一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别系统的制作方法

一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种图像识别系统，具体是指一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别系统。
【背景技术】
[0002]为了鉴别使用者身份，或者为了安全考虑在某些场合下使用监测系统是当前安全保障的一个通常做法。传统的做法是将监测系统设置密码，该密码只有特定人员知道。然而，如果密码外泄，其他使用者就可以进行该系统，同样会使安全性降低。人的一些体征是无法复制的，所以以人的体征、指纹或者人脸作为判断使用者身份的生物识别系统发展很快。
[0003]其中，人脸识别技术作为生物识别领域的一个热点问题，很多研宄机构和公司都在积极的进行研宄和相应的产品开发，并且已经研宄出了多种人脸识别算法。使用人脸识别算法进行人脸识别从而进行身份判断的准确率极高，很多产品都能达到90%以上的识别率。但是目前各种算法的产品都不能完全适应光照的变化，也就是说当环境光照变化后会造成识别率降低。国际权威测试(FRVT2002)表明，光照的变化将识别率从97%以上降低到50%左右。为了解决上述问题，出现了一种新的处理方法，即采用红外成像原理对被识别目标进行图像信号采集，由此则可以提高图像采集的精度。然而即使所采集到的图像精度高，但是图像信号在传输的过程中，不可避免的会受到噪声的干扰。因此，如何恢复原始图像，避免图像在识别过程中出像误识别则是人们所急需解决的。

【发明内容】

[0004]本发明的目的在于克服目前传统的图像识别系统其图像信号在传输的过程中，容易受到噪声的干扰的缺陷，提供一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别系统。
[0005]本发明的目的通过下述技术方案实现:一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别系统，其由红外成像系统，与红外成像系统相连接的图像识别系统组成；所述的红外成像系统由红外光源，与红外光源相连接的光学系统，与光学系统相连接的扫描机构，与扫描机构相连接的红外探测器，与红外探测器相连接的图像采集模块，以及与图像采集模块相连接的前置放大电路组成；而所述的图像识别系统则由中央处理模块，与中央处理模块相连接的图像处理系统、显示器、报警器以及存储器组成，为了达到本发明的目的，所述的图像识别系统还设置有降噪模块，该降噪模块与图像处理系统相连接。
[0006]进一步的，所述的降噪模块由放大器P1，放大器P2，三极管Q6，三极管Q7，三极管Q8，场效应管MOS2，与非门IC1，与非门IC2，N极与放大器Pl的输出端相连接、P极则经电阻R20后与与非门ICl的第二输入端相连接的同时接地的二极管D5，一端与与非门ICl的第一输入端相连接、另一端则经电容C17后与与非门IC2的输出端相连接的电阻R21，一端与与非门ICl的输出端相连接、另一端则与电阻R21和电容C17的连接点相连接的电阻R22，以及串接在三极管Q7的发射极和集电极之间的电阻R23组成；所述放大器Pl的负极接地、其正极则作为该降噪模块的输入端、其输出端则与三极管Q6的发射极相连接；所述的三极管Q7的基极与三极管Q6的基极相连接、其集电极则与三极管Q6的集电极相连接、其发射极则与场效应管M0S2的漏极相连接；所述场效应管M0S2的漏极与放大器P2的负极相连接、其栅极则与放大器P2的输出端相连接、其源极则与三极管Q8的发射极相连接；所述放大器P2的负极则作为该降噪模块的输出端、其正极接地；所述三极管Q8的基极与电阻R21和电容C17的连接点相连接、其集电极则接地；所述与非门IC2的第二输入端接地、其第一输入端则与与非门ICl的输出端相连接。
