Flash存储装置、擦除方法及编程方法

Flash存储装置、擦除方法及编程方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种FLASH存储装置及FLASH存储装置的擦除方法和编程方法。
【背景技术】
[0002]FLASH存储装置的使用主要是反复的擦除与编程，以及对FLASH存储装置中存储数据进行读取的过程。
[0003]FLASH存储装置的擦除或编程是指根据FLASH存储装置中预设的擦除条件和编程条件，改变存储单元阈值电压，进而改变存储单元存储数据状态的过程。擦除条件或编程条件指使存储单元阈值电压变化的条件，例如存储单元控制栅极(CG)电压、源极(S)电压、存储单元所在阱区电压、以及擦除或编程时时间步长或步长的变化频率等；以此，改变存储单元的阈值电压，进而改变存储单元数据存储状态，存储数据O或存储数据I。
[0004]现有技术中，FLASH存储装置预设的擦除条件或编程条件固化在存储装置中，随着FLASH存储装置使用周期的延续，并不会发生改变。但随着使用周期的延续，现有技术中FLASH存储装置中存储单元由于受擦除、编程或读取时电压等的影响，存储单元中电荷的分布状态会产生变化，进而改变存储单元的阈值电压，使得FLASH存储装置中预设的擦除或编程条件不能对FLASH存储装置中存储单元进行有效的擦除或编程，进而使得FLASH存储装置的擦除或编程性能降低，影响FLASH存储装置的可靠性。

【发明内容】

[0005]本发明的目的在于提出一种FLASH存储装置及FLASH存储装置的擦除方法和编程方法，以提升FLASH存储装置的可靠性。
[0006]在第一方面，本发明实施例提供了一种FLASH存储装置，包括:
[0007]存储阵列；
[0008]所述存储阵列包括数据存储模块和快表模块；
[0009]所述数据存储模块包括m个子数据存储模块；
[0010]所述快表模块包括m个子快表模块，所述m个子快表模块分别存储所述m个子数据存储模块的擦除条件和/或编程条件；所述擦除条件或编程条件指施加于子数据存储模块，以使子数据存储模块中存储单元阈值电压变化的条件；
[0011]对存储阵列中预擦除或预编程子数据存储模块进行擦除或编程时，获取与所述预擦除或预编程子数据存储模块对应的子快表模块中存储的擦除或编程条件，根据所述子快表模块存储的擦除或编程条件对所述预擦除或预编程子数据存储模块进行擦除操作或编程操作；
[0012]其中，m为正整数，I彡m。
[0013]进一步的，所述的FLASH存储装置，所述m个子快表模块分别存储有所述m个子数据存储模块的擦除条件；
[0014]擦除时，获取擦除指令中预擦除子数据存储模块的地址；
[0015]根据所述预擦除子数据存储模块的地址，获取所述预擦除子数据存储模块所对应子快表模块中存储的擦除条件；
[0016]根据所述擦除条件对预擦除子数据存储模块进行擦除操作；以及；
[0017]擦除完成后，根据所述擦除操作更新所述预擦除子数据存储模块所对应子快表模块中的擦除条件。
[0018]进一步的，所述的FLASH存储装置，所述m个子快表模块分别存储有所述m个子数据存储模块的编程条件；
[0019]编程时，获取编程指令中预编程子数据存储模块的地址；
[0020]根据所述编程除子数据存储模块的地址，获取所述预编程子数据存储模块所对应子快表模块中存储的编程条件；
[0021]根据所述编程条件对预编程子数据存储模块进行编程操作；以及；
[0022]编程完成后，根据所述编程操作更新所述预编程子数据存储模块所对应子快表模块中的编程条件。
[0023]进一步的，所述的FLASH存储装置，还包括:
[0024]位线选择电路，所述位线选择电路电连接于所述存储阵列的数据存储模块中存储单元的漏极；以选择数据存储模块中的存储单元；
[0025]字线驱动电路，所述字线驱动电路电连接于所述数据存储模块中存储单元的控制栅极，以提供擦除或编程时数据存储模块中存储单元所需电压；
[0026]逻辑控制单元；提供所述FLASH存储装置工作时所需的逻辑控制。
[0027]进一步的，所述的FLASH存储装置所述m个子数据存储模块大小相同。
[0028]在第二方面，本发明实施例还提供了一种FLASH存储装置的擦除方法，包括:
