具有氧化物穿孔连接的成像系统的制作方法

具有氧化物穿孔连接的成像系统的制作方法
【专利说明】具有氧化物穿孔连接的成像系统
[0001]本申请要求2014年2月27日提交的美国专利申请N0.14/191，965的优先权。
技术领域
[0002]本申请一般地涉及成像系统，并且更具体地，涉及在第一和第二集成电路管芯中具有氧化物穿孔的成像系统。
【背景技术】
[0003]现代电子设备诸如蜂窝电话、照相机和计算机通常使用数字图像传感器。成像系统(即，图像传感器)通常包括图像感测像素的二维阵列。每一个像素一般包括光传感器，诸如接收入射光子(光)并且将光子转换为电信号的光电二极管。成像系统包含具有图像传感器集成电路和光电二极管阵列的图像传感器管芯。图像传感器管芯被附接到具有数字信号处理集成电路的数字信号处理管芯。
[0004]图像传感器管芯上的焊盘可以使用通孔耦连到图像传感器集成电路和数字信号处理集成电路。然而，用于形成集成电路内的金属路由选择通路之间的通孔连接的时间、空间、效率和成本的量是有限的。在常规的成像系统中，形成将图像传感器管芯连接到焊盘的硅穿孔，并且形成从焊盘到数字信号处理管芯的连接会限制用于形成这些连接的时间、空间、效率和成本的量。
[0005]因此希望提供形成成像系统中的通孔连接的改进方法。
【附图说明】
[0006]图1是根据本发明的实施例，可以包括具有图像传感器的照相机模块的说明性成像系统的图。
[0007]图2是根据本发明的实施例，具有氧化物穿孔的图像传感器封装的截面侧视图。
[0008]图3是根据本发明的实施例，形成具有氧化物穿孔的说明性成像系统可能涉及的说明性步骤的流程图。
[0009]图4A和4B是根据本发明的实施例，具有氧化物穿孔的图像传感器封装的截面侧视图。
[0010]图5A和5B是根据本发明的实施例，具有氧化物穿孔的焊盘的俯视图。
[0011]图6是根据本发明的实施例，采用图2-5的实施例的系统的框图。
【具体实施方式】
[0012]电子设备(诸如数字照相机、计算机、蜂窝电话以及其它电子设备)包括收集进入的图像光以便捕捉图像的图像传感器。图像传感器可以包括图像像素的阵列。图像传感器内的像素可以包括光电元件，诸如将进入的图像光转换为图像信号的光电二极管。图像传感器可以具有任意数目的像素(例如，数百或者数千或更多)。典型的图像传感器可以，例如，具有几十万或几百万像素(例如，兆像素)。图像传感器可以包括控制电路，诸如用于操作图像像素的电路和用于读出对应于光电元件所产生的电荷的图像信号的读出电路。
[0013]图1是使用图像传感器捕捉图像的说明性电子设备的图。图1的电子设备10可以是便携电子设备，诸如照相机、蜂窝电话、摄像机或者捕捉数字图像数据的其它成像设备。照相机模块12可被用于将进入光转换为数字图像数据。照相机模块12可以包括一个或多个镜头14和一个或多个对应图像传感器16。在图像捕捉操作过程中，来自场景的光被以镜头14聚焦在图像传感器16上。图像传感器16给处理电路18提供对应的数字图像数据。图像传感器16可以，例如，是后部照明图像传感器。如果希望，照相机模块12可以提供有镜头14的阵列和对应的图像传感器16的阵列。图像传感器16可以包括图像传感器像素的阵列，诸如图像传感器像素15的阵列和对应的滤色器元件的阵列。