[0007]所述的前置放大电路则由放大芯片Ul，三极管Q5，场效应管MOSl，负极经电阻R17后与放大芯片Ul的IN管脚相连接、正极则作为该前置放大电路的输入端的电容C14，正极与电容C14的负极相连接、负极则顺次经二极管D3和电阻R18后与放大芯片Ul的VCC管脚相连接的电容C15，正极经电阻R15后与放大芯片Ul的NF管脚相连接、负极则经电阻R19后与场效应管MOSl的源极相连接的电容C13，一端与放大芯片Ul的NF管脚相连接、另一端则与放大芯片Ul的GND管脚相连接的同时接地的电阻R16，正极与放大芯片Ul的NSC管脚相连接、负极则与三极管Q5的发射极相连接的电容C16，以及N极与三极管Q5的发射极极相连接、P极则与场效应管MOSl的漏极相连接的二极管D4组成；所述三极管Q5的基极与放大芯片Ul的OUT管脚相连接、其发射极接地、其集电极则与放大芯片Ul的ALC管脚相连接；所述场效应管MOSl的栅极则与三极管Q5的集电极相连接；所述三极管Q5的发射极还作为该前置放大电路的的输出端。
[0008]所述的图像处理系统则由信号输入电路，与信号输入电路相连接的信号处理电路，以及与信号处理电路相连接的触发电路和调谐电路组成。
[0009]所述的信号输入电路由三极管Q1，一端与三极管Ql的基极相连接、另一端则顺次经电阻R2和电阻Rl后与三极管Ql的发射极相连接的电阻R3，正极与三极管Ql的发射极相连接、负极接地的电容Cl，以及正极与三极管Ql的集电极相连接、负极则与信号处理电路相连接的同时接地的电容C2组成；所述的三极管Ql的发射极与信号处理电路相连接。
[0010]所述的信号处理电路由处理芯片U，P极与处理芯片U的SWl管脚相连接、N极则经电容C3后接地的二极管D1，一端与二极管Dl的N极相连接、另一端则经电阻R5后与处理芯片U的GND管脚相连接的同时接地的电阻R4，正极与处理芯片U的CTRL管脚相连接、负极接地的电容C4，一端与处理芯片U的CTRL管脚相连接、另一端则经电容C5后接地的电阻R6，正极与处理芯片U的SS管脚相连接、负极则与触发电路相连接的电容C6，以及一端与处理芯片U的PGOOD管脚相连接、另一端则与调谐电路相连接的电阻R7组成；所述处理芯片U的VIN管脚与三极管Ql的发射极相连接、其FB管脚则与电阻R4和电阻R5的连接点相连接、其CTRL管脚则与电容C2的负极相连接、其SHDN管脚则与触发电路相连接。
[0011]所述的触发电路由触发芯片K，三极管Q4，一端与三极管Q4的基极相连接、另一端则与触发芯片K的OUT管脚相连接的电阻R12，一端与三极管Q4的发射极相连接、另一端则经电容C12后与触发芯片K的GND管脚相连接的电阻R14，以及一端与触发芯片K的LX管脚相连接、另一端则经电容Cll后与触发芯片K的FB管脚相连接的电阻R13组成；所述触发芯片K的IN管脚与处理芯片U的SHDN管脚相连接、其EN管脚则与电容C6的负极相连接、其GND管脚接地；所述三极管Q4的集电极则与调谐电路相连接。
[0012]所述的调谐电路由三极管Q2，三极管Q3，N极顺次经电感LI和电阻R8后与三极管Q2的集电极相连接、P极则经电容C8后与三极管Q3的发射极相连接的变容二极管D2，一端与变容二极管D2的P极相连接、另一端则接-15V电压的电阻R11，正极与变容二极管D2的P极相连接、负极则与三极管Q4的集电极相连接的电容C9，正极与三极管Q3的发射极相连接、负极则接地的可调电容C10，一端与三极管Q2的发射极相连接、另一端则经电阻R9后接+15V电压的电感L2，正极与电感L2和电阻R9的连接点相连接、负极接地的电容C7，以及一端与电容C7的正极相连接、另一端则与三极管Q3的基极相连接的电阻RlO组成；所述三极管Q2的基极经电阻R7后与处理芯片U的PGOOD管脚相连接，而三极管Q3的集电极则接地。
