有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及电致发光器件领域，特别是涉及有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件（0LED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典 型结构是在IT0玻璃上制作一层几十nm厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有一层低 功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光福射。
[0003] 0LED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被业内 人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一 项崭新的照明和显示技术，0LED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由 于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了0LED的产业化进程，使得 0LED产业的成长速度惊人，目前已经到达了大规模量产的前夜。
[0004] 由于防水氧性能较差，使得目前的有机电致发光器件普遍存在寿命短的问题。因 此制备的好坏直接影响器件的寿命。
【发明内容】
[0005] 基于此，有必要提供一种防水氧性能较好的有机电致发光器件及其制备方法。
[0006] -种有机电致发光器件，包括导电阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电 子传输层、电子注入层和阴极；
[0007] 还包括保护层，所述保护层包括设置在所述阴极上的无机阻挡层和设置在所述无 机阻挡层上的有机阻挡层；
[0008]所述无机阻挡层的材料为BxBry02、AlxBry02、GaxBry02、InxBry02 或TlxBry02 ;0? 7<X < 1，0 <y< 0. 6,且各物质中，Br为掺杂元素，在各物质的晶格中，Br原子分别取代B原 子、A1原子、Ga原子、In原子或T1原子，Br掺杂质量分数为11~30wt% ;
[0009] 所述有机阻挡层的材料为硼的直链烷或镓的直链烷；
[0010] 所述硼的直链烷的化学结构式》
所述镓的直链烷 的化学结构式
其中，k和m均为1~4的整数。
[0011] 在一个实施例中，所述保护层为4~6个，所述4~6个保护层设置在所述阴极上， 使所述无机阻挡层和所述有机阻挡层交替设置在所述阴极上。
[0012] 在一个实施例中，所述无机阻挡层的厚度为15nm~20nm。
[0013] 在一个实施例中，所述有机阻挡层的厚度为200nm~300nm。
[0014] 在一个实施例中，所述导电阳极基板为氧化铟锡导电玻璃，所述空穴注入层的材 料为质量比为3 :7的三氧化钥和N，N' - (1-萘基）-N，N' -二苯基-4, 4' -联苯二胺的混 合物，所述空穴传输层的材料为4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺，所述发光层的材料为质 量比为1 :19的1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯和三（2-苯基吡啶)合铱的混 合物，所述电子传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉，所述电子注入层的材料为质量 比为3 :7的叠氮化铯和4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉的混合物，所述阴极的材料为铝。
[0015] 在一个实施例中，所述空穴注入层的厚度为l〇nm，所述空穴传输层的厚度为 30nm，所述发光层的厚度为20nm，所述电子传输层的厚度为10nm，所述电子注入层的厚度 为20nm，所述阴极的厚度为lOOnm。
[0016] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤；
[0017] 提供导电阳极基板，在所述导电阳极基板上真空蒸镀依次形成空穴注入层、空穴 传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；
[0018] 采用胺基物作为原料，在所述阴极上原子层沉积形成无机阻挡层，所述无机阻挡 层的材料为BxBry02、AlxBry02、GaxBry02、InxBry02 或TlxBry02 ;0.7 <x< 1，0<7<0.6，且 各物质中，Br为掺杂元素，Br掺杂质量分数为11~30wt°/〇 ;
[0019] 在所述无机阻挡层上磁控溅射形成有机阻挡层，得到所述有机电致发光器，其中， 所述无机阻挡层和所述有机阻挡层组成保护层，所述有机阻挡层的材料为硼的直链烷或镓 的直链烷，所述硼的直链烷的化学结构式）
k是1~4的整 数，所述镓的直链烷的化学结构式
其中，m是1~4的 整数。
[0020] 在一个实施例中，原子层沉积形成无机阻挡层的操作中，所述胺基物为B(CH2Br) 3、 A1 (CH2Br)3、Ga(CH2Br)3、In(CH2fc) 3 或T1 (CHJr) 3。
[0021] 在一个实施例中，原子层沉积形成无机阻挡层的操作中，工作压强为l〇Pa~ 50Pa，温度为 40°C~60°C;
[0022] 原子层沉积形成无机阻挡层的操作具体为：依次通入所述胺基物、氮气和水蒸气， 所述胺基物、所述氮气和所述水蒸气的流量均为lOsccm~20sccm，所述胺基物和所述水蒸 气的通入时间均为l〇ms~20ms，所述氮气的通入时间为5s~10s。
[0023] 在一个实施例中，磁控溅射形成有机阻挡层的操作中，本底的真空度为IX1(T5~ 1Xl(T3Pa，加速电压为300V~800V，磁场为50G~200G，功率密度为10W/cm2~40W/cm2。
[0024] 上述有机电致发光器件在阴极上设置保护层，保护层包括无机阻挡层和设置在无 机阻挡层上的有机阻挡层，无机阻挡层及由硼的直链烷或镓的直链烷形成的有机阻挡层的 致密性较高，防水氧性能较好，可有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的 侵蚀，从而对有机电致发光器件的有机功能材料及电极形成有效的保护，使得该有机电致 发光器件的使用寿命较长。相对于传统的有机电致发光器件，这种有机电致发光器件的防 水氧性能较好。
【附图说明】
[0025] 图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
[0026] 图2为如图1所示的有机电致发光器件的制备方法的流程图。
【具体实施方式】
[0027] 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明 的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发 明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不 违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