[0014]处理电路18可以包括一个或多个集成电路(例如，图像处理电路，微处理器，存储设备，诸如随机存取存储器和非易失存储器等等)并且可以被使用与照相机模块12分离和/或形成照相机模块12的一部分的组件实现(例如，形成包括图像传感器16的集成电路或者与图像传感器16相关联的模块12内的集成电路的一部分的电路)。由照相机模块12捕捉的图像数据可被使用处理电路18处理和存储。如果希望，处理后的图像数据可以被使用耦连到处理电路18的有线和/或无线通信路径提供到外部设备(例如，计算机或者其它设备)。
[0015]图2是图像传感器封装(诸如图像传感器封装20)的截面侧视图。图像传感器封装20可以具有图像传感器集成电路管芯，诸如图像传感器集成电路管芯22 (也被称为图像传感器管芯22)和数字信号处理(DSP)集成电路管芯24 (也被称为DSP管芯24)。图像传感器管芯22可以包含用于硅衬底(诸如硅衬底26)内的图像传感器像素15的阵列的集成电路(例如见图1)。硅衬底26可以具有隔离图像传感器管芯内相邻晶体管之间的电流流动的浅沟槽隔离(STI)结构，诸如STI结构28。STI结构28可以由氧化物材料形成。
[0016]可以在硅衬底26上沉积缓冲层诸如缓冲层30。缓冲层30可以由缓冲材料(诸如氧化物)的多个层形成。图像传感器管芯22可以具有互连层，诸如互连层32。DSP管芯24也可以具有互连层，诸如互连层34。图像传感器管芯22可以被接合或者附接到DSP管芯24，从而互连层32和34彼此面对。互连层32可以形成图像传感器管芯22的正面，并且互连层32可以形成DSP管芯24的正面。图像传感器封装20可以形成后部照明成像系统的一部分，其中从图像传感器管芯22的后部方向接收光(例如，从具有缓冲层30的一侧)。图2中的布置仅仅是示例性的；图像传感器封装20还可以形成前部照明系统的一部分。图像传感器管芯22和DSP管芯24可以被以任意适合的方法附接，以便形成成像系统。
[0017]互连层32可以具有金属互连(例如，金属路由选择通路)，诸如金属互连36。互连层34可以具有金属互连，诸如金属互连38。互连层32和34可以由多个材料层形成，并且包含多个金属互连层。可以在硅衬底26上的钝化层上形成焊盘，诸如焊盘40。焊盘40可以由铝形成。硅衬底26的表面上可能有多于一个焊盘(诸如焊盘40)。焊盘40可以具有具有四边的矩形或者正方形形状的表面。焊盘40可以具有小于常规硅穿孔配置中所使用的焊盘的面积。例如，焊盘40可以具有70-110微米范围内的长度和70-110微米范围内的宽度，或者用于焊盘的任意其它适合的尺寸。
[0018]可以在图像传感器管芯22和数字信号处理管芯24内形成通孔(诸如氧化物穿孔42)，以便将焊盘40电连接到管芯内的集成电路(例如，图像传感器集成电路和DSP集成电路)。氧化物穿孔42可以由诸如铜的导电材料和任意其它适合的导电材料形成。氧化物穿孔42可被以通孔衬垫(诸如通孔衬垫44)围绕，并且可以穿过STI结构28。通孔衬垫44可由钽或者任意其它适合的导电材料形成。通孔衬垫44可以由钝化层(诸如钝化层45)围绕。钝化层45可以由氧化物材料形成。氧化物穿孔42可以具有连接到焊盘40的一端和延伸通过图像传感器管芯22进入DSP管芯24的另一端。氧化物穿孔42可以将焊盘40连接到金属互连36和38，同时将金属互连36和38彼此连接。
[0019]以这种方式，焊盘连接和管芯间连接(例如第一和第二管芯内的金属互连(诸如金属互连36和38)之间的连接)可以使用单个结构和处理形成(例如氧化物穿孔)，而不是用于焊盘连接和管芯间连接的分别处理和结构。使用氧化物穿孔42而不是常规硅穿孔方法的焊盘40和第一和第二管芯内的电路之间的电连接会导致减小焊盘40的焊盘面积和在处理过程中使用的掩模层的数目，这改进了制造图像传感器封装的空间和成本的量。会希望形成焊盘连接和管芯间连接的单个蚀刻处理，因为其改进了工艺集成(例如，减少了开发周期时间)、最小化构形(例如，改进到达图像传感器内的光电二极管的光的产生量)、并且降低了处理的成本。
