光配向方法和液晶显示器的制造方法

光配向方法和液晶显示器的制造方法
【专利说明】
[0001] 本申请是申请日为2011年8月3日且发明名称为"光配向方法和液晶显示器"的 中国发明专利申请201110220339. 9的分案申请。
技术领域
[0002] 本发明设及光配向方法和使用该光配向方法的液晶显示器。
【背景技术】
[0003] 液晶显示器（LCD)通常包括两个显示面板和插设在它们之间的液晶层，诸如像素 电极的场产生电极和公共电极形成在该两个显示面板上。LCD通过施加电压到场产生电极 而在LC层中产生电场，W确定LC层的LC分子的取向并控制入射光的偏振，从而产生图像 显示。
[0004] LCD的LC分子可通过常规摩擦工艺而初始配向在预定方向上。即使在垂直配向 LCD中，浓晶也通过摩擦而具有预倾斜角，W在施加电场时确定浓晶的方向。
[0005] 使液晶具有预倾斜角的常规方法包括接触型摩擦方法和光配向方法，接触型摩 擦方法通过使用漉（roller)来施加物理压力到液晶的配向层，光配向方法通过照射紫外 扣V)光到配向层来形成预倾斜角。存在与使用常规光配向方法相关的缺点。一个缺点是， UV照射工艺会不得不进行数次W获得各种方向的液晶配向。当进行UV照射工艺时需要多 个掩模，W形成多个域（domain)。该些掩模可基于进行UV福照工艺的次数而重复使用。如 果多个掩模失准，则LCD的液晶配向会变得变形，从而降低透射率。

【发明内容】

[0006] 本发明通过提供一种用于光配向的方法消除了上述缺点，该光配向方法减少了使 用掩模的次数，从而防止了由于掩模的任何失准引起的透射率的降低。
[0007] 根据本发明的一示范性实施例，提供一种光配向方法。该方法包括；沿第一方向照 射光到第一配向层；W及在设置第一掩模于所述第一配向层上之后，沿与所述第一方向相 反的第二方向照射光。
[000引根据一示范性实施例，沿第二方向照射的光的光照射能量可W为沿第一方向的光 照射能量的约50%至约500%。
[0009] 根据一示范性实施例，在第二方向上照射的光的光照射能量可W不同于在第一方 向上的光照射能量。
[0010] 根据另一示范性实施例，在第一方向上照射的光的光照射能量可W在从约ImJ至 约5000mJ的范围。
[0011] 根据另一示范性实施例，在第一方向上照射的光可W被线性偏振或部分偏振。
[0012] 根据另一示范性实施例，在第一方向上照射的光可W相对于第一配向层倾斜地照 射。
[0013] 根据一示范性实施例，在第一方向和第二方向上照射的光的照射角（T)可W在约 0<T<90的范围。
[0014] 根据一示范性实施例，掩模可W包括遮光单元W部分遮蔽第一配向层的一部分。
[0015] 根据一示范性实施例，遮光单元可WW预定图案设置。
[0016] 根据另一示范性实施例，遮光单元可W任意设置。
[0017] 根据一示范性实施例，掩模可W包括遮光区域、透射区域和透反区域中的至少一 种。
[001引根据一示范性实施例，遮光区域、透射区域和透反区域可预定图案设置。
[0019] 根据一示范性实施例，遮光区域、透射区域和透反区域可W设置得形成行和列。
[0020] 根据一示范性实施例，透反区域可W包括具有彼此不同透射率的两个或更多区 域。
[0021] 根据另一示范性实施例，透反区域的透光率可W大于遮光区域的透光率且小于透 射区域的透光率。
[0022] 根据一示范性实施例，遮光区域、透射区域和透反区域可W任意地设置。
[0023] 根据本发明一实施例，该方法还可W包括；沿第S方向照射光到面对第一配向层 的第二配向层；W及在第二配向层上设置第二掩模之后，沿与第S方向相反的第四方向照 射光。第一掩模和第二掩模每个可包括遮光区域和透射区域，第一掩模和第二掩模的遮光 区域和透射区域的图案可W彼此不同。
[0024] 根据一示范性实施例，第一掩模和第二掩模中的至少一个还可W包括透反区域。
[0025] 根据一示范性实施例，第一掩模和第二掩模中的至少一个可W包括遮光区域、透 射区域和透反区域中的至少一个。
[0026] 根据一示范性实施例，遮光区域、透射区域和透反区域每个可预定图案设置。
[0027] 根据一示范性实施例，遮光区域、透射区域和透反区域可W设置得形成行和列。 [002引根据一示范性实施例，透反区域可W包括具有彼此不同透射率的两个或更多区 域。
[0029] 根据一示范性实施例，透反区域的透光率可W大于遮光区域的透光率且小于透射 区域的透光率。
[0030] 根据一示范性实施例，第一掩模和第二掩模中的至少一个可W包括遮光区域、透 射区域和透反区域中的至少一个。
[0031] 根据一示范性实施例，遮光区域、透射区域和透反区域可W任意地设置。
[003引根据一示范性实施例，照射光的紫外扣V)波长可W在从约270nm至约360nm的范 围。
[0033] 根据本发明另一示范性实施例，提供一种液晶显示器（LCD)。该LCD包括；彼此面 对的第一基板和第二基板；第一配向层和第二配向层，分别形成在第一基板和第二基板上； W及LC层，形成在第一基板与第二基板之间且包括液晶分子。第一配向层和第二配向层通 过光配向操作来光配向，第一配向层和第二配向层每个包括在光配向操作期间具有不同光 照射量的第一照射区和第二照射区，位于第一照射区中的LC层的液晶分子的配向方向不 同于位于第二照射区中的LC层的液晶分子的配向方向。
[0034] 根据一示范性实施例，位于第一照射区和第二照射区中的液晶分子的配向极角的 绝对值可W彼此相同或彼此不同，配向方向可W彼此相反。
[0035] 根据一示范性实施例，第一配向层的光照射方向可W设置为垂直于第二配向层的 光照射方向，液晶层的液晶分子可W形成具有彼此不同的液晶分子配向极角的至少四个区 域。
[0036] 根据一示范性实施例，四个区域中的每个可W是W下中的至少一种；循环型，其中 液晶分子的配向方向是循环的；集中型，其中液晶分子的配向方向面向第一配向层或第二 配向层的中央；散开型，其中液晶分子的配向方向面向第一配向层或第二配向层的边缘； W及混合型，包括前述类型中的至少一种。
[0037] 根据一示范性实施例，第一配向层和第二配向层可包括肉桂酸醋。
[003引根据另一示范性实施例，第一配向层和第二配向层还可W包括苯，第一配向层和 第二配向层的肉桂酸醋/苯的比（C/B)可在0<C/B<0. 5的范围。
[0039] 根据一示范性实施例，液晶显示器还可W包括位于第一照射区和第二照射区之间 的第=照射区，第=照射区的极角可W小于第一照射区和第二照射区的极角。
[0040] 根据一示范性实施例，液晶显示器还可W包括位于第一照射区和第二照射区的边 缘处的第S照射区，第S照射区的极角可W小于第一照射区和第二照射区的极角。
