有机电致发光器件及其制备方法

有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及光电子器件领域，尤其涉及有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件（0LED)具有一些独特的优点：（1)0LED属于扩散型面光源，不 需要像发光二极管（LED) -样通过额外的导光系统来获得大面积的白光光源；（2)由于有 机发光材料的多样性，0LED照明可根据需要设计所需颜色的光，目前无论是小分子0LED， 还是聚合物有机发光二极管（PLED)都已获得了包含白光光谱在内的所有颜色的光；（3) 0LED可在多种衬底如玻璃、陶瓷、金属、塑料等材料上制作，这使得设计照明光源时更加自 由；(4)采用制作0LED显示的方式制作0LED照明面板，可在照明的同时显示信息；（5)0LED 在照明系统中还可被用作可控色，允许使用者根据个人需要调节灯光氛围。以上的优点使 得有机电致发光器快速成为平面显示器的材料理想选择。
[0003] 现有典型的有机电致发光器件包括基板和依序形成于基板上之上的阳极、空穴注 入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及阴极。有机电致发光器件的发光原理为：通 过阴极注入电子，阳极注入空穴，并利用外加电场所产生的电位差而促使这些电子和空穴 移动至有机发光层中，进行再结合以达到发光的目的。当电子与空穴分别从阴极与阳极移 动至有机发光层中进行再结合时，电子与空穴必需克服各层之间的交界面所存在的能障。 以阴极侧为例，电子必须克服阴极与电子注入层之间的、电子注入层与电子传输层之间、以 及电子传输层与有机发光层之间交界面处所存在的能障；当较大的能障存在于上述各层的 交界面处时，电子不宜进入有机发光层，而会在各层的交界面处产生累积，如此以来，将导 致有机电致发光器件的工作电压上升以及寿命降低。
[0004] 为了避免有机电致发光器件的工作电压的上升，传统的做法是减少阴极与有机发 光层之间的有机膜厚度，但有机膜厚愈薄时，会导致有机电致发光器件的发光效率降低，造 成稳定度下降，以及容易形成短路等多种缺点。如何有效降低有机电致发光器件的工作电 压，提高有机电致发光器件的发光效率，是产业界亟需克服的问题。

【发明内容】

[0005] 本发明的目的在于解决上述现有技术存在的问题和不足，提供一种可有效降低工 作电压和提高发光效率的有机电致发光器件。
[0006] 为实现本发明的上述目的，本发明所采用的技术方案为：
[0007] 本发明的有机电致发光器件为层状结构，所述有机电致发光器件包括：依次层叠 的阳极导电基板、第一空穴注入层、空穴传输层、蓝光发光层、电子传输层、第一电子注入 层、第二空穴注入层、第二电子注入层以及阴极层，所述第一空穴注入层与第二空穴注入层 均由空穴注入材料以及掺杂于所述空穴注入材料的P型材料组成，所述第一电子注入层与 所述第二电子注入层均由电子注入材料以及掺杂于所述电子注入材料的n型材料组成。
[0008] 进一步地，在本发明有机电致发光器件中：
[0009] 所述阳极导电基板的材质为氧化铟锡透明导电玻璃，厚度为100~150nm ;
[0010] 所述第一空穴注入层与所述第二空穴注入层中的所述空穴注入材料均为 N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -联苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基） 三苯胺、4, 4' -二（9-咔唑）联苯、N，N' -二（3-甲基苯基）-N，N' -二苯基-4, 4' -联苯二胺 或1，1-二[4-[N, N' -二（p-甲苯基）氨基]苯基]环己烧，所述p型材料均为M〇03、W03、 V 205或Re03，所述p型材料占所述空穴注入材料的重量百分比为25~35wt% ;所述第一空穴 注入层和所述第二空穴注入层的厚度均为10~15nm ;
[0011] 所述第一电子注入层和所述第二电子注入层中的所述电子注入材料均为4, 7-二 苯基-1，10-菲罗啉、4, 7-二苯基-1，10-邻菲罗啉、4-联苯酚基一二（2-甲基-8-羟基喹 啉）合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基）-5-(4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三 唑或1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯，所述n型材料均为Cs2C03、CsF、CsN3、 Li2C03、LiF或Li 20，所述n型材料占所述电子注入材料的重量百分比为25~35wt% ;所述 第一电子注入层和所述第二电子注入层的厚度均为20~40nm ;
[0012] 所述空穴传输层的材质为N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -联 苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺、4, 4' -二（9-咔唑）联苯、N，N' -二 (3-甲基苯基）4州'-二苯基-4,4'-联苯二胺或1，1-二[4-队^-二（口-甲苯基）氨基] 苯基]环己烧，所述空穴传输层的厚度为30~50nm ;
[0013] 所述蓝光发光层的材质由主体材料和掺杂于主体材料的蓝光客体材料组成，所 述主体材料为4, 4'-二（9-咔唑）联苯、9, 9'-(1，3_苯基）二-9H-咔唑、9-(4_叔丁苯 基）-3,6-双（三苯基硅）-911-咔唑、2,6-双（3-(911-咔唑-9-基）苯基）吡啶、3,5-双 (3-(9H-咔唑-9-基）苯基）吡啶或1，4-双（三苯基硅）苯，蓝光客体材料为双（4, 6-二 氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱、双（4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、三 (2-(4'，6'-二氟-5'-氰基）苯基吡啶-N，C2'）合铱、双（4, 6-二氟苯基吡啶）-(3-(三氟甲 基）-5-(吡啶-2-基）_1，2, 4-三唑）合铱)或双（4, 6-二氟苯基吡啶）（5-(吡啶-2-基）-四 唑）合铱；所述蓝光客体材料占所述主体材料的重量百分比为5~20wt% ;所述蓝光发光层 的的厚度为5~15nm ;
[0014] 所述电子传输层的材质为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉、4, 7-二苯基-1，10-邻 菲罗啉、4-联苯酚基-二（2-甲基-8-羟基喹啉）合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联 苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1, 2, 4-三唑或1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并 咪唑-2-基）苯，所述电子传输层的厚度为10~60nm ;
[0015] 所述阴极层的材质为银、错或金，厚度为50~200nm。
[0016] 本发明还提出一种有机电致发光器件的制备方法，其包括以下步骤：采用真空蒸 镀方法在阳极导电基板上依次形成第一空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、第 一电子注入层、第二空穴注入层、第二电子注入层以及阴极层；
[0017] 其中：