[0028] 请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100,包括依次层叠的导电阳极基板 110、空穴注入层120、空穴传输层130、发光层140、电子传输层150、电子注入层160、阴极 170及保护层180。
[0029] 导电阳极基板110优选为铟锡氧化物导电玻璃。铟锡氧化物玻璃由铟锡氧化物 (IT0)薄膜设置在玻璃基板上形成。优选地，IT0薄膜的厚度为100nm。
[0030] 在其他实施方式中，玻璃基板也可以替换为柔性基板，如聚醚砜树脂基板等。
[0031] 可以理解，在另外的实施方式中，导电阳极基板110也可以为掺氟的氧化锡玻璃 (FT0)、掺铝的氧化锌玻璃（AZ0)或掺铟的氧化锌玻璃（IZ0)等。
[0032] 空穴注入层120设置在导电阳极基板110的IT0薄膜上。空穴注入层120的材料 为三氧化钥（M〇03)和N，N' - (1-萘基）-N，N' -二苯基-4, 4' -联苯二胺（NPB)的混合物， 三氧化钥（M〇03)掺杂于N，N' - (1-萘基）-N，N' -二苯基-4, 4' -联苯二胺（NPB)中。
[0033] 优选地，空穴注入层120中，三氧化钥（M〇03)和N，N'-(1-萘基）_N，N'-二苯 基-4, 4'-联苯二胺（NPB)的质量比为3 :7。
[0034] 优选地，空穴注入层120的厚度为10nm。
[0035]空穴传输层130的材料为4, 4'，4' '-三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)。
[0036] 优选地，空穴传输层130的厚度为30nm。
[0037] 发光层140的材料为1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)和 三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy)3)的混合物，三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy)3)掺杂于 1，3,5-三（1-苯基-111-苯并咪唑-2-基）苯（了?81)。
[0038] 优选地，发光层140中，三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy)3)和1，3,5_三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)的质量比为1 :19。
[0039] 优选地，发光层140的厚度为20nm。
[0040] 电子传输层150的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)。优选地，电子传输 层150的厚度为10nm。
[0041] 电子注入层160的材料为叠氮化铯（〇8队）和4,7-二苯基-1，1〇-菲罗啉（8口11611) 的混合物，叠氮化铯（〇8队）掺杂于4,7-二苯基-1，1〇-菲罗啉（8口11611)中。
[0042] 优选地，电子注入层160中，叠氮化铯（CsN3)和4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉 (Bphen)的质量比为3 :7。
[0043] 优选地，电子注入层160的厚度为20nm。
[0044] 阴极170的材料为金属铝（A1)。优选地，阴极170的厚度为100nm。
[0045] 保护层180包括设置在阴极170上的无机阻挡层182及设置在无机阻挡层182上 的有机阻挡层184。
[0046]无机阻挡层 182 的材料为Bxfcy02、Alxfcy02、GaxBry02、InxBry02 或TlxBry02 ;0? 7 <x <1，0<y<0.6,且各物质中，Br为掺杂元素，在各物质的晶格中，Br原子分别取代B原 子、A1原子、Ga原子、In原子或T1原子，Br惨杂质量分数为11~30wt%。。
[0047]由BxBry02、AlxBry02、GaxBry02、InxBry02 或TlxBry02 形成的无机阻挡层 182 具有较高 的致密性。
[0048] 优选地，无机阻挡层182的厚度为15nm~20nm。
[0049] 有机阻挡层184的材料为硼的直链烷或镓的直链烷。
[0050] 硼的直链烷的化学结构式如下：
[0051]
$中，让是1~4的整数。
[0052] 镓的直链烷的化学结构式如下：
[0053]
其中，m为1~4的整数。
[0054] 由上述化学结构式的硼的直链烷或镓的直链烷形成的有机阻挡层184具有较高 的致密性。
[0055] 上述无机阻挡层182和有机阻挡层184均具有较高的致密性，使得保护层180的 防水氧性能较好。并且，制备无机阻挡层182的材料和制备有机阻挡层184的材料价廉，制 备工艺简单，易于大面积制备。
[0056] 上述有机电致发光器件100在阴极170上设置保护层180,保护层180包括依次 设置在阴极170上无机阻挡层182和有机阻挡层184,无机阻挡层182和有机阻挡层184 具有较高的致密性，使得保护层180具有较高的防水氧性能，能够有效地减少外部水、氧等 活性物质对有机电致发光器件1〇〇的侵蚀，从而能够较好地保护有机电致发光器件1〇〇,使 得有机电致发光器件100的使用寿命较长。经试验表明，有机电致发光器件100的寿命达 10, 900 小时以上（
[email protected]/m2)。
[0057] 在优选的实施方式中，保护层180的数量为4~6个。4~6个保护层180设置在 阴极170上，其中，上方的无机阻挡层182设置在下方的有机阻挡层184上，使得4~6无 机阻挡层182和4~6个有机阻挡层184交替设置在阴极170上。
[0058] 设置4~6个保护层180,使得多个无机阻挡层182和有机阻挡层184交替层叠， 具有较高的防水氧性能；并且保证保护层180的厚度不至于过厚，并控制有机电致发光器 件100的价格。
[0059] 如图2所示的上述有机电致发光器件100的制备方法，包括如下步骤。
[0060]S110、提供导电阳极基板110,在导电阳极基板上真空蒸镀依次形成空穴注入层 120、空穴传输层130、发光层140、电子传输层150、电子注入层160和阴极170。
[0061] 导电阳极基板110优选为铟锡氧化物导电玻璃。铟锡氧化物玻璃由铟锡氧化物 (IT0)薄膜设置在玻璃基板上形成。优选地，IT0薄膜的厚度为100nm。
[0062] 在其他实施方式中，玻璃基板也可以替换为柔性基板，如聚醚砜树脂基板等。
[0063] 可以理解，在另外的实施方式中，导电阳极基板110也可以为掺氟的氧化锡玻璃 (FT0)、掺铝的氧化锌玻璃（AZ0)或掺铟的氧化锌玻璃（IZ0)等。
[0064] 优选地，首先对导电阳极基板110进行预处理。预处理包括清洗、干燥及表面活化 处理的操作。
[0065] 进行清洗和干燥以除去导电阳极基板110表面的油污、灰尘等污染物，得到洁净、 干燥的导电阳极基板110。清洗和干燥的操作具体为：依次在超声波中进行丙酮清洗5分 钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干待 用。