[0041] 根据本发明又一示范性实施例，提供一种用于光配向的方法。该方法包括通过沿 初始光配向方向照射光到第一配向层上来进行初始光配向，W及将第一掩模置于第一配向 层上。该方法还包括通过沿第二光配向方向照射光到第一配向层上来进行第二光配向，第 二光配向方向与初始光配向方向相反，其中在第二光配向的进行中，相对于第一掩模固定 第一配向层然后移动第一掩模的同时，或者相对于第一配向层固定第一掩模然后移动第一 配向层的同时，进行第一配向层到所照射的光的曝光。
[0042] 根据一示范性实施例，第一掩模可包括遮光区域和多个透射区域。
[0043] 根据一示范性实施例，透射区域的宽度可W彼此不同，透射区域之一的宽度可W 对应于第一配向层的在透射区域中的沿移动方向的长度。
[0044] 根据一示范性实施例，该方法还可W包括通过沿第=光配向方向照射光到面对第 一配向层的第二配向层上来进行第=光配向W及将第二掩模置于第二配向层上。该方法还 可W包括通过沿第四光配向方向照射光到第二配向上来进行第四光配向，第四光配向方向 与第=光配向方向相反，其中在进行第四光配向中，相对于第二掩模固定第二配向层然后 移动第二掩模的同时，或者相对于第二配向层固定第二掩模然后移动第二配向层的同时， 可W进行第二配向层到所照射的光的曝光。
[0045] 根据一示范性实施例，第一掩模可W包括遮光区域和多个透射区域。
[0046] 根据一示范性实施例，透射区域的宽度可W彼此不同，透射区域之一的宽度可W 对应于第一配向层的在透射区域中的沿移动方向的长度。
【附图说明】
[0047] 专利或申请文件包含至少一个彩色制成的图。在请求并支付必要费用后，具有彩 图的本专利或专利申请公开的副本将由官方提供。
[0048] 图1和图2是示出根据本发明的光配向方法的示范性实施例的图。
[0049] 图3和图4是示出常规光配向操作期间发生的失准的图。
[0化0] 图5至图7是示出在根据本发明的光配向期间发生的失准的示例的图。
[0051] 图8是流程图，示出根据本发明的用于制造液晶显示器的液晶单元的方法的示范 性实施例。
[0052] 图9是示出根据本发明的光配向操作之后液晶分子的光配向的示范性实施例的 图。
[0化3]图10是示出常规液晶显示器的纹理的照片。
[0054]图11是示出根据本发明的液晶显示器的纹理的示范性实施例的照片。
[0化5]图12是根据本发明的液晶显示器的一个像素的示范性实施例的等效电路图。[0化6]图13是根据本发明的液晶显示器的布局图的示范性实施例。
[0057]图14是沿图13的线XIV-XIV取得的剖视图。
[0化引图15至图17是示出根据本发明的光配向方法的另一示范性实施例的图。
[0化9]图18至图28是示出根据本发明的光掩模的示范性实施例的图，该光掩模包括遮 光区域、透反区域和透射区域的各种布局。
[0060] 图29A至图34E是示出根据本发明的使用图18至图28的光掩模的光配向方法的 示范性实施例的图。
[0061] 图35和图36是示出根据本发明的光掩模的示范性实施例的图。
[0062] 图37是示出根据本发明形成的像素电极和像素的光配向方向的示范性实施例的 图。
[0063] 图38A至图38E是用于描述使用图35的光配向掩模的光配向方法的示范性实施 例的图。
[0064] 图39A至图39E是用于描述使用图36的光配向掩模的光配向方法的示范性实施 例的图。
[0065] 图40和图41是示出根据本发明的光掩模的示范性实施例的图。
[0066] 图42是用于描述根据本发明的光配向方法的示范性实施例的图。
【具体实施方式】
[0067] 现在将在下面参照附图更充分地描述本发明，附图中示出各种实施例。然而，本发 明可多种不同的形式实施，而不应解释为局限于该里阐述的实施例。而是，提供该些实 施例W使得本公开将透彻和完整，并将本发明的范围充分传达给本领域技术人员。相 似的 附图标记始终指示相似的元件。
[0068] 将理解，当元件称为"在"另一元件"上"时，它可W"直接在"另一元件"上"，没有 居间元件存在。该里使用时，术语"和/或"包括相关所列项中的一个或更多的任意和全部 组合。将理解，尽管术语"第一"、"第二"、"第等可在该里用来描述各种元件、部件、区域、 层和/或部分，但是该些元件、部件、区域、层和/或部分不应受该些术语限制。该些术语仅 用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区别开。因此，下 面论述的"第一元件"、"第一部件"、"第一区域"、"第一层"或"第一部分"可称为第二元件、 第二部件、第二区域、第二层或第二部分而不偏离该里的教导。
[0069] 该里使用的术语仅用于描述特定实施例，而无意成为限制。该里使用时，除非上下 文清楚地另外表明，否则单数形式"一"和"该"旨在也包括复数形式。还将理解，当在本说 明书中使用时，术语"包括"和/或"包含"指明所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/ 或部件的存在，但不排除一个或更多其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它 们的组的存在或增加。
[0070]此外，相对术语诸如"下"或"底及"上"或"顶"可在该里用来描述如附图所示 的一个元件与另一元件的关系。将理解，相对术语旨在涵盖除图示取向之外器件的不同取 向。例如，如果附图之一中的器件被倒置，则描述为"在"其它元件"下"侧的元件将会取向 在其它元件"上"侧。因此，根据附图的特定取向，示范性术语"下"可涵盖"上"和"下"两 种取向。类似地，如果附图之一的器件被倒置，则描述为在其它元件"下"或"下面"的元件 将取向为在其它元件"上"。因此，示范性术语"下"或"下面"能涵盖上和下两种取向。
[0071] 除非另外定义，否则该里使用的全部术语（包括技术术语和科学术语）都具有与 本公开所属领域中的普通技术人员一般理解的含义相同的含义。还将理解，术语诸如通用 字典中定义的那些应解释为具有与它们在相关领域和本公开的背景中的含义一致的含义， 而不在理想化和过于正式的意义上解释，除非该里明确地该样定义。
[007引该里参照剖视图描述示范性实施例，剖视图是理想实施例的示意图。因而，将可预 期例如由制造技术和/或公差引起的图示形状的变化。因此，该里描述的实施例不应理解 为局限于该里示出的区域的特定形状，而是将包括由例如制造引起的形状偏差。例如，图示 或描述为平坦的区域可通常具有粗趟和/或非线性特征。此外，示出的尖角可W是倒圆的。 因此，附图所示的区域本质上是示意性的，它们的形状无意示出区域的精确形状，也无意限 制权利要求的范围。
[0073] 图1和图2是示出根据本发明的光配向方法的示范性实施例的图。