[0020]图3是形成具有氧化物穿孔的说明性成像系统(诸如图2所示的图像传感器封装)可能涉及的说明性步骤的流程图。
[0021]在步骤46，第一管芯(诸如图像传感器管芯22)和第二管芯(诸如DSP管芯24)可被彼此附接，并且图像传感器管芯22可以研磨或者抛光到希望的厚度。图像传感器管芯22可被接合或者附接到DSP管芯24，从而使得它们前侧的互连层(诸如互连层32和互连层34)彼此相对。图像传感器管芯22可以包括硅衬底，诸如硅衬底26，其具有用于硅衬底26内的光电二极管阵列的图像传感器集成电路。硅衬底诸如硅衬底26可被研磨并且变薄到所希望的厚度，对于后部照亮图像传感器，该厚度的范围可以为从2到3微米。
[0022]在步骤48，可以在第一管芯(诸如图像传感器管芯22)上沉积缓冲层(诸如缓冲层30)。该缓冲层可由氧化物材料形成，并且可由多个材料层形成。 例如，可以在第一管芯上沉积由氧化物材料形成的防反射涂层，并且可以在第一管芯和防反射涂层上沉积也由氧化物材料形成的附加缓冲层。
[0023]在步骤50，可以执行选择性蚀刻以便在第一管芯的硅衬底(诸如图像传感器管芯22的硅衬底26)内形成孔。该孔可以到达硅衬底内的STI结构，诸如STI结构28。该STI结构可以位于硅衬底内的相邻晶体管之间，以便阻止和隔离晶体管彼此之间的电流流动。
[0024]在步骤52，可以在该孔内沉积钝化层(诸如钝化层45)，从而使得钝化层覆盖硅衬底(诸如硅衬底26)内的孔的壁。该钝化层可由氧化物材料形成。
[0025]在步骤54，可以执行选择性蚀刻，以便将该孔延伸通过STI结构(诸如STI结构28)和互连层(诸如互连层36和38)。该孔可以延伸通过互连层(诸如金属互连36和38)内的金属路由选择通路层。可以蚀刻该孔，从而使得该孔延伸通过第一管芯，并且进入第二管芯(即，从第一管芯到第二管芯)。可以单个蚀刻处理或者多个蚀刻处理进行该蚀刻。会希望单个蚀刻处理，因为其改进了工艺集成(例如，减少了开发周期时间)、最小化构形(例如，改进到达图像传感器内的光电二极管的光的产生量)、并且降低了处理的成本。
[0026]在步骤56，可以在该孔内沉积通孔衬垫(诸如通孔衬垫44)。可以沉积通孔衬垫，从而使得通孔衬垫衬在孔的内表面上。通孔衬垫44可由钽或者任意其它适合的材料形成。
[0027]在步骤58，可以在该孔内沉积一种导电材料诸如铜，以便形成氧化物穿孔，诸如氧化物穿孔42。可以用导电材料填充孔的其余部分。氧化物穿孔42可被电耦连到金属互连36 和 38。
[0028]在步骤60，可以在第一管芯(诸如图像传感器管芯22)上形成焊盘(诸如焊盘40)，从而使得焊盘接触该氧化物穿孔。因为氧化物穿孔连接到焊盘40、第一管芯内的金属互连(例如，金属互连36)、第二管芯内的金属互连(例如，金属互连38)，焊盘40可被电耦连到具有氧化物穿孔42的第一管芯和第二管芯两者。以这种方式，可以使用单个结构和处理(例如，氧化物穿孔)，而不是用于焊盘连接和管芯间连接的分别的处理和结构，形成焊盘连接和管芯间连接(例如，在金属互连36和38之间形成的)。使用氧化物穿孔42而不是常规硅穿孔方法的焊盘40和第一和第二管芯内的金属路由选择通路之间的电连接可以导致焊盘40的较小焊盘面积和使用的较少的缓冲层，这改进了制造图像传感器封装的空间和成本的量。
