有机电致发光器件及其制备方法

有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机电致发光器件领域，特别是涉及一种有机电致发光器件及其制备 方法。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件（0LED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件，其典型 结构式是在IT0玻璃上制作一层几十纳米厚的有机发光材料层作为发光层，发光层上面有 一层低功函数的金属电极，当电极上加有电压时，发光层就产生光福射。
[0003] 0LED具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被认为是最 具潜力的新一代器件。但由于防水氧性能较差，使得传统的有机电致发光器件普遍存在寿 命短的问题。

【发明内容】

[0004] 基于此，有必要针对传统的有机电致发光器件寿命短的问题，提供一种寿命较长 的有机电致发光器件。
[0005] 进一步提供一种有机电致发光器件的制备方法。
[0006] -种有机电致发光器件，包括导电阳极基底，以及依次层叠在所述导电阳极基底 的阳极层上的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极及阻挡层； 所述阻挡层包括层叠于所述阴极上的无机阻挡层和层叠于所述无机阻挡层上的有机阻挡 层；所述无机阻挡层的材料选自Til203 (表示二氧化钛和碘组成的物质)、ZrI203 (表示氧化 锆和碘组成的物质)、^1203』1023110 2(表示三氧化二铝和碘组成的物质)、6&102(表示三 氧化二镓和碘组成的物质)、InI02 (表示三氧化二铟和碘组成的物质）及mo2 (表示三氧 化二铊和碘组成的物质）中的一种；所述有机阻挡层的材料为铍的环链烷或硼的直链烷烃， 所述铍的环链烷的结构式如下：
[0007]
[0008] 其中，R1为H、C1~C6的烷基或C3~C6的环烷基，I为1~10的整数，m为5~ 15的整数，n为1~14的整数；
[0009] 所述硼的直链烷烃的结构式如下所示：
[0010]
[0011] 其中，k为1~4的整数。
[0012] 在其中一个实施例中，所述阻挡层的个数为4~6个，所述4~6个阻挡层层叠于 所述阴极上使4~6个无机阻挡层和4~6个有机阻挡层交替层叠于所述阴极上。
[0013] 在其中一个实施例中，其特征在于，所述空穴注入层的材料包括质量比为 20 :80~40:60的氧化钥及1^-二苯基，州'-二（1-萘基）-1，1'-联苯-4,4'-二胺，所 述空穴传输层的材料包括4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺，所述发光层的材料包括质量 比为2:98~8:92的三（2-苯基吡啶）合铱及1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基） 苯，所述电子传输层的材料包括4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉，所述电子注入层的材料包括质 量比为20:80~40:60的叠氮化铯及4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉，所述阴极的材料包括铝。
[0014] 在其中一个实施例中，所述无机阻挡层的厚度为15nm~20nm。
[0015] 在其中一个实施例中，所述有机阻挡层的厚度为200nm~300nm。
[0016] 上述有机电致发光器件，通过层叠于阴极上的无机阻挡层和层叠于无机阻挡层上 的有机阻挡层，致密性高，可有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵 蚀，从而对器件的有机功能材料及电极形成有效的保护，显著提高有机电致发光器件的寿 命。
[0017] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0018] 在导电阳极基底的阳极层的表面依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、 电子传输层、电子注入层及阴极；
[0019] 在所述阴极上原子层沉积制备无机阻挡层，在所述无机阻挡层上磁控溅射制备有 机阻挡层，形成层叠于所述阴极上的阻挡层，得到有机电致发光器件，其中，所述无机阻挡 层的材料选自TiI203、ZrI203、HfI203、BI02、AlI02、GaI02、InI02 及11102 中的一种，所述有机 阻挡层的材料为铍的环链烷或硼的直链烷烃，所述铍的环链烷的结构式如下：
[0020]
[0021] 其中，R1为H、C1~C6的烷基或C3~
C6的坏烷基，I为1~10的整数，m为5~ 15的整数，n为1~14的整数；
[0022] 所述硼的直链烷烃的结构式如下所示：
[0023]
[0024] 其中，k为1~4的整数。
[0025] 在其中一个实施例中，所述在所述阴极上原子层沉积制备无机阻挡层的步骤具体 为：在10Pa~50Pa，40°C~60°C，依次通入0? 2s~Is的胺基物、5s~10s的氮气和20ms~ 40ms的水蒸气，所述胺基物为四（二碘甲基胺基)钛、四（二碘甲基胺基)锆或四（二碘甲基胺 基）铪，所述胺基物、氮气和水蒸气的流量均为lOsccm~20sccm。
[0026] 在其中一个实施例中，所述在所述无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层的步骤 中，本底真空度为1Xl(T5Pa~1Xl(T3Pa，加速电压为300V~800V，磁场为50G~200G，功 率密度为l〇W/cm2~40W/cm2。
[0027] 在其中一个实施例中，所述在导电阳极基底的阳极层的表面依次蒸镀制备空穴注 入层之前，还包括对玻璃基底进行预处理的步骤；所述预处理的步骤为：将所述导电阳极 基底依次采用丙酮、乙醇、去离子水和乙醇各超声清洗5分钟，然后干燥，再对洗净的导电 阳极基底进行表面活化处理。
[0028] 在其中一个实施例中，所述在所述阴极上原子层沉积制备无机阻挡层，在所述无 机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层，形成层叠于所述阴极上的阻挡层，得到有机电致发 光器件的步骤具体为：在所述阴极上制备4~6个所述阻挡层，使得4~6个所述无机阻挡 层和4~6个所述有机阻挡层交替层叠于所述阴极上，得到有机电致发光器件。
[0029] 上述有机电致发光器件的制备方法，通过在阴极上原子层沉积制备无机阻挡层和 在无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层，致密性高，可有效地减少外部水、氧等活性物质 对有机电致发光器件的侵蚀，从而对器件的有机功能材料及电极形成有效的保护，显著提 高有机电致发光器件的寿命。
[0030] 另外，无机阻挡层和有机阻挡层的材料廉价，制备工艺简单，易大面积制备。
【附图说明】
[0031] 图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
[0032] 图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图。
【具体实施方式】
[0033] 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明 的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发 明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不 违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
[0034] 请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100,包括依次层叠的导电阳极基底 110、空穴注入层120、空穴传输层130、发光层140、电子传输层150、电子注入层160、阴极 170及阻挡层180。
[0035] 导电阳极基底110包括透光基板1102及层叠在透光基板1102上的阳极层1104。 其中，透光基板1102为玻璃或有机薄膜。
[0036] 阳极层1104的材料包括铟锡氧化物（IT0)、铝锌氧化物（AZ0)或铟锌氧化物 (IZ0)。优选的，阳极层的材料为IT0,厚度为100nm。
[0037] 优选的，导电阳极基底110为IT0玻璃基底。
[0038] 空穴注入层120形成于导电阳极基底110的阳极层1104的表面。空穴注入层120 的材料包括N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -联苯-4, 4' -二胺（NPB)及掺杂在NPB 中的氧化钥（]?〇03)。其中，]\1〇03与即8的质量比为20 :80~40:60，优选为30:70。
[0039] 空穴注入层120的厚度为10nm。
[0040] 空穴传输层130形成于空穴注入层120的表面。空穴传输层130的材料包括 4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)。
[0041] 空穴传输层130的厚度为30nm。
[0042] 发光层140形成于空穴传输层130的表面。发光层140的材料包括1，3, 5-三 (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)及掺杂在TPBI中的三（2-苯基吡啶）合铱 (Ir(ppy)3)。其中，Ir(ppy)3 与TPBI的质量比为 2:98 ~8:92,优选为 5:95。
[0043] 发光层140的厚度为20nm。
[0044] 电子传输层150形成于发光层140的表面。电子传输层150的材料包括4, 7-二 苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)。
[0045] 电子传输层150的厚度为10nm。
[0046] 电子注入层160形成于电子传输层150的表面。电子注入层160的材料包括Bphen 及掺杂在8口1^11中的叠氮化铯（08队）。08队与8口11611的质量比为20:80~40 :60，优选为 30:70。
[0047] 电子注入层160的厚度为20nm。
[0048] 阴极170形成于电子注入层160的表面。阴极170的材料包括错（A1)。
[0049] 阴极170的厚度为lOOnm。
[0050] 阻挡层180形成于阴极170的表面。阻挡层180包括无机阻挡层1802及有机阻 挡层1804。
[0051] 无机阻挡层1802形成于阴极170的表面。无机阻挡层的材料选自TiI203、ZrI203、 HfI203、BI02、AlI02、GaI02、InI02 及T1I02 中的一种。
[0052] 无机阻挡层1802的厚度为15nm~20nm。
[0053] 有机阻挡层1804形成于无机阻挡层1802的表面。有机阻挡层的材料为铍的环链 烷或硼的直链烷烃。铍的环链烷的结构式如下：
[0054]
[0055]其中，R1为H、C1~C6的烷基或C3~C6的环烷基，I为1~10的整数，m为5~ 15的整数，n为1~14的整数。优选的，R1为H、C1~C6的直链烷基、C3~C6的支链烷 基或C3~C6的环烷基。
[0056] 硼的直链烷烃的结构式如下所示：
[0057] *
' 9
[0058] 其中，k为1~4的整数。
[0059] 具体的，有机阻挡层1804的材料可以戈
[0062] 有机阻挡层1804的厚度为200nm~300nm。
[0063] 需要说明的是，阻挡层180的个数不限于一个，在其他实施方式中，阻挡层180还 可以是多个。优选的，阻挡层180的个数为4~6个，且4~6个阻挡层180层叠于上述阴 极上，使得4~6个无机阻挡层1802和4~6个有机阻挡层1804交替层叠于上述阴极170 上。
[0064] 上述无机阻挡层1802和有机阻挡层1804的材料价廉易得，制备工艺简单，易大面 积制备。
