有机电致发光器件及其封装方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及电致发光器件领域，特别是涉及有机电致发光器件及其封装方法。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件（0LED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典 型结构是在IT0玻璃上制作一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有一层 低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光福射。
[0003] 0LED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被业内 人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一 项崭新的照明和显示技术，0LED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由 于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了0LED的产业化进程，使得 0LED产业的成长速度惊人，目前已经到达了大规模量产的前夜。
[0004] 由于防水氧性能较差，使得目前的有机电致发光器件普遍存在寿命短的问题。因 此封装的好坏直接影响器件的寿命。
【发明内容】
[0005] 基于此，有必要提供一种防水氧性能较好的有机电致发光器件。
[0006] 进一步提供一种有机电致发光器件的封装方法。
[0007]-种有机电致发光器件，包括导电阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电 子传输层、电子注入层和阴极，还包括层叠于所述阴极上的保护层，所述保护层包括层叠于 所述阴极上的无机阻挡层和层叠于所述无机阻挡层上的有机阻挡层，所述无机阻挡层的材 料选自Tixfcy03、Zrxfcy03&HfxBry03 中的一种，且各物质中，1 <x< 1. 5,0 <y< 0? 5，fc 为掺杂元素，Br的掺杂质量分数为10%~25%,所述有机阻挡层的材料为环链烧，所述环链 烷的化学结构式如下：
[0008]
[0009] 其中，A为Ga、B或Be，R1选自氢原子、碳原子数为3~6的环烷基及碳原子数1~ 6的烷基中的一种，E为1~10的整数，m为5~15的整数，n为1~14的整数。
[0010] 上述有机电致发光器件在阴极在设置保护层，保护层包括无机阻挡层和层叠于无 机阻挡层上的有机阻挡层，由二氧化钛和溴的混合材料、二氧化锆和溴的混合材料及二氧 化铪和溴的混合材料中的一种形成的无机阻挡层及由镓的环链烷形成的有机阻挡层的致 密性较高，防水氧性能较好，可有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵 蚀，从而对有机电致发光器件的有机功能材料及电极形成有效的保护，使得该有机电致发 光器件的使用寿命较长。
【附图说明】
[0011] 图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
[0012] 图2为一实施方式的有机电致发光器件的封装方法流程图。
【具体实施方式】
[0013] 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明 的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发 明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不 违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
[0014] 请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100,包括依次层叠的导电阳极基板 110、空穴注入层120、空穴传输层130、发光层140、电子传输层150、电子注入层160、阴极 170及保护层180。
[0015] 导电阳极基板110优选为铟锡氧化物导电玻璃。铟锡氧化物玻璃由铟锡氧化物 (IT0)薄膜层叠于玻璃基板上形成。优选地，IT0薄膜的厚度为100纳米。
[0016] 在其他实施方式中，玻璃基板也可以替换为柔性基板，如聚醚砜树脂基板等。可以 理解，在另外的实施方式中，导电阳极基板110也可以为掺氟的氧化锡玻璃（FT0)、掺铝的 氧化锌玻璃（AZ0)或掺铟的氧化锌玻璃（IZ0)等。
[0017] 空穴注入层120层叠于导电阳极基板110的IT0薄膜上。空穴注入层120的材料 包括三氧化钥（M〇03)和N，N' - (1-萘基）-N，N' -二苯基-4, 4' -联苯二胺（NPB)，三氧化 钥（M〇03)掺杂于N，N' - (1-萘基）-N，N' -二苯基-4, 4' -联苯二胺（NPB)中。优选地，空 穴注入层120中，三氧化钥（M〇03)的质量百分比为30%。优选地，空穴注入层120的厚度为 10纳米。
[0018] 空穴传输层130的材料为4, 4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)。优选地，空 穴传输层130的厚度为30纳米。
[0019] 发光层140的材料包括1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)和 三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy)3)，三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy)3)掺杂于1，3,5_三 (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)。优选地，发光层140中，三（2-苯基吡啶)合铱 (Ir(ppy)3)的质量百分数为5%。优选地，发光层140的厚度为20纳米。
[0020] 电子传输层150的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)。优选地，电子传输 层150的厚度为10纳米。
[0021] 电子注入层160的材料包括叠氮化铯（CsN3)和4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉 (8口1^11)，叠氮化铯（〇8队）掺杂于4,7-二苯基-1，1〇-菲罗啉（8口11611)中。优选地，电子注 入层160中，叠氮化铯（CsN3)的质量百分比为30%。优选地，电子注入层160的厚度为20纳 米。
[0022] 阴极170的材料为金属铝（A1)。优选地，阴极170的厚度为100纳米。
[0023] 保护层180包括层叠于阴极170上的无机阻挡层182及层叠于无机阻挡层182上 的有机阻挡层184。
[0024] 无机阻挡层182的材料选自TixBry03、ZrxBry03及HfxBry03中的一种，且各物质中， 1 <X< 1. 5,0 <y< 0. 5,Br为掺杂元素，Br的掺杂质量分数为10%~25%。Br的掺杂质 量分数是指Br占无机阻挡层182的质量百分比。
[0025] 由TixBry03、ZrxBry03及HfxBry03中的一种形成的无机阻挡层182具有较高的致密 性。优选地，无机阻挡层182的厚度为15纳米~20纳米。
[0026] 有机阻挡层184的材料为环链烷。环链烷的化学结构式如下：
[0027]
[0028] 其中,A为Ga、B或Be,R1选自氢原子、碳原子数为3~6的环烷基及碳原子数1~ 6的烷基中的一种，E为1~10的整数，m为5~15的整数，n为1~14的整数。碳原子 数1~6的烷基中，当碳原子数大于或等于4时，烷基可以为直链烷基或支链烷基。由上述 化学结构式的环链烷形成的有机阻挡层184具有较高的致密性。
[0029] 优选地，环链烷选自如下化学结构式中的一种：
[0030]
[0032] 上述无机阻挡层182和有机阻挡层184均具有较高的致密性，使得保护层180的 防水氧性能较好。并且，制备无机阻挡层182的材料和制备有机阻挡层184的材料价廉，制 备工艺简单，易于大面积制备。
[0033] 上述有机电致发光器件100在阴极170上设置保护层180,保护层180包括依次 层叠于阴极170上无机阻挡层182和有机阻挡层184,无机阻挡层182和有机阻挡层184 具有较高的致密性，使得保护层180具有较高的防水氧性能，能够有效地减少外部水、氧等 活性物质对有机电致发光器件1〇〇的侵蚀，从而能够较好地保护有机电致发光器件1〇〇,使 得有机电致发光器件100的使用寿命较长。经试验表明，有机电致发光器件100的寿命达 11，500 小时以上（
[email protected]/m2)。
[0034] 在优选的实施方式中，保护层180的数量为4~6个。4~6个保护层180层叠于 阴极170上，其中，上方的保护层180的无机阻挡层182层叠于下方的保护层180的有机阻 挡层184上，使得4~6无机阻挡层182和4~6个有机阻挡层184交替层叠于阴极170 上。设置4~6个保护层180,使得多个无机阻挡层182和有机阻挡层184交替层叠，具有 较高的防水氧性能；并且保证保护层180的厚度不至于过厚，并控制有机电致发光器件100 的价格。
[0035] 请参阅图2, 一实施方式的有机电致发光器件的封装方法，包括如下步骤S110~ 步骤S130。
[0036] 步骤S110 :提供导电阳极基板，采用真空蒸镀依次在导电阳极基板上形成空穴注 入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
[0037] 导电阳极基板优选为铟锡氧化物导电玻璃。铟锡氧化物玻璃由铟锡氧化物（IT0) 薄膜层叠于玻璃基板上形成。IT0薄膜的厚度优选为100纳米。
[0038] 优选地，首先对导电阳极基板进行预处理。预处理包括清洗、干燥及表面活化处理 的操作。进行清洗和干燥以除去导电阳极基板表面的油污、灰尘等污染物，得到洁净、干燥 的导电阳极基板。清洗和干燥的操作具体为：依次在超声波中进行丙酮清洗5分钟、乙醇清 洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干待用。
[0039] 进行表面活化处理以增加导电阳极基板表面的含氧量，提高导电阳极基板表面的 功函数。进行表面活化处理的操作具体为：采用紫外-臭氧对洁净、干燥的导电阳极基板进 行处理30~50分钟。
[0040] 真空度优选为1X10_5Pa。
[0041] 空穴注入层的材料包括三氧化钥（M〇03)和N，N'- (1-萘基）-N，N'-二苯 基-4, 4'-联苯二胺（NPB)，三氧化钥（M〇03)掺杂于N，N'-( 1-萘基)-N，N'_二苯基-4, 4'-联 苯二胺（NPB)中。空穴注入层中，三氧化钥（M〇03)的质量百分比为30%。蒸发速率为〇. 1A/s。 优选地，空穴注入层的厚度为10纳米。
[0042] 空穴传输层的材料为4,4'，4"-三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)。蒸发速率 为0.1A/S。优选地，空穴传输层的厚度为30纳米。发光层的材料包括1，3, 5-三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)和三（2-苯基吡啶)合铱（Ir(ppy)3)，三（2-苯基吡啶） 合铱（Ir(ppy)3)掺杂于1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)。蒸发速率 为0.2A/S。优选地，发光层中，三（2-苯基吡陡)合铱（Ir(ppy)3)的质量百分数为5%。优选 地，发光层的厚度为20纳米。
[0043] 电子传输层的材料为4,7-二苯基-1，1〇-菲罗啉（8口11611)。蒸发速率为〇.11/8。 优选地，电子传输层的厚度为10纳米。电子注入层的材料包括叠氮化铯（CsN3)和4, 7-二 苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)，叠氮化铯（CsN3)掺杂于4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen) 中。蒸发速率为0.2A/S。优选地，电子注入层中，叠氮化铯（CsN3)的质量百分比为30%。优 选地，电子注入层的厚度为20纳米。
[0044] 阴极的材料为金属铝。蒸发速率为5A/S。优选地，阴极的厚度为1〇〇纳米。
[0045] 步骤S120:采用原子层沉积在阴极上形成无机阻挡层，无机阻挡层的材料选自 TixBry03、ZrxBry03 及HfxBry03 中的一种，且各物质中，1 <x< 1. 5,0 <y< 0? 5,Br为掺杂 元素，Br的掺杂质量分数为10%~25%。
[0046] 采用胺基物作为原料制备无机阻挡层。
[0047] 当无机阻挡层的材料为TixBry03时，采用胺基物一四（二溴甲基胺基）钛 [Ti(N(CH2Br)2)4]作为原料，用原子层沉积工艺制备层叠于阴极上的无机阻挡层。
[0048] 四（二溴甲基胺基）钛[Ti(N(CH2Br)2)J的化学结构式如下所示：
[0049]
[0050] 当无机阻挡层的材料为ZrxBry03时，采用胺基物一四（二溴甲基胺基）锆 [Zr(N(CH2Br)2)4]作为原料，用原子层沉积工艺制备层叠于阴极上的无机阻挡层。
[0051] 四（二溴甲基胺基）锆[Zr(N(CH2Br)2)J的化学结构式如下所示：
[0052]
[0053] 当无机阻挡层的材料为HfxBry03时，采用胺基物一四（二溴甲基胺基）铪
[Hf(N(CH2Br)2)4]作为原料，用原子层沉积工艺制备层叠于阴极上的无机阻挡层。
[0054] 四（二溴甲基胺基）铪[Hf(N(CH2Br)2)J的化学结构式如下：
[0055]
[0056] 原子层沉积的工作压强为10Pa~50Pa。样品的温度保持在40°C~60°C。首先通 入胺基物〇. 2s~Is,然后通入5s~10s的氮气，接着通入20ms~40ms的水蒸气。胺基 物、氮气和水蒸气的流量均为lOsccm~20sccm。
[0057] 采用上述原子层沉积工艺制备无机阻挡层，制备工艺简单，制备效率高，且制备的 无机阻挡层致密性好。优选地，无机阻挡层的厚度为15纳米~20纳米。