[0018] 真空蒸渡所述第一空穴注入层和所述第二空穴注入层时，均将P型材料掺杂 入空穴注入材料中，从而形成所述第一空穴注入层和所述第二空穴注入层；所述空穴注 入材料均为 N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -联苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三 (咔唑-9-基）三苯胺、4, 4' -二（9-咔唑）联苯、N，N' -二（3-甲基苯基）-N，N' -二苯 基-4, 4' -联苯二胺或1，1-二[4-[N, N' -二（p-甲苯基）氨基]苯基]环己烧，所述p型 材料均为M〇03、W03、V205或Re0 3，所述p型材料占所述空穴注入材料的重量百分比为25~ 35wt% ;在真空蒸镀所述第一空穴注入层和所述第二空穴注入层时，所设定的真空度均为 1 X l(T5Pa~1 X l(T3Pa，蒸发速度均为(U A .. I s:所述第一空穴注入层和所述第二空穴 注入层经真空蒸镀后所得的厚度均为10~15nm ;
[0019] 真空蒸渡所述第一电子注入层和所述第二电子注入层时，均将n型材料掺杂入电 子注入材料中，从而形成所述第一电子注入层和所述第二电子注入层；所述电子注入材料 均为4,7_二苯基_1，10-菲罗琳、4,7_二苯基_1，10-邻菲罗琳、4_联苯酌?基一二（2_甲 基-8-羟基喹啉）合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基）-5-(4_叔丁基苯基）-4_苯 基-4H-1，2,4-三唑或1，3,5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯，所述n型材料均为 Cs2C03、CsF、CsN3、Li2C03、LiF或Li20，所述n型材料占所述电子注入材料的重量百分比为 25~35wt% ;在真空蒸镀所述第一电子注入层和所述第二电子注入层时，所设定的真空度 均为8X l(T5Pa~3X l(T4Pa，蒸发速度均为〇.1人~2A/S;所述第一电子注入层和所述第二 电子注入层经真空蒸镀后所得的厚度均为20~40nm ;
[0020] 真空蒸渡所述空穴传输层时，采用N，N'_二苯基-N，N'-二（1-萘基）-1，r-联 苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺、4, 4' -二（9-咔唑）联苯、N，N' -二 (3-甲基苯基）-N，N' -二苯基-4, 4' -联苯二胺或1，1-二[4-[N，N' -二（p-甲苯基）氨基] 苯基]环己烷作为空穴传输材料；真空蒸镀时所设定的真空度为1 X l(T5Pa~3 X l(T3Pa，蒸 发速度为0.1 A~2所述空穴传输层经真空蒸镀后所得的厚度为30~50nm ;
[0021] 真空蒸渡所述蓝光发光层时，采用4,4'-二（9-咔唑）联苯、9,9'-(1，3-苯 基）二-9H-咔唑、9-(4_叔丁苯基）-3,6_双（三苯基硅）-9H-咔唑、2,6_双（3-(9H-咔 唑-9-基）苯基）吡啶、3, 5-双（3-(9H-咔唑-9-基）苯基）吡啶或1，4-双（三苯基硅） 苯作为主体材料，采用双（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱、双（4, 6-二氟苯基吡 啶）_四（1-吡唑基）硼酸合铱、三（2_(4'，6'_二氟-5' -氰基）苯基吡啶-N，C2'）合铱、 双（4, 6-二氟苯基吡啶）-(3-(三氟甲基）-5-(批啶-2-基）-1，2, 4-三唑）合铱）或双 (4, 6-二氟苯基吡啶）（5-(吡啶-2-基）-四唑）合铱作为蓝光客体材料，将蓝光客体材料 掺杂入主体材料中，从而形成所述蓝光发光层，其中蓝光客体材料占所述主体材料的重量 百分比为2~10wt% ;真空蒸镀时所设定的真空度为lXl(T5Pa~lXl(T3Pa，蒸发速度为 0.1 A~丨人/S:所述蓝光发光层经真空蒸镀后所得的厚度为10~30nm ;
[0022] 真空蒸渡所述电子传输层时，采用4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉、4, 7-二苯 基-1，10-邻菲罗啉、4-联苯酚基-二（2-甲基-8-羟基喹啉）合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联 苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1, 2, 4-三唑或1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并 咪唑-2-基）苯作为电子传输材料，真空蒸镀时所设定的真空度为1 X l(T5Pa~1 X l(T3Pa， 蒸发速度0.1人~2A/S;所述电子传输层经真空蒸镀后所得的厚度为1〇~60nm ;
[0023] 在真空蒸镀所述阴极层时，采用银、铝或金作为原材料，真空蒸镀时所设定的真空 度为1 X l(T5Pa~1 X l(T3Pa，蒸发速度为〇.[八....5 A/S;所述阴极层经真空蒸镀后所得的厚 度为50~200nm。
[0024] 与现有技术相比，本发明的一种有机电致发光器件及其制备方法，具有以下的优 占.
[0025] 第一，本发明有机电致发光器件在电子传输层与第二电子注入层之间设有第一电 子注入层和第二空穴注入层，其依次的顺序为：电子传输层、第一电子注入层、第二空穴注 入层、第二电子注入层。第二空穴注入层夹设于第一电子注入层与第二电子注入层之间，从 而在第一电子注入层与第二空穴注入层的交界处和第二空穴注入层与第二电子注入层的 交界处分别会形成一个不均匀的局部电场，这有利于调整电子的传输能力，从而使电子能 克服各层之间的交界面所存在的能障，接而降低有机电致发光器件的工作电压，增加空穴 电子的对数，增强空穴电子的复合几率，提高有机电致发光器件的的发光效率；
[0026] 第二，本发明的第一空穴注入层均掺杂有p型材料，从而提高了第一空穴注入层 的HOMO (最高占据分子轨道）能级，减低了第一空穴注入层与空穴传输层之间的能障，从而 使空穴更易到达蓝光发光层，提高空穴注入效率，降低工作电压，进而提高有机电致发光器 件的发光效率和寿命；
[0027] 第三，本发明的第一电子注入层和第二电子注入层掺杂有n型材料，从而减低了 第二电子注入层的LUM0 (最低占据分子轨道）能级，从而减低了第一电子注入层与电子传 输层之间的能障，也减低了第二电子注入层与阴极极之间的能障，使电子更易到达蓝光发 光层，提高电子注入效率，降低工作电压，进而提高有机电致发光器件的发光效率和寿命。
[0028] 综上所述，本发明有机电致发光器件通过第二电子注入层与电子传输层之间设置 第二电注入层和第二空穴注入层，从而提高了电子的传输效率和注入效率，降低了有机电 致发光器件的工作电压，进而提高了有机电致发光器件的发光效率和寿命。
【附图说明】
[0029] 图1是本发明实施例1~6的有机电致发光器件的结构示意图。
【具体实施方式】
[0030] 以下结合实施例，对本发明的有机电致发光器件及其制备方法予以进一步地详尽 阐述。
[0031] 本发明提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件为层状结构，所述有 机电致发光器件依次包括：阳极导电基板、第一空穴注入层、空穴传输层、蓝光发光层、电子 传输层、第一电子注入层、第二空穴注入层、第二电子注入层、阴极层。
[0032] 本发明还提供上述有机电致发光器件的制备方法，其步骤为：
[0033]a)阳极导电基板前处理
[0034] 用IT0玻璃(也即为氧化铟锡透明导电玻璃）作为阳极导电基板，先后分别用洗洁 精、去离子水、丙酮与乙醇清洗，均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，停 止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；对洗净后的IT0玻璃还需进行表 面活化处理，以增加IT0玻璃的表面的含氧量，提高IT0玻璃的表面的功函数；IT0玻璃的 厚度为1〇〇~150nm ;