[0029]图4A和4B示出了可以在图像传感器封装内形成的氧化物穿孔的各种配置的截面图。在图4A中，图像传感器封装(诸如图像传感器封装20-A)可以具有第一和第二管芯，诸如图像传感器管芯22-A和DSP管芯24-A。DSP管芯24-A可以包括专用集成电路(ASIC)。图像传感器管芯22-A可以具有金属互连36-A和37-A，并且DSP管芯24-A可以具有金属互连38-A。金属互连37-A可以耦连到用于图像传感器管芯22-A内的光电二极管阵列(例如，图1中的图像传感器像素15)的一个或多个图像传感器集成电路。图像传感器封装20-A可以包括通孔43-A，通孔43-A作为将第一管芯内的金属互连37-A连接到第二管芯内的金属互连38-A的管芯间连接。图像传感器封装20-A还可以包括:氧化物穿孔，诸如氧化物穿孔36 -A ;和焊盘，诸如放置在图像传感器管芯上表面上的焊盘40-A。可以形成氧化物穿孔42-A，从而使得焊盘40-A同时电耦连到金属互连36-A和38-A (例如，氧化物穿孔42-A可以是第一和第二管芯之间的管芯间连接以及焊盘42-A和金属互连36-A和38-A之间的焊盘连接两者)。然而，因为金属互连36-A和金属互连37-A不电親连，焊盘40-A不电親连到金属互连37-A和图像传感器管芯22-A中的图像传感器集成电路。
[0030]在图4B中，图像传感器封装(诸如图像传感器封装20 - B)可以具有第一和第二管芯，诸如图像传感器管芯22-B和DSP管芯24-B。DSP管芯24-B可以包括专用集成电路(ASIC)。图像传感器管芯22-B可以具有金属互连36-B，并且DSP管芯24-B可以具有金属互连38-A。金属互连36-B可以耦连到用于图像传感器管芯22-B内的光电二极管阵列(例如，图1中的图像传感器像素15)的一个或多个图像传感器集成电路。图像传感器封装20-B还可以包括氧化物穿孔(诸如氧化物穿孔36-A)和焊盘(诸如放置在图像传感器管芯上表面上的焊盘40 - B)。可以形成氧化物穿孔42-B，从而使得焊盘40-B同时电耦连到金属互连36-B和38-B (例如，氧化物穿孔42-B可以是第一和第二管芯之间的管芯间连接以及焊盘42-A和金属互连36-A和38-A之间的焊盘连接两者)。焊盘40-B可以电耦连到DSP管芯24-B内的金属互连38-B以及图像传感器管芯22-A内的像素电路(通过金属互连36-B)两者。
[0031]图4A和4B内的氧化物穿孔的配置仅仅是示例性的；可能有以任意适合的组合数目形成的任意适合数目的氧化物穿孔，以便形成图像传感器封装内的焊盘和不同电路层之间的任意适合连接。
[0032]图5A和5B示出了可由焊盘的剖视俯视图形成的氧化物穿孔的各种配置。如图5A所示焊盘80-A可以由导电材料(诸如铝)形成。焊盘80-A可以具有顶面和底面。焊盘80-A的底面可以连接到并且接触若干氧化物穿孔，诸如图2和4内的氧化物穿孔42。氧化物穿孔42可以是圆形的，并且可以有沿着该顶面的一侧接触焊盘80-A的多个氧化物穿孔。图5A中的布置仅仅是示例性的；可以用任意适合的布置形成任意适合的数目和形状的氧化物穿孔42，以便连接到焊盘80-A。氧化物穿孔42可以彼此相邻地定位。通孔42之间的间隔可以为大约4.4微米或者任意其它适合的距离。焊盘80-A可以具有小于可以在常规硅穿孔配置中使用的焊盘的面积。例如，焊盘80-A可以具有70-110微米范围内的长度和70-110微米范围内的宽度，或者用于焊盘的任意其它适合的尺寸。
