下沉式电流表面贴退耦电感的散热结构的制作方法

下沉式电流表面贴退耦电感的散热结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉退耦电感设计结构，特别涉及下沉式电流表面贴退耦电感的散热结构。
【背景技术】
[0002]随着电源设计的进步，要求退耦模电感提出了扁平化的需求，以满足目前电子产品超薄的需求。目前市面上以以磁环为主的20A以上的退耦电感结构大，高度高，不能满足超薄的设计，应用范围比较窄，不能实现SMT贴片加工。
【实用新型内容】
[0003]针对上述现有技术的不足之处，本实用新型提供下沉式电流表面贴退耦电感的散热结构，有效地解决了上述现有技术存在的问题。
[0004]为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是:下沉式电流表面贴退耦电感的散热结构，包括磁芯，所述磁芯为E型结构，数量为两副；还包括一 PCB板，在PCB板两面分别设有一螺旋圈绕组，两绕组呈串联结构，所述绕组的出线连接引脚；所述PCB板设置在两副磁芯之间，两幅磁芯呈扣合结构。
[0005]作为优选，所述绕组为扁平线圈构造而成，分别为绕组一和绕组二。
[0006]作为优选，所述绕组一尾部从PCB板以下与绕组二的起始相连。
[0007]与现有技术相比，该实用新型的有益效果:本实用新型通过结构上的改进，可在原有结构上降低约I倍的高度；磁芯表面积裸露在外，相比环形结构被绕组包围，散热效果明显提高；相对原环形大电流共模结构主要以插装件为主，采用SMT结构可以只用PCB板的一面，可以大大提升电路的集成密度；充分利用了整个模块的空间，也就大大降低了整个模块的高度，相对传统的结构，整个模块的高度可降低到50%。
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型结构示意图；
[0009]图2为本实用新型侧视图；
[0010]图3为绕组一结构示意图；
[0011 ] 图4为绕组二结构示意图。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。
[0013]参见图1-4，下沉式电流表面贴退耦电感的散热结构，包括磁芯，所述磁芯为E型结构，数量为两副；还包括一PCB板，在PCB板两面分别设有一螺旋圈绕组，两绕组呈串联结构，所述绕组的出线连接引脚，在本实施例中，所述绕组为扁平线圈构造而成，分别为绕组一 I和绕组二 2，并且绕组一 I尾部从PCB板以下与绕组二 2的起始相连；所述PCB板设置在两副磁芯之间，两幅磁芯呈扣合结构。
[0014]本实用新型的电感接法:电流从绕组一 I进，从绕组二 2出，绕组一 I尾部从PCB板以下与绕组二 2的起始相连，绕组一和绕组二在磁路中属于串联，其匝数为两者之和，根据L=AL*N2，退耦电感会有一个较高的感量，同时因为匝数比较多，根据电磁学定律，其磁通变化比较小，可以通过较大电流而不饱和；能起到通过较大电流而不饱和且滤波效果显著的作用。
【主权项】
1.下沉式电流表面贴退耦电感的散热结构，包括磁芯，其特征在于:所述磁芯为E型结构，数量为两副；还包括一 PCB板，在PCB板两面分别设有一螺旋圈绕组，两绕组呈串联结构，所述绕组的出线连接引脚；所述PCB板设置在两副磁芯之间，两幅磁芯呈扣合结构。
2.根据权利要求1所述的下沉式电流表面贴退耦电感的散热结构，其特征在于:所述绕组为扁平线圈构造而成，分别为绕组一和绕组二。
3.根据权利要求2所述的下沉式电流表面贴退耦电感的散热结构，其特征在于:所述绕组一尾部从PCB板以下与绕组二的起始相连。
【专利摘要】本实用新型公开了下沉式电流表面贴退耦电感的散热结构，包括磁芯，所述磁芯为E型结构，数量为两副；还包括一PCB板，在PCB板两面分别设有一螺旋圈绕组，两绕组呈串联结构，所述绕组的出线连接引脚；所述PCB板设置在两副磁芯之间，两幅磁芯呈扣合结构。本实用新型降低了产品高度，实现SMT贴片加工，散热功能优越于现有技术。
【IPC分类】H01F27-40, H01F27-28, H01F17-04
【公开号】CN204614581
【申请号】CN201520354778
【发明人】卢本浩
【申请人】成都金之川电子有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年5月28日