[0066] 进行表面活化处理以增加导电阳极基板110表面的含氧量，提高导电阳极基板 110表面的功函数。进行表面活化处理的操作具体为：采用紫外-臭氧对洁净、干燥的导电 阳极基板110进行处理30~50分钟。
[0067] 真空度优选为1Xl(T5Pa。
[0068] 空穴注入层120设置在导电阳极基板110的IT0薄膜上。空穴注入层120的材料 为三氧化钥（M〇03)和N，N' -(1-萘基）-N，N' -二苯基-4, 4' -联苯二胺（NPB)的混合物， 三氧化钥（M〇03)掺杂于N，N' -(1-萘基）-N，N' -二苯基-4, 4' -联苯二胺（NPB)中。空穴 注入层120的蒸发速率为0.1A/S。
[0069] 优选地，空穴注入层120中，三氧化钥（M〇03)和N，N'-(1-萘基）_N，N' -二苯 基-4, 4' -联苯二胺（NPB)的质量比为3 :7。
[0070] 优选地，空穴注入层120的厚度为10nm。
[0071] 空穴传输层130的材料为4, 4'，4''-三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)。空穴传输 层130的蒸发速率为〇.1人/s。
[0072] 优选地，空穴传输层130的厚度为30nm。
[0073] 发光层140的材料为1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)和 三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy)3)的混合物，三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy)3)掺杂于 1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)。发光层140的蒸发速率为0.2A/S。
[0074] 优选地，发光层140中，三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy)3)和1，3,5_三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)的质量比为1:19。
[0075] 优选地，发光层140的厚度为20nm。
[0076] 电子传输层150的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)。电子传输层150 的蒸发速率为0.1A/s^
[0077] 优选地，电子传输层150的厚度为10nm。
[0078] 电子注入层160的材料为叠氮化铯（〇8队）和4,7-二苯基-1，1〇-菲罗啉（8口1^11) 的混合物，叠氮化铯（CsN3)掺杂于4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)中。电子注入层160 的蒸发速率为0.2A/sn
[0079] 优选地，电子注入层160中，叠氮化铯（CsN3)和4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉 (Bphen)的质量比为3 :7。
[0080] 优选地，电子注入层160的厚度为20nm。
[0081] 阴极170的材料为金属铝（A1)。阴极170的蒸发速率为5A/S,,
[0082] 优选地，阴极170的厚度为100nm。
[0083] S120、在阴极170上原子层沉积形成无机阻挡层182。
[0084] 无机阻挡层 182 的材料为Bxfcy02、Alxfcy02、GaxBry02、InxBry02 或TlxBry02 ;0? 7 <x <1，0<y<0. 6,且各物质中，Br为掺杂元素，Br掺杂质量分数为11~30wt% ;。
[0085] 采用胺基物作为原料制备无机阻挡层182。本实施方式中，胺基物为B(CH2Br)3、 A1 (CH2Br)3、Ga(CH2Br)3、In(CH2fc)3 或T1 (CHJr) 3。
[0086] 本实施方式中，胺基物的化学式如下：
[0088] S120中，工作压强为10Pa~50Pa，样品的温度保持在40°C~60°C。
[0089] 原子层沉积形成无机阻挡层的操作具体为：首先通入胺基物10ms~20ms，然后通 入5s~10s的氮气，接着通入10ms~20ms的水蒸气。胺基物、氮气和水蒸气的流量均为lOsccm~20sccm〇
[0090] 采用上述原子层沉积工艺制备无机阻挡层，制备工艺简单，制备效率高，且制备的 无机阻挡层致密性好。
[0091] 优选地，无机阻挡层的厚度为15nm~20nm。
[0092] S130、在无机阻挡层182上磁控溅射形成有机阻挡层184,得到有机电致发光器件 100。
[0093] 无机阻挡层182和有机阻挡层184组成保护层180。
[0094] 有机阻挡层184的材料为硼的直链烷或镓的直链烷。
[0095] 硼的直链烷的化学结构式如下：
[0096]
其中，k是1~4的整数。
[0097] 镓的直链烷的化学结构式如下：
[0098]
其中，m为1~4的整数。
[0099] 磁控溅射形成有机阻挡层184的操作中，本底的真空度为IX1(T5~IXl(T3Pa，加 速电压为300V~800V，磁场为50G~200G，功率密度为10W/cm2~40W/cm2。采用上述条 件制备的有机阻挡层184的致密性较好，无缺陷，有利于制备高质量的有机阻挡层184。
[0100] 优选地，有机阻挡层184的厚度为200nm~300nm。
[0101] 有机阻挡层184设置在无机阻挡层182上，二者共同形成设置在阴极170上的保 护层180,得到有机电致发光器件100。
[0102] 在优选的实施方式中，当保护层180的数量为4~6个时，在阴极170上制备无机 阻挡层182和有机阻挡层184形成一个保护层180上后，交替重复制备无机阻挡层182和 有机阻挡层184的步骤3~5次，得到设置在阴极170上的4~6个保护层180。
[0103] 上述有机电致发光器件的制备方法，在导电阳极基板110上依次真空蒸镀制备空 穴注入层120、空穴传输层130、发光层140、电子传输层150、电子注入层160和阴极170,并 在阴极170上原子层沉积制备无机阻挡层182,在无机阻挡层182上磁控溅射制备有机阻挡 层184,形成设置在阴极170上的保护层180,制备得到有机电致发光器件100。这种制备方 法得到的有机电致发光器件100具有较高的防水氧性能，能够有效地减少外部水、氧等活 性物质对有机电致发光器件的侵蚀，满足制备的密封性和要求，可显著地提高有机电致发 光器件的寿命。
[0104] 以下通过具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进行详细的阐述。
[0105] 实施例1
[0106] 提供铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，将导电阳极基板依次在超声波中进行丙酮 清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘 箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、干燥的导电阳极基板进 行处理30分钟。