[0058] 步骤S130 :采用磁控溅射在无机阻挡层上形成有机阻挡层，形成层叠于阴极上的 保护层，得到有机电致发光器。
[0059] 有机阻挡层的材料为环链烷。环链烷的结构式如下：
[0060]
[0061] 其中，A为Ga、B或Be,R1选自氢原子、碳原子数为3~6的环烷基及碳原子数1~ 6的烷基中的一种，E为1~10的整数，m为5~15的整数，n为1~14的整数。碳原子 数1~6的烷基中，当碳原子数大于或等于3时，烷基可以为直链烷基或支链烷基。
[0062] 磁控溅射制备有机阻挡层时，本底的真空度为IX1(T5~IXl(T3Pa，加速电压为 300V~800V，磁场为50G~200G，功率密度为10W/cm2~40W/cm2。采用上述条件制备的有 机阻挡层的致密性较好，无缺陷，有利于制备高质量的有机阻挡层。优选地，有机阻挡层的 厚度为200纳米~300纳米。
[0063] 有机阻挡层层叠于无机阻挡层上，形成层叠于阴极上的保护层，得到有机电致发 光器件。
[0064] 在优选的实施方式中，当保护层的数量为4~6个时，在阴极上依次制备无机阻挡 层和有机阻挡层形成一个层叠于阴极上的保护层上后，交替重复制备无机阻挡层和有机阻 挡层的步骤3~5次，得到层叠于阴极上的4~6个保护层。
[0065] 上述有机电致发光器件的封装方法，在导电阳极基板上依次真空蒸镀制备空穴注 入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，并采用原子层沉积在阴极上制 备无机阻挡层，采用磁控溅射在无机阻挡层上制备有机阻挡层，形成层叠于阴极上的保护 层，封装得到有机电致发光器件。这种封装方法得到的有机电致发光器件具有较高的防水 氧性能，能够有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，满足封装的密 封性和要求，可显著地提高有机电致发光器件的寿命。
[0066] 以下通过具体实施例进一步阐述。
[0067] 实施例1
[0068]结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/ Tii.i2Br〇. 4803/C15H29Ga/TiL12Br〇. 4803/C15H29Ga/TiL12Br〇. 4803/C15H29Ga/TiL12Br〇. 4803/C15H29Ga/Th.Jr^A/CAgGa/Tii. 12BrQ.4803/C15H29Ga的有机电致发光器件的封装 [0069] 1、提高铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，表示为Glass/ITO;将导电阳极基板依 次在超声波中进行丙酮清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分 钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、 干燥的导电阳极基板进行处理30分钟，待用；
[0070] 2、采用真空蒸镀在导电阳极基板上形成空穴注入层，真空度为IX l(T5Pa，蒸发 速率为0.1A/S，空穴注入层的材料包括三氧化钥（M〇03)和N，N' - (1-萘基）_N，N' -二苯 基-4,4'-联苯二胺（即8)，空穴注入层表示为此03:即8，其中^〇03占空穴注入层的质量百 分数为30% ;空穴注入层的厚度为10纳米；
[0071] 3、采用真空蒸镀在空穴注入层上形成空穴传输层，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。空穴传输层的材料为4, 4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)，空穴传输层表 示为TCTA，空穴传输层的厚
度为30纳米；
[0072] 4、采用真空蒸镀在空穴传输层上形成发光层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速率为 0.2A/S。发光层的材料包括1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)和三（2-苯 基批陡）合铱（Ir(ppy)3)，发光层表示为Ir(ppy)3:TPBI，其中，Ir(ppy)3占发光层的质量百 分数为5%，发光层的厚度为20纳米；
[0073] 5、采用真空蒸镀在发光层上形成电子传输层，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 O.lA/s。电子传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)，电子传输层表不为Bphen，电子传输层的厚度为10纳米；
[0074] 6、采用真空蒸镀在电子传输层上形成电子注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速率 为0.1人/5。电子注入层的材料包括叠氮化铯（〇8队)和4,7-二苯基-1，1〇-菲罗啉（8口11611)， 电子注入层的表示为CsN3:Bphen，其中，CsN3占电子注入层的质量百分数为30%，电子注入 层的厚度为20纳米；
[0075] 7、采用真空蒸镀在电子注入层上形成阴极，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 5A/S。阴极的材料为铝，阴极表示为A1，阴极的厚度为100纳米；
[0076] 8、采用原子层沉积在阴极上形成无机阻挡层，原料为四（二溴甲基胺基）钛
[Ti(N(CH2Br)2)4]，工作压强为40Pa，将步骤7制备得到的样品加热至50°C并维持在50°C， 通入四（二溴甲基胺基）钛〇. 5s，再通入氮气7s，最后通入水蒸气30ms，四（二溴甲基胺基） 钛、氮气和水蒸气的流量均为2〇SCCm，无机阻挡层的厚度为20纳米，无机阻挡层的材料为 ，无机阻挡层表示为Br的掺杂质量分数为25% ;
[0077] 9、采用磁控溅射在无机阻挡层上形成有机阻挡层，本底真空度IX l(T5Pa，加速电 压为400V，磁场为100G，功率密度为20W/cm2 ;有机阻挡层的厚度为300纳米，有机阻挡层的 材料为三（3-环十二烷基丙基）镓，有机阻挡层表示为C15H29Ga，三（3-环十二烷基丙基）镓 的结构式如下：
[0078]
[0079] 有机阻挡层层叠于无机阻挡层上，形成层叠于阴极上的一个保护层；保护层表示 为TUr。4803/C15H29Ga;
[0080] 10、交替层叠制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤5次，在阴极上形成6个保 护层，得到结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/ Tii.i2Br〇. 4803/C15H29Ga/TiL12Br〇. 4803/C15H29Ga/TiL12Br〇. 4803/C15H29Ga/TiL12Br〇. 4803/C15H29Ga/ Ti12BrQ. 4803/C15H29Ga/Tih12BrQ. 48003/C15H29Ga的有机电致发光器件，其中 " / " 表示层叠。
[0081] 实施例2
[0082]结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/ H^rg4603/CigR37Ga/ZT1^Brg4603/C1gH37Ga/Zr1^Brg4603/C1gH37Ga/Zr1^Brg4603/C19H37Ga/Zri.MBr^CVC^H^a/ZiY14Bra4603/C19H37Ga的有机电致发光器件的封装
[0083] 1、提高铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，表示为Glass/ITO;将导电阳极基板依 次在超声波中进行丙酮清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分 钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、 干燥的导电阳极基板进行处理50分钟，待用；
[0084] 2、采用真空蒸镀在导电阳极基板上形成空穴注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速 率为0.1A/S，空穴注入层的材料包括三氧化钥（M〇03)和N，N' - (1-萘基）-N，N' -二苯 基-4,4'-联苯二胺（即8)，空穴注入层表示为此03:即8，其中^〇03占空穴注入层的质量百 分数为30%;空穴注入层的厚度为10纳米；
[0085] 3、采用真空蒸镀在空穴注入层上形成空穴传输层，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。空穴传输层的材料为4, 4'，4"-三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)，空穴传输层表 示为TCTA，空穴传输层的厚度为30纳米；
[0086] 4、采用真空蒸镀在空穴传输层上形成发光层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速率为 0.2A/S。发光层的材料包括1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)和三（2-苯 基批陡）合铱（Ir(ppy)3)，发光层表示为Ir(ppy)3:TPBI，其中，Ir(ppy)3占发光层的质量百 分数为5%，发光层的厚度为20纳米；
[0087] 5、采用真空蒸镀在发光层上形成电子传输层，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 0.1A/s。电子传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)，电子传输层表不为Bphen，电子传输层的厚度为10纳米；
[0088] 6、采用真空蒸镀在电子传输层上形成电子注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。电子注入层的材料包括叠氮化铯（CsN3)和4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)， 电子注入层的表示为CsN3:Bphen，其中，CsN3占电子注入层的质量百分数为30%，电子注入 层的厚度为20纳米；
[0089] 7、采用真空蒸镀在电子注入层上形成阴极，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 5A/S。阴极的材料为铝，阴极表示为A1，阴极的厚度为100纳米；
[0090]8、采用原子层沉积在阴极上形成无机阻挡层，原料为四（二溴甲基胺基）锆
[Zr(N(CH2Br) 2) 4]，工作压强为lOPa，将步骤7制备得到的样品加热至40°C并维持在40°C， 通入四（二溴甲基胺基）锆ls，再通入氮气10s，最后通入水蒸气40ms，四（二溴甲基胺基） 锆、氮气和水蒸气的流量均为2〇Sccm，无机阻挡层的厚度为19纳米，无机阻挡层的材料为 ，无机阻挡层表示为Zr^Br。.^，Br的掺杂质量分数为10%;
[0091] 9、采用磁控溅射在无机阻挡层上形成有机阻挡层，本底真空度IXl(T5Pa，加速电 压为800V，磁场为200G，功率密度为40W/cm2;有机阻挡层的厚度为250纳米，有机阻挡层的 材料为三（11- (3-甲基环庚基）i^一烷基）镓，有机阻挡层表示为C19H37Ga，三（11- (3-甲 基环庚基）十一烷基）镓的结构式如下：
[0092]
[0093] 有机阻挡层层叠于无机阻挡层上，形成层叠于阴极上的一个保护层；保护层表示 为ZiY^Br。. 4603/C19H37Ga;
[0094] 10、交替层叠制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤5次，在阴极上形成6个保 护层，得到结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/ H^rg4603/CigR 37Ga/ZT1 ^Brg4603/C1gH37Ga/Zr1 ^Brg4603/C1gH37Ga/Zr1 ^Brg4603/C19H37Ga/ Zri. 14BrQ. 4603/C19H37Ga/Zri. 14BrQ. 4603/C19H37Ga的有机电致发光器件，其中 " / " 表示层叠。
[0095] 实施例3
[0096]结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/ Hf1.15Bro.45O3/C7Hi3Ga/Hfi.i5Bro.45O3/C7Hi3Ga/Hfi.i5Bro.45O3/C7Hi3Ga/Hfi.i5Bro.45O3/C7Hi3Ga/ Hf\.Jr^A/C^Ga/Hfi. 15BrQ.4503/C7H13Ga的有机电致发光器件的封装
[0097] 1、提高铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，表示为Glass/ITO;将导电阳极基板依 次在超声波中进行丙酮清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分 钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、 干燥的导电阳极基板进行处理40分钟，待用；
[0098] 2、采用真空蒸镀在导电阳极基板上形成空穴注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发 速率为O.lA/s，空穴注入层的材料包括三氧化钥（M〇03)和N，N' - (1-萘基）-N，N' -二苯 基-4,4'-联苯二胺（即8)，空穴注入层表示为此03:即8，其中^〇03占空穴注入层的质量百 分数为30%;空穴注入层的厚度为10纳米；
[0099] 3、采用真空蒸镀在空穴注入层上形成空穴传输层，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。空穴传输层的材料为4, 4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)，空穴传输层表 示为TCTA，空穴传输层的厚度为30纳米；
