氧化石墨烯/银纳米线复合透明导电薄膜及其制备方法

氧化石墨烯/银纳米线复合透明导电薄膜及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及导电材料制备领域，尤其涉及一种氧化石墨烯/银纳米线复合透明导 电薄膜及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 透明导电涂层是很多电子器件（如液晶显示器、有机发光二极管、柔性显示器和 电子纸、太阳能电池中的透明电极）的重要构成部分。目前市场上的透明导电材料主要有 铟锡氧化物（ITO)、锑锡氧化物（ATO)、锑锌氧化物（AZO)等，其中ITO材料占据市场的主导 地位。
[0003] 随着透明导电涂层获得了广泛的应用，人们对其性能指标也提出了更高的要求。 ITO类透明导电材料的主要缺点是：1、铟为稀土元素，资源有限，价格昂贵；2、ITO薄膜主要 采用真空溅射、蒸镀等技术制备，生产工艺复杂，成本高，大尺寸样件较难制备；3、ITO薄膜 质地较脆，耐弯折性能差，无法获得柔性透明导电层。
[0004] 近年来，人们研发了很多新型的导电材料，希望替代ITO材料。研宄者发现采用 银纳米线材料制备的涂层具有优异的导电性、透光率和耐弯折性能（Polman, A et al. Nano Lett. 2012, 12, 3138-3144, K. S. et al. Adv. Funct. Mater. 2013, 23, 1250 - 1255, Xu, F.； Zhu, Y. Adv. Mater. 2012, 24, 5117-5122.)，但银纳米线材料同时也具有接触电阻较高、与基 底附着性差、耐腐蚀性不强等缺点（I.A.et al. Nanoscale Res Lett 2013,8,235.)。
[0005] 美国斯坦福大学发现在银纳米线层上电镀金膜并进行热压处理可以减小线与线 之间的接触电阻；后来又发现采用卤钨灯照射可以使银纳米线交叉点在低温下焊接在一 起，进一步减小了银纳米线之间的接触电阻，获得的透明导电涂层透光率在80%时表面电 阻只有 10 〇/□ (Hu, L.et al. ACS nano 2010, 4, 2955-2963. Brongersma，M.L. et al. Nat Mater 2012, 11，241-249.)。
[0006] 虽然这些方法能够有效地减小银线的接触电阻，但对提高涂层的耐蚀性没有作 用。美国加利福尼亚大学的一个研宄组在银纳米线涂层表面先涂覆一层Ti0 2溶胶，烘干后 再涂一层导电高分子PED0T: PSS，获得了银纳米线-Ti02-PED0T: PSS复合涂层；此复合涂层 附着性、耐蚀性都有很大的提高，但需要的原料较多，步骤比较繁琐，不适用于大面积成膜 (Li,G. et al.ACS nano2011, 5, 9877-9882.) 〇
[0007] CN 102087886 A在基底表面先涂覆一层粘附剂（如PVA)，再涂覆银纳米线，经过 干燥之后得到的复合涂层。这种方法虽然使涂层的附着性大幅度提高，却降低了涂层的导 电性。
[0008] 另外也有不少研宄组将银纳米线与化学气相沉积法（CVD)制备的石墨烯复合， 先是在金属基底上采用化学气相沉积法制备石墨烯，然后将石墨烯从金属基底上转移到 银涂层上，转移方法有基体腐蚀法等。所述方法得到的复合涂层虽然导电性和附着性都 有明显提尚，但化学气相沉积法制备石墨條，成本$父尚，工艺复杂，且石墨條的尚质量转 移过程也是一大难题，（CN 103325442 A，CN 203085198 U，Alam，M.A.et al. Adv. Funct. Mater. 2013, 23, 5150-5158)。
