高频等离子体处理装置和高频等离子体处理方法

高频等离子体处理装置和高频等离子体处理方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及使用高频电力对被处理基板实施等离子体处理的高频等离子体处理装置和高频等离子体处理方法。
【背景技术】
[0002]在半导体基板和液晶显示装置(LCD)等的平板显示器(FPD)的制造工序中，存在对基板进行等离子体蚀刻、成膜处理等的等离子体处理的工序，为了进行这样的等离子体处理而使用等离子体蚀刻装置、等离子体CVD装置等各种的等离子体处理装置。作为等离子体处理装置，通常使用高频电力生成等离子体。
[0003]作为使用高频电力的等离子体处理装置，最近，具有能够以高真空度得到高密度的等离子体这样的较大的优点的感应親合等离子体(Inductively Coupled Plasma:1 CP)处理装置受到关注。
[0004]作为感应耦合等离子体处理装置，在收纳被处理基板的处理容器的构成顶壁的电介质窗的上侧设置天线室，在其中配置高频天线，对处理容器内供给处理气体，并且对该高频天线供给高频电力，由此，在处理容器内生成感应親合等离子体，通过该感应親合等离子体对被处理基板实施规定的等离子体处理(例如专利文献I)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:日本特开2004-55895号公报

【发明内容】

[0008]发明想要解决的技术问题
[0009]但是，天线室内的高频天线被绝缘物按压，但已明确，当对高频天线施加由高频电力时，有时主要会在绝缘物的部分产生沿面放电。当产生沿面放电时，存在绝缘物的劣化发展导致绝缘破坏等的可能性。
[0010]这样的沿面放电，不限于感应耦合等离子体处理装置，在平行平板型的电容耦合等离子体处理装置中，有时也会在按压被施加高频电力的电极的绝缘物的部分产生。
[0011]本发明是鉴于该情况而完成的，目的在于提供一种在与被施加高频电力的电极接触的绝缘物的部分难以产生沿面放电的高频等离子体处理装置以及高频等离子体处理方法。
[0012]用于解决技术问题的技术方案
[0013]为了解决上述技术问题，本发明的第一方面提供一种高频等离子体处理装置，其具有与绝缘物接触的电极，对上述电极施加高频电力，利用由此生成的等离子体对基板进行等离子体处理，上述高频等离子体处理装置的特征在于，包括:对基板进行等离子体处理的处理室；收纳与上述绝缘物接触的状态的上述电极的电极收纳部；对上述电极施加高频电力的高频电源；和湿度调整单元，其调整上述电极收纳部内的湿度，使得不在上述电极收纳部内产生沿面放电。
[0014]在上述第一方面，能够使用作为上述湿度调整单元具有对上述电极收纳部供给干燥气体的干燥气体供给机构的高频等离子体处理装置。
[0015]还可以包括:测定上述电极收纳部内的湿度的湿度计；和放电防止部，其在干燥气体从上述干燥气体供给机构供给至上述电极收纳部时，在上述湿度计的测定值超过规定的阈值的情况下，不允许上述高频电源的动作，在上述湿度计的测定值在上述阈值以下的情况下，允许上述高频电源的动作。
[0016]另外，可以还包括:测定在对上述电极收纳部供给上述干燥气体时的流量的流量传感器；和放电防止部，其设定以规定流量使干燥气体从干燥气体供给机构流到上述电极收纳部流过时的、上述电极收纳部内的湿度成为规定的阈值以下为止的所需时间，在上述流量传感器成为上述规定流量后直至经过上述所需时间为止不允许上述高频电源的动作，在经过上述所需时间后允许上述高频电源的动作。在该情况下，上述放电防止部也能够通过上述流量传感器检测干燥气体的流量异常，在该异常时间超过了规定时间的情况下，不允许上述高频电源的动作。
[0017]能够采用如下结构:上述高频等离子体处理装置为感应耦合等离子体处理装置，上述电极为在上述处理室内形成感应磁场的高频天线，上述电极收纳部是设置在上述处理室的上方的、收纳上述高频天线的天线室。