[0074] 如图1和图2所示，根据本发明一示范性实施例的光配向方法包括第一光配向操 作和第二光配向操作。如图1所示，进行作为"第一光配向"的操作，其中整个表面被曝光 而没有掩模；如图2所示，进行作为"第二光配向"的操作，其中通过使用掩模而光仅照射到 部分区域。如图1和图2所示，箭头表示光配向方向。
[0075] 如图1所示，光沿第一方向照射到配向层10上W形成第一照射区L1。根据一示范 性实施例，所照射的紫外扣V)波长在从约270皿至约360皿的范围，所照射的光的照射能 量在约ImJ至约5000mJ的范围。
[0076] 根据本发明一示范性实施例，所照射的光可W是线性偏振紫外线（LPUV)或部分 偏振紫外线。LPUVW倾斜于配向层表面的角度照射W具有好像配向层表面被沿预定方向摩 擦的效果。倾斜于配向层表面照射LPUV的方法通过倾斜配向层或倾斜线性偏振照射器件 来进行。
[0077] 此外，如图1所示，"第一光配向"操作通过沿第一方向照射光来进行，第一方向可 W是在任何方向上，但为了示出的目的，在本发明示范性实施例中，第一方向为从顶部向底 部，如所示的箭头所表示的那样。
[007引接着，如图2所示，该方法还包括设置与配向层10的一部分对应的遮光掩模M，W及进行"第二光配向"操作W形成第二照射区L2。遮光掩模M不透射光并遮蔽第一照射区 L1的一半。如图2还示出的那样，光然后在与第一方向（如虚线箭头所示）相反的第二方 向（如实线箭头所示）上照射。
[0079]如图2所示，根据本发明示范性实施例的遮光掩模M设置为覆盖第一照射区L1的 一半，但是根据将要形成的域的类型可W为各种尺寸和形状，且可W形成为用于具有预定 图案或任意设置于掩模M内的遮光单元。
[0080] 根据一示范性实施例，配向层10的极角（polarangle)可被控制从而根据照射能 量而具有不同的值，在本发明示范性实施例中，沿第二方向照射的光的照射能量可大于第 一方向上的照射能量，从而形成第一照射区L1和第二照射区L2,第一照射区L1和第二照射 区L2具有极性不同的第一极角和第二极角。
[0081] 因此，根据一示范性实施例，沿第二方向照射的光的照射能量大于沿第一方向照 射的光的照射能量，W形成第二照射区L2,使得第一极角是与第二极角相同的角且第一和 第二极角的极性彼此相反。
[0082] 表1示出极角根据光的照射能量的变化。
[0083]
[0084] 参照表1，在"第一光配向"操作期间，50mJ的照射能量且在50°的照射倾斜角，之 后，照射能量W25mJ、50mJ和lOOmJ的顺序改变，可获得相反极性的第二极角诸如89. 9°、 89.r和88.2。。该里，（-)表示相反方向。
[0085] 当第二照射区L2的第二极角包括89. 9。或89. 1。的预倾斜角时（当第一照射区 L1的第一极角为例如88. 3°时，其具有与第一极角相反的方向和不同的值），在照射区L1 和L2之间会发生亮度差异。然而，当第二极角为类似于第一极角的值，例如88. 2°时，照射 区L1和L2之间的見度差异减小。
[0086] 因此，如表1所示，通过沿第二方向照射具有沿第一方向照射的光的照射能量的 例如两倍大的照射能量的光，第一极角和第二极角可具有相同的值。然而，由于沿第二方向 照射的光的照射能量可取决于配向层10的材料、照射角、照射强度等，所W它选择为在沿 第一方向照射的光的照射能量的约50%至约500%的范围内。因此，根据当前的示范性实 施例，第一极角和第二极角为相同值。
[0087] 作为图1和图2所示的光配向方法的结果，根据本发明一示范性实施例，可W获得 具有不同极角的第一照射区L1和第二照射区L2。配向极角为液晶分子与基板所成的角，配 向极角可改善液晶分子的响应速度。此外，视角也可通过形成各种配向极角而得到改善。 [008引图3和图4是示出在常规光配向操作期间发生的失准的图，而图5至图7是示出 在根据本发明的光配向操作期间发生的失准的示范性实施例的图。
[0089] 如图3和图4所示，在常规光配向方法中，当进行光配向操作W形成具有不同极角 的第一照射区和第二照射区时，对每个照射区使用不同的掩模Ml和M2来进行光配向操作。 因此，当在形成第一照射区L1之后设置用于形成第二照射区L2的掩模M2的情形下发生失 准时，形成第S照射区L3,在第S照射区L3中掩模Ml和M2不彼此交叠，如图3所示，或者 在第S照射区L3中两个掩模Ml和M2彼此交叠，如图4所示。第S照射区L3具有不同于 第一照射区L1和第二照射区L2(第一照射区L1和第二照射区L2具有将被配向的极角） 的极角，因此降低了透射率。
[0090] 当如本发明示范性实施例中所述的那样进行光配向方法时，仅第一照射区L1和 第二照射区L2的形状或尺寸不同，但不产生如图3和图4所示的具有不期望极角的第S照 射区L3,即使如图5至图7所示的那样发生失准。结果，当如本发明示范性实施例中所述的 那样进行光配向方法时，防止了透射率的降低。
[0091] 根据一示范性实施例，现在将描述使用根据本发明的光配向方法制造用于液晶显 示器的液晶单元的方法。
[0092] 图8是流程图，示出根据本发明制造用于液晶显示器的液晶单元的方法的示范性 实施例；图9是示出在进行根据本发明的光配向操作之后液晶分子的光配向的示范性实施 例的图。
[0093] 参照图8,在操作102和202中分别形成上母基板和下母基板。根据一示范性实施 例，上母基板包括公共电极、配向层和滤色器。下母基板包括薄膜晶体管、像素电极和配向 层。
[0094] 接着，在操作104和204,分别对如图1和图2分别所示的下母基板和上母基板中 的每个进行光配向操作。
[0095] 根据一示范性实施例，配向层10可由包含肉桂酸醋（cinnamate)的材料制成，在 光配向操作之后包含在配向层110中的肉桂酸醋/苯的值可W为约〇<C/B<0. 5。
[0096] 在下母基板和上母基板上进行光配向操作的方向彼此垂直，如图9所示。液晶分 子的配向方向（如线箭头所示）确定为具有相对于上和下母基板的配向方向沿歪斜方向倾 斜的方位角。下母基板的配向方向由沿垂直方向的箭头表示，上母基板的配向方向由沿水 平方向的箭头表示。通过取决于上和下母基板两者的配向方向的矢量和形成具有四个不同 方位角的小域化、Db、化和Dd。
[0097] 在液晶显示器中，由于透射率在约45°的配向方位角处变得最大，所W光配向进 行为相对于偏振器的透射轴W45°倾斜。
[009引返回参照图8,工艺从操作204继续到操作206,在操作206中形成用于防止液晶 泄露的密封剂。根据一示范性实施例，密封剂由用于将上母基板和下母基板彼此结合的材 料制成并定义用液晶填充的部分。根据一示范性实施例，密封剂可形成在上母基板上。根 据一备选示范性实施例，密封剂可形成在下母基板上。