[0009] 本领域亟待开发一种透明导电薄膜的制备方法，其能够提高银纳米线涂层的导电 性、附着力，同时其工艺简单、生产成本低廉。

【发明内容】

[0010] 针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种透光率高、导电性好、耐蚀性 强，尤其适用于各种柔性触摸屏器件的透明导电薄膜及其制备方法。本发明提供的透明导 电薄膜的制备方法无需真空设备、无需高温、工艺简单易行，适用于任何面积或形状的基 底，可以规模化生产。
[0011] 本发明通过如下技术方案实现：
[0012] 本发明的目的之一在于提供一种氧化石墨烯/银纳米线复合透明导电涂层的制 备方法，所述方法包括如下步骤：
[0013] (1)提供一基底；
[0014] (2)在基底上涂敷银纳米线，获得银纳米线导电层；
[0015] (3)在银纳米导电层上继续涂敷氧化石墨烯，获得氧化石墨烯层；
[0016] 氧化石墨烯的含氧官能团较多，在宏观上是一种导电性非常差的材料，氧化石墨 烯与银纳米线涂层复合，并没有降低银纳米线涂层的导电性，反而出乎意料的提高了其导 电性，同时保持较高的透光率。氧化石墨烯在银纳米线之间搭起了导电通道，提高了其导电 性；氧化石墨烯与基底有非常强烈的物理相互作用，克服了纳米银导电层与基底附着力小、 耐氧化性差的缺点，提高了复合导电薄膜的使用寿命。
[0017] 本发明所述氧化石墨烯的C/0比为0. 3~2. 5,例如0. 4、0. 5、0. 9、1. 3、1. 6、2. 0、 2. 3、2. 4 等。
[0018] 优选地，所述氧化石墨烯的电阻值彡108D/ □，例如2X108D/ 口、7X108D/ 口、 109Q/ 口、5X109Q/ □等。
[0019] 优选地，所述氧化石墨稀的涂敷厚度为1~100nm，例如2nm、5nm、25nm、36nm、42nm 等，更优选为5~50nm〇
[0020] 所述氧化石墨烯分散液的溶剂种类不做具体限定，能够用于分散氧化石墨烯的溶 剂均可用作氧化石墨烯分散液的溶剂。
[0021] 优选地，所述氧化石墨分散液的浓度为0? 25~5mg/mL，例如0? 3mg/mL、0. 6mg/mL、 0? 9mg/mL、l. 3mg/mL、2. 5mg/mL、3. 6mg/mL、4. 9mg/mL 等。
[0022] 优选地，所述氧化石墨稀分散液中氧化石墨稀片层的尺寸选自0. 5~50 ym，例如 0? 6 y m、4 y m、12 y m、25 y m、36 y m、47 y m 等，优选 5 ~50 y m。
[0023] 本发明所述银纳米线的直径为10~100nm，长度为5~60 ym。
[0024] 典型但非限制性的银纳米线的尺寸为：直径12nm，长度10ym;直径20nm，长度 50 y m ;直径60nm，长度30 y m ;直径70nm，长度60 y m等。
[0025] 优选地，所述银纳米线的涂敷厚度为40~5000nm，例如52nm、80nm、135nm、150nm、 540nm、800nm、1052nm、3500nm、4500nm 等，优选 200 ~lOOOnrn。
[0026] 优选地，步骤（2)所述的涂敷的方法为：采用旋涂、刮涂、浸涂或喷涂中的任意1种 或至少2种的组合方式，将银纳米线分散液涂敷在基底上；
[0027] 优选地，所述银纳米线分散液的溶剂选自去离子水、乙醇、异丙醇中的任意1种或 至少2种的组合；
[0028] 优选地，所述银纳米线分散液的浓度为0. 1~lmg/mL。
[0029] 本发明步骤（2)之后进行步骤（2'）热压银纳米线导电层；
[0030] 优选地，所述热压温度为80~120°C ;热压压力为10~50MPa ;热压时间为60~ 300s ；