[0018]本发明的第二方面提供一种高频等离子体处理方法，其从高频电源对与绝缘物接触的电极施加高频电力，利用由此生成的等离子体对处理室内的基板进行等离子体处理，上述高频等离子体处理方法的特征在于:将与上述绝缘物接触的状态的上述电极收纳在电极收纳部，对上述电极收纳部内的湿度进行调整使得不在上述电极收纳部内产生沿面放电，并且进行等离子体处理。
[0019]在上述第二的观点中，上述湿度的调整能够通过对上述电极收纳部供给干燥气体而进行。
[0020]能够利用湿度计测定上述电极收纳部内的湿度，在干燥气体供给到上述电极收纳部时，在上述湿度计的测定值超过规定的阈值的情况下，不允许上述高频电源的动作，在上述湿度计的测定值在上述阈值以下的情况下，允许上述高频电源的动作。
[0021]另外，也可以利用流量传感器测定上述干燥气体供给至上述电极收纳部时的流量，设定以规定流量使干燥气体流至上述电极收纳部时的、上述电极收纳部内的湿度成为规定的阈值以下为止的所需时间，在上述流量传感器成为上述规定流量后至经过上述所需时间为止不允许上述高频电源的动作，在经过上述所需时间后允许上述高频电源的动作。在该情况下，能够利用上述流量传感器检测干燥气体的流量异常，在该异常时间超过规定时间的情况下，不允许上述高频电源的动作。
[0022]能够采用如下结构:上述高频等离子体为感应親合等离子体，上述电极为在上述处理室内形成感应磁场的高频天线，上述电极收纳部是设置在上述处理室的上方、收纳上述高频天线的天线室。
[0023]发明效果
[0024]根据本发明，设置有对电极收纳部内的湿度进行调整使得不在上述电极收纳部内产生沿面放电的湿度调整单元，所以，能够非常有效地抑制在电极收纳部内产生沿面放电。
【附图说明】
[0025]图1是显示本发明的一实施方式所涉及的高频等离子体处理装置的截面图。
[0026]图2是显示确认沿面放电的实验中使用的试样的构造的截面图。
[0027]图3是显示天线室内的湿度和耐压的关系的图。
[0028]图4中，(a)是显示改变了温度的情况下的水蒸汽量(绝对湿度)和耐压的关系的图，(b)是显示改变了温度的情况下的湿度(相对湿度)和耐压的关系的图。
[0029]图5是显示电极间距离为20mm以及30mm时的湿度和耐压的关系的图。
[0030]图6是显示在天线室的排气口设置有冲切板(punching plate)的情况下的干空气供给时间和湿度的关系的图。
[0031]图7是显示在天线室的排气口设置有排气风扇的情况下的干空气供给时间和湿度的关系的图。
[0032]图8是显示改变了干空气的压力的情况的、干空气的供给时间和湿度的关系的图。
[0033]附图标记说明
[0034]I主体容器
[0035]2电介质壁
[0036]3天线室
[0037]4处理室
[0038]13高频天线
[0039]13a天线线 [0040]14匹配器
[0041]15高频电源
[0042]17绝缘物
[0043]19供电线
[0044]20处理气体供给系统
[0045]23载置台
[0046]30排气装置
[0047]51干空气供给源
[0048]52干空气配管
[0049]53流量调节阀
[0050]54流量传感器
[0051]55 排气口
[0052]56湿度计
[0053]57放电防止部
[0054]58干空气供给机构
[0055]60整体控制部
[0056]G 基板
【具体实施方式】
[0057]以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
[0058]图1是显示本发明的一实施方式所涉及的高频等离子体处理装置的截面图。
[0059]该高频等离子体处理装置构成为感应耦合等离子体装置，例如用于在液晶显示器(IXD)、电致发光(Electro Luminescence ；EL)显示器等的FPD用基板上形成薄膜晶体管时的金属膜、ITO膜、氧化膜等的蚀刻、抗蚀剂膜的灰化(ashing)处理。