[0035] b)第一空穴注入层的制备
[0036] 采用N，N'-二苯基-N，N'-二（1-萘基）-1，1' -联苯-4, 4' -二胺（NPB)、 4,4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（!'0^)、4,4'-二（9-咔唑）联苯（〇8卩）厲^-二（3-甲 基苯基），州'-二苯基-4,4'-联苯二胺（1?0)或1，1-二[4-队^-二&-甲苯基）氨 基]苯基]环己烷（TAPC)作为空穴注入材料，采用M〇0 3、W03、V205或Re03作为p型材料， 将重量比为25~35 :100的p型材料掺杂入到空穴注入材料中，在真空度为IX l(T5Pa~ 1 X l(T3Pa和蒸发速度为0.1 A~1A/S的设定下，在阳极导电基板上真空蒸镀形成第一空穴 注入层，第一空穴注入层的厚度为10~15nm ;
[0037] c)空穴传输层的制备
[0038] 采用 N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -联苯-4, 4' -二胺（NPB)、 4,4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（!'0^)、4,4'-二（9-咔唑）联苯（〇8卩）厲^-二（3-甲 基苯基），州'-二苯基-4,4'-联苯二胺（1?0)或1，1-二[4-队^-二&-甲苯基）氨 基]苯基]环己烷（TAPC)作为空穴传输材料，在真空度为lXl(T 5Pa~lXl(T3Pa和蒸发速 度为0.1 A^2A7s的设定下，在第一空穴注入层上真空蒸镀形成空穴传输层，空穴传输层的 厚度30~50nm ;
[0039] d)蓝光发光层的制备
[0040] 采用4,4'-二（9-咔唑）联苯（咿8)、9,9'-(1，3-苯基）二-911-咔唑（]\03)、 9- (4-叔丁苯基）-3, 6-双（三苯基硅）-9H-咔唑（CzSi )、2, 6-双（3- (9H-咔唑-9-基） 苯基）吡啶（26DCzPPY)、3,5-双（ 3_(9H_咔唑_9_基）苯基）吡啶C^DCzPPY)或1,4-双 (三苯基硅）苯（UGH2)作为主体材料；采用双（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱 (FIrpic)、双（4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6)、三（2-(4'，6'-二 氟-5' -氰基）苯基吡啶_N，C2'）合铱（FCNIr)、双（4,6-二氟苯基吡啶）-(3-(三氟甲 基）-5-(批啶-2-基）-1，2,4-三唑）合铱）^1竹 &2)或双（4,6-二氟苯基吡啶）（5-(吡 啶-2-基）_四唑）合铱（FIrN4)作为蓝光客体材料，将重量比为2~10 :100的蓝光客体 材料和主体材料相掺杂，在真空度为1 X l(T5Pa~1 X l(T3Pa和蒸发速度为0.1 A~丨人./S的设 定下，在空穴传输层上真空蒸镀形成蓝光发光层，蓝光发光层的厚度为10~30nm ;
[0041] e)电子传输层的制备
[0042] 采用 4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)、4, 7-二苯基-1，10-邻菲罗啉（BCP)、 4_联苯酚基-二（2-甲基-8-羟基喹啉）合铝（BAlq)、8_羟基喹啉铝（Alq 3)、3_(联 苯-4-基）-5-(4-叔丁基苯基）-4-苯基-纽-1，2,4-三唑（142)或1，3,5-三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)作为电子传输材料，在真空度为lX10_ 5Pa~lX10_3Pa 和蒸发速度为0jA~2Ais的设定下，在蓝光发光层上真空蒸镀形成电子传输层，电子传输 层厚度为10~60nm ;
[0043] f)第一电子注入层的制备
[0044]采用4,7-二苯基-1，10-菲罗啉（8口1^11)、4,7-二苯基-1，10-邻菲罗啉（8〇?)、 4_联苯酚基-二（2-甲基-8-羟基喹啉）合铝（BAlq)、8_羟基喹啉铝（Alq3)、3_(联 苯-4-基）-5-(4-叔丁基苯基）-4-苯基-纽-1，2,4-三唑（142)或1，3,5-三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)作为电子注入材料，采用Cs 2C03、CsF、CsN3、Li2C03、LiF 或Li 20作为n型材料，将重量比为25~35 :100的n型材料和电子注入材料相掺杂，在真 空度为8 X l(T5Pa~3 X l(T4Pa和蒸发速度为〇. 1A~2 A/S的设定下，在蓝光发光层上真空蒸 镀形成第一电子注入层，第一电子注入层的厚度为20~40nm ;
[0045] g)第二空穴注入层的制备
[0046] 采用 N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -联苯-4, 4' -二胺（NPB)、 4,4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（!'0^)、4,4'-二（9-咔唑）联苯（〇8卩）厲^-二（3-甲 基苯基）4州'-二苯基-4,4'-联苯二胺（!1^)或1，1-二[4-[1^-二&-甲苯基）氨基] 苯基]环己烷（TAPC)作为空穴注入材料，采用M〇0 3、W03、V205或Re03作为p型材料，将重量 比为25~35wt%的p型材料和空穴注入材料相掺杂，在真空蒸镀的真空度为1 X l(T5Pa~ 1 X l(T3Pa和蒸发速度为0J人~1A/S的设定下,在第一电子注入层上真空蒸镀形成第二空 穴注入层，第二空穴注入层的厚度为10~15nm ;
[0047] h)第二电子注入层的制备
[0048] 采用 4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)、4, 7-二苯基-1，10-邻菲罗啉（BCP)、 4_联苯酚基-二（2-甲基-8-羟基喹啉）合铝（BAlq)、8_羟基喹啉铝（Alq 3)、3_(联 苯-4-基）-5-(4-叔丁基苯基）-4-苯基-纽-1，2,4-三唑（142)或1，3,5-三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)作为电子注入材料，采用Cs 2C03、CsF、CsN3、Li2C03、LiF 或Li 20作为n型材料，将重量比为25~35 :100的n型材料和电子注入材料相掺杂，在真 空度为8Xl(T5Pa~3Xl(T4Pa和蒸发速度为〇.1人~2人/S的设定下，在第二空穴注入层上真 空蒸镀形成第二电子注入层，第二电子注入层的厚度为20~40nm ;
[0049] i)阴极层的制备
[0050] 采用银（Ag)、铝（A1)或金（Au)作为阴极层的材料，在真空度为lXl(T5Pa~ lXl(T 3Pa和蒸发速度为〇.lA~5A/S的设定下，在第二电子注入层上真空蒸镀形成阴极层， 阴极层的厚度为50~200nm。
[0051] 以下以实施例1~6对本发明的有机电致发光器件及其制备方法作具体说明：由 于实施例1~6的有机电致发光器件的结构基本一致，故皆以图1所示作具体说明：
[0052] 实施例1
[0053] 如图1所示，本实施例1提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件为层 状结构，所述有机电致发光器件依次包括：阳极导电基板101、第一空穴注入层102、空穴传 输层103、蓝光发光层104、电子传输层105、第一电子注入层106、第二空穴注入层107、第二 电子注入层108以及阴极层109。