[0013]为了确保效果，所述的处理芯片U优选为LT1942集成电路，而触发芯片K则优选为EMD2050集成电路，放大芯片Ul则优选为MC2830集成电路来实现。
[0014]本发明较现有技术相比，具有以下优点及有益效果:
[0015](I)本发明能够大量抑制自然光中的可见成分，适应夜间、白天，侧、逆、正光等多变环境的使用，大大提高了本发明的应用场合。
[0016](2)本发明采用红外成像原理对目标进行捕获，因此其不易受到外界因素干扰，且获取的信息丰富，在很大程度上提高了图像识别系统的精确度。
[0017](3)本发明的成像距离较传统的图像采集器要远，如本发明应用于门禁系统中时，被识别对像则不需把脸靠得很近即可进行人脸图像采集，使识别过程更加清洁、卫生。
[0018](4)本发明识别速度快，符合目前人们的快节奏生活的需求。
[0019](5)本发明设置有前置放大电路，其可以不失真的对图像信号进行放大，放大后的图像更加清晰，进一步的提升了本发明的识别精度。
[0020](6)本发明设置有降噪模块，其可以过滤掉图像信号在传输过程中所出现的干扰噪声，使图像信号恢复到原始的效果。
【附图说明】
[0021]图1为本发明的整体结构示意图 。
[0022]图2为本发明的图像处理系统电路结构示意图。
[0023]图3为本发明的前置放大电路结构示意图。
[0024]图4为本发明的降噪模块电路结构示意图。
【具体实施方式】
[0025]下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0026]实施例
[0027]如图1所示，本发明由红外成像系统1，与红外成像系统I相连接的图像识别系统2组成。该红外成像系统I用于对被识别物体的图像信号进行采集，其由红外光源11，与红外光源11相连接的光学系统12，与光学系统12相连接的扫描机构13，与扫描机构13相连接的红外探测器14，与红外探测器14相连接的图像采集模块15，以及与图像采集模块15相连接的前置放大电路16组成。
[0028]其中，红外光源11用于发出近红外光，该近红外光为狭窄的光束，其可以使被识别目标在视场中突现出来，使其与背景形成大反差，从而可以获得较为清晰的图像，使本发明可以应用于夜间环境。当红外光照射到被识别目标时，被识别目标会对红外光进行反射，而该红外光再经光学系统12进行光学滤波。而扫描机构13则对光学滤波后的红外光进行收集，并输送给红外探测器14。该红外探测器14则用于把红外辐射信号转变成电信号输出，而图像采集模块15则用于将人眼不可见的信号转变成相应的数字图像。前置放大电路16则用于对数字图像进行不失真的放大，并输送给图像识别系统2。
[0029]该红外光源I采用现有的红外发光二极管来实现，而红外探测器14则优先采用广州市艾礼富电子科技有限公司生产的WS-600HW型红外探测器来实现，该型号的红外探测器的工作温度范围为-10°C?+50°C，且探测距离远。而光学系统12和扫描机构13以及图像采集模块15则均采用现有的技术即可实现。
[0030]图像识别系统2则用于对该红外成像系统I所采集到的图像进行识别。其由中央处理模块21，与中央处理模块21相连接的图像处理系统22、显示器23、报警器24、存储器25，以及与图像处理系统22相连接的降噪模块26组成。
[0031]其中，中央处理模块21作为该图像识别系统2的控制中心，其采用现有的单片机来实现。显示器23则用于显示被识别目标的图像，而存储器25则用于预先储存被测目标的图像。当图像识别系统2接收到被测目标的实时图像时，存储器25则会把该图像与其内部预先储存的被测目标图像进行对比，如果对比不成功，存储器25则会发出信号给中央处理模块21，让其启动报警器24进行报警。而图像处理系统22则用于对数据图像进行处理，使图像更加清晰。因图像信号在传输的过程中容易受到噪声的干扰，而降噪模块26则可以过滤掉干扰噪声，使图像信号恢复到原始的效果。