[0029]FLASH存储装置接收擦除指令；
[0030]根据所述擦除指令，获取预擦除子数据存储模块的地址；
[0031]根据所述预擦除子数据存储模块的地址，获取与所述预擦除子数据存储模块所对应的子快表模块中存储的擦除条件；
[0032]根据所述擦除条件对所述预擦除子数据存储模块进行擦除操作。
[0033]进一步的，所述的FLASH存储装置的擦除方法，还包括:当擦除操作完成后，根据所述擦除操作更新所述预擦除子数据存储模块所对应的子快表模块中的擦除条件。
[0034]进一步的，所述的FLASH存储装置的擦除方法，所述当擦除操作完成后，根据所述擦除操作更新所述预擦除子数据存储模块所对应的子快表模块中的擦除条件；包括:
[0035]当擦除操作完成后，根据所述擦除操作执行的难易程度，更新所述预擦除子数据存储模块所对应的子快表模块中的擦除条件
[0036]在第三方面，本发明实施例还提供了一种FLASH存储装置的编程方法，包括:
[0037]FLASH存储装置接收编程指令；
[0038]根据所述编程指令，获取预编程子数据存储模块的地址；
[0039]根据所述预编程子数据存储模块的地址，获取与所述预编程子数据存储模块所对应的子快表模块中存储的编程条件；
[0040]根据所述编程条件对所述预编程子数据存储模块进行编程操作。
[0041]进一步的，所述的FLASH存储装置的编程方法，还包括:当编程操作完成后，根据所述编程操作更新所述预编程子数据存储模块所对应的子快表模块中的编程条件。
[0042]进一步的，所述的FLASH存储装置的编程方法，所述当编程操作完成后，根据所述编程操作更新所述预编程子数据存储模块所对应的子快表模块中的编程条件；包括:
[0043]当编程操作完成后，根据所述编程操作执行的难易程度，更新所述预编程子数据存储模块所对应的子快表模块中的编程条件。
[0044]本发明实施例提供的FLASH存储装置，擦除方法及编程方法；根据FLASH存储装置快表模块中每个子快表存储的擦除或编程条件对FLASH存储装置中预擦除或预编程子存储数据模块进行擦除操作或编程操作；同时，当FLASH存储装置擦除或编程完成后，根据擦除操作或编程操作进行的难易程度，更新擦除或编程的预擦除或预编程子数据存储模块所对应的子快表模块中存储的擦除条件或编程条件。当再次对预擦除或预编程子数据存储模块进行擦除或编程时，根据新形成的擦除条件或编程条件进行擦除或编程。因此，本发明技术方案，FLASH存储装置的擦除条件或编程条件在每次擦除或编程完成后实时更新，使得随着FLASH存储装置使用周期的延续，相应的擦除条件或编程条件也相应改变，以适应FLASH存储装置中随着使用周期的延续而引起的电荷分布的变化，保证了 FLASH存储装置的擦除或编程的性能，进而提升了 FLASH存储装置的可靠性。
【附图说明】
[0045]此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，并不构成对本发明的限定。在附图中:
[0046]图1示出的是本发明实施例一中FLASH存储装置结构示意图；
[0047]图2示出的是本发明实施例二中FLASH存储装置擦除方法流程示意图；
[0048]图3示出的是本发明实施例三中FLASH存储装置编程方法流程示意图。
【具体实施方式】
[0049]下面结合附图及具体实施例对本发明进行更加详细与完整的说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
[0050]图1示出的是本发明实施例一中FLASH存储装置结构示意图；参考图1，本实施例中FLASH存储装置，包括:
[0051 ] 存储阵列11 ;存储阵列11包括数据存储模块111和快表模块112。快表模块112包括可以根据预擦除或预编程子数据存储模块的地址映射当前地址所对应子数据存储模块的擦除条件或编程条件的一个查找表；同时这个查找表是一个非挥发存储表，不会因为系统掉电而失去信息；以 及，子快表模块包括相应的子数据存储模块所映射的相应的擦除条件或编程条件的一个查找表，并且可以理解的是每个子快表模块根据子数据存储模块的划分，可以存储相同的擦除条件或编程条件，也可以存储不同的擦除条件或编程条件。