[0099] 接着，在操作208,滴注液晶，工艺从操作208继续到操作300,在操作300中下母 基板和上母基板接合到彼此。工艺从操作300继续到操作302,在操作302中液晶显示组件 通过沿切割线划片而分离成液晶单元。当液晶通过液晶注入法填充时，液晶单元被分离且 之后浓晶被注入。
[0100] 根据本发明一示范性实施例，液晶可W不通过对各个域使用不同的掩模来配向。 因此，可W减少用于光配向方法的掩模数量。因而，可W简化光配向方法，并可W缩短液晶 显示器的制造时间。
[0101] 图10是示出常规LCD的纹理的照片；图11是示出根据本发明的LCD的纹理的示 范性实施例的照片。
[0102]在图10和图11中，两个液晶显示器的极角同为88.3。，两个液晶显示器的纹理相 同。
[0103] 不同于常规光配向方法，根据本发明一示范性实施例通过仅在"第二光配向"操作 中使用掩模，可W容易地形成具有不同方位角的多个小域，并且与常规LCD相比纹理不增 加。因此，当如本发明一示范性实施例中描述的那样进行光配向操作时，由于掩模在第二光 配向操作期间没根据第一光配向操作期间掩模的布置来对准，所W与常规光配向方法相比 本发明可W没有失准。此外，在第二光配向操作期间，由于掩模可W不根据在第一光配向操 作中的掩模的位置来对准，所W减少了布置时间，从而减少了工艺时间。此外，如上所述，由 于在本发明中没有产生具有不期望极角的第=照射区，所W增大了透射率。
[0104] 接着，现在将详细描 述通过使用根据本发明另一示范性实施例的制造液晶显示器 的液晶单元的方法形成的液晶显示器。
[0105] 图12是示出根据本发明的液晶显示器的一个像素的示范性实施例的等效电路 图。
[0106] 参照图12,LCD包括；信号线，包括多条栅极线化、多条成对的数据线DLa和化b、 W及多条存储电极线化；W及连接到信号线的多个像素PX。LCD还包括下显示面板100和 上显不面板200W及插设在两者之间的浓晶层3。
[0107] 根据一示范性实施例，每个像素PX包括一对子像素PXa和P甜。子像素PXa和P甜 包括开关元件化和卵W及液晶电容器Clca和Clcb、存储电容器Csta和Cs忧。
[0108] 根据示范性实施例，开关元件化和卵可每个为S端子元件诸如薄膜晶体管等，其 提供在下显示面板100上并包括与栅极线化连接的控制端子、与数据线DLa和化b连接的 输入端子、W及与液晶电容器Clca和Clcb及存储电容器Csta和Cs忧连接的输出端子。
[0109] 根据一示范性实施例，液晶电容器Clca和Clcb包括子像素电极191a和19化W 及公共电极270作为两个端子，插设在其间的液晶层3通过电介质材料形成。
[0110] 根据一示范性实施例，起到液晶电容器Clca和Clcb的辅助作用的存储电容器 Csta和Cs忧通过将存储电极线化与提供在下显示面板100上的子像素电极191a和19化 彼此交叠且使绝缘体插设在其间而构造。预定电压诸如公共电压Vcom等施加到存储电极 线化。
[0111] 根据一示范性实施例，充在液晶电容器Clca和Clcb中的电压设定为呈现稍微的 差异。例如，施加到液晶电容器Clca的数据电压可设定为小于或高于施加到液晶电容器 Clcb的数据电压。因此，通过适当地调整液晶电容器Clca和Clcb的电压，从LCD的侧面观 看的图像可W呈现得比从前方观看的图像更近，从而改善LCD的侧视性。
[0112] 现在将参照图13和图14更详细地描述根据本发明的液晶显示器的另一示范性实 施例。
[0113] 具体地，图13是根据本发明一示范性实施例的液晶显示器的布图图；图14是沿图 13的线XIV-XIV取得的剖视图。
[0114] 参照图13和图14,浓晶显不器包括彼此面对的下显不面板100和上显不面板200 W及插设在两个显示面板100和200之间的液晶层3。
[0115] 首先，将描述下显示面板100的示范性实施例。
[0116] 多条栅极线121W及多条存储电极线131和135形成在绝缘基板110上。
[0117] 根据一示范性实施例，栅极线121传输栅极信号并基本沿水平方向延伸。每条栅 极线121包括向上突出的多个第一栅极电极124a和第二栅极电极124bW及向下突出的突 起 122。
[0118] 存储电极线131和135包括基本平行于栅极线121延伸的主干131和环型存储电 极135。部分存储电极135的宽度延伸，存储电极线131和135的形状和布局可改变为各种 形式。
[0119] 如图14所示的栅极绝缘层140形成在栅极线121化及存储电极线131和135上。 由非晶或晶体娃制成的多个半导体154a和154b形成在栅极绝缘层140上。
[0120] 根据一示范性实施例，多个成对的欧姆接触163a、163b、165a和16化分别形成在 半导体154a和154b上。欧姆接触163a、163b、165a和16化可W例如由诸如娃化物或渗杂 有高浓度n型杂质的n+氨化非晶娃制成。
[0121] 多条成对的数据线171a和17化W及多个成对的第一漏极电极175a和第二漏极 电极17化可形成在欧姆接触163a、163b、165a和16化W及栅极绝缘层140上。
[0122] 根据一示范性实施例，数据线171a和17化传输数据信号并可基本沿垂直方向延 伸W交叉栅极线121和存储电极线的主干131。数据线171a和17化包括朝向第一栅极电极 124a和第二栅极电极124b延伸W弯曲成U形的第一源极电极173a和第二源极电极173b。 第一源极电极173a和第二源极电极173b分别在第一栅极电极124a和第二栅极电极124b 的基础上面对第一漏极电极175a和第二漏极电极17化。
[0123] 根据一示范性实施例，第一漏极电极175a和第二漏极电极17化从分别被第一源 极电极173a和第二源极电极173b包围的端部向上延伸，另一端部可具有大尺寸W用于连 接其它层。
[0124] 除了第一漏极电极175a和第二漏极电极17化之外数据线171a和17化的形状和 布局可根据需要而改变。
[0125] 第一栅极电极124a、第一源极电极173a和第一漏极电极175a与第一半导体154a 一起形成第一开关元件化（例如薄膜晶体管（TFT))，第二栅极电极124b、第二源极电极 173b和第二漏极电极17化与第二半导体154b-起形成第二开关元件卵（例如TFT)。 [01%] 根据一示范性实施例，开关元件化和卵的沟道分别形成在第一源极电极173a 与第一漏极电极175a之间的第一半导体154a中和在第二源极电极173b与第二漏极电极 17化之间的第二半导体154b中。
[0127] 根据一示范性实施例，欧姆接触163a、163b、165a和16化仅提供在其下的半导体 154a和154b与其上的数据线171a和17化及漏极电极175a和17化之间，减少其间的接触 电阻。除了源极电极173a和173b与漏极电极175a和17化之间的空间之外，被暴露而没 有被数据线171a和17化及漏极电极175a和17化覆盖的部分提供在半导体154a和154b 中。
