阵列基板及其制作方法、液晶面板的制作方法

阵列基板及其制作方法、液晶面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于液晶显示技术领域，具体地讲，涉及一种阵列基板及其制作方法、液晶面板。
【背景技术】
[0002]现有的液晶面板包括:对盒设置的彩色滤光片(CF)基板和薄膜晶体管阵列(Array)基板，以及夹设在这两个基板之间的液晶层。
[0003]CF基板与阵列基板之间的间隔距离主要依靠设置在这两个基板之间的间隔体(Photo Spacer，简称PS)来支撑控制。而PS又分为两种:一种为主间隔体(Main PS)，其起主要的支撑作用；另一种为副间隔体(Sub PS)，其在Main PS被压缩后起支撑作用。
[0004]在PS的传统制作过程中，需要两道光罩(Mask)来实现，即需要两次制程来完成制作，这样使得制作时间较长，同时使得制作成本提高。

【发明内容】

[0005]为了解决上述现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种阵列基板，其包括:第一基板；设置在所述第一基板上的金属层；覆盖所述金属层的第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层中具有过孔，所述过孔露出所述金属层；设置在所述第二绝缘层上的导电层，其中，所述导电层通过所述过孔与所述金属层接触；设置在所述导电层上且分别位于所述第二绝缘层的非过孔区域上和所述过孔中的间隔体。
[0006]进一步地，所述阵列基板还包括:设置在所述金属层与所述第一基板之间的第一绝缘层。
[0007]进一步地，通过调节所述过孔的大小或者所述第二绝缘层的厚度，以调整位于所述非过孔区域上的间隔体与位于所述过孔中的间隔体之间的高度差。
[0008]本发明还提供了一种液晶面板，包括相对设置的彩色滤光片基板及阵列基板，其中，所述阵列基板包括:第一基板；设置在所述第一基板上的金属层；覆盖所述金属层的第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层中具有过孔，所述过孔露出所述金属层；设置在所述第二绝缘层上的导电层，其中，所述导电层通过所述过孔与所述金属层接触；设置在所述导电层上且分别位于所述第二绝缘层的非过孔区域上和所述过孔中的间隔体，其中，位于所述非过孔区域上的间隔体接触所述彩色滤光片基板。
[0009]进一步地，所述彩色滤光片基板包括:第二基板；设置在所述第二基板上的黑色矩阵；设置在所述第二基板上且与所述黑色矩阵间隔的彩色光阻；设置在所述彩色光阻上的第三绝缘层，其中，位于所述非过孔区域上的间隔体接触与所述第三绝缘层接触。
[0010]本发明的又一目的又在于提供一种阵列基板的制作方法，其包括:在第一基板上形成金属层；形成覆盖所述金属层的第二绝缘层；在所述第二绝缘层中形成过孔，其中，所述过孔露出所述金属层；在所述第二绝缘层上形成导电层，其中，所述导电层通过所述过孔与所述金属层接触；同时在所述导电层上形成分别位于所述第二绝缘层的非过孔区域和所述过孔中的间隔体。
[0011 ] 进一步地，在第一基板上形成金属层之前，在第一基板上形成第一绝缘层。
[0012]本发明的有益效果:在本发明中，位于第二绝缘层的非过孔区域之上的间隔体和位于过孔中的间隔体可利用一道光罩(Mask)同时形成，即需要一次制程来制作形成，相比现有技术，能够节省了一道光罩及一次制程，减少制作时间提高效率的同时，降低了制作成本。
【附图说明】
[0013]通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中:
[0014]图1是根据本发明的实施例的液晶面板的侧视示意图；
[0015]图2A至图2F是根据本发明的实施例的阵列基板的制作方法的流程图。
【具体实施方式】
[0016]以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，为了清楚器件，夸大了层和区域的厚度，相同的标号在整个说明书和附图中可用来表示相同的元件。
[0017]将理解的是，在一层或元件被称为位于、设置在或形成在另一层或基板“上”时，它可以直接、设置于或形成在位于该另一层或基板上，或者也可以存在中间层。
[0018]图1是根据本发明的实施例的液晶面板的侧视示意图。
[0019]参照图1，根据本发明的实施例的液晶面板包括:薄膜晶体管阵列(Thin FilmTransistor Array)基板(以下简称阵列基板)10、彩色滤光片(Color Filter)基板(以下简称CF基板)20、液晶层30 ;其中，阵列基板10和CF基板20对盒设置，液晶层30夹设在这两个基板之间。
[0020]根据本发明的实施例的阵列基板10包括:第一基板11、第一绝缘层12、金属层13、第二绝缘层14、导电层15、两个间隔体(PS) 16。此外，根据本发明的实施例的阵列基板10还可包括其他合适类型的器件，由于这些器件并不是本发明的主要针对点，因此为了避免赘述，在此不再描述，本领域的技术人员可参照现有技术来获得阵列基板10的其他相关器件结构。