[0052]数据存储模块111包括子数据存储模块1、子数据存储模块2…子数据存储模块m等m个子数据存储模块111a。具体的，本实施例中数据存储模块111中子数据存储模块Illa的划分，可以以相同的大小进行划分，也可以不等同的大小进行划分；可以以存储阵列中存储块的分布进行划分，也可以以存储阵列中页(page)的分别进行划分，本实施例中不作具体限定。
[0053]快表模块112包括子快表模块1、子快表模块2、子快表模块3……子快表模块m_l、子快表模块m等m个子快表模块112a，m个子快表模块分别存储m个子数据存储模块的擦除条件和/或编程条件，其中，m为正整数，I ( m ;也即是每一个子快表模块112a分别存储与其相对应的子数据存储模块Illa的擦除条件或/编程条件。具体的，可以只存储擦除条件，也可以只存储编程条件，异或可以同时存储擦除条件和编程条件，本实施中不对此作具体限定，根据具体的实际需要可以作出相应的调整。擦除条件或编程条件指施加于子数据存储模块111a，以使子数据存储模块Illa中存储单元阈值电压变化的条件。
[0054]每次对存储阵列11中预擦除或预编程子数据存储模块Illa进行擦除或编程时，获取与所述预擦除或预编程子数据存储模块Illa对应的子快表模块112a中存储的擦除或编程条件，根据所述子快表模块112a存储的擦除或编程条件对预擦除或预编程子数据存储模块Illa进行擦除操作或编程操作；擦除操作或编程操作指在所述擦除条件和编程条件作用下，改变预擦除或预编程子数据存储模块Illa中存储单元的阈值电压，以改变所述存储单元存储数据的状态。
[0055]进一步的，参考图1，本实施例中还包括:位线选择电路12，字线驱动电路13和逻辑控制单元14 ;逻辑控制单元14连接于位线选择电路12和字线驱动电路13。
[0056]位线选择电路12电连接于存储阵列11的数据存储模块111中存储单元的漏极(D);以选择数据存储模块111中的存储单元。具体的，位线选择电路12在对数据存储模块111中存储单元进行读取时，通过位线选择电路12选择数据存储模块111中相应存储单元进行数据的读取。
[0057]字线驱动电路13，字线驱动电路13电连接于所述数据存储模块111中存储单元的控制栅极，以提供擦除或编程时数据存储模块111中存储单元所需电压。具体的，在进行编程操作或擦除操作时，根据擦除条件或编程条件，通过字线驱动电路13施加相应的电压至存储阵列11存储单元的控制栅极，进而改变存储单元的阈值电压，完成擦除或编程。
[0058]逻辑控制单元14 ;提供所述FLASH存储装置工作时所需的逻辑控制。在进行擦除操作或编程操作时，逻辑控制单元14通过控制字线驱动电路13和位线选择电路12，实现对FLASH存储装置的擦除和编程。
[0059]具体的，参考图1，本实施例中当m个子快表模块分别存储有m个子数据存储模块的擦除条件；也即是m个子快表模块存储有擦除条件，或者同时存储有擦除条件和编程条件时，对FLASH存储装置的擦除，也即是对FLASH存储装置中预擦除子数据存储模块进行擦除时，执行:
[0060]获取擦除指令中预擦除子数据存储模块的地址。具体的，当FLASH存储装置发出擦除指令，对擦除指令进行译码获取擦除指令中预擦除子数据存储模块的地址。同时，将预擦除子数据存储模块的地址映射到相应的预擦除子数据存储模块Illa和预擦除子数据存储模块Illa所对应的子快表模块112a。
[0061]根据所述预擦除子数据存储模块Illa的地址，获取所述预擦除子数据存储模块Illa所对应子快表模块112a中存储的擦除条件。具体的，当将预擦除子数据存储模块Illa的地址映射到相应的预擦除子数据存储模块11 Ia和预擦除子数据存储模块11 Ia所对应的子快表模块112a后，获取子快表模块112a中存储的擦除条件。
[0062]根据所述擦除条件对预擦除子数据存储模块Illa进行擦除操作。具体的，根据获取的擦除条件，对相应预擦除子数据存储模块Illa中存储单元控制栅极施加电压等方式，改变存储单元的阈值电压，进而改变存储单元的数据状态，将存储数据O的存储单元，调整为存储数据I。