[0128] 根据一示范性实施例，由例如娃氮化物或娃氧化物制成的下纯化层18化可形成 在数据线171a和17化、漏极电极175a和17化W及半导体154a和154b的暴露部分上。
[0129] 此外，根据一示范性实施例，滤色器230可形成在下纯化层18化上。滤色器230 在像素的长度方向上伸长。滤色器230可通过使用光刻工艺或使用喷墨印刷法形成。如果 滤色器230通过喷墨印刷法形成，则还可W形成用于容纳滤色器等的分隔物。
[0130] 此外，上纯化层180q形成在滤色器230上。根据示范性实施例，上纯化层180q可 由无机绝缘物或有机绝缘物制成，并可包括平坦表面。无机绝缘物的示例可包括娃氮化物 和娃氧化物。有机绝缘物可具有光敏性且其介电常数可为约4.0或更小。多个像素电极 191形成在上纯化层180q上。
[0131] 根据一示范性实施例，每个像素电极191包括第一子像素电极191a和第二子像素 电极19化，其彼此分隔开，间隙95插设于其间。间隙95与存储电极135交叠W防止由于间 隙95引起的光泄露。间隙95可根据纹理的形状而弯曲。两个子像素电极191a和19化的 上部和下部彼此晒合，间隙95通过弯曲部插设在其间。
[0132] 此外，第一子像素电极191a的下角部（corner)可具有在第一漏极电极175a与第 二漏极电极17化之间的边界线上凹入的基本四边形形状。
[0133] 第一子像素电极191a包括突起195a，突起195a朝向第一漏极电极175a突出并通 过接触孔185a与第一漏极电极175a物理地和电地连接。
[0134] 此外，第二子像素电极19化包括沿数据线171a和17化延伸的一对分支196。根 据示范性实施例，分支196位于第一子像素电极191a与数据线171a和17化之间并连接到 在第一子像素电极191a的底部的连接器197。因此，第一子像素电极191a被第二子像素电 极19化、分支196和连接器197围绕。根据本发明一示范性实施例，第二子像素电极19化 的分支196之一包括突起19化。突起19化通过接触孔18化与第二漏极电极17化物理地 和电地连接。
[0135] 根据一示范性实施例，被第二子像素电极19化占据的尺寸可大于被第一子像素 电极191a占据的尺寸。因此，第二子像素电极19化的尺寸可为第一子像素电极191a的尺 寸的约1.0至约2. 2倍大。
[0136] 第二子像素电极19化的上边界线与前一栅极线的突起122交叠W形成存储电容 器。
[0137] 配向层11形成在像素电极191上。
[0138] 接着，现在将描述根据本发明一示范性实施例的上显示面板200。
[0139] 进一步如所示，防止光泄露的遮光构件220形成在上显示面板200中的透明绝缘 基板210上。遮光构件220沿数据线171a和17化形成并包括与薄膜晶体管对应的部分。 在本发明的示范性实施例中，不形成与栅极线121交叠的遮光构件220,但是可进一步形成 与栅极线121对应的遮光构件220。
[0140] 在本发明一示范性实施例中，遮光构件220形成在上基板上，但是可形成在下基 板上。
[0141] 公共电极270形成在遮光构件220的整个表面上，配向层21形成在公共电极270 上。
[0142] 根据本发明一示范性实施例，图13和图14所示的液晶显示器的像素通过上述图 2和图3的光配向方法来配向，并包括配向在不同方向上的多个小域化至Dd。在本发明一 示范性实施例中，分别对应于第一子像素电极191a和第二子像素电极19化的小域化至Dd 如图13所示地形成，但是小域化至Dd可W形成为对应于像素电极191。也就是说，小域 化至Dd中的两个域形成在对应于第一子像素电极191a的区域中，该些域中的其余两个域 形成在第二子像素电极19化中。
[0143] 在W上示范性实施例中，四个域形成为具有循环型布局，其中光配向方向沿一个 方向前进。
[0144] 然而，现在将描述通过使用各种掩模形成各种布局的方法。
[0145] 图15和图16是用于描述根据本发明的光配向方法的另一示范性实施例的图。
[0146] 图15的光配向方法与图1和图2所示的光配向方法相同。然而，包括遮光区域和 透射区域的掩模M用在如图1和图2所示的第二光配向操作中，但是在根据图15的光配向 方法的第二光配向操作中，光配向操作使用包括透反（transflective)区域的掩模M来进 行。使用包括透反区域的掩模的光配向可仅对下显示面板或上显示面板之一进行，或者可 对两显示面板都进行。
[0147] 更具体地，首先，第一照射区R1通过对配向层10进行第一光配向操作而形成，如 图15所示。根据一示范性实施例，照射UV波长在约270皿至约360皿的范围，UV的照射 能量在约ImJ至约5000mJ的范围。
[0148] 在第一光配向操作中，光沿第一方向照射并线性偏振，第一方向可W为任意方向。
[0149] 当进行第一光配向操作时，液晶分子的配向方向被倾斜为相对于基板表面包括第 一极角0 1，如图15所示。
[0150] 接着，如图16所示，设置对应于部分配向层10的掩模M。此外，用线性偏振光进行 第二光配向操作W形成第二照射区R2,第二照射区R2具有不同于第一角0 1的极角0 2和 0 3。掩模M包括不透射光的遮光区域、仅透射部分光的透反区域W及透射全部光的透射区 域。在第二光配向操作期间，光沿与第一方向相反 的第二方向照射。
[0151] 图16所示的掩模M的遮光区域、透反区域和透射区域可相同的尺寸分离地设 置，如图2所示，透射区域可W设置为对应于第一照射区R1的一半。
[0152] 根据本发明的示范性实施例，掩模的遮光区域、透反区域和透射区域可W根据要 形成的域的形式而形成为具有各种尺寸和形状，遮光区域和透反区域可W形成为具有预定 图案或形成为任意设置于掩模中。
[0153] 由于配向层的极角如图1和图2所示根据能量而具有不同值，所W照射能量可使 用包括透反区域的掩模来调节，如本发明示范性实施例中描述的那样。
[0154] 根据一示范性实施例，当如图16所示地进行第二光配向操作时，根据掩模的对应 区域形成液晶分子的具有不同极角0 1、0 2和0 3的区域，如图17所示。
[0巧5] 也就是说，如图15所示，在第一照射时仅被配向在一个方向上的液晶分子具有改 变的配向W根据第二照射时的照射能量而具有与第一极角01相反的方向，结果，液晶分 子配向为具有第二极角0 2和第=极角0 3。
[0156] 根据本发明一示范性实施例，斜率可根据透反区域的透射率而多样化，当透反区 域的透射率为约50%且照射能量为第一照射中的两倍大时，在对应于透反区域的部分中的 大部分液晶分子可配向为基本垂直于基板，在对应于透射区域的部分中的液晶分子可配向 为与对应于遮光区域的部分中的液晶分子的极角相反。