[0054] 所述有机电致发光器件的具体表达式为：IT0玻璃/M〇03:NPB(30:100)/ NPB/FIrpic : CBP (5 : 100) /Bphen/Cs2C03 ： Bphen (30 : 100) /M〇03：NPB (30 : 100) / Cs2C03:Bphen (30:100) /Ag，其中，冒号"："表示前者掺杂在后者中。
[0055] 本实施例1还提供上述有机电致发光器件的制备方法，其步骤为：
[0056] a)阳极导电基板101前处理
[0057] 用IT0玻璃(也即为氧化铟锡透明导电玻璃）作为阳极导电基板101，先后分别用 洗洁精、去离子水、丙酮与乙醇清洗，均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分 钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；对洗净后的IT0玻璃还需进 行表面活化处理，以增加IT0玻璃的表面的含氧量，提高IT0玻璃的表面的功函数；IT0玻 璃的厚度为150nm ;
[0058] b)第一空穴注入层102的制备
[0059] 将重量比为30:100的MoOjPNPB相掺杂，在真空度为lX10_5Pa和蒸发速度为 0.5A/S的设定下，在阳极导电基板1〇1上真空蒸镀形成第一空穴注入层102,第一空穴注 入层102的厚度为12. 5nm ;
[0060] C)空穴传输层103的制备
[0061] 采用NPB作为空穴传输材料，在真空度为lXl(T5Pa和蒸发速度为lA/S的设定下， 在第一空穴注入层102上真空蒸镀形成空穴传输层103,空穴传输层103的厚度为40nm ;
[0062] d)蓝光发光层104的制备
[0063] 采用CBP作为主体材料，采用FIrpic作为蓝光客体材料，将重量比为5:100的 FIrpic和CBP相掺杂，在真空度为lXl(T 5Pa和蒸发速度为0.5A/S的设定下，在空穴传输 层103上真空蒸镀形成蓝光发光层104,蓝光发光层104的厚度为10nm ;
[0064] e)电子传输层105的制备
[0065] 采用Bphen作为电子传输材料，在真空度为1 X l(T5Pa和蒸发速度为lA的设定下， 在蓝光发光层104上真空蒸镀形成电 子传输层105,电子传输层厚度为35nm ;
[0066] f)第一电子注入层106的制备
[0067] 将重量比为30:100的082〇)3和8口11611相掺杂，在真空度为5X10_ 5Pa和蒸发速度 为1A/S的设定下，在电子传输层105上真空蒸镀形成第一电子注入层106,第一电子注入 层106的厚度为30nm ;
[0068] g)第二空穴注入层107的制备
[0069] 将重量比为30:100的此03和即8相掺杂，在真空度为lX10_5Pa和蒸发速度为 0.5A/S的设定下，在第一电子注入层106上真空蒸镀形成第二空穴注入层107,第二空穴 注入层107的厚度为12. 5nm ;
[0070] h)第二电子注入层108的制备
[0071] 将重量比为30:100的Cs2C〇dPBphen相掺杂，在真空度为5X10_ 5Pa和蒸发速度 为1A/S的设定下，在第二空穴注入层107上真空蒸镀形成第二电子注入层108,第二电子 注入层108的厚度为30nm ;
[0072] i)阴极层的制备
[0073] 采用Ag作为阴极层的材料，在真空度为IX l(T5Pa和蒸发速度为3人/S的设定下， 在第二电子注入层108上真空蒸镀形成阴极层，阴极层的厚度为150nm。
[0074] 实施例2
[0075] 如图1所示，本实施例2提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件为层 状结构，所述有机电致发光器件依次包括：阳极导电基板101、第一空穴注入层102、空穴传 输层103、蓝光发光层104、电子传输层105、第一电子注入层106、第二空穴注入层107、第二 电子注入层108、阴极层109。
[0076] 所述有机电致发光器件的具体表达式为：IT0玻璃/W03:TCTA(25:100)/TCTA/ FIr6:mCP(20:100)/BCP/CsF:BCP (25:100)/W03: TCTA (25:100) /CsF:BCP(25:100)/A1,其 中，冒号"："表示前者掺杂在后者中。
[0077] 本实施例2还提供上述有机电致发光器件的制备方法，其步骤如下：
[0078] a)阳极导电基板101前处理
[0079] 用IT0玻璃（也即为氧化铟锡透明导电玻璃）作为阳极导电基板101，先后分别用 洗洁精、去离子水、丙酮与乙醇清洗，均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分 钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；对洗净后的IT0玻璃还需进 行表面活化处理，以增加IT0玻璃的表面的含氧量，提高IT0玻璃的表面的功函数；IT0玻 璃的厚度为120nm;
[0080] b)第一空穴注入层102的制备
[0081] 将重量比为25:100的相掺杂，在真空度为5X10_5Pa和蒸发速度为 0.1A/S的设定下，在阳极导电基板101上真空蒸镀形成第一空穴注入层102,第一空穴注入 层102的厚度为10nm;
[0082] c)空穴传输层103的制备
[0083] 采用TCTA作为空穴传输材料，在真空度为5 X l(T5Pa和蒸发速度为〇. 1A/S的设定 下，在第一空穴注入层102上真空蒸镀形成空穴传输层103,空穴传输层103的厚度30nm;
[0084] d)蓝光发光层104的制备
[0085] 采用mCP作为主体材料，采用FIr6作为蓝光客体材料，将重量比为20:100的FIr6 和mCP相掺杂，在真空度为5 X l(T5Pa和蒸发速度为〇.1 A/S的设定下，在空穴传输层1〇3上 真空蒸镀形成蓝光发光层104,蓝光发光层104的厚度为5nm;
[0086] e)电子传输层105的制备
[0087] 采用BCP作为电子传输材料，在真空度为5 X l(T5Pa和蒸发速度为(UA的设定下， 在蓝光发光层104上真空蒸镀形成电子传输层105,电子传输层105厚度为10nm ;
[0088] f)第一电子注入层106的制备
[0089] 将重量比为25:100的CsF和BCF相掺杂，将25:100的CsF和BCP相掺杂，在真空 度为5 Xl(T5Pa和蒸发速度为〇.1 A/S的设定下，在电子传输层1〇5上真空蒸镀形成第一电 子注入层106,第一电子注入层106的厚度为20nm;
[0090] g)第二空穴注入层107的制备
[0091] 将重量比为25:100的相掺杂，在真空度为5X10_5Pa和蒸发速度为 0.1 A/S的设定下，在第一电子注入层106上真空蒸镀形成第二空穴注入层107,第二空穴 注入层107的厚度为10nm;
[0092] h)第二电子注入层108的制备
[0093] 将重量比为25:100的CsF和BCF相掺杂，在真空度为5Xl(T 5Pa和蒸发速度为 (UA/s的设定下，在第二空穴注入层1〇7上真空蒸镀形成第二电子注入层1〇8,第二电子 注入层108的厚度为20nm;
[0094] i)阴极层109的制备
[0095] 采用A1作为阴极层109的材料，在真空度为5X10_5Pa和蒸发速度为0.1A/S的设 定下，在第二电子注入层108上真空蒸镀形成阴极层109,阴极层109的厚度为50nm。
[0096] 实施例3
[0097] 如图1所示，本实施例3提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件为层 状结构，所述有机电致发光器件依次包括：阳极导电基板101、第一空穴注入层102、空穴传 输层103、蓝光发光层104、电子传输层105、第一电子注入层106、第二空穴注入层107、第二 电子注入层108、阴极层109。