[0065] 上述有机电致发光器件100,通过层叠于阴极170上的无机阻挡层1802和层叠于 无机阻挡层1802上的有机阻挡层1804,致密性高，可有效地减少外部水、氧等活性物质对 有机电致发光器件100的侵蚀，从而对器件的有机功能材料及电极形成有效的保护，显著 提高有机电致发光器件100的寿命，寿命可达12700小时以上。
[0066] 请参阅图2, 一实施方式的有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0067] S210、在导电阳极基底的表面依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电 子传输层、电子注入层及阴极。
[0068] 其中，导电阳极基底包括透光基板及制备在透光基板上的阳极层。透光基板为 玻璃或有机薄膜。阳极层的材料包括铟锡氧化物（IT0)、铝锌氧化物（AZ0)或铟锌氧化物 (IZ0)。优选的，阳极层的材料为TI0,厚度为100nm。
[0069] 优选的，导电阳极基底为IT0玻璃基底。
[0070] 空穴注入层的材料包括NPB及掺杂在NPB中的M〇03。其中，M〇03与NPB的质量比 为20:80~40:60,优选为30:70。空穴注入层的厚度为10nm。
[0071] 优选的，空穴注入层采用蒸镀制备，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速度为0.1人/s。
[0072] 空穴传输层的材料包括TCTA。空穴传输层的厚度为30nm。
[0073] 优选的，空穴传输层采用蒸镀制备，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速度为〇.1A/S。
[0074] 发光层的材料包括TPBI以及掺杂在TPBI中的Ir(ppy)3。其中，Ir(ppy)3与TPBI 的质量比为2:98~8:92,优选为5:95。发光层的厚度为20nm。
[0075] 优选的，发光层采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。
[0076] 电子传输层的材料包括Bphen。电子传输层的厚度为10nm。
[0077] 优选的，电子传输层采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.1A/S。
[0078] 电子注入层的材料包括Bphen以及掺杂在Bphen中的CsN3。其中，CsN3与Bphen 的质量比为20:80~40:60,优选为30:70。电子注入层的厚度为20nm。
[0079] 优选的，电子注入层采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。
[0080] 阴极的材料包括A1。阴极的厚度为lOOnm。
[0081] 优选的，阴极采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为5A/S。
[0082] 优选的，在导电阳极基底的阳极层的表面依次蒸镀制备空穴注入层之前，还包括 对导电阳极基底进行预处理的步骤；该预处理的步骤为：将所述导电阳极基底依次采用丙 酮、乙醇、去离子水和乙醇各超声清洗5分钟，然后干燥，再对洗净的导电阳极基底进行表 面活化处理。
[0083] S220、在上述阴极上原子层沉积制备无机阻挡层。
[0084]其中，无机阻挡层的材料选自Til 203、Zrl203、Hfl203、BI02、A1I02、GaI02、InI02 及 T1I02中的一种。
[0085] 具体的，在上述阴极上原子层沉积制备无机阻挡层的步骤为：在lOPa~50Pa， 40°C~60°C，依次通入0? 2s~Is的胺基物、5s~10s的氮气和20ms~40ms的水蒸气。
[0086]所述胺基物为四（二碘甲基胺基）钛（Ti(N(CH2I)2)4)、四（二碘甲基胺基）锆 (Zr(N(CH2I)2)4)或四（二碘甲基胺基）铪（Hf(N(CH2)2)4)。所述胺基物、氮气和水蒸气的流 量均为lOsccm~20sccm。
[0087] S230、在上述无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层，形成层叠于上述阴极上的 阻挡层，得到有机电致发光器件。
[0088] 其中，有机阻挡层的材料为铍的环链烷或硼的直链烷烃。
[0089] 所述铍的环链烷的结构式如下：
[0090]
[0091] 其中，R1为H、C1~C6的烷基或C3~C6的环烷基，I为1~10的整数，m为5~ 15的整数，n为1~14的整数。优选的，R1为H、C1~C6的直链烷基、C3~C6的支链烷 基或C3~C6的环烷基。
[0092] 硼的直链烷烃的结构式如下所示：
[0093]
[0094] 其中，k为1~4的整数。
[0095] 有机阻挡层的厚度为200nm~300nm。
[0096] 优选的，有机阻挡层采用磁控溅射制备，本底真空度为IXl(T5Pa~IXl(T3Pa，加 速电压为300V~800V，磁场为50G~200G，功率密度为10W/cm2~40W/cm2。
[0097] 需要说明的是，阻挡层的个数不限于一个，在其他实施方式中，阻挡层还可以是多 个。优选的，阻挡层的个数为4~6个，且4~6个阻挡层层叠于上述阴极上，使得4~6个无机阻挡层和4~6个有机阻挡层交替层叠于上述阴极上。即交替重复步骤S220和步 骤S2304~6次，得到有机电致发光器件。
[0098] 上述有机电致发光器件的制备方法，通过在阴极上原子层沉积制备无机阻挡层和 在无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层，致密性高，可有效地减少外部水、氧等活性物质 对有机电致发光器件的侵蚀，从而对器件的有机功能材料及电极形成有效的保护，显著提 高有机电致发光器件的寿命。
[0099] 另外，无机阻挡层和有机阻挡层的材料廉价，制备工艺简单，易大面积制备。
[0100] 以下结合具体实施例对本发明提供的有机电致发光器件的制备方法进行详细说 明。
[0101] 实施例1
[0102] 本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：IT0/NPB:M〇03/TCTA/TPBI: Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/Al/TiI203/二（3-环十二烷基丙基）铍的有机电致发光器件； 其中，斜杆"/"表示层状结构，冒号"："表示掺杂，下同。
[0103] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0104] (1)将IT0玻璃基底依次用丙酮、乙醇、去离子水和乙醇各超声清洗约5分钟，然后 用氮气吹干，烘箱烤干待用，再对洗净的IT0玻璃基底进行表面活化处理，增加IT0玻璃基 底表面的含氧量和功函数。IT0的厚度为lOOnm。
[0105] (2)在TI0玻璃基底上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输 层、电子注入层及阴极。
[0106] 空穴注入层的材料为质量比为30:70的此03和即8,厚度为10nm。空穴注入层采 用蒸镀制备，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速度为0.1A/S。空穴注入层的结构表示为NPB:M〇03。
[0107] 空穴传输层的材料为TCTA，厚度为30nm。空穴传输层采用蒸镀制备，真空度为 1父1〇-^，蒸发速度为〇.1力8。
[0108] 发光层的材料为质量比为5:95的11~化口7)3和了?81，厚度为20nm。发光层采用蒸 镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。发光层的结构表示为：TPBI:Ir(ppy)3。
[0109] 电子传输层的材料为Bphen，厚度为10nm。电子传输层采用蒸镀制备，真空度为 1X10_5Pa，蒸发速度为 0.2A/S。
[0110] 电子注入层的材料为质量比为30:70的CsNjPBphen，厚度为20nm。电子注 入层采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。电子注入层的结构表示为 Bphen:CsN3〇
[0111] 阴极的材料为A1，厚度为lOOnm。阴极采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速 度为5A/s。
[0112] (3)在阴极上原子层沉积无机阻挡层。
[0113] 无机阻挡层的材料为Til203，厚度为20nm。无机阻挡层采用原子层沉积制备，在 40卩&，501：，依次通入0.58的11(叭〇121)2)4、78的队和301118的水蒸气，11(叭〇121)2)4為和 水蒸气的流量均为2〇SCCm。
[0114] (4)在无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层。
[0115] 有机阻挡层的材料为二（3-环十二烷基丙基）铍，其结构式如下：
[0116]
[0117] 有机阻挡层采用磁控溅射制备，本底真空度为lXl(T5Pa，加速电压为600V，磁场 为150G，功率密度为20W/cm2,厚度为300nm。
[0118] 得到本实施例的结构为：ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/ Al/Til203/二（3-环十二烷基丙基）铍的有机电致发光器件。
[0119] 对比例 1 为结构为：ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/Al的 器件。
[0120] 实施例2
[0121] 本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：IT0/NPB:M〇03/TCTA/TPBI: Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/Al/TiI203/ 二（3-环十二烷基丙基)被 /Til203/ 二（3-环十二 烷基丙基）铍/Til203/二（3-环十二烷基丙基）铍/Til203/二（3-环十二烷基丙基）铍/ Til203/二（3-环十二烷基丙基）铍/Til203/二（3-环十二烷基丙基）铍的有机电致发光器 件。
[0122] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0123] (1)将IT0玻璃基底依次用丙酮、乙醇、去离子水和乙醇各超声清洗约5分钟，然后 用氮气吹干，烘箱烤干待用，再对洗净的IT0玻璃基底进行表面活化处理，增加IT0玻璃基 底表面的含氧量和功函数。IT0的厚度为100nm。
[0124] (2)在TI0玻璃基底上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输 层、电子注入层及阴极。
[0125] 空穴注入层的材料为质量比为40:60的此03和即8,厚度为10nm。空穴注入层采 用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为O.lA/s。空穴注入层的结构表示为NPB:M〇03。
[0126] 空穴传输层的材料为TCTA，厚度为30nm。空穴传输层采用蒸镀制备，真空度为 1父1〇-中&，蒸发速度为〇.1力8。
[0127] 发光层的材料为质量比为2:98的11'化口7) 3和了?81，厚度为20nm。发光层采用蒸 镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。发光层的结构表示为：TPBI:Ir(ppy)3。
[0128] 电子传输层的材料为Bphen，厚度为10nm。电子传输层采用蒸镀制备，真空度为 lX10_5Pa，蒸发速度为 0.2A/S。
[0129] 电子注入层的材料为质量比为20:80的CsNjPBphen，厚度为20nm。电子注 入层采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。电子注入层的结构表示为 Bphen:CsN3〇