[0100] 4、采用真空蒸镀在空穴传输层上形成发光层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速率为 0.2A/S。发光层的材料包括1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)和三（2-苯 基批陡）合铱（Ir(ppy)3)，发光层表示为Ir(ppy)3:TPBI，其中，Ir(ppy)3占发光层的质量百 分数为5%，发光层的厚度为20纳米；
[0101] 5、采用真空蒸镀在发光层上形成电子传输层，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 O.lA/s。电子传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)，电子传输层表不为Bphen，电子传输层的厚度为10纳米；
[0102] 6、采用真空蒸镀在电子传输层上形成电子注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。电子注入层的材料包括叠氮化铯（CsN3)和4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)， 电子注入层的表示为CsN3:Bphen，其中，CsN3占电子注入层的质量百分数为30%，电子注入 层的厚度为20纳米；
[0103] 7、采用真空蒸镀在电子注入层上形成阴极，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 5A/S。阴极的材料为铝，阴极表示为A1，阴极的厚度为100纳米；
[0104] 8、采用原子层沉积在阴极上形成无机阻挡层，原料为四（二溴甲基胺基）铪 [Hf(N(CH2Br)2)4]，工作压强为50Pa，将步骤7制备得到的样品加热至60°C并维持在60°C， 通入四（二溴甲基胺基）铪〇. 2s，再通入氮气5s，最后通入水蒸气20ms，四（二溴甲基胺基） 铪、氮气和水蒸气的流量均为lOsccm，无机阻挡层的厚度为15纳米，无机阻挡层的材料为 无机阻挡层表示为Br的掺杂质量分数为15% ;
[0105] 9、采用磁控溅射在无机阻挡层上形成有机阻挡层，本底真空度IXl(T4Pa，加速电 压为300V，磁场为50G，功率密度为lOW/cm2 ;有机阻挡层的厚度为200纳米，有机阻挡层的 材料为三（2-环戊基乙基)镓，有机阻挡层表示为C7H13Ga，三（2-环戊基乙基)镓的结构式如 下：
[0106]
[0107] 有机阻挡层层叠于无机阻挡层上，形成层叠于阴极上的一个保护层；保护层表示 为HfusBr。4503/C7H13Ga;
[0108] 10、交替层叠制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤5次，在阴极上形成6个保 护层，得到结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/ Hf1.15Bro.45O3/C7Hi3Ga/Hfi.i5Bro.45O3/C7Hi3Ga/Hfi.i5Bro.45O3/C7Hi3Ga/Hfi.i5Bro.45O3/C7Hi3Ga/ Hf\.Jr^A/C^Ga/Hfi. 15BrQ.4503/C7H13Ga的有机电致发光器件，其中"/"表示层叠。
[0109] 实施例4
[0110]结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/ Ti1.2〇Br〇. 38〇3/C1〇5H209Ga/TiL20Br0.3803/C105H209Ga/TiL20Br0.3803/C105H209Ga/TiL20Br0.3803/ C^^Ga/TUr。. 3803/C1Q5H2Q9Ga的有机电致发光器件的封装
[0111] 1、提高铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，表示为Glass/ITO;将导电阳极基板依 次在超声波中进行丙酮清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分 钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、 干燥的导电阳极基板进行处理30分钟，待用；
[0112] 2、采用真空蒸镀在导电阳极基板上形成空穴注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速 率为0.1A/S，空穴注入层的材料包括三氧化钥（M〇03)和N，N' - (1-萘基）-N，N' -二苯 基-4,4'-联苯二胺（即8)，空穴注入层表示为此03:即8，其中^〇03占空穴注入层的质量百 分数为30% ;空穴注入层的厚度为10纳米；
[0113] 3、采用真空蒸镀在空穴注入层上形成空穴传输层，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。空穴传输层的材料为4, 4'，4"-三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)，空穴传输层表 示为TCTA，空穴传输层的厚度为30纳米；
[0114] 4、采用真空蒸镀在空穴传输层上形成发光层，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 0.2A/S。发光层的材料包括1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)和三（2-苯 基批陡）合铱（Ir(ppy)3)，发光层表示为Ir(ppy)3:TPBI，其中，Ir(ppy)3占发光层的质量百 分数为5%，发光层的厚度为20纳米；
[0115] 5、采用真空蒸镀在发光层上形成电子传输层，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 0.1A/s。电子传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)，电子传输层表不为 Bphen，电子传输层的厚度为10纳米；
[0116] 6、采用真空蒸镀在电子传输层上形成电子注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速率 为0.1人/s。电子注入层的材料包括叠氮化铯（CsN3)和4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)， 电子注入层的表示为CsN3:Bphen，其中，CsN3占电子注入层的质量百分数为30%，电子注入 层的厚度为20纳米；
[0117] 7、采用真空蒸镀在电子注入层上形成阴极，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 5A/s。阴极的材料为错，阴极表不为A1，阴极的厚度为1〇〇纳米；
[0118] 8、采用原子层沉积在阴极上形成无机阻挡层，原料为四（二溴甲基胺基）钛 [Ti(N(CH2Br)2)4]，工作压强为20Pa，将步骤7制备得到的样品加热至45°C并维持在45°C， 通入四（二溴甲基胺基）钛〇. 3s，再通入氮气5s，最后通入水蒸气30ms，四（二溴甲基胺基） 钛、氮气和水蒸气的流量均为lOsccm，无机阻挡层的厚度为17纳米，无机阻挡层的材料为 TUruA，无机阻挡层表示为TDruA，Br的掺杂质量分数为11% ;
[0119] 9、采用磁控溅射在无机阻挡层上形成有机阻挡层，本底真空度IXl(T4Pa，加速电 压为600V，磁场为150G，功率密度为30W/cm2 ;有机阻挡层的厚度为250纳米，有机阻挡层的 材料为三（6- (2, 3,4, 5,6, 7,8,9,10,11，12,13,14,15-十四正己基)环十五烷基正己烷基） 镓，有机阻挡层表示为C91H167Ga，三（6- (2, 3,4, 5, 6, 7,8,9,10,11，12,13,14,15-十四正己 基）环十五烷基正己烷基）镓的结构式如下：
[0120]
[0121] 有机阻挡层层叠于无机阻挡层上，形成层叠于阴极上的一个保护层；保护层表示 为TDr。3803/C1(l5H2(l9Ga;
[0122] 10、交替层叠制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤4次，在阴极上形成5个 保护层，得到结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/ A1/TiL20Br0.380 3/C105H209Ga/TiL20Br0.380 3/C105H209Ga/TiL20Br0.380 3/C105H209Ga/TiL20Br0.380 3/ "gGa/TUr^A/CiJ^Ga的有机电致发光器件，其中"/"表
示层叠。
[0123] 实施例5
[0124]结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/ 22Br0.wOg/C^H^Ga/ZiY22Br0.wOg/C^H^Ga/ZiY22Br0.wOg/C^H^Ga/ZiY22Br0.3703/C25H49Ga/ 匕22BrQ. 3703/C25H49Ga的有机电致发光器件的封装
[0125] 1、提高铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，表示为Glass/ITO;将导电阳极基板依 次在超声波中进行丙酮清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分 钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、 干燥的导电阳极基板进行处理50分钟，待用；
[0126] 2、采用真空蒸镀在导电阳极基板上形成空穴注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发 速率为O.lA/s，空穴注入层的材料包括三氧化钥（M〇03)和N，N' - (1-萘基）-N，N' -二苯 基-4,4'-联苯二胺（即8)，空穴注入层表示为此03:即8，其中^〇03占空穴注入层的质量百 分数为30%;空穴注入层的厚度为10纳米；
[0127] 3、采用真空蒸镀在空穴注入层上形成空穴传输层，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。空穴传输层的材料为4, 4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)，空穴传输层表 示为TCTA，空穴传输层的厚度为30纳米；
[0128] 4、采用真空蒸镀在空穴传输层上形成发光层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速率为 0.2A/S。发光层的材料包括1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)和三（2-苯 基批陡）合铱（Ir(ppy)3)，发光层表示为Ir(ppy)3:TPBI，其中，Ir(ppy)3占发光层的质量百 分数为5%，发光层的厚度为20纳米；
[0129] 5、采用真空蒸镀在发光层上形成电子传输层，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 O.lA/s。电子传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)，电子传输层表不为 Bphen，电子传输层的厚度为10纳米；
[0130] 6、采用真空蒸镀在电子传输层上形成电子注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。电子注入层的材料包括叠氮化铯（CsN3)和4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)， 电子注入层的表示为CsN3:Bphen，其中，CsN3占电子注入层的质量百分数为30%，电子注入 层的厚度为20纳米；
[0131] 7、采用真空蒸镀在电子注入层上形成阴极，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 5A/s。阴极的材料为错，阴极表不为A1，阴极的厚度为1〇〇纳米；
[0132] 8、采用原子层沉积在阴极上形成无机阻挡层，原料为四（二溴甲基胺基）锆 [Zr(N(CH2Br) 2) 4]，工作压强为40Pa，将步骤7制备得到的样品加热至50°C并维持在50°C， 通入四（二溴甲基胺基)锆〇. 4s，再通入氮气10s，最后通入水蒸气25ms，四（二溴甲基胺基） 锆、氮气和水蒸气的流量均为15sCCm，无机阻挡层的厚度为15纳米，无机阻挡层的材料为 无机阻挡层表示为Zr^BruA，Br的掺杂质量分数为13%;
[0133]9、采用磁控溅射在无机阻挡层上形成有机阻挡层，本底真空度IXl(T5Pa，加速电 压为800V，磁场为200G，功率密度为40W/cm2;有机阻挡层的厚度为250纳米，有机阻挡层 的材料为三（5- (3,4, 5,6, 7,8-六乙基环辛基）正戊基）镓，有机阻挡层表示为C25H49Ga，三 (5- (3,4, 5,6, 7,8-六乙基环辛基）正戊基）镓的结构式如下：
[0134]
[0135] 有机阻挡层层叠于无机阻挡层上，形成层叠于阴极上的一个保护层；保护层表示 为 3703/C25H49Ga;
[0136] 10、交替层叠制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤5次，在阴极上形成6个保 护层，得到结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/ Zri.22Br0. ^C^/C^H^Ga/ZiY22Br0.MOg/C^H^Ga/ZiY22Br0.wOg/C^H^Ga/ZiY22Br0.3703/C25H49Ga/ ZiY22Bra3703/C25H49Ga的有机电致发光器件，其中" / "表示层叠。
[0137] 实施例6
[0138]结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/ HfL25Br0.3403/C13H25Ga/HfL25Br0.3403/C13H25Ga/HfL25Br0.3403/C13H25Ga/HfL25Br0.3403/CA 有机电致发光器件的封装