[0063]擦除或编程完成后根据本次擦除或编程的难易程度判断下一次该子数据存储模块的擦除或编程条件，并更新该子数据存储模块对应的子快表。根据所述擦除操作更新所述预擦除子数据存储模块Illa所对应子快表模块112a中的擦除条件。具体的，根据擦除过程中擦除操作执行的难易程度，更新预擦除子数据模块所对应子快表模块中存储的擦除条件。具体的，当在擦除过程中实际擦除条件较子快表模块中存储的擦除条件容易时，则子快表模块中存储的擦除条件以能够对预擦除子数据存储模块进行有效的擦除，此时更新子快表模块中存的擦除条件为保持子快表模块中存储的擦除条件不变化；当在擦除过程中实际擦除条件较子快表模块中存储的擦除条件难时，更新调整子快表模块中的擦除条件，以使下次对预擦除子数据存储模块进行擦除时，能够根据更新后的擦除条件对相应的预擦除子数据存储模块进行有效的擦除，提升擦除性能。
[0064]具体的，参考图1，本实施例中，当所述m子快表模块分别存储有所述m个子存储模块的编程条件；也即是m个子快表模块存储有编程条件，或者同时存储有擦除条件和编程条件时，对FLASH存储装置的编程，也即是对FLASH存储装置中预编程子数据模块，执行:
[0065]获取编程指令中预编程子数据存储模块的地址。具体的，当FLASH存储装置发出编程指令，对编程指令进行译码获取编程指令中预编程子数据存储模块的地址。同时，将预编程子数据存储模块的地址映射到相应的预编程子数据存储模块Illa和预编程子数据存储模块Illa所对应的子快表模块112a。
[0066]根据所述预编程子数据存储模块的地址，获取所述预编程子数据存储模块所对应子快表模块中存储的编程条件。具体的，当将预编程子数据存储模块的地址映射到相应的与编程子数据存储模块11 Ia和预编程子数据存储模块Illa所对应的子快表模块112a后，获取子快表模块112a中存储的编程条件。
[0067]根据所述编程条件对预编程子数据存储模块进行编程操作。具体的，根据获取的编程条件，对相应预编程子数据存储模块中存储单元控制栅极施加电压等方式，改变存储单元的阈值电压，进行改变存储单元的数据状态，将存储数据I的存储单元，调整为存储数据O。
[0068]编程完成后，根据所述编程操作更新所述预编程子数据存储模块所对应子快表模块中的编程条件。具体的，根据编程过程中编程操作执行的难易程度，更新预编程子数据模块所对应子快表模块中存储的编程条件。具体的，当在编程过程中实际编程条件较子快表模块中存储的编程条件容易时，则子快表模块中存储的编程条件以能够对预编程子数据存储模块进行有效的编程，此时更新子快表模块中存的编程条件为保持子快表模块中存储的编程条件不变化；当在编程过程中实际编程条件较子快表模块中存储的编程条件难时，更新调整子快表模块中的编程条件，以使下次对此预编程子数据存储模块进行编程时，能够根据更新后的编程条件对相应的预编程子数据存储模块进行有效的编程，提升编程性能。
[0069]可选的，本实施例中，m个子数据存储模块大小相同。
[0070]可选的，本实施例中，m个子数据存储模块大小不同。
[0071]本实施例提供的FLASH存储装置，擦除方法及编程方法；根据FLASH存储装置快表模块中每个子快表模块存储的擦除或编程条件对FLASH存储装置进行擦除操作或编程操作；同时，当FLASH存储装置擦除或编程完成后，根据擦除操作或编程操作进行的难易程度，更新擦除或编程的相应预擦除或预编程子数据存储模块所对应的子快表模块中存储的擦除条件或编程条件。当再次对相应预擦除或预编程子数据存储模块进行擦除或编程时，根据新形成的擦除条件或编程条件进行擦除或编程。因此，本实施例技术方案，FLASH存储装置的擦除条件或编程条件在每次擦除或编程完成后对编程或擦除的地址所对应的编程条件或擦除条件实时更新，使得随着FLASH存储装置使用周期的延续，相应的擦除条件或编程条件也相应改变，保证了 FLASH存储装置擦除或编程的性能，进而提升了 FLASH存储装置的可靠性。
[0072]图2示出的是本发明实施例二中FLASH存储装置擦除方法流程示意图；参考图2，本实施例中FLASH存储装置的擦除方法，包括:
[0073]步骤201、FLASH存储装置接 收擦除指令。
[0074]步骤202、根据所述擦除指令，获取预擦除子数据存储模块的地址。