[0107] 在真空度为IXl(T5Pa的条件下，在导电阳极基板上真空蒸镀依次形成空穴注入 层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。其中，空穴注入层的材料为质量 比为3 :7的M〇03和NPB的混合物，蒸发速率为〇.1A._s.厚度为l〇nm;空穴传输层的材料 为TCTA，蒸发速率为O.lA/s,厚度为30nm;发光层的材料为质量比为1 :19的Ir(ppy)dP TPBI的混合物，蒸发速率为0.2A/S，厚度为20nm;电子传输层的材料为Bphen,蒸发速率为 0.1A/S,厚度为l〇nm;电子注入层的材料为质量比为3 :7的CsN3和Bphen的混合物，蒸发 速率为0.1A/S,厚度为20nm;阴极的材料为铝，蒸发速率为5A/S,厚度为l〇〇nm。
[0108] 以B(CHJr)3为原料，工作压强为40Pa、工作温度为50°C的条件下，通入 B(CH2Br)315ms，再通入氮气7s，最后通入水蒸气15ms，B(CH2Br)3、氮气和水蒸气的流量均为 15sccm
，从而在阴极上原子层沉积形成无机阻挡层。无机阻挡层的材料为掺 杂质量分数为20wt%，厚度为20nm。
[0109] 在本底真空度lXl(T5Pa，加速电压为500V，磁场为100G，功率密度为20W/cm2的 条件下，在无机阻挡层上磁控溅射形成有机阻挡层。有机阻挡层的材料为三（3-甲基丁基） 硼，厚度为300nm。
[0110] 无机阻挡层和有机阻挡层形成一个保护层。三（3-甲基丁基）硼的结构式如下：
[0111]
[0112] 重复制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤5次，在阴极上形成6个保护层，得到有 机电致发光器件。
[0113] 实施例2
[0114] 提供铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，将导电阳极基板依次在超声波中进行丙酮 清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘 箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、干燥的导电阳极基板进 行处理30分钟。
[0115] 在真空度为lXl(T5Pa的条件下，在导电阳极基板上真空蒸镀依次形成空穴注入 层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。其中，空穴注入层的材料为质量 比为3 :7的M〇03和NPB的混合物，蒸发速率为0JA/S,厚度为l〇nm;空穴传输层的材料 为TCTA，蒸发速率为厚度为30nm;发光层的材料为质量比为1 :19的Ir(ppy)dP TPBI的混合物，蒸发速率为0.2A/S，厚度为20nm;电子传输层的材料为Bphen，蒸发速率为 0.1A/S，厚度为l〇nm;电子注入层的材料为质量比为3 :7的CsN3和Bphen的混合物，蒸发 速率为0.1人/S,厚度为20nm;阴极的材料为铝，蒸发速率为5晨/S,厚度为l〇〇nm。
[0116] 以A1 (CH2fc) 3为原料，工作压强为10Pa、工作温度为40°C的条件下，通入 A1 (CH2Br)320ms，再通入氮气10s，最后通入水蒸气20ms，A1 (CH2Br)3、氮气和水蒸气的 流量均为2〇SCCm，从而在阴极上原子层沉积形成无机阻挡层。无机阻挡层的材料为 AlQ.75BrQ.580 2，Br掺杂质量分数为llwt%，厚度为19nm。
[0117] 在本底真空度lXl(T5Pa，加速电压为300V，磁场为50G，功率密度为lOW/cm2的条 件下，在无机阻挡层上磁控溅射形成有机阻挡层。有机阻挡层的材料为三（3, 7-二甲基辛 基）硼，厚度为250nm。
[0118] 无机阻挡层和有机阻挡层形成一个保护层。三（3, 7-二甲基辛基）硼的结构式如 下：
[0119]
[0120] 重复制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤5次，在阴极上形成6个保护层，得到有 机电致发光器件。
[0121] 实施例3
[0122] 提供铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，将导电阳极基板依次在超声波中进行丙酮 清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘 箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、干燥的导电阳极基板进 行处理30分钟。
[0123] 在真空度为IXl(T5Pa的条件下，在导电阳极基板上真空蒸镀依次形成空穴注入 层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。其中，空穴注入层的材料为质量 比为3 :7的M〇03和NPB的混合物，蒸发速率为0.1A/S，厚度为l〇nm;空穴传输层的材料 为TCTA，蒸发速率为(UA/S,厚度为30nm;发光层的材料为质量比为1 :19的11~化?7)3和TPBI的混合物，蒸发速率为〇.2A/s5厚度为20nm;电子传输层的材料为Bphen，蒸发速率为 O.il/S，厚度为l〇nm;电子注入层的材料为质量比为3 :7的CsN3和Bphen的混合物，蒸发 速率为0.1A/S，厚度为20nm;阴极的材料为铝，蒸发速率为5A/S，厚度为l〇〇nm。
[0124] 以Ga(CH2fc) 3为原料，工作压强为50Pa、工作温度为60°C的条件下，通入 Ga(CH2Br)310ms，再通入氮气5s，最后通入水蒸气10ms，Ga(CH2Br)3、氮气和水蒸气的流量均 为lOsccm，从而在阴极上原子层沉积形成无机阻挡层。无机阻挡层的材料为 Br掺杂质量分数为30wt%，厚度为18nm。
[0125] 在本底真空度1X10_4Pa，加速电压为800V，磁场为200G，功率密度为40W/cm2的条 件下，在无机阻挡层上磁控溅射形成有机阻挡层。有机阻挡层的材料为三（3, 7, 11-三甲基 十二烷基）硼，厚度为200nm。
[0126] 无机阻挡层和有机阻挡层形成一个保护层。三（3, 7, 11-三甲基十二烷基)硼的结 构式如下：
[0127]
[0128] 重复制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤5次，在阴极上形成6个保护层，得到有 机电致发光器件。
[0129] 实施例4
[0130] 提供铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，将导电阳极基板依次在超声波中进行丙酮 清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘 箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、干燥的导电阳极基板进 行处理30分钟。