[0139] 1、提高铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，表示为Glass/ITO;将导电阳极基板依 次在超声波中进行丙酮清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分 钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、 干燥的导电阳极基板进行处理40分钟，待用；
[0140] 2、采用真空蒸镀在导电阳极基板上形成空穴注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速 率为0.1A/S,空穴注入层的材料包括三氧化钥（M〇03)和N，N' - (1-萘基）-N，N' -二苯 基-4, 4'-联苯二胺（NPB)，空穴注入层表示为M〇03:NPB，其中，M〇03占空穴注入层的质量百 分数为30% ;空穴注入层的厚度为10纳米；
[0141] 3、采用真空蒸镀在空穴注入层上形成空穴传输层，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。空穴传输层的材料为4, 4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)，空穴传输层表 示为TCTA，空穴传输层的厚度为30纳米；
[0142] 4、采用真空蒸镀在空穴传输层上形成发光层，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 0.2A/S。发光层的材料包括1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)和三（2-苯 基批陡）合铱（Ir(ppy)3)，发光层表示为Ir(ppy)3:TPBI，其中，Ir(ppy)3占发光层的质量百 分数为5%，发光层的厚度为20纳米；
[0143] 5、采用真空蒸镀在发光层上形成电子传输层，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 O.lA/s。电子传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)，电子传输层表不为 Bphen，电子传输层的厚度为10纳米；
[0144] 6、采用真空蒸镀在电子传输层上形成电子注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速率 为0.11/8。电子注入层的材料包括叠氮化铯（(^队)和4,7-二苯基-1，1〇-菲罗啉（8口11611)， 电子注入层的表示为CsN3:Bphen，其中，CsN3占电子注入层的质量百分数为30%，电子注入 层的厚度为20纳米；
[0145] 7、采用真空蒸镀在电子注入层上形成阴极，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 5A/S。阴极的材料为铝，阴极表示为A1，阴极的厚度为100纳米；
[0146] 8、采用原子层沉积在阴极上形成无机阻挡层，原料为四（二溴甲基胺基）铪 [Hf(N(CH2Br)2)4]，工作压强为35Pa，将步骤7制备得到的样品加热至55°C并维持在55°C， 通入四（二溴甲基胺基）铪〇. 6s，再通入氮气8s，最后通入水蒸气20ms，四（二溴甲基胺基） 铪、氮气和水蒸气的流量均为llsccm，无机阻挡层的厚度为15纳米，无机阻挡层的材料为 ，无机阻挡层表示为Br的掺杂质量分数为20% ;
[0147] 9、采用磁控溅射在无机阻挡层上形成有机阻挡层，本底真空度IXl(T3Pa，加速电 压为400V，磁场为100G，功率密度为20W/cm2;有机阻挡层的厚度为210纳米，有机阻挡层的 材料为三（5-环辛基正戊基）镓，有机阻挡层表示为C13H25Ga，三（5-环辛基正戊基）镓的结 构式如下：
[0148]
[0149] 有机阻挡层层叠于无机阻挡层上，形成层叠于阴极上的一个保护层；保护层表示 为HfVJr。3403/C13H25Ga;
[0150] 10、交替层叠制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤3次，在阴极上形成4个保 护层，得到结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/ HfL45Br〇. 3403/C13H25Ga/HfL45Br0.3403/C13H25Ga/HfL45Br0.3403/C13H25Ga/HfL45Br0.3403/CA 有机电致发光器件，其中"/"表示层叠。
[0151] 实施例7
[0152]结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/ Th. 26Bra3103/C21H37Ga的有机电致发光器件的封装
[0153] 1、提高铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，表示为Glass/ITO;将导电阳极基板依 次在超声波中进行丙酮清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分 钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、 干燥的导电阳极基板进行处理30分钟，待用；
[0154] 2、采用真空蒸镀在导电阳极基板上形成空穴注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发 速率为O.lA/s,空穴注入层的材料包括三氧化钥（M〇03)和N，N' - (1-萘基）-N，N' -二苯 基-4,4'-联苯二胺（即8)，空穴注入层表示为此03:即8，其中^〇03占空穴注入层的质量百 分数为30%;空穴注入层的厚度为10纳米；
[0155] 3、采用真空蒸镀在空穴注入层上形成空穴传输层，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。空穴传输层的材料为4, 4'，4"-三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)，空穴传输层表 示为TCTA，空穴传输层的厚度为30纳米；
[0156] 4、采用真空蒸镀在空穴传输层上形成发光层，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 0.2A/S。发光层的材料包括1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)和三（2-苯 基批陡）合铱（Ir(ppy)3)，发光层表示为Ir(ppy)3:TPBI，其中，Ir(ppy)3占发光层的质量百 分数为5%，发光层的厚度为20纳米；
[0157] 5、采用真空蒸镀在发光层上形成电子传输层，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 0.1A/s。电子传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)，电子传输层表不为 Bphen，电子传输层的厚度为10纳米；
[0158] 6、采用真空蒸镀在电子传输层上形成电子注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。电子注入层的材料包括叠氮化铯（CsN3)和4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)， 电子注入层的表示为CsN3:Bphen，其中，CsN3占电子注入层的质量百分数为30%，电子注入 层的厚度为20纳米；
[0159] 7、采用真空蒸镀在电子注入层上形成阴极，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 5A/S。阴极的材料为铝，阴极表示为A1，阴极的厚度为100纳米；
[0160] 8、采用原子层沉积在阴极上形成无机阻挡层，原料为四（二溴甲基胺基）钛 [Ti(N(CH2Br)2)4]，工作压强为40Pa，将步骤7制备得到的样品加热至50°C并维持在50°C， 通入四（二溴甲基胺基）钛〇. 5s，再通入氮气7s，最后通入水蒸气30ms，四（二溴甲基胺基） 钛、氮气和水蒸气的流量均为2〇SCCm，无机阻挡层的厚度为20纳米，无机阻挡层的材料为 ，无机阻挡层表示为Br的掺杂质量分数为17% ;
[0161] 9、采用磁控溅射在无机阻挡层上形成有机阻挡层，本底真空度IXl(T5Pa，加速电 压为400V，磁场为100G，功率密度为20W/cm2 ;有机阻挡层的厚度为300纳米，有机阻挡层的 材料为三（2_(6_环己基环十二烷基）乙基）镓，有机阻挡层表示为C21H37Ga，三（2-(6_环 己基环十二烷基）乙基）镓的结构式如下：
[0162]
[0163] 有机阻挡层层叠于无机阻挡层上，形成层叠于阴极上的一个保护层；保护层表示 为TiufcmCVC^HMGa;得到结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/ CsN^Bphen/Al/TiuBr^AA^HwGa的有机电致发光器件，其中"/"表示层叠。
[0164] 实施例8
[0165]结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/ Ti1.i7BrQ. 4303/C15H29B/TiL17BrQ. 4303/C15H29B/TiL17BrQ. 4303/C15H29B/TiL17BrQ. 4303/C15H29B/ 的有机电致发光器件的封装
[0166] 1、提高铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，表示为Glass/ITO;将导电阳极基板依 次在超声波中进行丙酮清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分 钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、 干燥的导电阳极基板进行处理30分钟，待用；
[0167] 2、采用真空蒸镀在导电阳极基板上形成空穴注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发 速率为0.1A/S，空穴注入层的材料包括三氧化钥（M〇03)和N，N' - (1-萘基）-N，N' -二苯 基-4,4'-联苯二胺（即8)，空穴注入层表示为此03:即8，其中^〇03占空穴注入层的质量百 分数为30% ;空穴注入层的厚度为10纳米；
[0168] 3、采用真空蒸镀在空穴注入层上形成空穴传输层，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速率 为O.lA/s。空穴传输层的材料为4, 4'，4"-三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)，空穴传输层表 示为TCTA，空穴传输层的厚度为30纳米；
[0169] 4、采用真空蒸镀在空穴传输层上形成发光层，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 0.2A/S。发光层的材料包括1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)和三（2-苯 基批陡）合铱（Ir(ppy)3)，发光层表示为Ir(ppy)3:TPBI，其中，Ir(ppy)3占发光层的质量百 分数为5%，发光层的厚度为20纳米；
[0170] 5、采用真空蒸镀在发光层上形成电子传输层，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 0.1A/s。电子传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)，电子传输层表不为 Bphen，电子传输层的厚度为10纳米；
[0171] 6、采用真空蒸镀在电子传输层上形成电子注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。电子注入层的材料包括叠氮化铯（CsN3)和4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)， 电子注入层的表示为CsN3:Bphen，其中，CsN3占电子注入层的质量百分数为30%，电子注入 层的厚度为20纳米；
[0172] 7、采用真空蒸镀在电子注入层上形成阴极，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 5A/s。阴极的材料为错，阴极表不为A1，阴极的厚度为100纳米；
[0173] 8、采用原子层沉积在阴极上形成无机阻挡层，原料为四（二溴甲基胺基）钛 [Ti(N(CH2Br)2)4]，工作压强为40Pa，将步骤7制备得到的样品加热至50°C并维持在50°C， 通入四（二溴甲基胺基）钛〇. 5s，再通入氮气7s，最后通入水蒸气30ms，四（二溴甲基胺基） 钛、氮气和水蒸气的流量均为2〇SCCm，无机阻挡层的厚度为20纳米，无机阻挡层的材料为 ，无机阻挡层表示为Br的掺杂质量分数为19%;
[0174] 9、采用磁控溅射在无机阻挡层上形成有机阻挡层，本底真空度IXl(T5Pa，加速电 压为500V，磁场为100G，功率密度为30W/cm2;有机阻挡层的厚度为300纳米，有机阻挡层的 材料为三（3-环十二烷基丙基)硼，有机阻挡层表示为C15H29B，三（3-环十二烷基丙基)硼的 结构式如下：
[0175]
[0176] 有机阻挡层层叠于无机阻挡层上，形成层叠于阴极上的一个保护层；保护层表示 为 ;
[0177] 10、交替层叠制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤5次，在阴极上形成6个 保护层，得到结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/ A1
/TiL17Br〇. 4303/C15H29B/TiL17Br〇. 4303/C15H29B/TiL17Br〇. 4303/C15H29B/TiL17Br〇. 4303/C15H29B/ Ti17Bra4303/C15H29B/Ti17Bra4303/C15H29B的有机电致发光器件，其中 "/" 表示层叠。