[0157] 现在参照图18至图34E，现在将描述由进行上述光配向方法而导致的各种液晶分 子配向。
[0158] 图18至图28是示出根据本发明的包括遮光区域T0,透反区域T1、T2,化及透射区 域T3的各种布局的光掩模的示范性实施例的图；图29A至图34E是示出根据本发明的使用 图18至图28的光掩模的光配向方法的示范性实施例的图。
[0159] 图18和图19所示的光掩模可包括遮光区域TO和透射区域T3,其每个形成两列一 行，或者可设置为形成像图20所示的光掩模那样的一列四行。
[0160] 此外，根据一示范性实施例，除了遮光区域TO和透射区域T3之外，图21至图28 所示的光掩模包括透反区域T1、T2。
[0161] 根据一示范性实施例，图21至图28的透反区域T1、T2可根据光透射水平而分成 第一透反区域T1和第二透反区域T2。第一透反区域T1中的光透射量可小于第二透反区域 T2中的光透射量。第一透反区域T1和第二透反区域T2的光透射量可根据要形成的液晶分 子的配向方向而在约0% <T1、T2的透射率<100%的范围内可变地设定。例如，第一透反区 域T1中的光透射量可设定为约25%，第二透反区域T2中的光透射量可设定为约75%，或 者第一透反区域T1中的光透射量可设定为约30%，第二透反区域T2中的光透射量可设定 为约70%。
[0162] 根据一示范性实施例，遮光区域TO、第一透反区域T1、第二透反区域T2和透射区 域T3可如图21所示地依次布置。备选地，如图22所示，第一透反区域T1、透射区域T3、遮 光区域TO和第二透反区域T2可依次布置，或者如图23所示，第二透反区域T2、透射区域 T3、遮光区域TO和第一透反区域T1可依次布置。
[0163] 备选地，如图20所示，根据另一示范性实施例，遮光区域TO和透射区域T3可交替 布置而不包括透反区域。
[0164] 备选地，如图24所示，根据另一示范性实施例，透射区域T3、遮光区域TO、第一透 反区域T1和第二透反区域T2可依次布置。
[01化]透射区域T3,遮光区域TO和透反区域T1、T2可如图25至图28所示地分成更小 的区域。
[0166] 图25至图28的光掩模设置为遮光区域T0,透射区域T3和透反区域T1、T2形成 两列四行。
[0167] 根据一示范性实施例，遮光区域TO、透射区域T3W及透反区域T1和T2可具有各 种尺寸和布局，并可根据域的形状和尺寸而不同地划分。
[0168] 现在将详细描述使用上述光掩模的光配向方法。
[0169] 对上配向层和下配向层中的每个进行光配向操作。两个配向层中的任一个可被配 向为图18至图20的光掩模之一，另一个可被配向为图21至图28的光掩模之一。
[0170] 如图29A所示，对下配向层11进行第一光配向操作而没有使用光掩模。光沿第一 方向照射，其可W是任意方向，为了更好的理解和描述的方便，在图29A中光从底部到顶部 照射。
[0171] 之后，如图29B所示，图18的光掩模设置在下配向层11上，然后进行第二光配向 操作。光沿与第一方向相反的第二方向照射。
[0172] 为了更好的理解，光的照射方向显示为箭头，传输到配向层11的照射能量通过改 变箭头的厚度来显示。箭头的直线的厚度越大，传输到配向层11的光能越多。
[017引接着，根据一示范性实施例，如图29C所示，对上配向层21进行第立光配向操作而 没有使用光掩模。光沿垂直于第一方向的第=方向照射。
[0174] 此外，根据一示范性实施例，图21的光掩模设置在上配向层21上，之后，进行第四 光配向操作，如图29D所示。光沿与第=方向相反的第四方向照射。
[0175] 根据一示范性实施例，当上配向层11和下配向层21使用图18和图21的光掩模 配向时，可形成具有不同配向方向的八个区域，如图29E所示。具体地，设置在配向层的中 央的四个区域形成第一组G1，形成第一组G1的四个区域布置为循环型液晶配向。
[0176] 此外，位于第一组G1的上部和下部中的四个区域形成第二组G2,形成第二组G2的 四个区域W与第一组G1相同的方向布置为循环型液晶配向。
[0177] 根据一示范性实施例，第一组G1和第二组G2的配向方位角的绝对值彼此不同，第 一组G1的方位角的绝对值可大于第二组G2的方位角的绝对值。
[0178] 图30A-30E绘示了示出使用图23和图27的光掩模进行的光配向方法的图。图 30A-30E的光配向方法类似于图29A-29E的光配向方法。
[0179] 也就是说，如图30A和图30C所示，进行下配向层11的第一光配向操作和上配向 层21的第=光配向操作而没有使用光掩模。然而，如图30B所示，第二光配向操作使用图 27的光掩模进行；如图30D所示，第四光配向操作使用图23的光掩模进行。
[0180] 该样，当使用图23和图27的光掩模进行光配向操作时，可W获得如图30E所示的 液晶分子配向，其中第一组G1的循环方向和第二组G2的循环方向彼此相反。根据一示范 性实施例，第一组G1的方位角的绝对值和第二组G2的方位角的绝对值可彼此不同。
[0181] 图31A示出使用图19和21的光掩模进行的光配向方法，其类似于图29A-2犯的 光配向方法。
[0182] 也就是说，如图31A和图31C所示，进行下配向层11的第一光配向操作和上配向 层21的第=光配向操作而没有使用光掩模。然而，如图31B所示，第二光配向操作使用图 21的光掩模进行；如图31D所示，第四光配向操作使用图19的光掩模进行。
[0183] 根据一示范性实施例，当使用图19和图21的光掩模进行光配向操作时，可W获得 如图31E所示的液晶分子配向，其具有从组G1和G2每个的中央向外散开的方向。第一组 G1的方位角的绝对值和第二组G2的方位角的绝对值可彼此不同。
[0184] 图32A-32E示出使用图20和图28的光掩模的光配向方法，其类似于图29的光配 向方法。
[0化5] 也就是说，如图32A和32C所示，进行下配向层11的第一光配向操作和上配向层 21的第=光配向操作而没有使用光掩模。然而，如图32B所示，第二光配向操作使用图20 的光掩模进行；如图32D所示，第四光配向操作使用图28的光掩模进行。
[0186] 根据一示范性实施例，当使用图20和图28的光掩模进行光配向方法时，第一组G1 形成从外向中央配向的集中配向，第二组G2形成散开配向，如图32E所示。在此情形下，第 一组G1的方位角的绝对值和第二组G2的方位角的绝对值可彼此不同。
[0187] 图33A-33E示出使用图18和图23的光掩模的光配向方法，其类似于图27的光配 向方法。
[0188] 也就是说，如图33A和33C所示，进行下配向层11的第一光配向操作和上配向层 21的第=光配向操作而没有使用光掩模。然而，如图33B所示，第二光配向操作使用图18 的光掩模进行；如图33D所示，第四光配向操作使用图23的光掩模进行。