[0131] 在真空度为IXl(T5Pa的条件下，在导电阳极基板上真空蒸镀依次形成空穴注入 层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。其中，空穴注入层的材料为质量 比为3 :7的M〇03和NPB的混合物，蒸发速率为〇.丨A/s,厚度为l〇nm;空穴传输层的材料 为TCTA，蒸发速率为0.1A/S，厚度为30nm;发光层的材料为质量比为1 :19的Ir(ppy)dP TPBI的混合物，蒸发速率为CX2A/S,厚度为20nm;电子传输层的材料为Bphen，蒸发速率为 0.1A/S,厚度为l〇nm;电子注入层的材料为质量比为3 :7的CsN3和Bphen的混合物，蒸发 速率为0.1A/S，厚度为20nm;阴极的材料为铝，蒸发速率为5赢/S，厚度为l〇〇nm。
[0132] 以In(CH2fc) 3为原料，工作压强为30Pa、工作温度为45 °C的条件下，通入 In(CH2Br)315ms，再通入氮气7s，最后通入水蒸气15ms，In(CH2Br)3、氮气和水蒸气的流量均 为17sccm，从而在阴极上原子层沉积形成无机阻挡层。无机阻挡层的材料为IndiBrd.^A， Br掺杂质量分数为15wt%，厚度为16nm。
[0133] 在本底真空度1Xl(T4Pa，加速电压为500V，磁场为100G，功率密度为15W/cm2的条 件下，在无机阻挡层上磁控溅射形成有机阻挡层。有机阻挡层的材料为三（3, 7, 11，15-四 甲基十六烷基）硼，厚度为250nm。
[0134] 无机阻挡层和有机阻挡层形成一个保护层。三（3, 7, 11，15-四甲基十六烷基）硼 的结构式如下：
[0135]
[0136] 重复制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤4次，在阴极上形成5个保护层，得到有 机电致发光器件。
[0137] 实施例5
[0138] 提供铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，将导电阳极基板依次在超声波中进行丙酮 清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘 箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、干燥的导电阳极基板进 行处理30分钟。
[0139] 在真空度为IXl(T5Pa的条件下，在导电阳极基板上真空蒸镀依次形成空穴注入 层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。其中，空穴注入层的材料为质量 比为3 :7的M〇03和NPB的混合物，蒸发速率为O.lA/s,厚度为l〇nm;空穴传输层的材料 为TCTA，蒸发速率为(.UA/S，厚度为30nm;发光层的材料为质量比为1 :19的Ir(ppy)dP TPBI的混合物，蒸发速率为0.2A/S，厚度为20nm;电子传输层的材料为Bphen，蒸发速率为 CUA/S，厚度为l〇nm;电子注入层的材料为质量比为3 :7的CsN3和Bphen的混合物，蒸发 速率为0.1A/S，厚度为20nm;阴极的材料为铝，蒸发速率为5A/S，厚度为l〇〇nm。
[0140] 以T1 (CH2fc) 3为原料，工作压强为40Pa、工作温度为40°C的条件下，通入 T1 (CH2Br)315ms，再通入氮气7s，最后通入水蒸气15ms，T1 (CH2Br)3、氮气和水蒸气的流量均 为llsccm，从而在阴极上原子层沉积形成无机阻挡层。无机阻挡层的材料为 Br掺杂质量分数为25wt%，厚度为15nm。
[0141] 在本底真空度lX10_4Pa，加速电压为400V，磁场为150G，功率密度为30W/cm2的 条件下，在无机阻挡层上磁控溅射形成有机阻挡层。有机阻挡层的材料为三（3-甲基丁基） 硼，厚度为220nm。
[0142] 无机阻挡层和有机阻挡层形成一个保护层。三（3-甲基丁基）硼的结构式如下：
[0143]
[0144] 重复制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤4次，在阴极上形成5个保护层，得到有 机电致发光器件。
[0145] 实施例6
[0146] 提供铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，将导电阳极基板依次在超声波中进行丙酮 清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘 箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、干燥的导电阳极基板进 行处理30分钟。
[0147] 在真空度为IXl(T5Pa的条件下，在导电阳极基板上真空蒸镀依次形成空穴注入 层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。其中，空穴注入层的材料为质量 比为3 :7的M〇03和NPB的混合物，蒸发速率为0.KA^厚度为l〇nm;空穴传输层的材料 为TCTA，蒸发速率为〇,lA/s,厚度为30nm;发光层的材料为质量比为1 :19的11~化?7)3和 TPBI的混合物，蒸发速率为0.2A/S,厚度为20nm;电子传输层的材料为Bphen，蒸发速率为 0,1A/S,厚度为l〇nm;电子注入层的材料为质量比为3 :7的CsN3和Bphen的混合物，蒸发 速率为0.1A/S,厚度为20nm;阴极的材料为铝，蒸发速率为5人/S，厚度为l〇〇nm。
[0148] 以T1 (CH2fc)3为原料，工作压强为45Pa、工作温度为55 °C的条件下，通入 T1 (CH2Br)310ms，再通入氮气10s，最后通入水蒸气10ms，T1 (CH2Br)3、氮气和水蒸气的 流量均为15Sccm，从而在阴极上原子层沉积形成无机阻挡层。无机阻挡层的材料为 TUr^O^
Br掺杂质量分数为17wt%，厚度为15nm。
[0149] 在本底真空度lX10_3Pa，加速电压为400V，磁场为80G，功率密度为30W/cm2的条 件下，在无机阻挡层上磁控溅射形成有机阻挡层。有机阻挡层的材料为三（3, 7-二甲基辛 基）硼，厚度为210nm。
[0150] 无机阻挡层和有机阻挡层形成一个保护层。三（3, 7-二甲基辛基）硼的结构式如 下：
[0151]
[0152] 重复制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤3次，在阴极上形成4个保护层，得到有 机电致发光器件。
[0153] 实施例7
[0154] 提供铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，将导电阳极基板依次在超声波中进行丙酮 清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘 箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、干燥的导电阳极基板进 行处理30分钟。