[0178] 实施例9
[0179]结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/ Zi-!isBr0 42〇3/Ci9H37B/Zrl18Br0 42〇3/C1gH37B/Zr1 18Br0 42〇3/C1gH37B/Zr1 18Br0 42〇3/C19H37B/ ZiY18BrQ. 4203/C19H37B/Zri. 18BrQ. 4203/C19H37B的有机电致发光器件的封装
[0180] 1、提高铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，表示为Glass/ITO;将导电阳极基板依 次在超声波中进行丙酮清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分 钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、 干燥的导电阳极基板进行处理50分钟，待用；
[0181] 2、采用真空蒸镀在导电阳极基板上形成空穴注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发 速率为O.lA/s，空穴注入层的材料包括三氧化钥（M〇03)和N，N' - (1-萘基）-N，N' -二苯 基-4,4'-联苯二胺（即8)，空穴注入层表示为此03:即8，其中^〇03占空穴注入层的质量百 分数为30% ;空穴注入层的厚度为10纳米；
[0182] 3、采用真空蒸镀在空穴注入层上形成空穴传输层，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。空穴传输层的材料为4, 4'，4"-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)，空穴传输层表 示为TCTA，空穴传输层的厚度为30纳米；
[0183] 4、采用真空蒸镀在空穴传输层上形成发光层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速率为 0.2A/S。发光层的材料包括1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)和三（2-苯 基批陡）合铱（Ir(ppy)3)，发光层表示为Ir(ppy)3:TPBI，其中，Ir(ppy)3占发光层的质量百 分数为5%，发光层的厚度为20纳米；
[0184] 5、采用真空蒸镀在发光层上形成电子传输层，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 0.1A/s。电子传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)，电子传输层表不为 Bphen，电子传输层的厚度为10纳米；
[0185] 6、采用真空蒸镀在电子传输层上形成电子注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。电子注入层的材料包括叠氮化铯（CsN3)和4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)， 电子注入层的表示为CsN3:Bphen，其中，CsN3占电子注入层的质量百分数为30%，电子注入 层的厚度为20纳米；
[0186] 7、采用真空蒸镀在电子注入层上形成阴极，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 5A/s。阴极的材料为错，阴极表不为A1，阴极的厚度为100纳米；
[0187] 8、采用原子层沉积在阴极上形成无机阻挡层，原料为四（二溴甲基胺基）锆 [Zr(N(CH2Br) 2) 4]，工作压强为10Pa，将步骤7制备得到的样品加热至40°C并维持在40°C， 通入四（二溴甲基胺基）锆ls，再通入氮气10s，最后通入水蒸气40ms，四（二溴甲基胺基） 锆、氮气和水蒸气的流量均为2〇Sccm，无机阻挡层的厚度为19纳米，无机阻挡层的材料为 ，无机阻挡层表示为Zr^Br^OyBr的掺杂质量分数为20% ;
[0188] 9、采用磁控溅射在无机阻挡层上形成有机阻挡层，本底真空度IXl(T5Pa，加速电 压为300V，磁场为50G，功率密度为lOW/cm2 ;有机阻挡层的厚度为250纳米，有机阻挡层的 材料为三（11- (3-甲基环庚基)十一烷基)硼，有机阻挡层表示为C19H37B，三（11- (3-甲基 环庚基）十一烷基）硼的结构式如下：
[0189]
[0190] 有机阻挡层层叠于无机阻挡层上，形成层叠于阴极上的一个保护层；保护层表示 为Zr! 18Br。4203/C19H37B;
[0191] 10、交替层叠制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤5次，在阴极上形成6个 保护层，得到结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/ Al/ZrL18Br0.4203/C19H37B/ZrL18Br0.4203/C19H37B/ZrL18Br0.4203/C19H37B/ZrL18Br0.4203/C19H37B/ ZiY18BrQ. 4203/C19H37B/Zri. 18BrQ. 4203/C19H37B的有机电致发光器件，其中 " / " 表示层叠。
[0192] 实施例10
[0193]结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN 3:Bphen/ Al/Hf L 19Br〇. 3903/C7H13B/Hf L 19Br〇. 3903/C7H13B/Hf L 19Br〇. 39 0 3/C7H13B/Hf L 19Br〇. 3903/C7H13B/ HfVJruA/QHJ/HfV19BrQ.3903/C 7H13B的有机电致发光器件的封装
[0194] 1、提高铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，表示为Glass/ITO;将导电阳极基板依 次在超声波中进行丙酮清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分 钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、 干燥的导电阳极基板进行处理40分钟，待用；
[0195] 2、采用真空蒸镀在导电阳极基板上形成空穴注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发 速率为0.1A/S，空穴注入层的材料包括三氧化钥（M〇03)和N，N' - (1-萘基）-N，N' -二苯 基-4,4'-联苯二胺（即8)，空穴注入层表示为此03:即8，其中^〇03占空穴注入层的质量百 分数为30%;空穴注入层的厚度为10纳米；
[0196] 3、采用真空蒸镀在空穴注入层上形成空穴传输层，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速率 为0.1人/s。空穴传输层的材料为4, 4'，4"-三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)，空穴传输层表 示为TCTA，空穴传输层的厚度为30纳米；
[0197] 4、采用真空蒸镀在空穴传输层上形成发光层，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 0.2A/S。发光层的材料包括1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)和三（2-苯 基批陡）合铱（Ir(ppy)3)，发光层表示为Ir(ppy)3:TPBI，其中，Ir(ppy)3占发光层的质量百 分数为5%，发光层的厚度为20纳米；
[0198] 5、采用真空蒸镀在发光层上形成电子传输层，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 ().丨A/s。电子传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)，电子传输层表不为 Bphen，电子传输层的厚度为10纳米；
[0199] 6、采用真空蒸镀在电子传输层上形成电子注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。电子注入层的材料包括叠氮化铯（CsN3)和4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)， 电子注入层的表示为CsN3:Bphen，其中，CsN3占电子注入层的质量百分数为30%，电子注入 层的厚度为20纳米；
[0200] 7、采用真空蒸镀在电子注入层上形成阴极，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 5A/S。阴极的材料为错，阴极表不为A1，阴极的厚度为100纳米；
[0201] 8、采用原子层沉积在阴极上形成无机阻挡层，原料为四（二溴甲基胺基）铪 [Hf(N(CH2Br)2)4]，工作压强为50Pa，将步骤7制备得到的样品加热至60°C并维持在60°C， 通入四（二溴甲基胺基）铪〇. 2s，再通入氮气5s，最后通入水蒸气20ms，四（二溴甲基胺基） 铪、氮气和水蒸气的流量均为lOsccm，无机阻挡层的厚度为15纳米，无机阻挡层的材料为 HfwBruA，无机阻挡层表示为Br的掺杂质量分数为15% ;
[0202] 9、采用磁控溅射在无机阻挡层上形成有机阻挡层，本底真空度IXl(T4Pa，加速电 压为800V，磁场为200G，功率密度为40W/cm2 ;有机阻挡层的厚度为200纳米，有机阻挡层的 材料为三（2-环戊基乙基）硼，有机阻挡层表示为C7H13B，三（2-环戊基乙基）硼的结构式如 下：
[0203]
[0204] 有机阻挡层层叠于无机阻挡层上，形成层叠于阴极上的一个保护层；保护层表示 为HfV19Br。3903/C7H13B;
[0205] 10、交替层叠制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤5次，在阴极上形成6个 保护层，得到结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/HfL19Br0 3903/C7H13B/HfL19Br0 3903/C7H13B/HfL19Br0 39 0 3/C7H13B/HfL19Br0 3903/C7H13B/ HfV19BrQ3903/C7H13B的有机电致发光器件，其中"/"表示层叠。
[0206] 实施例11
[0207]结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/ Tii. 34BrQ. 2403/C1Q5H2Q9B/TiL34BrQ. 2403/C1Q5H2Q9B/TiL34BrQ. 2403/C1Q5H2Q9B/TiL34BrQ. 2403/C1Q5H209B/ 巧.34Bra2403/C1(l5H2(l9B的有机电致发光器件的封装
[0208] 1、提高铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，表示为Glass/ITO;将导电阳极基板依 次在超声波中进行丙酮清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分 钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、 干燥的导电阳极基板进行处理30分钟，待用；
[0209] 2、采用真空蒸镀在导电阳极基板上形成空穴注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发 速率为0.1A/S，空穴注入层的材料包括三氧化钥（M〇03)和N，N' - (1-萘基）_N，N' -二苯 基-4,4'-联苯二胺（即8)，空穴注入层表示为此03:即8，其中^〇03占空穴注入层的质量百 分数为30%;空穴注入层的厚度为10纳米；
[0210] 3、采用真空蒸镀在空穴注入层上形成空穴传输层，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。空穴传输层的材料为4, 4'，4"-三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)，空穴传输层表 示为TCTA，空穴传输层的厚度为30纳米；
[0211] 4、采用真空蒸镀在空穴传输层上形成发光层，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 0.2A/S。发光层的材料包括1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)和三（2-苯 基批陡）合铱（Ir(ppy)3)，发光层表示为Ir(ppy)3:TPBI，其中，Ir(ppy)3占发光层的质量百 分数为5%，发光层的厚度为20纳米；
[0212] 5、采用真空蒸镀在发光层上形成电子传输层，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 0.1人/s。电子传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)，电子传输层表不为 Bphen，电子传输层的厚度为10纳米；
[0213] 6、采用真空蒸镀在电子传输层上形成电子注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。电子注入层的材料包括叠氮化铯（CsN3)和4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)， 电子注入层的表示为CsN3:Bphen，其中，CsN3占电子注入层的质量百分数为30%，电子注入 层的厚度为20纳米；
[0214] 7、采用真空蒸镀在电子注入层上形成阴极，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 5A/S。阴极的材料为错，阴极表不为A1，阴极的厚度为100纳米；