[0098] 所述有机电致发光器件的具体表达式为：IT0玻璃/V205:CBP (35:100) /CBP/ FCNIr:CzSi (10:100)/BAlq//CsN3:BAlq(35:100)/V205:CBP (35:100)CsN3:BAlq(35:100) / Au，其中，冒号"："表示前者掺杂在后者中。
[0099] 本实施例3还提供上述有机电致发光器件的制备方法，其步骤如下：
[0100] a)阳极导电基板101前处理
[0101] 用IT0玻璃（也即为氧化铟锡透明导电玻璃）作为阳极导电基板101，先后分别用 洗洁精、去离子水、丙酮与乙醇清洗，均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分 钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；对洗净后的IT0玻璃还需进 行表面活化处理，以增加IT0玻璃的表面的含氧量，提高IT0玻璃的表面的功函数；IT0玻 璃的厚度为l〇〇nm;
[0102] b)第一空穴注入层102的制备
[0103] 将重量比为35:100的V205和CBP相掺杂，在真空度为5Xl(T 5Pa和蒸发速度为 lA/s的设定下，在阳极导电基板上真空蒸镀形成第一空穴注入层1〇2,第一空穴注入层 102的厚度为15nm;
[0104] c)空穴传输层103的制备
[0105] 采用CBP作为空穴传输材料，在真空度为5X l(T5Pa和蒸发速度为2i/s的设定下， 在第一空穴注入层102上真空蒸镀形成空穴传输层103,空穴传输层103的厚度50nm;
[0106] d)蓝光发光层104的制备
[0107] 采用CzSi作为主体材料，采用FCNIr作为蓝光客体材料，将重量比为10:100的 FCNIr和CzSi相掺杂，在真空度为5 X l(T5Pa和蒸发速度为1A/S的设定下，在空穴传输层 103上真空蒸镀形成蓝光发光层104,蓝光发光层104的厚度为15nm;
[0108] e)电子传输层105的制备
[0109] 采用BAlq作为电子传输材料，在真空度为5Xl(T5Pa和蒸发速度为2A/S的设定 下，在蓝光发光层104上真空蒸镀形成电子传输层105,电子传输层105厚度为60nm;
[0110] f)第一电子注入层106的制备
[0111] 将重量比为35:100的&队和BAlq相掺杂，在真空度为5 Xl(T5Pa和蒸发速度为 2A/S的设定下，在电子传输层105上真空蒸镀形成第一电子注入层106,第一电子注入层 106的厚度为40nm ;
[0112] g)第二空穴注入层107的制备
[0113] 将重量比为35:100的V205和CBP相掺杂，在真空度为5Xl(T 5Pa和蒸发速度为 1A/S的设定下，在第一电子注入层106上真空蒸镀形成第二空穴注入层107,第二空穴注 入层107的厚度为15nm;
[0114] h)第二电子注入层108的制备
[0115] 将重量比为35:100的CsNjPBAlq相掺杂，在真空度为5Xl(T 5Pa和蒸发速度为 2A/S的设定下，在第二空穴注入层107上真空蒸镀形成第二电子注入层108,第二电子注 入层108的厚度为40nm;
[0116] i)阴极层109的制备
[0117] 采用Au作为阴极层109的材料，在真空度为5Xl(T5Pa和蒸发速度为5A/S的设定 下，在第二电子注入层108上真空蒸镀形成阴极层109,阴极层109的厚度为200nm。
[0118] 实施例4
[0119] 如图1所示，本实施例4提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件为层 状结构，所述有机电致发光器件依次包括：阳极导电基板101、第一空穴注入层102、第一电 子注入层106、第二空穴注入层107、空穴传输层103、蓝光发光层104、电子传输层105、第二 电子注入层108、阴极层109。
[0120] 所述有机电致发光器件的具体表达式为：IT0玻璃/Re03:Tro(30:100)/ TPD/FIrtaz : 26DCzPPY (4: 100) /Alq3/Li2C03: Alq3 (30 : 100) /Re03: TPD (30 : 100) /Li2C 03: Alq3 (30:100) /Ag，其中，冒号"："表示前者掺杂在后者中。
[0121] 本实施例4还提供上述有机电致发光器件的制备方法，其步骤如下：
[0122] a)阳极导电基板101前处理
[0123] 用IT0玻璃(也即为氧化铟锡透明导电玻璃）作为阳极导电基板101，先后分别用 洗洁精、去离子水、丙酮与乙醇清洗，均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分 钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；对洗净后的IT0玻璃还需进 行表面活化处理，以增加IT0玻璃的表面的含氧量，提高IT0玻璃的表面的功函数；IT0玻 璃的厚度为l〇〇nm;
[0124] b)第一空穴注入层102的制备
[0125] 将重量比为30:100的ReOjPTro相掺杂，在真空度为5Xl(T 5Pa和蒸发速度为 0.5A/S的设定下，在阳极导电基板1〇1上真空蒸镀形成第一空穴注入层102,第一空穴注 入层102的厚度为13nm;
[0126] c)空穴传输层103的制备
[0127] 采用TH)作为空穴传输材料，在真空度为5Xl(T5Pa和蒸发速度为1A/S的设定下， 在第一空穴注入层102上真空蒸镀形成空穴传输层103,空穴传输层103的厚度40nm;
[0128] d)蓝光发光层104的制备
[0129] 采用26DCzPPY作为主体材料，采用FIrtaz作为蓝光客体材料，将重量比为4:100 的FIrtaz和26DCzPPY相掺杂，在真空度为5 X 10_5Pa和蒸发速度为0.5A/S的设定下，在空 穴传输层103上真空蒸镀形成蓝光发光层104,蓝光发光层104的厚度为10nm;
[0130] e)电子传输层105的制备 [0131] 采用Alq3作为电子传输材料，在真空度为5Xl(T 5Pa和蒸发速度为lA/s的设定 下，在蓝光发光层104上真空蒸镀形成电子传输层105,电子传输层105厚度为30nm;
[0132] f)第一电子注入层106的制备
[0133] 将重量比为30:100的Li2C03和Alq 3相掺杂，在真空度为5 X l(T5Pa和蒸发速度为 1A/S的设定下，在电子传输层1〇5上真空蒸镀形成第一电子注入层106,第一电子注入层 106的厚度为30nm;
[0134] g)第二空穴注入层107的制备
[0135] 将重量比为30:100的ReOjPTro相掺杂，在真空度为5Xl(T 5Pa和蒸发速度为 0.5A/S的设定下，在第一电子注入层106上真空蒸镀形成第二空穴注入层107,第二空穴 注入层107的厚度为13nm;
[0136] h)第二电子注入层108的制备
[0137] 将重量比为30:100的Li2C03和Alq 3相掺杂，在真空度为5X l(T5Pa和蒸发速度为 1A/S的设定下，在第二空穴注入层1〇7上真空蒸镀形成第二电子注入层1〇8,第二电子注 入层108的厚度为30nm;
[0138] i)阴极层109的制备
[0139] 采用Ag作为阴极层109的材料，在真空度为5Xl(T5Pa和蒸发速度为2A/S的设定 下，在第二电子注入层108上真空蒸镀形成阴极层109,阴极层109的厚度为100nm。
[0140] 实施例5
[0141] 如图1所示，本实施例5提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件为层 状结构，所述有机电致发光器件依次包括：阳极导电基板101、第一空穴注入层102、空穴传 输层103、蓝光发光层104、电子传输层105、第一电子注入层106、第二空穴注入层107、第二 电子注入层108、阴极层109。
