像素驱动电路的制作方法

像素驱动电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于平面显示技术领域，具体涉及一种像素驱动电路的设计。
【背景技术】
[0002]有源矩阵有机发光二极体面板(ActiveMatrix/Organic Light Emitting D1de，AMOLED)是有源矩阵有机发光二极体面板。相比传统的液晶面板，AMOLED具有反应速度较快、对比度更高、视角较广等特点。
[0003]传统的电压编程型AMOLED像素驱动电路包含两个薄膜PMOS管和一个存储电容，其中一个开关TFT，一个驱动TFT。当扫描线开启时，外部电路送入电压信号经由开关TFT存储在存储电容中，此电压信号控制驱动TFT导通电流大小，也就决定了 OLED的灰阶；当扫描线关闭时，存储于存储电容中的电压仍能保持驱动TFT在导通状态，故能在一个画面时间内维持OLED的固定电流。这里，OLED的亮度与流经其的电流I成比例关系，I =K (Vgs-Vth)2，其中，Vgs为栅源电压，Vth为阈值电压，K为系数项，可以看出，Vth的变化会引起电流I的变化，最终体现为OLED亮度的变化。
[0004]另外，在发光时，OLED和驱动管接在同一回路中，OLED两端的电压Voled的变化就引起驱动管Vgs的变化，由上式可知，Vgs的变化也会引起电流I的变化，最终也体现为OLED亮度的变化。
[0005]但是，由于工艺和老化的原因，Vth和Voled的变化是不可避免的，具体为阈值电压Vth的漂移，OLED两端的电压Voled的上升，从而造成AMOLED屏显示品质的下降。现有的大多数像素驱动电路的补偿都只是针对阈值电压Vth漂移的补偿，很少涉及到同时对 Voled 的上升的补偿。在文献:Joon_Chul Goh ；Jin Jang ；Kyu-Sik Cho ；Choong-KiKim.A New a_S1:H Thin-Film Transistor Pixel Circuit for Active-Matrix OrganicLight-Emitting D1des? IEEE Electron Device Letters，2003，24 (9): 583-585，提出了一种AMOLED像素驱动电路，同样的，这种像素驱动电路也只能补偿Vth漂移。