[0060]该高频等离子体处理装置具有由导电性材料例如内壁面经过阳极氧化处理的铝构成的方筒形状的气密的主体容器I。该主体容器I可分解地被组装，通过接地线Ia电接地。主体容器I由电介质壁(电介质窗)2被上下地划分为天线室3和处理室4。所以，电介质壁2作为处理室4的顶壁发挥作用。电介质壁2由Al2O3等的陶瓷、石英等构成。
[0061]电介质壁2的下侧部分中嵌入有处理气体供给用的喷淋壳体11。喷淋壳体11例如设置为十字状，具有作为从下方支承电介质壁2的梁的功能。电介质壁2可以由喷淋壳体11分割。喷淋壳体11由多个吊杆(suspender)(未图示)悬吊在主体容器I的顶部。
[0062]该喷淋壳体11由导电性材料构成。该喷淋壳体11电接地。
[0063]在该喷淋壳体11形成有水平地延伸的气体流路12，该气体流路12与向下方延伸的多个气体排出孔12a连通。另一方面，在电介质壁2的上表面中央以与该气体流路12连通的方式设置有气体供给管20a。气体供给管20a从主体容器I的顶部贯通到其外侧，与包含处理气体供给源以及阀系统(valve system)等的处理气体供给系统20连接。所以，等离子体处理中，从处理气体供给系统20供给来的处理气体经由气体供给管20a供给到喷淋壳体11内，从其下表面的气体排出孔12a排出到处理室4内。
[0064]主体容器I中的天线室3的侧壁3a和处理室4的侧壁4a之间设置有向内侧突出的支承架5，在该支承架5之上载置有电介质壁2。
[0065]天线室3内设置有作为高频电极的高频(RF)天线13。高频天线13与供电线19连接，供电线与匹配器14以及高频电源15连接。高频天线13构成为例如形成涡旋或者螺旋状的平面天线。构成该高频天线13的天线线13a支承于绝缘物17并被按压在绝缘物17，彼此绝缘。而且，例如频率为13.56MHz的高频电力从高频电源15供给到高频天线13，由此在处理室4内生成感应电场，利用该感应电场使从喷淋壳体11供给来的处理气体等离子体化。绝缘物17的材料不特别限定，但是能够适合使用刚性较高的树脂材料、例如聚醚酰亚胺(PEI)树脂(商品名:ULTEM(注册商标))。
[0066]在处理室4内的下方隔着电介质壁2与高频天线13相对地设置有用于载置矩形的FPD用基板(以下简记为基板)G的载置台23。载置台23由导电性材料例如表面经过阳极氧化处理的铝构成。载置在载置台23的基板G由静电吸盘(未图示)吸附保持。
[0067]载置台23收纳于绝缘体框24内，并且支承于中空的支柱25。支柱25贯通主体容器I的底部，由配置在主体容器I外的升降机构(未图示)支承，在基板G的搬入搬出时由升降机构在上下方向上驱动载置台23。收纳载置台23的绝缘体框24和主体容器I的底部之间配置有气密地包围支柱25的波纹管(bellows) 26，由此，通过载置台23的上下移动来保证处理室4内的气密性。另外，处理室4的侧壁4a设置有用于搬入搬出基板G的搬入出口 27a以及将其打开和关闭的闸阀(gate valve) 27。
[0068]载置台23通过设置在中空的支柱25内的供电线25a经由匹配器28与高频电源29连接。该高频电源29，在等离子体处理中将偏置用的高频电力、例如频率为6MHz的高频电力施加至载置台23。通过由该偏置用的高频电力生成的自偏压(self bias)，将在处理室4内生成的等离子体中的离子有效地引入基板G。
[0069]并且，在载置台23内，为了用于控制基板G的温度而设置有由陶瓷加热器等加热单元、制冷剂流路等形成的温度控制机构和温度传感器(均未图示)。这些机构、部件的配管和配线均通过中空的支柱25导出到主体容器I外。
[0070]处理室4的底部经由排气管31与包含真空泵等的排气装置30连接。利用排气装置30对处理室4进行排气，在等离子体处理中，处理室4内被设定、维持在规定的真空气氛(例如 1.33Pa) ο
[0071]载置在载置台23的基板G的背面侧形成有冷却空间(未图示)，设置有用于供给作为一定的压力的热传递用气体的He气体的He气体流路41。像这样对基板G的背面侧供给热传递用气体，由此，在真空下能够避免基板G的温度上升、温度变化。