[0215] 8、采用原子层沉积在阴极上形成无机阻挡层，原料为四（二溴甲基胺基）钛 [Ti(N(CH2Br)2)4]，工作压强为30Pa，将步骤7制备得到的样品加热至50°C并维持在50°C， 通入四（二溴甲基胺基）钛〇. 3s，再通入氮气5s，最后通入水蒸气10ms，四（二溴甲基胺基） 钛、氮气和水蒸气的流量均为lOsccm，无机阻挡层的厚度为17纳米，无机阻挡层的材料为 ，无机阻挡层表示为Br的掺杂质量分数为17% ;
[0216] 9、采用磁控溅射在无机阻挡层上形成有机阻挡层，本底真空度IXl(T4Pa，加速电 压为400V，磁场为100G，功率密度为20W/cm2 ;有机阻挡层的厚度为250纳米，有机阻挡层 的材料为三（6- (2, 3,4, 5,6, 7,8,9,10,11，12,13,14,15-十四正己基）环十五烷基正己烷 基）镓，有机阻挡层表示为C91H167B，三（6- (2, 3,4, 5,6, 7,8,9,10,11，12,13,14,15-十四正 己基）环十五烷基正己烷基）镓的结构式如下：
[0217]
[0218] 有机阻挡层层叠于无机阻挡层上，形成层叠十明极上的一个保护层；保护层表示
[0219] 10、交替层叠制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤4次，在阴极上形成5个保 护层，得到结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/ Tii. 34BrQ. 2403/C1Q5H2Q9B/TiL34BrQ. 2403/C1Q5H2Q9B/TiL34BrQ. 2403/C1Q5H2Q9B/TiL34BrQ. 2403/C1Q5H209B/ 的有机电致发光器件，其中"/"表示层叠。
[0220] 实施例12
[0221] 结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/ 35Br0. 35Br0. 35Br0. 35Br0.2303/C25H49B/ Ziy35Bra2303/C25H49B的有机电致发光器件的封装
[0222] 1、提高铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，表示为Glass/ITO;将导电阳极基板依 次在超声波中进行丙酮清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分 钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、 干燥的导电阳极基板进行处理50分钟，待用；
[0223] 2、采用真空蒸镀在导电阳极基板上形成空穴注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发 速率为O.lA/'S，空穴注入层的材料包括三氧化钥（M〇03)和N，N' - (1-萘基）_N，N' -二苯 基-4,4'-联苯二胺（即8)，空穴注入层表示为此03:即8，其中^〇03占空穴注入层的质量百 分数为30%;空穴注入层的厚度为10纳米；
[0224] 3、采用真空蒸镀在空穴注入层上形成空穴传输层，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。空穴传输层的材料为4, 4'，4"-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)，空穴传输层表 示为TCTA，空穴传输层的厚度为30纳米；
[0225] 4、采用真空蒸镀在空穴传输层上形成发光层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速率为 0.2A/S。发光层的材料包括1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)和三（2-苯 基批陡）合铱（Ir(ppy)3)，发光层表示为Ir(ppy)3:TPBI，其中，Ir(ppy)3占发光层的质量百 分数为5%，发光层的厚度为20纳米；
[0226] 5、采用真空蒸镀在发光层上形成电子传输层，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 0.丨A/s。电子传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)，电子传输层表不为 Bphen，电子传输层的厚度为10纳米；
[0227] 6、采用真空蒸镀在电子传输层上形成电子注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。电子注入层的材料包括叠氮化铯（CsN3)和4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)， 电子注入层的表示为CsN3:Bphen，其中，CsN3占电子注入层的质量百分数为30%，电子注入 层的厚度为20纳米；
[0228] 7、采用真空蒸镀在电子注入层上形成阴极，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 5A/s。阴极的材料为错，阴极表不为A1，阴极的厚度为100纳米；
[0229] 8、采用原子层沉积在阴极上形成无机阻挡层，原料为四（二溴甲基胺基）锆 [Zr(N(CH2Br) 2) 4]，工作压强为40Pa，将步骤7制备得到的样品加热至50°C并维持在50°C， 通入四（二溴甲基胺基)锆〇. 4s，再通入氮气10s，最后通入水蒸气25ms，四（二溴甲基胺基） 锆、氮气和水蒸气的流量均为15sCCm，无机阻挡层的厚度为20纳米，无机阻挡层的材料为 ，无机阻挡层表示为Zr^Br^CVBr的掺杂质量分数18%;
[0230] 9、采用磁控溅射在无机阻挡层上形成有机阻挡层，本底真空度IXl(T3Pa，加速电 压为400V，磁场为100G，功率密度为30W/cm2;有机阻挡层的厚度为220纳米，有机阻挡层 的材料为三（5- (3,4,5,6,7,8-六乙基环辛基）正戊基）硼，有机阻挡层表示为（：2511498，三 (5- (3,4,5,6,7,8-六乙基环辛基）正戊基）硼的结构式如下：
[0231]
[0232] 有机阻挡层层叠于无机阻挡层上，形成层叠于阴极上的一个保护层；保护层表示 为Zr! 35Br。2303/C25H49B;
[0233] 10、交替层叠制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤5次，在阴极上形成6个 保护层，得到结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/ Al/ZrL35Br〇. 2303/C25H49B/ZrL35Br〇. 2303/C25H49B/ZrL35Br〇. 2303/C25H49B/ZrL35Br〇. 2303/C25H49B/ ZiY35Bra2303/C25H49B的有机电致发光器件，其中" / "表示层叠。
[0234] 实施例13
[0235]结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/ HfL38Br〇. 2403/C13H25B/HfL38Br〇. 2403/C13H25B/HfL38Br〇. 2403/C13H25B/HfL38Br〇. 2403/C13& 电致发光器件的封装
[0236]1、提高铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，表示为Glass/ITO;将导电阳极基板依 次在超声波中进行丙酮清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分 钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、 干燥的导电阳极基板进行处理40分钟，待用；
[0237] 2、采用真空蒸镀在导电阳极基板上形成空穴注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发 速率为0.1A/S，空穴注入层的材料包括三氧化钥（M〇03)和N，N'- (1-萘基）_N，N'-二苯 基-4,4'-联苯二胺（即8)，空穴注入层表示为此03:即8，其中^〇0 3占空穴注入层的质量百 分数为30% ;空穴注入层的厚度为10纳米；
[0238] 3、采用真空蒸镀在空穴注入层上形成空穴传输层，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。空穴传输层的材料为4, 4'，4"-三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)，空穴传输层表 示为TCTA，空穴传输层的厚度为30纳米；
[0239] 4、采用真空蒸镀在空穴传输层上形成发光层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速率为 0.2A/S。发光层的材料包括1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)和三（2-苯 基批陡）合铱（Ir(ppy)3)，发光层表示为Ir(ppy)3:TPBI，其中，Ir(ppy)3占发光层的质量百 分数为5%，发光层的厚度为20纳米；
[0240] 5、采用真空蒸镀在发光层上形成电子传输层，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 O.lA/s。电子传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)，电子传输层表不为 Bphen，电子传输层的厚度为10纳米；
[0241] 6、采用真空蒸镀在电子传输层上形成电子注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。电子注入层的材料包括叠氮化铯（CsN3)和4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)， 电子注入层的表示为CsN3:Bphen，其中，CsN3占电子注入层的质量百分数为30%，电子注入 层的厚度为20纳米；
[0242] 7、采用真空蒸镀在电子注入层上形成阴极，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 5A/s。阴极的材料为错，阴极表不为A1，阴极的厚度为1〇〇纳米；
[0243] 8、采用原子层沉积在阴极上形成无机阻挡层，原料为四（二溴甲基胺基）铪 [Hf(N(CH2Br)2)4]，工作压强为40Pa，将步骤7制备得到的样品加热至60°C并维持在60°C， 通入四（二溴甲基胺基）铪〇. 6s，再通入氮气8s，最后通入水蒸气20ms，四（二溴甲基胺基） 铪、氮气和水蒸气的流量均为llsccm，无机阻挡层的厚度为15纳米，无机阻挡层的材料为 ，无机阻挡层表示为Br的掺杂质量分数为19% ;
[0244] 9、采用磁控溅射在无机阻挡层上形成有机阻挡层，本底真空度IXl(T3Pa，加速电 压为700V，磁场为150G，功率密度为20W/cm2 ;有机阻挡层的厚度为210纳米，有机阻挡层的 材料为三（5-环辛基正戊基)硼，有机阻挡层表示为C13H25B，三（5-环辛基正戊基)硼的结构 式如下：
[0245]
[0246] 有机阻挡层层叠于无机阻挡层上，形成层叠于阴极上的一个保护层；保护层表示 为Hf138Br〇.2403/C13H25B;
[0247] 10、交替层叠制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤3次，在阴极上形成4个保 护层，得到结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/ HfL38Br〇. 2403/C13H25B/HfL38Br〇. 2403/C13H25B/HfL38Br〇. 2403/C13H25B/IlfL38Br〇. 2403/CA^ 致发光器件，其中"/"表示层叠。
[0248] 实施例14
[0249]结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/ 的有机电致发光器件的封装
[0250] 1、提高铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，表示为Glass/ITO;将导电阳极基板依 次在超声波中进行丙酮清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分 钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、 干燥的导电阳极基板进行处理30分钟，待用；
[0251] 2、采用真空蒸镀在导电阳极基板上形成空穴注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发 速率为O.lA/s,空穴注入层的材料包括三氧化钥（M〇03)和N，N' - (1-萘基）-N，N' -二苯 基-4,4'-联苯二胺（即8)，空穴注入层表示为此03:即8，其中^〇03占空穴注入层的质量百 分数为30%;空穴注入层的厚度为10纳米；
[0252] 3、采用真空蒸镀在空穴注入层上形成空穴传输层，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。空穴传输层的材料为4, 4'，4"-三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)，空穴传输层表 示为TCTA，空穴传输层的厚度为30纳米；
[0253] 4、采用真空蒸镀在空穴传输层上形成发光层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速率为 0.2A/S。发光层的材料包括1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)和三（2-苯 基批陡）合铱（Ir(ppy)3)，发光层表示为Ir(ppy)3:TPBI，其中，Ir(ppy)3占发光层的质量百 分数为5%，发光层的厚度为20纳米；
[0254] 5、采用真空蒸镀在发光层上形成电子传输层，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 O.lA/s。电子传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)，电子传输层表不为 Bphen，电子传输层的厚度为10纳米；