[0130] 阴极的材料为A1，厚度为lOOnm。阴极采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速 度为5A/s。
[0131] (3)在阴极上原子层沉积无机阻挡层。
[0132] 无机阻挡层的材料为Til203，厚度为20nm。无机阻挡层采用原子层沉积制备，在 40卩&，501：，依次通入0.58的11(叭〇1 21)2)4、78的队和301118的水蒸气，11(叭〇121) 2)4為和 水蒸气的流量均为2〇SCCm。
[0133] (4)在无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层。
[0134] 有机阻挡层的材料为二（3-环十二烷基丙基）铍，其结构式如下：
[0135]
[0136] 有机阻挡层采用磁控溅射制备，本底真空度为lXl(T5Pa，加速电压为600V，磁场 为150G，功率密度为20W/cm2,厚度为300nm。
[0137] 交替重复（3)和（4)6次，得到本实施例的结构为：11'0/即81〇0 3/1'0^八?81: Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/Al/TiI203/ 二（3-环十二烷基丙基)被 /Til203/ 二（3-环十二 烷基丙基）铍/Til203/二（3-环十二烷基丙基）铍/Til203/二（3-环十二烷基丙基）铍/ Til203/二（3-环十二烷基丙基）铍/Til203/二（3-环十二烷基丙基）铍的有机电致发光器 件。
[0138] 实施例3
[0139] 本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：IT0/NPB:M〇03/TCTA/TPBI: Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/Al/ZrI203/二（11- (3-甲基环庚基）十一烷基）被/Zrl203/ 二（11- (3-甲基环庚基）i^一烷基）铍/Zrl203/二（11- (3-甲基环庚基）i^一烷基）铍/ Zrl203/二（11- (3-甲基环庚基）i^一烷基）铍/Zrl203/二（11- (3-甲基环庚基）i^一烷 基）铍/Zrl203/二（11- (3-甲基环庚基）i^一烷基）铍。
[0140] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0141] (1)将IT0玻璃基底依次用丙酮、乙醇、去离子水和乙醇各超声清洗约5分钟，然后 用氮气吹干，烘箱烤干待用，再对洗净的IT0玻璃基底进行表面活化处理，增加IT0玻璃基 底表面的含氧量和功函数。IT0的厚度为100nm。
[0142] (2)在TI0玻璃基底上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输 层、电子注入层及阴极。
[0143] 空穴注入层的材料为质量比为40:60的M〇03和NPB，厚度为10nm。空穴注入层采 用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为〇.1人/S。空穴注入层的结构表示为NPB:M〇03。
[0144] 空穴传输层的材料为TCTA，厚度为30nm。空穴传输层采用蒸镀制备，真空度为 1父1〇-^，蒸发速度为〇.1人/8。
[0145] 发光层的材料为质量比为8:92的11'化口7)3和1?81，厚度为2〇11111。发光层采用蒸 镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。发光层的结构表示为：TPBI:Ir(ppy)3。
[0146] 电子传输层的材料为Bphen，厚度为10nm。电子传输层采用蒸镀制备，真空度为 lX10_5Pa，蒸发速度为 0.2A/S。
[0147] 电子注入层的材料为质量比为40:60的CsNjPBphen，厚度为20nm。电子注 入层采用蒸镀制备，真空度为ixur5Pa，蒸发速度为0.2A/S。电子注入层的结构表示为 Bphen:CsN3〇
[0148] 阴极的材料为A1，厚度为lOOnm。阴极采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速 度为5A/s。
[0149] (3)在阴极上原子层沉积无机阻挡层。
[0150] 无机阻挡层的材料为Zrl203，厚度为19nm。无机阻挡层采用原子层沉积制备，在 10Pa，40°C，依次通入Is的Zr(N(CH2I)2)4、10s的队和 40ms的水蒸气，Zr(N(CH2I)2)4、NjP 水蒸气的流量均为2〇SCCm。
[0151] (4)在无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层。
[0152] 有机阻挡层的材料为二（11- (3-甲基环庚基）十一烷基）铍，其结构式如下：
[0153]
[0154] 有机阻挡层采用磁控溅射制备，本底真空度为lXl(T5Pa，加速电压为300V，磁场 为50G，功率密度为10W/cm2,厚度为250nm。
[0155] 交替重复（3)和（4)6次，得到本实施例的结构为：11'0/即81〇03/1'0^八?81: Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/Al/Zr02:1/二（11- (3-甲基环庚基）十一烷基）被/Zrl203/ 二（11- (3-甲基环庚基）i^一烷基）铍/Zrl203/二（11- (3-甲基环庚基）i^一烷基）铍/ Zrl203/二（11- (3-甲基环庚基）i^一烷基）铍/Zrl203/二（11- (3-甲基环庚基）i^一烷 基）铍/Zrl203/二（11- (3-甲基环庚基）i^一烷基）铍的有机电致发光器件。
[0156] 实施例4
[0157] 本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI: Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/Al/HfI203/ 二（2-环戊基乙基)被 /Hfl203/ 二（2-环戊基乙基） 铍/Hfl203/二（2-环戊基乙基)铍/Hfl203/二（2-环戊基乙基)铍/Hfl203/二（2-环戊基乙 基）铍/Hfl203/二（2-环戊基乙基）铍。
[0158] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0159] (1)将ITO玻璃基底依次用丙酮、乙醇、去离子水和乙醇各超声清洗约5分钟，然后 用氮气吹干，烘箱烤干待用，再对洗净的ITO玻璃基底进行表面活化处理，增加ITO玻璃基 底表面的含氧量和功函数。ITO的厚度为lOOnm。
[0160] (2)在TIO玻璃基底上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输 层、电子注入层 及阴极。
[0161] 空穴注入层的材料为质量比为30:70的此03和即8,厚度为10nm。空穴注入层采 用蒸镀制备，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速度为O.lA/s。空穴注入层的结构表示为NPB:M〇03。
[0162] 空穴传输层的材料为TCTA，厚度为30nm。空穴传输层采用蒸镀制备，真空度为 1父1〇-^，蒸发速度为〇.1人/5。
[0163] 发光层的材料为质量比为5:95的11~化口7) 3和了?81，厚度为20nm。发光层采用蒸 镀制备，真空度为lXl(r5Pa，蒸发速度为0.2A/S。发光层的结构表示为：TPBI:Ir(ppy)3。
[0164] 电子传输层的材料为Bphen，厚度为10nm。电子传输层采用蒸镀制备，真空度为 lX10_5Pa，蒸发速度为 0.2A/S。
[0165] 电子注入层的材料为质量比为30:70的CsNjPBphen，厚度为20nm。电子注 入层采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。电子注入层的结构表示为 Bphen:CsN3〇
[0166] 阴极的材料为A1，厚度为lOOnm。阴极采用蒸镀制备，真空度为IX10_5Pa，蒸发速 度为5A/s。
[0167] (3)在阴极上原子层沉积无机阻挡层。
[0168] 无机阻挡层的材料为Hfl203，厚度为15nm。无机阻挡层采用原子层沉积制备，在 50卩&，601：，依次通入0.28的1^(叭〇12)2) 4、58的队和201118的水蒸气，1^(叭〇12)2)4、队和 水蒸气的流量均为lOsccm。
[0169] (4)在无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层。
[0170] 有机阻挡层的材料为二（2-环戊基乙基）铍，其结构式如下：
[0171]
[0172] 有机阻挡层采用磁控溅射制备，本底真空度为IXl(T4Pa，加速电压为800V，磁场 为200G，功率密度为40W/cm2,厚度为200nm。
[0173] 交替重复（3)和（4)6次，得到本实施例的结构为：11'0/即81〇03/1'0^八?81: Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/Al/HfI203/ 二（2-环戊基乙基)被 /Hfl203/ 二（2-环戊基乙基） 铍/Hfl203/二（2-环戊基乙基)铍/Hfl203/二（2-环戊基乙基)铍/Hfl203/二（2-环戊基乙 基）铍/Hfl203/二（2-环戊基乙基）铍的有机电致发光器件。
[0174] 实施例5
[0175] 本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：IT0/NPB:M〇03/TCTA/TPBI: Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/Al/TiI203/ 二（6-(2, 3, 4, 5,6, 7,8, 9, 10, 11，12, 13, 14, 15-十 四正极几基)环十五烷基正己烷基)铍/Til203/二（6-(2, 3, 4, 5,6, 7,8, 9, 10, 11，12, 13, 14， 15-十四正极几基)环十五烷基正己烷基)铍/111203/二（6-(2,3,4,5,6,7,8,9，10，11，12，1 3，14，15-十四正极几基)环十五烷基正己烷基)铍/111 203/二（6-(2,3,4,5,6,7,8,9，10，11 ，12, 13, 14, 15-十四正极几基)环十五烷基正己烷基)铍/Til203/二（6-(2,3,4,5,6,7,8,9， 10, 11，12, 13, 14, 15-十四正极几基）环十五烷基正己烷基）铍。
[0176] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0177] (1)将IT0玻璃基底依次用丙酮、乙醇、去离子水和乙醇各超声清洗约5分钟，然后 用氮气吹干，烘箱烤干待用，再对洗净的IT0玻璃基底进行表面活化处理，增加IT0玻璃基 底表面的含氧量和功函数。IT0的厚度为100nm。
[0178] (2)在TI0玻璃基底上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输 层、电子注入层及阴极。
[0179] 空穴注入层的材料为质量比为30:70的此03和即8,厚度为10nm。空穴注入层采 用蒸镀制备，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速度为〇.1A/S。空穴注入层的结构表示为NPB:M〇03。
[0180] 空穴传输层的材料为TCTA，厚度为30nm。空穴传输层采用蒸镀制备，真空度为 1父1〇-^，蒸发速度为〇.1人/8。
[0181] 发光层的材料为质量比为5:95的Ir(ppy)dPTPBI，厚度为20nm。发光层采用蒸 镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。发光层的结构表示为：TPBI:Ir(ppy)3。