[0072]本实施方式的高频等离子体处理装置，具有作为对天线室3内的湿度进行调整的湿度调整单元的干空气供给机构58。干空气供给机构58包括干空气供给源51、干空气配管52和流量调节阀53。干空气供给机构58中，从干空气供给源51经由干空气配管52对天线室3内供给干空气，利用流量调节阀53调节干空气的流量，由此，能够使天线室3内的湿度降低。
[0073]在干空气配管52设置有流量传感器54。流量传感器54用作对是否供给所需量的干空气进行监测的监测单元。在天线室3设置有对其中的湿度进行测定的湿度计56。
[0074]在天线室3设置有能够开闭的盖33，在其侧部设置有排气口 55。在排气口 55设置有用于屏蔽供给到天线室3内的高频的冲切板或者排气风扇等，形成能够极力抑制从外部流入高湿度的空气并进行排气的结构。可以不设置排气口 55地将天线室3密闭。
[0075]流量传感器54的信息以及湿度计56的信息被输入到放电防止部57，当干空气的流量在规定量以下时、或者天线室3内的湿度超过规定的阈值时，对高频电源15输出互锁(interlock)信号，使得高频电源15不动作。并且，能够从放电防止部57对流量调节阀53施加控制信号。
[0076]高频等离子体处理装置的各结构部、例如气体供给系统、高频电源15以及29、排气装置30等由整体控制部60控制。整体控制部60包括由微处理器(计算机)构成的主体部、与主体部连接的用户接口部和存储部。用户接口部包括由操作者进行用于管理等离子体处理装置的命令输入等输入操作的键 盘、将等离子体处理装置的运行状况可视化显示的显示器等。存储部存储有用于在主体部的控制下实现在高频等离子体处理装置中执行的各种处理的控制程序、根据处理条件使等离子体处理装置的各结构部执行处理的程序即处理方案(recipe)。处理方案等程序存储在存储部中的存储介质中。存储介质既可以是内置于计算机的硬盘、也可以是CDR0M、闪存等可移动的存储介质。另外，也可以从其它装置例如经由专用线路适当传送方案(recipe)。另外，根据来自用户接口的指示等，从存储部调出规定的处理方案，由高频等离子体处理装置执行规定的处理。
[0077]接着，对使用如上所述那样构成的高频等离子体处理装置对基板G实施等离子体处理、例如等离子体蚀刻处理时的处理动作进行说明。
[0078]首先，在将闸阀27打开的状态下，利用搬送机构(未图示)将基板G从搬入出口27a搬入处理室4内，载置在载置台23的载置面后，利用静电吸盘(未图示)将基板G固定在载置台23上。接着，将从处理气体供给系统20供给到处理室4内的处理气体从喷淋壳体11的气体排出孔12a排出到处理室4内，并且，利用排气装置30经由排气管31对处理室4内进行真空排气，由此将处理室内维持在例如0.66?26.6Pa左右的压力气氛。
[0079]另外，此时，为了避免基板G的温度上升、温度变化，经由He气体流路41对基板G的背面侧的冷却空间供给作为热传递用气体的He气体。
[0080]接着，从高频电源15对作为高频电极的高频天线13施加例如13.56MHz的高频，由此，隔着电介质壁2在处理室4内生成均匀的感应电场。利用像这样生成的感应电场，在处理室4内，处理气体等离子体化，生成高密度的感应耦合等离子体。利用该等离子体，对基板G例如进行等离子体蚀刻处理作为等离子体处理。
[0081]但是，在进行这样的等离子体处理时，现有技术中，存在在天线室内在作为高频电极的高频天线产生沿面放电的问题。沿面放电是在对设置在绝缘物上的电极施加高电压时，沿着绝缘物的表面发生放电的现象。即，在图1的装置中，因为在天线室3内，高频天线13以天线线13a支承于绝缘物17的状态安装，因此，在从高频电源15施加高电压的高频电力时，沿绝缘物17产生放电。
[0082]产生该沿面放电的原因已明确是因为设置装置的洁净室(clean room)内的湿度高。即，已明确，因为在洁净室内，为了防止静电而维持在较高的湿度，所以，在天线室中，容易产生沿面放电。