[0032]如图2所示，该图像处理系统22则由信号输入电路，与信号输入电路相连接的信号处理电路，以及与信号处理电路相连接的触发电路和调谐电路组成。
[0033]其中，信号输入电路由三极管Q1，一端与三极管Ql的基极相连接、另一端则顺次经电阻R2和电阻Rl后与三极管Ql的发射极相连接的电阻R3，正极与三极管Ql的发射极相连接、负极接地的电容Cl，以及正极与三极管Ql的集电极相连接、负极则与信号处理电路相连接的同时接地的电容C2组成。所述的三极管Ql的发射极与信号处理电路相连接。
[0034]而信号处理电路由处理芯片U，电阻R4，电阻R5，电阻R6，电阻R7，电容C3，电容C4，电容C5，电容C6以及二极管Dl组成。
[0035]连接时，该二极管Dl的P极与处理芯片U的SWl管脚相连接、其N极则经电容C3后接地，电阻R4的一端与二极管Dl的N极相连接、其另一端则经电阻R5后与处理芯片U的GND管脚相连接的同时接地，电容C4的正极与处理芯片U的CTRL管脚相连接、其负极接地，电阻R6的一端与处理芯片U的CTRL管脚相连接、其另一端则经电容C5后接地，电容C6的正极与处理芯片U的SS管脚相连接、其负极则与触发电路相连接，电阻R7的一端与处理芯片U的PGOOD管脚相连接、其另一端则与调谐电路相连接。
[0036]同时，所述处理芯片U的VIN管脚与三极管Ql的发射极相连接、其FB管脚则与电阻R4和电阻R5的连接点相连接、其CTRL管脚则与电容C2的负极相连接、其SHDN管脚则与触发电路相连接。为了确保实施效果，该处理芯片U优先采用LT1942集成电路来实现。
[0037]触发电路则由触发芯片K，三极管Q4，电阻R12，电阻R13，电阻R14，电容Cll以及电容C12组成。连接时，该电阻R12的一端与三极管Q4的基极相连接、其另一端则与触发芯片K的OUT管脚相连接，电阻R14的一端与三极管Q4的发射极相连接、其另一端则经电容C12后与触发芯片K的GND管脚相连接，电阻R13的一端与触发芯片K的LX管脚相连接、其另一端则经电容Cll后与触发芯片K的FB管脚相连接。所述触发芯片K的IN管脚与处理芯片U的SHDN管脚相连接、其EN管脚则与电容C6的负极相连接、其GND管脚接地；所述三极管Q4的集电极则与调谐电路相连接。为了更好的实施本发明，该触发芯片K优选为EMD2050集成电路来实现。
[0038]调谐电路可以使图像更加稳定，利于本发明对图像进行识别，其由三极管Q2，三极管Q3，N极顺次经电感LI和电阻R8后与三极管Q2的集电极相连接、P极则经电容C8后与三极管Q3的发射极相连接的变容二极管D2，一端与变容二极管D2的P极相连接、另一端则接-15V电压的电阻R11，正极与变容二极管D2的P极相连接、负极则与三极管Q4的集电极相连接的电容C9，正极与三极管Q3的发射极相连接、负极则接地的可调电容C10，一端与三极管Q2的发射极相连接、另一端则经电阻R9后接+15V电压的电感L2，正极与电感L2和电阻R9的连接点相连接、负极接地的电容C7，以及一端与电容C7的正极相连接、另一端则与三极管Q3的基极相连接的电阻RlO组成。所述三极管Q2的基极经电阻R7后与处理芯片U的PGOOD管脚相连接，而三极管Q3的集电极则接地。
[0039]如图3所示，该前置放大电路16由放大芯片U1，三极管Q5，场效应管M0S1，电阻R15，电阻R16，电阻R17，电阻R18，电阻R19，电容C13，电容C14，电容C15，电容C16，二极管D3以及二极管D4组成。