[0189] 根据一示范性实施例，当使用图18和图23的光掩模进行光配向方法时，第一组G1 包括配向为集中型和散开型的部分，第二组G2形成循环型配向，如图33E所示。此外，第一 组G1的方位角的绝对值和第二组G2的方位角的绝对值可彼此不同。
[0190] 图34A-34E示出使用图18和图24的光掩模的光配向方法，其类似于图29的光配 向方法。
[0191] 也就是说，如图34A和34C所示，进行下配向层11的第一光配向操作和上配向层 21的第=光配向操作而没有使用光掩模。然而，如图34B所示，第二光配向操作使用图18 的光掩模进行；如图34D所示，第四光配向操作使用图24的光掩模进行。
[0192] 根据一示范性实施例，当使用图18和图24的光掩模进行光配向方法时，第一组G1 和第二组G2可包括配向为集中型和散开型的部分，如图34E所示。此外，第一组G1的方位 角的绝对值和第二组G2的方位角的绝对值可彼此不同。
[0193] 根据一示范性实施例，关于图29至图34的第一组G1和第二组G2,第一组G1可对 应于图13所示的第一像素电极的下部。根据另一示范性实施例，第一组G1和第二组G2甚 至可应用到第二像素电极19化，并在第一像素电极191a的基础上单独地位于第二像素电 极19化的上部和下部中。
[0194] 根据一示范性实施例，图18至图28的光掩模可根据将要形成的域或像素电极的 划分形状而适当地组合和使用。
[0195] 在一示范性实施例中，当更多样地形成光配向掩模的上述图案时，可W更有效地 防止纹理的形成。
[0196] 图35和图36是示出根据本发明的光掩模的示范性实施例的图。
[0197] 图35的光掩模包括第一透射区域T4、第二透射区域T5和第S透射区域T6。第一、 第二和第=透射区域T4、T5和T6分别具有不同的透射率。
[0198] 在一示范性实施例中，第一透射区域T4的透射率可小于第二透射区域T5的透射 率，第二透射区域T5的透射率可小于第=透射区域T6的透射率。
[0199] 在一示范性实施例中，当第一透射区域T4为具有0%的透射率的遮光区域且第S 透射区域T6为具有约100%的透射率的透射区域时，第二透射区域T5的透射率可W从0% 至约100%。
[0200] 此外，当第二透射区域T5和第=透射区域T6为透反区域时，第=透射区域T6的 透射率可高于第二透射区域T5的透射率。
[0201] 在一示范性实施例中，第一透射区域T4和第二透射区域T5设置为彼此水平地相 邻并水平地将像素一分为二。
[0202] 此外，第=透射区域T6平行于第一透射区域T4和第二透射区域T5定位并设置在 产生纹理的位置处。
[0203] 像图35的光掩模一样，图36的光掩模包括第一透射区域T4、第二透射区域T5和 第=透射区域T6。
[0204] 在一示范性实施例中，第一透射区域T4和第二透射区域T5彼此水平相邻地设置 并将像素水平地一分为二。
[0205] 此外，第=透射区域T6位于第一透射区域T4和第二透射区域T5之间并设置在产 生纹理的位置处。
[0206] 下面，将参照图37至图39详细描述使用图35和图36的光配向掩模的光配向方 法的示范性实施例。
[0207]图37是示出根据本发明形成的像素电极和像素的光配向方向的示范性实施例的 图。
[020引图38A至图38E是用于描述使用图35的光配向掩模的光配向方法的示范性实施 例的图。
[0209] 图39A至图39E是用于描述使用图36的光配向掩模的光配向方法的示范性实施 例的图。
[0210] 参照图12-14和图37,像素电极191包括位于像素电极191的上部和下部中的两 个子像素电极191a和19化。子像素电极191a和19化中的每个包括四个域，四个域的液晶 分子形成循环配向。
[0211] 在一示范性实施例中，纹理可产生在像素电极191的边缘边界线形成的电场配向 的液晶分子配向与域中的液晶分子的配向方向彼此不同的部分中。为了描述方便，该部分 将在下面称为第一纹理区域化1。
[0212] 此外，纹理可产生在两个相邻域的液晶分子配向方向彼此相反的部分中。为了描 述方便，该部分将在下面称为第二纹理区域化2。
[0213] 首先，将参照图38描述使用图35的光掩模减少第一纹理区域的光配向方法的示 范性实施例。具体的，首先，如图38A所示，通过下配向层11的整体曝光对下配向层11的 全部进行初步光配向。用于初步光配向的方法与图1的光配向方法相同。
[0214] 此外，如图38B所示，设置图35的光掩模，然后，沿与初步光配向方向相反的方向 上进行第二光配向。在一示范性实施例中，光掩模的第=透射区域T6设置为对应于第一纹 理区域化1。
[0215] 接着，如图38C所示，对上配向层21进行第S光配向而没有使用光配向掩模。在 一示范性实施例中，光的照射方向垂直于初步光配向方向。
[0216] 此外，图35的光配向掩模设置在上配向层21上，之后，如图38D所示，进行第四光 配向。在一示范性实施例中，光的照射方向与第S光配向方向相反。该样，当使用图35的 光配向掩模进行光配向时，如图37和图38E所示，形成具有不同配向方向的多个域。
[0217] 在一示范性实施例中，当像素被垂直地一分为二时，位于上部中的6个域构成第 S组G3,位于下部的6个域构成第四组G4。第S组G3和第四组G4中的每个形成循环液晶 配向布置。
[0218] 在一示范性实施例中，位于第一纹理区域化1中的液晶分子的配向极角不同于域 De、Df、化和化的液晶分子的配向极角。也就是说，如图15至图17所示，液晶分子沿相反 方向配向的程度根据在初步光配向之后沿相反方向进行第二光配向时照射的光的能量而 变化。
[0219] 在一示范性实施例中，具有最高透射率的第S透射区域T6位于第一纹理区域化1 中W传输比域De、Df、化和化多得多的曝光能量到第一纹理区域化1。因此，位于第一纹 理区域化1中的液晶分子比位于域De、Df、化和化中的液晶分子更倾斜且具有更小的极 角。该样，当第一纹理区域TL1的液晶分子的极角小于域De、Df、化和化的液晶分子的极 角时，可W最小化由于形成在像素电极的边缘处的电场引起的液晶分子配向的崎变。
[0220] 接着，将参照图39A至图3犯描述使用图36的光掩模来减少第二纹理区域的光配 向方法。具体地，首先，如图39A所示，通过整体曝光对下配向层11的全部进行初步光配向。 光配向方法与图1的光配向方法相同。
[0221] 此外，如图39B所示，设置图36的光掩模，然后，在与初步光配向方向相反的方向 上进行第二光配向。在一示范性实施例中，光掩模的第=透射区域T3设置得对应于第二纹 理区域化2。