[0083]在低湿度下，电极间发生空间放电。此时的电极间的耐压由空间距离决定，大约为lkV/mm，当超过lkV/mm时，产生放电。但是，当湿度变高时空间放电的耐压降低，并且，当湿度变高时，以产生空间放电的电压的1/5左右的电压产生沿面放电。为了确认该情况，如图2所示，利用在绝缘物101之上隔着20mm的间隔配置电极102、在其之上配置有具有狭缝103的绝缘物104的试样，在温度25°C下对电极102间施加电压，针对产生沿面放电的湿度进行了实验。此外，作为绝缘物101、104使用聚醚酰亚胺(PEI)树脂(商品名:ULTEM(注册商标))。其结果是，如图3所示，已确认，当湿度(相对湿度)超过50%时耐压急剧降低，产生沿面放电。另外，改变温度，调查水蒸汽量(绝对湿度)和耐电压的关系，其结果是，如图4(a)、(b)所示，已确认，在25°C下耐压降低(产生沿面放电的)的水蒸汽量，使温度上升使相对湿度降低时，也会较高地维持耐压。所以，明确了对沿面放电起作用的不是绝对湿度而是相对湿度。并且，如图5所示，明确了当成为产生沿面放电的湿度时，即使电极(导电体)间距离变大，耐压也几乎不变化。
[0084]所以，在本实施方式中，设置干空气供给机构58作为调整天线室3内的湿度的湿度调整单元，进行管理，使得天线室3内的湿度(相对湿度)成为难以产生沿面放电的值。
[0085]作为具体的方案，第一方案为，关闭天线室3的盖33，从干空气供给源51以规定流量流过干空气，利用湿度计56测定天线室3的湿度(相对湿度)，将该测定值送至放电防止部57，在放电防止部57中判断该湿度的测定值是否超过作为在天线室3内不发生沿面放电的阈值设定的值，直至该值成为阈值以下为止，从放电防止部57输出互锁信号，使得高频电源15不动作，在湿度计56的测定值成为阈值以下后输出互锁解除信号，使高频电源15为可动作状态(准备状态)。
[0086]也可以在湿度计56的测定值成为阈值以下后，继续利用湿度计56测定天线室3内的湿度，以该测定值成为不超过作为在天线室3内不发生沿面放电的阈值设定的值的规定值的方式，利用放电防止部57控制流量调整阀53，实时地控制来自干空气供给源51的干空气的流量。
[0087]第二方案为，关闭天线室3的盖33，从干空气供给源51以规定流量流过干空气时，预先把握天线室3内的湿度成为规定的阈值以下为止的时间，并将其设定在放电防止部57，实际上关闭天线室3的盖，从干空气供给源51供给干空气，在流量传感器54成为规定流量后直至经过设定时间为止，从放电防止部57输出互锁信号，使得高频电源15不动作，在经过设定时间后输出互锁解除信号，使高频电源15为可动作状态(准备状态)。
[0088]另一方面，在利用流量传感器54检测出干空气流量异常(没有干空气流动或者干空气的流量比规定量少)的情况下，当该异常时间超过规定时间时，湿度会超过阈值，因此，预先将该时间设定在放电防止部57，在异常时间超过了设定时间的情况下，输出互锁信号，使得不高频电源15动作(不生成等离子体)。
[0089]在该第二方案中，不使用第一方案中使用的湿度计，就能够进行湿度管理。另外，可以兼用第一方案和第二方案。
[0090]使用以上的第一方案或第二方案将天线室3内的湿度管理为阈值以下，能够非常有效地抑制在天线室3内产生沿面放电。
[0091]在上述任意方案中，如上述图3所示，当湿度(相对湿度)为50%以下时，能够抑制沿面放电的产生。图3的结果是作为绝缘物使用聚醚酰亚胺(PEI)树脂(商品名:ULTEM(注册商标))的情况的结果，已明确，产生沿面放电的容易度因绝缘物的材质(吸水率等)而发生变化，但是无论材料为何，当湿度大致为50%以下时，均难以产生沿面放电。
[0092]所以，天线室3内的湿度为50%以下即可，但是与材料无关，从稳定地获得抑制沿面放电的效果的观点出发，优选为湿度40%以下，进一步优选为30%以下。并且，从可靠地防止沿面放电的观点出发，更加优选为20%以下.