【发明内容】

[0006]本发明的目的是为了解决上述现有技术存在的缺陷，提出了一种像素驱动电路。
[0007]本发明的技术方案是:一种像素驱动电路，包括第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、存储电容和发光器件，其中，第一 PMOS管的源极、第三PMOS管的源极和第六PMOS管的漏极连接在一起，并通过发光器件与电源线相连；第一PMOS管的栅极与存储电容的一端相连，存储电容的另一端与第五PMOS管的漏极相连，第五PMOS管的源极接数据线，第五PMOS管的栅极接第一控制扫描线；第四PMOS管的漏极与第一 PMOS管的栅极相连，第四PMOS管的源极与第一 PMOS管的漏极、第二 PMOS管的源极相连，第四PMOS管的栅极接第一控制扫描线；第二 PMOS管的栅极接第二控制扫描线，第二 PMOS管的漏极接负电源；第三PMOS管的栅极接第二控制扫描线，第三PMOS管的漏极与第五PMOS管的漏极相连；第六PMOS管的源极接电源线，第六PMOS管的栅极接外部的控制信号;
[0008]所述的发光器件具体为有机发光二极管；所述的PMOS管为多晶硅薄膜PMOS管。
[0009]本发明的有益效果:本发明的像素驱动电路借助六个PMOS管并且通过存储电容的存储作用，可以同时对阈值电压Vth漂移和发光器件两端的电压Voled的上升进行补偿，进而可以提高发光器件的显示品质。
[0010]说明书附图
[0011]图1为本发明的像素驱动电路的电路示意图。
[0012]图2为本发明的像素驱动电路的波形示意图。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图和具体的实施方式对本发明作进一步的阐述。
[0014]本发明的像素驱动电路如图1所示，包括第一 PMOS管TD、第二 PMOS管T2、第三PMOS管T3、第四PMOS管T4、第五PMOS管T5、第六PMOS管T6、存储电容CC和发光器件，其中，第一 PMOS管TD的源极、第三PMOS管T3的源极和第六PMOS管T6的漏极连接在一起，并通过发光器件与电源线Vdd相连；第一 PMOS管TD的栅极与存储电容CC的一端A相连，存储电容的另一端B与第五PMOS管T5的漏极相连，第五PMOS管T5的源极接数据线Vdata，第五PMOS管T5的栅极接第一控制扫描线SI ;第四PMOS管T4的漏极与第一 PMOS管TD的栅极相连，第四PMOS管T4的源极与第一 PMOS管Tl的漏极、第二 PMOS管T2的源极相连，第四PMOS管T4的栅极接第一控制扫描线SI ;第二 PMOS管T2的栅极接第二控制扫描线S2，第二 PMOS管T2的漏极接负电源Vss ;第三PMOS管T3的栅极接第二控制扫描线S2，第三PMOS管T3的漏极与第五PMOS管T5的漏极相连；第六PMOS管T6的源极接电源线，第六PMOS管的栅极T6接外部的控制信号Cl。
[0015]具体的，这里的发光器件有机发光二极管；PMOS管为多晶硅薄膜PMOS管。外部的控制信号Cl，在充电阶段使用，可以避免发光器件闪烁。
[0016]本发明的像素驱动电路分为四阶段电路动作来实现对Vth和Voled的补偿，具体波形示意图如图2所示:
[0017]I阶段:A点电压为负压Vss，其值小于Vth，B点电压为Vdata。
[0018]2阶段:Vdd对A点输入电压，使得Vac= Vth, B点电压为Vdata。
[0019]3阶段:关闭所有的开关管，Vdata在此过程中跳变。
[0020]4阶段:B点的电压跳变量为Vc-Vdata, A点的电压跳变量同样为Vc_Vdata。此时A 点电压为 Vdd+Vth+Vc-Vdata。
[0021]因I = K(Vgs-Vth)2, Vgs-Vth = Vdd-Vdata。在 Vgs-Vth 的过程中消去了 Vth 和Vc，而Vdd-Vc= Voled。由上可得，在四阶段过程中消除了 Vth和Voled的变异。具体说明如下:
[0022]在2阶段，T4导通，A点通过T4充电到Vc+Vth，存储电容CC的A端记录了 TD的阈值电压vth，即\_\= Vth,在4阶段中Vth相消去，在每帧图像都会重复此动作，即消除了 Vth的变异。在使用过程中Voled都会慢慢上升，从而导致TD的Vgs的变化，通过T3在4阶段来记录V。，存储电容CC的B端记录此时的Vc，此时的存储电容CC的B端的电压跳变为Ve-Vdata,根据电容的特性，同时存储电容CC的A端会发生相应的跳变Ve_Vdata，即实现把此时的Vc转移到存储电容CC的A端，而A端连接在TD的栅极，Vgs = Vg-Vs = Va-Vc,从而消去了即消去了 Voled的变异。
[0023]综上可以看出，本发明的像素驱动电路可以同时对阈值电压Vth漂移和发光器件两端的电压Voled的上升进行补偿，进而可以提高发光器件的显示品质。
[0024]本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本发明的原理，应被理解为本发明的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本发明公开的这些技术启示做出各种不脱离本发明实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本发明的保护范围内。
【主权项】
1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、存储电容和发光器件，其中，第一 PMOS管的源极、第三PMOS管的源极和第六PMOS管的漏极连接在一起，并通过发光器件与电源线相连；第一 PMOS管的栅极与存储电容的一端相连，存储电容的另一端与第五PMOS管的漏极相连，第五PMOS管的源极接数据线，第五PMOS管的栅极接第一控制扫描线；第四PMOS管的漏极与第一 PMOS管的栅极相连，第四PMOS管的源极与第一 PMOS管的漏极、第二 PMOS管的源极相连，第四PMOS管的栅极接第一控制扫描线；第二 PMOS管的栅极接第二控制扫描线，第二PMOS管的漏极接负电源；第三PMOS管的栅极接第二控制扫描线，第三PMOS管的漏极与第五PMOS管的漏极相连；第六PMOS管的源极接电源线，第六PMOS管的栅极接外部的控制信号；所述的发光器件具体为有机发光二极管；所述的PMOS管为多晶硅薄膜PMOS管。
【专利摘要】本发明公开了一种像素驱动电路，包括六个PMOS管和存储电容，第一PMOS管的源极、第三PMOS管的源极和第六PMOS管的漏极连接在一起，并通过发光器件与电源线相连；第一PMOS管的栅极与存储电容的一端相连，存储电容的另一端与第五PMOS管的漏极相连，第五PMOS管的源极接数据线，第五PMOS管和第四PMOS管的栅极接第一控制扫描线。本发明的驱动电路借助六个PMOS管和存储电容的存储作用，可以同时对阈值电压漂移和发光器件两段电压的上升进行补偿。
【IPC分类】G09G3/32, H01L27/32
【公开号】CN104882095
【申请号】CN201510284190
【发明人】田朝勇
【申请人】四川虹视显示技术有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年5月28日