[0182] 电子传输层的材料为Bphen，厚度为10nm。电子传输层采用蒸镀制备，真空度为 lX10_5Pa，蒸发速度为 0.2A/S。
[0183] 电子注入层的材料为质量比为30:70的CsNjPBphen，厚度为20nm。电子注 入层采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。电子注入层的结构表示为 Bphen:CsN3〇
[0184] 阴极的材料为A1，厚度为lOOnm。阴极采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速 度为5A/s。
[0185] (3)在阴极上原子层沉积无机阻挡层。
[0186] 无机阻挡层的材料为Til203，厚度为17nm。无机阻挡层采用原子层沉积制备，在 20卩&，451：，依次通入0.38的11(叭〇121)2) 4、58的队和301118的水蒸气，11(叭〇121)2)4為和 水蒸气的流量均为lOsccm。
[0187] (4)在无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层。
[0188]有机阻挡层的材料为二（6- (2, 3, 4, 5,6, 7,8, 9, 10, 11，12, 13, 14, 15-十四正极几 基）环十五烷基正己烷基）铍，其结构式如下：
[0189]
[0190] 有机阻挡层采用磁控溅射制备，本底真空度为lXl(T4Pa，加速电压为400V，磁场 为100G，功率密度为30W/cm2,厚度为250nm。
[0191] 交替重复（3)和（4) 5次，得到本实施例的结构为：
[0192]ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/Al/Ti1203/ 二（6-(2, 3, 4 ，5,6,7,8,9, 10, 11，12, 13, 14, 15-十四正极几基）环十五烷基正己烷基）铍/Til203/二（6_ (2, 3, 4, 5,6, 7,8, 9, 10, 11，12, 13, 14, 15-十四正极几基）环十五烷基正己烷基）铍/Til203/ 二（6- (2, 3, 4, 5,6, 7,8, 9, 10, 11，12, 13, 14, 15-十四正极几基)环十五烷基正己烷基)铍/ Til203/二（6- (2, 3, 4, 5,6, 7,8, 9, 10, 11，12, 13, 14, 15-十四正极几基)环十五烷基正己烷 基）铍 /Til203/ 二（6- (2, 3, 4, 5,6, 7,8, 9, 10, 11，12, 13, 14, 15-十四正极几基）环十五烷 基正己烷基）铍的有机电致发光器件。
[0193] 实施例6
[0194] 本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI: Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/Al/ZrI203/ 二（5- (3, 4, 5,6, 7,8-六乙基环辛基)正戊基)铍 / Zrl203/ 二（5- (3, 4, 5,6, 7,8-六乙基环辛基)正戊基)铍 /Zrl203/ 二（5- (3, 4, 5,6, 7,8-六 乙基环辛基)正戊基)铍/Zrl203/二（5- (3, 4, 5,6, 7,8-六乙基环辛基)正戊基)铍/Zrl203/ 二（5- (3, 4, 5,6, 7,8-六乙基环辛基）正戊基）铍。
[0195] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0196] ( 1)将IT0玻璃基底依次用丙酮、乙醇、去离子水和乙醇各超声清洗约5分钟，然后 用氮气吹干，烘箱烤干待用，再对洗净的IT0玻璃基底进行表面活化处理，增加IT0玻璃基 底表面的含氧量和功函数。IT0的厚度为lOOnm。
[0197] (2)在TI0玻璃基底上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输 层、电子注入层及阴极。
[0198] 空穴注入层的材料为质量比为30:70的此03和即8,厚度为10nm。空穴注入层采 用蒸镀制备，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速度为0.1A/s。空穴注入层的结构表示为NPB:M〇03。
[0199] 空穴传输层的材料为TCTA，厚度为30nm。空穴传输层采用蒸镀制备，真空度为 1父1〇-^，蒸发速度为〇.1人/8。
[0200] 发光层的材料为质量比为5:95的11~化?7)3和TPBI，厚度为20nm。发光层采用蒸 镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。发光层的结构表示为：TPBI:Ir(ppy)3。
[0201] 电子传输层的材料为Bphen，厚度为10nm。电子传输层采用蒸镀制备，真空度为 lX10_5Pa，蒸发速度为 0.2A/S。
[0202] 电子注入层的材料为质量比为30:70的CsNjPBphen，厚度为20nm。电子注 入层采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。电子注入层的结构表示为 Bphen:CsN3〇
[0203] 阴极的材料为A1，厚度为lOOnm。阴极采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速 度为5A/S。
[0204] (3)在阴极上原子层沉积无机阻挡层。
[0205] 无机阻挡层的材料为Zrl203，厚度为20nm。无机阻挡层采用原子层沉积制备，在 40卩&，501：，依次通入0.48的21'以(〇121)2) 4、108的队和251118的水蒸气，21'(叭〇121)2)4、队 和水蒸气的流量均为15sccm。
[0206] (4)在无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层。
[0207] 有机阻挡层的材料为二（5- (3, 4, 5,6, 7,8-六乙基环辛基）正戊基）铍，其结构式 如下：
[0208]
[0209] 有机阻挡层采用磁控溅射制备，本底真空度为lXl(T4Pa，加速电压为400V，磁场 为150G，功率密度为30W/cm2,厚度为220nm。
[0210] 交替重复（3)和（4) 5次，得到本实施例的结构为：ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI: Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/Al/ZrI203/ 二（5- (3, 4, 5,6, 7,8-六乙基环辛基)正戊基)铍 / Zrl203/ 二（5- (3, 4, 5,6, 7,8-六乙基环辛基)正戊基)铍 /Zrl203/ 二（5- (3, 4, 5,6, 7,8-六 乙基环辛基)正戊基)铍/Zrl203/二（5- (3, 4, 5,6, 7,8-六乙基环辛基)正戊基)铍/Zrl203/ 二（5- (3, 4, 5,6, 7,8-六乙基环辛基）正戊基）铍的有机电致发光器件的有机电致发光器 件。
[0211] 实施例7
[0212] 本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI: Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/Al/HfI203/ 二（5-环辛基正戊基)铍 /Hfl203/ 二（5-环辛基正 戊基）铍/Hfl203/二（5-环辛基正戊基）铍/Hfl203/二（5-环辛基正戊基）铍。
[0213] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0214] (1)将IT0玻璃基底依次用丙酮、乙醇、去离子水和乙醇各超声清洗约5分钟，然后 用氮气吹干，烘箱烤干待用，再对洗净的IT0玻璃基底进行表面活化处理，增加IT0玻璃基 底表面的含氧量和功函数。IT0的厚度为100nm。
[0215] (2)在TI0玻璃基底上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输 层、电子注入层及阴极。
[0216] 空穴注入层的材料为质量比为30:70的MoOjPNPB，厚度为10nm。空穴注入层采 用蒸镀制备，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速度为().1A/s。空穴注入层的结构表示为NPB:M〇03。
[0217] 空穴传输层的材料为TCTA，厚度为30nm。空穴传输层采用蒸镀制备，真空度为 1父1〇-^，蒸发速度为〇.11/8。
[0218] 发光层的材料为质量比为5:95的Ir(ppy)jPTPBI，厚度为20nm。发光层采用蒸 镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。发光层的结构表示为：TPBI:Ir(ppy)3。
[0219] 电子传输层的材料为Bphen，厚度为10nm。电子传输层采用蒸镀制备，真空度为 1X10_5Pa，蒸发速度为0.2A/S。
[0220] 电子注入层的材料为质量比为30:70的CsNjPBphen，厚度为20nm。电子注 入层采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。电子注入层的结构表示为 Bphen:CsN3〇
[0221] 阴极的材料为A1，厚度为100nm。阴极采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速 度为5A/s。
[0222] (3)在阴极上原子层沉积无机阻挡层。
[0223] 无机阻挡层的材料为Hfl203，厚度为15nm。无机阻挡层采用原子层沉积制备，在 40Pa，60°C，依次通入 0?6s的Hf(N(CH2)2)4、8s的N2 和 20ms的水蒸气，Hf(N(CH2)2)4、N2 和 水蒸气的流量均为llsccm。
[0224] (4)在无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层。
[0225] 有机阻挡层的材料为二（5-环辛基正戊基）铍，其结构式如下：
[0226]
[0227] 有机阻挡层采用磁控溅射制备，本底真空度为lXl(T3Pa，加速电压为500V，磁场 为100G，功率密度为40W/cm2,厚度为210nm。 [0228] 交替重复（3)和（4)4次，得到本实施例的结构为：11'0/即81〇0 3/1'0^八?81: Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/Al/HfI203/ 二（5-环辛基正戊基)铍 /Hfl203/ 二（5-环辛基正 戊基）铍/Hfl203/二（5-环辛基正戊基）铍/Hfl203/二（5-环辛基正戊基）铍的有机电致发 光器件。
[0229] 实施例8
[0230] 本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：IT0/NPB:M〇03/TCTA/TPBI: Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/Al/ZrI203/ 二（5- (3, 4, 5,6, 7,8-六乙基环辛基)正戊基)铍 / Zrl203/ 二（5- (3, 4, 5,6, 7,8-六乙基环辛基)正戊基)铍 /Zrl203/ 二（5- (3, 4, 5,6, 7,8-六 乙基环辛基)正戊基)铍/Zrl203/二（5- (3, 4, 5,6, 7,8-六乙基环辛基)正戊基)铍/Zrl203/ 二（5- (3, 4, 5,6, 7,8-六乙基环辛基）正戊基）铍。
[0231] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0232] (1)将IT0玻璃基底依次用丙酮、乙醇、去离子水和乙醇各超声清洗约5分钟，然后 用氮气吹干，烘箱烤干待用，再对洗净的IT0玻璃基底进行表面活化处理，增加IT0玻璃基 底表面的含氧量和功函数。IT0的厚度为100nm。