[0033]如图5B所示，焊盘80-B可以由导电材料(诸如铝)形成。焊盘80_B可以具有顶面和底面。焊盘80-B的底面可以连接并且接触若干氧化物穿孔，诸如图2和4内的氧化物穿孔42。氧化物穿孔42可以由硅衬底内的长方形槽状开口形成，并且可以由导电材料的矩形块形成。槽状氧化物穿孔42可被在该通孔的矩形边之一(图5B所示)处连接到焊盘80-B。图5B所示的布置仅仅是示例性的；通孔可以在任意适合的位置接触焊盘。槽形通孔42可以为52微米X 3.8微米或者具有任意其它适合的尺寸范围。焊盘80-B可以具有小于可以在常规硅穿孔配置中使用的焊盘的面积。例如，焊盘80-B可以具有70-110微米范围内的长度和70-110微米范围内的宽度，或者用于焊盘的任意其它适合的尺寸。
[0034]图6以简化形式示出了典型的处理器系统300，诸如包括成像设备200的数字照相机。成像设备200可以包括像素阵列201。成像设备200可以包括图像传感器封装，诸如具有图2所示的氧化物穿孔42的图像传感器封装20。处理器系统300是可以包括成像设备200的具有数字电路的系统的示例。不是作为限制，这种系统可以包括计算机系统，静态照相机系统或摄像机系统，扫描仪，机器视觉，车辆导航，视频电话，监视系统，自动对焦系统，星体跟踪仪系统，运动检测系统，图像稳定性系统，以及采用成像设备的其它系统。
[0035]处理器系统300，其可以是数字静态照相机系统或者摄像机系统，可以包括镜头(诸如镜头396)，用于当快门释放按钮397被按压时，将图像聚焦到像素阵列，诸如像素阵列201。处理器系统300可以包括中央处理单元，诸如中央处理单元(CPU) 395。CPU 395可以是微处理器，其控制照相机功能和一个或多个图像流功能，并且在总线(诸如总线393)上与一个或多个输入/输出(I/O)设备391通信。成像设备200还可以在总线393上与CPU 395通信。系统300可以包括随机访问存储器(RAM) 392和可移动存储器394。可移动存储器394可以包括在总线393上与CPU 395通信的闪速存储器。成像设备200可被与CPU 395组合、具有或没有存储器存储设备、在单个集成电路上或者在不同芯片上。虽然作为单总线示出了总线393，其可以是一个或多个总线或桥或者用于互连系统组件的其它通信路径。
[0036]已经描述了示出了具有使用氧化物穿孔连接到成像系统内的各种管芯的焊盘的成像系统的各种实施例 。具有中央处理单元、存储器和输入/输出电路的系统可以包括成像设备。成像设备或者集成电路封装可以包括第一集成电路管芯，附接或者接合到第一集成电路管芯的第二集成电路管芯，第一集成电路管芯上的焊盘；和将第一集成电路上的焊盘耦连到第二集成电路管芯的通孔。该通孔可以具有连接到焊盘的第一端，以及延伸到第二集成电路管芯的第二端。第一和第二集成电路管芯可以具有第一和第二金属互连(也被称为金属路由选择通路)。该通孔可以将第一金属互连耦连到第二金属互连。第一集成电路管芯可以包括浅沟槽隔离结构。可以穿过该浅沟槽隔离结构形成该通孔。第一集成电路管芯可以包括图像传感器集成电路，并且第二集成电路管芯可以包括数字信号处理集成电路。通孔衬垫可以围绕该通孔。该通孔可以是穿过第一集成电路管芯形成并且接触该焊盘的多个通孔中的一个。该通孔可以是圆形的或者是长方形的槽。第一集成电路可以包括通过第一集成电路内的金属路由选择通路耦连到该通孔的图像传感器像素。