[0142] 所述有机电致发光器件的具体表达式为：IT0玻璃/M〇03:TAPC(25:100)/TAPC/ FIrN4: 35DCzPPY (15:100) /TAZ/LiF: TAZ (30:100) /M〇03: TAPC (25:100) /LiF: TAZ (30:100) / A1，其中，冒号"："表示前者掺杂在后者中。
[0143] 本实施例5还提供上述有机电致发光器件的制备方法，其步骤如下：
[0144] a)阳极导电基板101前处理
[0145] 用IT0玻璃(也即为氧化铟锡透明导电玻璃）作为阳极导电基板101，先后分别用 洗洁精、去离子水、丙酮与乙醇清洗，均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分 钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；对洗净后的IT0玻璃还需进 行表面活化处理，以增加IT0玻璃的表面的含氧量，提高IT0玻璃的表面的功函数；IT0玻 璃的厚度为l〇〇nm;
[0146] b)第一空穴注入层102的制备
[0147] 将重量比为25:100的此03和1八?(：相掺杂，在真空度为5Xl(T 5Pa和蒸发速度为 0.2A/S的设定下，在阳极导电基板1〇1上真空蒸镀形成第一空穴注入层1〇2,第一空穴注 入层102的厚度为10nm;
[0148] c)空穴传输层103的制备
[0149] 采用TAPC作为空穴传输材料，在真空度为5Xl(T5Pa和蒸发速度为IA/S的设定 下，在第一空穴注入层102上真空蒸镀形成空穴传输层103,空穴传输层103的厚度40nm;
[0150]d)蓝光发光层104的制备
[0151] 采用35DCzPPY作为主体材料，采用FIrN4作为蓝光客体材料，将重量比为15:100 的FIrN4和35DCzPPY相掺杂，在真空度为5 X 10_5Pa和蒸发速度为0.5A/S的设定下，在空 穴传输层103上真空蒸镀形成蓝光发光层104,蓝光发光层104的厚度为10nm;
[0152] e)电子传输层105的制备
[0153] 采用TAZ作为电子传输材料，在真空度为5Xl(T5Pa和蒸发速度为U.S的设定下， 在蓝光发光层104上真空蒸镀形成电子传输层105,电子传输层105厚度为50nm;
[0154] f)第一电子注入层106的制备
[0155] 将重量比为30:100的LiF和TAZ相掺杂，在真空度为5X l(T5Pa和蒸发速度为 1A/S的设定下，在电子传输层1〇5上真空蒸镀形成第一电子注入层106,第一电子注入层 106的厚度为30nm;
[0156] g)第二空穴注入层107的制备
[0157] 将重量比为25:100的此03和了八?(：相掺杂，在真空度为5X10_ 5Pa和蒸发速度为 0.2A/S的设定下，在第一电子注入层106上真空蒸镀形成第二空穴注入层107,第二空穴 注入层107的厚度为10nm;
[0158] h)第二电子注入层108的制备
[0159] 将重量比为30:100的LiF和TAZ相掺杂，在真空度为5X l(T5Pa和蒸发速度为 iA/S的设定下，在第二空穴注入层1〇7上真空蒸镀形成第二电子注入层1〇8，
[0160] 第二电子注入层108的厚度为30nm;
[0161] i)阴极层109的制备
[0162] 采用A1作为阴极层109的材料，在真空度为5X l(T5Pa和蒸发速度为2A/S的设定 下，在第二电子注入层108上真空蒸镀形成阴极层109,阴极层109的厚度为lOOnm。
[0163] 实施例6
[0164] 如图1所示，本实施例6提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件为层 状结构，所述有机电致发光器件依次包括：阳极导电基板101、第一空穴注入层102、空穴传 输层103、蓝光发光层104、电子传输层105、第一电子注入层106、第二空穴注入层107、第二 电子注入层108、阴极层109。
[0165] 所述有机电致发光器件的具体表达式为：IT0玻璃/W03: NPB (30:100) /NPB/ FIrpic: UGH2 (10:100) /TPBI/Li20: TPBI (30:100) /W03: NPB (30:100) /Li20: TPBI (30:100) / A1，其中，冒号"："表示前者掺杂在后者中。
[0166] 本实施例6还提供上述有机电致发光器件的制备方法，其步骤如下：
[0167] a)阳极导电基板101前处理
[0168] 用IT0玻璃（也即为氧化铟锡透明导电玻璃）作为阳极导电基板101，先后分别用 洗洁精、去离子水、丙酮与乙醇清洗，均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分 钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；对洗净后的IT0玻璃还需进 行表面活化处理，以增加IT0玻璃的表面的含氧量，提高IT0玻璃的表面的功函数；IT0玻 璃的厚度为l〇〇nm;
[0169]b)第一空穴注入层102的制备
[0170] 将重量比为30:100的冊3和即8相掺杂，在真空度为lX10_ 3Pa和蒸发速度为 0.3A/S的设定下，在阳极导电基板1〇1上真空蒸镀形成第一空穴注入层102,第一空穴注 入层102的厚度为12nm;
[0171] c)空穴传输层103的制备
[0172] 采用NPB作为空穴传输材料，在真空度为lXl(T3Pa和蒸发速度为1人作的设定下， 在第一空穴注入层102上真空蒸镀形成空穴传输层103,空穴传输层103的厚度40nm;
[0173] d)蓝光发光层104的制备
[0174] 采用UGH2作为主体材料，采用FIrpic作为蓝光客体材料，将重量比为10 :100的 FIrpic和UGH2相掺杂，在真空度为1 X l(T3Pa和蒸发速度为0.5A/S的设定下，在空穴传输 层103上真空蒸镀形成蓝光发光层104,蓝光发光层104的厚度为10nm;
[0175] e)电子传输层105的制备
[0176] 采用TPBI作为电子传输材料，在真空度为lXl(T3Pa和蒸发速度为lA/ s的设定 下，在蓝光发光层104上真空蒸镀形成电子传输层105,电子传输层105厚度为30nm;
[0177] f)第一电子注入层106的制备
[0178] 将重量比为30:100的Li20和TPBI相掺杂，在真空度为5X 10_5Pa和蒸发速度为 1A/S的设定下，在电子传输层1〇5上真空蒸镀形成第一电子注入层106,第一电子注入层 106的厚度为30nm;
[0179] g)第二空穴注入层107的制备
[0180] 将重量比为30:100的冊3和即8相掺杂，在真空度为lX10_ 3Pa和蒸发速度为 ().3A/_s的设定下，在第一电子注入层106上真空蒸镀形成第二空穴注入层107,第二空穴 注入层107的厚度为12nm;
[0181] h)第二电子注入层108的制备
[0182] 将重量比为30:100的Li20和TPBI相掺杂，在真空度为5X l(T5Pa和蒸发速度为 1A/S的设定下，在第二空穴注入层107上真空蒸镀形成第二电子注入层108,第二电子注 入层108的厚度为30nm;
[0183] i)阴极层109的制备
[0184] 采用A1作为阴极层109的材料，在真空度为lXl(T3Pa和蒸发速度为2A/S的设定 下，在第二电子注入层108上真空蒸镀形成阴极层109,阴极层109的厚度为lOOnm。
[0185] 值得注意的是：实施例1~6的有机电致发光器件中，第一空穴注入层102与第二 空穴注入层104的组分一致，第一电子注入层103与第二电子注入层108 -致的组分一致， 但在其他实施例中，第一空穴注入层102与第二空穴注入层104的组分也可以是不一致，同 理，第一电子注入层103与第二电子注入层108 -致的组分也可以是不一致。