[0031] 优选地，所述热压温度为100°C ;热压压力为20MPa ;热压时间为120s。
[0032] 步骤（3)所述的涂敷的方法为：采用旋涂、刮涂、浸涂或喷涂中的任意1种或至少 2种的组合方式，将氧化石墨分散液涂敷在银纳米导电层上。
[0033] 本发明所述的涂敷的方法典型但非限制性的包括喷涂法、刮涂法、旋涂法、浸涂法 等，从生成效率方面考虑，优选喷涂法等能够连续形成层的方法。
[0034] 本发明步骤（3)之后进行步骤（3'）热处理氧化石墨烯层；
[0035] 优选地，所述热处理的温度为80~120 °C。
[0036] 本发明步骤（1)之后进行步骤（1'）对基底进行预处理；
[0037] 优选地，所述预处理方法包括：表面等离子体处理，或者表面涂敷固化树脂处理；
[0038] 优选地，所述表面等离子体处理时间< 300s，优选5~30s;
[0039] 优选地，所述固化树脂选自光固化树脂或热固化树脂；
[0040] 优选地，所述固化树脂的涂敷厚度为10~lOOOOnm，优选为20~200nm。
[0041] 本发明步骤（ 1)所述基底为透明基底或不透明基底；优选透明基底；
[0042] 优选地，步骤（1)所述基底为柔性基底或刚性基底；优选柔性基底；
[0043] 优选地，步骤（1)所述基底为平面基底或具有弯曲面的基底；优选具有弯曲面的 基底。
[0044] 本发明步骤⑴所述基底的材质选自聚丙烯酸甲酯、聚碳酸醋、聚对苯二甲酸乙 二醇酯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚砜、聚醚砜、聚甲醛、玻璃、陶瓷中的任意1种；优选 聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯乙烯中的任意1种。
[0045] 作为优选技术方案，本发明所述氧化石墨烯/银纳米线复合透明导电涂层的制备 方法包括如下步骤：
[0046] (1)提供一基底；
[0047](1'）对基底进行表面等离子体处理，或者表面涂敷固化树脂处理；
[0048] (2)在基底上涂敷银纳米线，获得银纳米线导电层；
[0049](2'）热压银纳米线导电层；
[0050] (3)在银纳米导电层上继续涂敷氧化石墨烯，获得氧化石墨烯层；
[0051] (3'）热处理氧化石墨烯层。
[0052] 本发明还提供了一种如前所述方法制备得到的氧化石墨烯/银纳米线复合透明 导电薄膜，所述导电涂层包括银纳米线导电层，和涂覆在银纳米线导电层之上的氧化石墨 烯层。图1为本发明制备的氧化石墨烯/银纳米线导电层复合导电薄膜的结构示意图。
[0053] 与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
[0054] (1)本发明提供的氧化石墨烯/银纳米线复合透明导电薄膜采用氧化石墨烯与 银纳米线复合，不仅没有因为氧化石墨烯的弱导电性降低银纳米线的导电性，反而提高了 银纳米线的导电性，且同时提高了银纳米线涂层与基底的附着力、耐氧化性，提高了使用寿 命；
[0055] (2)本发明提供的氧化石墨烯/银纳米线复合透明导电薄膜导电性和透光性良 好，如导电性可以高达32omh/sq，透光性高达93% ;
[0056] (3)本发明提供的氧化石墨烯/银纳米线复合透明导电薄膜可以涂覆于柔性或刚 性的基底上，能够在不损失导电性和透光性的基础上，可以弯曲、卷绕或裁减成任何使用尺 寸；
[0057] (4)本发明提供的氧化石墨烯/银纳米线复合透明导电薄膜通过湿法工艺制备得 到，工艺简单，适用性强，能够适用于涂覆任何形状的物品，易于实现工业化的生产。
【附图说明】
[0058] 图1为本发明制备的氧化石墨烯/银纳米线导电层复合导电薄膜的结构示意图；
