二端耦接一接地电压。第一控制单元耦接第一开关的控制端，以依据驱动电压的一电压电平是否高于一第一临界电压导通第一开关或关闭第一开关；可避免过高的驱动电压烧毁发光二极管。
【IPC分类】H05B37/02
【公开号】CN105517274
【申请号】CN201510605283
【发明人】陈国祚
【申请人】光明电子股份有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年9月22日
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