[0233] (2)在TI0玻璃基底上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输 层、电子注入层及阴极。
[0234] 空穴注入层的材料为质量比为30:70的M〇03和NPB，厚度为10nm。空穴注入层采 用蒸镀制备，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速度为〇. 1A/S。空穴注入层的结构表示为NPB:M〇03。
[0235] 空穴传输层的材料为TCTA，厚度为30nm。空穴传输层采用蒸镀制备，真空度为 lX10_5Pa，蒸发速度为〇.丨A/S。
[0236] 发光层的材料为质量比为5:95的11~化?7)3和TPBI，厚度为20nm。发光层采用蒸 镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。发光层的结构表示为：TPBI:Ir(ppy)3。
[0237] 电子传输层的材料为Bphen，厚度为10nm。电子传输层采用蒸镀制备，真空度为 lX10_5Pa，蒸发速度为 0.2A/S。
[0238] 电子注入层的材料为质量比为30:70的CsNjPBphen，厚度为20nm。电子注 入层采用蒸镀制备，真空度为ixur5Pa，蒸发速度为0.2A/S。电子注入层的结构表示为 Bphen:CsN3〇
[0239] 阴极的材料为A1，厚度为lOOnm。阴极采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速 度为5A/S。
[0240] (3)在阴极上原子层沉积无机阻挡层。
[0241] 无机阻挡层的材料为Zrl203，厚度为20nm。无机阻挡层采用原子层沉积制备，在 40卩&，501：，依次通入0.48的21'以(〇121)2)4、108的队和251118的水蒸气，21'(叭〇121)2)4、队 和水蒸气的流量均为15sccm。
[0242] (4)在无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层。
[0243] 有机阻挡层的材料为二（2_(6_环己基环十二烷基）乙基）铍，其结构式如下：
[0244]
[0245] 有机阻挡层采用磁控溅射制备，本底真空度为lXl(T4Pa，加速电压为400V，磁场 为150G，功率密度为30W/cm2,厚度为220nm。
[0246] 交替重复（3)和（4) 5次，得到本实施例的结构为：ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI: 1!'(卩卩}〇3/1^]1611/1^]1611:〇8队/^1/21'1 203/二（2-(6-环己基环十二烷基）乙基）被/21'1203/ 二（2-(6-环己基环十二烷基）乙基）铍/Zrl203/二（2-(6-环己基环十二烷基）乙基）铍 /21~1203/二（2-(6-环己基环十二烷基）乙基）铍/21'1203/二（2-(6-环己基环十二烷基） 乙基）铍的有机电致发光器件的有机电致发光器件。
[0247] 实施例9
[0248] 本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：IT0/NPB:M〇03/TCTA/TPBI: Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/Al/HfI203/ 二（5-环辛基正戊基)铍 /Hfl203/ 二（5-环辛基正 戊基）铍/Hfl203/二（5-环辛基正戊基）铍/Hfl203/二（5-环辛基正戊基）铍。
[0249] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0250] (1)将IT0玻璃基底依次用丙酮、乙醇、去离子水和乙醇各超声清洗约5分钟，然后 用氮气吹干，烘箱烤干待用，再对洗净的IT0玻璃基底进行表面活化处理，增加IT0玻璃基 底表面的含氧量和功函数。IT0的厚度为100nm。
[0251] (2)在TI0玻璃基底上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输 层、电子注入层及阴极。
[0252] 空穴注入层的材料为质量比为30:70的M〇03和NPB，厚度为10nm。空穴注入层采 用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.1A/S。空穴注入层的结构表示为NPB:M〇03。
[0253] 空穴传输层的材料为TCTA，厚度为30nm。空穴传输层采用蒸镀制备，真空度为 1父1〇-中&，蒸发速度为〇.11/8。
[0254] 发光层的材料为质量比为5:95的Ir(ppy)dPTPBI，厚度为20nm。发光层采用蒸 镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。发光层的结构表示为：TPBI:Ir(ppy)3。
[0255] 电子传输层的材料为Bphen，厚度为10nm。电子传输层采用蒸镀制备，真空度为 lX10_5Pa，蒸发速度为0.2A/S。
[0256] 电子注入层的材料为质量比为30:70的CsNjPBphen，厚度为20nm。电子注 入层采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。电子注入层的结构表示为 Bphen:CsN3〇
[0257] 阴极的材料为A1，厚度为lOOnm。阴极采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速 度为5A/s。
[0258] (3)在阴极上原子层沉积无机阻挡层。
[0259] 无机阻挡层的材料为Hfl203，厚度为15nm。无机阻挡层采用原子层沉积制备，在 40Pa，60°C，依次通入 0?6s的Hf(N(CH2)2)4、8s的N2 和 20ms的水蒸气，Hf(N(CH2)2)4、N2 和 水蒸气的流量均为llsccm。
[0260] (4)在无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层。
[0261] 有机阻挡层的材料为二（2_(6_异丙基环十二烷基）乙基）铍，其结构式如下：
[0262]
[0263] 有机阻挡层采用磁控溅射制备，本底真空度为IXl(T3Pa，加速电压为500V，磁场 为100G，功率密度为40W/cm2,厚度为210nm。
[0264] 交替重复（3)和（4)4次，得到本实施例的结构为：11'0/即81〇03/1'0^八?81: 11'(卩口5〇 3/1^]1611/1^]1611:〇8队/^1/]^1203/二（2-(6-异丙基环十二烷基）乙基）被/]^1 203/ 二（2-(6-异丙基环十二烷基）乙基）铍/Hfl203/二（2-(6-异丙基环十二烷基）乙基）铍 /Hfl203/二（5-环辛基正戊基）铍的有机电致发光器件。
[0265] 实施例10
[0266] 本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：IT0/NPB:M〇03/TCTA/TPBI: Ir(ppy) 3/Bphen/Bphen:CsN3/A1/A1I02/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3)CH3] 3。
[0267] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0268] ( 1)将IT0玻璃基底依次用丙酮、乙醇、去离子水和乙醇各超声清洗约5分钟，然后 用氮气吹干，烘箱烤干待用，再对洗净的IT0玻璃基底进行表面活化处理，增加IT0玻璃基 底表面的含氧量和功函数。IT0的厚度为100nm。
[0269] (2)在TI0玻璃基底上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输 层、电子注入层及阴极。
[0270] 空穴注入层的材料为质量比为30:70的M〇03和NPB，厚度为10nm。空穴注入层采用 蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为O.lA/s。空穴注入层的结构表示为NPB:M〇03。
[0271] 空穴传输层的材料为TCTA，厚度为30nm。空穴传输层采用蒸镀制备，真空度为 1父1〇-^，蒸发速度为〇.1力8。
[0272] 发光层的材料为质量比为5:95的Ir(ppy)dPTPBI，厚度为20nm。发光层采用蒸 镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。发光层的结构表示为：TPBI:Ir(ppy)3。
[0273] 电子传输层的材料为Bphen，厚度为10nm。电子传输层采用蒸镀制备，真空度为 lX10_5Pa，蒸发速度为 0.2A/S。
[0274] 电子注入层的材料为质量比为30:70的CsNjPBphen，厚度为20nm。电子注 入层采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。电子注入层的结构表示为 Bphen:CsN3〇
[0275] 阴极的材料为A1，厚度为lOOnm。阴极采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速 度为5A/s。
[0276] (3)在阴极上原子层沉积无机阻挡层。
[0277] 无机阻挡层的材料为A1I02，厚度为15nm。无机阻挡层采用原子层沉积制备，在 45Pa，55°C，依次通入10ms的Al(CH2I)3、10s的队和10ms的水蒸气，六1(0121)3為和水蒸气 的流量均为15sccm。
[0278] (4)在无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层。
[0279] 有机阻挡层的材料为8[(012)201(013)(01 2)301(013)013]3，其结构式如下：
[0280]
[0281] 有机阻挡层采用磁控溅射制备，本底真空度为IXl(T3Pa，加速电压为500V，磁场 为100G，功率密度为35W/cm2,厚度为210nm。
[0282] 得到本实施例的结构为：ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/ A1/A1I02/B[(CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3)CH3]3 的有机电致发光器件。
[0283] 实施例11
[0284] 本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：IT0/NPB:M〇03/TCTA/TPBI: Ir(ppy) 3/Bphen/Bphen:CsN3/A1/BI02/B[ (CH2)2CH(CH3)CH3] 3/BI02/B[ (CH2)2CH(CH3)CH3]J BI02/B[ (CH2)2ch(ch3)ch3] 3/BI02/B[ (CH2)2ch(ch3)ch3] 3/BI02/B[ (CH2)2ch(ch3)ch3] 3/bio2/ b[(ch2)2ch(ch3)ch3]3;其中，斜杆"/"表示层状结构，冒号"："表示掺杂，下同。
[0285] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0286] (1)将IT0玻璃基底依次用丙酮、乙醇、去离子水和乙醇各超声清洗约5分钟，然后 用氮气吹干，烘箱烤干待用，再对洗净的IT0玻璃基底进行表面活化处理，增加IT0玻璃基 底表面的含氧量和功函数。IT0的厚度为100nm。
[0287] (2)在TI0玻璃基底上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输 层、电子注入层及阴极。
[0288] 空穴注入层的材料为质量比为30:70的M〇03和NPB，厚度为10nm。空穴注入层采 用蒸镀制备，真空度为1xl(T5Pa，蒸发速度为O.lA/s。空穴注入层的结构表示为npb:m〇03。
[0289] 空穴传输层的材料为TCTA，厚度为30nm。空穴传输层采用蒸镀制备，真空度为 1父1〇-^，蒸发速度为〇.1人/3。