[0255] 6、采用真空蒸镀在电子传输层上形成电子注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速率 为O.lA/s。电子注入层的材料包括叠氮化铯（CsN3)和4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)， 电子注入层的表示为CsN3:Bphen，其中，CsN3占电子注入层的质量百分数为30%，电子注入 层的厚度为20纳米；
[0256] 7、采用真空蒸镀在电子注入层上形成阴极，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 5A/S。阴极的材料为铝，阴极表示为A1，阴极的厚度为100纳米；
[0257] 8、采用原子层沉积在阴极上形成无机阻挡层，原料为四（二溴甲基胺基）钛 [Ti(N(CH2Br)2)4]，工作压强为40Pa，将步骤7制备得到的样品加热至50°C并维持在50°C， 通入四（二溴甲基胺基）钛〇. 5s，再通入氮气7s，最后通入水蒸气30ms，四（二溴甲基胺基） 钛、氮气和水蒸气的流量均为2〇SCCm，无机阻挡层的厚度为20纳米，无机阻挡层的材料为 Br的掺杂质量分数为14%;
[0258] 9、采用磁控溅射在无机阻挡层上形成有机阻挡层，本底真空度IXl(T5Pa，加速电 压为500V，磁场为100G，功率密度为30W/cm2;有机阻挡层的厚度为300纳米，有机阻挡层的 材料为三（2-(6_环己基环十二烷基）乙基）硼，有机阻挡层表示为C21H37B，三（2-(6_环己 基环十二烷基）乙基）硼的结构式如下：
[0259]
[0260] 有机阻挡层层叠于无机阻挡层上，形成层叠于阴极上的一个保护层；保护层表 示为TUrcuOs/C^HwB;得到结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/ CsN3:Bphen/Al/Tii. 41BrQ. 2Q03/C21H37B的有机电致发光器件，其中"/"表示层叠。
[0261] 实施例15
[0262]结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/ Tii.27Br〇. 3〇〇3/C15H29Be/TiL27Br〇. 3〇03/C15H29Be/TiL27Br〇. 3〇03/C15H29Be/TiL27Br〇. 3〇03/C15H29Be/ Ur^CV^HmBe/Tii.JruCV^HwBe的有机电致发光器件的封装
[0263] 1、提供铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，表示为Glass/ITO;将导电阳极基板依 次在超声波中进行丙酮清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分 钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、 干燥的导电阳极基板进行处理30分钟；
[0264] 2、在真空度为IXl(T5Pa的条件下，在导电阳极基板上真空蒸镀依次形成空穴注 入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。其中，空穴注入层的材料为 质量比为3 :7的M〇03和NPB的混合物，蒸发速率为〇.1A/S，厚度为l〇nm;空穴传输层的材 料为TCTA，蒸发速率为0.1A/S，厚度为30nm;发光层的材料为质量比为1 :19的Ir(ppy)3 和TPBI的混合物，蒸发速率为0.2A/S，厚度为20nm;电子传输层的材料为Bphen，蒸发速 率为0.1A/S,厚度为l〇nm;电子注入层的材料为质量比为3 :7的CsN3和Bphen的混合物， 蒸发速率为O.lA/s，厚度为20nm;阴极的材料为铝，蒸发速率为5A/S，厚度为lOOnm;空穴 注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层依次层叠表不为m〇o3:npb/tcta/ Ir(ppy) 3：TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al；
[0265] 3、以Ti(N(CH2Br)2)4为原料，工作压强为40Pa、工作温度为50°C的条件下，通入 Ti(N(CH2fc)2)40. 5s，再通入氮气7s，最后通入水蒸气30ms，Ti(N(CH2fc)2)4、氮气和水蒸 气的流量均为2〇SCCm，从而在阴极上原子层沉积形成无机阻挡层。无机阻挡层的材料为 ，无机阻挡层表示为Br的掺杂质量分数为12%。
[0266] 在本底真空度1Xl(T5Pa，加速电压为600V，磁场为150G，功率密度为20W/cm2的条 件下，在无机阻挡层上磁控溅射形成有机阻挡层。有机阻挡层的材料为二（3-环十二烷基 丙基）铍，有机阻挡层表示为C15H29Be，有机阻挡层的厚度为300nm。
[0267] 无机阻挡层和有机阻挡层形成一个保护层。二（3-环十二烷基丙基）铍的结构式 如下：
[0268]
[0269] 重复制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤5次，在阴极上形成6个保护层，封装得 到有机电致发光器件。
[0270] 实施例16
[0271] 1、提供铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，将导电阳极基板依次在超声波中进行丙 酮清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分钟，然后用氮气吹干， 烘箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、干燥的导电阳极基板 进行处理30分钟。
[0272] 2、在真空度为IXl(T5Pa的条件下，在导电阳极基板上真空蒸镀依次形成空穴注 入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。其中，空穴注入层的材料为质 量比为3 :7的M〇03和NPB的混合物，蒸发速率为〇.1A/S,厚度为l〇nm;空穴传输层的材料 为TCTA，蒸发速率为O.lA/s,厚度为30nm;发光层的材料为质量比为1 :19的11~化?7)3和 TPBI的混合物，蒸发速率为0.2A/S，厚度为20nm;电子传输层的材料为Bphen，蒸发速率为 O.lA/s,厚度为l〇nm;电子注入层的材料为质量比为3 :7的CsN3和Bphen的混合物，蒸发 速率为0.1A/S，厚度为20nm;阴极的材料为铝，蒸发速率为5A/S，厚度为l〇〇nm。
[0273] 3、以Zr(N(CH2Br)2)4为原料，工作压强为10Pa、工作温度为40°C的条件下，通 入Zr(N(CH2Br)2)4ls，再通入氮气10s，最后通入水蒸气40ms，Zr(N(CH2Br)2)4、氮气和水蒸 气的流量均为2〇SCCm，从而在阴极上原子层沉积形成无机阻挡层。无机阻挡层的材料为 Br的掺杂质量分数为11%，厚度为19nm。
[0274] 在本底真空度IXl(T5Pa，加速电压为300V，磁场为50G，功率密度为lOW/cm2的条 件下，在无机阻挡层上磁控溅射形成有机阻挡层。有机阻挡层的材料为二（11- (3-甲基环 庚基）i^一烷基）铍，厚度为250nm。
[0275] 无机阻挡层和有机阻挡层形成一个保护层。二（11- (3-甲基环庚基）十一烷基） 铍的结构式如下：
[0276]
[0277] 重复制备无机阻挡层和另机阻扫;云的少#衆认，仕明攸上形成6个保护层，得到有 机电致发光器件。
[0278] 实施例17
[0279] 1、提供铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，将导电阳极基板依次在超声波中进行丙 酮清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分钟，然后用氮气吹干， 烘箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、干燥的导电阳极基板 进行处理30分钟。
[0280] 2、在真空度为IXl(T5Pa的条件下，在导电阳极基板上真空蒸镀依次形成空穴注 入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。其中，空穴注入层的材料为质 量比为3 :7的M〇03和NPB的混合物，蒸发速率为0.1A/S，厚度为l〇nm;空穴传输层的材料 为TCTA，蒸发速率为0.1A/S，厚度为30nm;发光层的材料为质量比为1 :19的11~化口7)3和TPBI的混合物，蒸发速率为0.2A/S，厚度为20nm;电子传输层的材料为Bphen，蒸发速率为 ().1A/S,厚度为lOnm;电子注入层的材料为质量比为3 :7的CsN3和Bphen的混合物，蒸发 速率为0.1人/S，厚度为20nm;阴极的材料为铝，蒸发速率为5A/S，厚度为lOOnm。
[0281] 3、以Hf(N(CH2fc)2)4为原料，工作压强为50Pa、工作温度为60°C的条件下，通入 Hf(N(CH2Br)2)40. 2s，再通入氮气5s，最后通入7jC蒸气20ms，Hf(N(CH2Br)2)4、氮气和水蒸 气的流量均为lOsccm，从而在阴极上原子层沉积形成无机阻挡层。无机阻挡层的材料为 Br的掺杂质量分数为15%，厚度为18nm。
[0282] 4、在本底真空度1X10_4Pa，加速电压为800V，磁场为200G，功率密度为40W/cm2的 条件下，在无机阻挡层上磁控溅射形成有机阻挡层。有机阻挡层的材料为二（2-环戊基乙 基）铍，厚度为200nm。<
br>[0283] 无机阻挡层和有机阻挡层形成一个保护层。二（2-环戊基乙基)铍的结构式如下：
[0284]
[0285] 重复制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤5次，在阴极上形成6个保护层，得到有 机电致发光器件。
[0286] 实施例18
[0287] 1、提供铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，将导电阳极基板依次在超声波中进行丙 酮清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分钟，然后用氮气吹干， 烘箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、干燥的导电阳极基板 进行处理30分钟。
[0288] 2、在真空度为IXl(T5Pa的条件下，在导电阳极基板上真空蒸镀依次形成空穴注 入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。其中，空穴注入层的材料为质 量比为3 :7的M〇03和NPB的混合物，蒸发速率为O.lA/s，厚度为l〇nm;空穴传输层的材料 为TCTA，蒸发速率为O.lA/s，厚度为30nm;发光层的材料为质量比为1 :19的11~化口7)3和TPBI的混合物，蒸发速率为0.2A/S，厚度为20nm;电子传输层的材料为Bphen，蒸发速率为 O.lA/s，厚度为l〇nm;电子注入层的材料为质量比为3 :7的CsN3和Bphen的混合物，蒸发 速率为0.1A/S,厚度为2〇nm;阴极的材料为铝，蒸发速率为5A/S,厚度为l〇〇nm。
[0289] 3、以Ti(N(CH2Br)2)4为原料，工作压强为20Pa、工作温度为45°C的条件下，通入 Ti(N(CH2fc)2)40. 3s，再通入氮气5s，最后通入水蒸气30ms，Ti(N(CH2fc)2)4、氮气和水蒸 气的流量均为lOsccm，从而在阴极上原子层沉积形成无机阻挡层。无机阻挡层的材料为 ，Br的掺杂质量分数16%，厚度为17nm。
[0290] 4、在本底真空度1X10_4Pa，加速电压为400V，磁场为100G，功率密度为30W/cm2的 条件下，在无机阻挡层上磁控溅射形成有机阻挡层。有机阻挡层的材料为二（6-(2, 3,4, 5， 6,7,8,9,10,11，12,13,14,15-十四正己基）环十五烷基正己烷基）铍，厚度为250nm。
[0291] 无机阻挡层和有机阻挡层形成一个保护层。二（6-(2, 3,4, 5,6, 7,8,9,10,11，12， 13,14,15-十四正己基）环十五烷基正己烷基）铍的结构式如下：
[0292]
[0293] 重复制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤4次，在阴极上形成5个保护层，得到有 机电致发光器件。
[0294] 实施例19
[0295] 1、提供铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，将导电阳极基板依次在超声波中进行丙 酮清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分钟，然后用氮气吹干， 烘箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、干燥的导电阳极基板 进行处理30分钟。
[0296] 2、在真空度为IX l(T5Pa的条件下，在导电阳极基板上真空蒸镀依次形成空穴注 入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。其中，空穴注入层的材料为质 量比为3:7的M〇03和NPB的混合物，蒸发速率为0.1A/S,厚度为l〇nm ;空穴传输层的材料 为TCTA，蒸发速率为O.lA/s，厚度为30nm;发光层的材料为质量比为1 :19的11~化?7)3和 TPBI的混合物，蒸发速率为0.2A/S,厚度为20nm;电子传输层的材料为Bphen，蒸发速率为 0.1A/S，厚度为l〇nm;电子注入层的材料为质量比为3:7的CsN3和Bphen的混合物，蒸发 速率为0.1A/S,厚度为20nm;阴极的材料为错，蒸发速率为5A/S,厚度为l〇〇nm。
[0297] 3、以Zr(N(CH2fc)2)4为原料，工作压强为40Pa、工作温度为50°C的条件下，通入 Zr(N(CH2Br)2)40. 4s，再通入氮气10s，最后通入水蒸气25ms，Zr(N(CH2Br)2)4、氮气和水蒸 气的流量均为15Sccm，从而在阴极上原子层沉积形成无机阻挡层。无机阻挡层的材料为 Br的掺杂质量分数为18%，厚度为15nm。