[0059] 图2为实施例3得到的复合薄膜在硅片表面的扫描电镜图；
[0060] 图3为实施例6得到的复合薄膜在硅片表面的扫描电镜图。
【具体实施方式】
[0061] 以下仅为本发明的较佳实施例，不能以此限定本发明的范围。即大凡依本发明申 请专利范围所作的均等变化与修饰，皆应仍属本发明专利涵盖的范围。下面用实施例来具 体说明本发明的结构和制备方法。
[0062] 实施例1提供一种涂敷在基底上的氧化石墨烯/银纳米线复合透明导电薄膜，通 过如下方法制备得到：
[0063] (1)制备银纳米线：
[0064] 在50g乙二醇中溶解0? 30gPVP和5mgCTAB，置于三口烧瓶中于150~170°C下回 流30min，整个反应过程中磁力搅拌器持续搅拌；然后缓慢加入10g 2wt%的硝酸银的乙二 醇溶液，继续反应30~90min后，停止加热；取出反应完的溶液加入约3倍体积的丙酮稀 释，于2000rpm离心lmin，沉淀用50mL去离子水分散后继续加3倍体积的丙酮稀释，离心， 重复3遍得到提纯的银纳米线；
[0065] (2)制备银纳米线导电层：
[0066] 将步骤（1)中所制备的银纳米线使用2-异丙氧基乙醇稀释至浓度为0. 25mg/mL， 喷涂在聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET)基底表面；然后在100°C下加热除去溶剂；
[0067] 用压膜机以20MPa的压强100°C下压120s，得到银纳米线导电层；
[0068] 之后采用四探针法测定银纳米线导电层的表面电阻率；测定银纳米线导电层的耐 胶带粘贴性能；
[0069] (3)涂敷氧化石墨烯层
[0070] 通过旋涂的方法，将氧化石墨烯分散液涂覆于步骤（2)得到的已涂敷有银纳米线 导电层的PET基底上，转速为2000rpm，获得氧化石墨烯/银纳米线/PET的复合结构，然后 于100°C下保温lh，使其干燥；
[0071] 本【具体实施方式】所提供的银纳米线导电层和氧化石墨烯层的形成方法只是示意 性的，其他任何能够形成所述银纳米线导电层和氧化石墨烯层的方法均替换所述的方法， 例如可以用旋涂、刮涂或浸涂的方法替换喷涂，来形成银纳米线导电层；用刮涂、浸涂或喷 涂的方法替换旋涂。
[0072] 实施例1~10提供涂敷在PET基底上的氧化石墨烯/银纳米线复合透明导电薄 膜，除了表1所述的条件外，具体的操作过程与实施例1相同。
[0073] 表1实施例1~10的实验条件
[0074]
[0075] 性能测试
[0076] 将实施例1~10提供的氧化石墨烯/银纳米线复合透明导电薄膜进行性能测试， 分别测试：
[0077] ①表面电阻率：采用四探针法测定银纳米线导电层的表面电阻率；
[0078] ②耐胶带粘贴性能：将Scotch胶带（3M)粘贴于样品表面，用手指尖用力蹭胶带以 保证涂层与胶带全面接触，然后在样品上加上lkg的重物，lmin后，拿住胶带悬空的一端， 并以60°的角度，在Is内平稳地撕离胶带，然后用四探针法测定其导电性能；分别测试胶 带粘贴1次后，涂层的表面电阻率（D/□)，和分别测试胶带粘贴10次后，涂层的表面电阻 率⑷/ □);
[0079] ③涂层附着力：根据标准ISO 2409:2007, GB/T 9286-1998测定涂层的附着力。方 格刀采用BYK SISI206,胶带采用Scotch(3M)，测试后使用放大镜观察涂层表面。以涂层剥 落面积占总面积的大小作为附着力判定标准：< 5%为附着力良好；5% -15%为附着力一 般；彡15%为附着力差。
[0080] ④耐水性能：室温下，将氧化石墨烯/银纳米线/PET的复合结构完全浸泡于去离 子水中并保持水的体积不变，当达到浸泡时间后，将样品取出，用去离子水清洗，再使用吸 湿纸除去残留水滴，用四探针法测定其导电性能；