[0093]此外，作为绝缘物17，具有吸水率越小越难以产生沿面放电的趋势，从这点出发，与吸水率为0.18?0.28%的ULTEM(注册商标)相比，优选吸水率大致为O的TEFLON(注册商标)，但是，TEFLON(注册商标)为热膨胀系数大且柔软的材料，因此，不适合于按压高频天线13的用途。因此，按压天线的用途中优选ULTEM(注册商标)。
[0094]在本实施方式中，在管理天线室3内的湿度时，在关闭了天线室3的盖的状态下，从干空气供给源51供给干空气并从设置有冲切板或排气风扇等的排气口 5 5排出干空气。由此，能够将天线室3内保持在足够低的湿度。图6、7分别表示在排气口 55设置有冲切板的情况、以及设置有排气风扇的情况的湿度的经时变化。如这些图所示可知，在任意情况下，通过以规定流量持续流过干空气，均能够获得足够低的湿度。另外，通过像这样以规定流量流过干空气，由此，也能够获得将天线室3内冷却的效果。因此，能够抑制天线室3内的沿面放电，并且防止因温度的上升导致的不良。但是，在作为排气口仅仅设置有开口的情况下，高湿度的空气会从开口流入天线室3内，因此，具有湿度上升的趋势，不予以优选。
[0095]在不需要冷却天线室3内的情况下，可以不设置排气口 55，使天线室3为大致密闭空间。在该情况下，不需要使干空气长时间流动，在天线室3内成为规定压力的干空气气氛后，来自干空气供给源51的干空气的供给为对从天线室3漏出的干空气进行补充的程度即可。图8表示使干空气的压力变化的情况下的、干空气的供给时间和湿度的关系。如该图所示，与干空气的压力为0.05Mpa时相比，在0.1Mpa时到达湿度更低，但是即使使压力提高至0.19Mpa，到达湿度也不降低，在压力0.1Mpa左右，到达湿度饱和。另外，可知，天线室3内从到达规定的压力至湿度降低为止需要一定的时间。
[0096]此外，本发明不限于上述实施方式，能够进行各种变形。例如，在上述实施方式中，作为湿度调整单元使用干空气供给机构，但是也可以使用干空气以外的干燥气体。另外，不限于干燥气体，例如也能够使用通过使温度变化来调整湿度等其它的方案。另外，作为天线的形状例示了涡旋状的天线，但是不限于此，能够根据要生成的等离子体，使用任意形状的天线。
[0097]并且，在上述实施方式中，显示了将本发明应用于感应耦合等离子体处理装置的天线室的情况，但是不限于此，当为被施加高频电力的电极配置在绝缘物上、成为有可能产生沿面放电的状态的高频等离子体装置时，例如也能够适用于电容耦合型的等离子体处理装置等、其它的高频等离子体装置。
[0098]另外，在上述实施方式中，示出了将本发明应用于蚀刻处理的情况，但也能够适用于CVD成膜等的其它的等离子体处理装置。另外，示出了作为基板使用Fro用的矩形基板的例子，但也能够适用于对太阳能电池等的其它的矩形基板进行处理的情况，不限于矩形，也能够适用于例如半导体晶片等的圆形的基板。
【主权项】
1.一种高频等离子体处理装置，其具有与绝缘物接触的电极，对所述电极施加高频电力，利用由此生成的等离子体对基板进行等离子体处理，所述高频等离子体处理装置的特征在于，包括: 对基板进行等离子体处理的处理室； 收纳与所述绝缘物接触的状态的所述电极的电极收纳部； 对所述电极施加高频电力的高频电源；和 湿度调整单元，其调整所述电极收纳部内的湿度，使得不在所述电极收纳部内产生沿面放电。2.如权利要求1所述的高频等离子体处理装置，其特征在于: 所述湿度调整单元具有对所述电极收纳部供给干燥气体的干燥气体供给机构。3.如权利要求2所述的高频等离子体处理装置，其特征在于，还包括: 测定所述电极收纳部内的湿度的湿度计；和 放电防止部，其在干燥气体从所述干燥气体供给机构供给至所述电极收纳部时，在所述湿度计的测定值超过规定的阈值的情况下，不允许所述高频电源的动作，在所述湿度计的测定值在所述阈值以下的情况下，允许所述高频电源的动作。