[0021]在本实施例中，第一基板11为透明玻璃基板，但本发明不限制于此，例如，第一基板11也可以是透明树脂基板。
[0022]第一绝缘层12设置在第一基板11上。在本实施例中，第一绝缘层12直接设置在第一基板11上。在本实施例中，第一绝缘层可采用氮化硅形成，但本发明并不限制于此。
[0023]在本实施例中，金属层13直接设置在第一绝缘层12上，即金属层13间接设置在第一基板11上。但本发明并不限制于此，例如，第一绝缘层12可以省略，这样金属层13直接设置在第一基板11上。
[0024]第二绝缘层14直接设置在第一绝缘层12上并覆盖金属层13，其可作为平坦层。在本实施例中，第二绝缘层14采用有机绝缘材料形成，但本发明并不限制于此。第二绝缘层14中具有过孔141，该过孔141将金属层13露出。
[0025]导电层15直接设置在第二绝缘层14上，并且导电层15通过过孔141接触金属层13。在本实施例中，导电层15采用氧化铟锡材料，但本发明并不限制于此。
[0026]两个间隔体16直接设置在导电层15上。两个间隔体16之一位于第二绝缘层14的非过孔区域之上，其中，两个间隔体16之一为主间隔体(Main PS);两个间隔体16之另一位于过孔141中，其中，两个间隔体16之另一为副间隔体(Sub PS)。在本发明中，不以图1所示的间隔体16的数量为限，其可为任意数量。
[0027]根据本发明的实施例的阵列基板10，其位于第二绝缘层14的非过孔区域之上的间隔体16和位于过孔141中的间隔体16可利用一道光罩(Mask)同时形成，即需要一次制程来制作形成，相比现有技术，能够节省了一道光罩及一次制程，减少制作时间提高效率的同时，降低了制作成本。
[0028]根据本发明的实施例的CF基板20包括:第二基板21、黑色矩阵22、彩色光阻23、
第三绝缘层24。
[0029]在本实施例中，第二基板21为透明玻璃基板，但本发明不限制于此，例如，第二基板21也可以是透明树脂基板。
[0030]黑色矩阵22设置在第二基板21上。在本实施例中，黑色矩阵22可利用由铬等金属形成的金属层图案化形成，但本发明并不限制于此。
[0031]彩色光阻23可例如是红色(R)光阻、绿色(G)光阻、蓝色(B)光阻。彩色光祖23设置在第二基板21上且与黑色矩阵22间隔。[0032]第三绝缘层24设置在彩色光阻23上，其可作为平坦层。在本实施例中，第三绝缘层24采用有机绝缘材料形成，但本发明并不限制于此。
[0033]在阵列基板10与CF基板20对盒设置之后，位于第二绝缘层14的非过孔区域之上的间隔体16与第三绝缘层24接触，即位于第二绝缘层14的非过孔区域之上的间隔体16在阵列基板10与CF基板20之间起主要支撑作用。当位于第二绝缘层14的非过孔区域之上的间隔体16被压缩之后，位于过孔141中的间隔体16起支撑作用。
[0034]图2A至图2F是根据本发明的实施例的阵列基板的制作方法的流程图。
[0035]参照图2A，在第一基板11上形成第一绝缘层12。这里，可利用气相沉积方法在第一基板11上沉积氮化硅膜层，以形成第一绝缘层12。
[0036]参照图2B，在第一绝缘层12上形成金属层13。这里，可利用溅射方法在第一绝缘层12上沉积金属膜层，而后对金属膜层进行图案化处理，以形成金属层13。
[0037]参照图2C，在第一绝缘层12上形成覆盖金属层13的第二绝缘层14。这里，可利用气相沉积方法在第一绝缘层12上沉积覆盖金属层13的有机绝缘材料膜层，以形成第二绝缘层14。
[0038]参照图2D，在第二绝缘层14中形成过孔141，该过孔141露出金属层13。这里，可采用光刻工艺在第二绝缘层14中形成过孔141。
[0039]参照图2E，在第二绝缘层14上形成导电层15，其中，导电层15通过过孔141与金属层13接触。这里，可采用气相沉积或者溅射工艺在第二绝缘层14上沉积氧化铟锡薄膜层，从而形成导电层15。
[0040]参照图2F，同时在导电层15上形成分别位于第二绝缘层14的非过孔区域上和过孔141中的间隔体16。这里，可利用一道光罩同时在导电层15上形成分别位于第二绝缘层14的非过孔区域和过孔141中的间隔体16，相比与现有技术，能够节省一道光罩及一次制程，减少制作时间提高效率的同时，降低了制作成本。
[0041]在形成过程中，在过孔141中的间隔体16由于其在过孔141中的塌陷，其会与位于第二绝缘层14的非过孔区域上的间隔体16产生高度差，从而使位于第二绝缘层14的非过孔区域上的间隔体16作为主间隔体，而位于过孔141中的间隔体16作为副间隔体。
[0042]此外，在本发明中，图2A所示的工艺可省略，即直接在第一基板11上形成金属层13ο
[0043]在本发明的实施例中，可通过调节过孔141的大小或者第二绝缘层14的厚度来调整位于第二绝缘层14的非过孔区域上的间隔体16和位于过孔141中的间隔体16 二者之间的高度差。
[0044]虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解:在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可在此进行形式和细节上的各种变化。