[0037]该通孔可以通过以下处理形成:执行选择性蚀刻以便形成延伸到第一和第二管芯内的孔，在该孔内沉积导电材料以便在该孔内形成通孔，并且在第一管芯上形成焊盘以便接触该通孔。该通孔可以同时提供第一管芯和第二管芯之间的第一连接，以及该焊盘和第一管芯之间的第二连接。在执行选择性蚀刻之前，可以在第一管芯上沉积缓冲层。第一管芯包括硅衬底。形成该孔的选择性蚀刻可以包括执行选择性蚀刻，以便形成穿过该硅衬底的孔。在执行选择性蚀刻之后，可以在该硅衬底内的孔中沉积钝化层，以便在该硅衬底中形成该孔。然后可以通过选择性蚀刻，穿过第一管芯内的浅沟槽隔离结构，并且延伸到第二管芯来形成硅衬底内的孔。
[0038]根据一个实施例，提供了一种集成电路封装，其包括第一集成电路管芯，接合到第一集成电路管芯的第二集成电路管芯，第一集成电路管芯上的焊盘，和将第一集成电路上的焊盘耦连到第二集成电路管芯的通孔。
[0039]根据另一个实施例，该通孔可以具有连接到所述焊盘的第一端，以及延伸到第二集成电路管芯的第二端。
[0040]根据另一个实施例，第一集成电路管芯具有第一金属互连，第二集成电路管芯具有第二金属互连，并且所述通孔将第一金属互连耦连到第二金属互连。
[0041]根据另一个实施例，第一集成电路管芯包括浅沟槽隔离结构，并且所述通孔穿过所述浅沟槽隔离结构形成。
[0042]根据另一个实施例，第一集成电路管芯包括图像传感器集成电路，并且第二集成电路管芯包括数字信号处理集成电路。
[0043]根据另一个实施例，所述集成电路封装包括围绕所述通孔的通孔衬垫。
[0044]根据另一个实施例，所述通孔包括穿过第一集成电路管芯形成并且接触所述焊盘的多个通孔中的给定通孔，并且所述多个通孔中的每一个通孔是圆形的。
[0045]根据另一个实施例，所述通孔包括长方形的槽。
[0046]根据另一个实施例，第一集成电路包括金属路由选择通路和通过所述金属路由选择通路耦连到所述通孔的图像传感器像素。
[0047]根据一个实施例，提供一种形成图像传感器封装的方法，其中提供图像传感器封装，其包括第一管芯和第二管芯，该方法包括:将第一管芯附接到第二管芯，执行选择性蚀刻以便形成延伸到第一和第二管芯内的孔，在所述孔内沉积导电材料以便在该孔内形成通孔，和在第一管芯上形成焊盘以便接触所述通孔。
[0048]根据另一个实施例，所述方法包括在将第一管芯附接到第二管芯之后研磨第一管芯，和在执行选择性蚀刻之前在第一管芯上沉积缓冲层。
[0049]根据另一个实施例，第一管芯包括硅衬底，并且其中执行选择性蚀刻以便形成所述孔包括:执行选择性蚀刻以便穿过所述硅衬底形成所述孔。
[0050]根据另一个实施例，所述方法包括:在执行选择性蚀刻以便在所述硅衬底内形成所述孔之后，在所述孔内沉积钝化层。
[0051]根据另一个实施例，执行选择性蚀刻以便形成所述孔包括执行选择性蚀刻，以便将所述孔从所述硅衬底延伸到第二管芯，所述通孔同时提供第一管芯和第二管芯之间的第一连接，以及所述焊盘和第一管芯之间的第二连接。
[0052]根据另一个实施例，所述第一管芯包括浅沟槽隔离结构，并且执行选择性蚀刻以便形成所述孔还包括穿过所述浅沟槽隔离结构形成所述孔。
[0053]根据一个实施例，提供了一种系统，其包括中央处理单元、存储器、输入/输出电路和成像设备，所述成像设备包括第一管芯，附接到第一管芯的第二管芯，第一管芯上的焊盘，和接触所述焊盘并且延伸通过第一管芯进入第二管芯的氧化物穿孔。
[0054]根据另一个实施例，第一管芯包括第一金属路由选择通路，第二管芯包括第二金属路由选择通路，所述氧化物穿孔将所述焊盘电耦连到第一和第二金属路由选择通路。