[0186] 对比例
[0187] 本对比例提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件为层状结构，所述 有机电致发光器件依次包括：阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注 入层、阴极层。
[0188] 所述有机电致发光器件的具体表达式为：IT0玻璃/V205:CBP(30:100)/TCTA/ Ir (ppy)3:TCTA (8:100) /Bphen/Li20:TPBI (30:100) /A1，其中，冒号"："表示前者掺杂在后者 中。
[0189] 本对比例还提供上述有机电致发光器件的制备方法，其步骤如下：
[0190] a)阳极导电基板前处理
[0191] 用IT0玻璃(也即为氧化铟锡透明导电玻璃）作为阳极导电基板，先后分别用洗洁 精、去离子水、丙酮与乙醇清洗，均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，停 止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；对洗净后的IT0玻璃还需进行表 面活化处理，以增加IT0玻璃的表面的含氧量，提高IT0玻璃的表面的功函数；IT0玻璃的 厚度为l〇〇nm;
[0192] b)空穴注入层的制备
[0193] 将重量比为30:100的V205和CBP相掺杂，在真空度为5Xl(T 5Pa和蒸发速度 为0.5A/S的设定下，在阳极导电基板上真空蒸镀形成空穴注入层，空穴注入层的厚度为 12nm ；
[0194] c)空穴传输层的制备
[0195] 采用TCTA作为空穴传输材料，在真空度为5Xl(T5Pa和蒸发速度为1A/S的设定 下，在空穴注入层上真空蒸镀形成空穴传输层，空穴传输层的厚度40nm;
[0196] d)蓝光发光层的制备
[0197] 采用TCTA作为主体材料，采用Ir (ppy) 3作为蓝光客体 材料，将重量比为8:100的 Ir (ppy) 3和TCTA相掺杂，在真空度为5 X l(T5Pa和蒸发速度为0.5A/S的设定下，在空穴传 输层上真空蒸镀形成蓝光发光层，蓝光发光层的厚度为20nm;
[0198] e)电子传输层的制备
[0199] 采用Bphen作为电子传输材料，在真空度为5Xl(T5Pa和蒸发速度为1A/S的设定 下，在蓝光发光层上真空蒸镀形成电子传输层，电子传输层厚度为40nm;
[0200] f)电子注入层的制备
[0201] 将重量比为30:100的Li20和TPBI相掺杂中，在真空度为5X 10_5Pa和蒸发速度 为1A/S的设定下，在电子传输层上真空蒸镀形成电子注入层，电子注入层的厚度为3〇nm;
[0202] g)阴极层的制备
[0203] 采用A1作为阴极层的材料，在真空度为5X l(T5Pa和蒸发速度为2A/S的设定下， 在电子注入层上真空蒸镀形成阴极层，阴极层的厚度为138nm。
[0204] 以下对各实施例和对比例中制备的有机电致发光器进行了性能检测，测试结果如 表1所示。
[0205]表1
[0206]
[0207]
[0208] 从表1中数据可以看到，本发明各实施例中的有机电致发光器的光效在131m/W以 上，而对比例的光效只为8. 31m/W。本发明的有机电致发光器有效地提高了发光效率和降低 了工作电压。
[0209] 上述内容，仅为本发明的较佳实施例，并非用于限制本发明的实施方案，本领域普 通技术人员根据本发明的主要构思和精神，可以十分方便地进行相应的变通或修改，故本 发明的保护范围应以权利要求书所要求的保护范围为准。
【主权项】
1. 一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件为层状结构，其特征在于，所述有机 电致发光器件包括：依次层叠的阳极导电基板、第一空穴注入层、空穴传输层、蓝光发光层、 电子传输层、第一电子注入层、第二空穴注入层、第二电子注入层以及阴极层，所述第一空 穴注入层与所述第二空穴注入层均由空穴注入材料以及掺杂于所述空穴注入材料的P型 材料组成，所述第一电子注入层与所述第二电子注入层均由电子注入材料以及掺杂于所述 电子注入材料的η型材料组成。2. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述ρ型材料占所述空穴 注入材料的重量百分比为25~35wt% ;所述η型材料占所述电子注入材料的重量百分比为 25 ~35wt%。3. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于， 所述P型材料为M〇03、W03、V2O5或ReO 3 ; 所述空穴注入材料为Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二胺、 4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺、4, 4' -二（9-咔唑）联苯、Ν，Ν' -二（3-甲基苯 基）4州'-二苯基-4,4'-联苯二胺或1，1-二[4-[乂^-二（?-甲苯基）氨基]苯基]环 己烷； 所述 η 型材料为 Cs2C03、CsF、CsN3、Li2C0 3、LiF 或 Li2O ; 所述电子注入材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉、4, 7-二苯基-1，10-邻菲罗啉、4-联 苯酚基一二（2-甲基-8-羟基喹啉）合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基）-5-(4-叔丁基 苯基）-4-苯基-4H-1, 2, 4-三唑或1,3, 5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯。4. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一空穴注入层和所 述第二空穴注入层的厚度均为10~15nm ;所述第一电子注入层和所述第二电子注入层的 厚度均为20~40nm。5. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于， 所述阳极导电基板的材质为氧化铟锡透明导电玻璃，厚度为100~150nm ; 所述空穴传输层的材质为Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二 胺、4, 4'，4'三（咔唑-9-基）三苯胺、4, 4'-二（9-咔唑）联苯、Ν，Ν'-二（3-甲基苯 基）-Ν，Ν'-二苯基-4, 4'-联苯二胺或1，1-二[4-[Ν，Ν'-二（ρ-甲苯基）氨基]苯基]环 己烷，所述空穴传输层的厚度为30~50nm ; 所述蓝光发光层的材质由主体材料和掺杂于主体材料的蓝光客体材料组成，所述主体 材料为4, 4'-二（9-咔唑）联苯、9, 9'-(1，3_苯基）二-9H-咔唑、9-(4-叔丁苯基）-3,6-双 (三苯基硅）-9H-咔唑、2,6_双（3-(9H-咔唑-9-基）苯基）吡啶、3,5_双（3-(9H-咔 唑-9-基）苯基）吡啶或1，4-双（三苯基硅）苯，所述蓝光客体材料为双（4, 6-二氟苯 基吡啶_N，C2)吡啶甲酰合铱、双（4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、三 (2-(4'，6'-二氟-5'-氰基）苯基吡啶-N，C2'）合铱、双（4, 6-二氟苯基吡啶）-(3-(三氟甲 基）-5-(吡啶-2-基）-1，2,4_三唑）合铱)或双（4, 6-二氟苯基吡啶）（5-(吡啶-2-基）-四 唑）合铱，所述蓝光客体材料占所述主体材料的重量百分比为5~20wt%，所述蓝光发光层 的厚度为5~15nm ; 所述电子传输层的材质为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉、4, 7-二苯基-1，10-邻菲罗啉、 4_联苯酚基-二（2-甲基-8-羟基喹啉）合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基）-5- (4-叔 丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑或1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯，所 述电子传输层的厚度为10~60nm ; 所述阴极层的材质为银、错或金，厚度为50~200nm。