[0298] 4、在本底真空度1Xl(T4Pa，加速电压为400V，磁场为150G，功率密度为30W/cm2的 条件下，在无机阻挡层上磁控溅射形成有机阻挡层。有机阻挡层的材料为二（5-(3,4,5,6， 7,8-六乙基环辛基）正戊基）铍，厚度为220nm。
[0299] 无机阻挡层和有机阻挡层形成一个保护层。二（5_(3,4, 5,6, 7,8-六乙基环辛基） 正戊基）铍的结构式如下：
[0300]
[0301] 重复制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤4次，在阴极上形成5个保护层，得到有 机电致发光器件。
[0302] 实施例20
[0303] 1、提供铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，将导电阳极基板依次在超声波中进行丙 酮清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分钟，然后用氮气吹干， 烘箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、干燥的导电阳极基板 进行处理30分钟。
[0304] 2、在真空度为IXl(T5Pa的条件下，在导电阳极基板上真空蒸镀依次形成空穴注 入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。其中，空穴注入层的材料为质 量比为3:7的MoOjPNPB的混合物，蒸发速率为0.1A/S,厚度为l〇nm;空穴传输层的材料 为TCTA，蒸发速率为0.1A/S，厚度为30nm;发光层的材料为质量比为1 :19的11~化?7)3和 TPBI的混合物，蒸发速率为0.2A/S,厚度为20nm;电子传输层的材料为Bphen，蒸发速率为 0.1A/S,厚度为l〇nm;电子注入层的材料为质量比为3 :7的&队和Bphen的混合物，蒸发 速率为0.1A/S,厚度为20nm;阴极的材料为铝，蒸发速率为5A/S，厚度为l〇〇nm。
[0305] 3、以Hf(N(CH2Br)2)4为原料，工作压强为40Pa、工作温度为60°C的条件下，通入 Hf(N(CH2Br)2)40.6s，再通入氮气8s，最后通入水蒸气20ms，Hf(N(CH2Br)2)4、氮气和水蒸 气的流量均为llsccm，从而在阴极上原子层沉积形成无机阻挡层。无机阻挡层的材料为 Br的掺杂质量分数为20%，厚度为15nm。
[0306] 4、在本底真空度IX10_3Pa，加速电压为500V，磁场为100G，功率密度为40W/cm2的 条件下，在无机阻挡层上磁控溅射形成有机阻挡层。有机阻挡层的材料为二（5-环辛基正 戊基）铍，厚度为210nm。
[0307] 无机阻挡层和有机阻挡层形成一个保护层。二（5-环辛基正戊基）铍的结构式如 下：
[0308]
[0309] 重复制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤3次，在阴极上形成4个保护层，得到有 机电致发光器件。
[0310] 对比例1
[0311]结构为Glass/ITO/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al的有机 电致发光器件的封装
[0312] 1、提高铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，表示为Glass/ITO;将导电阳极基板依 次在超声波中进行丙酮清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分 钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、 干燥的导电阳极基板进行处理30分钟，待用；
[0313] 2、采用真空蒸镀在导电阳极基板上形成空穴注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速 率为0.1A/S,空穴注入层的材料包括三氧化钥（M〇03)和N，N' - (1-萘基）-N，N' -二苯 基-4,4'-联苯二胺（即8)，空穴注入层表示为此03:即8，其中^〇03占空穴注入层的质量百 分数为30% ;空穴注入层的厚度为10纳米；
[0314] 3、采用真空蒸镀在空穴注入层上形成空穴传输层，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。空穴传输层的材料为4, 4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)，空穴传输层表 示为TCTA，空穴传输层的厚度为30纳米；
[0315] 4、采用真空蒸镀在空穴传输层上形成发光层，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 0.2A/S。发光层的材料包括1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)和三（2-苯 基批陡）合铱（Ir(ppy)3)，发光层表示为Ir(ppy)3:TPBI，其中，Ir(ppy)3占发光层的质量百 分数为5%，发光层的厚度为20纳米；
[0316] 5、采用真空蒸镀在发光层上形成电子传输层，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 0.1A/s。电子传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)，电子传输层表不为 Bphen，电子传输层的厚度为10纳米；
[0317] 6、采用真空蒸镀在电子传输层上形成电子注入层，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速率 为0.1A/S。电子注入层的材料包括叠氮化铯（CsN3)和4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)， 电子注入层的表示为CsN3:Bphen，其中，CsN3占电子注入层的质量百分数为30%，电子注入 层的厚度为20纳米；
[0318] 7、采用真空蒸镀在电子注入层上形成阴极，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速率为 5A/S。阴极的材料为铝，阴极表示为A1，阴极的厚度为100纳米，得到结构为Glass/ITO/ M〇03:NPB/TCTA/Ir(ppy) 3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al的有机电致发光器件。
[0319] 上述实施例1~20及对比例1的原料采购自阿拉丁试剂(上海）有限公司。采用 Ca膜电学测试方法测试实施例1~20的有机电致发光器件的水氧渗透率，具体方法为：
[0320] 在玻璃基板上沉积钙膜，然后在钙膜上制备本实施例的器件，通过玻璃基板和器 件将钙膜密封，然后通过测试Ca膜的电学参数来计算出水氧渗透率(WVTR，g/m2 ?day)，公 式为
[0321] 其中，S为Ca的密度，M是摩尔质量，Ri和hi测试前Ca的电阻和厚度初始值，t 为测试时间，R和h分别是测试结束时Ca的电阻和厚度；R和Ri采用吉时利2400测试，h 和hi采用台阶仪测试。
[0322] 通过数字源表2400和亮度计CS-100A测试本发明有机电致发光器件亮度衰减到 初始亮度(初始亮度为l〇〇〇cd/m2) 70%所用的时间，得到有机电致发光器件的寿命值。
[0323] 表1实施例1~实施例20及对比例1的有机电致发光器件的寿命及水汽渗透率
[0324]
[0325]
[0326] 表1为实施例1~实施例20及对比例1的有机电致发光器件的寿命及水汽渗透 率。由表1可看出，实施例1~实施例20的有机电致发光器件的寿命均远高于对比例1的 有机电致发光器件的寿命，且实施例1~实施例20的有机电致发光器件的水汽渗透率均远 低于对比例1的有机电致发光器件的水汽渗透率，说明保护层的致密性较好，设置了保护 层能够较好地隔绝水氧，有利于提高有机电致发光器件的使用寿命。
[0327] 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并 不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员 来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保 护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1. 一种有机电致发光器件，包括导电阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子 传输层、电子注入层和阴极，其特征在于，还包括层叠于所述阴极上的保护层，所述保护层 包括层叠于所述阴极上的无机阻挡层和层叠于所述无机阻挡层上的有机阻挡层，所述无机 阻挡层的材料选自Ti xBry03、ZrxBry0 3及HfxBryO3中的一种，且各物质中，I < X < I. 5,0 < y < 0. 5, Br为掺杂元素，Br的掺杂质量分数为10%~25%，所述有机阻挡层的材料为环链烷， 所述环链烷的化学结构式为：其中，A为Ga、B或Be，R1选自氢原子、碳原子数为3~6的环烷基及碳原子数1~6 的烷基中的一种，E为1~10的整数，m为5~15的整数，η为1~14的整数。2. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述保护层为4~6个，所 述4~6个保护层层叠于所述阴极上，使4~6个无机阻挡层和4~6个有机阻挡层交替 层叠于所述阴极上。3. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述无机阻挡层的厚度为 15纳米~20纳米。4. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层的厚度为 200纳米~300纳米。5. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述导电阳极基板为氧 化铟锡导电玻璃，所述空穴注入层的材料包括三氧化钥和Ν，Ν' - (1-萘基）-Ν，Ν' -二苯 基-4, 4'-联苯二胺，所述空穴传输层的材料为4, 4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺，所述发 光层的材料包括1，3,5_三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯和三（2-苯基吡啶)合铱，所 述电子传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉，所述电子注入层的材料包括叠氮化铯 和4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉，所述阴极的材料为铝。6. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为 10纳米，所述空穴传输层的厚度为30纳米，所述发光层的厚度为20纳米，所述电子传输层 的厚度为10纳米，所述电子注入层的厚度为20纳米，所述阴极的厚度为100纳米。7. -种有机电致发光器件的封装方法，其特征在于，包括如下步骤； 提供导电阳极基板，采用真空蒸镀依次在所述导电阳极基板上形成空穴注入层、空穴 传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极； 采用原子层沉积在所述阴极上形成无机阻挡层，所述无机阻挡层的材料选自TixBry03、 ZrxBryO3及HfxBryO 3中的一种，且各物质中，I < X < L 5,0 < y <0· 5, 为掺杂元素，Br 的掺杂质量分数为10%~25% ; 采用磁控溅射在所述无机阻挡层上形成有机阻挡层，形成层叠于所述阴极上的保护 层，得到所述有机电致发光器；其中，所述有机阻挡层的材料为环链烷，所述环链烷的化学 结构式如下：其中，A为Ga、B或Be，R1选自氢原子、碳原子数为3~6的环烷基及碳原子数1~6 的烷基中的一种，E为1~10的整数，m为5~15的整数，η为1~14的整数。8. 根据权利要求7所述的有机电致发光器件的封装方法，其特征在于，所述采用原子 层沉积在所述阴极层上形成无机阻挡层的步骤中，采用胺基物作为原料，所述胺基物为四 (二溴甲基胺基）钛、四（二溴甲基胺基）锆或四（二溴甲基胺基）铪。9. 根据权利要求8所述的有机电致发光器件的封装方法，其特征在于，所述原子层沉 积的工作压强为IOPa~50Pa，温度为40°C~60°C;所述原子层沉积的操作具体为：依次通 入所述胺基物、氮气和水蒸气，所述胺基、氮气和水蒸气的流量均为IOsccm~20sccm，所述 胺基物的通入时间为〇. 2s~Is,所述氮气的通入时间为5s~10s，所述水蒸气的通入时间 为 20ms ~40ms。10. 根据权利要求7所述的有机电致发光器件的封装方法，其特征在于，所述采用磁控 溅射在所述无机阻挡层上形成有机阻挡层的步骤中，本底的真空度为IX KT5~IX KT3Pa, 加速电压为300V~800V，磁场为50G~200G，功率密度为10W/cm2~40W/cm 2。
【专利摘要】本发明涉及一种有机电致发光器件及其封装方法。该有机电致发光器件包括导电阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，还包括层叠于阴极上的保护层，保护层包括层叠于阴极上的无机阻挡层和层叠于无机阻挡层上的有机阻挡层，无机阻挡层的材料选自TixBryO3、ZrxBryO3及HfxBryO3中的一种，有机阻挡层的材料为环链烷，环链烷的化学结构式如下所示，其中，A为Ga、B或Be，R1选自氢原子、碳原子数为3～6的环烷基及碳原子数1～6的烷基中的一种，E为1～10的整数，m为5～15的整数，n为1～14的整数。该有机电致发光器件的防水氧性能较好：
【IPC分类】H01L51/56, H01L51/54, H01L51/52
【公开号】CN104882561
【申请号】CN201410073297
【发明人】周明杰, 钟铁涛, 王平, 陈吉星
【申请人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2014年2月28日