4.如权利要求2所述的高频等离子体处理装置，其特征在于，还包括: 测定在对所述电极收纳部供给所述干燥气体时的流量的流量传感器；和 放电防止部，其设定有以规定流量使干燥气体从干燥气体供给机构流到所述电极收纳部时的、所述电极收纳部内的湿度成为规定的阈值以下为止的所需时间，在所述流量传感器成为所述规定流量后直至经过所述所需时间为止不允许所述高频电源的动作，在经过所述所需时间后允许所述高频电源的动作。5.如权利要求4所述的高频等离子体处理装置，其特征在于: 所述放电防止部，通过所述流量传感器检测干燥气体的流量异常，在该异常时间超过规定时间的情况下，不允许所述高频电源的动作。6.如权利要求1?5中任一项所述的高频等离子体处理装置，其特征在于: 所述高频等离子体处理装置为感应耦合等离子体处理装置， 所述电极为在所述处理室内形成感应磁场的高频天线， 所述电极收纳部是设置在所述处理室的上方的、用于收纳所述高频天线的天线室。7.一种高频等离子体处理方法，其从高频电源对与绝缘物接触的电极施加高频电力，利用由此生成的等离子体对处理室内的基板进行等离子体处理，所述高频等离子体处理方法的特征在于: 将与所述绝缘物接触的状态的所述电极收纳在电极收纳部， 对所述电极收纳部内的湿度进行调整使得不在所述电极收纳部内产生沿面放电，并且进行等离子体处理。8.如权利要求7所述的高频等离子体处理方法，其特征在于: 所述湿度的调整通过对所述电极收纳部供给干燥气体而进行。9.如权利要求8所述的高频等离子体处理方法，其特征在于: 利用湿度计测定所述电极收纳部内的湿度， 在干燥气体供给到所述电极收纳部时，在所述湿度计的测定值超过规定的阈值的情况下，不允许所述高频电源的动作，在所述湿度计的测定值在所述阈值以下的情况下，允许所述高频电源的动作。10.如权利要求8所述的高频等离子体处理方法，其特征在于: 利用流量传感器测定所述干燥气体供给至所述电极收纳部时的流量， 设定以规定流量使干燥气体流到所述电极收纳部时的、所述电极收纳部内的湿度成为规定的阈值以下为止的所需时间，在所述流量传感器成为所述规定流量后直至经过所述所需时间为止不允许所述高频电源的动作，在经过所述所需时间后允许所述高频电源的动作。11.如权利要求10所述的高频等离子体处理方法，其特征在于: 利用所述流量传感器检测干燥气体的流量异常，在该异常时间超过规定时间的情况下，不允许所述高频电源的动作。12.如权利要求7?11中任一项所述的高频等离子体处理方法，其特征在于: 所述高频等离子体为感应親合等离子体， 所述电极为在所述处理室内形成感应磁场的高频天线， 所述电极收纳部为设置在所述处理室的上方的、用于收纳所述高频天线的天线室。
【专利摘要】本发明提供在与被施加高频电力的电极接触的绝缘物的部分难以产生沿面放电的高频等离子体处理装置以及高频等离子体处理方法。本发明的高频等离子体处理装置，具有与绝缘物(17)接触的电极(13)，对电极(13)施加高频电力，利用由此生成的等离子体对基板(G)进行等离子体处理，该高频等离子体处理装置包括：进行等离子体处理的处理室(4)；收纳与绝缘物(17)接触的状态的电极(13)的电极收纳部(3)；对电极(13)施加高频电力的高频电源(15)；和湿度调整单元(58)，其调整电极收纳部(3)内的湿度，使得不在电极收纳部(3)内产生沿面放电。
【IPC分类】H01L21/3065, H01L21/66
【公开号】CN104882376
【申请号】CN201510090022
【发明人】东条利洋, 佐佐木和男
【申请人】东京毅力科创株式会社
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年2月27日