[0075]步骤203、根据所述预擦除子数据存储模块的地址，获取与所述预擦除子数据存储模块所对应的子快表模块中存储的擦除条件。
[0076]步骤204、根据所述擦除条件对所述预擦除子数据存储模块进行擦除操作。
[0077]具体的，本实施例中，当擦除操作完成后，根据所述擦除操作更新所述预擦除子数据存储模块所对应的子快表模块中的擦除条件。
[0078]更具体的，本实施例中，当擦除操作完成后，根据所述擦除操作执行的难易程度，更新所述预擦除子数据存储模块所对应的子快表模块中的擦除条件。
[0079]本实施例提供的擦除方法；根据FLASH存储装置的快表模块中每个子快表模块存储的擦除条件对FLASH存储装置进行擦除操作；同时，当FLASH存储装置擦除完成后，根据擦除操作进行的难易程度，更新擦除的预擦除子数据存储模块所对应的子快表模块中存储的擦除条件。当再次对预擦除子数据存储模块进行擦除时，根据新形成的擦除条件进行擦除。因此，本发明技术方案，FLASH存储装置的擦除条件在每次擦除完成后对预擦除子数据存储摸所属对应子快表模块中的擦除条件实时更新，使得随着FLASH存储装置使用周期的延续，相应的擦除条件也相应改变，保证了 FLASH存储装置擦除的性能，进而提升了 FLASH存储装置的可靠性。
[0080]图3示出的是本发明实施例三中FLASH存储装置编程方法流程示意图；参考图3，本实施例中FLASH存储装置的编程方法，包括:
[0081]步骤301、FLASH存储装置接收编程指令。
[0082]步骤302、根据所述编程指令，获取预编程子数据存储模块的地址。
[0083]步骤303、根据所述预编程子数据存储模块的地址，获取与所述预编程子数据存储模块所对应的子快表模块中存储的编程条件。
[0084]步骤304、根据所述编程条件对所述预编程子数据存储模块进行编程操作。
[0085]具体的，本实施例中，当编程操作完成后，根据所述编程操作更新所述预编程子数据存储模块所对应的子快表模块中的编程条件。
[0086]更具体的，本实施例中，当编程操作完成后，根据所述编程操作执行的难易程度，更新所述预编程子数据存储模块所对应的子快表模块中的编程条件。
[0087]本实施例提供的编程方法；根据FLASH存储装置快表模块中每个子快表模块存储的编程条件对FLASH存储装置进行编程操作操作；同时，当FLASH存储装置编程完成后，根据编程操作操作进行的难易程度，更新编程的预编程子数据存储模块所对应的子快表模块中存储的编程条件。当再次对相应预编程子数据存储模块进行编程时，根据新形成的编程条件进行编程。因此，本实施例技术方案，FLASH存储装置的编程条件在每次编程完成后实时更新，使得随着FLASH存储装置使用周期的延续，相应的编程条件也相应改变，保证了FLASH存储装置编程的性能，进而提升了 FLASH存储装置的可靠性。
[0088]以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明，对于本领域技术人员而言，本发明可以有各种改动和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种FLASH存储装置，其特征在于，包括存储阵列；所述存储阵列包括数据存储模块和快表模块； 所述数据存储模块包括m个子数据存储模块； 所述快表模块包括m个子快表模块，所述m个子快表模块分别存储所述m个子数据存储模块的擦除条件和/或编程条件；所述擦除条件或编程条件指施加于子数据存储模块，以使子数据存储模块中存储单元阈值电压变化的条件； 对存储阵列中预擦除或预编程子数据存储模块进行擦除或编程时，获取与所述预擦除或预编程子数据存储模块对应的子快表模块中存储的擦除或编程条件，根据所述子快表模块存储的擦除或编程条件对所述预擦除或预编程子数据存储模块进行擦除操作或编程操作； 其中，m为正整数，I彡m。2.如权利要求1所述的FLASH存储装置，其特征在于，所述m个子快表模块分别存储有所述m个子数据存储模块的擦除条件； 擦除时，获取擦除指令中预擦除子数据存储模块的地址； 根据所述预擦除子数据存储模块的地址，获取所述预擦除子数据存储模块所对应子快表模块中存储的擦除条件； 根据所述擦除条件对预擦除子数据存储模块进行擦除操作；以及； 擦除完成后，根据所述擦除操作更新所述预擦除子数据存储模块所对应子快表模块中的擦除条件。