[0290] 发光层的材料为质量比为5:95的Ir(ppy)dPTPBI，厚度为20nm。发光层采用蒸 镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。发光层的结构表示为：TPBI:Ir(ppy)3。
[0291] 电子传输层的材料为Bphen，厚度为10nm。电子传输层采用蒸镀制备，真空度为 1X10_5Pa，蒸发速度为 0.2A/S。
[0292] 电子注入层的材料为质量比为30:70的CsNjPBphen，厚度为20nm。电子注 入层采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。电子注入层的结构表示为 Bphen:CsN3〇
[0293] 阴极的材料为A1，厚度为lOOnm。阴极采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速 度为5A/S。
[0294] (3)在阴极上原子层沉积无机阻挡层。
[0295]无机阻挡层的材料为BI02，厚度为20nm。无机阻挡层采用原子层沉积制备，在 40Pa，50°C，依次通入15ms的B(CH2I) 3、7s的N2和15ms的水蒸气，B(CH2I)3、N2和水蒸气的 流量均为15sccm。
[0296] (4)在无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层。
[0297] 有机阻挡层的材料为8[(012)201(013)013]3，其结构式如下：
[0298]
[0299] 有机阻挡层采用磁控溅射制备，本底真空度为lXl(T5Pa，加速电压为500V，磁场 为100G，功率密度为20W/cm2,厚度为300nm。
[0300] 交替重复（3)和（4)6次，得到本实施例的结构为：ITO/NPB:M〇03/TCTA/ TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/A1/BI02/B[ (CH2)2CH(CH3)CH3 ]3/BI02/B[ (CH2)2CH(CH3) ch3]3/bio2/b[ (ch2)2ch(ch3)ch3]3/bio2/b[ (ch2)2ch(ch3)ch3]3/bio2/b[ (ch2)2ch(ch3)ch3]Jbio3/b[ (ch2)2ch(ch3)ch3]3的有机电致发光器件。
[0301] 实施例12
[0302] 本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：IT0/NPB:M〇03/TCTA/TPBI: Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/A1/A1I02/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3)CH3]J
[0303]A1102/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3)CH3]3/AlI02/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) CH3]3/AlI02/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3)CH3]3/AlI02/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) CH3]3/AlI02/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3)CH3] 3。
[0304] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0305] (1)将IT0玻璃基底依次用丙酮、乙醇、去离子水和乙醇各超声清洗约5分钟，然后 用氮气吹干，烘箱烤干待用，再对洗净的IT0玻璃基底进行表面活化处理，增加IT0玻璃基 底表面的含氧量和功函数。IT0的厚度为100nm。
[0306](2)在TIO玻璃基底上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输 层、电子注入层及阴极。
[0307] 空穴注入层的材料为质量比为30:70的^OjPNPB，厚度为10?。空穴注入层采用 蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.1A/S。空穴注入层的结构表示为NPB:M〇03。
[0308] 空穴传输层的材料为TCTA，厚度为30nm。空穴传输层采用蒸镀制备，真空度为 1父1〇-^，蒸发速度为〇.1人/8。
[0309] 发光层的材料为质量比为5:95的11'(_)3和1?81，厚度为20腹。发光层采用蒸镀 制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。发光层的结构表示为：TPBI:Ir(ppy)3。
[0310] 电子传输层的材料为Bphen，厚度为10nm。电子传输层采用蒸镀制备，真空度为 lX10_5Pa，蒸发速度为 0.2A/S。
[0311] 电子注入层的材料为质量比为30:70的CsNjPBphen，厚度为20nm。电子注 入层采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。电子注入层的结构表示为 Bphen:CsN3〇
[0312] 阴极的材料为A1，厚度为lOOnm。阴极采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速 度为5A/s。
[0313] (3)在阴极上原子层沉积无机阻挡层。
[0314] 无机阻挡层的材料为A1I02，厚度为19nm。无机阻挡层采用原子层沉积制备，在 10卩&，4〇1：，依次通入2〇1118的六1(01 21)3、1〇8的队和2〇1118的水蒸气41(0121)3為和水蒸气 的流量均为20sccm。
[0315] (4)在无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层。
[0316] 有机阻挡层的材料为8[(012)201(01 3)(012)301(013)013]3，其结构式如下 ：
[0317]
[0318] 有机阻挡层采用磁控溅射制备，本底真空度为lXl(T5Pa，加速电压为300V，磁场 为50G，功率密度为10W/cm2,厚度为250nm。
[0319] 交替重复（3)和（4)6次，得到本实施例的结构为：ITO/NPB:M〇03/TCTA/ TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/A1/A1I02/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3)CH3]3/Al102/ B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3)CH3]3/AlI02/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3)CH3]3/AlI02/ B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3)CH3]3/AlI02/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3)CH3]3/AlI02/ B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3)CH3]3 的有机电致发光器件。
[0320] 实施例13
[0321] 本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI: Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/Al/GaI03/B[(CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2)3(CH) (CH3) CH3]3/GaI02/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2) 3 (CH) (CH3)CH3]3/GaI02/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2)3(CH) (CH3)CH3]3/GaI02/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2) 3 (CH) (CH3)CH3]3/GaI02/B[(CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2) 3 (CH) (CH3)CH3]3/GaI02/ B[(CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2)3(CH) (CH3)CH3]3。
[0322] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0323] (1)将ITO玻璃基底依次用丙酮、乙醇、去离子水和乙醇各超声清洗约5分钟，然后 用氮气吹干，烘箱烤干待用，再对洗净的ITO玻璃基底进行表面活化处理，增加ITO玻璃基 底表面的含氧量和功函数。ITO的厚度为lOOnm。
[0324] (2)在TIO玻璃基底上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输 层、电子注入层及阴极。
[0325] 空穴注入层的材料为质量比为30:70的M〇03和NPB，厚度为10nm。空穴注入层采 用蒸镀制备，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速度为〇, 1A/S。空穴注入层的结构表示为NPB:M〇03。
[0326] 空穴传输层的材料为TCTA，厚度为30nm。空穴传输层采用蒸镀制备，真空度为 1\1〇-%，蒸发速度为〇.1人/、
[0327] 发光层的材料为质量比为5:95的11~化?7)3和TPBI，厚度为20nm。发光层采用蒸 镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。发光层的结构表示为：TPBI:Ir(ppy)3。
[0328] 电子传输层的材料为Bphen，厚度为10nm。电子传输层采用蒸镀制备，真空度为 lX10_5Pa，蒸发速度为 0.2A/S。
[0329] 电子注入层的材料为质量比为30:70的CsNjPBphen，厚度为20nm。电子注 入层采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。电子注入层的结构表示为 Bphen:CsN3〇
[0330] 阴极的材料为A1，厚度为lOOnm。阴极采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速 度为5A/s。
[0331] (3)在阴极上原子层沉积无机阻挡层。
[0332] 无机阻挡层的材料为GaI02，厚度为18nm。无机阻挡层采用原子层沉积制备，在 50Pa，60°C，依次通入10ms的Ga(CH2I)3、5s的N2和10ms的水蒸气，Ga(CH2I)3、N2和水蒸气 的流量均为lOsccm。
[0333] (4)在无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层。
[0334]有机阻挡层的材料为B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2)3 (CH) (CH3)CH3]3，其结构 式如下：
[0335]
[0336] 有机阻挡层采用磁控溅射制备，本底真空度为lX10_4Pa，加速电压为800V，磁场 为200G，功率密度为40W/cm2,厚度为200nm。