[0155] 在真空度为IXl(T5Pa的条件下，在导电阳极基板上真空蒸镀依次形成空穴注入 层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。其中，空穴注入层的材料为质量 比为3 :7的M〇03和NPB的混合物，蒸发速率为〇.1A/S,厚度为l〇nm;空穴传输层的材料 为TCTA，蒸发速率为O.l.Vs,厚度为30nm;发光层的材料为质量比为1 :19的Ir(ppy)jP TPBI的混合物，蒸发速率为0.2A/S,厚度为20nm;电子传输层的材料为Bphen，蒸发速率为 0.1A/S，厚度为l〇nm;电子注入层的材料为质量比为3 :7的CsN3和Bphen的混合物，蒸发 速率为0.1A/S，厚度为20nm;阴极的材料为铝，蒸发速率为5人/S，厚度为l〇〇nm。
[0156] 以B(CHJr) 3为原料，工作压强为40Pa、工作温度为50°C的条件下，通入 B(CH2Br)315ms，再通入氮气7s，最后通入水蒸气15ms，B(CH2Br)3、氮气和水蒸气的流量均为 15sccm，从而在阴极上原子层沉积形成无机阻挡层。无机阻挡层的材料为Ba88Bra4402，Br掺 杂质量分数为12wt%，厚度为20nm。
[0157] 在本底真空度lX10_5Pa，加速电压为500V，磁场为100G，功率密度为20W/cm2的 条件下，在无机阻挡层上磁控溅射形成有机阻挡层。有机阻挡层的材料为三（3-甲基丁基） 镓，厚度为300nm。
[0158] 无机阻挡层和有机阻挡层形成一个保护层。三（3-甲基丁基）镓的结构式如下：
[0159]
[0160] 重复制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤5次，在阴极上形成6个保护层，得到有 机电致发光器件。
[0161] 实施例8
[0162] 提供铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，将导电阳极基板依次在超声波中进行丙酮 清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘 箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、干燥的导电阳极基板进 行处理30分钟。
[0163] 在真空度为IXl(T5Pa的条件下，在导电阳极基板上真空蒸镀依次形成空穴注入 层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。其中，空穴注入层的材料为质 量比为3 :7的M〇03和NPB的混合物，蒸发速率为0.1A/S，厚度为l〇nm;空穴传输层的材料 为TCTA，蒸发速率为0JA/S,厚度为30nm;发光层的材料为质量比为1 :19的11~化?7)3和TPBI的混合物，蒸发速率为0.2人/S，厚度为20nm;电子传输层的材料为Bphen，蒸发速率为 O.lA/S，厚度为l〇nm;电子注入层的材料为质量比为3 :7的&乂和Bphen的混合物，蒸发 速率为0.1人/S,厚度为20nm;阴极的材料为铝，蒸发速率为5人/S，厚度为l〇〇nm。
[0164] 以A1 (CH2fc) 3为原料，工作压强为10Pa、工作温度为40°C的条件下，通入 Al(CH2Br)320ms，再通入氮气10s，最后通入水蒸气20ms，Al(CH2Br)3、氮气和水蒸气的流量 均为20sccm，从而在阴极上原子层沉积形成无机阻挡层。无机阻挡层的材料为Ala89Bra402， Br掺杂质量分数为15wt%，厚度为19nm。
[0165] 在本底真空度lXl(T5Pa，加速电压为300V，磁场为50G，功率密度为lOW/cm2的条 件下，在无机阻挡层上磁控溅射形成有机阻挡层。有机阻挡层的材料为三（3, 7-二甲基辛 基）镓，厚度为250nm。
[0166] 无机阻挡层和有机阻挡层形成一个保护层。三（3, 7-二甲基辛基）镓的结构式如 下：
[0167]
[0168] 重复制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤5次，在阴极上形成6个保护层，得到有 机电致发光器件。
[0169] 实施例9
[0170] 提供铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，将导电阳极基板依次在超声波中进行丙酮 清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘 箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、干燥的导电阳极基板进 行处理30分钟。
[0171] 在真空度为lXl(T5Pa的条件下，在导电阳极基板上真空蒸镀依次形成空穴注入 层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。其中，空穴注入层的材料为质量 比为3 :7的MoOjPNPB的混合物，蒸发速率为O.lA/s,厚度为l〇nm;空穴传输层的材料 为TCTA，蒸发速率为().1A/S、厚度为30nm;发光层的材料为质量比为1 :19的Ir(ppy)jP TPBI的混合物，蒸发速率为0.2A/S，厚度为20nm;电子传输层的材料为Bphen,蒸发速率为 CUA/S，厚度为l〇nm;电子注入层的材料为质量比为3:7的CsN3和Bphen的混合物，蒸发 速率为0,1人/8,厚度为20nm;阴极的材料为铝，蒸发速率为5A/S,厚度为l〇〇nm。
[0172] 以Ga(CH2fc) 3为原料，工作压强为50Pa、工作温度为60°C的条件下，通入 Ga(CH2Br)310ms，再通入氮气5s，最后通入水蒸气10ms，Ga(CH2Br)3、氮气和水蒸气的流量均 为lOsccm，从而在阴极上原子层沉积形成无机阻挡层。无机阻挡层的材料为 Br掺杂质量分数为16wt%，厚度为18nm。
[0173] 在本底真空度1X10_4Pa，加速电压为800V，磁场为200G，功率密度为40W/cm2的条 件下，在无机阻挡层上磁控溅射形成有机阻挡层。有机阻挡层的材料为三（3, 7, 11-三甲基 十二烷基）镓，厚度为200nm。
[0174] 无机阻挡层和有机阻挡层形成一个保护层。三（3, 7, 11-三甲基十二烷基)镓的结 构式如下：
[0175]
[0176] 重复制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤5次，在阴极上形成6个保护层，得到有 机电致发光器件。
[0177] 实施例10
[0178] 提供铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，将导电阳极基板依次在超声波中进行丙酮 清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘 箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、干燥的导电阳极基板进 行处理30分钟。
[0179] 在真空度为IXl(T5Pa的条件下，在导电阳极基板上真空蒸镀依次形成空穴注入 层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。其中，空穴注入层的材料为质量 比为3 :7的M〇03和NPB的混合物，蒸发速率为CUA/S，厚度为l〇nm;空穴传输层的材料 为TCTA，蒸发速率为〇.1A/S、厚度为30nm;发光层的材料为质量比为1 :19的Ir(ppy)dP TPBI的混合物，蒸发速率为0.2A/S,厚度为20nm;电子传输层的材料为Bphen，蒸发速率为 0.1A/S，厚度为l〇nm;电子注入层的材料为质量比为3 :7的&乂和Bphen的混合物，蒸发 速率为0.1A/S,厚度为20nm;阴极的材料为铝，蒸发速率为5A/S，厚度为l〇〇nm。