[0055]根据另一个实施例，所述氧化物穿孔连接第一和第二金属路由选择通路。
[0056]根据另一个实施例，第一管芯包括浅沟槽隔离结构，并且所述氧化物穿孔延伸穿过所述浅沟槽隔离结构。
[0057]根据另一个实施例，第一管芯包括图像传感器集成电路，并且第二管芯包括数字信号处理集成电路。
[0058]上述仅仅是可以在其它实施例中实现的本发明的原理的例示。
【主权项】
1.一种集成电路封装，包括: 第一集成电路管芯； 接合到所述第一集成电路管芯的第二集成电路管芯； 所述第一集成电路管芯上的焊盘；和 将所述第一集成电路管芯上的所述焊盘耦连到所述第二集成电路管芯的通孔。2.如权利要求1所述的集成电路封装，其中所述通孔具有连接到所述焊盘的第一端，以及延伸到所述第二集成电路管芯内的第二端。3.如权利要求1所述的集成电路封装，其中所述第一集成电路管芯包括浅沟槽隔离结构，并且其中所述通孔穿过所述浅沟槽隔离结构形成。4.如权利要求1所述的集成电路封装，其中所述第一集成电路管芯包括图像传感器集成电路，并且其中所述第二集成电路管芯包括数字信号处理集成电路。5.如权利要求1所述的集成电路封装，还包括: 围绕所述通孔的通孔衬垫。6.一种形成图像传感器封装的方法，其中所述图像传感器封装包括第一管芯和第二管芯，所述方法包括: 将所述第一管芯附接到所述第二管芯； 执行选择性蚀刻以便形成延伸到所述第一管芯和第二管芯内的孔； 在所述孔内沉积导电材料，以便在所述孔内形成通孔；和 在所述第一管芯上形成焊盘以便接触所述通孔。7.如权利要求6所述的方法，还包括: 在将所述第一管芯附接到所述第二管芯之后研磨所述第一管芯；和 在执行选择性蚀刻之前，在所述第一管芯上沉积缓冲层。8.如权利要求7所述的方法，其中所述第一管芯包括硅衬底，并且其中执行选择性蚀刻以便形成所述孔包括:执行选择性蚀刻以便穿过所述硅衬底形成所述孔。9.如权利要求8所述的方法，还包括: 在执行选择性蚀刻以便在所述硅衬底中形成所述孔之后，在所述硅衬底内的所述孔中沉积钝化层。10.如权利要求8所述的方法，其中执行选择性蚀刻以便形成所述孔还包括:执行选择性蚀刻，以便将所述孔从所述硅衬底延伸到所述第二管芯内，其中所述通孔同时提供所述第一管芯和所述第二管芯之间的第一连接，以及所述焊盘和所述第一管芯之间的第二连接，其中所述第一管芯包括浅沟槽隔离结构，并且其中执行选择性蚀刻以便形成所述孔还包括穿过所述浅沟槽隔离结构形成所述孔。
【专利摘要】本发明涉及具有氧化物穿孔连接的成像系统。一种成像系统可以包括图像传感器封装，所述图像传感器封装具有图像传感器封装内的图像传感器管芯和数字信号处理管芯之间的氧化物穿孔连接。图像传感器管芯和数字信号处理管芯可以彼此附接。氧化物穿孔可以将图像传感器管芯上的焊盘连接到图像传感器和数字信号处理管芯内的金属路由选择通路。所述氧化物穿孔可以同时将图像传感器管芯耦连到数字信号处理管芯。可以穿过图像传感器管芯内的浅沟槽隔离结构形成氧化物穿孔。可以通过图像传感器和数字信号处理管芯的选择性蚀刻形成所述氧化物穿孔。
【IPC分类】H01L27/146, H01L23/48
【公开号】CN104882458
【申请号】CN201510087734
【发明人】S·伯萨克, V·克洛伯夫, M·塞弗里格
【申请人】半导体元件工业有限责任公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年2月26日
【公告号】EP2913851A2, EP2913851A3, US20150243699