6. -种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 采用真空蒸镀方法在阳极导电基板上依次形成第一空穴注入层、空穴传输层、蓝光发 光层、电子传输层、第一电子注入层、第二空穴注入层、第二电子注入层以及阴极层，从而制 得所述有机电致发光器件； 其中：真空蒸渡所述第一空穴注入层和所述第二空穴注入层时，均将P型材料掺杂 入空穴注入材料中，从而形成所述第一空穴注入层和所述第二空穴注入层；所述空穴注 入材料为 Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三 (咔唑-9-基）三苯胺、4, 4'-二（9-咔唑）联苯、Ν, Ν'-二（3-甲基苯基）-Ν, Ν'-二苯 基-4, 4' -联苯二胺或I, 1-二[4-[Ν, Ν' -二（ρ-甲苯基）氨基]苯基]环己烧，所述ρ型材 料为M〇03、W03、V 2O5或ReO3，所述ρ型材料占所述空穴注入材料的重量百分比为25~35wt% ; 真空蒸渡所述第一电子注入层和所述第二电子注入层时，均将η型材料掺杂入电子 注入材料中，从而形成所述第一电子注入层和所述第二电子注入层，所述电子注入材料为 4, 7_二苯基_1，10-菲罗琳、4, 7_二苯基_1，10-邻菲罗琳、4_联苯酌·基一二（2-甲基-8-轻 基喹啉）合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4Η-1，2, 4-三 唑或1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯，所述η型材料为Cs2C03、CsF、CsN 3、 Li2C03、LiF或Li2O,所述η型材料占所述电子注入材料的重量百分比为25~35wt%。7. 根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一空穴注入层和所述第二空 穴注入层经真空蒸镀后所得的厚度均为10~15nm，所述第一电子注入层和所述第二电子 注入层经真空蒸镀后所得的厚度为20~40nm。8. 根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在真空蒸镀所述第一空穴注入层 和所述第二空穴注入层时，所设定的真空度均为IX KT5Pa~IX 10_3Pa，蒸发速度均为 0.1A~1人/S;在真空蒸镀所述第一电子注入层和所述第二电子注入层时，所设定的真空度 均为8X KT5Pa~3X KT4Pa,蒸发速度均为〇.1 A~2A/S。9. 根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于， 真空蒸渡所述空穴传输层时，采用Ν，Ν'-二苯基-N，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-联 苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺、4, 4' -二（9-咔唑）联苯、Ν，Ν' -二 (3-甲基苯基）4州'-二苯基-4,4'-联苯二胺或1，1-二[4-[乂^-二（?-甲苯基）氨基] 苯基]环己烷作为空穴传输材料； 真空蒸渡所述蓝光发光层时，采用4, 4'-二（9-咔唑）联苯、9, 9'-(1，3-苯基） 二-9!1-咔唑、9-(4-叔丁苯基）-3,6-双（三苯基硅）-9!1-咔唑、2,6-双（3-(9!1-咔 唑-9-基）苯基）吡啶、3, 5-双（3-(9Η-咔唑-9-基）苯基）吡啶或1，4-双（三苯基硅） 苯作为主体材料；采用双（4, 6-二氟苯基吡啶-Ν，C2)吡啶甲酰合铱、双（4, 6-二氟苯基吡 啶）_四（1-吡唑基）硼酸合铱、三（2_(4'，6'_二氟-5' -氰基）苯基吡啶-N，C2'）合铱、 双（4, 6-二氟苯基吡啶）-(3-(三氟甲基）-5-(批啶-2-基）-1，2, 4-三唑）合铱）或双 (4, 6-二氟苯基吡啶）（5-(吡啶-2-基）-四唑）合铱作为蓝光客体材料；将所述蓝光客体 材料掺杂入所述主体材料中，从而形成所述蓝光发光层，其中，所述蓝光客体材料占所述主 体材料的重量百分比为5~20wt% ; 真空蒸渡所述电子传输层时，采用4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉、4, 7-二苯基-1，10-邻 菲罗啉、4-联苯酚基-二（2-甲基-8-羟基喹啉）合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联 苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1, 2, 4-三唑或1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯并 咪唑-2-基）苯作为电子传输材料； 真空蒸渡所述阴极层时，采用银、铝或金作为原材料。10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于， 在真空蒸镀所述空穴传输层时，所设定的真空度为I X KT5Pa~3 X KT3Pa,蒸发速度为 Ο,?Α~2A/S;所述空穴传输层经真空蒸镀后所得的厚度为30~50nm ; 在真空蒸镀所述蓝光发光层时，所设定的真空度为I X KT5Pa~I X KT3Pa,蒸发速度为 0.1A~1A/S;所述蓝光发光层经真空蒸镀后所得的厚度为5~15nm ; 在真空蒸镀所述电子传输层时，所设定的真空度为IX KT5Pa~IX KT3Pa,蒸发速度 0.1 A~2A/S;所述电子传输层经真空蒸镀后所得的厚度为1〇~60nm ; 在真空蒸镀所述阴极层时，所设定的真空度为I X KT5Pa~I X KT3Pa,蒸发速度为 0.1A~5A/S;所述阴极层经真空蒸镀后所得的厚度为50~200nm。
【专利摘要】本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，所述有机电致发光器件为层状结构，所述有机电致发光器件包括：依次层叠的阳极导电基板、第一空穴注入层、空穴传输层、蓝光发光层、电子传输层、第一电子注入层、第二空穴注入层、第二电子注入层以及阴极层，所述第一空穴注入层与所述第二空穴注入层均由空穴注入材料以及掺杂于所述空穴注入材料的p型材料组成，所述第一电子注入层与所述第二电子注入层均由电子注入材料以及掺杂于所述电子注入材料的n型材料组成。本发明有机电致发光器件通过增设的第二空穴注入层和第二电子注入层，能够有效降低工作电压和提高发光效率。
【IPC分类】H01L51/50, H01L51/54, H01L51/56
【公开号】CN104882547
【申请号】CN201410072025
【发明人】周明杰, 钟铁涛, 王平, 冯小明
【申请人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2014年2月28日