[0180] 以In(CH2fc)3为原料，工作压强为45Pa、工作温度为55 °C的条件下，通入 In(CH2Br)315ms，再通入氮气7s，最后通入水蒸气15ms，In(CH2Br)3、氮气和水蒸气的流量均 为17sccm，从而在阴极上原子层沉积形成无机阻挡层。无机阻挡层的材料为 Br掺杂质量分数为18wt%，厚度为16nm。
[0181] 在本底真空度IXl(T4Pa，加速电压为600V，磁场为150G，功率密度为15W/cm2的条 件下，在无机阻挡层上磁控溅射形成有机阻挡层。有机阻挡层的材料为三（3, 7, 11，15-四 甲基十六烷基）镓，厚度为250nm。
[0182] 无机阻挡层和有机阻挡层形成一个保护层。三（3, 7, 11，15-四甲基十六烷基）镓 的结构式如下：
[0183]
[0184] 重复制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤5次，在阴极上形成6个保护层，得到有 机电致发光器件。
[0185] 实施例11
[0186] 提供铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，将导电阳极基板依次在超声波中进行丙酮 清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘 箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、干燥的导电阳极基板进 行处理30分钟。
[0187] 在真空度为IXl(T5Pa的条件下，在导电阳极基板上真空蒸镀依次形成空穴注入 层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。其中，空穴注入层的材料为质量 比为3 :7的M〇03和NPB的混合物，蒸发速率为〇.丨A/S，厚度为l〇nm;空穴传输层的材料 为TCTA，蒸发速率为OJA/S,厚度为30nm;发光层的材料为质量比为1 :19的Ir(ppy)dP TPBI的混合物，蒸发速率为0.2A/S,厚度为20nm;电子传输层的材料为Bphen，蒸发速率为 0.1A/S，厚度为l〇nm;电子注入层的材料为质量比为3 :7的CsN3和Bphen的混合物，蒸发 速率为0.1A/S，厚度为20nm;阴极的材料为铝，蒸发速率为5A/S，厚度为l〇〇nm。
[0188] 以T1 (CH2fc) 3为原料，工作压强为30Pa、工作温度为40°C的条件下，通入 T1 (CH2Br)315ms，再通入氮气7s，最后通入水蒸气15ms，T1 (CH2Br)3、氮气和水蒸气的流量均 为llsccm，从而在阴极上原子层沉积形成无机阻挡层。无机阻挡层的材料为I'ldiBrd.uOy Br掺杂质量分数为19wt%
，厚度为15nm。
[0189] 在本底真空度lX10_4Pa，加速电压为350V，磁场为200G，功率密度为30W/cm2的 条件下，在无机阻挡层上磁控溅射形成有机阻挡层。有机阻挡层的材料为三（3-甲基丁基） 镓，厚度为220nm。
[0190] 无机阻挡层和有机阻挡层形成一个保护层。三（3-甲基丁基）镓的结构式如下：
[0191]
[0192] 重复制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤5次，在阴极上形成6个保护层，得到有 机电致发光器件。
[0193] 实施例12
[0194] 提供铟锡氧化玻璃作为导电阳极基板，将导电阳极基板依次在超声波中进行丙酮 清洗5分钟、乙醇清洗5分钟、去离子水清洗5分钟和乙醇清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘 箱烤干，得到洁净、干燥的导电阳极基板；采用紫外-臭氧对洁净、干燥的导电阳极基板进 行处理30分钟。
[0195] 在真空度为IXl(T5Pa的条件下，在导电阳极基板上真空蒸镀依次形成空穴注入 层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。其中，空穴注入层的材料为质量 比为3 :7的M〇03和NPB的混合物，蒸发速率为0JA/S,厚度为l〇nm;空穴传输层的材料 为TCTA，蒸发速率为0.1A/S,厚度为30nm;发光层的材料为质量比为1 :19的11~化?7)3和TPBI的混合物，蒸发速率为0.2A/S,厚度为20nm;电子传输层的材料为Bphen，蒸发速率为 0.1A/S,厚度为l〇nm;电子注入层的材料为质量比为3 :7的CsN3和Bphen的混合物，蒸发 速率为0.1人/S,厚度为20nm;阴极的材料为铝，蒸发速率为5人/S，厚度为l〇〇nm。
[0196] 以T1 (CH2fc) 3为原料，工作压强为40Pa、工作温度为45 °C的条件下，通入 T1 (CH2Br)310ms，再通入氮气10s，最后通入水蒸气10ms，T1 (CH2Br)3、氮气和水蒸气的 流量均为15Sccm，从而在阴极上原子层沉积形成无机阻挡层。无机阻挡层的材料为 丁1。.8抑。.4602,Br掺杂质量分数为20wt%，厚度为15nm。
[0197] 在本底真空度lX10_3Pa，加速电压为400V，磁场为80G，功率密度为30W/cm2的条 件下，在无机阻挡层上磁控溅射形成有机阻挡层。有机阻挡层的材料为三（3, 7-二甲基辛 基）镓，厚度为210nm。
[0198] 无机阻挡层和有机阻挡层形成一个保护层。三（3, 7-二甲基辛基）镓的结构式如 下：
[0199]
〇
[0200] 重复制备无机阻挡层和有机阻挡层的步骤3次，在阴极上形成4个保护层，得到有 机电致发光器件。
[0201] 采用Ca膜电学测试方法测试实施例1~实施例6制备的有机电致发光器件的 水汽渗透率，具体方法为：在玻璃基板上沉积钙膜，然后在钙膜上制备本实施例的封装层， 通过玻璃基板和封装层将钙膜密封，然后通过测试Ca膜的电学参数来计算出水氧渗透率 (WVTR，g/m2 ?day)，公式为：
[0202]
[0203] 其中，S为Ca的密度，M是摩尔质量，Ri和hi测试前Ca的电阻和厚度初始值，t 为测试时间，R和h分别是测试结束时Ca的电阻和厚度；R和Ri采用吉时利2400测试，h 和hi采用台阶仪测试。
[0204] 通过数字源表2400和亮度计CS-100A测试实施例1~实施例6制备的有机电致 发光器件的亮度衰减到初始亮度(初始亮度为l〇〇〇cd/m2)70%所用的时间，得到有机电致发 光器件的寿命值。
[0205] 根据上述两个测试，得到如下所示的表1。
[0206]
[0207]
[0208] 表 1
[0209] 由表1可看出，实施例1~实施例6制备的有机电致发光器件的寿命较长，且实施 例1~实施例6制备的有机电致发光器件的水汽渗透率较低。
[0210] 说明保护层的致密性较好，设置了保护层能够较好地隔绝水氧，有利于提高有机 电致发光器件的使用寿命。