[0081] ⑤耐丙酮性能：室温下，将氧化石墨烯/银纳米线/PET的复合结构完全浸泡于丙 酮中并保持丙酮的体积不变，当达到浸泡时间后，将样品取出，室温干燥，用四探针法测定 其导电性能；
[0082] ⑥耐异丙醇性能：室温下，将氧化石墨烯/银纳米线/PET的复合结构完全浸泡于 去异丙醇中并保持异丙醇的体积不变，当达到浸泡时间后，将样品取出，再使用吸湿纸除去 残留液滴，室温干燥，用四探针法测定其导电性能；
[0083] ⑦耐高温高湿度性能：将样品置于相对湿度为90%，温度为60°C的恒温恒湿箱 (KCL-2000W，T0KY0 RIKAKIKAI Co.，LTD)中，一段时间后，将样品取出，并于室温下放置24h 后，用四探针法测定其导电性能。
[0084] ⑧抗弯折疲劳性能：将样品的两端固定在拉伸台上进行双向压缩，压缩速率为 1. 5mm/min，当压缩形变达到100%时停止压缩并恢复形变至0%，以此作为一次弯折；然后 重复上述弯折实验，采用四探针法测定不同弯折次数下样品的导电性能；分别测试50次、 500次和1000次弯折次数下的导电性能；
[0085] ⑨透光率：用紫外/可见/近红外分光光度计（Lambda 950)测试样品的在光波长 为200~lOOOnm的透光率；
[0086] 实施例1~5的性能测试结果如表2所示：
[0087] 表2实施例1~5的性能测试结果
[0088]
[0089] 实施例6~10的性能测试结果如表3所示：
[0090] 表3实施例6~10的性能测试结果
[0091]
[0092] 由实施例1-5可以看出，银纳米线涂层越厚，涂层的导电性越好，但涂层的透光率 会明显降低。涂层的耐胶带粘贴性、耐溶剂性能、耐高温高湿性和抗弯折性能都有所提高。 由实施例1、4、5和6、7、8对比可以看出，氧化石墨烯层可以明显提高涂层的导电性、耐胶带 粘贴性、耐溶剂性能、耐高温高湿性和抗弯折性能。由实施例7、8、9对比可以看出，氧化石 墨烯层越厚，对涂层的导电性、耐胶带粘贴性、耐溶剂性能、耐高温高湿性和抗弯折性能的 提升越明显，太厚时会导致透光率略有 下降。导电性提高的主要原因是由于含有丰富含氧 官能团的氧化石墨烯与基底具有强烈的相互作用，使得处于氧化石墨烯与基底之间的银纳 米线可以更紧密地接触，从而减小了银纳米线之间的接触电阻。氧化石墨烯在银纳米线上 形成连续的薄膜，可以作为保护层，减缓银纳米线的在恶劣环境下的氧化过程，从而提高涂 层的耐溶剂性能和耐高温高湿性。氧化石墨烯还可以防止在弯折变形中银纳米线之间的松 动和从基底上脱落，从而提高了银纳米线涂层的抗弯折性能。
[0093] 实施例11~13分别提供了一种涂敷在基底上的氧化石墨烯/银纳米线复合透明 导电薄膜，与实施例10的区别在于，基底依次分别为PC、PMMA、玻璃。
[0094] 性能测试：
[0095] 将实施例11~13提供的涂敷在基底上的氧化石墨烯/银纳米线复合透明导电薄 膜进行导电性、耐胶带粘贴性、耐溶剂性能、耐高温高湿性和透光率性能测试，测试方法与 实施例1~6的测试方法相同，测试结果如表4所示：
[0096] 表4实施例11~13的性能测试结果
[0097]
LUUV8J田衣4口」以有出，仕非朱T王的令机和尤机垂低上，氧1七右墨那邵酡够很壯地従咼 涂层的导电性、耐胶带粘贴性、耐溶剂性能和耐高温高湿性，这种方法是一种比较通用的方 法，可以在大多数基底上实施。
[0099] 实施例14~18分别提供了一种涂敷在基底上的氧化石墨烯/银纳米线复合透明 导电薄膜，与实施例1的区别在于，在步骤（2)制备银纳米线导电层之前，对PET表面进行 等离子体处理，功率为200W，处理时间依次分别为20s、40s、60s、90s、120s，并在处理之后 采用DSA100全自动接触角测量仪测定水接触角；