[0337] 交替重复（3)和（4)6次，得到本实施例的结构为：ITO/NPB:M〇03/TCTA/ TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/Al/GaI02/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)SCH(CH3) (CH2) 3 (CH) (CH3)CH3]3/GaI02/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2) 3 (CH) (CH3)CH3] 3/ GaI02/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2) 3 (CH) (CH3)CH3]3/GaI02/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2)3(CH) (CH3)CH3]3/GaI02/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2) 3 (CH) (CH3)CH3]3/GaI02/B[(CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2)3(CH) (CH3)CH3]3 的有机电致发光器 件。
[0338] 实施例14
[0339] 本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI: Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/Al/InI02/B[(CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2)3(CH) (CH3) (CH2)3(CH) (CH3)CH3]3/InI02/B[(CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2)3(CH) (CH3) (CH2)3(CH) (CH3)CH3]3/InI02/B[(CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2)3(CH) (CH3) (CH2)3(CH) (CH3)CH3]3/ InI02/B[(CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2)3(CH) (CH3) (CH2)3(CH) (CH3)CH3]3/InI02/ B[(CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2)3(CH) (CH3) (CH2)3(CH) (CH3)CH3]3。
[0340] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0341] (1)将ITO玻璃基底依次用丙酮、乙醇、去离子水和乙醇各超声清洗约5分钟，然后 用氮气吹干，烘箱烤干待用，再对洗净的ITO玻璃基底进行表面活化处理，增加ITO玻璃基 底表面的含氧量和功函数。ITO的厚度为lOOnm。
[0342] (2)在TI0玻璃基底上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输 层、电子注入层及阴极。
[0343] 空穴注入层的材料为质量比为30:70的M〇03和NPB，厚度为10nm。空穴注入层采 用蒸镀制备，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速度为〇, 1A/S。空穴注入层的结构表示为NPB:M〇03。
[0344] 空穴传输层的材料为TCTA，厚度为30nm。空穴传输层采用蒸镀制备，真空度为 1父1〇-^，蒸发速度为〇.11^。
[0345] 发光层的材料为质量比为5:95的Ir(ppy)dPTPBI，厚度为20nm。发光层采用蒸 镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。发光层的结构表示为：TPBI:Ir(ppy)3。
[0346] 电子传输层的材料为Bphen，厚度为10nm。电子传输层采用蒸镀制备，真空度为 lX10_5Pa，蒸发速度为 0.2A/S。
[0347] 电子注入层的材料为质量比为30:70的CsNjPBphen，厚度为20nm。电子注 入层采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。电子注入层的结构表示为 Bphen:CsN3〇
[0348] 阴极的材料为A1，厚度为lOOnm。阴极采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速 度为5A/s。
[0349] (3)在阴极上原子层沉积无机阻挡层。
[0350] 无机阻挡层的材料为InI02，厚度为16nm。无机阻挡层采用原子层沉积制备，在 30Pa，45°C，依次通入15ms的Ga(CH2I)3、7s的N2和15ms的水蒸气，In(CH2I)3、N2和水蒸气 的流量均为17sccm。
[0351] (4)在无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层。
[0352]有机阻挡层的材料为B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2)3 (CH) (CH3) (CH2)3 (CH) (CH3)CH3]3,其结构式如下：
[0353]
[0354] 有机阻挡层采用磁控溅射制备，本底真空度为IXl(T4Pa，加速电压为500V，磁场 为100G，功率密度为20W/cm2,厚度为250nm。
[0355] 交替重复（3)和（4) 5次，得到本实施例的结构为：ITO/NPB:M〇03/TCTA/ TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/Al/InI02/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2)3 (CH) (CH3) (CH2)3(CH) (CH3)CH3]3/InI02/B[(CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2)3(CH) (CH3) (CH2)3(CH) (CH3)CH3]3/InI02/B[(CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2)3(CH) (CH3) (CH2)3(CH) (CH3)CH3]3/InI02/B[(CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2)3(CH) (CH3) (CH2)3(CH) (CH3)CH3]3/ InI02/B[(CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2)3(CH) (CH3) (CH2)3(CH) (CH3)CH3]3 的有机电致发 光器件。
[0356] 实施例15
[0357] 本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：IT0/NPB:M〇03/TCTA/TPBI: Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/A1/T1I02/B[ (C H2)2CH(CH3)CH3]3/TlI02/B[ (CH2)2CH(CH3)CH3]J tiio2/b[(ch2)2ch(ch3)ch3] 3/ti2o3:1/B[ (CH2)2ch(ch3)CH3] 3/
[0358]TlI02/B[ (CH2)2CH(CH3)CH3]3。
[0359] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0360] (1)将IT0玻璃基底依次用丙酮、乙醇、去离子水和乙醇各超声清洗约5分钟，然后 用氮气吹干，烘箱烤干待用，再对洗净的IT0玻璃基底进行表面活化处理，增加IT0玻璃基 底表面的含氧量和功函数。IT0的厚度为100nm。
[0361] (2)在TI0玻璃基底上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输 层、电子注入层及阴极。
[0362] 空穴注入层的材料为质量比为30:70的M〇03和NPB，厚度为10nm。空穴注入层采 用蒸镀制备，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速度为O.lA/s。空穴注入层的结构表示为NPB:M〇03。
[0363] 空穴传输层的材料为TCTA，厚度为30nm。空穴传输层采用蒸镀制备，真空度为 1父1〇-中&，蒸发速度为〇.11/8。
[0364] 发光层的材料为质量比为5:95的11~化口7)3和TPBI，厚度为20nm。发光层采用蒸 镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。发光层的结构表示为：TPBI:Ir(ppy)3。
[0365] 电子传输层的材料为Bphen，厚度为10nm。电子传输层采用蒸镀制备，真空度为 lX10_5Pa，蒸发速度为 0.2A/S。
[0366] 电子注入层的材料为质量比为30:70的CsNjPBphen，厚度为20nm。电子注 入层采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。电子注入层的结构表示为 Bphen:CsN3〇
[0367] 阴极的材料为A1，厚度为lOOnm。阴极采用蒸镀制备，真空度为IX10_5Pa，蒸发速 度为5A/s。
[0368] (3)在阴极上原子层沉积无机阻挡层。
[0369] 无机阻挡层的材料为T1I02，厚度为15nm。无机阻挡层采用原子层沉积制备，在 40Pa，40°C，依次通入15ms的Tl(CH2I) 3、7s的N2和15ms的水蒸气，Tl(CH2I)3、N2和水蒸气 的流量均为llsccm。
[0370] (4)在无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层。
[0371] 有机阻挡层的材料为8[(012)201(013)013]3，其结构式如下：
[0372]
[0373] 有机阻挡层采用磁控溅射制备，本底真空度为lXl(T4Pa，加速电压为400V，磁场 为150G，功率密度为30W/cm2,厚度为220nm。
[0374]交替重复（3)和（4) 5次，得到本实施例的结构为：ITO/NPB:M〇03/TCTA/ TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/A1/T1I02/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2)3 (CH) (CH3) (CH2)3(CH) (CH3)CH3]3/T1I02/B[(CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2)3(CH) (CH3) (CH2)3(CH) (CH3)CH3]3/T1I02/B[(CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2)3(CH) (CH3) (CH2)3(CH) (CH3)CH3]3/T1I02/B[(CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2)3(CH) (CH3) (CH2)3(CH) (CH3)CH3]3/ T1I02/B[(CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3) (CH2)3(CH) (CH3) (CH2)3(CH) (CH3)CH3]3 的有机电致发 光器件的有机电致发光器件。
[0375] 实施例16