[0211] 采用Ca膜电学测试方法测试实施例7~实施例12制备的有机电致发光器件的 水氧渗透率，具体方法为：在玻璃基板上沉积钙膜，然后在钙膜上制备本实施例的封装层， 通过玻璃基板和封装层将钙膜密封，然后通过测试Ca膜的电学参数来计算出水氧渗透率 (WVTR，g/m2 ?day)，公式为：
[0212]
[0213] 其中，S为Ca的密度，M是摩尔质量，Ri和hi测试前Ca的电阻和厚度初始值，t 为测试时间，R和h分别是测试结束时Ca的电阻和厚度；R和Ri采用吉时利2400测试，h 和hi采用台阶仪测试。
[0214] 通过数字源表2400和亮度计CS-100A测试实施例7~实施例12制备的有机电致 发光器件的亮度衰减到初始亮度(初始亮度为l〇〇〇cd/m2)70%所用的时间，得到有机电致发 光器件的寿命值。
[0215] 根据上述两个测试，得到如下所示的表2。
[0216]表2
[0217]
[0218] 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并 不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员 来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保 护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1. 一种有机电致发光器件，包括导电阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子 传输层、电子注入层和阴极； 其特征在于，还包括保护层，所述保护层包括设置在所述阴极上的无机阻挡层和设置 在所述无机阻挡层上的有机阻挡层； 所述无机阻挡层的材料为 BxBry02、AlxBry0 2、GaxBry02、InxBr yO2 或 TlxBryO2 ;0. 7 < X < 1， 0 < y < 0. 6,且各物质中，Br为掺杂元素，Br掺杂质量分数为11~30wt% ; 所述有机阻挡层的材料为硼的直链烷或镓的直链烷； 所述硼的直链烷的化学结构式丨所述镓的直链烷的化 学结构式其中，k和m均为1~4的整数。2. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述保护层为4~6个，所 述4~6个保护层设置在所述阴极上，使所述无机阻挡层和所述有机阻挡层交替设置在所 述阴极上。3. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述无机阻挡层的厚度为 15nm ~20nm〇4. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层的厚度为 200nm ~；BOOnm。5. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述导电阳极基板为氧 化铟锡导电玻璃，所述空穴注入层的材料为质量比为3 :7的三氧化钥和N，N' - (1-萘 基）-N，N' -二苯基-4, 4' -联苯二胺的混合物，所述空穴传输层的材料为4, 4'，4''-三 (咔唑-9-基）三苯胺，所述发光层的材料为质量比为1 :19的1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯 并咪唑-2-基）苯和三（2-苯基吡啶）合铱的混合物，所述电子传输层的材料为4, 7-二 苯基-1，10-菲罗啉，所述电子注入层的材料为质量比为3 :7的叠氮化铯和4, 7-二苯 基-1，10-菲罗啉的混合物，所述阴极的材料为铝。6. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为 l〇nm，所述空穴传输层的厚度为30nm，所述发光层的厚度为20nm，所述电子传输层的厚度 为IOnm,所述电子注入层的厚度为20nm，所述阴极的厚度为lOOnm。7. -种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤； 提供导电阳极基板，在所述导电阳极基板上真空蒸镀依次形成空穴注入层、空穴传输 层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极； 采用胺基物作为原料，在所述阴极上原子层沉积形成无机阻挡层，所述无机阻挡层的 材料为 BxBryO2、AlxBryO 2、GaxBryO2、InxBr yO2 或 TlxBryO2 ;0· 7 <x< l，0<y<0. 6,且各物 质中，Br为掺杂元素，Br掺杂质量分数为11~30wt% ;; 在所述无机阻挡层上磁控溅射形成有机阻挡层，得到所述有机电致发光器，其中，所述 无机阻挡层和所述有机阻挡层组成保护层，所述有机阻挡层的材料为硼的直链烷或镓的直 链烷，所述硼的直链烷的化学结构式为k是1~4的整数，所 述镓的直链烷的化学结构式戈其中，m是1~4的整数。8. 根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，原子层沉积形 成无机阻挡层的操作中，所述胺基物为B (CH2Br) 3、Al (CH2Br) 3、Ga (CH2Br) 3、In (CH2Br) 3或 Tl (CH忑r) 3。9. 根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，原子层沉积形 成无机阻挡层的操作中，工作压强为IOPa~50Pa，温度为40°C~60°C ; 原子层沉积形成无机阻挡层的操作具体为：依次通入所述胺基物、氮气和水蒸气，所述 胺基物、所述氮气和所述水蒸气的流量均为IOsccm~20sccm，所述胺基物和所述水蒸气的 通入时间均为IOms~20ms，所述氮气的通入时间为5s~10s。10. 根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，磁控溅射形成 有机阻挡层的操作中，本底的真空度为I X KT5~I X KT3Pa,加速电压为300V~800V，磁场 为50G~200G，功率密度为10W/cm2~40W/cm 2。
【专利摘要】本发明涉及一种有机电致发光器件，包括导电阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；还包括保护层，所述保护层包括设置在所述阴极上的无机阻挡层和设置在所述无机阻挡层上的有机阻挡层；所述有机阻挡层的材料为硼的直链烷或镓的直链烷。上述有机电致发光器件在阴极上设置保护层，保护层包括无机阻挡层和设置在无机阻挡层上的有机阻挡层，无机阻挡层及由硼的直链烷形成的有机阻挡层的致密性较高，防水氧性能较好，可有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，这种有机电致发光器件的防水氧性能较好。
【IPC分类】H01L51/52, H01L51/54, H01L51/56
【公开号】CN104882562
【申请号】CN201410073299
【发明人】周明杰, 钟铁涛, 王平, 陈吉星
【申请人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2014年2月28日