[0100] 将实施例14~18提供的涂敷在基底上的氧化石墨烯/银纳米线复合透明导电薄 膜进行导电性、耐胶带粘贴性、耐溶剂性能、耐高温高湿性、抗弯折性能和透光性性能测试， 测试方法与实施例1~6的测试方法相同，测试结果如表5所示：
[0101] 表5实施例14~18的性能测试结果
[0102]
[0104] 由表5可以看出，随着等离子体处理时间的增加，基底的水接触角先变小，而后变 大，复合涂层的导电性变化趋势与家触角变化趋势相同，即接触角越小，复合涂层的导电 性、耐胶带粘贴性、耐溶剂性能、耐高温高湿性和抗弯折性能越好。这是因为氧化石墨烯由 于含有很多含氧官能团，表现出很好的亲水性，等离子体处理过的表面亲水性变强，使得氧 化石墨烯与基底之间的相互作用变得更强烈，从而使得银纳米线之间的接触更为紧密，使 得导电性提高。
[0105] 实施例19~20分别提供了一种涂敷在基底上的氧化石墨烯/银纳米线复合透明 导电薄膜，与实施例10的区别在于，在制备完银纳米线导电层之后进行再进行等离子体处 理，处理时间为20s，功率为200W ;处理次数依次为1次、2次；并在处理之后采用DSA100全 自动接触角测量仪测定水接触角；
[0106] 将实施例19~23提供的涂敷在基底上的氧化石墨烯/银纳米线复合透明导电薄 膜进行导电性、耐胶带粘贴性、耐溶剂性能、耐高温高湿性、抗弯折性能和透光性等性能测 试，测试方法与实施例1~6的测试方法相同，测试结果如表6所示：
[0107] 表6实施例19~20的性能测试结果
[0108]
[0110] 由表6可以看出，表面处理过的基底涂覆银纳米线后在进行表面处理，可以进一 步提高表面的亲水性，但是涂层的导电性则没有进一步地提高，与没有进行第二次等离子 体处理的样品相比，涂层导电性、耐胶带粘贴性、耐溶剂性能、耐高温高湿性和抗弯折性能 都有所下降。这是因为在第二次等离子体处理过程中，银纳米线在等离子体的轰击中发生 破坏，变成了链珠状，导电通路发生破坏，使得导电性下降。
[0111] 申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺设备和工艺流程， 但本发明并不局限于上述详细工艺设备和工艺流程，即不意味着本发明必须依赖上述详细 工艺设备和工艺流程才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进， 对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的 保护范围和公开范围之内。
【主权项】
1. 一种氧化石墨烯/银纳米线复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法 包括如下步骤： (1) 提供一基底； (2) 在基底上涂敷银纳米线，获得银纳米线导电层； (3) 在银纳米导电层上继续涂敷氧化石墨烯，获得氧化石墨烯层。2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化石墨烯的C/0比为0. 3~2. 5 ; 优选地，所述氧化石墨烯的电阻值彡IO8D / 口； 优选地，所述氧化石墨稀的涂敷厚度为1~l〇〇nm，更优选为5~50nm ; 优选地，所述氧化石墨分散液的浓度为0. 25~5mg/mL ; 优选地，所述氧化石墨稀分散液中氧化石墨稀片层的尺寸选自0. 5~50 ym，优选5~ 50 y m〇3. 