3.如权利要求1所述的FLASH存储装置，其特征在于，所述m个子快表模块分别存储有所述m个子数据存储模块的编程条件； 编程时，获取编程指令中预编程子数据存储模块的地址； 根据所述编程除子数据存储模块的地址，获取所述预编程子数据存储模块所对应子快表模块中存储的编程条件； 根据所述编程条件对预编程子数据存储模块进行编程操作；以及； 编程完成后，根据所述编程操作更新所述预编程子数据存储模块所对应子快表模块中的编程条件。4.如权利要求1所述的FLASH存储装置，其特征在于，还包括: 位线选择电路，所述位线选择电路电连接于所述存储阵列的数据存储模块中存储单元的漏极；以选择数据存储模块中的存储单元； 字线驱动电路，所述字线驱动电路电连接于所述数据存储模块中存储单元的控制栅极，以提供擦除或编程时数据存储模块中存储单元所需电压； 逻辑控制单元；提供所述FLASH存储装置工作时所需的逻辑控制。5.如权利要求1所述的FLASH存储装置，其特征在于，所述m个子数据存储模块大小相同。6.一种FLASH存储装置的擦除方法，应用于权利要求1快表模块中存储有擦除条件的FLASH存储装置，其特征在于，包括: FLASH存储装置接收擦除指令； 根据所述擦除指令，获取预擦除子数据存储模块的地址； 根据所述预擦除子数据存储模块的地址，获取与所述预擦除子数据存储模块所对应的子快表模块中存储的擦除条件； 根据所述擦除条件对所述预擦除子数据存储模块进行擦除操作。7.如权利要求6所述的FLASH存储装置的擦除方法，其特征在于，还包括:当擦除操作完成后，根据所述擦除操作更新所述预擦除子数据存储模块所对应的子快表模块中的擦除条件。8.如权利要求7所述的FLASH存储装置的擦除方法，其特征在于，所述当擦除操作完成后，根据所述擦除操作更新所述预擦除子数据存储模块所对应的子快表模块中的擦除条件；包括: 当擦除操作完成后，根据所述擦除操作执行的难易程度，更新所述预擦除子数据存储模块所对应的子快表模块中的擦除条件。9.一种FLASH存储装置的编程方法，应用于权利要求1快表模块中存储有编程条件的FLASH存储装置，其特征在于，包括: FLASH存储装置接收编程指令； 根据所述编程指令，获取预编程子数据存储模块的地址； 根据所述预编程子数据存储模块的地址，获取与所述预编程子数据存储模块所对应的子快表模块中存储的编程条件； 根据所述编程条件对所述预编程子数据存储模块进行编程操作。10.如权利要求9所述的FLASH存储装置的编程方法，其特征在于，还包括:当编程操作完成后，根据所述编程操作更新所述预编程子数据存储模块所对应的子快表模块中的编程条件。11.如权利要求10所述的FLASH存储装置的编程方法，其特征在于，所述当编程操作完成后，根据所述编程操作更新所述预编程子数据存储模块所对应的子快表模块中的编程条件；包括: 当编程操作完成后，根据所述编程操作执行的难易程度，更新所述预编程子数据存储模块所对应的子快表模块中的编程条件。
【专利摘要】本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种FLASH存储装置及FLASH存储装置的擦除方法和编程方法。FLASH存储装置包括存储阵列；存储阵列包括数据存储模块和快表模块；数据存储模块包括m个子数据存储模块；快表模块包括m个子快表模块，m个子快表模块分别存储m个子数据存储模块的擦除条件和/或编程条件；对存储阵列中预擦除或预编程子数据存储模块进行擦除或编程时，获取与预擦除或预编程子数据存储模块对应的子快表模块中存储的擦除或编程条件，根据子快表模块存储的擦除或编程条件对预擦除或预编程子数据存储模块进行擦除操作或编程操作。本发明实施例提供的技术方案，提升了FLASH存储装置的擦除或编程性能，进而提升了FLASH存储装置的可靠性。
【IPC分类】G11C16/14, G11C16/06
【公开号】CN104882166
【申请号】CN201410067931
【发明人】胡洪, 陈建梅
【申请人】北京兆易创新科技股份有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2014年2月27日