[0040]连接时，电容C14的负极经电阻R17后与放大芯片Ul的IN管脚相连接、其正极则作为该前置放大电路16的输入端，电容C15的正极与电容C14的负极相连接、其负极则顺次经二极管D3和电阻R18后与放大芯片Ul的VCC管脚相连接，电容C13的正极经电阻R15后与放大芯片Ul的NF管脚相连接、其负极则经电阻R19后与场效应管MOSl的源极相连接，电阻R16的一端与放大芯片Ul的NF管脚相连接、其另一端则与放大芯片Ul的GND管脚相连接的同时接地，电容C16的正极与放大芯片Ul的NSC管脚相连接、其负极则与三极管Q5的发射极相连接，二极管D4的N极与三极管Q5的发射极极相连接、其P极则与场效应管MOSl的漏极相连接。
[0041]所述三极管Q5的基极与放大芯片Ul的OUT管脚相连接、其发射极接地、其集电极则与放大芯片Ul的ALC管脚相连接。所述场效应管MOSl的栅极则与三极管Q5的集电极相连接。所述三极管Q5的发射极还作为该前置放大电路的16的输出端。
[0042]当图像信号输送进来后经放大芯片U1、电阻R17以及电阻R16所组成的放大器进行放大，放大后的图像信号由三极管Q5、二极管D4以及MOSl所构成的信号锁频电路进行处理，从而使该前置放大电路所输出的图像信号更加清晰。而电容C13和电容C14则可以压制波动电压，避免波动电压对图像信号造成影响。为了达到更好的实施效果，该放大芯片Ul优选为MC2830集成电路来实现。
[0043]降噪模块26则为本发明的重点所在，如图4所示，其由放大器Pl，放大器P2，三极管Q6，三极管Q7，三极管Q8，场效应管M0S2，与非门ICl，与非门IC2，电阻R20，电阻R21，电阻R22，电阻R23，电容C17以及二极管D5组成。
[0044]连接时，该二极管D5的N极与放大器Pl的输出端相连接、其P极则经电阻R20后与与非门ICl的第二输入端相连接的同时接地，电阻R21的一端与与非门ICl的第一输入端相连接、其另一端则经电容C17后与与非门IC2的输出端相连接，电阻R22的一端与与非门ICl的输出端相连接、其另一端则与电阻R21和电容C17的连接点相连接，电阻R23则串接在三极管Q7的发射极和集电极之间。
[0045]同时，所述放大器Pl的负极接地、其正极则作为该降噪模块26的输入端、其输出端则与三极管Q6的发射极相连接。所述的三极管Q7的基极与三极管Q6的基极相连接、其集电极则与 三极管Q6的集电极相连接、其发射极则与场效应管MOS2的漏极相连接。所述场效应管MOS2的漏极与放大器P2的负极相连接、其栅极则与放大器P2的输出端相连接、其源极则与三极管Q8的发射极相连接。所述放大器P2的负极则作为该降噪模块26的输出端、其正极接地。所述三极管Q8的基极与电阻R21和电容C17的连接点相连接、其集电极则接地。所述与非门IC2的第二输入端接地、其第一输入端则与与非门ICl的输出端相连接。
[0046]图像信号输送进来后经放大器Pl进行放大处理，而该放大后的图像信号则再经由三极管Q6，三极管Q7，电阻R23，场效应管MOS2以及放大器P2所构成的均值滤波器进行滤波处理，该均值滤波器能够有效的过滤掉图像信号中的加性噪声，避免图像信号受到噪声的干扰。
[0047]如上所述，便可以很好的实现本发明。
【主权项】
1.一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别系统，其由红外成像系统(1)，与红外成像系统(I)相连接的图像识别系统(2)组成；所述的红外成像系统(I)由红外光源(11)，与红外光源(11)相连接的光学系统(12)，与光学系统(12)相连接的扫描机构(13)，与扫描机构(13)相连接的红外探测器(14)，与红外探测器(14)相连接的图像采集模块(15)，以及与图像采集模块(15)相连接的前置放大电路(16)组成；而所述的图像识别系统(2 )则由中央处理模块(21)，与中央处理模块(21)相连接的图像处理系统(22 )、显示器(23)、报警器(24)以及存储器(25)组成；其特征在于:所述的图像识别系统(2)还设置有降噪模块(26)，该降噪模块(26)与图像处理系统(22)相连接；所述的降噪模块(26)由放大器Pl，放大器P2，三极管Q6，三极管Q7，三极管Q8，场效应管M0S2，与非门IC1，与非门IC2，N极与放大器Pl的输出端相连接、P极则经电阻R20后与与非门ICl的第二输入端相连接的同时接地的二极管D5，一端与与非门ICl的第一输入端相连接、另一端则经电容C17后与与非门IC2的输出端相连接的电阻R21，一端与与非门ICl的输出端相连接、另一端则与电阻R21和电容C17的连接点相连接的电阻R22，以及串接在三极管Q7的发射极和集电极之间的电阻R23组成；所述放大器Pl的负极接地、其正极则作为该降噪模块(26)的输入端、其输出端则与三极管Q6的发射极相连接；所述的三极管Q7的基极与三极管Q6的基极相连接、其集电极则与三极管Q6的集电极相连接、其发射极则与场效应管M0S2的漏极相连接；所述场效应管M0S2的漏极与放大器P2的负极相连接、其栅极则与放大器P2的输出端相连接、其源极则与三极管Q8的发射极相连接；所述放大器P2的负极则作为该降噪模块(26)的输出端、其正极接地；所述三极管Q8的基极与电阻R21和电容C17的连接点相连接、其集电极则接地；所述与非门IC2的第二输入端接地、其第一输入端则与与非门ICl的输出端相连接。2.根据权利要求1所述的一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别系统，其特征在于:所述的前置放大电路(16)则由放大芯片U1，三极管Q5，场效应管M0S1，负极经电阻R17后与放大芯片Ul的IN管脚相连接、正极则作为该前置放大电路(16)的输入端的电容C14，正极与电容C14的负极相连接、负极则顺次经二极管D3和电阻R18后与放大芯片Ul的VCC管脚相连接的电容C15，正极经电阻R15后与放大芯片Ul的NF管脚相连接、负极则经电阻R19后与场效应管MOSl的源极相连接的电容C13，一端与放大芯片Ul的NF管脚相连接、另一端则与放大芯片Ul的GND管脚相连接的同时接地的电阻R16，正极与放大芯片Ul的NSC管脚相连接、负极则与三极管Q5的发射极相连接的电容C16，以及N极与三极管Q5的发射极极相连接、P极则与场效应管MOSl的漏极相连接的二极管D4组成；所述三极管Q5的基极与放大芯片Ul的OUT管脚相连接、其发射极接地、其集电极则与放大芯片Ul的ALC管脚相连接；所述场效应管MOSl的栅极则与三极管Q5的集电极相连接；所述三极管Q5的发射极还作为该前置放大电路的(16)的输出端。3.根据权利要求2所述的一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别系统，其特征在于:所述的图像处理系统(22)则由信号输入电路，与信号输入电路相连接的信号处理电路，以及与信号处理电路相连接的触发电路和调谐电路组成；所述的信号输入电路由三极管Q1，一端与三极管Ql的基极相连接、另一端则顺次经电阻R2和电阻Rl后与三极管Ql的发射极相连接的电阻R3，正极与三极管Ql的发射极相连接、负极接地的电容Cl，以及正极与三极管Ql的集电极相连接、负极则与信号处理电路相连接的同时接地的电容C2组成；所述的三极管Ql的发射极与信号处理电路相连接。4.根据权利要求3所述的一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别系统，其特征在于:所述的信号处理电路由处理芯片U，P极与处理芯片U的SWl管脚相连接、N极则经电容C3后接地的二极管D1，一端与二极管Dl的N极相连接、另一端则经电阻R5后与处理芯片U的GND管脚相连接的同时接地的电阻R4，正极与处理芯片U的CTRL管脚相连接、负极接地的电容C4，一端与处理芯片U的CTRL管脚相连接、另一端则经电容C5后接地的电阻R6，正极与处理芯片U的SS管脚相连接、负极则与触发电路相连接的电容C6，以及一端与处理芯片U的PGOOD管脚相连接、另一端则与调谐电路相连接的电阻R7组成；所述处理芯片U的VIN管脚与三极管Ql的发射极相连接、其FB管脚则与电阻R4和电阻R5的连接点相连接、其CTRL管脚则与电容C2的负极相连接、其SHDN管脚则与触发电路相连接。