如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述银纳米线的直径为10~lOOnm，长 度为5~60 y m ; 优选地，所述银纳米线的涂敷厚度为40~5000nm，优选200~1000 nm ; 优选地，步骤（2)所述的涂敷的方法为：采用旋涂、刮涂、浸涂或喷涂中的任意1种或至 少2种的组合方式，将银纳米线分散液涂敷在基底上； 优选地，所述银纳米线分散液的溶剂选自去离子水、乙醇、异丙醇中的任意1种或至少 2种的组合； 优选地，当选用喷涂方式进行银纳米线分散液涂覆时，银纳米线分散液的浓度为0? 1~lmg/mL〇4. 如权利要求1~3之一所述的方法，其特征在于，步骤（2)之后进行步骤（2'）热压 银纳米线导电层； 优选地，所述热压温度为80~120°C;热压压力为10~50MPa ;热压时间为60~300s ; 优选地，所述热压温度为l〇〇°C ;热压压力为20MPa ;热压时间为120s。5. 如权利要求1~4之一所述的方法，其特征在于，步骤⑶所述的涂敷的方法为：采 用旋涂、刮涂、浸涂或喷涂中的任意1种或至少2种的组合方式，将氧化石墨分散液涂敷在 银纳米导电层上； 优选地，步骤（3)之后进行步骤（3'）热处理氧化石墨烯层； 优选地，所述热处理的温度为80~120°C。6. 如权利要求1~5之一所述的方法，其特征在于，步骤（1)之后进行步骤（1'）对基 底进行预处理； 优选地，所述预处理方法包括：表面等离子体处理，或者表面涂敷固化树脂处理； 优选地，所述表面等离子体处理时间< 300s，优选5~30s ; 优选地，所述固化树脂选自光固化树脂或热固化树脂； 优选地，所述固化树脂的涂敷厚度为10~lOOOOnm，优选为20~200nm。7. 如权利要求1~6之一所述的方法，其特征在于，步骤（1)所述基底为透明基底或不 透明基底；优选透明基底； 优选地，步骤（1)所述基底为柔性基底或刚性基底；优选柔性基底； 优选地，步骤（1)所述基底为平面基底或具有弯曲面的基底；优选具有弯曲面的基底。8. 如权利要求1~7之一所述的方法，其特征在于，步骤（1)所述基底的材质选自聚丙 烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚砜、聚醚砜、 聚甲醛、玻璃、陶瓷中的任意1种；优选聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇 酯、聚苯乙烯中的任意1种。9. 如权利要求1~8之一所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： (1) 提供一基底； (1'）对基底进行表面等离子体处理，或者表面涂敷固化树脂处理； (2) 在基底上涂敷银纳米线，获得银纳米线导电层； (2'）热压银纳米线导电层； (3) 在银纳米导电层上继续涂敷氧化石墨烯，获得氧化石墨烯层； (3'）热处理氧化石墨烯层。10. -种如权利要求1~9之一所述方法制备得到的氧化石墨烯/银纳米线复合透明 导电薄膜，其特征在于，所述导电薄膜包括银纳米线导电层，和涂覆在银纳米线导电层之上 的氧化石墨烯层。
【专利摘要】本发明涉及一种氧化石墨烯/银纳米线复合透明导电薄膜的制备方法，其所述方法包括如下步骤：(1)提供一基底；(2)在基底上涂敷银纳米线，获得银纳米线导电层；(3)在银纳米导电层上继续涂敷氧化石墨烯，获得氧化石墨烯层。本发明提供的氧化石墨烯/银纳米线复合透明导电薄膜与基底的附着力、耐氧化性高，导电性好，制备工艺简单，成本低。
【IPC分类】H01B13/00, H01B5/14
【公开号】CN104882223
【申请号】CN201510206098
【发明人】段凤, 张晖, 李伟伟, 张忠
【申请人】国家纳米科学中心
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年4月27日