[0222] 接着，如图39C所示，对上配向层21进行第S光配向而没有使用光配向掩模。在 一示范性实施例中，光的照射方向垂直于初步光配向方向。
[0223] 此外，图36的光掩模设置在上配向层21上，之后，如图39D所示，进行第四光配 向。在一示范性实施例中，光的照射方向与第S光配向方向相反。该样，当使用图36的光 配向掩模进行光配向时，如图37和图39E所示，在其上部和下部中形成具有循环配向的多 个域。
[0224] 在一示范性实施例中，位于第二纹理区域化2中的液晶分子具有与位于第二纹理 区域TL2周围右侧处的域化和化相同的方位角。然而，位于第二纹理区域化2中的液晶 分子的极角可小于位于右侧的域化和化的液晶分子的极角，并可与位于左侧的域De和Df 的液晶分子的极角相同，液晶分子的配向方向可W与域De和Df的液晶分子的配向方向相 反。
[0225] 在一示范性实施例中，尽管曝光能量通过使光掩模的透射率多样化而改变，但是 在下文将参照图40至图42详细描述仅通过遮光区域和透射区域使曝光能量多样化的方 法。
[0226] 图40和图41是示出根据本发明的光掩模的示范性实施例的图。
[0227] 图40和图41所示的光掩模包括第四透射区域T7、第五透射区域T8、第六透射区 域T9和第走透射区域T10,其每个由遮光区域和透射区域构成。
[022引第四透射区域T7仅由具有0%的透射率的遮光区域形成，第走透射区域T10仅由 具有约100%的透射率的透射区域形成。
[0229] 此外，第五透射区域T8和第六透射区域T9都包括透射区域和遮光区域，并在透射 区域和遮光区域的尺寸上彼此相反。在一示范性实施例中，第五透射区域T8的遮光区域的 尺寸与第六透射区域T9的透射区域的尺寸相同，第五透射区域T8的透射区域的尺寸与第 六透射区域T9的遮光区域的尺寸相同。因此，图40和图41的光掩模关于将光掩模水平地 一分为二的虚拟垂直中屯、线彼此反对称。该样，光配向中的曝光能量可通过改变透射区域 的尺寸而多样化，如将参照图42和上述图40详细描述的那样。
[0230] 图42是用于描述根据本发明的光配向方法的示范性实施例的图。
[0231] 参照图42,首先，图40的光掩模MP固定到上配向层或下配向层上。此外，在沿箭 头方向移动配向层111的同时进行光配向。 悦3引在一示范性实施例中，配向层111可被固定，光掩模MP可被移动。该样，对应于透 射区域T8的配向层在经过透射区域T8的同时被光曝光。在一示范性实施例中，由于配向 层111被光曝光的时间和面积根据透射区域T8的宽度而变化，所W传输到配向层111的能 量也改变。在一示范性实施例中，透射区域的宽度对应于透射区域在配向层111的移动方 向上的长度。
[0233] 因而，曝光可通过使透射区域T8的尺寸多样化而W各种能量进行，结果，可W形 成具有各种极角和方位角的域。
[0234] 如在本发明一示范性实施例中所述，光配向掩模通过各种方法组合W将液晶分子 沿各种方向排列。该样，当光配向不同地形成时，可W改善液晶显示器的可视性和透射率。 此外，当在驱动每个像素时产生的离子集中在任意一点时，会发生残影等，但是如在本发明 一示范性实施例中描述的那样，通过将液晶配向在各种方向上，可W防止像素中的离子集 中在任意一个方向上。因此，因为不发生由于离子引起的残影，所W可W改善像素的响应速 度。
[02巧]根据本发明示范性实施例，由于使用掩模的次数可通过进行根据本发明的光配向 方法而减少，所W可W减少用于对准掩模的工艺时间。此外，由于能够减小用于对准重复使 用的掩模的对准裕度，所W可W设计没有失准的掩模。此外，由于不产生由于失准引起的不 期望区域，所W可W最小化透射率的减小。
[0236] 此外，由于使用包括透反区域的光掩模能够获得各种方向的液晶配向，所W改善 了液晶显示器的可视性和透射率并减少了残影。
[0237] 尽管已经结合目前认为实用的示范性实施例描述了本发明，但是将理解，本发明 不限于所公开的实施例，而是相反地，本发明旨在覆盖包括在所附权利要求书的精神和范 围内的各种修改和等同布置。
【主权项】
1. 一种液晶显示器，包括： 彼此面对的第一基板和第二基板； 第一配向层和第二配向层，分别形成在所述第一基板和所述第二基板上；以及 液晶层，形成在所述第一基板与所述第二基板之间且包括液晶分子， 其中所述第一配向层和所述第二配向层通过光配向操作来被光配向， 所述第一配向层和所述第二配向层每个包括在所述光配向操作期间具有不同光照射 量的第一照射区和第二照射区，且 位于所述第一照射区中的液晶层的液晶分子的配向方向不同于位于所述第二照射区 中的液晶层的液晶分子的配向方向。2. 如权利要求1所述的液晶显示器，其中： 位于所述第一照射区和所述第二照射区中的液晶分子的配向极角的绝对值彼此相同 或彼此不同，所述配向方向彼此相反。3. 如权利要求1所述的液晶显示器，其中： 所述第一配向层的光照射方向设置为垂直于所述第二配向层的光照射方向，且 所述液晶层的液晶分子形成具有不同的液晶分子配向极角的至少四个区域。4. 如权利要求3所述的液晶显示器，其中： 所述至少四个区域中的每个为以下中的至少之一：循环型，其中所述液晶分子的配向 方向是循环的；集中型，其中所述液晶分子的配向方向面向所述第一配向层或所述第二配 向层的中央；散开型，其中所述液晶分子的配向方向面向所述第一配向层或所述第二配向 层的边缘；以及混合型，包括前述类型的任意组合。5. 如权利要求1所述的液晶显示器，其中： 所述第一配向层和所述第二配向层每个包括肉桂酸酯。6. 如权利要求5所述的液晶显示器，其中： 所述第一配向层和所述第二配向层还包括苯，且 所述第一配向层和所述第二配向层的肉桂酸酯和苯的比例C/B在0〈C/B〈0. 5的范围。7. 如权利要求1所述的液晶显示器，还包括： 第三照射区，位于所述第一照射区和所述第二照射区之间， 其中所述第三照射区的极角小于所述第一照射区和所述第二照射区的极角。8. 如权利要求1所述的液晶显示器，还包括： 第三照射区，位于所述第一照射区和所述第二照射区的边缘处， 其中所述第三照射区的极角小于所述第一照射区和所述第二照射区的极角。
【专利摘要】本发明提供光配向方法和液晶显示器。该光配向方法包括：沿第一方向照射光到第一配向层；以及在设置第一掩模于所述第一配向层上之后，沿与所述第一方向相反的第二方向照射光。
【IPC分类】G02F1/1337
【公开号】CN104880861
【申请号】CN201510289962
【发明人】姜锡训, 全栢均, 李准宇, 金兑昊, 金性耳, 赵秀连
【申请人】三星显示有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2011年8月3日
【公告号】CN102375266A, US8767154, US20120038872, US20140285759