[0376] 本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：IT0/NPB:M〇03/TCTA/TPBI: Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/A1/T1I02/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3)CH3]3/TlI02/ B[ (CH2)2ch(ch3) (ch2)3ch(ch3)ch3]3/TlI02/B[ (CH2)2ch(ch3) (ch2)3ch(ch3)ch3]3/TlI02/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3)CH3] 3。
[0377] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0378] (1)将IT0玻璃基底依次用丙酮、乙醇、去离子水和乙醇各超声清洗约5分钟，然后 用氮气吹干，烘箱烤干待用，再对洗净的IT0玻璃基底进行表面活化处理，增加IT0玻璃基 底表面的含氧量和功函数。IT0的厚度为100nm。
[0379] (2)在TIO玻璃基底上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输 层、电子注入层及阴极。
[0380] 空穴注入层的材料为质量比为30:70的M〇03和NPB，厚度为10nm。空穴注入层采 用蒸镀制备，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速度为〇. 1A/S。空穴注入层的结构表示为NPB:M〇03。
[0381] 空穴传输层的材料为TCTA，厚度为30nm。空穴传输层采用蒸镀制备，真空度为 1父1〇-^，蒸发速度为〇.1人/3。
[0382] 发光层的材料为质量比为5:95的11~化口7)3和TPBI，厚度为20nm。发光层采用蒸 镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。发光层的结构表示为：TPBI:Ir(ppy)3。
[0383] 电子传输层的材料为Bphen，厚度为10nm。电子传输层采用蒸镀制备，真空度为 1X10_5Pa，蒸发速度为 0.2A/S。
[0384] 电子注入层的材料为质量比为30:70的CsNjPBphen，厚度为20nm。电子注 入层采用蒸镀制备，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S。电子注入层的结构表示为 Bphen:CsN3〇
[0385] 阴极的材料为A1，厚度为lOOnm。阴极采用蒸镀制备，真空度为IX10_5Pa，蒸发速 度为5A/s。
[0386] (3)在阴极上原子层沉积无机阻挡层。
[0387] 无机阻挡层的材料为T1I02，厚度为15nm。无机阻挡层采用原子层沉积制备，在 45Pa，55°C，依次通入 10ms的A1 (CH2I)3、10s的N2 和 10ms的水蒸气，
[0388]T1(CH2I)3、N2和水蒸气的流量均为15sccm。
[0389] (4)在无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层。
[0390] 有机阻挡层的材料为則(012)201(01 3)(012)301(013)013]3，其结构式如下 ：
[0391]
[0392] 有机阻挡层采用磁控溅射制备，本底真空度为IXl(T3Pa，加速电压为500V，
[0393] 磁场为100G，功率密度为35W/cm2,厚度为210nm。
[0394] 交替重复（3)和（4) 4次，得到本实施例的结构为：
[0395] ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy) 3/Bphen/Bphen:CsN3/A1/T1I02/ B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3)CH3]3/TlI02/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3)CH3]3/TlI02/B[(C
[0396] H2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3)CH3]3/TlI02/B[ (CH2)2CH(CH3) (CH2)3CH(CH3)CH3] 3
[0397] 的有机电致发光器件。
[0398] 表1为实施例1~16及对比例1制备的有机电致发光器件的寿命及水蒸气传输 速率。
[0399]表1
[0400]
[0402]由表1可以看出，对比例1中器件的寿命明显小于实施例1~16制备的有机电致 发光器件的寿命，说明实施例1~16制备的有机电致发光器件，阴极上的无机阻挡层和有 机阻挡层交替层叠，致密性高，可有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的 侵蚀，水蒸气传输速率最高只有6. 31Xl(T4g/m2 ^day，对器件的有机功能材料及电极形成有 效的保护，显著提高有机电致发光器件的寿命，寿命均在12700小时以上。
[0403]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并 不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员 来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保 护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1. 一种有机电致发光器件，包括导电阳极基底，以及依次层叠在所述导电阳极基底的 阳极层上的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极及阻挡层；其 特征在于，所述阻挡层包括层叠于所述阴极上的无机阻挡层和层叠于所述无机阻挡层上的 有机阻挡层；所述无机阻挡层的材料选自TiI 203、ZrI203、HfI20 3、BI02、AlI02、GaI02、InI02及 TlIO 2中的一种；所述有机阻挡层的材料为铍的环链烷或硼的直链烷烃，所述铍的环链烷的 结构式如下：/ 其中，R1为H、Cl~C6的烷基或C3~C6的环烷基，I为1~10的整数，m为5~15 的整数，η为1~14的整数； 所述硼的直链烷烃的结构式如下所示：其中，k为1~4的整数。2. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阻挡层的个数为4~6 个，所述4~6个阻挡层层叠于所述阴极上使4~6个无机阻挡层和4~6个有机阻挡层 交替层叠于所述阴极上。3. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料 包括质量比为20:80~40:60的氧化钥及Ν，Ν'-二苯基-N，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-联 苯-4, 4' -二胺，所述空穴传输层的材料包括4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺，所述发光 层的材料包括质量比为2:98~8:92的三（2-苯基吡啶)合铱及1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯 并咪唑-2-基）苯，所述电子传输层的材料包括4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉，所述电子注入 层的材料包括质量比为20:80~40:60的叠氮化铯及4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉，所述阴 极的材料包括错。4. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述无机阻挡层的厚度为 15nm ~20nm〇5. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层的厚度为 200nm ~；BOOnm。6. -种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在导电阳极基底的表面依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、 电子注入层及阴极； 在所述阴极上原子层沉积制备无机阻挡层，在所述无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻 挡层，形成层叠于所述阴极上的阻挡层，得到有机电致发光器件，其中，所述无机阻挡层的 材料选自 Til203、Zrl203、Hfl20 3、BI02、A1I02、GaI02、InIO2 及 TlIO 中的一种，所述有机阻挡 层的材料为铍的环链烷或硼的直链烷烃，所述铍的环链烷的结构式如下：其中，R1为H、Cl~C6的烷基或C3~C6的环烷基，I为1~10的整数，m为5~15 的整数，η为1~14的整数； 所述硼的直链烷烃的结构式如下所示：其中，k为1~4的整数。7. 根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述在所述阴 极上原子层沉积制备无机阻挡层的步骤具体为：在IOPa~50Pa，40°C~60°C，依次通入 0. 2s~Is的胺基物、5s~IOs的氮气和20ms~40ms的水蒸气，所述胺基物为四（二碘甲 基胺基）钛、四（二碘甲基胺基）锆或四（二碘甲基胺基）铪，所述胺基物、氮气和水蒸气的流 量均为 IOsccm ~20sccm。8. 根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述在所述无 机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层的步骤中，本底真空度为I X KT5Pa~I X KT3Pa,加速 电压为300V~800V，磁场为50G~200G，功率密度为10W/cm2~40W/cm 2。9. 根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述在导电阳 极基底的阳极层的表面依次蒸镀制备空穴注入层之前，还包括对导电阳极基底进行预处理 的步骤；所述预处理的步骤为：将所述导电阳极基底依次采用丙酮、乙醇、去离子水和乙醇 各超声清洗5分钟，然后干燥，再对洗净的导电阳极基底进行表面活化处理。10. 根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述在所述阴 极上原子层沉积制备无机阻挡层，在所述无机阻挡层上磁控溅射制备有机阻挡层，形成层 叠于所述阴极上的阻挡层，得到有机电致发光器件的步骤具体为：在所述阴极上制备4~6 个所述阻挡层，使得4~6个所述无机阻挡层和4~6个所述有机阻挡层交替层叠于所述 阴极上，得到有机电致发光器件。
【专利摘要】本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。该有机电致发光器件包括导电阳极基底，以及依次层叠在导电阳极基底的阳极层上的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极及阻挡层；阻挡层包括层叠于阴极上的无机阻挡层和层叠于无机阻挡层上的有机阻挡层；所述无机阻挡层的材料选自TiI2O3、ZrI2O3、HfI2O3、BIO2、AlIO2、GaIO2、InIO2及TlIO2中的一种；所述有机阻挡层的材料为铍的环链烷。通过阴极上交替层叠的无机阻挡层和有机阻挡层，致密性高，能显著提高有机电致发光器件的寿命。
【IPC分类】H01L51/56, H01L51/50, H01L51/54
【公开号】CN104882552
【申请号】CN201410074423
【发明人】周明杰, 钟铁涛, 王平, 陈吉星
【申请人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2014年2月28日