5.根据权利要求4所述的一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别系统，其特征在于:所述的触发电路由触发芯片K，三极管Q4，一端与三极管Q4的基极相连接、另一端则与触发芯片K的OUT管脚相连接的电阻R12，一端与三极管Q4的发射极相连接、另一端则经电容C12后与触发芯片K的GND管脚相连接的电阻R14，以及一端与触发芯片K的LX管脚相连接、另一端则经电容Cll后与触发芯片K的FB管脚相连接的电阻R13组成；所述触发芯片K的IN管脚与处理芯片U的SHDN管脚相连接、其EN管脚则与电容C6的负极相连接、其GND管脚接地；所述三极管Q4的集电极则与调谐电路相连接。6.根据权利要求5所述的一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别系统，其特征在于:所述的调谐电路由三极管Q2，三极管Q3，N极顺次经电感LI和电阻R8后与三极管Q2的集电极相连接、P极则经电容C8后与三极管Q3的发射极相连接的变容二极管D2，一端与变容二极管D2的P极相连接、另一端则接-15V电压的电阻R11，正极与变容二极管D2的P极相连接、负极则与三极管Q4的集电极相连接的电容C9，正极与三极管Q3的发射极相连接、负极则接地的可调电容C10，一端与三极管Q2的发射极相连接、另一端则经电阻R9后接+15V电压的电感L2，正极与电感L2和电阻R9的连接点相连接、负极接地的电容C7，以及一端与电容C7的正极相连接、另一端则与三极管Q3的基极相连接的电阻RlO组成；所述三极管Q2的基极经电阻R7后与处理芯片U的PGOOD管脚相连接，而三极管Q3的集电极则接地。7.根据权利要求4?6任一项所述的一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别系统，其特征在于:所述的处理芯片U为LT1942集成电路。8.根据权利要求5或6所述的一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别系统，其特征在于:所述的触发芯片K为EMD2050集成电路。9.根据权利要求2?6任一项所述的一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别系统，其特征在于:所述的放大芯片Ul为MC2830集成电路。
【专利摘要】本发明公开了一种基于降噪处理的前置放大式红外成像图像识别系统，其由红外成像系统(1)，与红外成像系统(1)相连接的图像识别系统(2)组成；所述的图像识别系统(2)包括中央处理模块(21)，与中央处理模块(21)相连接的图像处理系统(22)、显示器(23)、报警器(24)以及存储器(25)，所述的图像识别系统(2)还设置有降噪模块(26)，该降噪模块(26)与图像处理系统(22)相连接；本发明通过前置放大电路，可以不失真的对图像信号进行放大，放大后的图像更加清晰，进一步的提升了本发明的识别精度。同时，本发明设置有降噪模块，其可以过滤掉图像信号在传输过程中所出现的干扰噪声，使图像信号恢复到原始的效果。
【IPC分类】G06K9/00
【公开号】CN104881654
【申请号】CN201510292446
【发明人】刘霖, 刘永, 邱会中, 杨先明, 张晓奕
【申请人】宁波摩米创新工场电子科技有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年5月30日