【主权项】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括: 第一基板(11); 设置在所述第一基板(11)上的金属层(13); 覆盖所述金属层(13)的第二绝缘层(14)，其中，所述第二绝缘层(14)中具有过孔(141)，所述过孔(141)露出所述金属层(13); 设置在所述第二绝缘层(14)上的导电层(15)，其中，所述导电层(15)通过所述过孔(141)与所述金属层(13)接触； 设置在所述导电层(15)上且分别位于所述第二绝缘层(14)的非过孔区域上和所述过孔(141)中的间隔体(16) ο2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括:设置在所述金属层(13)与所述第一基板(11)之间的第一绝缘层(12)。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，通过调节所述过孔(141)的大小或者所述第二绝缘层(14)的厚度，以调整位于所述非过孔区域上的间隔体(16)与位于所述过孔(141)中的间隔体(16)之间的高度差。4.一种液晶面板，包括相对设置的彩色滤光片基板(20)及阵列基板(10)，其特征在于，所述阵列基板(10)包括: 第一基板(11); 设置在所述第一基板(11)上的金属层(13); 覆盖所述金属层(13)的第二绝缘层(14)，其中，所述第二绝缘层(14)中具有过孔(141)，所述过孔(141)露出所述金属层(13); 设置在所述第二绝缘层(14)上的导电层(15)，其中，所述导电层(15)通过所述过孔(141)与所述金属层(13)接触； 设置在所述导电层(15)上且分别位于所述第二绝缘层(14)的非过孔区域上和所述过孔(141)中的间隔体(16)，其中，位于所述非过孔区域上的间隔体(16)接触所述彩色滤光片基板(20)。5.根据权利要求4所述的液晶面板，其特征在于，所述阵列基板(10)还包括:设置在所述金属层(13)与所述第一基板(11)之间的第一绝缘层(12)。6.根据权利要求4所述的液晶面板，其特征在于，通过调节所述过孔(141)的大小或者所述第二绝缘层(14)的厚度，以调整位于所述非过孔区域上的间隔体(16)与位于所述过孔(141)中的间隔体(16)之间的高度差。7.根据权利要求4至6任一项所述的液晶面板，其特征在于，所述彩色滤光片基板(20)包括: 第二基板(21)； 设置在所述第二基板(21)上的黑色矩阵(22); 设置在所述第二基板(21)上且与所述黑色矩阵(22)间隔的彩色光阻(23); 设置在所述彩色光阻(23)上的第三绝缘层(24)，其中，位于所述非过孔区域上的间隔体(16)与所述第三绝缘层(24)接触。8.—种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在第一基板(11)上形成金属层(13); 形成覆盖所述金属层(13)的第二绝缘层(14); 在所述第二绝缘层(14)中形成过孔(141)，其中，所述过孔(141)露出所述金属层(13)； 在所述第二绝缘层(14)上形成导电层(15)，其中，所述导电层(15)通过所述过孔(141)与所述金属层(13)接触； 同时在所述导电层(15)上形成分别位于所述第二绝缘层(14)的非过孔区域和所述过孔(141)中的间隔体(16) ο9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在第一基板(11)上形成金属层(13)之前，在第一基板(11)上形成第一绝缘层(12)。10.根据权利要求8或9所述的制作方法，其特征在于，通过调节所述过孔(141)的大小或者所述第二绝缘层(14)的厚度，以调整位于所述非过孔区域上的间隔体(16)与位于所述过孔(141)中的间隔体(16)之间的高度差。
【专利摘要】本发明公开一种阵列基板，其包括：第一基板(11)；设置在第一基板(11)上的金属层(13)；覆盖金属层(13)的第二绝缘层(14)，其中，第二绝缘层(14)中具有露出金属层(13)的过孔(141)；设置在第二绝缘层(14)上的且通过过孔(141)与金属层(13)接触的导电层(15)；设置在导电层(15)上且分别位于第二绝缘层(14)的非过孔区域上和过孔(141)中的间隔体(16)。本发明还公开一种该阵列基板的制作方法及具有该阵列基板的液晶面板。在本发明中，分别位于非过孔区域上和过孔中的间隔体利用一道光罩同时形成，只需一次制程来完成，相比现有技术，能够节省了一道光罩及一次制程，减少制作时间提高效率的同时，降低了制作成本。
【IPC分类】G02F1/1339, G02F1/1362
【公开号】CN104880865
【申请号】CN201510344529
【发明人】李亚锋, 陈彩琴
【申请人】武汉华星光电技术有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年6月19日